JP2002026603A - バンドパスフィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 従来のバンドパスフィルタは、使用する誘電
体基板における、通過周波数の概略1/4波長の高インピ
ーダンス線路を複数段で配置するため、寸法が大きくな
るという課題があった。また、通過周波数帯域以外の反
射量が大きいため、バンドパスフィルタの前段の回路、
さらにその前段の回路に悪影響を及ぼすという問題があ
った。 【解決手段】 先端短絡スタブ１１，１３と、インター
ディジタルキャパシタ１０とを、π型に配置する。ま
た、π型に構成した際に、入力側に設けた先端短絡スタ
ブ１３に終端抵抗２を直列接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、任意の周波数の
みを通過させ、それ以外の周波数帯の信号を抑圧するバ
ンドパスフィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図9は、例えば、公知の技術文献「MICRO
WAVE RECEIVERS」(PENINSULA PUBLISHING社)のSec．1
2.4 STRIP LINE FILTERS （P324〜P327）にて示さ
れた、従来のバンドパスフィルタの構成を示す図であ
る。図において、1は高インピーダンス線路を保持する
ための矩形の誘電体基板、2は誘電体基板１上に互いに
平行に配設され、通過周波数f0の概略1/4波長のパター
ン長を有する高インピーダンス線路対、２aは高インピ
ーダンス線路対２を構成する一方の高インピーダンス線
路、２bは高インピーダンス線路対２を構成するもう一
方の高インピーダンス線路、３は誘電体基板１上に互い
に平行に配設され、通過周波数f0の概略1/4波長のパタ
ーン長を有する高インピーダンス線路対、３aは高イン
ピーダンス線路２bと直列に接続され、高インピーダン
ス線路対３を構成する一方の高インピーダンス線路、３
bは高インピーダンス線路対３を構成するもう一方の高
インピーダンス線路、４は誘電体基板１上に互いに平行
に配設され、通過周波数f0の概略1/4波長のパターン長
を有する高インピーダンス線路対、４aは高インピーダ
ンス線路３bと直列に接続され、高インピーダンス線路
対４を構成する一方の高インピーダンス線路、４bは高
インピーダンス線路対４を構成するもう一方の高インピ
ーダンス線路、５は高インピーダンス線路２aと直列に
接続されたバンドパスフィルタ回路に対する入力端子
部、６は高インピーダンス線路４bと直列に接続された
出力端子部である。

【０００３】図10は、従来のバンドパスフィルタの特性
を示す図である。図において、曲線aはバンドパスフィ
ルタの反射特性を示し、曲線bはバンドパスフィルタの
通過特性を示す。

【０００４】また、図11は、バンドパスフィルタの一般
的な使用例である。図において、７は発振器、8は逓倍
器、9はバンドパスフィルタである。

【０００５】以下に、従来のバンドパスフィルタの特性
について説明する。このバンドパスフィルタは、図10の
ような特性を示すことが一般に知られている。図におい
て、バンドパスフィルタの反射特性は曲線aのように通
過周波数帯域で低下し、一方、通過特性は曲線bのよう
に通過周波数帯域のみが通過し、他の帯域の通過量を抑
圧する特性を示す。このように、通過周波数帯域外につ
いては、反射量を大きくすることにより、通過量を抑圧
するという特性を持つ。また、この抑圧量を大きくする
場合は、通過周波数f0の概略1/4波長の高インピーダン
ス線路2の段数を多くすることにより実現する。

【０００６】次に、従来のバンドパスフィルタの使用例
を説明する。９は従来の使用例におけるバンドパスフィ
ルタであり、図11のような使用例は、発振器７の出力周
波数を逓倍器８にて2逓倍した後、その逓倍した後の周
波数のみを通過させ、他の周波数帯域の信号を抑圧する
ために採用される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
バンドパスフィルタは、使用する誘電体基板における、
通過周波数f0の概略1/4波長の高インピーダンス線路を
複数段接続で配置するため、寸法が大きくなるという問
題があった。また、通過周波数帯域以外の反射量が大き
いため、逓倍器のアイソレーションが小さい場合、バン
ドパスフィルタにおける帯域外の反射量が発振器に影響
し、発振器における発振周波数の変動或いは出力信号レ
ベルの変動を招く可能性がある。このように、バンドパ
スフィルタの前段にアイソレーションの小さい回路を使
用した場合、その前段の回路、さらにその前段の回路等
の特性に悪影響を及ぼすという問題があった。

