JP2001347756A - 光記録媒体とこれを用いた光記録方法 - Google Patents
光記録媒体とこれを用いた光記録方法Info
- Publication number
- JP2001347756A JP2001347756A JP2000169202A JP2000169202A JP2001347756A JP 2001347756 A JP2001347756 A JP 2001347756A JP 2000169202 A JP2000169202 A JP 2000169202A JP 2000169202 A JP2000169202 A JP 2000169202A JP 2001347756 A JP2001347756 A JP 2001347756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- layer
- nanoparticles
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J13/00—Colloid chemistry, e.g. the production of colloidal materials or their solutions, not otherwise provided for; Making microcapsules or microballoons
- B01J13/0004—Preparation of sols
- B01J13/0047—Preparation of sols containing a metal oxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J13/00—Colloid chemistry, e.g. the production of colloidal materials or their solutions, not otherwise provided for; Making microcapsules or microballoons
- B01J13/0004—Preparation of sols
- B01J13/0026—Preparation of sols containing a liquid organic phase
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、記録層に600nm以下の短波レ
ーザー光での記録、再生、消去適正を付与することで高
密度化を可能とし、さらにこの記録層をナノ粒子コロイ
ドをスピンコートまたはウエッブ塗布して形成すること
により高密度化と高感度化を可能とする光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 光応答材料として表面が吸着性化合物で
修飾された平均粒径1〜20nmの金属カルコゲナイド
ナノ粒子を含む記録層を有する光記録媒体。
ーザー光での記録、再生、消去適正を付与することで高
密度化を可能とし、さらにこの記録層をナノ粒子コロイ
ドをスピンコートまたはウエッブ塗布して形成すること
により高密度化と高感度化を可能とする光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 光応答材料として表面が吸着性化合物で
修飾された平均粒径1〜20nmの金属カルコゲナイド
ナノ粒子を含む記録層を有する光記録媒体。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学合成された金
属カルコゲナイドナノ粒子を光ディスクに代表される記
録媒体の記録材料として用いることに関する。ここでい
うナノ粒子とは、平均粒径が1nmから20nmの範囲
である超微粒子である。
属カルコゲナイドナノ粒子を光ディスクに代表される記
録媒体の記録材料として用いることに関する。ここでい
うナノ粒子とは、平均粒径が1nmから20nmの範囲
である超微粒子である。
【0002】
【従来の技術】光記録材料の高密度化と高感度化は鋭意
改良されてきた。従来は波長600nm以上のレーザー
光が用いられており、記録媒体もこの波長域で最適な性
能を発現するように開発設計されていた。光の波長がn
分の1になると、情報の記録密度はn×n倍になること
は良く知られており、そのため、波長400nm近傍の
短波長レーザーを用いた高密度記録の実用化が急がれて
いる。このように波長が短波化し記録密度が向上するに
伴い、媒体への高密度化と高感度化の要求はますます高
くなってきている。本発明は、かかる状況を鑑み、60
0nm以下の短波レーザー光を用いた記録再生に最適な
超高密度光記録媒体用の記録材料を提示することを目的
とするものである。
改良されてきた。従来は波長600nm以上のレーザー
光が用いられており、記録媒体もこの波長域で最適な性
能を発現するように開発設計されていた。光の波長がn
分の1になると、情報の記録密度はn×n倍になること
は良く知られており、そのため、波長400nm近傍の
短波長レーザーを用いた高密度記録の実用化が急がれて
いる。このように波長が短波化し記録密度が向上するに
伴い、媒体への高密度化と高感度化の要求はますます高
くなってきている。本発明は、かかる状況を鑑み、60
0nm以下の短波レーザー光を用いた記録再生に最適な
超高密度光記録媒体用の記録材料を提示することを目的
とするものである。
【0003】超微粒子を用いる技術としては以下のもの
が開示されている。特開平5−62239には、スパッ
タリングで形成した粒径分布を有するGeやSiの半導
体超微粒子を用いる手法が開示されている。この手法
は、レーザーの短波化や大NA化によらないで記録密度
を向上させるために、サイズの異なる超微粒子の量子サ
イズ効果の違いを活用して波長多重記録をしようとする
ものであり、均一なナノ粒子を用いエネルギー照射部分
の全面的な相変化を活用しようとする本発明とは基本的
に異なる。
が開示されている。特開平5−62239には、スパッ
タリングで形成した粒径分布を有するGeやSiの半導
体超微粒子を用いる手法が開示されている。この手法
は、レーザーの短波化や大NA化によらないで記録密度
を向上させるために、サイズの異なる超微粒子の量子サ
イズ効果の違いを活用して波長多重記録をしようとする
ものであり、均一なナノ粒子を用いエネルギー照射部分
の全面的な相変化を活用しようとする本発明とは基本的
に異なる。
【0004】特開平10−261244には、微細な凹
凸パターンを形成し、そのパターンを有する基体上に金
属微粒子や貴金属微粒子をカルコゲン化合物中に分散し
た記録層、又は貴金属微粒子とカルコゲン化合物微粒子
の複合微粒子を誘電体材料中に分散した記録層をスパッ
タリングにより設けて成る光記録媒体が開示されてい
る。しかし、パターン形成が新たに付加される等、製造
工程が複雑であり実用性に乏しいものであった。
凸パターンを形成し、そのパターンを有する基体上に金
属微粒子や貴金属微粒子をカルコゲン化合物中に分散し
た記録層、又は貴金属微粒子とカルコゲン化合物微粒子
の複合微粒子を誘電体材料中に分散した記録層をスパッ
タリングにより設けて成る光記録媒体が開示されてい
る。しかし、パターン形成が新たに付加される等、製造
工程が複雑であり実用性に乏しいものであった。
【0005】さらに、一般に、スパッタリングによる薄
膜形成法は、膜組成の自由度が大きい、ドライな雰囲気
で膜形成できる等の利点を有するものの、薄膜を形成す
る微粒子は、コロイド法で形成された微粒子に比べ、サ
イズおよびサイズ分布の制御、粒子の構造制御、バイン
ダーあるいは誘電媒体への分散が困難であり、その結
果、記録/未記録部分の識別性、記録領域のダウンサイ
ズ化、記録材料の安定性等の向上が難しいという欠点を
有している。
膜形成法は、膜組成の自由度が大きい、ドライな雰囲気
で膜形成できる等の利点を有するものの、薄膜を形成す
る微粒子は、コロイド法で形成された微粒子に比べ、サ
イズおよびサイズ分布の制御、粒子の構造制御、バイン
ダーあるいは誘電媒体への分散が困難であり、その結
果、記録/未記録部分の識別性、記録領域のダウンサイ
ズ化、記録材料の安定性等の向上が難しいという欠点を
有している。
【0006】超微粒子を調製する技術として、特開20
