JP2001265253A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】電気光学装置およびプロジェクタ

Claims (16)

1. 基板上に、
   薄膜トランジスタと、
   画素電極と、
   該画素電極と前記薄膜トランジスタを構成する半導体層とを中継接続する中間導電層と、
   前記薄膜トランジスタに接続された走査線と、
   該走査線と交差すると共に前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線と、
   前記半導体層と同層からなる第１容量電極に絶縁薄膜を介して対向配置された
   第２容量電極と、
   前記中間導電層と同一膜からなり、前記第２容量電極と接続された第１容量線と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第２容量電極と前記走査線とは、同一導電膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１容量線と前記第２容量電極との間には、第１層間絶縁膜が形成されており、
   前記第１容量線と前記第２容量電極とは、前記画素電極毎に前記第１層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１容量線と前記第２容量電極との間には、第１層間絶縁膜が形成されており、
   前記第１容量線と前記第２容量電極とは、複数の画素電極毎に前記第１層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
5. 前記中間導電層及び前記第１容量線は、前記第１層間絶縁膜を介して前記走査線の上方且つ第２層間絶縁膜を介して前記データ線の下方の積層位置に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記第１容量線は、平面的に見て少なくとも部分的に前記走査線に重ねられており、前記走査線に沿って前記画素電極が配置された画像表示領域からその周囲に延設されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１容量線は、平面的に見て少なくとも部分的に前記第２容量電極に重ねられており、前記走査線方向に沿って前記画像表示領域からその周囲に延設されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記中間導電層及び前記第１容量線は、遮光性の導電膜からなり、
   前記第１容量線は、平面的に見て前記半導体層の少なくともチャネル領域を覆うことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記中間導電層は、多層膜からなることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記第１層間絶縁膜の膜厚は、５００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記第１層間絶縁膜の膜厚は、５００ｎｍ以下であり、平面的に見て少なくとも前記半導体層のチャネル領域及びその隣接領域には、前記第１容量線は重ねられていないことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 前記基板上に、前記中間導電層及び前記第１容量線と同一膜からなり前記第１層間絶縁膜を介して前記容量線と対向配置された第３容量電極を更に備えたことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 前記第２容量電極は、前記走査線に沿って前記画像表示領域からその周囲に延設されてなる第２容量線からなり、前記第２容量線は前記第１容量線と接続されてなることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
14. 前記基板上に、少なくとも前記半導体層のチャネル領域を前記基板側から見て覆う遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
15. 前記遮光膜は、前記画素電極毎に前記第１容量線と接続され、前記画像表示領域からその周囲に延設されて定電位源に接続されてなることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
16. 請求項１から１５のいずれか一項に記載の電気光学装置を内臓したことを特徴とするプロジェクタ。