【０００８】この発明はかかる課題を解決するためにな
されたものであり、先端短絡スタブ或いは先端を短絡し
たスパイラルインダクタとインターディジタルキャパシ
タとを、全体としてπ型或いはT型に配置することによ
り、小型化を図る。また、π型に構成した際に、入力側
に設けた先端短絡スタブ、或いは先端を短絡したスパイ
ラルインダクタに終端抵抗を直列接続することにより、
通過周波数帯域外の反射量を抑圧でき、バンドパスフィ
ルタの前段に設けた回路、さらにその前段の回路の特性
への影響を小さく抑えることが可能となる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明によるバンド
パスフィルタは、誘電体基板上に、互いに長手方向を対
向させた高インピーダンス線路対により構成されたイン
ターディジタルキャパシタと、このインターディジタル
キャパシタの入力端子側及び出力端子側に接続された先
端短絡スタブとにより、全体としてπ型に構成したもの
である。

【００１０】第２の発明によるバンドパスフィルタは、
直列に接続された複数のインターディジタルキャパシタ
と、この複数のインターディジタルキャパシタの入力端
子側に接続された第一の先端短絡スタブと、複数のイン
ターディジタルキャパシタの出力端子側に接続された第
二の先端短絡スタブと、複数のインターディジタルキャ
パシタの連結点に接続された第三の先端短絡スタブとに
より、全体としてπ型に構成したものである。

【００１１】第３の発明によるバンドパスフィルタは、
インターディジタルキャパシタと、このインターディジ
タルキャパシタの入力端子側及び出力端子側に接続され
た先端を短絡したスパイラルインダクタとにより、全体
としてπ型に構成したものである。

【００１２】第４の発明によるバンドパスフィルタは、
直列に接続された複数のインターディジタルキャパシタ
と、この複数のインターディジタルキャパシタの入力端
子側に接続された第一の先端を短絡したスパイラルイン
ダクタと、複数のインターディジタルキャパシタの出力
端子側に接続された第二の先端を短絡したスパイラルイ
ンダクタと、複数のインターディジタルキャパシタの連
結点に接続された第三の先端を短絡したスパイラルイン
ダクタとにより、全体としてπ型に構成したものであ
る。

【００１３】第５の発明によるバンドパスフィルタは、
直列に接続された複数のインターディジタルキャパシタ
と、この複数のインターディジタルキャパシタの連結点
に接続された先端短絡スタブとにより、全体としＴ型に
構成したものである。

【００１４】第６の発明によるバンドパスフィルタは、
直列に接続された複数のインターディジタルキャパシタ
と、この複数のインターディジタルキャパシタの連結点
に接続された、先端を短絡したスパイラルインダクタと
により、全体としてＴ型に構成したものである。

【００１５】第７の発明によるバンドパスフィルタは、
入力端子側に接続された先端短絡スタブに、終端抵抗を
直列に設けて、全体としてπ型に構成したものである。

【００１６】第８の発明によるバンドパスフィルタは、
入力端子側に接続され、先端を短絡したスパイラルイン
ダクタに、終端抵抗を直列に設けて、全体としてπ型に
構成したものである。