00―54012には、還元法により金属、金属間化合
物、合金の磁性ナノクリスタルを形成する手法が開示さ
れているが、金属カルコゲナイド調製を目的とする本発
明に供するものではない。
00―54012には、還元法により金属、金属間化合
物、合金の磁性ナノクリスタルを形成する手法が開示さ
れているが、金属カルコゲナイド調製を目的とする本発
明に供するものではない。
【0007】本発明の化学合成の対象とされる材料から
なる薄膜は前記スパッタリングや還元法以外にCVDの
よっても作製される。特開平3−82593にはAgI
nTe 2 薄膜をCVDによって作製する例が開示されて
いる。しかし、この方法では、通常、基板温度を100
℃以上の高温にする必要がありポリカーボネートのよう
なポリマー基板には適用が難しい。また製膜時間が長い
等の製造上の問題があった。
なる薄膜は前記スパッタリングや還元法以外にCVDの
よっても作製される。特開平3−82593にはAgI
nTe 2 薄膜をCVDによって作製する例が開示されて
いる。しかし、この方法では、通常、基板温度を100
℃以上の高温にする必要がありポリカーボネートのよう
なポリマー基板には適用が難しい。また製膜時間が長い
等の製造上の問題があった。
【0008】光記録層が超微粒子状物質を耐熱性マトリ
ックス中に分散せしめたようなものであっても良いとい
う認識は例えば特登2908826号に記載されている
が、その具体的な製法は記載されていない。このような
膜形成は通常耐熱性マトリックス中にスパッタリングに
よって過飽和な状態に注入された記録材料をアニール等
によって析出させることで製作されており、本発明のよ
うに超微粒子表面を修飾することでコロイド状に分散さ
れる記録材料の製法は例を見ない。さらにゾルゲル法に
よる湿式プロセスについても例えば特登2908826
に挙げられているが、具体的な製法は開示されておらず
一般的な記述の域を出るものではない。
ックス中に分散せしめたようなものであっても良いとい
う認識は例えば特登2908826号に記載されている
が、その具体的な製法は記載されていない。このような
膜形成は通常耐熱性マトリックス中にスパッタリングに
よって過飽和な状態に注入された記録材料をアニール等
によって析出させることで製作されており、本発明のよ
うに超微粒子表面を修飾することでコロイド状に分散さ
れる記録材料の製法は例を見ない。さらにゾルゲル法に
よる湿式プロセスについても例えば特登2908826
に挙げられているが、具体的な製法は開示されておらず
一般的な記述の域を出るものではない。
【0009】特開平3−231890には、InCuS
e2 合金を用いる記録層の形成法として、スプレー法や
スピンコート後の焼成法が提案されているが、製造の精
度や基板の耐熱性を考えると現実的とは言えない。
e2 合金を用いる記録層の形成法として、スプレー法や
スピンコート後の焼成法が提案されているが、製造の精
度や基板の耐熱性を考えると現実的とは言えない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、記録層に6
00nm以下の短波レーザー光での記録、再生、消去適
正を付与することで高密度化を可能とし、さらにこの記
録層をナノ粒子コロイドをスピンコートまたはウエッブ
塗布することによって形成することにより高密度化と高
感度化を可能とする光記録媒体を提供することを目的と
する。
00nm以下の短波レーザー光での記録、再生、消去適
正を付与することで高密度化を可能とし、さらにこの記
録層をナノ粒子コロイドをスピンコートまたはウエッブ
塗布することによって形成することにより高密度化と高
感度化を可能とする光記録媒体を提供することを目的と
する。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段により達成された。 1.光応答材料として、表面が吸着性化合物で修飾され
た平均粒径1〜20nmの金属カルコゲナイドナノ粒子
を含む記録層を有することを特徴とする光記録媒体。該
記録層は光照射前後で光学定数(例えば、反射率)が変
化する特性をもつ。 2.該記録層が前記金属カルコゲナイドナノ粒子を化学
合成によりコロイド分散物として調製し、塗設すること
により形成されたことを特徴とする1.記載の光記録媒
体。 3.前記金属カルコゲナイドナノ粒子が、8族、1B
族、2B族および4〜6周期の3B、4B、5B族から
選ばれる少なくとも1つの元素と、6B族の少なくとも
1つの元素とを含むことを特徴とする1.または2.記
載の光記録媒体。 4.前記金属カルコゲナイドナノ粒子コロイド分散物が
以下の工程により調製されることを特徴とする1.〜
3.のいずれかに記載の光記録媒体。 (1) 8族、1B族、2B族、4〜6周期の3B、4B、
5B族から選ばれる少なくとも1つの元素を含む前駆体
溶液と、6B族元素の少なくとも1つの前駆体溶液を不
活性ガス雰囲気下100℃〜350℃で高沸点有機溶媒
中で混合し、反応させ、ナノ粒子を形成する工程、(2)
(1)の反応液に凝集剤を添加して、生成ナノ粒子を溶液
から凝集析出させ、上澄み液と分離する工程、(3)(2)の
ナノ粒子含有凝集物を有機溶剤により再分散する工程、
(4) さらに凝集析出と再分散を繰り返すことにより、該
ナノ粒子凝集物が有機溶剤中に再分散可能になる程度に
高沸点有機溶媒分子を吸着させたまま、前駆体形成有機
物と高沸点有機溶媒を除去する工程。 5.該ナノ粒子が結晶状態であることを特徴とする1.
〜4.のいずれかに記載の光記録媒体。 6.基板上に第一誘電体保護層、記録層、第二誘電体保
護層をこの順に有することを特徴とする1.〜5.のい
ずれかに記載の光記録媒体。 7. 1.〜6.の光記録媒体が、第一の光エネルギー
を照射することにより該記録層中のナノ粒子を非晶質状
態とし、前記第一のエネルギーより小さい第二の光エネ
ルギーを照射することにより該記録層中のナノ粒子を結
晶状態とすることにより該記録層中のナノ粒子を結晶状
態とすることより反射率を変化させ、情報の記録、再
生、消去を繰り返しおこなう、書換型光記録媒体である
ことを特徴とする1.〜6.のいずれかに記載の光記録
媒体。 8. 1.〜5.の記録媒体が、光エネルギーを与える
ことにより記録層中のナノ粒子および/または近傍に不
可逆的な状態変化を引き起こして反射率を変化させ、情
報の記録をおこなう、追記型光記録媒体であることを特
徴とする1.〜5.のいずれかに記載の光記録媒体。 9. 1.〜8.の光記録媒体に、波長200〜600
nmの範囲の発振波長の半導体レーザービームを用いて
記録することを特徴とする光記録方法。
段により達成された。 1.光応答材料として、表面が吸着性化合物で修飾され
た平均粒径1〜20nmの金属カルコゲナイドナノ粒子
を含む記録層を有することを特徴とする光記録媒体。該
記録層は光照射前後で光学定数(例えば、反射率)が変
化する特性をもつ。 2.該記録層が前記金属カルコゲナイドナノ粒子を化学
合成によりコロイド分散物として調製し、塗設すること
により形成されたことを特徴とする1.記載の光記録媒
体。 3.前記金属カルコゲナイドナノ粒子が、8族、1B
族、2B族および4〜6周期の3B、4B、5B族から
選ばれる少なくとも1つの元素と、6B族の少なくとも
1つの元素とを含むことを特徴とする1.または2.記
載の光記録媒体。 4.前記金属カルコゲナイドナノ粒子コロイド分散物が
以下の工程により調製されることを特徴とする1.〜
3.のいずれかに記載の光記録媒体。 (1) 8族、1B族、2B族、4〜6周期の3B、4B、
5B族から選ばれる少なくとも1つの元素を含む前駆体
溶液と、6B族元素の少なくとも1つの前駆体溶液を不
活性ガス雰囲気下100℃〜350℃で高沸点有機溶媒
中で混合し、反応させ、ナノ粒子を形成する工程、(2)
(1)の反応液に凝集剤を添加して、生成ナノ粒子を溶液
から凝集析出させ、上澄み液と分離する工程、(3)(2)の
ナノ粒子含有凝集物を有機溶剤により再分散する工程、
(4) さらに凝集析出と再分散を繰り返すことにより、該
ナノ粒子凝集物が有機溶剤中に再分散可能になる程度に
高沸点有機溶媒分子を吸着させたまま、前駆体形成有機
物と高沸点有機溶媒を除去する工程。 5.該ナノ粒子が結晶状態であることを特徴とする1.
