JP2002060719A - 接着性シリコーンゴム組成物及び半導体装置 - Google Patents
接着性シリコーンゴム組成物及び半導体装置Info
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- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （１）１分子中にケイ素原子に結合した
アルケニル基を２個以上含有するオルガノポリシロキサ
ン、（２）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を
２個以上含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサ
ン、（３）接着性付与剤、（４）付加反応触媒を含有す
る接着性シリコーンゴム組成物において、ケイ素原子数
１１〜５０の環状及び直鎖状の低分子無官能シロキサン
の含有量が３重量％以下であることを特徴とする接着性
シリコーンゴム組成物。 【効果】 本発明によれば、半導体チップと取付け部材
との間の接着性が良好で、経時により接着性能が低下す
ることがないため、半導体チップ／ボンディングワイヤ
ー或いはボンディングワイヤー／リードフレーム間の接
続信頼性が低下したり、封止材の半導体チップ、取付け
部、リードフレームヘの接着性が悪化し、装置の耐湿性
が低下するといった問題を生じることがなく、半導体チ
ップ取付け用の接着剤（ダイボンド剤）として良好に使
用することができる。
アルケニル基を２個以上含有するオルガノポリシロキサ
ン、（２）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を
２個以上含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサ
ン、（３）接着性付与剤、（４）付加反応触媒を含有す
る接着性シリコーンゴム組成物において、ケイ素原子数
１１〜５０の環状及び直鎖状の低分子無官能シロキサン
の含有量が３重量％以下であることを特徴とする接着性
シリコーンゴム組成物。 【効果】 本発明によれば、半導体チップと取付け部材
との間の接着性が良好で、経時により接着性能が低下す
ることがないため、半導体チップ／ボンディングワイヤ
ー或いはボンディングワイヤー／リードフレーム間の接
続信頼性が低下したり、封止材の半導体チップ、取付け
部、リードフレームヘの接着性が悪化し、装置の耐湿性
が低下するといった問題を生じることがなく、半導体チ
ップ取付け用の接着剤（ダイボンド剤）として良好に使
用することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着性シリコーン
ゴム組成物に関し、特には半導体チップと取付け部材と
の間の接着に使用される接着性シリコーンゴム組成物及
び半導体装置に関する。
ゴム組成物に関し、特には半導体チップと取付け部材と
の間の接着に使用される接着性シリコーンゴム組成物及
び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップの接着には、半導体
チップとタブ等取付け部材との間の応力緩和効果を持つ
シリコーンゴム系接着剤が使用されていた。これらは、
付加硬化タイプであり、接着成分としては、分子中にケ
イ素原子に結合したアルコキシ基と、ケイ素原子に結合
したアルケニル基もしくはケイ素結合水素原子を、それ
ぞれ１個以上含有する有機ケイ素化合物が用いられてき
た（特開昭６１−５５３０号公報、特許第２８８２８２
３号公報）。
チップとタブ等取付け部材との間の応力緩和効果を持つ
シリコーンゴム系接着剤が使用されていた。これらは、
付加硬化タイプであり、接着成分としては、分子中にケ
イ素原子に結合したアルコキシ基と、ケイ素原子に結合
したアルケニル基もしくはケイ素結合水素原子を、それ
ぞれ１個以上含有する有機ケイ素化合物が用いられてき
た（特開昭６１−５５３０号公報、特許第２８８２８２
３号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法において
は、半導体チップを取付け部に接着した後、半導体チッ
プとリードフレーム等の回路配線とをボンディングワイ
ヤーで接続し、更に封止材により全体を封止するが、使
用中に半導体チップ／ボンディングワイヤー或いはボン
ディングワイヤー／リードフレーム間の接続信頼性が低
下したり、上記封止材の半導体チップ、取付け部、リー
ドフレームヘの接着性が悪化し、装置の耐湿性が低下す
るといった問題があった。
は、半導体チップを取付け部に接着した後、半導体チッ
プとリードフレーム等の回路配線とをボンディングワイ
ヤーで接続し、更に封止材により全体を封止するが、使
用中に半導体チップ／ボンディングワイヤー或いはボン
ディングワイヤー／リードフレーム間の接続信頼性が低
下したり、上記封止材の半導体チップ、取付け部、リー
ドフレームヘの接着性が悪化し、装置の耐湿性が低下す
るといった問題があった。
【０００４】従って、本発明は、半導体チップと取付け
部材との間の接着性が良好で、経時により半導体装置の
信頼性を低下させることのない接着性シリコーンゴム組
成物及び半導体装置を提供することを目的とする。
部材との間の接着性が良好で、経時により半導体装置の
信頼性を低下させることのない接着性シリコーンゴム組
成物及び半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた
結果、シリコーンゴム組成物中に含まれるアルケニル
基、アルコキシ基、メタクリロキシアルキル基、メルカ
プト基、ケイ素結合水素原子、水酸基、アミノ基、エポ
キシ基等の反応性官能基を分子中に含有しない、ケイ素
原子数１１〜５０の環状或いは直鎖状低分子シロキサン
が、組成物の加硫硬化後も架橋構造に化学結合により組
み込まれることなく、半導体チップの接着部分から徐々
にブリードしていき、半導体チップ／ボンディングワイ
ヤー或いはボンディングワイヤー／リードフレーム間、
封止材の半導体チップ、取付け部、リードフレームとの
封止、接着部分に浸透していき、離型作用を発現して接
続信頼性の低下、接着性の悪化といった影響を及ぼして
いることを見出し、これらシロキサン含有量を３重量％
以下に削減することにより、上記悪影響を防止できるこ
とを見出し、本発明を完成させた。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた
結果、シリコーンゴム組成物中に含まれるアルケニル
基、アルコキシ基、メタクリロキシアルキル基、メルカ
プト基、ケイ素結合水素原子、水酸基、アミノ基、エポ
キシ基等の反応性官能基を分子中に含有しない、ケイ素
原子数１１〜５０の環状或いは直鎖状低分子シロキサン
が、組成物の加硫硬化後も架橋構造に化学結合により組
み込まれることなく、半導体チップの接着部分から徐々
にブリードしていき、半導体チップ／ボンディングワイ
ヤー或いはボンディングワイヤー／リードフレーム間、
封止材の半導体チップ、取付け部、リードフレームとの
封止、接着部分に浸透していき、離型作用を発現して接
続信頼性の低下、接着性の悪化といった影響を及ぼして
いることを見出し、これらシロキサン含有量を３重量％
以下に削減することにより、上記悪影響を防止できるこ
とを見出し、本発明を完成させた。