【００１７】第９の発明によるバンドパスフィルタは、
信号を外部から入力させる入力端子部と、信号を外部へ
出力させる出力端子部とを備えたものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図1は、この発明
の実施の形態１を示すバンドパスフィルタの構成図であ
る。図において、1は高インピーダンス線路を保持する
ための矩形の誘電体基板、５は誘電体基板１の１端面側
に配置され、高インピーダンス線路で構成されるバンド
パスフィルタ回路に対する入力端子部、６は誘電体基板
１の入力端子部５に対向する端面側に配置され、高イン
ピーダンス線路で構成される回路に対する出力端子部で
ある。また、１０a、１０bは互いに長手方向を対向させ
た高インピーダンス線路対で構成された第一及び第二の
インターディジタルキャパシタであり、第一のインター
ディジタルキャパシタ１０aは入力端子部５側に配置さ
れ、第二のインターディジタルキャパシタ１０bは出力
端子部６側に配置される。そして、第一のインターディ
ジタルキャパシタ１０aの一方の高インピーダンス線路
１０a1は入力端子部５の出力端子側端上部に接続され、
第二のインターディジタルキャパシタ１０bの一方の高
インピーダンス線路１０b1は出力端子部６の入力端子側
端下部に接続されている。また、第一のインターディジ
タルキャパシタ１０aの他方の高インピーダンス線路１
０a2は、上記一方の高インピーダンス線路１０a1の直下
に平行に位置している。第二のインターディジタルキャ
パシタ１０bの他方の高インピーダンス線路１０b2は、
上記一方の高インピーダンス線路１０b1の直上に平行に
位置している。そして、第一のインターディジタルキャ
パシタ１０aの他方の高インピーダンス線路１０a2と、
第二のインターディジタルキャパシタ１０bの他方の高
インピーダンス線路１０b2とは、両者を互いに連結する
連結線路１０ｃによって接続され、この連結線路１０ｃ
は第一のインターディジタルキャパシタ１０aと第二の
インターディジタルキャパシタ１０bとの間に位置する
よう構成されている。１１aは入力端子部５の下端部の
出力端子側に接続された先端短絡スタブ、１１ｂは出力
端子部６の下端部の入力端子側に接続された先端短絡ス
タブ、１１cは第一のインターディジタルキャパシタ１
０aと第二のインターディジタルキャパシタ１０bとの中
間点となる上記連結線路１０ｃの下端部に接続された先
端短絡スタブである。

【００１９】ここで、第一のインターディジタルキャパ
シタ１０aと第二のインターディジタルキャパシタ１０
b、及び先端短絡スタブ１１a、１１ｂと先端短絡スタブ
１１ｃにより、全体としてπ型の構成を実現している。

【００２０】このとき、インターディジタルキャパシタ
１０a、１０ｂのパターン長は、使用する誘電体基板1に
おける通過周波数f0の1/4波長以下であり、従来よりも
小型化が可能となる。また、入力端子部５及び出力端子
部６を誘電体基板１の外部に設置することも可能である
ことは勿論である。

【００２１】次に、この発明の実施の形態１におけるバ
ンドパスフィルタの特性について説明する。図2はこの
発明のバンドパスフィルタの特性を示す図であり、図に
おいて、曲線cは反射特性、曲線dは通過特性を示す。こ
のように、このバンドパスフィルタは、従来のバンドパ
スフィルタと同等の特性を得ることができる。すなわ
ち、このバンドパスフィルタの構成によれば、従来より
も小型化した形態で、従来のバンドパスフィルタと同等
の特性を得ることが可能である。

【００２２】実施の形態２．図３は、この発明の実施の
形態２を示すバンドパスフィルタの構成図である。図に
おいて、実施の形態１と同一または相当部分には同一符
号を付してあるので説明は省略する。１２aは先端を短
絡したスパイラルインダクタであり、入力端子部５の下
端部の出力端子側に接続されている。１２ｂは先端を短
絡したスパイラルインダクタであり、出力端子部６の下
端部の入力端子側に接続されている。１２ｃは先端を短
絡したスパイラルインダクタであり、第一のインターデ
ィジタルキャパシタ１０aと第二のインターディジタル
キャパシタ１０bとの中間点となる連結線路１０ｃの下
端部に接続されている。

