KR100269016B1 - 탄성표면파장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 탄성표면파장치는, 각각의 제1 및 제2의 필터를, 입력단 또는 출력단에 접속되어 있는 접속점에서 병렬로 접속시킨 구조를 갖는다. 상기 탄성표면파장치는, 제2의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성(容量性)이며, 또 제2의 SAW필터보다 통과대역이 상대적으로 높은, 제1의 SAW필터; 및 제1의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성이며, 제1의 SAW필터의 통과대역보다 더 낮은 제2의 SAW필터를 포함한다. 제2의 SAW필터는, 제1의 SAW필터의 입력단 또는 출력단측의 접속점에서 병렬로 접속된다. 상기 제1의 SAW필터의 병렬로 접속되어 있는 측의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 병렬접속전에는, 이것의 저항성분이 장치의 특성 임피던스(ZO)에 대하여 약 1.2 ZO이상이며, 또한 상기 제2의 SAW필터의 병렬로 접속되어 있는 측의 말단부의 통과대역의 임피던스보다 더 높다.

Description

탄성표면파장치
본 발명은 상호 접속된 복수개의 탄성표면파(surface acoustic wave: SAW)필터들을 포함하는 탄성표면파장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 2개 이상의 통과대역을 갖는 필터를 형성하도록 구성하여, 예를 들어 이동통신장치 또는 이와 유사한 장치 등에 특히 적합하게 이용되는 탄성표면파장치에 관한 것이다.
최근에는, 이동통신장치의 다기능화가 요구되고 있다. 따라서, 2개 이상의 통신 시스템을 갖는 다대역(multi-band) 휴대전화가 개발되고 있다. 이러한 복수개의 통신 시스템을 갖은 휴대 전화를 설치하기 위해서는, 2개 이상의 통과대역을 갖는 대역통과필터(band-pass filter)가 필요하다. 그러나, 복수개의 통신 시스템을 가지면서, 또 저(低)삽입손실로 대역폭이 충분히 광범위한 필터가 설치되어 있는 단일의 전자부품을 실현하는 것이 어렵다.
이런 이유로, 복수개의 대역통과필터들을 조합하여 얻은, 2개 이상의 통과대역을 갖는 단일의 필터부품을 구성하는 것이 시도되어 왔다.
예를 들어, 일본특허 공개번호 7-66679호 공보에는, 복수개의 대역필터들을 조합하여 구성한 다이플렉서(diplexer)가 개시되어 있다. 이 선행기술에 개시된 다이플렉서(1)의 구성을 도1에 개략적으로 도시한다.
도1에 도시된 바와같이, 입력단자(IN1, IN2)에, 통과대역이 상대적으로 높은 주파수 영역에 있는 제1의 대역통과필터(2)와, 통과대역이 상대적으로 낮은 주파수 영역에 있는 제2의 대역필터(3)이 각각 접속되어 있다. 제1 및 제2의 대역통과필터(2, 3)의 출력단자는, 접속점(4)에 접속된다. 적어도 제2의 대역통과필터(3)는 SAW필터를 포함한다.
제2의 대역통과필터(3)에, 적어도 1-포트 SAW 공진자(5)가 직렬로 접속된다. 1-포트 SAW 공진자(5)의 반공진 주파수는, 제1의 대역통과필터(2)의 통과대역 내에 또는 제1 및 제2의 대역통과필터(2, 3)의 통과대역들 사이에 위치되어 있다. 또한, 제1의 대역통과필터(2)에, 임피던스 정합을 달성하기 위한 전송선로(6)가 직렬로 접속되어 있다. 1-포트 SAW 공진자(5)를 사용함으로써, 통과대역이 상대적으로 낮은 주파수 영역에 있는 제2의 대역통과필터(3)의 고주파측에서의 감쇠량이 증가된다. 이러한 배열로, 제2의 대역통과필터(3)측의 임피던스 정합용 외부회로를 단순화시키는 것이 가능하다.
다이플렉서(1)를 단일부품으로 구성하여도, 필요한 전기 길이를 갖는 전송선로를 형성하기 위해서는 큰 공간이 필요하게 되어, 다이플렉서의 전체크기가 매우 커진다. 또한, SAW장치에 사용하는 패키지에 다이플렉서(1)를 구성하는 경우에는, 전송선로(6)의 폭을 극단적으로 세분화시켜야 한다. 그 결과, 전송선로(6)의 길이증가로 인한 저항손실에 의해 삽입손실이 악화되는 문제가 발생한다. 또한, 패키지 부품의 면적 또는 높이가 과도하게 커져서, 이에 의해 가격이 상승하고, 이러한 부품으로 구성된 전자장치의 소형화를 방해한다.
도2는 2개 이상의 통과대역을 갖는 종래 필터장치의 또 다른 예를 도시한다. 1997 IEIC(Institute of Electronics, Information and Communication Engineers) General Conference의 회보에서, A-11-19, p294에 기재된 SAW장치(11)는, 통과대역이 상대적으로 높은 주파수 영역에 있는 제1의 SAW필터(12)와, 통과대역이 상대적으로 낮은 주파수 영역에 있는 제2의 SAW필터(13)로 구성되어 있다. 제1 및 제2의 SAW필터(12, 13)는 출력측이 접속점(14)에 접속되어 있다. 또한, 입력단자(IN1, IN2)와 출력단자(OUT)도 설치되어 있다. 따라서, 제1 및 제2의 SAW필터(12, 13)는, 출력단자측의 접속점(14)과, 입력단자(IN1, IN2)와의 사이에서 병렬로 접속되어 있다. 제1 및 제2의 SAW필터(12, 13)와 접속점(14)과의 사이에는, 1-포트 SAW 공진자(15, 16)가 각각 직렬로 접속되어 있다. 또한, 1-포트 SAW 공진자(15)와 접속점(14)과의 사이에는, 커패시터(17)가 직렬로 접속되어 있다.