【０００６】従って、本発明は、（１）１分子中にケイ
素原子に結合したアルケニル基を２個以上含有するオル
ガノポリシロキサン、（２）１分子中にケイ素原子に結
合した水素原子を２個以上含有するオルガノハイドロジ
ェンポリシロキサン、（３）接着性付与剤、（４）付加
反応触媒を含有する接着性シリコーンゴム組成物におい
て、ケイ素原子数１１〜５０の環状及び直鎖状の低分子
無官能シロキサンの含有量が３重量％以下であることを
特徴とする接着性シリコーンゴム組成物を提供する。ま
た、本発明は、半導体チップがタブ等の取付け部材にこ
の接着性シリコーンゴム組成物の硬化物で接着された半
導体装置を提供する。
素原子に結合したアルケニル基を２個以上含有するオル
ガノポリシロキサン、（２）１分子中にケイ素原子に結
合した水素原子を２個以上含有するオルガノハイドロジ
ェンポリシロキサン、（３）接着性付与剤、（４）付加
反応触媒を含有する接着性シリコーンゴム組成物におい
て、ケイ素原子数１１〜５０の環状及び直鎖状の低分子
無官能シロキサンの含有量が３重量％以下であることを
特徴とする接着性シリコーンゴム組成物を提供する。ま
た、本発明は、半導体チップがタブ等の取付け部材にこ
の接着性シリコーンゴム組成物の硬化物で接着された半
導体装置を提供する。
【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の接着性シリコーンゴム組成物の第１成分である
１分子中にケイ素原子に結合するアルケニル基を２個以
上有するオルガノポリシロキサンは、本発明組成物の主
剤（ベースポリマー）となるものであり、下記平均組成
式（１）で示されるものが用いられる。 Ｒ1 aＳｉＯ(4-a)/2 （１） （式中、Ｒ1は互いに同一又は異種の炭素数１〜１０、
好ましくは１〜８の非置換又は置換の一価炭化水素基で
あり、ａは１．５〜２．８、好ましくは１．８〜２．
５、より好ましくは１．９５〜２．０５、更に好ましく
は１．９８〜２．０２の範囲の正数である。）
本発明の接着性シリコーンゴム組成物の第１成分である
１分子中にケイ素原子に結合するアルケニル基を２個以
上有するオルガノポリシロキサンは、本発明組成物の主
剤（ベースポリマー）となるものであり、下記平均組成
式（１）で示されるものが用いられる。 Ｒ1 aＳｉＯ(4-a)/2 （１） （式中、Ｒ1は互いに同一又は異種の炭素数１〜１０、
好ましくは１〜８の非置換又は置換の一価炭化水素基で
あり、ａは１．５〜２．８、好ましくは１．８〜２．
５、より好ましくは１．９５〜２．０５、更に好ましく
は１．９８〜２．０２の範囲の正数である。）
【０００８】上記Ｒ1で示されるケイ素原子に結合した
非置換又は置換の一価炭化水素基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オク
チル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル
基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル
基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シ
クロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、
これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、
塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例
えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル
基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、２−シアノ
エチル基等が挙げられる。
非置換又は置換の一価炭化水素基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オク
チル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル
基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル
基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シ
クロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、
これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、
塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例
えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル
基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、２−シアノ
エチル基等が挙げられる。
【０００９】この場合、Ｒ1のうち少なくとも２個はア
ルケニル基（特に炭素数２〜８のものが好ましく、更に
好ましくは２〜６である）であることが必要である。な
お、アルケニル基の含有量は、ケイ素原子に結合する全
有機基中（即ち、前記平均組成式（１）におけるＲ1と
しての非置換又は置換の一価炭化水素基中）０．０１〜
２０モル％、特に０．１〜１０モル％とすることが好ま
しい。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に
結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合してい
ても、両者に結合していてもよいが、組成物の硬化速
度、硬化物の物性等の点から、本発明で用いるオルガノ
ポリシロキサンは、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子
に結合したアルケニル基を含んだものであることが好ま
しい。なお、アルケニル基以外のＲ1としては、メチル
基、フェニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基
が好ましい。
ルケニル基（特に炭素数２〜８のものが好ましく、更に
好ましくは２〜６である）であることが必要である。な
お、アルケニル基の含有量は、ケイ素原子に結合する全
有機基中（即ち、前記平均組成式（１）におけるＲ1と
しての非置換又は置換の一価炭化水素基中）０．０１〜
２０モル％、特に０．１〜１０モル％とすることが好ま
しい。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に
結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合してい
ても、両者に結合していてもよいが、組成物の硬化速
度、硬化物の物性等の点から、本発明で用いるオルガノ
ポリシロキサンは、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子
に結合したアルケニル基を含んだものであることが好ま
しい。なお、アルケニル基以外のＲ1としては、メチル
基、フェニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基