【００２３】次に、この発明の実施の形態２における動
作について説明する。このバンドパスフィルタは、誘電
体基板1上に、第一のインターディジタルキャパシタ１
０aと第二のインターディジタルキャパシタ１０b、及び
先端を短絡したスパイラルインダクタ１２a、１２ｂと
先端を短絡したスパイラルインダクタ１２ｃにより、全
体としてπ型の構成を実現している。このとき、インタ
ーディジタルキャパシタ１０a、１０ｂのパターン長
は、使用する誘電体基板1における、通過周波数f0の1/4
波長以下である。このバンドパスフィルタは、図2のよ
うな反射特性（曲線c）及び通過特性（曲線d）を有し、
従来のバンドパスフィルタと同等の特性を得ることがで
きる。従って、このバンドパスフィルタは、従来と同等
の特性が得られ、小型化が可能となる。また、入力端子
部５及び出力端子部６を誘電体基板１の外部に設置する
ことも可能であることは勿論である。すなわち、このバ
ンドパスフィルタの構成によれば、従来よりも小型化し
た形態で、従来のバンドパスフィルタと同等の特性を得
ることが可能である。

【００２４】実施の形態３．図４は、この発明の実施の
形態３を示すバンドパスフィルタの構成図である。図に
おいて、実施の形態１と同一または相当部分には同一符
号を付してあるので説明は省略する。

【００２５】この発明の実施の形態３は、図１の実施の
形態１における先端短絡スタブ１１aと１１bを省略した
ものであり、このバンドパスフィルタは、誘電体基板1
上に、第一のインターディジタルキャパシタ１０aと第
二のインターディジタルキャパシタ１０b、及び先端短
絡スタブ１１ｃにより、全体としてT型の構成を実現し
ている。このとき、インターディジタルキャパシタ１０
a、１０bのパターン長は、使用する誘電体基板1におけ
る、通過周波数f0の1/4波長以下である。このバンドパ
スフィルタは、図2のような反射特性（曲線c）及び通過
特性（曲線d）を有し、従来のバンドパスフィルタと同
等の特性を得ることができる。従って、このバンドパス
フィルタは、従来と同等の特性が得られ、小型化が可能
となる。また、入力端子部５及び出力端子部６を誘電体
基板１の外部に設置することも可能であることは勿論で
ある。すなわち、このバンドパスフィルタの構成によれ
ば、従来よりも小型化した形態で、従来のバンドパスフ
ィルタと同等の特性を得ることが可能である。

【００２６】実施の形態４．図５は、この発明の実施の
形態４を示すバンドパスフィルタの構成図である。図に
おいて、実施の形態２と同一または相当部分には同一符
号を付してあるので説明は省略する。

【００２７】この発明の実施の形態４は、図３の実施の
形態２における先端短絡スパイラルインダクタ１２aと
１２bを省略したものである。このバンドパスフィルタ
は、誘電体基板1上に、第一のインターディジタルキャ
パシタ１０aと第二のインターディジタルキャパシタ１
０b、及び先端を短絡したスパイラルインダクタ１２ｃ
により、全体としてT型の構成を実現している。このと
き、インターディジタルキャパシタ１０a、１０bのパタ
ーン長は、使用する誘電体基板1における、通過周波数f
0の1/4波長以下である。このバンドパスフィルタは、図
2のような反射特性（曲線c）及び通過特性（曲線d）を
有し、従来の従来のバンドパスフィルタと同等の特性を
得ることができる。従って、このバンドパスフィルタ
は、従来と同等の特性が得られ、小型化が可能となる。
また、入力端子部５及び出力端子部６を誘電体基板１の
外部に設置することも可能であることは勿論である。す
なわち、このバンドパスフィルタの構成によれば、従来
よりも小型化した形態で、従来のバンドパスフィルタと
同等の特性を得ることが可能である。

