JP2002314366A - 弾性表面波フィルタ、弾性表面波装置および通信装置 - Google Patents
弾性表面波フィルタ、弾性表面波装置および通信装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 通過帯域内の平坦度をより一層向上させた良
好なフィルタ特性を有する、高品質な縦結合共振子型の
弾性表面波フィルタを提供する。 【解決手段】 本発明では、上記圧電基板として回転Ｙ
カットＸ伝搬ＬｉＴａＯ 3 基板を用いるとともに、弾性
表面波共振子を構成するＩＤＴ電極３におけるギャップ
長Ｇを、弾性表面波の波長λの０．３倍以下に規定する
（０．３λ≧Ｇ）。上記ギャップ長Ｇは、ＩＤＴ電極３
を構成する一対のバスバー３１と、このバスバー３１か
ら対向方向に向かって延長される複数の電極指３２…と
の間隔である。
好なフィルタ特性を有する、高品質な縦結合共振子型の
弾性表面波フィルタを提供する。 【解決手段】 本発明では、上記圧電基板として回転Ｙ
カットＸ伝搬ＬｉＴａＯ 3 基板を用いるとともに、弾性
表面波共振子を構成するＩＤＴ電極３におけるギャップ
長Ｇを、弾性表面波の波長λの０．３倍以下に規定する
（０．３λ≧Ｇ）。上記ギャップ長Ｇは、ＩＤＴ電極３
を構成する一対のバスバー３１と、このバスバー３１か
ら対向方向に向かって延長される複数の電極指３２…と
の間隔である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タ、およびこれを備える弾性表面波装置、並びに通信装
置に関するものであり、特に、圧電基板として、回転Ｙ
カットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた縦結合共振子型
の弾性表面波フィルタと、これを用いる弾性表面波装置
および通信装置とに関するものである。
タ、およびこれを備える弾性表面波装置、並びに通信装
置に関するものであり、特に、圧電基板として、回転Ｙ
カットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた縦結合共振子型
の弾性表面波フィルタと、これを用いる弾性表面波装置
および通信装置とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波フィルタは、圧電基板表面に
沿って伝搬する弾性表面波を利用した弾性表面波素子を
含むフィルタであり、たとえば携帯電話などの移動体通
信市場においては、高周波回路に設けられる弾性表面波
フィルタなど、様々な用途に用いられている。
沿って伝搬する弾性表面波を利用した弾性表面波素子を
含むフィルタであり、たとえば携帯電話などの移動体通
信市場においては、高周波回路に設けられる弾性表面波
フィルタなど、様々な用途に用いられている。
【０００３】特に、上記弾性表面波は電磁波に比べて波
長が短いため、弾性表面波フィルタを備える弾性表面波
装置そのものを小型化し易いなどの利点がある。そのた
め、近年、より一層の小型化や低背化が求められている
上記携帯電話などの通信装置の分野では、上記弾性表面
波フィルタや弾性表面波装置の需要も非常に大きくなっ
ている。
長が短いため、弾性表面波フィルタを備える弾性表面波
装置そのものを小型化し易いなどの利点がある。そのた
め、近年、より一層の小型化や低背化が求められている
上記携帯電話などの通信装置の分野では、上記弾性表面
波フィルタや弾性表面波装置の需要も非常に大きくなっ
ている。
【０００４】ここで、上記弾性表面波フィルタの中で
も、特に、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ（以
下、縦結合型フィルタと略す）は、低損失かつ高周波に
対応することができるため、弾性表面波フィルタの主流
となっている。
も、特に、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ（以
下、縦結合型フィルタと略す）は、低損失かつ高周波に
対応することができるため、弾性表面波フィルタの主流
となっている。
【０００５】このような縦結合型フィルタに関する具体
的な技術としては、たとえば特開平５−２６７９９０号
公報に開示されている縦結合二重モード弾性表面波フィ
ルタが挙げられる。
的な技術としては、たとえば特開平５−２６７９９０号
公報に開示されている縦結合二重モード弾性表面波フィ
ルタが挙げられる。
【０００６】上記技術の縦結合型フィルタは、３個のイ
ンターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）
を、圧電基板上に、弾性表面波の伝搬方向に沿って隣接
配置し、さらにその両側に反射器を配置する構成を有し
ている。そして、各ＩＤＴ電極が互いに対向する最も内
側の電極指の中心間の間隔を、弾性表面波の波長λを基
準にして限定している。その結果、１ＧＨｚに近い高周
波領域であっても４％に及ぶ比帯域を実現でき、かつ、
損失も低くすることが可能となっている。
ンターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）
を、圧電基板上に、弾性表面波の伝搬方向に沿って隣接
配置し、さらにその両側に反射器を配置する構成を有し
ている。そして、各ＩＤＴ電極が互いに対向する最も内
側の電極指の中心間の間隔を、弾性表面波の波長λを基
準にして限定している。その結果、１ＧＨｚに近い高周
波領域であっても４％に及ぶ比帯域を実現でき、かつ、
損失も低くすることが可能となっている。
【０００７】ところで、上記公報の技術を含む、縦結合
型フィルタに要求される特性としては、該フィルタの用
途に応じて様々なものがあるが、中でも、たとえばＲＫ
Ｅ（Remote Keyless Entry System ）ＲＦ用フィルタで
は、所要の通過帯域幅に対応し得るように、狭い帯域と
なる特性（狭帯域特性）が要求される。従来では、この
用途の縦結合型フィルタに対しては、上記狭帯域特性を
実現するために、圧電基板として、零温度係数を有する
水晶基板が用いられてきた。
型フィルタに要求される特性としては、該フィルタの用
途に応じて様々なものがあるが、中でも、たとえばＲＫ
Ｅ（Remote Keyless Entry System ）ＲＦ用フィルタで
は、所要の通過帯域幅に対応し得るように、狭い帯域と
なる特性（狭帯域特性）が要求される。従来では、この
用途の縦結合型フィルタに対しては、上記狭帯域特性を
実現するために、圧電基板として、零温度係数を有する
水晶基板が用いられてきた。
【０００８】しかしながら、上記水晶基板は誘電率が低
く、電気機械結合係数も小さいことから、フィルタその
もののインピーダンスが高くなるため、縦結合型フィル
タに対して、別途、整合回路が必要となる。それゆえ、
上記構成では、構成の複雑化や部品点数の増加といった
製造面での不都合な点が生じていた。しかも、得られる
縦結合型フィルタは、損失が大きくなってしまうため、
上記構成では、品質の面でも不都合が生じていた。
く、電気機械結合係数も小さいことから、フィルタその
もののインピーダンスが高くなるため、縦結合型フィル
タに対して、別途、整合回路が必要となる。それゆえ、
上記構成では、構成の複雑化や部品点数の増加といった
製造面での不都合な点が生じていた。しかも、得られる
縦結合型フィルタは、損失が大きくなってしまうため、
上記構成では、品質の面でも不都合が生じていた。
【０００９】そこで最近では、上記狭帯域特性を実現す
るために、圧電基板として、特に回転ＹカットＸ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3 基板を用いることが多くなっている。この回
転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた縦結合型フ
ィルタは、水晶基板を用いたものと比較して、低インピ
ーダンス化が可能となっており、上記不都合を抑制する
ことが可能となっている。
るために、圧電基板として、特に回転ＹカットＸ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3 基板を用いることが多くなっている。この回
転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた縦結合型フ
ィルタは、水晶基板を用いたものと比較して、低インピ
ーダンス化が可能となっており、上記不都合を抑制する
ことが可能となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、圧電基板と