が好ましい。
【００１０】上記オルガノポリシロキサンの構造は、通
常は、主鎖がジオルガノシロキサン単位の繰り返しから
なり、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基、ジメチル
フェニルシロキシ基、ジメチルヒドロキシシロキシ基、
ジメチルビニルシロキシ基、トリビニルシロキシ基等の
トリオルガノシロキシ基で封鎖された基本的には直鎖状
構造を有するジオルガノポリシロキサンであるが、部分
的には分岐状構造、環状構造などであってもよい。平均
重合度（重量平均重合度）は１００〜１００，０００、
特に２００〜１０，０００であることが好ましく、また
２５℃における粘度は１００〜１００，０００，０００
ｃＳｔ（センチストークス）、特に１，０００〜１，０
００，０００ｃＳｔであることが好ましい。
常は、主鎖がジオルガノシロキサン単位の繰り返しから
なり、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基、ジメチル
フェニルシロキシ基、ジメチルヒドロキシシロキシ基、
ジメチルビニルシロキシ基、トリビニルシロキシ基等の
トリオルガノシロキシ基で封鎖された基本的には直鎖状
構造を有するジオルガノポリシロキサンであるが、部分
的には分岐状構造、環状構造などであってもよい。平均
重合度（重量平均重合度）は１００〜１００，０００、
特に２００〜１０，０００であることが好ましく、また
２５℃における粘度は１００〜１００，０００，０００
ｃＳｔ（センチストークス）、特に１，０００〜１，０
００，０００ｃＳｔであることが好ましい。
【００１１】また、このアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンは、ケイ素原子数１１〜５０の低分子無官能
シロキサンの含有量が３重量％以下、特に２重量％以下
であることが好ましい。
シロキサンは、ケイ素原子数１１〜５０の低分子無官能
シロキサンの含有量が３重量％以下、特に２重量％以下
であることが好ましい。
【００１２】第２成分のオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンは、第４成分の付加反応触媒の存在下に、第１
成分のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンと付加
反応（ハイドロシリレーション反応）して組成物を硬化
させる架橋剤として作用するものであり、下記平均組成
式（２） Ｒ2 bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2 （２） で示され、１分子中に少なくとも２個、好ましくは２〜
２００個、より好ましくは３〜１００個のケイ素原子結
合水素原子（即ち、Ｓｉ−Ｈ基）を有することが必要で
ある。
ロキサンは、第４成分の付加反応触媒の存在下に、第１
成分のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンと付加
反応（ハイドロシリレーション反応）して組成物を硬化
させる架橋剤として作用するものであり、下記平均組成
式（２） Ｒ2 bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2 （２） で示され、１分子中に少なくとも２個、好ましくは２〜
２００個、より好ましくは３〜１００個のケイ素原子結
合水素原子（即ち、Ｓｉ−Ｈ基）を有することが必要で
ある。
【００１３】上記式（２）中、Ｒ2は炭素数１〜１０の
非置換又は置換の一価炭化水素基であり、このＲ2とし
ては、上記式（１）中のＲ1として例示したものと同様
の基、好ましくはこれらのうちアルケニル基を除いたも
のと同様の基を挙げることができるが、特にメチル基、
フェニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基が好
ましい。また、ｂは０．７〜２．１、ｃは０．００１〜
１．０で、かつｂ＋ｃは０．８〜３．０を満足する正数
であり、好ましくはｂは１．０〜２．０、ｃは０．０１
〜１．０、ｂ＋ｃは１．５〜２．５である。
非置換又は置換の一価炭化水素基であり、このＲ2とし
ては、上記式（１）中のＲ1として例示したものと同様
の基、好ましくはこれらのうちアルケニル基を除いたも
のと同様の基を挙げることができるが、特にメチル基、
フェニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基が好
ましい。また、ｂは０．７〜２．１、ｃは０．００１〜
１．０で、かつｂ＋ｃは０．８〜３．０を満足する正数
であり、好ましくはｂは１．０〜２．０、ｃは０．０１
〜１．０、ｂ＋ｃは１．５〜２．５である。
【００１４】１分子中に少なくとも２個、好ましくは３
個以上含有されるＳｉ−Ｈ基は、分子鎖末端、分子鎖途
中のいずれに位置していてもよく、またこの両方に位置
するものであってもよい。また、このオルガノハイドロ
ジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分
岐状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、１分
子中のケイ素原子の数（又は重合度）は通常２〜３００
個、好ましくは４〜１５０個程度の室温（２５℃）で液
状のものが望ましい。
個以上含有されるＳｉ−Ｈ基は、分子鎖末端、分子鎖途
中のいずれに位置していてもよく、またこの両方に位置
するものであってもよい。また、このオルガノハイドロ
ジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分
岐状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、１分
子中のケイ素原子の数（又は重合度）は通常２〜３００
個、好ましくは４〜１５０個程度の室温（２５℃）で液
状のものが望ましい。
【００１５】式（２）のオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンとして具体的には、例えば、１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサン、メチルハイドロジェンシク
ロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・
ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシ
ロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチ
ルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメ
チルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重
合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロ
ジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシ
ロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン
共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサ
ン・ジフェニルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉ
Ｏ1/2単位と（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位
とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳ
ｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ
1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）3ＳｉＯ1 /2単位と
からなる共重合体などが挙げられる。
ロキサンとして具体的には、例えば、１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサン、メチルハイドロジェンシク
ロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・
ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシ
ロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチ
ルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメ
チルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重
合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロ
ジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシ
ロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン
共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサ
ン・ジフェニルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉ
Ｏ1/2単位と（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位
とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳ
ｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ
1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）3ＳｉＯ1 /2単位と
からなる共重合体などが挙げられる。
【００１６】このオルガノハイドロジェンポリシロキサ
ンの配合量は、第１成分のオルガノポリシロキサン１０
０部（重量部、以下同じ）に対して０．１〜５０部、特
に０．３〜２０部とすることが好ましい。また、第２成
分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、第１成
分中のケイ素原子に結合したアルケニル基１モルに対し
て、第２成分中のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ
−Ｈ基）の量が０．５〜３モル、特に０．８〜２．５モ
ル程度となる量で配合することもできる。
ンの配合量は、第１成分のオルガノポリシロキサン１０
０部（重量部、以下同じ）に対して０．１〜５０部、特
に０．３〜２０部とすることが好ましい。また、第２成
分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、第１成
分中のケイ素原子に結合したアルケニル基１モルに対し
て、第２成分中のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ
−Ｈ基）の量が０．５〜３モル、特に０．８〜２．５モ
ル程度となる量で配合することもできる。
【００１７】第３成分の接着性付与剤は、分子中にケイ
素原子に結合したアルコキシ基及び／又はアルケニルオ
キシ基と、Ｓｉ−Ｈ基、アルケニル基、アクリル基、メ
タクリル基、エポキシ基、メルカプト基、エステル基、
無水カルボキシ基、アミノ基及びアミド基から選ばれる
少なくとも１個の反応性官能基をそれぞれ１個以上含有
する、オルガノシラン或いはケイ素原子数２〜５０、好
ましくは４〜２０個程度のオルガノシロキサンオリゴマ
ーなどの有機ケイ素化合物が好適に用いられる。この有
機ケイ素化合物は、シリコーンゴム組成物に半導体チッ
プ、取付け部、リードフレーム等への接着性を付与する
ためのものであり、公知のものが使用でき、シリコーン
ゴム組成物の付加加硫を阻害しないものであればよい。
素原子に結合したアルコキシ基及び／又はアルケニルオ
キシ基と、Ｓｉ−Ｈ基、アルケニル基、アクリル基、メ
タクリル基、エポキシ基、メルカプト基、エステル基、
無水カルボキシ基、アミノ基及びアミド基から選ばれる
少なくとも１個の反応性官能基をそれぞれ１個以上含有
する、オルガノシラン或いはケイ素原子数２〜５０、好
ましくは４〜２０個程度のオルガノシロキサンオリゴマ
ーなどの有機ケイ素化合物が好適に用いられる。この有
機ケイ素化合物は、シリコーンゴム組成物に半導体チッ
プ、取付け部、リードフレーム等への接着性を付与する
ためのものであり、公知のものが使用でき、シリコーン
ゴム組成物の付加加硫を阻害しないものであればよい。
【００１８】このような有機ケイ素化合物としては、例
えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリ（メトキシエトキシ）シラン等のアル
ケニル基含有アルコキシシラン、γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基含有
アルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン等のアクリル基又はメタクリル基含有アルコキシ
シラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメ
ルカプト基含有アルコキシシランなどのアルコキシシラ
ンが挙げられるほか、オルガノシロキサンオリゴマーと
して下記のような化合物が挙げられる。
えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリ（メトキシエトキシ）シラン等のアル
ケニル基含有アルコキシシラン、γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基含有
アルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン等のアクリル基又はメタクリル基含有アルコキシ
シラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメ
ルカプト基含有アルコキシシランなどのアルコキシシラ
ンが挙げられるほか、オルガノシロキサンオリゴマーと
して下記のような化合物が挙げられる。
【００１９】
【化１】
【００２０】
【化２】