제1의 SAW필터(12)의 출력단자측에 위치한 1-포트 SAW 공진자(15) 및 커패시터(17)는, 상대방 필터, 즉 제2의 SAW필터(13)의 임피던스를 높게 하도록 설치된다. 이것은, 제1 및 제2의 SAW필터(12, 13)의 삽입손실의 악화를 억제하며, 제1 SAW필터(12)의 통과대역의 고주파측에서의 감쇠량을 크게한다.
제1 및 제2의 SAW필터(12, 13), 1-포트 SAW 공진자(15, 16) 및 커패시터(17)를 단일의 압전기판상에 배치하여도, 상술한 효과를 이루기 위해, 커패시터(17)가 충분한 정전용량(electrostatic capacitance)을 얻기 위해서는, 단일의 압전기판상에서 큰 면적이 필요하다. 또한, 동일 압전기판상에 다른 SAW필터(13)에 어떠한 영향도 미치지 않게, 커패시터(17)를 구성해야만 하는데, 그 결과, SAW필터, 공진자 등의 배치가 복잡해진다. 따라서, 도1의 장치에 사용된 바와 같이, 도2의 장치에서, 임피던스 정합용 전송선로를 사용할 필요가 없어도, 도2의 탄성표면파장치의 칩 크기를 감소시키는 데에도 한계가 있다.
또한, 제2의 SAW필터(13)의 삽입손실를 저하시키기 위해 커패시터(17)의 용량을 감소시킬 때, 통과대역에서의 VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)특성이 악화되는 문제가 발생한다.
또, 예를 들어, 800㎒와 1.5㎓ 이상의 조합의 경우에서와 같이, 주파수의 비가 과도하게 큰 경우, 상대적으로 주파수가 낮은 SAW필터측에서는, 주파수가 높은 다른 필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 작으며, 또 주파수가 높은 다른 SAW필터보다도 반사계수가 상대적으로 작아서, 그 결과 임피던스를 충분하게 크게 설정하기가 곤란하다. 게다가, 상기 커패시터(17)의 성능에 있어서, 주파수 특성이 불만족스러우며, 그러므로 주파수비가 상술한 경우에서와 같이 큰 경우에는, 커패시터(17)를 사용함으로써 적절한 주파수 특성을 얻기가 곤란하다.
종전에는 인식되지 않았던 상술한 문제점들을 해결하기 위해, 본 발명의 바람직한 구현예들은, 소형이면서, 삽입손실이 상당히 감소됨과 함께, 탄성표면파장치에 포함된 필터의 통과대역에 있어서 예를 들어, VSWR과 같은 특성의 악화를 상당히 감소기키도록 구성배치된 탄성표면파장치를 제공한다.
본 발명의 구현예들에 따른 탄성표면파장치는,
각각의 제1 및 제2 탄성표면파(SAW)필터를, 입력단 또는 출력단에 대응하는 접속점에서 병렬로 접속시킨 구조를 갖는다.
상기 탄성표면파장치는,
제2의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성(容量性)이며, 또 제2의 SAW필터보다 통과대역이 상대적으로 높은, 제1의 SAW필터; 및
제1의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성인 제2의 SAW필터
를 포함한다.
제2의 SAW필터의 통과대역은 제1의 SAW필터의 통과대역보다 더 낮으며, 제1의 SAW필터의 입력단 또는 출력단의 접속점에서 제2의 SAW필터가 병렬로 접속된다. 상기 제1의 SAW필터의 병렬로 접속되어 있는 측의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 병렬접속전에는, 이것의 저항성분이 탄성표면파장치의 특성 임피던스(ZO)에 대하여 약 1.2 ZO이상이며, 또한 상기 제2의 SAW필터의 병렬로 접속되어 있는 측의 말단부의 통과대역의 임피던스보다 더 높다.
상기한 제1 및 제2의 SAW필터가, 각각, 적어도 2개의 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer)를 갖는 종결합형 공진자 필터일 수 있다.
상기 탄성표면파장치는,
상기 제1의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 이것의 반공진 주파수가 제1의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 구성되어 있는 적어도 1개의 제1의 1-포트 SAW 공진자; 및
상기 제2의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 이것의 반공진 주파수가 제2의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 배치되어 있는 적어도 1개의 제2의 1-포트 SAW 공진자
를 더 포함한다.
상기 제1 및/또는 제2의 1-포트 SAW 공진자 각각은, 직렬로 접속되어 있는 복수개의 단계(stage)들로 구성될 수 있으며, 복수개의 단계로 구성되어 있는 적어도 1개의 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장은, 복수개의 단계로 구성되어 있는 다른 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장과는 다르다.
바람직하게는, 제1 및 제2의 SAW필터, 및 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자 모두는, 1개의 압전기판 위에 구성되는 것이 좋으며, 이에 의해 보다 소형화될 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현예들에 따르면, 예를 들어, 인덕턴스 소자와 같이 외부 임피던스 소자를 이용하여 임피던스 정합이, 제1의 SAW필터와 제2의 SAW필터간의 병렬접속점에서 용이하게 달성될 수 있다.
게다가, 제1의 SAW필터에 있어서, 병렬접속시에, 제2의 SAW필터의 도전성분이 첨가된다. 도전성은 쉽게 증가되지 않으며, 따라서 병렬 또는 직렬로 인덕턴스를 1개 접속함으로써, 적절한 임피던스 정합을 용이하게 얻을 수 있다.
상술한 관련기술로, 1-포트 SAW 공진자 및 커패시터를 이용하여 도2에 나타낸 바와 같이 배열한 것은, 커패시터 구조부로 인해 압전기판의 크기가 증가된다는 문제점을 내포하지만, 본 발명의 바람직한 구현예들의 배열에 의해서, 통과대역의 VSWR의 악화를 방지할 수 있으며, 압전기판의 크기를 확대하지 않고서도 임피던스 정합을 용이하게 달성할 수 있다.