して上記回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた
縦結合型フィルタで上記狭帯域特性を実現しようとする
と、今度は、平坦性が悪くなるという問題点を生ずる。
して上記回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた
縦結合型フィルタで上記狭帯域特性を実現しようとする
と、今度は、平坦性が悪くなるという問題点を生ずる。
【００１１】具体的には、図１０に示すように、従来の
縦結合型フィルタでは、通過帯域の波形が先細り形状と
なっている（図中矢印）。そのため、通過帯域内におけ
る平坦性の指標となるリップル偏差が悪化し、通過帯域
の幅が必要以上に狭くなるという問題点を生ずる。な
お、通過帯域の幅が必要以上に狭くなる現象を、過剰狭
帯域化現象とする。
縦結合型フィルタでは、通過帯域の波形が先細り形状と
なっている（図中矢印）。そのため、通過帯域内におけ
る平坦性の指標となるリップル偏差が悪化し、通過帯域
の幅が必要以上に狭くなるという問題点を生ずる。な
お、通過帯域の幅が必要以上に狭くなる現象を、過剰狭
帯域化現象とする。
【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、通過帯域内の平坦性をより一
層向上させた良好なフィルタ特性を有する、高品質な縦
結合共振子型の弾性表面波フィルタと、これを用いた弾
性表面波装置および通信装置を提供することにある。
のであって、その目的は、通過帯域内の平坦性をより一
層向上させた良好なフィルタ特性を有する、高品質な縦
結合共振子型の弾性表面波フィルタと、これを用いた弾
性表面波装置および通信装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解消するために鋭意検討した結果、縦結合共振子型
の弾性表面波フィルタにおいては、圧電基板として、回
転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いるとともに、
ＩＤＴ電極を構成する電極指と、この電極指に対向する
バスバー（電極端子）との間隔を、弾性表面波の波長λ
に基づいて所定範囲に規定すると、通過帯域内における
平坦性が向上し、良好なフィルタ特性が実現されること
を独自に見出し、本発明を完成するに至った。
点を解消するために鋭意検討した結果、縦結合共振子型
の弾性表面波フィルタにおいては、圧電基板として、回
転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いるとともに、
ＩＤＴ電極を構成する電極指と、この電極指に対向する
バスバー（電極端子）との間隔を、弾性表面波の波長λ
に基づいて所定範囲に規定すると、通過帯域内における
平坦性が向上し、良好なフィルタ特性が実現されること
を独自に見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】すなわち、本発明にかかる弾性表面波フィ
ルタは、上記の課題を解決するために、互いに対向する
一対の電極端子と、各電極端子から対向方向に向かって
延長される複数の電極指とを有し、該複数の電極指をそ
れぞれ交叉させて互いに噛み合わせた形状を形成するイ
ンターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を、
圧電基板上に、複数個、弾性表面波の伝搬方向に沿って
隣接配置し、さらにその両側に、反射構造体を配置して
なる弾性表面波共振子を備える縦結合共振子型の弾性表
面波フィルタにおいて、上記圧電基板として回転Ｙカッ
トＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いるとともに、一方の電
極端子が有する上記電極指の先端と、これに対向する他
方の電極端子との間隔をギャップ長Ｇとし、上記弾性表
面波の波長をλとした場合に、０．３λ≧Ｇの関係が成
立することを特徴としている。
ルタは、上記の課題を解決するために、互いに対向する
一対の電極端子と、各電極端子から対向方向に向かって
延長される複数の電極指とを有し、該複数の電極指をそ
れぞれ交叉させて互いに噛み合わせた形状を形成するイ
ンターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を、
圧電基板上に、複数個、弾性表面波の伝搬方向に沿って
隣接配置し、さらにその両側に、反射構造体を配置して
なる弾性表面波共振子を備える縦結合共振子型の弾性表
面波フィルタにおいて、上記圧電基板として回転Ｙカッ
トＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いるとともに、一方の電
極端子が有する上記電極指の先端と、これに対向する他
方の電極端子との間隔をギャップ長Ｇとし、上記弾性表
面波の波長をλとした場合に、０．３λ≧Ｇの関係が成
立することを特徴としている。
【００１５】本発明者らが独自に検討した結果、上記平
坦性の悪化と、これに伴う過剰狭帯域化現象の発生と
は、上記電極指の先端と電極端子（バスバー）との間の
ギャップ領域で発生するＳＳＢＷ（Surface Skimming B
ulk Wave）の影響により、共振モードのレベルが減衰す
ることが原因ではないかと考えられた。このＳＳＢＷ
は、自由表面において強く放射されることが知られてい
る。そのため、ＩＤＴ電極において自由表面に相当する
非励振領域を小さくすれば、ＳＳＢＷの発生を抑えるこ
とが可能となる。
坦性の悪化と、これに伴う過剰狭帯域化現象の発生と
は、上記電極指の先端と電極端子（バスバー）との間の
ギャップ領域で発生するＳＳＢＷ（Surface Skimming B
ulk Wave）の影響により、共振モードのレベルが減衰す
ることが原因ではないかと考えられた。このＳＳＢＷ
は、自由表面において強く放射されることが知られてい
る。そのため、ＩＤＴ電極において自由表面に相当する
非励振領域を小さくすれば、ＳＳＢＷの発生を抑えるこ
とが可能となる。
【００１６】そこで、上記構成によれば、上記電極指の
先端と電極端子との間隔であるギャップ長Ｇを、弾性表
面波の波長λの０．３倍よりも短くしている。そのた
め、上記自由表面に相当する非励振領域（ギャップ領
域）を小さくすることができるので、上記ＳＳＢＷの発
生を抑えることが可能となる。そのため、上記平坦性の
悪化を回避し、過剰狭帯域化現象の発生を効果的に防止
することができる。その結果、高いフィルタ特性を有す
る弾性表面波フィルタを得ることができる。
先端と電極端子との間隔であるギャップ長Ｇを、弾性表
面波の波長λの０．３倍よりも短くしている。そのた
め、上記自由表面に相当する非励振領域（ギャップ領
域）を小さくすることができるので、上記ＳＳＢＷの発
生を抑えることが可能となる。そのため、上記平坦性の
悪化を回避し、過剰狭帯域化現象の発生を効果的に防止
することができる。その結果、高いフィルタ特性を有す
る弾性表面波フィルタを得ることができる。
【００１７】本発明にかかる弾性表面波フィルタは、上
記構成に加えて、上記電極端子が、さらに、上記対向方
向に向かって突き出すことにより、相手方の電極端子か
ら延長される上記電極指に対向するように形成される複
数のダミー電極指を有することを特徴としている。
記構成に加えて、上記電極端子が、さらに、上記対向方
向に向かって突き出すことにより、相手方の電極端子か
ら延長される上記電極指に対向するように形成される複
数のダミー電極指を有することを特徴としている。
【００１８】上記構成によれば、上記電極指に対向する
ように、ダミー電極指を設けることによって、上記ＳＳ
ＢＷの発生をより一層抑えることが可能となる。そのた
め、上記平坦性の悪化を回避し、過剰狭帯域化現象の発
生を効果的に防止することができる。その結果、より一
層高いフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを得る
ことができる。
ように、ダミー電極指を設けることによって、上記ＳＳ
ＢＷの発生をより一層抑えることが可能となる。そのた
め、上記平坦性の悪化を回避し、過剰狭帯域化現象の発
生を効果的に防止することができる。その結果、より一
層高いフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを得る
ことができる。
【００１９】本発明にかかる弾性表面波装置は、上記構
成の弾性表面波フィルタを備えることを特徴としてい
る。
成の弾性表面波フィルタを備えることを特徴としてい
る。
【００２０】また、本発明にかかる通信装置は、上記構
成の弾性表面波フィルタ、または上記構成の弾性表面波
装置を用いることを特徴としている。