〜4.のいずれかに記載の光記録媒体。 6.基板上に第一誘電体保護層、記録層、第二誘電体保
護層をこの順に有することを特徴とする1.〜5.のい
ずれかに記載の光記録媒体。 7. 1.〜6.の光記録媒体が、第一の光エネルギー
を照射することにより該記録層中のナノ粒子を非晶質状
態とし、前記第一のエネルギーより小さい第二の光エネ
ルギーを照射することにより該記録層中のナノ粒子を結
晶状態とすることにより該記録層中のナノ粒子を結晶状
態とすることより反射率を変化させ、情報の記録、再
生、消去を繰り返しおこなう、書換型光記録媒体である
ことを特徴とする1.〜6.のいずれかに記載の光記録
媒体。 8. 1.〜5.の記録媒体が、光エネルギーを与える
ことにより記録層中のナノ粒子および/または近傍に不
可逆的な状態変化を引き起こして反射率を変化させ、情
報の記録をおこなう、追記型光記録媒体であることを特
徴とする1.〜5.のいずれかに記載の光記録媒体。 9. 1.〜8.の光記録媒体に、波長200〜600
nmの範囲の発振波長の半導体レーザービームを用いて
記録することを特徴とする光記録方法。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるナノ粒子の粒
径は平均で1〜20nmであるが、好ましくは、1〜1
0nm、さらに好ましくは、1〜5nmである。平均粒
径が20nmより大きくなると、融点が上昇し相変化速
度が低下する。サイズの下限は耐候性等の実用性能を勘
案して選択される。また、いわゆる単分散粒子が記録部
と非記録部の差別化が良好である。本発明でいうところ
の単分散粒子とは、変動係数が好ましくは30%以下、
より好ましくは20%以下、もっとも好ましくは10%
以下である。
径は平均で1〜20nmであるが、好ましくは、1〜1
0nm、さらに好ましくは、1〜5nmである。平均粒
径が20nmより大きくなると、融点が上昇し相変化速
度が低下する。サイズの下限は耐候性等の実用性能を勘
案して選択される。また、いわゆる単分散粒子が記録部
と非記録部の差別化が良好である。本発明でいうところ
の単分散粒子とは、変動係数が好ましくは30%以下、
より好ましくは20%以下、もっとも好ましくは10%
以下である。
【0013】本発明で用いられるナノ粒子分散物からな
る記録層を得るためには、ナノ粒子表面を吸着性化合物
(吸着基を有する化合物)で表面修飾することが重要で
ある。修飾剤としては、アルキルフォスフィンオキサイ
ド、アルキルフォスフィン、あるいは−SH、−CN、
−NH2 、−SO2 OH、−SOOH、−OPO(O
H)2、−COOH含有化合物などが有効であり、これら
のうちアルキルフォスフィンオキサイドや−SH含有化
合物が好ましい。アルキルフォスフィンオキサイド、お
よびアルキルフォスフィンのアルキル基としてはトリオ
クチル基、またはトリブチル基が好ましい。このような
表面修飾された、すなわち分散された微粒子が凝集して
形成された薄膜はスパッタリングや蒸着法では決して実
現できないものである。
る記録層を得るためには、ナノ粒子表面を吸着性化合物
(吸着基を有する化合物)で表面修飾することが重要で
ある。修飾剤としては、アルキルフォスフィンオキサイ
ド、アルキルフォスフィン、あるいは−SH、−CN、
−NH2 、−SO2 OH、−SOOH、−OPO(O
H)2、−COOH含有化合物などが有効であり、これら
のうちアルキルフォスフィンオキサイドや−SH含有化
合物が好ましい。アルキルフォスフィンオキサイド、お
よびアルキルフォスフィンのアルキル基としてはトリオ
クチル基、またはトリブチル基が好ましい。このような
表面修飾された、すなわち分散された微粒子が凝集して
形成された薄膜はスパッタリングや蒸着法では決して実
現できないものである。
【0014】本発明のナノ粒子コロイドはスピンコート
あるいはウエッブ塗布される。塗布化することによって
設備投資と製造コストが低減される。
あるいはウエッブ塗布される。塗布化することによって
設備投資と製造コストが低減される。
【0015】金属カルコゲナイドは、8族、1B族、2
B族、4〜6周期の3B、4B、5B族元素の少なくと
も1つと、6B族元素の少なくとも1つから成る。具体
的には、GeSbTe、AgInSbTe、GeTe、
Ag2 Te、AgInTe2、AgSbTe2 、CuI
nSe2 、CuInTe2 、AgSbTe、InSbT
e、GeTeS、GeSeS、GeSeSb、GeAs
Se、InTe、SeTe、SeAs、GeTeAu、
GeTeSeSb、GeTeSnAu、GeTePb、
GeTeSbSなどが挙げられる。特に好ましくはGe
SbTe、AgInSbTe、GeTe、Ag2 Te、
AgInTe2 、AgSbTe2 、CuInSe2 、C
uInTe2 のいずれかである。原子比を全て整数で表
示したが、所望の記録特性・保存性・強度などの特性を
得る為に、原子比を整数比からずらすこともできる。
B族、4〜6周期の3B、4B、5B族元素の少なくと
も1つと、6B族元素の少なくとも1つから成る。具体
的には、GeSbTe、AgInSbTe、GeTe、
Ag2 Te、AgInTe2、AgSbTe2 、CuI
nSe2 、CuInTe2 、AgSbTe、InSbT
e、GeTeS、GeSeS、GeSeSb、GeAs
Se、InTe、SeTe、SeAs、GeTeAu、
GeTeSeSb、GeTeSnAu、GeTePb、
GeTeSbSなどが挙げられる。特に好ましくはGe
SbTe、AgInSbTe、GeTe、Ag2 Te、
AgInTe2 、AgSbTe2 、CuInSe2 、C
uInTe2 のいずれかである。原子比を全て整数で表
示したが、所望の記録特性・保存性・強度などの特性を
得る為に、原子比を整数比からずらすこともできる。
【0016】金属カルコゲナイドナノ粒子は、上記の元
素を単体超微粒子や塩の形でアルキルフォスフィン等に
溶解した前駆体溶液をアルキルフォスフィンオキサイド
のような高沸点有機溶媒中に添加し100℃から350
℃の温度領域で反応させることにより合成される。前駆
体とは、金属カルコゲナイドを生成させるのに必要な上
記のそれぞれの元素を含む反応物質のことであり、上記
各族の金属を含む前駆体とカルコゲンを含む前駆体を用
いる。なお、請求項4における「前駆体形成有機物」は
前駆体形成に使用した有機溶媒等の有機化合物をいう。
素を単体超微粒子や塩の形でアルキルフォスフィン等に
溶解した前駆体溶液をアルキルフォスフィンオキサイド
のような高沸点有機溶媒中に添加し100℃から350
℃の温度領域で反応させることにより合成される。前駆
体とは、金属カルコゲナイドを生成させるのに必要な上
記のそれぞれの元素を含む反応物質のことであり、上記
各族の金属を含む前駆体とカルコゲンを含む前駆体を用
いる。なお、請求項4における「前駆体形成有機物」は
前駆体形成に使用した有機溶媒等の有機化合物をいう。
【0017】アルキルフォスフィンとしては、トリブチ
ル、トリオクチル、トリフェニルなどの対称3級フォス
フィンやジメチルブチル、ジメチルオクチルフォスフィ
ンなどの非対称フォスフィンなどをそれぞれ単独あるい
は組み合わせて用いることができるが、トリブチルフォ
スフィン(TBP)とトリオクチルフォスフィン(TOP)が特
に好ましい。またアルキル基に適宜各種官能基(下記の
ハイドロカーボンでの例参照)で置換したものを用いて
も良い。
ル、トリオクチル、トリフェニルなどの対称3級フォス
フィンやジメチルブチル、ジメチルオクチルフォスフィ
ンなどの非対称フォスフィンなどをそれぞれ単独あるい
は組み合わせて用いることができるが、トリブチルフォ
スフィン(TBP)とトリオクチルフォスフィン(TOP)が特
に好ましい。またアルキル基に適宜各種官能基(下記の
ハイドロカーボンでの例参照)で置換したものを用いて
も良い。
【0018】高沸点有機溶媒としては、アルキルフォス
フィンオキサイドや、ナノ粒子表面を修飾する官能基
(−SH、−SO2 OH、−SOOH、−OPO(O
H)2、−COOHなど)を有する直鎖または分岐ハイド
ロカーボン(通常、炭素原子数8から22)またはフル
オロカーボンも使用できる。また、ジデシルエーテル、
ジドデシルエーテル、フェニルエーテル、n−オクチル
エーテルも好ましく使用できる。アルキルフォスフィン
オキサイドとしては、トリブチル、トリオクチル、ジブ
チルオクチルなどを用いることができるが、トリオクチ
ルフォスフィンオキサイド(TOPO)が最も好ましい。
フィンオキサイドや、ナノ粒子表面を修飾する官能基
(−SH、−SO2 OH、−SOOH、−OPO(O
H)2、−COOHなど)を有する直鎖または分岐ハイド
ロカーボン(通常、炭素原子数8から22)またはフル
オロカーボンも使用できる。また、ジデシルエーテル、
ジドデシルエーテル、フェニルエーテル、n−オクチル
エーテルも好ましく使用できる。アルキルフォスフィン
オキサイドとしては、トリブチル、トリオクチル、ジブ
チルオクチルなどを用いることができるが、トリオクチ