게다가, 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자 각각이, 제1 및 제2의 SAW필터와 병렬접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있기 때문에, 제2의 SAW필터의 통과대역 이내에 위치되어 있는 제1의 SAW필터의 임피던스가 증가될 수 있으며, 이에 의해 제2의 SAW필터의 악화를 억제할 수 있다.
제1 및/또는 제2의 1-포트 SAW 공진자 각각이 복수개의 단계로 구성되어 있는 경우에, 복수개의 단계로 구성되어 있는 적어도 1개의 1-포트 SAW 공진자의 주파수는, 복수개의 단계로 구성되어 있는 다른 1-포트 SAW 공진자의 주파수와는 다르며, 이에 의해 다른측의 SAW필터의 통과대역에 있어서 리플(ripples)을 억제할 수 있으며, 광범위한 주파수 범위에 걸쳐서 감쇠량을 개선할 수 있다.
또한, 1개의 압전기판상에, 제1 및 제2의 SAW필터와, 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자가 모두 설치된다. 이에 의해 복수개의 빗형상의 전극들을 동시에 형성하는 것이 용이하게 된다. 이런 방법으로, 본 발명의 바람직한 구현예들의 탄성표면파장치는, 복잡한 제조공정을 요구하지 않고서도 구성될 수 있으며, 크기 및 비용면에서 더욱 감소될 수 있다.
본 발명을 예증하기 위해, 여러가지 바람직한 구현예들과, 현재 선호되는 유형들을 도면으로 나타내었으며, 그러나 주지하는 바와 같이, 본 발명이 도시한 바로 그 구성과 수단에 한정되지 않는다.
도1은 통과대역이 다른 두 개의 대역통과필터를 접속함으로써 형성된 종래의 탄성표면파장치를 설명하는 회로도이다.
도2는 통과대역이 다른 두 개의 대역통과필터를 접속함으로써 형성된 또 하나의 종래 탄성표면파장치를 설명하는 회로도이다.
도3은 본 발명의 구현예에 따른 탄성표면파장치의 회로도이다.
도4는 도3에 나타낸 탄성표면파장치의 구조의 일례를 설명하는 개략적인 평면도이다.
도5는 도4에 도시한 탄성표면파장치가 패키지(package)내에 설치되어 있는 구조를 설명하는 단면도이다.
도6은 도3에 나타낸 탄성표면파장치에 있어서 제1의 SAW필터의 주파수-감쇠특성 및 주파수-VSWR특성을 보여주는 도면이다.
도7a 및 도7b는, 각각 제1의 SAW필터의 입력측 및 출력측에 있어서 임피던스의 스미스 챠트이다.
도8a 및 도8b는, 각각 제2의 SAW필터의 입력측 및 출력측에 있어서 임피던스의 스미스 챠트이다.
도9a 및 도9b는, 각각 제1의 1-포트 SAW 공진자가 제1의 SAW필터에 직렬로 접속되어 있는 구조의, 입력측 및 출력측에 있어서 임피던스의 스미스 챠트이다.
도10은 도3에 나타낸 탄성표면파장치의 제1의 SAW필터(22)측에 있어서 주파수-감쇠특성 및 주파수-VSWR특성을 보여주는 도면이다.
도11a 및 도11b는, 각각 도3에 나타낸 탄성표면파장치에 있어서 제1의 SAW필터측의 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트이다.
도12는 도3에 나타낸 탄성표면파장치에 있어서 제2의 SAW필터의 주파수-진폭특성 및 주파수-VSWR특성을 보여주는 도면이다.
도13a 및 도13b는, 각각 도3에 나타낸 탄성표면파장치에 있어서 제2의 SAW필터의 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트이다.
도14는 병렬접속전에 있어서, 통과대역의 임피던스가 약 50Ω에 가까운 경우의 통과대역 내외(內外)의 제1의 SAW필터의 주파수-진폭특성 및 주파수-VSWR특성을 보여주는 도면이다.
도15a 및 도15b는, 각각 도14에 나타낸 특성에 관련하여, 제1의 SAW필터의 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다.
도16은, 도3에 나타낸 탄성표면파장치에 있어서, 도14에 나타낸 특성을 갖는 제1의 SAW필터를 이용한 경우의 주파수-진폭특성 및 주파수-VSWR특성을 보여주는 도면이다.
도17a 및 도17b는, 각각 도16에 나타낸 특성과 관련하여, 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
21: 탄성표면파장치 22: 제1의 SAW필터
23: 제2의 SAW필터 25: 제1의 1-포트 SAW 공진자
26, 27: 제2의 1-포트 SAW 공진자 IN1, IN2: 입력단자
OUT: 출력단자
이하, 본 발명의 바람직한 구현예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 바람직한 구현예를 나타내는 탄성표면파장치는 도면을 참조하여 하기에 설명한다.
도3은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 탄성표면파장치의 회로도이다. 탄성표면파장치(21)는, 통과대역이 서로 다른 제1의 SAW필터(22)와 제2의 SAW필터(23)을 구비한다. 제1의 SAW필터(22)는 제2의 SAW필터(23)보다 통과대역이 더 높으며, 제2의 SAW필터(23)는 제1의 SAW필터(22)보다 통과대역이 더 낮다. 제1의 SAW필터(22)와 제2의 SAW필터(23)의 각 출력단자는 접속점(24)에서 접속된다. 제1의 SAW필터(22)와 제2의 SAW필터(23)는, 탄성표면파장치(21)의 출력측에서 병렬접속된다. 각각의 입력단자(IN1, IN2) 및 출력단자(OUT)가 또한 설치된다.
제1의 SAW필터(22)와 접속점(24)과의 사이에는, 제1의 1-포트 SAW 공진자(25)가 접속된다. 제2의 SAW필터(23)와 접속점(24)과의 사이에는, 한쌍의 제2의 1-포트 SAW 공진자(26, 27)가 직렬로 접속된다.