成の弾性表面波フィルタ、または上記構成の弾性表面波
装置を用いることを特徴としている。
【００２１】上記各構成によれば、高品質の弾性表面波
フィルタを備えているため、弾性表面波装置または通信
装置としての機能をより一層向上させることができる。
フィルタを備えているため、弾性表面波装置または通信
装置としての機能をより一層向上させることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の第１の
実施の形態について図１ないし図７に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。なお、本発明はこれに限定され
るものではない。
実施の形態について図１ないし図７に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。なお、本発明はこれに限定され
るものではない。
【００２３】本発明にかかる弾性表面波フィルタは、圧
電基板としての回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板上
に、複数のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤ
Ｔ）電極、およびこれを挟持するように配置される反射
構造体を有する共振子を備える、縦結合共振子型の弾性
表面波フィルタ（縦結合型フィルタ）であり、上記ＩＤ
Ｔ電極が有する複数の電極指の先端と、それに対向する
電極端子（バスバー）との間のギャップ長Ｇを、弾性表
面波の波長をλとしたときに、０．３λ≧Ｇの関係が成
立するように設定するものである。
電基板としての回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板上
に、複数のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤ
Ｔ）電極、およびこれを挟持するように配置される反射
構造体を有する共振子を備える、縦結合共振子型の弾性
表面波フィルタ（縦結合型フィルタ）であり、上記ＩＤ
Ｔ電極が有する複数の電極指の先端と、それに対向する
電極端子（バスバー）との間のギャップ長Ｇを、弾性表
面波の波長をλとしたときに、０．３λ≧Ｇの関係が成
立するように設定するものである。
【００２４】また、本発明にかかる弾性表面波装置は、
上記構成の弾性表面波フィルタを備えるものである。
上記構成の弾性表面波フィルタを備えるものである。
【００２５】具体的には、たとえば、図２に示すよう
に、本実施の形態における縦結合型フィルタ１は、複数
のＩＤＴ電極３…と、一対のリフレクタ（反射器）４・
４とからなる弾性表面波共振子５（以下、単に共振子と
する）が、ＬｉＴａＯ3 基板２上に二つ形成された構成
となっている。なお、リフレクタの代わりに、反射端面
を用いても構わない。すなわち広義の反射構造体が用い
られておればよい。
に、本実施の形態における縦結合型フィルタ１は、複数
のＩＤＴ電極３…と、一対のリフレクタ（反射器）４・
４とからなる弾性表面波共振子５（以下、単に共振子と
する）が、ＬｉＴａＯ3 基板２上に二つ形成された構成
となっている。なお、リフレクタの代わりに、反射端面
を用いても構わない。すなわち広義の反射構造体が用い
られておればよい。
【００２６】上記共振子５は、３個のＩＤＴ電極３ａ・
３ｂ・３ｃが隣接配置されており、この両端に一対のリ
フレクタ４・４が配置されている構成となっている。３
個のＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃが配置されている方向
は、上記縦結合型フィルタ１における弾性表面波の伝搬
方向に沿った方向である。また、リフレクタ４・４は、
上記ＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃを挟持するように配置
されているため、ＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃの配置方
向と同様、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されてい
ることになる。
３ｂ・３ｃが隣接配置されており、この両端に一対のリ
フレクタ４・４が配置されている構成となっている。３
個のＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃが配置されている方向
は、上記縦結合型フィルタ１における弾性表面波の伝搬
方向に沿った方向である。また、リフレクタ４・４は、
上記ＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃを挟持するように配置
されているため、ＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃの配置方
向と同様、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されてい
ることになる。
【００２７】本実施の形態では、上記３個のＩＤＴ電極
３ａ・３ｂ・３ｃのうち、ＩＤＴ電極３ａ・３ｃの一端
は接地されており、ＩＤＴ電極３ｂには信号端子７が設
けられている。
３ａ・３ｂ・３ｃのうち、ＩＤＴ電極３ａ・３ｃの一端
は接地されており、ＩＤＴ電極３ｂには信号端子７が設
けられている。
【００２８】上記縦結合型フィルタ１において、共振子
５・５が配置されている方向は、上記弾性表面波の伝搬
方向に直交する方向（縦方向）である。そして、共振子
５・５の間は、それぞれのＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃ
の間で、接続部６により縦続接続されている。そのた
め、上記構成の縦結合型フィルタ１は、いわゆる２段構
成となっている。なお、上記接続部６は、段間の整合が
とれるように、櫛歯状電極で形成された結合容量が、上
記ＩＤＴ電極３と電気的に並列となるように接続される
構成となっていてもよく、特に限定されるものではな
い。
５・５が配置されている方向は、上記弾性表面波の伝搬
方向に直交する方向（縦方向）である。そして、共振子
５・５の間は、それぞれのＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・３ｃ
の間で、接続部６により縦続接続されている。そのた
め、上記構成の縦結合型フィルタ１は、いわゆる２段構
成となっている。なお、上記接続部６は、段間の整合が
とれるように、櫛歯状電極で形成された結合容量が、上
記ＩＤＴ電極３と電気的に並列となるように接続される
構成となっていてもよく、特に限定されるものではな
い。
【００２９】なお、上記縦結合型フィルタ１の構成とし
ては、上記２段構成に限定されるものではない。たとえ
ば、共振子５を一つのみ設けて接続段数を１段としたも
の、すなわち単段構成のものであってもよく、共振子５
…を３個以上設けたもの、すなわち３段以上の多段構成
のものであってもよい。また、各共振子５・５の間、す
なわち段間の接続方法も、上記方法に限定されるもので
はなく、他の接続方法に変えてもよい。
ては、上記２段構成に限定されるものではない。たとえ
ば、共振子５を一つのみ設けて接続段数を１段としたも
の、すなわち単段構成のものであってもよく、共振子５
…を３個以上設けたもの、すなわち３段以上の多段構成
のものであってもよい。また、各共振子５・５の間、す
なわち段間の接続方法も、上記方法に限定されるもので
はなく、他の接続方法に変えてもよい。
【００３０】図２では、個々のＩＤＴ電極３ａ・３ｂ・
３ｃを模式的に図示しているが、これらＩＤＴ電極３…
の構成をより具体的に図示すると、図１に示すように、
互いに対向する一対のバスバー（電極端子）３１・３１
と、各バスバー３１から対向方向に向かって延長される
複数の電極指（励振電極指）３２…とを有する構成とな
っている。上記複数の電極指３２…は、それぞれ交叉さ
れて、互いに噛み合わせられたような形状となってい
る。
３ｃを模式的に図示しているが、これらＩＤＴ電極３…
の構成をより具体的に図示すると、図１に示すように、
互いに対向する一対のバスバー（電極端子）３１・３１
と、各バスバー３１から対向方向に向かって延長される
複数の電極指（励振電極指）３２…とを有する構成とな
っている。上記複数の電極指３２…は、それぞれ交叉さ
れて、互いに噛み合わせられたような形状となってい
る。
【００３１】対向する各バスバー３１・３１からそれぞ
れ延長された１個ずつの電極指３２・３２の組み合わせ
を１対とすれば、ＩＤＴ電極３を構成する電極指３２・
３２の対数は、縦結合型フィルタ１の要求特性に応じて
