JP2001356709A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、該画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置され固定電位とされる固定電位側容量電極とを含む蓄積容量と、
   前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を平面的に見て覆う位置に積層されたカバー層とを備えており、
   前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極のうち一方の電極と前記カバー層とは同一シリコン層から形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記カバー層の膜厚は、１００ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記一方の電極をなすシリコン層部分は、不純物がドープされることにより導電性があり、
   前記カバー層をなすシリコン層部分は、前記不純物がドープされないことにより前記一方の電極よりも導電性が小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記カバー層は、前記一方の電極からパターン的に分離されていないことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記カバー層をなすシリコン層部分及び前記一方の電極をなすシリコン層部分は、不純物がドープされることにより導電性があることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
6. 前記一方の電極は前記固定電位側容量電極であり、
   前記カバー層は、前記一方の電極からパターン的に分離されていないことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記カバー層は、前記一方の電極からパターン的に分離されていることを特徴とする請求項３又は６に記載の電気光学装置。
8. 前記基板上における前記薄膜トランジスタの上側に積層されており画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の上層遮光膜を更に備えており、
   前記固定電位側容量電極は、前記上層遮光膜に接続され、前記上層遮光膜を介して固定電位に落とされていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記基板上における前記薄膜トランジスタの下側に積層されており前記チャネル領域を該下側から覆う導電性の下層遮光膜を更に備えており、
   前記固定電位側容量電極は、前記下層遮光膜に接続され、前記下層遮光膜を介して固定電位に落とされていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極のうち他方の電極は、前記画素電極と同一層から形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線を形成する工程と、
    該走査線及びデータ線に接続される薄膜トランジスタを形成する工程と、
    該薄膜トランジスタに接続される画素電極を形成する工程と、
    前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置され固定電位とされる固定電位側容量電極とを含む蓄積容量を形成する工程と、
    前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を平面的に見て覆う位置に積層されるカバー層を形成する工程と
    を備えており、
    前記蓄積容量を形成する工程及び前記カバー層を形成する工程では、同一シリコン層から前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極のうち一方の電極と前記カバー層とを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 前記蓄積容量を形成する工程では、前記カバー層をなすシリコン層部分をマスクしてのイオン打ち込みにより、前記一方の電極をなすシリコン層部分に導電性の与えることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
13. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、
    該走査線及びデータ線に接続された薄膜トランジスタと、
    該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、
    該画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置され固定電位とされる固定電位側容量電極とを含む蓄積容量と、
    前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を平面的に見て覆う位置に積層されたシリコンでなる遮光層と
    を備えており、
    前記蓄積容量の一方の電極は前記遮光層と同層で形成されていることを特徴とする電気光学装置。
14. 前記遮光層と同層で形成された前記蓄積容量の一方の電極は、前記遮光層を覆う第２の遮光層に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
15. 前記遮光層と同層で形成された前記蓄積容量の一方の電極は、前記半導体層の下層で前記半導体層を覆う第３の遮光層を備えることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電気光学装置。
16. 基板上に、一定の方向に延びる走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応して設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに対応してマトリクス状の配列がなされて設けられた画素電極とを備え、
    前記走査線は、前記薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する部分にゲート電極としての幅広部を有するとともに他の部分に幅狭部を有し、
    前記幅広部の幅は、データ線の延びる方向に延びている前記チャネル領域のチャネル長を規定するように設けられていることを特徴とする電気光学装置。