ルフォスフィンオキサイド(TOPO)が最も好ましい。
【0019】8族、1B族、2B族、4〜6周期の3
B、4B、5B族元素の少なくとも1つを含む前駆体の
溶液と、6B族元素の少なくとも1つを含む前駆体の溶
液を反応させ、ナノ粒子コロイドを生成するには、不活
性ガス雰囲気下100℃〜350℃が好ましい。ここで
6B族元素の総モル数は高沸点有機溶媒の質量に対し
0.5%〜0.001%の間が好ましく、0.2%〜
0.005%がさらに好ましい。上記の条件より、低温
あるいは低濃度域では粒子生成速度が極めて遅いか、又
はナノ粒子は生成しない。さらに、高温あるいは高濃度
域では粗大粒子が生成したり、生成粒子が凝集するため
再分散が不可能になる。
B、4B、5B族元素の少なくとも1つを含む前駆体の
溶液と、6B族元素の少なくとも1つを含む前駆体の溶
液を反応させ、ナノ粒子コロイドを生成するには、不活
性ガス雰囲気下100℃〜350℃が好ましい。ここで
6B族元素の総モル数は高沸点有機溶媒の質量に対し
0.5%〜0.001%の間が好ましく、0.2%〜
0.005%がさらに好ましい。上記の条件より、低温
あるいは低濃度域では粒子生成速度が極めて遅いか、又
はナノ粒子は生成しない。さらに、高温あるいは高濃度
域では粗大粒子が生成したり、生成粒子が凝集するため
再分散が不可能になる。
【0020】反応液からナノ粒子を凝集析出させるため
には、通常メタノールかエタノールを添加する。上澄み
液をデカンテーションした後、非プロトン性ハイドロカ
ーボンなどの溶媒(n-ヘキサン等)でナノ粒子を再分散
する。ナノ粒子の表面修飾剤はナノ粒子形成過程から精
製過程のいずれかで添加することができる。
には、通常メタノールかエタノールを添加する。上澄み
液をデカンテーションした後、非プロトン性ハイドロカ
ーボンなどの溶媒(n-ヘキサン等)でナノ粒子を再分散
する。ナノ粒子の表面修飾剤はナノ粒子形成過程から精
製過程のいずれかで添加することができる。
【0021】本発明のナノ粒子は結晶性であることが好
ましく、そのほとんどの場合は、微細な結晶として得ら
れる。このことは、特開平08−221814におい
て、スパッター使用下での初期化不要な材料が開示され
ていることから理解されるごとく、光記録媒体の製造に
おいてその工数を減らし低コスト製造する上で極めて重
要なことである。結晶化が不十分なときは、当業界で周
知のように製造時にバルクイレーザー等により初期化す
れば良い。
ましく、そのほとんどの場合は、微細な結晶として得ら
れる。このことは、特開平08−221814におい
て、スパッター使用下での初期化不要な材料が開示され
ていることから理解されるごとく、光記録媒体の製造に
おいてその工数を減らし低コスト製造する上で極めて重
要なことである。結晶化が不十分なときは、当業界で周
知のように製造時にバルクイレーザー等により初期化す
れば良い。
【0022】本発明の書換型光記録媒体では、基板上に
第一誘電体保護層、記録層、第二誘電体保護層を左記の
順に設けるのが好ましいが、さらに必要に応じて、反射
層や保護層を積層しても良い。記録層を形成する基板側
から記録再生光を入射する場合は、基板上に、第一誘電
体保護層、記録層、第二誘電体保護層、反射層、保護層
を左記の順に設けるのが好ましい。更に、基板と第一誘
電体層との間、誘電体層と記録層との間、第二誘電体層
と反射層との間、反射層と保護層との間の中間層を設け
ても良い。記録層を形成する基板と反対側から記録再生
光を入射する場合は、基板上に、反射層、第一誘電体保
護層、記録層、第二誘電体保護層、保護層を左記の順に
設けるのが好ましい。更に、基板と反射層との間、反射
層と第一誘電体層との間、誘電体層と記録層との間、第
二誘電体層と保護層との間に中間層を設けても良い。中
間層は1カ所でも複数カ所でも良い。また、おのおのの
層が複数の層から形成されてもよい。
第一誘電体保護層、記録層、第二誘電体保護層を左記の
順に設けるのが好ましいが、さらに必要に応じて、反射
層や保護層を積層しても良い。記録層を形成する基板側
から記録再生光を入射する場合は、基板上に、第一誘電
体保護層、記録層、第二誘電体保護層、反射層、保護層
を左記の順に設けるのが好ましい。更に、基板と第一誘
電体層との間、誘電体層と記録層との間、第二誘電体層
と反射層との間、反射層と保護層との間の中間層を設け
ても良い。記録層を形成する基板と反対側から記録再生
光を入射する場合は、基板上に、反射層、第一誘電体保
護層、記録層、第二誘電体保護層、保護層を左記の順に
設けるのが好ましい。更に、基板と反射層との間、反射
層と第一誘電体層との間、誘電体層と記録層との間、第
二誘電体層と保護層との間に中間層を設けても良い。中
間層は1カ所でも複数カ所でも良い。また、おのおのの
層が複数の層から形成されてもよい。
【0023】本発明で用いられる記録層の厚みは超微粒
子の粒径と相関するが、5〜300nmの範囲で設計可
能であり、5〜200nmでも良く、5〜100nmで
あることが好ましく、5〜50nmが最も好ましい。記
録層には、フッ素系ポリマーやシリコン系ポリマーのよ
うな各種難分解性有機バインダーや、ZnS、Si
O 2 、TiO2 等の各種誘電体のナノ粒子を併用し、物
理的強度の向上や記録再生の繰り返し耐性などを向上さ
せることができる。
子の粒径と相関するが、5〜300nmの範囲で設計可
能であり、5〜200nmでも良く、5〜100nmで
あることが好ましく、5〜50nmが最も好ましい。記
録層には、フッ素系ポリマーやシリコン系ポリマーのよ
うな各種難分解性有機バインダーや、ZnS、Si
O 2 、TiO2 等の各種誘電体のナノ粒子を併用し、物
理的強度の向上や記録再生の繰り返し耐性などを向上さ
せることができる。
【0024】誘電体保護層には、ZnS、SiO2 、T
iO2 、Al2 O3 、AlN、SiC、窒化ケイ素、M
gF2 、CaF2 、LiF2 、SiO、Si3 N4 、Z
nO、MgO、CeO、SiC、ZrO、ZrO2 、N
b2 O5 、SnO2 、In2O3 、TiN、BN、Zr
N、In2 S3 、TaS4 、TaC、B4 C、WC、T
iC、ZrC等を少なくとも一種用いる。特にZnS、
SiO2 、TiO2 、Al2 O3 、AlN、SiC、窒
化ケイ素、MgF2 、CaF2 、LiF2 、SiO、S
i3 N4 が好ましい。ZnSとSiO2 との混合物が最
も好ましい。第一誘電体保護層、第二誘電体保護層の厚
みは10〜200nmの範囲が好ましい。記録層を形成
する基板側から記録再生光を入射する場合、第一誘電体
保護層は特に30〜150nmが特に好ましく、第二誘
電体保護層は10〜100nmが特に好ましい。記録層
を形成する基板の反対側から記録再生光を入射する場
合、第一誘電体保護層は特に10〜100nmが特に好
ましく、第二誘電体保護層は30〜150nmが特に好
ましい。
iO2 、Al2 O3 、AlN、SiC、窒化ケイ素、M
gF2 、CaF2 、LiF2 、SiO、Si3 N4 、Z
nO、MgO、CeO、SiC、ZrO、ZrO2 、N
b2 O5 、SnO2 、In2O3 、TiN、BN、Zr
N、In2 S3 、TaS4 、TaC、B4 C、WC、T
iC、ZrC等を少なくとも一種用いる。特にZnS、
SiO2 、TiO2 、Al2 O3 、AlN、SiC、窒
化ケイ素、MgF2 、CaF2 、LiF2 、SiO、S
i3 N4 が好ましい。ZnSとSiO2 との混合物が最
も好ましい。第一誘電体保護層、第二誘電体保護層の厚
みは10〜200nmの範囲が好ましい。記録層を形成
する基板側から記録再生光を入射する場合、第一誘電体
保護層は特に30〜150nmが特に好ましく、第二誘
電体保護層は10〜100nmが特に好ましい。記録層
を形成する基板の反対側から記録再生光を入射する場
合、第一誘電体保護層は特に10〜100nmが特に好
ましく、第二誘電体保護層は30〜150nmが特に好
ましい。
【0025】反射層はAu、Ag、Al、Pt、Cu等
の単体あるいはこれらの一種以上を含む合金等の高反射
率金属から構成すれば良い。特に、AgまたはAlのい
ずれかの金属または、これらを主成分とする合金である
ことが好ましい。膜厚は30〜300nmが好ましく、
50〜200nmが特に好ましい。反射層、誘電体層の
材料もナノ粒子コロイド化し、それぞれ塗設することが
できる。
の単体あるいはこれらの一種以上を含む合金等の高反射
率金属から構成すれば良い。特に、AgまたはAlのい
ずれかの金属または、これらを主成分とする合金である
ことが好ましい。膜厚は30〜300nmが好ましく、
50〜200nmが特に好ましい。反射層、誘電体層の
材料もナノ粒子コロイド化し、それぞれ塗設することが
できる。
【0026】反射層の上の保護層に用いられる材料とし
ては、例えば、SiO、SiO2 、MgF2 、SnO
2 、Si3 N4 などの無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、UV硬化性樹脂等の有機物質を挙げることがで