適宜設定される。同じく、対向するバスバー３１・３１
からそれぞれ延長された各電極指３２が交叉する幅（交
叉幅）も、要求特性に応じて適宜設定される。
れ延長された１個ずつの電極指３２・３２の組み合わせ
を１対とすれば、ＩＤＴ電極３を構成する電極指３２・
３２の対数は、縦結合型フィルタ１の要求特性に応じて
適宜設定される。同じく、対向するバスバー３１・３１
からそれぞれ延長された各電極指３２が交叉する幅（交
叉幅）も、要求特性に応じて適宜設定される。
【００３２】さらに、本発明では、図１に示すように、
上記電極指３２の先端と、これに対向するバスバー３１
との間隔をギャップ長Ｇとしており、このギャップ長Ｇ
が、弾性表面波の波長をλとした場合に、０．３λ≧Ｇ
の関係が成立するように規定されている。
上記電極指３２の先端と、これに対向するバスバー３１
との間隔をギャップ長Ｇとしており、このギャップ長Ｇ
が、弾性表面波の波長をλとした場合に、０．３λ≧Ｇ
の関係が成立するように規定されている。
【００３３】圧電基板として上記回転ＹカットＸ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3 基板を用いた縦結合型フィルタでは、狭帯域
特性を実現しようとすると、平坦性が悪くなり、そのた
めに前述した過剰狭帯域化現象が生じる。この過剰狭帯
域化現象は、上記電極指の先端とバスバーの間のギャッ
プ領域で、ＳＳＢＷ（Surface Skimming Bulk Wave）が
発生するためと考えられる。すなわち、ＳＳＢＷが上記
ギャップ領域で発生する影響で、共振モードのレベルが
減衰するためである。
ｉＴａＯ3 基板を用いた縦結合型フィルタでは、狭帯域
特性を実現しようとすると、平坦性が悪くなり、そのた
めに前述した過剰狭帯域化現象が生じる。この過剰狭帯
域化現象は、上記電極指の先端とバスバーの間のギャッ
プ領域で、ＳＳＢＷ（Surface Skimming Bulk Wave）が
発生するためと考えられる。すなわち、ＳＳＢＷが上記
ギャップ領域で発生する影響で、共振モードのレベルが
減衰するためである。
【００３４】上記ＳＳＢＷは自由表面において強く放射
されることが知られている。そこで、ＩＤＴ電極におい
ては、上記自由表面に相当する非励振領域を小さくする
ことで、上記ＳＳＢＷの発生を抑えることが可能とな
る。
されることが知られている。そこで、ＩＤＴ電極におい
ては、上記自由表面に相当する非励振領域を小さくする
ことで、上記ＳＳＢＷの発生を抑えることが可能とな
る。
【００３５】ここで、図１に示すように、ＩＤＴ電極３
における電極指３２の先端と、それに対向するバスバー
３１との間のギャップ領域３０は、励振には寄与してい
ない自由表面となっている。それゆえ、上記ギャップ長
Ｇを短くすれば、ギャップ領域３０が狭くなるため、非
励振領域を小さくすることができる。その結果、通過帯
域内における平坦性を改善することができ、過剰狭帯域
化現象を防止することが可能となる。
における電極指３２の先端と、それに対向するバスバー
３１との間のギャップ領域３０は、励振には寄与してい
ない自由表面となっている。それゆえ、上記ギャップ長
Ｇを短くすれば、ギャップ領域３０が狭くなるため、非
励振領域を小さくすることができる。その結果、通過帯
域内における平坦性を改善することができ、過剰狭帯域
化現象を防止することが可能となる。
【００３６】後述する実施例から明らかなように、実際
に、上記ギャップ長Ｇと帯域内偏差（リップル偏差）お
よび通過帯域の幅（帯域幅）との相関関係を得たとこ
ろ、弾性表面波の波長をλとした場合、上記ギャップ長
Ｇを０．３λ以下に規定すれば、帯域内偏差および帯域
幅が改善されることが見出された。上記リップル偏差は
平坦性の指標であり、この値が小さいほど平坦性が良好
となる。本発明では、ギャップ長Ｇを０．３λ≧Ｇとな
るように規定すると、リップル偏差が改善され、帯域幅
も広くなることがわかった。
に、上記ギャップ長Ｇと帯域内偏差（リップル偏差）お
よび通過帯域の幅（帯域幅）との相関関係を得たとこ
ろ、弾性表面波の波長をλとした場合、上記ギャップ長
Ｇを０．３λ以下に規定すれば、帯域内偏差および帯域
幅が改善されることが見出された。上記リップル偏差は
平坦性の指標であり、この値が小さいほど平坦性が良好
となる。本発明では、ギャップ長Ｇを０．３λ≧Ｇとな
るように規定すると、リップル偏差が改善され、帯域幅
も広くなることがわかった。
【００３７】なお、ギャップ長Ｇは上限として０．３λ
のみ規定されており、下限が規定されていないが、これ
は、上記ギャップ長Ｇが、飽くまで、電極指３２の先端
とバスバー３１との間隔を指すものであり、常に０を超
える（Ｇ＞０）ので、下限を限定する必要がないためで
ある。
のみ規定されており、下限が規定されていないが、これ
は、上記ギャップ長Ｇが、飽くまで、電極指３２の先端
とバスバー３１との間隔を指すものであり、常に０を超
える（Ｇ＞０）ので、下限を限定する必要がないためで
ある。
【００３８】すなわち、本発明では、ギャップ長Ｇの上
限値は０．３λとなっているのに対し、ギャップ長Ｇの
下限値は、上記ＩＤＴ電極３を形成する際のプロセス上
の限界値に相当することになる。たとえば、ＩＤＴ電極
３を形成する方法としては、一般的にウエットエッチン
グ法を用いることができるが、ドライエッチング法を用
いることも可能である。このとき、ドライエッチング法
で得られるギャップ長Ｇの限界値は、ウエットエッチン
グ法で得られるギャップ長Ｇの限界値よりも小さくな
る。したがって、ギャップ長Ｇの下限は、ＩＤＴ電極３
を形成するプロセスの限界値となる。
限値は０．３λとなっているのに対し、ギャップ長Ｇの
下限値は、上記ＩＤＴ電極３を形成する際のプロセス上
の限界値に相当することになる。たとえば、ＩＤＴ電極
３を形成する方法としては、一般的にウエットエッチン
グ法を用いることができるが、ドライエッチング法を用
いることも可能である。このとき、ドライエッチング法
で得られるギャップ長Ｇの限界値は、ウエットエッチン
グ法で得られるギャップ長Ｇの限界値よりも小さくな
る。したがって、ギャップ長Ｇの下限は、ＩＤＴ電極３
を形成するプロセスの限界値となる。
【００３９】本発明では、さらに、図３に示すように、
ＩＤＴ電極３は、さらに、上記対向方向に向かって突き
出しており、相手方のバスバー３１から延長される上記
電極指３２に対向するように形成される複数のダミー電
極指３３…を有していてもよい。すなわち、ダミー電極
３３は、バスバー３１から、非励振領域であるギャップ
領域３０に対して突出するように形成されていることに
なる。
ＩＤＴ電極３は、さらに、上記対向方向に向かって突き
出しており、相手方のバスバー３１から延長される上記
電極指３２に対向するように形成される複数のダミー電
極指３３…を有していてもよい。すなわち、ダミー電極
３３は、バスバー３１から、非励振領域であるギャップ
領域３０に対して突出するように形成されていることに
なる。
【００４０】このように、上記電極指３２に対向するダ
ミー電極指３３を設けると、後述する実施例から明らか
なように、上記平坦性の悪化をより一層確実に回避で
き、過剰狭帯域化現象の発生をより効果的に防止するこ
とが可能となっている。
ミー電極指３３を設けると、後述する実施例から明らか
なように、上記平坦性の悪化をより一層確実に回避で
き、過剰狭帯域化現象の発生をより効果的に防止するこ
とが可能となっている。
【００４１】なお、ダミー電極指３３が有る場合のギャ
ップ長Ｇは、図３に示すように、電極指３２の先端か
ら、それに対向するダミー電極指３３の先端までの間隔
を指すものとする。それゆえ、ダミー電極指３３の長さ
は、上記ギャップ長ＧおよびＩＤＴ電極３のサイズなど
によって適宜選択される設計事項であり、特に限定され
るものではない。
ップ長Ｇは、図３に示すように、電極指３２の先端か
ら、それに対向するダミー電極指３３の先端までの間隔
を指すものとする。それゆえ、ダミー電極指３３の長さ
は、上記ギャップ長ＧおよびＩＤＴ電極３のサイズなど
によって適宜選択される設計事項であり、特に限定され
るものではない。
【００４２】本発明では、圧電基板として上記回転Ｙカ
ットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２が用いられる。この回転
ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２としては、具体的に
は、特に限定されるものではない。後述する実施例で
は、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２のカット角