도4는 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 탄성표면파장치(21)의 구체적인 구성을 보여주는 개략적인 평면도이며, 도5는 탄성표면파장치를 패키지 내에 수납하는 구성을 보여주는 단면도이다.
도4로부터 명백한 바와 같이, 탄성표면파장치(21)는 실질적으로 직사각형상의 압전기판(31)을 포함하고 있다. 압전기판(31)은, 예를 들어, 티탄산 지르콘산 납계 압전세라믹(lead titanate zirconate piezoelectric ceramic) 등의 압전세라믹, 또는 수정, LiTaO3, LiNbO3등의 압전단결정과 같은 다른 적당한 재료로 구성될 수 있다. 본 발명의 구현예의 한 실시예에 있어서, 41°Y-X LiNbO3기판(41°Y-X cut LiNbO3substrate)이 사용된다.
압전기판(31) 상에는, 입력단자(IN1, IN2)가 도전막으로 형성되어 있다. 입력단자(IN1)에는, 제1의 SAW필터(22)가 접속되어 있다. 제1의 SAW필터(22)는, 3개의 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer: IDT)(22a∼22c)를 갖는 종결합형(縱結合型) SAW필터인 것이 바람직하다. 외측의 각 IDT(22a, 22c)의 한쪽에 있는 빗형상의 전극지가, 접속점(32)에서 서로 접속되며, 상기 접속점은 입력단자(IN1)에 접속된다. 각 IDT(22a, 22c)의 다른 한쪽에 있는 빗형상의 전극지들은 접지전극(33a, 33b)에 접속되며, 상기 접지전극(33a, 33b)은, 접속선(도시하지 않았음)이나 다른 적절한 접속부재에 의해 접지전위에 접속된다.
중앙에 위치된 IDT(22b)의 한쪽의 빗형상의 전극은, 또한 접지전극(33c)에 전기적으로 접속된다. IDT(22b)의 다른 한쪽에 있는 빗전극은 제1의 1-포트 SAW 공진자(25)에 접속된다.
기판(31) 위에, IDT(22a∼22c)가 위치된 영역의 표면파 전파방향의 양측에는, 반사기(22d, 22e)가 설치되어 있다.
입력단자(IN2)에는, 제2의 SAW필터(23)가 접속되는 것이 바람직하다. 제2의 SAW필터(23)도, 또한 3개의 IDT(23a∼23c)를 갖는 종결합형 SAW필터이다. 외측의 각 IDT(22a, 22c)의 한쪽에 있는 빗형상의 전극이, 입력단자(IN2)에 접속된다. IDT(23a, 23c)의 다른 한쪽의 빗형상의 전극은 접지전극(34a, 34b)에 접속된다. 중앙에 위치한 IDT(23b)의 한쪽 빗형상의 전극은 또한 접지단자전극(34c)에 접속된다. IDT(23b)의 다른쪽의 빗형상의 전극은 제2의 1-포트 SAW 공진자(26)에 접속된다.
기판(31)상에서, IDT(23a∼23c)가 위치한 영역의 표면파 전파방향의 양측에는, 반사기(23d, 23e)가 설치되어 있다.
상술한 바와 같이, 제2의 1-포트 SAW 공진자(26)의 한쪽 말단은 제2의 SAW필터(23)에 접속되며, 한편 제2의 1-포트 SAW 공진자(26)의 다른쪽 말단은, 제2의 1-포트 SAW 공진자(27)에 접속된다. 제2의 1-포트 SAW 공진자(27)의 다른쪽 말단은, 접속점(24)에 접속된다. 유사하게, 제1의 1-포트 SAW 공진자(25)의 다른쪽 말단도, 또한 접속점(24)에 접속된다. 즉, 제1 및 제2의 SAW필터(22, 23)는, 이것의 출력측이 접속점(24)에 접속됨으로써 병렬접속된다. 접속점(24)은, 출력단자(OUT)에 전기적으로 접속된다.
각각의 1-포트 SAW 공진자(25, 26, 27)은, IDT(25a, 26a, 27a)의 표면파 전파방향의 양측에, 반사기(25b와 25c, 26b와 26c, 27b와 27c)가 위치된 구조를 갖는다.
1-포트 SAW 공진자(25)에, 반드시 반사기(25d, 25e)를 설치할 필요는 없다. 또한, 1-포트 SAW 공진자(26)에, 반드시 반사기(26d, 26e)를 설치할 필요는 없다. 더욱이, 반사기(27d, 27e)를 반드시 설치할 필요가 없다. 반사기(27d, 27e)가 설치된 경우, 전극지의 개수는 다른 반사기보다 더 적은 것이 바람직하다.
또, 제1 및 제2의 SAW필터(22, 23)의 양측에, 반드시 반사기(22d, 22e, 23d, 23e)를 설치할 필요가 없다.
각각의 제1 및 제2의 SAW필터(22, 23)와, 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자(25~27)와, 입력단자(IN1, IN2), 및 출력단자(OUT)가, 압전기판(31) 위에, 예를 들어, Al과 같은 도전성 재료를 도포한 다음 패턴(patterning)함으로써 형성되는 것이 바람직하다.
이러한 방법으로, 단일의 압전기판(31) 상에, 상술한 소자(elements)들을 구성함으로써, 복수개의 통과대역을 갖는 탄성표면파장치(21)의 소형화를 용이하게 이룰 수 있다. 또한, Al과 같은 도전성 재료를 압전기판(31) 상에 패턴함으로써, 상술한 각종 전극들을 동시에 형성하는 것이 가능하기 때문에, 제조공정이 복잡하지 않게 된다.
상기한 탄성표면파장치(21)는, 통상의 탄성표면파필터와 동일한 방법으로 패키지(package) 내에 내장될 수 있다. 즉, 도5에 나타낸 탄성표면파장치(35)에는, 바람직하게도 절연성 세라믹으로 이루어진 패키지(36) 내에 탄성표면파장치(21)이 수납되어 있다. 패키지(36)는, 절연성 세라믹으로 구성된 세라믹기판(36a) 상에 실질적으로 직사각형상의 프레임부재(frame member)(36b, 36c)를 적층하여 구성된 본체(package body)(36d)를 가지고 있다.