【００２１】上記接着性付与剤の配合量は、第１成分の
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン１００部に対
し０．１〜１０部、特に０．３〜３部とすることが好ま
しい。
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン１００部に対
し０．１〜１０部、特に０．３〜３部とすることが好ま
しい。
【００２２】第４成分の付加反応触媒としては、白金
黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アル
コールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯
体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジ
ウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙
げられる。なお、この付加反応触媒の配合量は触媒量と
することができ、通常、白金族金属として０．５〜１，
０００ｐｐｍ、好ましくは１〜５００ｐｐｍ程度とすれ
ばよい。
黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アル
コールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯
体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジ
ウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙
げられる。なお、この付加反応触媒の配合量は触媒量と
することができ、通常、白金族金属として０．５〜１，
０００ｐｐｍ、好ましくは１〜５００ｐｐｍ程度とすれ
ばよい。
【００２３】本発明には、更に充填材を配合することが
好ましい。充填材は、シリコーンゴム組成物を補強し、
必要なゴム強度を与えるほか、接着作業に必要な粘度を
保つためのものであり、充填材としては補強性シリカ系
充填材及び／又はシリコーンレジンを使用する。補強性
シリカ系充填材としては、ヒュームドシリカ、焼成シリ
カ、沈降シリカ等が挙げられ、その比表面積は５０〜４
００ｍ2／ｇ、特に１００〜３００ｍ2／ｇのものが好ま
しい。シリコーンレジンとしては、Ｒ3ＳｉＯ 1/2単位、
ＳｉＯ2単位、ＲＳｉＯ3/2単位、Ｒ2ＳｉＯ2/2単位（Ｒ
は水素原子、水酸基、又は同一もしくは異種の飽和もし
くは不飽和の一価炭化水素基であり、そのうち９０％以
上が一価炭化水素基）からなり、Ｒ3ＳｉＯ1/2単位は２
０〜７０モル％、ＳｉＯ2単位は２０〜７０モル％、Ｒ
ＳｉＯ3/2単位は０〜７０モル％、Ｒ2ＳｉＯ2/2単位は
０〜５０モル％の割合で存在するものが挙げられる。な
お、Ｒのうち上記一価炭化水素基としては、上記Ｒ1で
説明したものと同様のものが挙げられるが、特にメチル
基、ビニル基、フェニル基であることが好ましい。
好ましい。充填材は、シリコーンゴム組成物を補強し、
必要なゴム強度を与えるほか、接着作業に必要な粘度を
保つためのものであり、充填材としては補強性シリカ系
充填材及び／又はシリコーンレジンを使用する。補強性
シリカ系充填材としては、ヒュームドシリカ、焼成シリ
カ、沈降シリカ等が挙げられ、その比表面積は５０〜４
００ｍ2／ｇ、特に１００〜３００ｍ2／ｇのものが好ま
しい。シリコーンレジンとしては、Ｒ3ＳｉＯ 1/2単位、
ＳｉＯ2単位、ＲＳｉＯ3/2単位、Ｒ2ＳｉＯ2/2単位（Ｒ
は水素原子、水酸基、又は同一もしくは異種の飽和もし
くは不飽和の一価炭化水素基であり、そのうち９０％以
上が一価炭化水素基）からなり、Ｒ3ＳｉＯ1/2単位は２
０〜７０モル％、ＳｉＯ2単位は２０〜７０モル％、Ｒ
ＳｉＯ3/2単位は０〜７０モル％、Ｒ2ＳｉＯ2/2単位は
０〜５０モル％の割合で存在するものが挙げられる。な
お、Ｒのうち上記一価炭化水素基としては、上記Ｒ1で
説明したものと同様のものが挙げられるが、特にメチル
基、ビニル基、フェニル基であることが好ましい。
【００２４】上記充填材の配合量は、第１成分のオルガ
ノポリシロキサン１００部に対し０〜４００部、特に５
〜１００部とすることが好ましい。
ノポリシロキサン１００部に対し０〜４００部、特に５
〜１００部とすることが好ましい。
【００２５】上述した成分のほか、上記シリコーンゴム
組成物には、シラノール基含有シラン、アルコキシ基含
有シランなどの分散助剤、アセチレンアルコールその他
の付加加硫の制御剤、チタン、アルミニウム、ジルコニ
ウム等の金属のキレート化合物或いはアルコキサイド、
珪藻土、石英粉末、溶融石英粉末、クレー、アルミナ、
水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、タルク等の無
機充填材、セリウム又はセリウム系化合物、酸化チタ
ン、赤ベンガラ、黒ベンガラ、フェライト、酸化亜鉛、
炭酸亜鉛、炭酸マンガン、炭酸マグネシウム、酸化マグ
ネシウムなどの耐熱、耐油向上剤、カーボンブラック、
群青などの着色のための顔料、離型剤、その他通常の付
加加硫型シリコーンゴム組成物に添加される添加剤を適
宜配合することができる。
組成物には、シラノール基含有シラン、アルコキシ基含
有シランなどの分散助剤、アセチレンアルコールその他
の付加加硫の制御剤、チタン、アルミニウム、ジルコニ
ウム等の金属のキレート化合物或いはアルコキサイド、
珪藻土、石英粉末、溶融石英粉末、クレー、アルミナ、
水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、タルク等の無
機充填材、セリウム又はセリウム系化合物、酸化チタ
ン、赤ベンガラ、黒ベンガラ、フェライト、酸化亜鉛、
炭酸亜鉛、炭酸マンガン、炭酸マグネシウム、酸化マグ
ネシウムなどの耐熱、耐油向上剤、カーボンブラック、
群青などの着色のための顔料、離型剤、その他通常の付
加加硫型シリコーンゴム組成物に添加される添加剤を適
宜配合することができる。
【００２６】本発明においては、シリコーンゴム組成物
中に含まれるケイ素原子数１１〜５０の環状及び直鎖状
の低分子無官能シロキサンの合計の含有量を組成物全体
に対して３重量％以下、特に２重量％以下とするもので
ある。この場合、低分子無官能シロキサン含有量は少な
ければ少ない程よいが、１，０００ｐｐｍ程度であれば
大きな影響はない。なお、このケイ素原子数１１〜５０
の環状及び直鎖状の低分子無官能シロキサンの定量方法
としては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（Ｇ
ＰＣ）、超臨界流体クロマトグラフィ等の分析手段を挙
げることができる。
中に含まれるケイ素原子数１１〜５０の環状及び直鎖状
の低分子無官能シロキサンの合計の含有量を組成物全体
に対して３重量％以下、特に２重量％以下とするもので
ある。この場合、低分子無官能シロキサン含有量は少な
ければ少ない程よいが、１，０００ｐｐｍ程度であれば
大きな影響はない。なお、このケイ素原子数１１〜５０
の環状及び直鎖状の低分子無官能シロキサンの定量方法
としては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（Ｇ
ＰＣ）、超臨界流体クロマトグラフィ等の分析手段を挙
げることができる。