は、３６°回転ＹカットＸ伝搬のものが用いられている
が、これ以外のカット角を用いても、物性上の差異はＳ
ＳＢＷの放射には関与しないため、同様の効果を得るこ
とができる。
ットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２が用いられる。この回転
ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２としては、具体的に
は、特に限定されるものではない。後述する実施例で
は、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２のカット角
は、３６°回転ＹカットＸ伝搬のものが用いられている
が、これ以外のカット角を用いても、物性上の差異はＳ
ＳＢＷの放射には関与しないため、同様の効果を得るこ
とができる。
【００４３】〔実施例〕本実施の形態における上記ギャ
ップ長Ｇの規定について、以下の実施例に基づいてより
具体的に説明する。なお、本実施例は、上記ギャップ長
Ｇを規定するための一例であって、本発明はこの実施例
に限定されるものではない。
ップ長Ｇの規定について、以下の実施例に基づいてより
具体的に説明する。なお、本実施例は、上記ギャップ長
Ｇを規定するための一例であって、本発明はこの実施例
に限定されるものではない。
【００４４】本実施例では、上述した２段構成の縦結合
型フィルタ１（図２参照）を例に挙げて説明する。本実
施例で用いた縦結合型フィルタ１の基本的な構成は、次
のようになっている。
型フィルタ１（図２参照）を例に挙げて説明する。本実
施例で用いた縦結合型フィルタ１の基本的な構成は、次
のようになっている。
【００４５】すなわち、まず、縦結合型フィルタ１にお
ける通過帯域の中央となる中心周波数は、２９８ＭＨｚ
とした。また、圧電基板としては、３６°回転Ｙカット
Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２を用いた。電極材料としては
Ａｌ−Ｃｕ合金を用い、電極膜厚を４００ｎｍとした。
上記リフレクタ４の具体的な構成は、何れも、本数が４
１本で波長を１３．８２μｍとした。また、上記ＩＤＴ
電極３の具体的な構成は、図２に示す３個のＩＤＴ電極
３ａ・３ｂ・３ｃにおける電極指３２・３２の対数が、
それぞれ１７対、２２対、１７対となるように形成し
た。
ける通過帯域の中央となる中心周波数は、２９８ＭＨｚ
とした。また、圧電基板としては、３６°回転Ｙカット
Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板２を用いた。電極材料としては
Ａｌ−Ｃｕ合金を用い、電極膜厚を４００ｎｍとした。
上記リフレクタ４の具体的な構成は、何れも、本数が４
１本で波長を１３．８２μｍとした。また、上記ＩＤＴ
電極３の具体的な構成は、図２に示す３個のＩＤＴ電極
３ａ・３ｂ・３ｃにおける電極指３２・３２の対数が、
それぞれ１７対、２２対、１７対となるように形成し
た。
【００４６】次に、本実施例で用いられる、本発明にか
かる縦結合型フィルタ（本発明型フィルタ）では、弾性
表面波の波長をλとした場合に、ギャップ長Ｇを０．３
λ以下となる（０．３λ≧Ｇ）ように小さく設定してい
る。さらに、本実施例では、比較のために、従来と同様
に、ギャップ長Ｇを小さく設定しない従来の縦結合型フ
ィルタ（従来型フィルタ）も用いている。この従来型フ
ィルタとしては、基本的な構成は本発明型フィルタと同
じであるが、ギャップ長Ｇを０．４６λ（Ｇ＝０．４６
λ）に設定している。
かる縦結合型フィルタ（本発明型フィルタ）では、弾性
表面波の波長をλとした場合に、ギャップ長Ｇを０．３
λ以下となる（０．３λ≧Ｇ）ように小さく設定してい
る。さらに、本実施例では、比較のために、従来と同様
に、ギャップ長Ｇを小さく設定しない従来の縦結合型フ
ィルタ（従来型フィルタ）も用いている。この従来型フ
ィルタとしては、基本的な構成は本発明型フィルタと同
じであるが、ギャップ長Ｇを０．４６λ（Ｇ＝０．４６
λ）に設定している。
【００４７】上記本発明型フィルタと、従来型フィルタ
とのそれぞれについて、その伝送特性を比較した。その
結果を図４および図５に示す。なお、図４および図５の
伝送特性を計測した本発明型フィルタでは、そのギャッ
プ長Ｇを０．２λに設定している（Ｇ＝０．２λ）。ま
た、図４および図５においては、実線が本発明型フィル
タの、点線が従来型フィルタの伝送特性を示し、それぞ
れ・で示す。さらに、図中縦軸が挿入損失を、横軸
が周波数を示す。
とのそれぞれについて、その伝送特性を比較した。その
結果を図４および図５に示す。なお、図４および図５の
伝送特性を計測した本発明型フィルタでは、そのギャッ
プ長Ｇを０．２λに設定している（Ｇ＝０．２λ）。ま
た、図４および図５においては、実線が本発明型フィル
タの、点線が従来型フィルタの伝送特性を示し、それぞ
れ・で示す。さらに、図中縦軸が挿入損失を、横軸
が周波数を示す。
【００４８】図４は、上記各フィルタの伝送特性を単純
に計測したものである。図４から明らかなように、本発
明型フィルタでは、従来型フィルタと比較して、通過帯
域以外の特性を変えずに、帯域内の伝送特性の先細り傾
向が解消されて、平坦性を改善することができることが
分かる。
に計測したものである。図４から明らかなように、本発
明型フィルタでは、従来型フィルタと比較して、通過帯
域以外の特性を変えずに、帯域内の伝送特性の先細り傾
向が解消されて、平坦性を改善することができることが
分かる。
【００４９】一方、図５は、共振モードの位置とレベル
とを明確にするために、上記各フィルタにおいて、故意
に外部回路との整合を外した上で、伝送特性の波形を計
測したものである。図５の結果から明らかなように、共
振モードのレベルを見ると、従来型フィルタに比べて、
本発明型フィルタでは、ピークレベルが上昇している。
したがって、従来の構成よりもギャップ長Ｇを小さくす
ることが、平坦性向上に寄与していることがわかる。
とを明確にするために、上記各フィルタにおいて、故意
に外部回路との整合を外した上で、伝送特性の波形を計
測したものである。図５の結果から明らかなように、共
振モードのレベルを見ると、従来型フィルタに比べて、
本発明型フィルタでは、ピークレベルが上昇している。
したがって、従来の構成よりもギャップ長Ｇを小さくす
ることが、平坦性向上に寄与していることがわかる。
【００５０】次に、上記ギャップ長Ｇと通過帯域内にお
ける平坦性との関係について定量的に評価した結果を以
下に示す。
ける平坦性との関係について定量的に評価した結果を以
下に示す。
【００５１】まず、上記基本構成の縦結合型フィルタに
おいて、ギャップ長Ｇを変化させた場合に、上記平坦性
の指標となる、ギャップ長Ｇに対するリップル偏差（帯
域内偏差）の変化について計測した。その結果を図６に
示す。なお、図６では、正方形の黒ドットがダミー電極
指３３が無い場合（図１の構成）の縦結合型フィルタで
あり、菱形の黒ドットがダミー電極指３３が有る場合
（図３の構成）の縦結合型フィルタである。また、縦軸
が帯域内偏差（単位ｄＢ）を示し、横軸がギャップ長Ｇ
（λ基準）を示す。さらに、ダミー電極指３３の長さ
は、本実施例では、約２λとなっている。
おいて、ギャップ長Ｇを変化させた場合に、上記平坦性
の指標となる、ギャップ長Ｇに対するリップル偏差（帯
域内偏差）の変化について計測した。その結果を図６に
示す。なお、図６では、正方形の黒ドットがダミー電極
指３３が無い場合（図１の構成）の縦結合型フィルタで
あり、菱形の黒ドットがダミー電極指３３が有る場合
（図３の構成）の縦結合型フィルタである。また、縦軸
が帯域内偏差（単位ｄＢ）を示し、横軸がギャップ長Ｇ
（λ基準）を示す。さらに、ダミー電極指３３の長さ
は、本実施例では、約２λとなっている。
【００５２】図６の結果から明らかなように、ギャップ
長Ｇが０．３λ以下となっていれば、リップル偏差の値
は十分小さくなっていることがわかる。特に、ダミー電
極が有る場合の縦結合型フィルタでは、０．３λ≧Ｇを
満たすことによって、リップル偏差が十分に低下してい
ることが非常に明確となっている。
長Ｇが０．３λ以下となっていれば、リップル偏差の値
は十分小さくなっていることがわかる。特に、ダミー電
極が有る場合の縦結合型フィルタでは、０．３λ≧Ｇを
満たすことによって、リップル偏差が十分に低下してい
ることが非常に明確となっている。
【００５３】次に、上記基本構成の縦結合型フィルタに
おいて、ギャップ長Ｇを変化させた場合に、ギャップ長
Ｇに対する通過帯域の幅（帯域幅）の変化について計測
した。その結果を図７に示す。なお、図７でも、正方形
の黒ドットがダミー電極指３３が無い場合（図１の構