きる。保護層は樹脂で形成されていることが好ましい。
また、記録層と反射層の間に断熱性保護層を設けること
もできる。
ては、例えば、SiO、SiO2 、MgF2 、SnO
2 、Si3 N4 などの無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、UV硬化性樹脂等の有機物質を挙げることがで
きる。保護層は樹脂で形成されていることが好ましい。
また、記録層と反射層の間に断熱性保護層を設けること
もできる。
【0027】保護層は、たとえばプラスチックの押出加
工で得られたフィルムを、接着層を介して反射層上及び
/または基板上にラミネートすることにより形成するこ
とができる。あるいは真空蒸着、スパッタリング、塗布
等の方法により保護層を設けてもよい。また、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な溶剤に
溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、
乾燥することによって保護層を形成することができる。
UV硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布
し、UV光を照射して硬化させることによって保護層を
形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯
電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤等の各種添加剤を目
的に応じて添加してもよい。記録再生光を記録層を形成
する基板側から入射する場合、保護層の層厚は0.1〜
100μmが好ましく、更に好ましくは1〜50μm、
最も好ましくは2〜20μmである。記録再生光を記録
層を形成する基板と反対側から入射する場合、保護層の
層厚は1〜300μmが好ましく、更に好ましくは10
〜200μm、最も好ましくは50〜150μmであ
る。
工で得られたフィルムを、接着層を介して反射層上及び
/または基板上にラミネートすることにより形成するこ
とができる。あるいは真空蒸着、スパッタリング、塗布
等の方法により保護層を設けてもよい。また、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な溶剤に
溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、
乾燥することによって保護層を形成することができる。
UV硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布
し、UV光を照射して硬化させることによって保護層を
形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯
電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤等の各種添加剤を目
的に応じて添加してもよい。記録再生光を記録層を形成
する基板側から入射する場合、保護層の層厚は0.1〜
100μmが好ましく、更に好ましくは1〜50μm、
最も好ましくは2〜20μmである。記録再生光を記録
層を形成する基板と反対側から入射する場合、保護層の
層厚は1〜300μmが好ましく、更に好ましくは10
〜200μm、最も好ましくは50〜150μmであ
る。
【0028】以上の工程により、基板上に記録層、誘電
体層、そして所望により反射層や保護層を設けた記録媒
体を作製することができる。そして得られた二枚の記録
媒体を各々の記録層が内側となるように接着剤等で貼り
合わせることにより、二つの記録層を持つ光記録媒体を
製造することもできる。また得られた記録媒体と、該記
録媒体の基板と略同じ寸法の円盤状保護基板とを、その
記録層が内側となるように接着剤等で貼り合わせること
により、片側のみに記録層をもつ光記録媒体を製造する
ことができる。接着には、前記保護層の形成に用いたU
V硬化性樹脂を用いてもよいし、あるいは合成接着剤を
用いてもよい。あるいはまた両面テープなどを用いても
よい。接着剤層は、通常は0.1〜100μm(好まし
くは、5〜80μm)の範囲の厚みで設けられる。
体層、そして所望により反射層や保護層を設けた記録媒
体を作製することができる。そして得られた二枚の記録
媒体を各々の記録層が内側となるように接着剤等で貼り
合わせることにより、二つの記録層を持つ光記録媒体を
製造することもできる。また得られた記録媒体と、該記
録媒体の基板と略同じ寸法の円盤状保護基板とを、その
記録層が内側となるように接着剤等で貼り合わせること
により、片側のみに記録層をもつ光記録媒体を製造する
ことができる。接着には、前記保護層の形成に用いたU
V硬化性樹脂を用いてもよいし、あるいは合成接着剤を
用いてもよい。あるいはまた両面テープなどを用いても
よい。接着剤層は、通常は0.1〜100μm(好まし
くは、5〜80μm)の範囲の厚みで設けられる。
【0029】本発明の光記録媒体は、追記型の光記録媒
体としても好ましく用いることができる。その構成は、
従来の追記型光記録媒体の構成において、記録層に本発
明のナノ粒子を用いればよい。
体としても好ましく用いることができる。その構成は、
従来の追記型光記録媒体の構成において、記録層に本発
明のナノ粒子を用いればよい。
【0030】光記録媒体に記録した情報をタイトルや図
柄を用いて表示しておくことは管理上便利である。その
ためには、媒体の表面(記録再生用のレーザ光が照射さ
れる側とは反対側の表面)がそのような表示をするのに
適した表面であることが必要になる。近年、インクジェ
ットプリンタによる印字法が一般に利用されている。イ
ンクジェットプリンタを用いて光記録媒体の表面に印字
を施す場合には、インクは水性であるために、媒体の表
面は親水性であることが必要になる。しかし、光記録媒
体の表面は通常疎水性である。このため、光記録媒体の
表面を水性インクが定着し易いように親水性の表面に改
良することが必要になる。このような親水性の印刷面
(親水性表面層)を持つ光記録媒体については、例え
ば、特開平7−169700号、同10−162438
号などの各公報に種々提案されている。本発明の光記録
媒体についても親水性表面層を設けることができる。そ
して、親水性樹脂表面層を設ける場合、該表面層は、紫
外線硬化性樹脂(バインダ)中にタンパク質粒子などの
親水性有機高分子からなる粒子を分散させた層として構
成することが有利である。
柄を用いて表示しておくことは管理上便利である。その
ためには、媒体の表面(記録再生用のレーザ光が照射さ
れる側とは反対側の表面)がそのような表示をするのに
適した表面であることが必要になる。近年、インクジェ
ットプリンタによる印字法が一般に利用されている。イ
ンクジェットプリンタを用いて光記録媒体の表面に印字
を施す場合には、インクは水性であるために、媒体の表
面は親水性であることが必要になる。しかし、光記録媒
体の表面は通常疎水性である。このため、光記録媒体の
表面を水性インクが定着し易いように親水性の表面に改
良することが必要になる。このような親水性の印刷面
(親水性表面層)を持つ光記録媒体については、例え
ば、特開平7−169700号、同10−162438
号などの各公報に種々提案されている。本発明の光記録
媒体についても親水性表面層を設けることができる。そ
して、親水性樹脂表面層を設ける場合、該表面層は、紫
外線硬化性樹脂(バインダ)中にタンパク質粒子などの
親水性有機高分子からなる粒子を分散させた層として構
成することが有利である。
【0031】本発明では200nmから600nmの適
当な波長範囲を用いることで記録媒体の高密度性を発揮
しうる。特に500nm以下が好ましく、430nm以
下が最も好ましく、青紫色レーザーや第二高調波発生素
子(SHG素子)により短波長変換されたレーザー光を
用いることができる。
当な波長範囲を用いることで記録媒体の高密度性を発揮
しうる。特に500nm以下が好ましく、430nm以
下が最も好ましく、青紫色レーザーや第二高調波発生素
子(SHG素子)により短波長変換されたレーザー光を
用いることができる。
【0032】
【実施例】以下に本発明をより詳細に説明するために、
その実施例を記載するが、これは本発明を例示の範囲に
限定するものではない。
その実施例を記載するが、これは本発明を例示の範囲に
限定するものではない。
【0033】実施例1 Ag2Teナノ粒子コロイドの
調製 TeをTOP に溶解し、1M溶液を調製した(Te−TO
P)。AgClを精製したTOP に溶解し、1M溶液を調製し
た(Ag−TOP)。不活性気体雰囲気下でTOPO100gを
140℃に加熱溶解し、激しく撹拌しながら、これに前
記Ag−TOP 液20ccとTe−TOP 溶液10ccを加
えて20分間反応させた(Teモル数/TOPO質量=0.