【００２８】実施の形態５．図６は、この発明の実施の
形態５を示すバンドパスフィルタの構成図である。図に
おいて、実施の形態１と同一または相当部分には同一符
号を付してあるので説明は省略する。１３は入力端子部
５の下端部の出力端子側に接続された、終端抵抗１４を
直列に設けた先端短絡スタブである。

【００２９】次に、この発明の実施の形態５における動
作について説明する。図6において、バンドパスフィル
タは、終端抵抗１４を直列に設けた先端短絡スタブ１３
と、第一のインターディジタルキャパシタ１０aと第二
のインターディジタルキャパシタ１０b、及び先端短絡
スタブ１１ｂ、１１ｃにより、全体としてπ型に構成を
実現している。このとき、インターディジタルキャパシ
タ１０a、１０bのパターン長は、使用する誘電体基板1
における、通過周波数f0の1/4波長以下であり、従来よ
りも小型化が可能となる。

【００３０】次に、この発明の実施の形態５におけるバ
ンドパスフィルタの特性について説明する。図7はこの
バンドパスフィルタの特性を示す図である。図におい
て、曲線eはバンドパスフィルタの入力部における反射
特性であり、曲線fは通過特性である。このように、こ
のバンドパスフィルタは、従来のバンドパスフィルタや
実施の形態１〜４のバンドパスフィルタに比較して、通
過周波数の帯域外の反射量を抑圧しているので、バンド
パスフィルタの前段に設けた回路、さらにその前段の回
路の特性への影響を小さく抑えることが可能となる。ま
た、入力端子部５及び出力端子部６を誘電体基板１の外
部に設置することも可能であることは勿論である。すな
わち、このバンドパスフィルタの構成によれば、従来よ
りも小型化した形態で、従来のバンドパスフィルタと同
等の特性を得ることが可能であると共に、バンドパスフ
ィルタの前段に設けた回路、さらにその前段の回路の特
性への影響を小さく抑えることが可能となる。

【００３１】実施の形態６．図８は、この発明の実施の
形態６を示すバンドパスフィルタの構成図である。図に
おいて、実施の形態２と同一または相当部分には同一符
号を付してあるので説明は省略する。１５は入力端子部
５の下端部の出力端子側に接続された、終端抵抗１４を
直列に設けて先端を短絡したスパイラルインダクタであ
る。

【００３２】次に、この発明の実施の形態６における動
作について説明する。図８において、バンドパスフィル
タは、終端抵抗１４を直列に設けた先端を短絡したスパ
イラルインダクタ1５と、第一のインターディジタルキ
ャパシタ１０aと第二のインターディジタルキャパシタ
１０b、及び先端を短絡したスパイラルインダクタ１２
ｂ、１２ｃにより、全体としてπ型に構成を実現してい
る。このとき、インターディジタルキャパシタ１０a、
１０ｂのパターン長は、使用する誘電体基板1におけ
る、通過周波数f0の1/4波長以下であり、従来よりも小
型化が可能となる。

【００３３】また、このバンドパスフィルタは、図7の
ような反射特性（曲線e）及び通過特性（曲線f）を有し
ており、従来のバンドパスフィルタや実施の形態１〜４
のバンドパスフィルタに比較して、通過周波数の帯域外
の反射量を抑圧しているので、バンドパスフィルタの前
段に設けた回路、さらにその前段の回路の特性への影響
を小さく抑えることが可能となる。また、入力端子部５
及び出力端子部６を誘電体基板１の外部に設置すること
も可能であることは勿論である。すなわち、このバンド
パスフィルタの構成によれば、従来よりも小型化した形
態で、従来のバンドパスフィルタと同等の特性を得るこ
とが可能であると共に、バンドパスフィルタの前段に設
けた回路、さらにその前段の回路の特性への影響を小さ
く抑えることが可能となる。

【００３４】

【発明の効果】第1及び第２の発明によれば、誘電体基
板上に、インターディジタルキャパシタと、先端短絡ス
タブとをπ型に構成したことにより、従来と同等の特性
が得られ、小型化が可能となる。