成）の縦結合型フィルタであり、菱形の黒ドットがダミ
ー電極指３３が有る場合（図３の構成）の縦結合型フィ
ルタである。また、縦軸が帯域幅（単位ＭＨｚ）を示
し、横軸がギャップ長Ｇ（λ基準）を示す。
おいて、ギャップ長Ｇを変化させた場合に、ギャップ長
Ｇに対する通過帯域の幅（帯域幅）の変化について計測
した。その結果を図７に示す。なお、図７でも、正方形
の黒ドットがダミー電極指３３が無い場合（図１の構
成）の縦結合型フィルタであり、菱形の黒ドットがダミ
ー電極指３３が有る場合（図３の構成）の縦結合型フィ
ルタである。また、縦軸が帯域幅（単位ＭＨｚ）を示
し、横軸がギャップ長Ｇ（λ基準）を示す。
【００５４】図７の結果から明らかなように、ギャップ
長Ｇが０．３λ以下となっていれば、十分良好な帯域幅
を得ることができる。これに対して、ギャップ長Ｇが
０．３λを超えると帯域幅が急激に減少してしまい、過
剰狭帯域化現象が生じることがわかる。そのため、０．
３λ≧Ｇを満たさなければ、縦結合型フィルタとしての
十分なフィルタ特性を得ることができなくなる。
長Ｇが０．３λ以下となっていれば、十分良好な帯域幅
を得ることができる。これに対して、ギャップ長Ｇが
０．３λを超えると帯域幅が急激に減少してしまい、過
剰狭帯域化現象が生じることがわかる。そのため、０．
３λ≧Ｇを満たさなければ、縦結合型フィルタとしての
十分なフィルタ特性を得ることができなくなる。
【００５５】さらに、図６および図７の比較から明らか
なように、リップル偏差の値が大きいと、平坦性が悪く
なり、過剰狭帯域化現象が生じるが、上記ギャップ長Ｇ
を０．３λ以下に設定すれば、リップル偏差が改善さ
れ、通過帯域の幅が十分に確保され、過剰狭帯域化現象
の発生を防止することが可能になる。
なように、リップル偏差の値が大きいと、平坦性が悪く
なり、過剰狭帯域化現象が生じるが、上記ギャップ長Ｇ
を０．３λ以下に設定すれば、リップル偏差が改善さ
れ、通過帯域の幅が十分に確保され、過剰狭帯域化現象
の発生を防止することが可能になる。
【００５６】このように、本発明では、回転ＹカットＸ
伝搬ＬｉＴａＯ3 基板上に、複数のＩＤＴ電極を一列に
配置し、さらにこれを挟持するようにリフレクタなどの
反射構造体を配置した縦結合共振子型の弾性表面波フィ
ルタにおいて、ＩＤＴ電極における電極指の先端とバス
バー（電極端子）との間のギャップ長Ｇを０．３λ以下
に設定している。そのため、通過帯域内における平坦性
を向上させ、過剰狭帯域化現象の発生を確実に防止する
ことができる。
伝搬ＬｉＴａＯ3 基板上に、複数のＩＤＴ電極を一列に
配置し、さらにこれを挟持するようにリフレクタなどの
反射構造体を配置した縦結合共振子型の弾性表面波フィ
ルタにおいて、ＩＤＴ電極における電極指の先端とバス
バー（電極端子）との間のギャップ長Ｇを０．３λ以下
に設定している。そのため、通過帯域内における平坦性
を向上させ、過剰狭帯域化現象の発生を確実に防止する
ことができる。
【００５７】〔実施の形態２〕本発明の第２の実施の形
態について図８および図９に基づいて説明すれば、以下
の通りである。なお、本発明はこれに限定されるもので
はない。また、説明の便宜上、前記実施の形態１で使用
した部材と同じ機能を有する部材には同一の番号を付記
し、その説明を省略する。
態について図８および図９に基づいて説明すれば、以下
の通りである。なお、本発明はこれに限定されるもので
はない。また、説明の便宜上、前記実施の形態１で使用
した部材と同じ機能を有する部材には同一の番号を付記
し、その説明を省略する。
【００５８】本実施の形態では、前記実施の形態１にお
ける縦結合型フィルタ、または、これを備える弾性表面
波装置を通信装置に応用した例についてより具体的に説
明する。
ける縦結合型フィルタ、または、これを備える弾性表面
波装置を通信装置に応用した例についてより具体的に説
明する。
【００５９】図８に示すように、本実施の形態における
通信装置１００は、具体的には、受信を行うレシーバ側
（Ｒｘ側）として、アンテナ１０１、アンテナ共用部／
ＲＦＴｏｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フ
ィルタ１０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０
６、ミキサ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ
＋２ｎｄローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temp
erature compensatedcrystal oscillator（温度補償型
水晶発振器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィ
ルタ１１４を備えている。
通信装置１００は、具体的には、受信を行うレシーバ側
（Ｒｘ側）として、アンテナ１０１、アンテナ共用部／
ＲＦＴｏｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フ
ィルタ１０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０
６、ミキサ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ
＋２ｎｄローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temp
erature compensatedcrystal oscillator（温度補償型
水晶発振器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィ
ルタ１１４を備えている。
【００６０】また、上記通信装置１００は、送信を行う
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ
１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプ
ラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automaticpow
er control （自動出力制御））１２７を備えている。
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ
１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプ
ラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automaticpow
er control （自動出力制御））１２７を備えている。
【００６１】そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、
１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、
あるいはＴｘ段間フィルタ１２３には、上述した実施の
形態１の縦結合型フィルタまたはこれを備える弾性表面
波装置を好適に用いることができる。
１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、
あるいはＴｘ段間フィルタ１２３には、上述した実施の
形態１の縦結合型フィルタまたはこれを備える弾性表面
波装置を好適に用いることができる。
【００６２】このように、本実施の形態における上記通
信装置は、前記実施の形態１の弾性表面波フィルタ（縦
結合型フィルタ）、またはこれを備える弾性表面波装置
を用いている。上記弾性表面波フィルタは、非常に良好
な伝送特性を備えているので、上記構成の通信装置は、
良好な送受信機能と共に小型化、特にＧＨｚ帯域以上に
おいて小型化を図れるものとなっている。
信装置は、前記実施の形態１の弾性表面波フィルタ（縦
結合型フィルタ）、またはこれを備える弾性表面波装置
を用いている。上記弾性表面波フィルタは、非常に良好
な伝送特性を備えているので、上記構成の通信装置は、
良好な送受信機能と共に小型化、特にＧＨｚ帯域以上に
おいて小型化を図れるものとなっている。
【００６３】また、本実施の形態の他の例として、上記
縦結合型フィルタ、または、これを備える弾性表面波装
置を、ＲＫＥ（Remote Keyless Entry System ）のＲＦ
用フィルタに用いる例を挙げることができる。
縦結合型フィルタ、または、これを備える弾性表面波装
置を、ＲＫＥ（Remote Keyless Entry System ）のＲＦ
用フィルタに用いる例を挙げることができる。