01%)。得られたナノ粒子の平均粒径は8nm、変動
係数は驚くべきことに5%であった。この溶液にメタノ
ールを1リッター添加して粒子を凝集析出させた後、トルエ
ンを100ccを添加することで、再分散した。上記操作
を数回繰り返し精製を完了し、乾燥させたうえで、n−
ヘキサンを用いて0.5g /ccの濃度で分散した(C
−1a)。Teモル数/TOPO質量が0.001%未満、
反応温度100℃以下では実質的にナノ粒子は生成しな
かった。上記製法において、反応温度を190℃、反応
時間を40分とすることで平均粒径15nm、変動係数
10%のコロイドを得た(C−1b)。さらに反応温度
を240℃、反応時間を60分とすることで平均粒径3
0nm、変動係数20%のコロイドを得た(C−1
c)。いずれの粒子も表面にTOPOが吸着していること
は、光分解能TEM で粒子間に一定の間隔があること、お
よび化学分析によって確認できた。
調製 TeをTOP に溶解し、1M溶液を調製した(Te−TO
P)。AgClを精製したTOP に溶解し、1M溶液を調製し
た(Ag−TOP)。不活性気体雰囲気下でTOPO100gを
140℃に加熱溶解し、激しく撹拌しながら、これに前
記Ag−TOP 液20ccとTe−TOP 溶液10ccを加
えて20分間反応させた(Teモル数/TOPO質量=0.
01%)。得られたナノ粒子の平均粒径は8nm、変動
係数は驚くべきことに5%であった。この溶液にメタノ
ールを1リッター添加して粒子を凝集析出させた後、トルエ
ンを100ccを添加することで、再分散した。上記操作
を数回繰り返し精製を完了し、乾燥させたうえで、n−
ヘキサンを用いて0.5g /ccの濃度で分散した(C
−1a)。Teモル数/TOPO質量が0.001%未満、
反応温度100℃以下では実質的にナノ粒子は生成しな
かった。上記製法において、反応温度を190℃、反応
時間を40分とすることで平均粒径15nm、変動係数
10%のコロイドを得た(C−1b)。さらに反応温度
を240℃、反応時間を60分とすることで平均粒径3
0nm、変動係数20%のコロイドを得た(C−1
c)。いずれの粒子も表面にTOPOが吸着していること
は、光分解能TEM で粒子間に一定の間隔があること、お
よび化学分析によって確認できた。
【0034】実施例2 AgInTe2 ナノ粒子コロイ
ドの調製 InCl3 をTOP に溶解し、1M溶液を調製した(In
−TOP)。不活性気体雰囲気下でTOPO100gを150℃
に加熱溶解し、激しく撹拌しながらIn−TOP 溶液67
ccとTe−TOP (実施例1と同じ)100ccを加え
て約1時間攪拌した後、Ag−TOP (実施例1と同じ)
67ccとTe−TOP 34cc添加して約10分間反応
させた(Teモル数/TOPO質量=0.13%)。得られ
たナノ粒子の平均粒径は6nm、変動係数は7%であっ
た。実施例1と同様に精製乾燥した後、n−ヘキサンを
用いて0.5g /ccの濃度で分散した(C−2a)。
Teモル数/TOPO質量が0.6%以上、あるいは350
℃以上では凝集物の再分散ができなかった。上記製法に
おいて、反応温度を200℃、反応時間を40分とする
ことで平均粒径14nm、変動係数12%のコロイドを
得た(C−2b)。さらに反応温度を230℃、反応時
間を60分とすることで平均粒径27nm、変動係数2
3%のコロイドを得た(C−2c)。いずれの粒子も表
面にTOPOが吸着していることは、実施例1と同様の方法
で確認できた。
ドの調製 InCl3 をTOP に溶解し、1M溶液を調製した(In
−TOP)。不活性気体雰囲気下でTOPO100gを150℃
に加熱溶解し、激しく撹拌しながらIn−TOP 溶液67
ccとTe−TOP (実施例1と同じ)100ccを加え
て約1時間攪拌した後、Ag−TOP (実施例1と同じ)
67ccとTe−TOP 34cc添加して約10分間反応
させた(Teモル数/TOPO質量=0.13%)。得られ
たナノ粒子の平均粒径は6nm、変動係数は7%であっ
た。実施例1と同様に精製乾燥した後、n−ヘキサンを
用いて0.5g /ccの濃度で分散した(C−2a)。
Teモル数/TOPO質量が0.6%以上、あるいは350
℃以上では凝集物の再分散ができなかった。上記製法に
おいて、反応温度を200℃、反応時間を40分とする
ことで平均粒径14nm、変動係数12%のコロイドを
得た(C−2b)。さらに反応温度を230℃、反応時
間を60分とすることで平均粒径27nm、変動係数2
3%のコロイドを得た(C−2c)。いずれの粒子も表
面にTOPOが吸着していることは、実施例1と同様の方法
で確認できた。
【0035】実施例3 CuInTe2 ナノ粒子コロイ
ドの調製 CuClとInCl3 を等モルずつTOPに溶解し、各
0.5Mに相当する溶液を調製した(CuIn−TOP)。
不活性気体雰囲気下でTOPO100gを150℃に加熱溶
解し、激しく撹拌しながらCuIn−TOP 溶液100c
cとTe−TOP(実施例1と同じ)100ccを加えた
後、250℃に昇温し約10分間反応させた(Teモル
数/TOPO質量=0.1%)。得られたナノ粒子の平均粒
径は12nm、変動係数は10%であった。Teモル数
/TOPO質量が1%では凝集物が再分散しなかった。実施
例1と同様に精製乾燥した後、n−ヘキサンを用いて
0.5g/ccの濃度で分散した(C−3a)。上記製
法において、反応温度を2000℃、反応時間を40分
とすることで平均粒径18nm、変動係数14%のコロ
イドを得た(C−3b)。さらに反応温度を250℃、
反応時間を60分とすることで平均粒径28nm、変動
係数25%のコロイドを得た(C−3c)。いずれの粒
子も表面にTOPOが吸着していることは、実施例1と同様
の方法で確認できた。
ドの調製 CuClとInCl3 を等モルずつTOPに溶解し、各
0.5Mに相当する溶液を調製した(CuIn−TOP)。