본체(36d)의 개구(36e) 내에 탄성표면파장치(21)가 배치되어, 세라믹기판 (36a)에 고정되어 있다.
탄성표면파장치의 입력단자, 출력단자, 및 접지단자는, 적절하게, 본딩 와이어(37a, 37b) 등에 의해 본체(36d)에 형성된 전극(도시하지 않았음)에 전기적으로 접속된다. 개구(36e)는, 바람직하게도, 금속으로 이루어진 리드(lid)부재(38)로 덮여있다.
도5로부터 명백한 바와 같이, 탄성표면파장치(35)는, 종래 탄성표면파장치를 패키지(package)하는데에 사용된 패키지(36)를 사용함으로써, 상기 장치(35)의 외관이 통상의 탄성표면파장치와 유사하도록, 패키지 내장형 주부품(package-type main component)으로서 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예들을 참조하여, 본 발명의 탄성표면파장치(21)에 있어서, 임의의, 상당히 개선된 필터특성을 얻는 것에 대하여 설명한다.
본 발명의 바람직한 구현예의 각 실시예에서, 제1의 SAW필터(22)의 통과대역은, 바람직하게는 약 1895㎒ ∼ 약 1925㎒인 것이 좋다. 제1의 SAW필터(22) 자체의 통과대역 내외의 주파수-감쇠특성(frequency-attenuation characteristic) 및 주파수-VSWR특성을 도6에 나타낸다. 도6 및 이하의 도10, 도12, 도14 및 도16에 있어서는, 실선으로 표시한 주파수-감쇠량 곡선의 요부(要部)를 파선(broken line)에 의해 확대된 상태로 나타낸다. 또한, 도7a 및 도7b는, 각각 제1의 SAW필터(22)의 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트(Smith charts)를 나타낸다.
도7b에 대하여, 병렬접속측에 대응하는 제1의 SAW필터(22)의 출력측에 있어서, 통과대역 임피던스의 저항성분이 약 60Ω보다 충분히 크다. 따라서, 제1의 SAW필터(22) 단독으로는, VSWR도 3 이상으로 크며, 부정합(mismatching)에 의한 손실이 크다.
한편, 제2의 SAW필터(23)의 통과대역은, 바람직하게는, 약 925㎒ ∼ 약 958㎒로 설정되는 것이 좋다. 제2의 SAW필터(23) 단독의 통과대역 내외의 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를, 도8a 및 도8b에 각각 나타낸다.
도8b로부터 명백한 바와 같이, 병렬접속측, 즉, 출력측에 있어서, 통과대역의 임피던스의 저항성분이, 탄성표면파장치의 특성 임피던스(ZO)가 ZO=50Ω인 경우, 약 50Ω이다.
제1의 SAW필터(22)의 통과대역(약 1895㎒ ~ 약 1925㎒)에 있어서 제2의 SAW필터(23)의 임피던스가, 제2의 SAW필터의 통과대역(약 925㎒ ~ 약 958㎒)에 있어서 제1의 SAW필터의 임피던스에 비하여 더 낮으며, 반사계수는 약 0.85이다.
한편, 다시 도3을 참조하여, 제1의 1-포트 SAW 공진자(25)는, 이것의 반공진 주파수가, 제1의 SAW필터(22)의 통과대역 이외에 있으며, 또한 상기 통과대역의 고주파수측에 위치되도록, 제1의 SAW필터(22)에 직렬접속된다. 또한, 도9a 및 도9b는, 각각, 제1의 1-포트 SAW 공진자(25)가 제1의 SAW필터(22)의 출력측에 직렬로 접속되는 경우의, 통과대역 내외의 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다.
도9b와 도7b와의 비교로부터 명백한 바와 같이, 1-포트 SAW 공진자(25)를 제1의 SAW필터(22)에 직렬접속함으로써, 도9b에 나타낸 임피던스가 전체범위에 걸쳐서 상당히 증가된다.
한편, 도3에 대하여, 제2의 1-포트 SAW 공진자(26, 27)는, 제2의 SAW필터(23)와 접속점(24)과의 사이에 직렬로 삽입되며, 상기 제2의 1-포트 SAW 공진자(26, 27)는, 이것의 반공진 주파수가, 제2의 SAW필터(23)의 통과대역의 이외에 있도록 직렬로 접속된다.
도10은, 본 구현예의 탄성표면파장치(21)에 있어서, 즉, 도3의 회로도에 나타낸 바와 같이 회로소자들이 접속된 경우에, 제1의 SAW필터(22)측에 있어서 통과대역 내외의 주파수-감쇠특성 및 주파수-VSWR특성을 나타낸다. 도11a 및 도11b는, 각각, 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다. 병렬접속점(24)과 접지전위와의 사이에는, 12nH 임피던스 정합용 인덕턴스 소자(impedance matching inductance element)(28)가 접속된다. 또한, 제2의 SAW필터(23)의 입력측은, 약 50Ω의 저항으로 종단되어 있다.
제2의 SAW필터(23)가 병렬접속되며, 또한 상술한 인덕턴스가 접속됨으로써, 도10에 나타낸 바와 같이, 제1의 SAW필터(22)의 접속점(24)의 통과대역내 VSWR이 약 1.2 이하이며, 부정합에 의한 손실이 작다는 것을 알 수 있다.
도12는, 본 구현예의 탄성표면파장치(21)에 있어서, 즉, 도3의 회로도에 나타낸 바와 같이 회로소자들이 접속된 경우에, 제2의 SAW필터(23)측에 있어서 통과대역 내외의 주파수-감쇠특성 및 주파수-VSWR특성을 나타낸다. 도13a 및 도13b는, 각각, 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다. 병렬접속점(24)과 접지전위와의 사이에는, 제1의 SAW필터(22)와 공통으로 사용된, 12nH 임피던스 정합용 인덕턴스 소자(28)가 접속된다. 제1의 SAW필터(22)의 입력측은, 약 50Ω의 저항으로 종단되어 있다.