【００６４】すなわち、図９に示すように、本実施の形
態におけるＲＫＥ２００は、アンテナ２０１、ＲｘＴｏ
ｐフィルタ２０２、アンプ２０３、ミキサ２０４、１ｓ
ｔＩＦフィルタ２０５、１ｓｔローカルフィルタ２０６
等を備えているが、このうち、特に、上記ＲｘＴｏｐフ
ィルタ２０２には、上述した実施の形態１の縦結合型フ
ィルタまたはこれを備える弾性表面波装置を好適に用い
ることができる。
態におけるＲＫＥ２００は、アンテナ２０１、ＲｘＴｏ
ｐフィルタ２０２、アンプ２０３、ミキサ２０４、１ｓ
ｔＩＦフィルタ２０５、１ｓｔローカルフィルタ２０６
等を備えているが、このうち、特に、上記ＲｘＴｏｐフ
ィルタ２０２には、上述した実施の形態１の縦結合型フ
ィルタまたはこれを備える弾性表面波装置を好適に用い
ることができる。
【００６５】
【発明の効果】以上のように、本発明にかかる弾性表面
波フィルタは、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタに
おいて、圧電基板として回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ
3 基板を用いるとともに、一方の電極端子が有する上記
電極指の先端と、これに対向する他方の電極端子との間
隔をギャップ長Ｇとし、上記弾性表面波の波長をλとし
た場合に、０．３λ≧Ｇの関係が成立する構成である。
波フィルタは、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタに
おいて、圧電基板として回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ
3 基板を用いるとともに、一方の電極端子が有する上記
電極指の先端と、これに対向する他方の電極端子との間
隔をギャップ長Ｇとし、上記弾性表面波の波長をλとし
た場合に、０．３λ≧Ｇの関係が成立する構成である。
【００６６】上記構成によれば、上記ギャップ長Ｇを、
弾性表面波の波長λの０．３倍よりも短くすれば、自由
表面に相当する非励振領域を小さくすることができるの
で、ＳＳＢＷの発生を抑えることが可能となる。そのた
め、通過帯域内における平坦性の悪化を回避し、過剰狭
帯域化現象の発生を効果的に防止することができる。そ
の結果、高いフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタ
を得ることができるという効果を奏する。
弾性表面波の波長λの０．３倍よりも短くすれば、自由
表面に相当する非励振領域を小さくすることができるの
で、ＳＳＢＷの発生を抑えることが可能となる。そのた
め、通過帯域内における平坦性の悪化を回避し、過剰狭
帯域化現象の発生を効果的に防止することができる。そ
の結果、高いフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタ
を得ることができるという効果を奏する。
【００６７】本発明にかかる弾性表面波フィルタは、上
記構成に加えて、上記電極端子が、さらに、上記対向方
向に向かって突き出すことにより、相手方の電極端子か
ら延長される上記電極指に対向するように形成される複
数のダミー電極指を有する構成である。
記構成に加えて、上記電極端子が、さらに、上記対向方
向に向かって突き出すことにより、相手方の電極端子か
ら延長される上記電極指に対向するように形成される複
数のダミー電極指を有する構成である。
【００６８】上記構成によれば、上記電極指に対向する
ように、ダミー電極指を設けることによって、上記ＳＳ
ＢＷの発生をより一層抑えることが可能となる。そのた
め、上記平坦性の悪化を回避し、過剰狭帯域化現象の発
生を効果的に防止することができる。その結果、より一
層高いフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを得る
ことができるという効果を奏する。
ように、ダミー電極指を設けることによって、上記ＳＳ
ＢＷの発生をより一層抑えることが可能となる。そのた
め、上記平坦性の悪化を回避し、過剰狭帯域化現象の発
生を効果的に防止することができる。その結果、より一
層高いフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを得る
ことができるという効果を奏する。
【００６９】本発明にかかる弾性表面波装置は、上記構
成の弾性表面波フィルタを備える構成である。
成の弾性表面波フィルタを備える構成である。
【００７０】また、本発明にかかる通信装置は、上記構
成の弾性表面波フィルタ、または上記構成の弾性表面波
装置を用いる構成である。
成の弾性表面波フィルタ、または上記構成の弾性表面波
装置を用いる構成である。
【００７１】上記各構成によれば、高品質の弾性表面波
フィルタを備えているため、弾性表面波装置または通信
装置としての機能をより一層向上させることができると
いう効果を奏する。
フィルタを備えているため、弾性表面波装置または通信
装置としての機能をより一層向上させることができると
いう効果を奏する。
【図１】本発明にかかる弾性表面波フィルタに含まれる
ＩＤＴ電極の概略構成を示す平面図である。
ＩＤＴ電極の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示すＩＤＴ電極を含む、本発明にかかる
弾性表面波フィルタの概略構成の一例を示す平面図であ
る。
弾性表面波フィルタの概略構成の一例を示す平面図であ
る。
【図３】図１に示すＩＤＴ電極の他の構成を示す概略平
面図である。
面図である。
【図４】本発明にかかる弾性表面波フィルタにおける伝
送特性と、従来の弾性表面波フィルタにおける伝送特性
とを比較するグラフである。
送特性と、従来の弾性表面波フィルタにおける伝送特性
とを比較するグラフである。
【図５】本発明にかかる弾性表面波フィルタにおける伝
送特性と、従来の弾性表面波フィルタにおける伝送特性
とを比較するグラフであり、整合を外した状態で得られ
た伝送特性を示すグラフである。
送特性と、従来の弾性表面波フィルタにおける伝送特性
とを比較するグラフであり、整合を外した状態で得られ
た伝送特性を示すグラフである。
【図６】本発明にかかる弾性表面波フィルタにおいて、
ギャップ長Ｇに対する帯域内偏差の関係を示すグラフで
ある。
ギャップ長Ｇに対する帯域内偏差の関係を示すグラフで
ある。
【図７】本発明にかかる弾性表面波フィルタにおいて、
ギャップ長Ｇに対する通過帯域の幅の関係を示すグラフ
である。
ギャップ長Ｇに対する通過帯域の幅の関係を示すグラフ
である。
【図８】本発明にかかる通信装置の要部ブロック図であ
る。
る。
【図９】本発明にかかる通信装置の他の例としての、Ｒ
ＫＥの要部ブロック図である。
ＫＥの要部ブロック図である。
【図１０】従来の構成の縦結合型フィルタの伝送特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
１ 縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ（縦結合フ
ィルタ） ２ 回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板 ３ インターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤ
Ｔ電極） ４ 反射器 ３１ バスバー（電極端子） ３２ 電極指 ３３ ダミー電極指 Ｇ ギャップ長 １００ 通信装置 ２００ ＲＫＥ（通信装置）
ィルタ） ２ 回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板 ３ インターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤ
Ｔ電極） ４ 反射器 ３１ バスバー（電極端子） ３２ 電極指 ３３ ダミー電極指 Ｇ ギャップ長 １００ 通信装置 ２００ ＲＫＥ（通信装置）
Claims (4)
- 【請求項１】互いに対向する一対の電極端子と、各電極
端子から対向方向に向かって延長される複数の電極指と
を有し、該複数の電極指をそれぞれ交叉させて互いに噛
み合わせた形状を形成するインターディジタルトランス
デューサ電極を、圧電基板上に、複数個、弾性表面波の
伝搬方向に沿って隣接配置し、さらにその両側に、反射
構造体を配置してなる弾性表面波共振子を備える縦結合
共振子型の弾性表面波フィルタにおいて、 上記圧電基板として回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基
板を用いるとともに、 一方の電極端子が有する上記電極指の先端と、これに対