不活性気体雰囲気下でTOPO100gを150℃に加熱溶
解し、激しく撹拌しながらCuIn−TOP 溶液100c
cとTe−TOP(実施例1と同じ)100ccを加えた
後、250℃に昇温し約10分間反応させた(Teモル
数/TOPO質量=0.1%)。得られたナノ粒子の平均粒
径は12nm、変動係数は10%であった。Teモル数
/TOPO質量が1%では凝集物が再分散しなかった。実施
例1と同様に精製乾燥した後、n−ヘキサンを用いて
0.5g/ccの濃度で分散した(C−3a)。上記製
法において、反応温度を2000℃、反応時間を40分
とすることで平均粒径18nm、変動係数14%のコロ
イドを得た(C−3b)。さらに反応温度を250℃、
反応時間を60分とすることで平均粒径28nm、変動
係数25%のコロイドを得た(C−3c)。いずれの粒
子も表面にTOPOが吸着していることは、実施例1と同様
の方法で確認できた。
【0036】実施例4 直径120mm厚さ0.6mmのポリカーボネート上
に、C−1a〜3cをスピンコートし厚さ100nmの
記録層を作成し、その上に厚さ200nmの非晶質フッ
素樹脂(旭硝子製:サイトップ)をスピンコートし試料
1〜9とした。製膜後の記録層は一部結晶であったが、
測定に際し、最初に媒体面に4〜10mWのレーザーを
照射し十分結晶化させ、それを初期未記録状態とした。
さらに試料1〜9の記録層とそれぞれ同等の記録材料を
含有するようスパッタリング法でAg2 Te、AgIn
Te2 、CuInTe2 記録層を形成し、その上に厚さ
200nmの非晶質フッ素樹脂(旭硝子製:サイトッ
プ)をスピンコートし試料10〜12とした。これらの
試料は非晶質であり、試料1〜9と同様に初期化した。
に、C−1a〜3cをスピンコートし厚さ100nmの
記録層を作成し、その上に厚さ200nmの非晶質フッ
素樹脂(旭硝子製:サイトップ)をスピンコートし試料
1〜9とした。製膜後の記録層は一部結晶であったが、
測定に際し、最初に媒体面に4〜10mWのレーザーを
照射し十分結晶化させ、それを初期未記録状態とした。
さらに試料1〜9の記録層とそれぞれ同等の記録材料を
含有するようスパッタリング法でAg2 Te、AgIn
Te2 、CuInTe2 記録層を形成し、その上に厚さ
200nmの非晶質フッ素樹脂(旭硝子製:サイトッ
プ)をスピンコートし試料10〜12とした。これらの
試料は非晶質であり、試料1〜9と同様に初期化した。
【0037】パルステック製記録再生評価機DDU10
00を用いて記録特性を評価した。レーザ波長405n
m、NA0.6のピックアップを用いて、線速3.5m
/s、記録周波数4.35MHz、デューティ33%で
記録した。記録パワーを1mWおきに最大12mWまで
変化させて記録し、これを再生し、変調度が最大となる
出力を求め表1の結果を得た。変調度は、記録振幅を未
記録部の信号強度でわったもので定義する。レーザ光は
基板側から入射した。
00を用いて記録特性を評価した。レーザ波長405n
m、NA0.6のピックアップを用いて、線速3.5m
/s、記録周波数4.35MHz、デューティ33%で
記録した。記録パワーを1mWおきに最大12mWまで
変化させて記録し、これを再生し、変調度が最大となる
出力を求め表1の結果を得た。変調度は、記録振幅を未
記録部の信号強度でわったもので定義する。レーザ光は
基板側から入射した。
【0038】
【表1】
【0039】この結果から明らかなように、本発明のナ
ノ粒子コロイドはスパッタリング法の記録層よりは記録
可能となる出力が低い、すなわち高感度であることが分
かる。
ノ粒子コロイドはスパッタリング法の記録層よりは記録
可能となる出力が低い、すなわち高感度であることが分
かる。
【0040】実施例5 厚さ0.6mmのポリカーボネート上に以下の層構成を
有し、記録層としてC−2a〜2cおよびC−3a〜3
cをスピンコートした試料13〜18を作成した。第一
誘電体層、第二誘電体層、反射層はスパッタリングで作
成した。その上にUV硬化剤をスピンコートし、紫外線
硬化させ、UV硬化層を作成した。 厚み(nm) 第一誘電体層(ZnS/SiO2 =1/1) 80 記録層 20 第二誘電体層(ZnS/SiO2 =1/1) 20 反射層(アルミニウム) 160 UV硬化層 200 さらに試料13〜18の記録層をスパッタリング法でA
gInTe2 、CuInTe2 を記録層とした試料19
〜20を作成した。いずれもレーザー光で十分初期化し
た。
有し、記録層としてC−2a〜2cおよびC−3a〜3
cをスピンコートした試料13〜18を作成した。第一
誘電体層、第二誘電体層、反射層はスパッタリングで作
成した。その上にUV硬化剤をスピンコートし、紫外線
硬化させ、UV硬化層を作成した。 厚み(nm) 第一誘電体層(ZnS/SiO2 =1/1) 80 記録層 20 第二誘電体層(ZnS/SiO2 =1/1) 20 反射層(アルミニウム) 160 UV硬化層 200 さらに試料13〜18の記録層をスパッタリング法でA
gInTe2 、CuInTe2 を記録層とした試料19
〜20を作成した。いずれもレーザー光で十分初期化し
た。
【0041】パルステック製記録再生評価機DDU10
00を用いて記録特性を評価した。レーザ波長405n
m、NA0.6のレンズを通して基板側から入射し、媒
体面で1μmφ程度に絞り込むことによって行った。デ
ィスクの線速度は3.5m/s、記録周波数4.35M
Hz、デューティ33%とした。読みとりパワーは0.
7mWで行った。C/N比が飽和もしくは最大となった
ときのレーザーパワー(PW ) と最適消去パワー
(PE )および消去比を表2に示す。
00を用いて記録特性を評価した。レーザ波長405n
m、NA0.6のレンズを通して基板側から入射し、媒
体面で1μmφ程度に絞り込むことによって行った。デ
ィスクの線速度は3.5m/s、記録周波数4.35M
Hz、デューティ33%とした。読みとりパワーは0.