도12로부터 알 수 있듯이, 제2의 SAW필터(23)의 접속점(24)에 있어서, 통과대역내 VSWR이 약 2 이하(or less)로 작다.
한편, 도14는, 제1의 SAW필터(22)의 병렬접속전에 있어서, 통과대역의 임피던스가 약 50Ω에 가까운 경우의 통과대역 내외(內外)의 주파수-감쇠특성 및 주파수-VSWR특성을 나타낸다. 도15a 및 도15b는 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다.
도15b로부터 명백한 바와 같이, 제2의 SAW필터(23)의 통과대역의 임피던스는 도8b에 나타낸 통과대역의 임피던스보다 더 낮다. 여기에서, 제1의 SAW필터(22)의 단체에 대해서는, VSWR이 약 1.4 이하이며, 통과대역손실이 작은 것으로 인정될 수 있다. 도16은, 제1의 SAW필터(22)가 사용되며, 또한 회로소자가 도3의 회로도에 나타낸 바와 같이 접속된 경우의 통과대역 내외의 주파수-감쇠특성 및 주파수-VSWR특성을 나타낸다. 도11a 및 도11b는 입력측 및 출력측의 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다. 병렬접속점(24)과 접지전위와의 사이에는, 12nH 임피던스 정합용 인덕턴스 소자(28)가 제공된다. 또한, 제2의 SAW필터(23)의 입력측은, 약 50Ω의 저항으로 종단되어 있다.
명백하게도, 도10에 나타낸 주파수-감쇠특성과 비교해 볼 때 도16에 나타낸 주파수-감쇠특성에 있어서, 통과대역내 VSWR이 약 2보다도 크며, 손실도 크다.
도17a 및 도17b는, 각각 도16에 나타낸 경우의 입력측 및 출력측 임피던스의 스미스 챠트를 나타낸다. 도17a 및 도17b로부터 명백한 바와 같이, 공통접속단자측에 있어서, 저항성분이 약 50Ω보다 더 작으며, 유도성(inductivity)측의 위치변경(shift)이 보여진다. 상기 유도성측의 이런 위치변경을 보정하기 위해, 정합용 인덕턴스치를 증가할 수 있다. 반대로, 제2의 SAW필터(23)의 VSWR가 이에 의해 증가되어, 삽입손실의 증가를 초래할 수 있다.
따라서, 상기한 구현예들로부터 명백하게 알 수 있듯이, 제1의 SAW필터(22)와 제2의 SAW필터(23)가 병렬접속점(24)에서 접속되어 있는 탄성표면파장치에 있어서, 다른측의 필터의 통과대역의 임피던스가 상대적으로 높은 제1의 SAW필터(22)와, 다른측의 필터의 통과대역의 임피던스가 상대적으로 낮은 제2의 SAW필터(23)가 출력측에서 병렬접속된 경우, 제1의 SAW필터(22)의 통과대역의 임피던스를 제2의 SAW필터(23)의 통과대역의 임피던스보다 높게 설정함으로써, 두 개의 SAW필터(22, 23)의 각각의 2개의 통과대역에 있어서, 접속점(24)에서의 각 임피던스는 서로 가깝게 되어, 이에 의해 외부 정합용 소자를 사용하여 임피던스 정합을 용이하게 도모할 수 있게 된다.
또한, 제1의 SAW필터(22)에 있어서, 통과대역의 저항성분은 바람직하게는 약 60Ω보다 높게 설정되는 것이 좋으며, 즉, 장치의 임피던스가 ZO인 경우, 통과대역의 저항성분은 바람직하게는 약 1.2 ZO보다 높게 설정되는 것이 좋다. 그러므로, 제1 및 제2의 SAW필터(22, 23)의 병렬접속시에, SAW필터(23)의 도전성분이 첨가되어도, 도전성은 약 0.02㎳를 초과하지 않는다. 그 결과, 병렬 또는 직렬로 인덕턴스를 1개 접속함으로써, 임피던스 정합만이 얻어질 수 있다.
제1의 SAW필터(22)와 제2의 SAW필터(23)는, 출력측에 접속되는 대신에, 입력측에서 병렬로 접속될 수 있다.
또한, 본 구현예에서는, 상기한 제1의 1-포트 SAW 공진자(25)가, 제1의 SAW필터(22)와 접속점(24)과의 사이에 직렬로 접속되기 때문에, 제2의 SAW필터(23)의 통과대역에 있어서 제1의 SAW필터(22)의 임피던스를 증가하여, 이에 의해 제2의 SAW필터(23)의 악화를 억제할 수 있다.
유사하게, 제2의 SAW필터(23)와 병렬접속점(24)과의 사이에 각각의 제2의 1-포트 SAW 공진자(26, 27)가 접속되기 때문에, 이에 의해 제1의 SAW필터(22)의 악화를 억제할 수 있다. 게다가, 각각의 제2의 1-포트 SAW 공진자(26, 27)의 공진 주파수가 서로 다르기 때문에, 제1의 SAW필터(22)의 통과대역에 있어서 리플(ripples)을 효과적으로 감소하여, 이에 의해 넓은 범위에 걸쳐서 감쇠량을 개선할 수 있다.
주지하는 바와 같이, 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자(25, 26,27)를 반드시 설치할 필요는 없다. 또한, 제1의 1-포트 SAW 공진자(25) 대신에, 1-포트 SAW 공진자(26, 27)의 배열에서와 같이, 복수개의 공진자 단계(stages)로 배열될 수 있다. 이런 경우에 있어서도, 1-포트 SAW 공진자의 주파수가 서로 달라서, 제2의 SAW필터(23)의 통과대역내 리플(ripples)을 감소할 수 있다.