【００３５】また、第３及び第４の発明によれば、誘電
体基板上に、インターディジタルキャパシタと、先端を
短絡したスパイラルインダクタとをπ型に構成したこと
により、従来と同等の特性が得られ、小型化が可能とな
る。

【００３６】また、第５の発明によれば、誘電体基板上
に、インターディジタルキャパシタと、先端短絡スタブ
とをT型に構成したことにより、従来と同等の特性が得
られ、小型化が可能となる。

【００３７】また、第６の発明によれば、誘電体基板上
に、インターディジタルキャパシタと、先端を短絡した
スパイラルインダクタとをT型に構成したことにより、
従来と同等の特性が得られ、小型化が可能となる。

【００３８】また、第７の発明によれば、誘電体基板上
の信号入力部に終端抵抗を直列に設けた先端短絡スタブ
を配置し、次にインターディジタルキャパシタ、先端短
絡スタブとを交互に配置し、π型に構成したことによ
り、小型化とともに、通過周波数の帯域外の反射量を抑
圧できるため、バンドパスフィルタの前段に設けた回
路、さらにその前段の回路の特性への影響を小さく抑え
ることが可能となる。

【００３９】また、第８の発明によれば、誘電体基板上
の信号入力部に終端抵抗を直列に設けて先端を短絡した
スパイラルインダクタを配置し、次にインターディジタ
ルキャパシタ、先端を短絡したスパイラルインダクタと
を交互に配置し、π型に構成したことにより、小型化と
ともに、通過周波数の帯域外の反射量を抑圧できるた
め、バンドパスフィルタの前段に設けた回路、さらにそ
の前段の回路の特性への影響を小さく抑えることが可能
となる。

【００４０】また、第９の発明によれば、誘電体基板上
に信号を外部から入力させる入力端子部と、信号を外部
へ出力させる出力端子部とを備えたことにより、このバ
ンドパスフィルタと外部とのインターフェイスにおける
回路設計の容易さと小型化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明によるバンドパスフィルタの実施の
形態１を示す図である。