【００２７】ここで、無官能シロキサンとしては、アル
コキシ基、Ｓｉ−Ｈ基（ケイ素原子結合水素原子）、ア
ルケニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、
メルカプト基、エステル基、無水カルボキシ基、アミノ
基、アミド基等の、上記アルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンやオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
更にはシリコーンゴム組成物が接着される基材と反応す
る反応性官能基を有さない、環状及び直鎖状のジオルガ
ノシロキサンであり、代表的にはジメチルポリシロキサ
ン、メチルフェニルポリシロキサン、メチル（３，３，
３−トリフルオロプロピル）ポリシロキサンなどであ
る。
コキシ基、Ｓｉ−Ｈ基（ケイ素原子結合水素原子）、ア
ルケニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、
メルカプト基、エステル基、無水カルボキシ基、アミノ
基、アミド基等の、上記アルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンやオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
更にはシリコーンゴム組成物が接着される基材と反応す
る反応性官能基を有さない、環状及び直鎖状のジオルガ
ノシロキサンであり、代表的にはジメチルポリシロキサ
ン、メチルフェニルポリシロキサン、メチル（３，３，
３−トリフルオロプロピル）ポリシロキサンなどであ
る。
【００２８】このケイ素原子数１１〜５０の低分子無官
能シロキサンは、例えば、上記アルケニル基含有オルガ
ノポリシロキサンを、ケイ素原子数３〜６の環状ジオル
ガノポリシロキサンを原料とし、酸或いはアルカリを触
媒とした平衡重合反応により製造する際に、副生成物と
して一定量生成するものであるが、本発明においては、
ケイ素原子数１１〜５０の低分子無官能シロキサンの含
有量を３重量％以下とするものである。アルケニル基、
アルコキシ基、（メタ）アクリロキシアルキル基、メル
カプト基、ケイ素結合水素原子（ＳｉＨ基）、水酸基、
アミノ基、エポキシ基等の反応性官能基を含有する低分
子シロキサンであれば、シリコーンゴム組成物の加硫の
際に反応性官能基も反応し、オルガノポリシロキサン、
オルガノハイドロジェンポリシロキサン、充填材、半導
体チップ、取付け部、リードフレーム等の被接着体等と
の間に結合が生じるために硬化したシリコーンゴムマト
リックス中での移動が妨げられ、接着部分から外にブリ
ードすることもないので、接続信頼性の低下、接着性の
悪化といった影響は生じないのであるが、このような反
応性官能基を持たない低分子シロキサンの場合は、シリ
コーンゴム組成物の加硫（又は硬化）に際しても、その
移動を妨げる結合が生じないので、加硫後も低分子シロ
キサンはゴム内を自由に移動することができ、最終的に
は、接着部分からブリードして悪影響を生じることにな
る。
能シロキサンは、例えば、上記アルケニル基含有オルガ
ノポリシロキサンを、ケイ素原子数３〜６の環状ジオル
ガノポリシロキサンを原料とし、酸或いはアルカリを触
媒とした平衡重合反応により製造する際に、副生成物と
して一定量生成するものであるが、本発明においては、
ケイ素原子数１１〜５０の低分子無官能シロキサンの含
有量を３重量％以下とするものである。アルケニル基、
アルコキシ基、（メタ）アクリロキシアルキル基、メル
カプト基、ケイ素結合水素原子（ＳｉＨ基）、水酸基、
アミノ基、エポキシ基等の反応性官能基を含有する低分
子シロキサンであれば、シリコーンゴム組成物の加硫の
際に反応性官能基も反応し、オルガノポリシロキサン、
オルガノハイドロジェンポリシロキサン、充填材、半導
体チップ、取付け部、リードフレーム等の被接着体等と
の間に結合が生じるために硬化したシリコーンゴムマト
リックス中での移動が妨げられ、接着部分から外にブリ
ードすることもないので、接続信頼性の低下、接着性の
悪化といった影響は生じないのであるが、このような反
応性官能基を持たない低分子シロキサンの場合は、シリ
コーンゴム組成物の加硫（又は硬化）に際しても、その
移動を妨げる結合が生じないので、加硫後も低分子シロ
キサンはゴム内を自由に移動することができ、最終的に
は、接着部分からブリードして悪影響を生じることにな
る。
【００２９】このような低分子無官能シロキサンの含有
量を３重量％以下にする方法としては、上記第１成分の
アルケニル基含有オルガノポリシロキサンを０．１ｍｍ
Ｈｇ以下の減圧下で２００℃以上に加熱することで、低
分子無官能シロキサンを留去する方法、第１成分のアル
ケニル基含有オルガノポリシロキサンをエタノールで洗
浄することで、低分子無官能シロキサンを除去する方
法、更には、第１成分のアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンの製造方法として、ケイ素原子数３〜６の環
状シロキサンを原料とし、酸或いはアルカリを触媒とし
た平衡重合反応を用いる代わりに、ケイ素原子数３の環
状シロキサンを原料とし、リチウムシラノレート触媒の
存在下で開環重合反応を用いる方法等が挙げられる。
量を３重量％以下にする方法としては、上記第１成分の
アルケニル基含有オルガノポリシロキサンを０．１ｍｍ
Ｈｇ以下の減圧下で２００℃以上に加熱することで、低
分子無官能シロキサンを留去する方法、第１成分のアル
ケニル基含有オルガノポリシロキサンをエタノールで洗
浄することで、低分子無官能シロキサンを除去する方
法、更には、第１成分のアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンの製造方法として、ケイ素原子数３〜６の環
状シロキサンを原料とし、酸或いはアルカリを触媒とし
た平衡重合反応を用いる代わりに、ケイ素原子数３の環
状シロキサンを原料とし、リチウムシラノレート触媒の
存在下で開環重合反応を用いる方法等が挙げられる。
【００３０】かくして得られる接着性シリコーンゴム組
成物は、半導体チップとタブ等取付け部材との間を接着
するための接着剤（ダイボンド剤）として使用すること
ができる。一般に行われているように、接着面の片方或
いは両方に接着剤を塗布し、半導体チップや取付け部材
を密着させた後に、加熱処理（通常１００〜２５０℃）
を行うことで接着することができ、また接着性の更なる
向上のために接着面を予め表面処理、コーティング等を
行うことは差し支えない。
成物は、半導体チップとタブ等取付け部材との間を接着
するための接着剤（ダイボンド剤）として使用すること
ができる。一般に行われているように、接着面の片方或
いは両方に接着剤を塗布し、半導体チップや取付け部材
を密着させた後に、加熱処理（通常１００〜２５０℃）
を行うことで接着することができ、また接着性の更なる
向上のために接着面を予め表面処理、コーティング等を
行うことは差し支えない。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る、アルケニル基、アルコキ
シ基、（メタ）アクリロキシアルキル基、メルカプト
基、ケイ素結合水素原子（ＳｉＨ基）、水酸基、アミノ
基、エポキシ基等の反応性官能基を分子中に含有しな