두 개의 1-포트 SAW 공진자(26, 27) 대신에, 단일의 1-포트 SAW 공진자를 사용할 수 있다.
또한, 각각의 제1 및 제2의 SAW필터(22, 23)는, 종결합형 SAW공진자필터 이외에 다른 SAW필터로 구성될 수 있으며, 특별한 유형에 한정되지 않는다.
본 발명의 바람직한 구현예들에 따르면, 예를 들어, 인덕턴스 소자와 같이 외부 임피던스 소자를 이용하여 임피던스 정합이, 제1의 SAW필터와 제2의 SAW필터간의 병렬접속점에서 용이하게 달성될 수 있다.
게다가, 제1의 SAW필터에 있어서, 병렬접속시에, 제2의 SAW필터의 도전성분이 첨가된다. 도전성은 쉽게 증가되지 않으며, 따라서 병렬 또는 직렬로 인덕턴스를 1개 접속함으로써, 적절한 임피던스 정합을 용이하게 얻을 수 있다.
상술한 관련기술로, 1-포트 SAW 공진자 및 커패시터를 이용하여 도2에 나타낸 바와 같이 배열한 것은, 커패시터 구조부로 인해 압전기판의 크기가 증가된다는 문제점을 내포하지만, 본 발명의 바람직한 구현예들의 배열에 의해서, 통과대역의 VSWR의 악화를 방지할 수 있으며, 압전기판의 크기를 확대하지 않고서도 임피던스 정합을 용이하게 달성할 수 있다.
게다가, 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자 각각이, 제1 및 제2의 SAW필터와 병렬접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있기 때문에, 제2의 SAW필터의 통과대역 이내에 위치되어 있는 제1의 SAW필터의 임피던스가 증가될 수 있으며, 이에 의해 제2의 SAW필터의 악화를 억제할 수 있다.
제1 및/또는 제2의 1-포트 SAW 공진자 각각이 복수개의 단계로 구성되어 있는 경우에, 복수개의 단계로 구성되어 있는 적어도 1개의 1-포트 SAW 공진자의 주파수는, 복수개의 단계로 구성되어 있는 다른 1-포트 SAW 공진자의 주파수와는 다르며, 이에 의해 다른측의 SAW필터의 통과대역에 있어서 리플(ripples)을 억제할 수 있으며, 광범위한 주파수 범위에 걸쳐서 감쇠량을 개선할 수 있다.
또한, 1개의 압전기판상에, 제1 및 제2의 SAW필터와, 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자가 모두 설치된다. 이에 의해 복수개의 빗형상의 전극들을 동시에 형성하는 것이 용이하게 된다. 이런 방법으로, 본 발명의 바람직한 구현예들의 탄성표면파장치는, 복잡한 제조공정을 요구하지 않고서도 구성될 수 있으며, 크기 및 비용면에서 더욱 감소될 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현예들을 기재하였지만, 여기에 기재된 원리들을 수행하는 다양한 형태가 하기의 청구항들의 범위 이내에서 고려된다. 그러므로, 청구항에서 설명한 것들을 제외하고는, 본 발명의 범위가 한정되지 않는다.

Claims (20)

  1. 제1의 탄성표면파(SAW)필터 및 제2의 SAW필터를 포함하는 탄성표면파장치에 있어서,
    상기 제1의 SAW필터 및 상기 제2의 SAW필터가, 상기 탄성표면파장치의 입력단과 출력단 중의 어느 한 개의 부근에 위치되어 있는 접속점에서 병렬로 서로 접속되어 있고,
    상기 제1의 SAW필터는, 상기 제2의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성(容量性)이며, 또 상기 제2의 SAW필터보다 통과대역이 상대적으로 높으며,
    상기 제2의 SAW필터는, 상기 제1의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성이며,
    상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 병렬접속전에는, 이것의 저항성분이 상기 탄성표면파장치의 특성 임피던스(ZO)에 대하여 약 1.2 ZO이상이며,
    또한 상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 제2의 SAW필터의 임피던스보다 더 높은 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 SAW필터가, 각각, 적어도 2개의 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer)를 갖는 종결합형 공진자 필터(longitudinally coupled resonator filter)이며,
    상기 제1의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제1의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 구성되어 있는 적어도 1개의 제1의 1-포트 SAW 공진자; 및
    상기 제2의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제2의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 구성되어 있는 적어도 1개의 제2의 1-포트 SAW 공진자
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1의 1-포트 SAW 공진자와 상기 제2의 1-포트 SAW 공진자중의 적어도 1개는, 직렬로 접속되어 있는 복수개의 단계(stage)들로 구성되며,
    복수개의 단계로 구성되어 있는 적어도 1개의 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장은, 복수개의 단계로 구성되어 있는 다른 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장과는 다른 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  4. 제2항에 있어서, 단일의 압전기판을 더 포함하는 탄성표면파장치에 있어서,
    상기 제1 및 제2의 SAW필터, 및 상기 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자 모두가, 상기 단일의 압전기판 위에 구성되는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  5. 제1항에 있어서, 접속점에 접속되어 있는 임피던스 정합용 인덕턴스 소자(impedance matching inductance element)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  6. 제1의 탄성표면파(SAW)필터 및 제2의 SAW필터;
    상기 제1의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제1의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 구성되어 있는 적어도 1개의 제1의 1-포트 SAW 공진자; 및
    상기 제2의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제2의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 배치되어 있는 적어도 1개의 제2의 1-포트 SAW 공진자
    를 포함하는 탄성표면파장치에 있어서,
    상기 제1의 SAW필터 및 상기 제2의 SAW필터가, 상기 탄성표면파장치의 입력단과 출력단 중의 어느 한개에 접속되어 있는 접속점에서 병렬로 서로 접속되어 있고,
    상기 제1의 SAW필터는, 상기 제2의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성(容量性)이며, 또 상기 제2의 SAW필터보다 통과대역이 상대적으로 높으며,
    상기 제2의 SAW필터는, 상기 제1의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성인 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 병렬접속전에는, 이것의 저항성분이 상기 탄성표면파장치의 특성 임피던스(ZO)에 대하여 약 1.2 ZO이상이며,