7mWで行った。C/N比が飽和もしくは最大となった
ときのレーザーパワー(PW ) と最適消去パワー
(PE )および消去比を表2に示す。
【0042】
【表2】
【0043】本発明の試料はいずれもPW 、PE が極め
て小さく、かつ良好なC/N比と消去比を与えることが
分かる。
て小さく、かつ良好なC/N比と消去比を与えることが
分かる。
【0044】さらに試料No.13,14,16,17
についてオーバーライトテストを実施した。2つの書き
込み周波数(f1=4.35MHz、f2=5.1MH
z)で交互にオーバーライトを実施し、1000回書換
後のC/N比と消去比を測定した。評価結果を表3に示
す。
についてオーバーライトテストを実施した。2つの書き
込み周波数(f1=4.35MHz、f2=5.1MH
z)で交互にオーバーライトを実施し、1000回書換
後のC/N比と消去比を測定した。評価結果を表3に示
す。
【0045】
【表3】
【0046】オーバーライトにより少し低下してはいる
が、いずれの試料も良好なC/N比と消去比を保ってい
る。
が、いずれの試料も良好なC/N比と消去比を保ってい
る。
【0047】
【発明の効果】本発明によれば、波長600nm以下の
短波長レーザー光を用いることにより従来の方法では実
現が困難であった高密度記録を実現し、ナノ粒子から成
る記録層を用いることにより従来の方法よりはるかに高
感度の書換型光記録材料を提供することができる。
短波長レーザー光を用いることにより従来の方法では実
現が困難であった高密度記録を実現し、ナノ粒子から成
る記録層を用いることにより従来の方法よりはるかに高
感度の書換型光記録材料を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 恵三 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 (72)発明者 脇 幸吉 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 (72)発明者 宇佐美 由久 神奈川県小田原市扇町2丁目12番1号 富 士写真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA32 EA33 EA43 FA01 FA14 FA21 FB04 FB08 FB11 FB17 FB18 FB20 FB22 GA00 5D029 JA01 5D090 AA01 BB03 BB05 CC01 DD02 FF11 KK06
Claims (9)
- 【請求項1】光応答材料として、表面が吸着性化合物で
修飾された平均粒径1〜20nmの金属カルコゲナイド
ナノ粒子を含む記録層を有することを特徴とする光記録
媒体。 - 【請求項2】該記録層が前記金属カルコゲナイドナノ粒
子を化学合成によりコロイド分散物として調製し、塗設
することにより形成されたことを特徴とする請求項1記
載の光記録媒体。 - 【請求項3】前記金属カルコゲナイドナノ粒子が、8
族、1B族、2B族および4〜6周期の3B、4B、5
B族から選ばれる少なくとも1つの元素と、6B族の少
なくとも1つの元素とを含むことを特徴とする請求項1
または2記載の光記録媒体。 - 【請求項4】前記金属カルコゲナイドナノ粒子コロイド
分散物が以下の工程により調製されることを特徴とする
請求項1〜3のいずれかに記載の光記録媒体。 (1) 8族、1B族、2B族、4〜6周期の3B、4B、
5B族から選ばれる少なくとも1つの元素を含む前駆体
溶液と、6B族元素の少なくとも1つの前駆体溶液を不
活性ガス雰囲気下100℃〜350℃で高沸点有機溶媒
中で混合し、反応させ、ナノ粒子を形成する工程、(2)
(1)の反応液に凝集剤を添加して、生成ナノ粒子を溶液
から凝集析出させ、上澄み液と分離する工程、(3)(2)の
ナノ粒子含有凝集物を有機溶剤により再分散する工程、
(4) さらに凝集析出と再分散を繰り返すことにより、該
ナノ粒子凝集物が有機溶剤中に再分散可能になる程度に
高沸点有機溶媒分子を吸着させたまま、前駆体形成有機
物と高沸点有機溶媒を除去する工程。 - 【請求項5】該ナノ粒子が結晶状態であることを特徴と
する請求項1〜4のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項6】基板上に第一誘電体保護層、記録層、第二
誘電体保護層をこの順に有することを特徴とする請求項
1〜5のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項7】請求項1〜6の光記録媒体が、第一の光エ
ネルギーを照射することにより該記録層中のナノ粒子を
非晶質状態とし、前記第一のエネルギーより小さい第二
の光エネルギーを照射することにより該記録層中のナノ
粒子を結晶状態とすることにより該記録層中のナノ粒子
を結晶状態とすることより反射率を変化させ、情報の記
録、再生、消去を繰り返しおこなう、書換型光記録媒体
であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載
の光記録媒体。 - 【請求項8】請求項1〜5の記録媒体が、光エネルギー
を与えることにより記録層中のナノ粒子および/または
近傍に不可逆的な状態変化を引き起こして反射率を変化
させ、情報の記録をおこなう、追記型光記録媒体である
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光記
録媒体。 - 【請求項9】請求項1〜8の光記録媒体に、波長200
〜600nmの範囲の発振波長の半導体レーザービーム
を用いて記録することを特徴とする光記録方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000169202A JP2001347756A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | 光記録媒体とこれを用いた光記録方法 |
TW090112784A TW522396B (en) | 2000-06-06 | 2001-05-28 | Optical recording media and recording process using thereof |
EP01113746A EP1162612A3 (en) | 2000-06-06 | 2001-06-05 | Optical recording medium and optical recording method |
US09/874,313 US20020006580A1 (en) | 2000-06-06 | 2001-06-06 | Optical recording medium and optical recording method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000169202A JP2001347756A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | 光記録媒体とこれを用いた光記録方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001347756A true JP2001347756A (ja) | 2001-12-18 |
Family
ID=18672093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000169202A Pending JP2001347756A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | 光記録媒体とこれを用いた光記録方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020006580A1 (ja) |
EP (1) | EP1162612A3 (ja) |
JP (1) | JP2001347756A (ja) |
TW (1) | TW522396B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002184034A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体とこれを用いた光記録方法 |
CN100428348C (zh) * | 2001-09-26 | 2008-10-22 | Tdk股份有限公司 | 光记录媒体及其记录*** |
US20030123380A1 (en) * | 2001-11-06 | 2003-07-03 | Aprilis, Inc. | Novel reading inhibit agents |
JP2003178419A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 記録媒体 |
US20040109750A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-10 | Klassen Perry J. | Hydraulic boom cart system |
ATE350750T1 (de) * | 2002-12-10 | 2007-01-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Optisches informationsaufzeichnungsmedium |
EP1575041B1 (en) * | 2002-12-13 | 2009-02-25 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing same |
US7670584B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-03-02 | International Business Machines Corporation | Inorganic metal chalcogen cluster precursors and methods for forming colloidal metal chalcogenide nanoparticles using the same |
EP2187393A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-19 | Thomson Licensing | Optical recording medium with write-once and rewritable properties |
KR20100086824A (ko) | 2009-01-23 | 2010-08-02 | 삼성전자주식회사 | 정보저장매체 및 그 기록/재생 장치 |
WO2022145084A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 株式会社フジクラ | 光メモリ、光回折素子、及び、記録方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4496957A (en) * | 1979-07-02 | 1985-01-29 | Xerox Corporation | Optical disk |
JPS6137490A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-22 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
JPS63251290A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用 |
JP3009899B2 (ja) * | 1989-09-13 | 2000-02-14 | 株式会社リコー | 情報記録媒体 |
JPH0628713A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Pioneer Electron Corp | 光ディスク |
JP3287648B2 (ja) * | 1993-06-07 | 2002-06-04 | 株式会社リコー | 相変化型情報記録媒体の記録同時ベリファイ方法及び相変化型情報記録ドライブ装置 |
US5889756A (en) * | 1996-07-25 | 1999-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change optical recording medium |
JP2002184034A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体とこれを用いた光記録方法 |
JP3681059B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2005-08-10 | 富士写真フイルム株式会社 | 光記録媒体を用いた光記録方法 |
-
2000
- 2000-06-06 JP JP2000169202A patent/JP2001347756A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-28 TW TW090112784A patent/TW522396B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-05 EP EP01113746A patent/EP1162612A3/en not_active Withdrawn
- 2001-06-06 US US09/874,313 patent/US20020006580A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1162612A3 (en) | 2008-09-24 |
TW522396B (en) | 2003-03-01 |
EP1162612A2 (en) | 2001-12-12 |
US20020006580A1 (en) | 2002-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6607845B2 (en) | Optical recording medium and optical recording method | |
CN1121031C (zh) | 信息记录媒体和应用该信息记录媒体的信息记录再生装置 | |
JP4537528B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2001347756A (ja) | 光記録媒体とこれを用いた光記録方法 | |
EP1223577A2 (en) | Phase change optical recording medium | |
JP4541192B2 (ja) | 追記型光記録媒体 | |
JPH0725200B2 (ja) | 情報の記録媒体 | |
JP2003020228A (ja) | 金属または金属−カルコゲンナノ粒子の液相合成法およびこれを用いた相変化光記録媒体 | |
EP1566802B1 (en) | Optical recording process | |
US6788626B2 (en) | Optical recording method using optical recording medium containing nanoparticles | |
JP2002298439A (ja) | 光記録媒体及び再生方法 | |
JP2002269757A (ja) | 光情報記録再生方法 | |
JP4109973B2 (ja) | 光記録媒体およびその超解像再生方法 | |
CN1685401A (zh) | 使用高熔点金属氧化物或氧化硅掩蔽层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质 | |
JPWO2002058060A1 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2002249318A (ja) | 硫化亜鉛コロイド分散液の製造方法、それを用いた光記録媒体の製造方法および光記録媒体並びに光記録方法 | |
JP2003013117A (ja) | 金属または金属−カルコゲンナノ粒子の液相合成法およびこれを用いた相変化光記録媒体 | |
JP2003001096A (ja) | 超音波を用いる金属カルコゲナイドコロイド粒子の合成法および該粒子含有光記録媒体 | |
JP3810025B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体、その光記録媒体の成膜方法、及び光記録方法 | |
JP2003109245A (ja) | 光記録媒体 | |
JP3969613B2 (ja) | 相変化型光記録媒体の製造方法 | |
JP2003039829A (ja) | 光記録媒体 | |
TW476942B (en) | Rewritable optical information medium | |
JP2827201B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2986897B2 (ja) | 情報記録媒体 |