い、ケイ素原子数１１〜５０の環状及び直鎖状の低分子
無官能シロキサン含有量が３重量％以下である付加加硫
型接着性シリコーンゴム組成物は、半導体チップと取付
け部材との間の接着性が良好で、経時により接着性能が
低下することがないため、半導体チップ／ボンディング
ワイヤー或いはボンディングワイヤー／リードフレーム
間の接続信頼性が低下したり、封止材の半導体チップ、
取付け部、リードフレームヘの接着性が悪化し、装置の
耐湿性が低下するといった問題を生じることがなく、半
導体チップ取付け用の接着剤（ダイボンド剤）として良
好に使用することができる。
シ基、（メタ）アクリロキシアルキル基、メルカプト
基、ケイ素結合水素原子（ＳｉＨ基）、水酸基、アミノ
基、エポキシ基等の反応性官能基を分子中に含有しな
い、ケイ素原子数１１〜５０の環状及び直鎖状の低分子
無官能シロキサン含有量が３重量％以下である付加加硫
型接着性シリコーンゴム組成物は、半導体チップと取付
け部材との間の接着性が良好で、経時により接着性能が
低下することがないため、半導体チップ／ボンディング
ワイヤー或いはボンディングワイヤー／リードフレーム
間の接続信頼性が低下したり、封止材の半導体チップ、
取付け部、リードフレームヘの接着性が悪化し、装置の
耐湿性が低下するといった問題を生じることがなく、半
導体チップ取付け用の接着剤（ダイボンド剤）として良
好に使用することができる。
【００３２】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、下記の例において部は重量部を示
す。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、下記の例において部は重量部を示
す。
【００３３】［実施例１］下記式（ａ）で示される環状
シロキサンを、下記式（ｂ）で示されるリチウムシラノ
レート触媒を用いて重合した後、ビニルジメチルクロロ
シランを用いて中和し、分子鎖両末端がジメチルビニル
シロキシ基で封鎖された粘度が１０，０００センチスト
ークスのオルガノポリシロキサン（１）を得た。このオ
ルガノポリシロキサン（１）１００部、ヒュームドシリ
カ（日本エアロジル社製、商品名エロジル２００）３０
部、Ｓｉ−Ｈ量０．００５０モル／ｇ、重合度１００の
オルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、環状メチ
ルビニルシロキサン０．８部、下記式（ｃ）で示される
有機ケイ素化合物１部、塩化白金酸の２−エチルヘキサ
ノール溶液（白金含有量２％）０．０８部を均一に混合
し、液状シリコーンゴム組成物（１）を得た。ケイ素原
子数１１〜５０の反応性官能基非含有の環状及び直鎖状
低分子ジメチルシロキサン含有量（ＧＰＣ測定による、
以下同様）は１．２重量％であった。
シロキサンを、下記式（ｂ）で示されるリチウムシラノ
レート触媒を用いて重合した後、ビニルジメチルクロロ
シランを用いて中和し、分子鎖両末端がジメチルビニル
シロキシ基で封鎖された粘度が１０，０００センチスト
ークスのオルガノポリシロキサン（１）を得た。このオ
ルガノポリシロキサン（１）１００部、ヒュームドシリ
カ（日本エアロジル社製、商品名エロジル２００）３０
部、Ｓｉ−Ｈ量０．００５０モル／ｇ、重合度１００の
オルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、環状メチ
ルビニルシロキサン０．８部、下記式（ｃ）で示される
有機ケイ素化合物１部、塩化白金酸の２−エチルヘキサ
ノール溶液（白金含有量２％）０．０８部を均一に混合
し、液状シリコーンゴム組成物（１）を得た。ケイ素原
子数１１〜５０の反応性官能基非含有の環状及び直鎖状
低分子ジメチルシロキサン含有量（ＧＰＣ測定による、
以下同様）は１．２重量％であった。
【化３】
【００３４】［比較例１］オルガノポリシロキサン
（１）の代わりに、ケイ素原子数３〜６の環状ジメチル
シロキサンとジビニルテトラメチルジシロキサンを、カ
リウムシラノレートを用いて重合し、エピクロロヒドリ
ンで中和することで得られた分子鎖両末端がジメチルビ
ニルシロキシ基で封鎖された粘度が９，８００センチス
トークスのオルガノポリシロキサン（２）を用いた以外
は実施例１と同様の操作を行い、液状シリコーンゴム組
成物（２）を得た。ケイ素原子数１１〜５０の反応性官
能基非含有の環状及び直鎖状低分子ジメチルシロキサン
含有量は５．５重量％であった。
（１）の代わりに、ケイ素原子数３〜６の環状ジメチル
シロキサンとジビニルテトラメチルジシロキサンを、カ
リウムシラノレートを用いて重合し、エピクロロヒドリ
ンで中和することで得られた分子鎖両末端がジメチルビ
ニルシロキシ基で封鎖された粘度が９，８００センチス
トークスのオルガノポリシロキサン（２）を用いた以外
は実施例１と同様の操作を行い、液状シリコーンゴム組
成物（２）を得た。ケイ素原子数１１〜５０の反応性官
能基非含有の環状及び直鎖状低分子ジメチルシロキサン
含有量は５．５重量％であった。
【００３５】［実施例２］オルガノポリシロキサン
（２）を、５倍重量のエタノールと混合、撹拌後、静置
してエタノールを分液除去することを３回行った後、１
０ｍｍＨｇ，１５０℃の条件で３時間ストリップ操作を
行い、オルガノポリシロキサン（３）を得た。
（２）を、５倍重量のエタノールと混合、撹拌後、静置
してエタノールを分液除去することを３回行った後、１
０ｍｍＨｇ，１５０℃の条件で３時間ストリップ操作を
行い、オルガノポリシロキサン（３）を得た。
【００３６】オルガノポリシロキサン（１）の代わり
に、オルガノポリシロキサン（３）を用いた以外は実施
例１と同様の操作を行い、液状シリコーンゴム組成物
（３）を得た。ケイ素原子数１１〜５０の反応性官能基
非含有の環状及び直鎖状低分子ジメチルシロキサン含有
量は０．８重量％であった。
に、オルガノポリシロキサン（３）を用いた以外は実施
例１と同様の操作を行い、液状シリコーンゴム組成物
（３）を得た。ケイ素原子数１１〜５０の反応性官能基
非含有の環状及び直鎖状低分子ジメチルシロキサン含有
量は０．８重量％であった。
【００３７】［比較例２］液状シリコーンゴム組成物
（１）１００部に、ケイ素原子数１１〜５０の環状ジメ
チルシロキサン５．０部を添加混合し、液状シリコーン
ゴム組成物（４）を得た。ケイ素原子数１１〜５０の反
応性官能基非含有の環状及び直鎖状低分子ジメチルシロ
キサン含有量は５．９重量％となった。
（１）１００部に、ケイ素原子数１１〜５０の環状ジメ
チルシロキサン５．０部を添加混合し、液状シリコーン
ゴム組成物（４）を得た。ケイ素原子数１１〜５０の反
応性官能基非含有の環状及び直鎖状低分子ジメチルシロ
キサン含有量は５．９重量％となった。
【００３８】次に、上記組成物につき、下記方法で接続
信頼性試験を行った。結果を表１に示す。 ［接続信頼性試験］１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体ペレッ
トを、上記液状シリコーンゴム組成物を用いて金属製取
付けタブに２００℃，６０秒の加熱により接着し、次い
で半導体ペレット上のアルミニウム製ボンディングパッ
ドと銅製リードフレームを、金製ワイヤーを用いて超音
波熱圧着により接続した。これをエポキシ樹脂で封止す
ることにより半導体装置を作製した。