【図２】 この発明によるバンドパスフィルタの特性を
示す図である。

【図３】 この発明によるバンドパスフィルタの実施の
形態２を示す図である。

【図４】 この発明によるバンドパスフィルタの実施の
形態３を示す図である。

【図５】 この発明によるバンドパスフィルタの実施の
形態４を示す図である。

【図６】 この発明によるバンドパスフィルタの実施の
形態５を示す図である。

【図７】 この発明によるバンドパスフィルタの特性を
示す図である。

【図８】 この発明によるバンドパスフィルタの実施の
形態６を示す図である。

【図９】 従来のバンドパスフィルタの構成の一例を示
す図である。

【図１０】 従来のバンドパスフィルタの特性の一例を
示す図である。

【図１１】 バンドパスフィルタの使用例を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ 誘電体基板、２、２a、２b 高インピーダンス線
路、３、３a、３b 高インピーダンス線路、４、４a、
４b 高インピーダンス線路、５ 入力端子部、６出力
端子部、７ 発振器、８ 逓倍器、９ バンドパスフィ
ルタ、１０a インターディジタルキャパシタ、１０b
インターディジタルキャパシタ、１１a先端短絡スタ
ブ、１１b 先端短絡スタブ、１１ｃ 先端短絡スタ
ブ、１２a 先端を短絡したスパイラルインダクタ、１
２b 先端を短絡したスパイラルインダクタ、１２c 先
端を短絡したスパイラルインダクタ、１３ 終端抵抗を
設けた先端短絡スタブ、１４ 終端抵抗、１５ 終端抵
抗を設けて先端を短絡したスパイラルインダクタ。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板上に、互いに長手方向を対向
   させた高インピーダンス線路対により構成されたインタ
   ーディジタルキャパシタと、このインターディジタルキ
   ャパシタの入力端子側及び出力端子側に接続された先端
   短絡スタブとを具備し、上記先端短絡スタブと、上記イ
   ンターディジタルキャパシタとにより、全体としてπ型
   に構成したことを特徴とするバンドパスフィルタ。
2. 【請求項２】 誘電体基板上に、互いに長手方向を対向
   させた高インピーダンス線路対により構成され、直列に
   接続された複数のインターディジタルキャパシタと、こ
   の複数のインターディジタルキャパシタの入力端子側に
   接続された第一の先端短絡スタブと、上記複数のインタ
   ーディジタルキャパシタの出力端子側に接続された第二
   の先端短絡スタブと、上記複数のインターディジタルキ
   ャパシタの連結点に接続された第三の先端短絡スタブと
   を具備し、第一の先端短絡スタブと、上記複数のインタ
   ーディジタルキャパシタと、第二の先端短絡スタブと、
   第三の先端短絡スタブとにより、全体としてπ型に構成
   したことを特徴とするバンドパスフィルタ。
3. 【請求項３】 誘電体基板上に、互いに長手方向を対向
   させた高インピーダンス線路対により構成されたインタ
   ーディジタルキャパシタと、このインターディジタルキ
   ャパシタの入力端子側及び出力端子側に接続された先端
   を短絡したスパイラルインダクタとを具備し、上記先端
   を短絡したスパイラルインダクタと、上記インターディ
   ジタルキャパシタとにより、全体としてπ型に構成した
   ことを特徴とするバンドパスフィルタ。
4. 【請求項４】 誘電体基板上に、互いに長手方向を対向
   させた高インピーダンス線路対により構成され、直列に
   接続された複数のインターディジタルキャパシタと、こ
   の複数のインターディジタルキャパシタの入力端子側に
   接続された第一の先端を短絡したスパイラルインダクタ
   と、上記複数のインターディジタルキャパシタの出力端
   子側に接続された第二の先端を短絡したスパイラルイン
   ダクタと、上記複数のインターディジタルキャパシタの
   連結点に接続された第三の先端を短絡したスパイラルイ
   ンダクタとを具備し、第一の先端を短絡したスパイラル
   インダクタと、上記複数のインターディジタルキャパシ
   タと、第二の先端を短絡したスパイラルインダクタと、
   第三の先端を短絡したスパイラルインダクタとにより、
   全体としてπ型に構成したことを特徴とするバンドパス
   フィルタ。
5. 【請求項５】 誘電体基板上に、互いに長手方向を対向
   させた高インピーダンス線路対により構成され、直列に
   接続された複数のインターディジタルキャパシタと、こ
   の複数のインターディジタルキャパシタの連結点に接続
   された先端短絡スタブとを具備し、上記複数のインター
   ディジタルキャパシタと、上記先端短絡スタブとによ
   り、全体としてＴ型に構成したことを特徴とするバンド
   パスフィルタ。
6. 【請求項６】 誘電体基板上に、互いに長手方向を対向
   させた高インピーダンス線路対により構成され、直列に
   接続された複数のインターディジタルキャパシタと、こ
   の複数のインターディジタルキャパシタの連結点に接続
   された、先端を短絡したスパイラルインダクタとを具備
   し、上記複数のインターディジタルキャパシタと、上記
   先端を短絡したスパイラルインダクタとにより、全体と
   してＴ型に構成したことを特徴とするバンドパスフィル
   タ。
7. 【請求項７】 入力端子側に接続された先端短絡スタブ
   に、終端抵抗を直列に設けたことを特徴とする、請求項
   １または請求項２記載のバンドパスフィルタ。
8. 【請求項８】 入力端子側に接続され、先端を短絡した
   スパイラルインダクタに、終端抵抗を直列に設けたこと
   を特徴とする、請求項３または請求項４記載のバンドパ
   スフィルタ。
9. 【請求項９】 誘電体基板上に、信号を外部から入力さ
   せる入力端子部と、信号を外部へ出力させる出力端子部
   とを備えたことを特徴とする、請求項１〜８記載のバン
   ドパスフィルタ。