    또한 상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 제2의 SAW필터의 임피던스보다 더 높은 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 SAW필터가, 각각, 적어도 2개의 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer)를 갖는 종결합형 공진자 필터인 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1의 1-포트 SAW 공진자와 상기 제2의 1-포트 SAW 공진자중의 적어도 1개는, 직렬로 접속되어 있는 복수개의 단계(stage)들로 구성되며,
    복수개의 단계로 구성되어 있는 적어도 1개의 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장은, 복수개의 단계로 구성되어 있는 다른 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장과는 다른 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  10. 제6항에 있어서, 단일의 압전기판을 더 포함하는 탄성표면파장치에 있어서,
    상기 제1 및 제2의 SAW필터, 및 상기 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자 모두가, 상기 단일의 압전기판 위에 구성되는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  11. 케이스; 및
    상기 케이스에 설치됨과 함께, 제1의 탄성표면파(SAW)필터 및 제2의 SAW필터를 포함하는 탄성표면파소자
    로 이루어지는 전자부품에 있어서,
    상기 제1의 탄성표면파(SAW)필터 및 상기 제2의 SAW필터가, 상기 탄성표면파장치의 입력단과 출력단 중의 어느 한 개 부근에 위치되어 있는 접속점에서 병렬로 서로 접속되어 있고,
    상기 제1의 SAW필터는, 상기 제2의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성(容量性)이며, 또 상기 제2의 SAW필터보다 통과대역이 상대적으로 높으며,
    상기 제2의 SAW필터는, 상기 제1의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성이며,
    상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 병렬접속전에는, 이것의 저항성분이 상기 탄성표면파장치의 특성 임피던스(ZO)에 대하여 약 1.2 ZO이상이며,
    또한 상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 제2의 SAW필터의 임피던스보다 더 높은 것을 특징으로 하는 전자부품.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 SAW필터가, 각각, 적어도 2개의 인터디지탈 트랜스듀서를 갖는 종결합형 공진자 필터이며,
    상기 탄성표면파장치가,
    상기 제1의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제1의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 구성되어 있는 적어도 1개의 제1의 1-포트 SAW 공진자; 및
    상기 제2의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제2의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 배치되어 있는 적어도 1개의 제2의 1-포트 SAW 공진자
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1의 1-포트 SAW 공진자와 상기 제2의 1-포트 SAW 공진자중의 적어도 1개는, 직렬로 접속되어 있는 복수개의 단계(stage)들로 구성되며,
    복수개의 단계로 구성되어 있는 적어도 1개의 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장은, 복수개의 단계로 구성되어 있는 다른 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장과는 다른 것을 특징으로 하는 전자부품.
  14. 제12항에 있어서, 단일의 압전기판을 더 포함하는 전자부품에 있어서,
    상기 제1 및 제2의 SAW필터, 및 상기 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자 모두가, 상기 단일의 압전기판 위에 구성되는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  15. 제11항에 있어서, 접속점에 접속되어 있는 임피던스 정합용 인덕턴스 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품.
  16. 케이스; 및
    상기 케이스에 설치된 탄성표면파소자
    를 포함하는 전자부품에 있어서,
    상기 탄성표면파소자는,
    제1의 탄성표면파(SAW)필터 및 제2의 SAW필터;
    상기 제1의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제1의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 구성되어 있는 적어도 1개의 제1의 1-포트 SAW 공진자; 및
    상기 제2의 SAW필터와 상기 접속점과의 사이에 직렬로 접속되어 있으며, 또 반공진 주파수가 제2의 SAW필터의 통과대역 이외에 있도록 배치되어 있는 적어도 1개의 제2의 1-포트 SAW 공진자
    를 포함하며,
    상기 제1의 탄성표면파(SAW)필터 및 상기 제2의 SAW필터가, 상기 탄성표면파장치의 입력단과 출력단 중의 어느 한개에 접속되어 있는 접속점에서 병렬로 서로 접속되어 있고,
    상기 제1의 SAW필터는, 상기 제2의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성(容量性)이며, 또 상기 제2의 SAW필터보다 통과대역이 상대적으로 높으며,
    상기 제2의 SAW필터가, 상기 제1의 SAW필터의 통과대역에 있어서 임피던스가 용량성인 것을 특징으로 하는 전자부품.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 병렬접속전에는, 이것의 저항성분이 상기 탄성표면파장치의 특성 임피던스(ZO)에 대하여 약 1.2 ZO이상이며,
    또한 상기 제2의 SAW필터에 접속되어 있는, 상기 제1의 SAW필터의 말단부의 통과대역의 임피던스는, 제2의 SAW필터의 임피던스보다 더 높은 것을 특징으로 하는 전자부품.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 SAW필터가, 각각, 적어도 2개의 인터디지탈 트랜스듀서를 갖는 종결합형 공진자 필터인 것을 특징으로 하는 전자부품.
  19. 제16항에 있어서, 상기 제1의 1-포트 SAW 공진자와 상기 제2의 1-포트 SAW 공진자중의 적어도 1개는, 직렬로 접속되어 있는 복수개의 단계(stage)들로 구성되며,
    복수개의 단계로 구성되어 있는 적어도 1개의 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장은, 복수개의 단계로 구성되어 있는 다른 1-포트 SAW 공진자의 인터디지탈 트랜스듀서의 파장과는 다른 것을 특징으로 하는 전자부품.
  20. 제16항에 있어서, 단일의 압전기판을 더 포함하는 전자부품에 있어서,
    상기 제1 및 제2의 SAW필터, 및 상기 제1 및 제2의 1-포트 SAW 공진자 모두가, 상기 단일의 압전기판 위에 구성되는 것을 특징으로 하는 전자부품.
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