信頼性試験を行った。結果を表１に示す。 ［接続信頼性試験］１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体ペレッ
トを、上記液状シリコーンゴム組成物を用いて金属製取
付けタブに２００℃，６０秒の加熱により接着し、次い
で半導体ペレット上のアルミニウム製ボンディングパッ
ドと銅製リードフレームを、金製ワイヤーを用いて超音
波熱圧着により接続した。これをエポキシ樹脂で封止す
ることにより半導体装置を作製した。
【００３９】このようにして作製した半導体装置、この
半導体装置を１５０℃のオーブン中一定時間放置した後
のもの、この半導体装置を１２１℃，湿度８５％ＲＨの
プレッシャークッカの中に一定時間放置した後のもの、
また、この半導体装置を−６５〜１５０℃の熱負荷を周
期的に繰り返す温度サイクルに一定回数かけたものにつ
いて、通電し、導通不良やリークといった不良の生じた
ものを計数した。試験体は、それぞれ１０個試験を行っ
た。
半導体装置を１５０℃のオーブン中一定時間放置した後
のもの、この半導体装置を１２１℃，湿度８５％ＲＨの
プレッシャークッカの中に一定時間放置した後のもの、
また、この半導体装置を−６５〜１５０℃の熱負荷を周
期的に繰り返す温度サイクルに一定回数かけたものにつ
いて、通電し、導通不良やリークといった不良の生じた
ものを計数した。試験体は、それぞれ１０個試験を行っ
た。
【００４０】
【表１】
【００４１】上記の結果より、半導体ペレットの取付け
タブヘの接着に、ケイ素原子数１１〜５０の反応性官能
基非含有の環状或いは直鎖状低分子シロキサン含有量が
３重量％を超えて含有する接着性シリコーンゴム組成物
を用いた場合、半導体チップ／ボンディングワイヤー或
いはボンディングワイヤー／リードフレーム間、上記封
止材の半導体チップ、取付け部、リードフレームヘの接
着性が悪化し、不良が発生する。
タブヘの接着に、ケイ素原子数１１〜５０の反応性官能
基非含有の環状或いは直鎖状低分子シロキサン含有量が
３重量％を超えて含有する接着性シリコーンゴム組成物
を用いた場合、半導体チップ／ボンディングワイヤー或
いはボンディングワイヤー／リードフレーム間、上記封
止材の半導体チップ、取付け部、リードフレームヘの接
着性が悪化し、不良が発生する。
【００４２】これらに対し、本発明の接着性シリコーン
ゴム組成物を用いた場合には、経時による接続信頼性の
低下がなく、優れた信頼性の半導体装置が提供されるこ
とが確認された。
ゴム組成物を用いた場合には、経時による接続信頼性の
低下がなく、優れた信頼性の半導体装置が提供されるこ
とが確認された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J035 BA02 CA021 CA141 HA01 HB03 LA04 LB02 4J040 EK032 EK041 EK042 EK101 EK102 GA01 GA03 GA13 HA066 HA096 HD30 HD35 HD36 HD37 HD43 JA03 JB02 KA14 KA26 LA06 MA02 MA10 NA20 PA30 5F047 AA11 BA23 BA26 BA33 BB11 BB16
Claims (3)
- 【請求項１】 （１）１分子中にケイ素原子に結合した
アルケニル基を２個以上含有するオルガノポリシロキサ
ン、（２）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を
２個以上含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサ
ン、（３）接着性付与剤、（４）付加反応触媒を含有す
る接着性シリコーンゴム組成物において、ケイ素原子数
１１〜５０の環状及び直鎖状の低分子無官能シロキサン
の含有量が３重量％以下であることを特徴とする接着性
シリコーンゴム組成物。 - 【請求項２】 半導体チップの取付け部への接着用であ
る請求項１記載の組成物。 - 【請求項３】 半導体チップを請求項２記載の組成物の
硬化物を介して取付け部に接着してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249381A JP2002060719A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 接着性シリコーンゴム組成物及び半導体装置 |
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| JP2000249381A JP2002060719A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 接着性シリコーンゴム組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002060719A true JP2002060719A (ja) | 2002-02-26 |
Family
ID=18739126
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000249381A Pending JP2002060719A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 接着性シリコーンゴム組成物及び半導体装置 |
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| JP (1) | JP2002060719A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100957398B1 (ko) | 2002-05-01 | 2010-05-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 부가 경화성 실리콘 고무 조성물 |
| KR101153551B1 (ko) | 2004-08-12 | 2012-06-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 자기 접착성 부가 반응 경화형 실리콘 조성물 |
| CN108795049A (zh) * | 2017-04-27 | 2018-11-13 | 信越化学工业株式会社 | 加成固化型硅酮组合物、该组合物的制造方法、以及光学半导体装置 |
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| CN113260884A (zh) * | 2018-12-28 | 2021-08-13 | 株式会社朝日橡胶 | 减少了低分子硅氧烷含有率的光学构件及其制造方法 |
| WO2022202153A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 日産化学株式会社 | 接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び半導体基板の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-21 JP JP2000249381A patent/JP2002060719A/ja active Pending
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