向する他方の電極端子との間隔をギャップ長Ｇとし、上
記弾性表面波の波長をλとした場合に、０．３λ≧Ｇの
関係が成立することを特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】上記電極端子は、さらに、上記対向方向に
向かって突き出すことにより、相手方の電極端子から延
長される上記電極指に対向するように形成される複数の
ダミー電極指を有することを特徴とする請求項１記載の
弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】請求項１または２記載の弾性表面波フィル
タを備えることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項４】請求項１または２記載の弾性表面波フィル
タ、または請求項３記載の弾性表面波装置を用いること
を特徴とする通信装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2001110271A JP3498215B2 (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 弾性表面波フィルタ、弾性表面波装置および通信装置 |
| US10/118,621 US7215224B2 (en) | 2001-04-09 | 2002-04-09 | Surface acoustic wave filter, surface acoustic wave device and communication device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110271A JP3498215B2 (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 弾性表面波フィルタ、弾性表面波装置および通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002314366A true JP2002314366A (ja) | 2002-10-25 |
| JP3498215B2 JP3498215B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=18962075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001110271A Expired - Lifetime JP3498215B2 (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 弾性表面波フィルタ、弾性表面波装置および通信装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3498215B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004328196A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
| JP2005159835A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| US6989724B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-01-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and communication device |
| JP2006080873A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波装置及びそれを用いた通信装置 |
| KR100631836B1 (ko) | 2004-03-31 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 쏘 공진기의 인터디지털 트랜스듀서 |
| JP2006319887A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置 |
| JP2009038718A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波フィルタ |
| WO2009131227A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置 |
| US7671705B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-03-02 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave filter and resonator utilizing a branch electrode with an electrically opened end |
| WO2012046483A1 (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ |
| JPWO2016084526A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JPWO2021200469A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | ||
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| JP7178881B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2022-11-28 | ＮＤＫ ＳＡＷ ｄｅｖｉｃｅｓ株式会社 | 弾性表面波素子 |
| US11469733B2 (en) * | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
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| US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
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| US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
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| JPH06232682A (ja) | 1993-02-08 | 1994-08-19 | Hitachi Ltd | 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
| JPH11191720A (ja) | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及び弾性表面波フィルタ |
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-
2001
- 2001-04-09 JP JP2001110271A patent/JP3498215B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-09 US US10/118,621 patent/US7215224B2/en not_active Expired - Lifetime
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| CN102017406A (zh) * | 2008-04-25 | 2011-04-13 | 京瓷株式会社 | 声表面波装置和使用该装置的通信装置 |
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Also Published As
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|---|---|
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| US20020153970A1 (en) | 2002-10-24 |
| US7215224B2 (en) | 2007-05-08 |
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