JPH0628713A - 光ディスク - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 情報を高密度に記録したり、あるいは高密度
に記録された情報の再生を正確に行う。 【構成】 基板の上に直接又は中間層を介して、読み出
し又は書き込みのために照射される光ビームの径を絞る
ためのシャッタ層を備え、該シャッタ層は、半導体微粒
子を含有するように構成する。
に記録された情報の再生を正確に行う。 【構成】 基板の上に直接又は中間層を介して、読み出
し又は書き込みのために照射される光ビームの径を絞る
ためのシャッタ層を備え、該シャッタ層は、半導体微粒
子を含有するように構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、音声、映像等の各種情
報の信号を記録する光学式記録媒体である光ディスク、
特に情報を高密度に記録したり、あるいは高密度に記録
された情報の再生を正確に行うことができる光ディスク
に関する。
報の信号を記録する光学式記録媒体である光ディスク、
特に情報を高密度に記録したり、あるいは高密度に記録
された情報の再生を正確に行うことができる光ディスク
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、光ディスクは中央部にセンター
ホールを有し、このセンターホールの外周に螺線状につ
ながった1本のトラックとして情報が記録される。従
来、この種の記録ディスクは、図4(a)に示すよう
に、アクリル樹脂(Polymethyl methacrylate;PMMA)等
の透明なディスク基板11上に情報に対応する凹凸形状
の情報ピット部12が形成され、この情報ピット部12
が形成されたディスク基板11上に高い反射率のアルミ
ニウム膜15が蒸着され、このアルミニウム膜15上に
プラスチック等の保護層16を形成して構成される。
ホールを有し、このセンターホールの外周に螺線状につ
ながった1本のトラックとして情報が記録される。従
来、この種の記録ディスクは、図4(a)に示すよう
に、アクリル樹脂(Polymethyl methacrylate;PMMA)等
の透明なディスク基板11上に情報に対応する凹凸形状
の情報ピット部12が形成され、この情報ピット部12
が形成されたディスク基板11上に高い反射率のアルミ
ニウム膜15が蒸着され、このアルミニウム膜15上に
プラスチック等の保護層16を形成して構成される。
【0003】前記構成に基づく記録ディスクから情報を
再生する場合には透明なディスク基板11側からレーザ
光等の光ビーム30を再生の対象となるトラックの情報
ピット部12に投射し、図4(b)に示すように情報ピ
ット部12のないピット間の鏡面部で反射された反射光
31が「明」として検出され、また情報ピット部12で
反射された反射光32が「暗」として検出される。この
ように「明」、「暗」の反射光により情報ピット部12
の各記録ピット12a,12b,12c…に対応する情
報が再生されることとなる。
再生する場合には透明なディスク基板11側からレーザ
光等の光ビーム30を再生の対象となるトラックの情報
ピット部12に投射し、図4(b)に示すように情報ピ
ット部12のないピット間の鏡面部で反射された反射光
31が「明」として検出され、また情報ピット部12で
反射された反射光32が「暗」として検出される。この
ように「明」、「暗」の反射光により情報ピット部12
の各記録ピット12a,12b,12c…に対応する情
報が再生されることとなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の光ディスク
及びその再生方法は以上のように構成されていたことか
ら、相隣るトラックのトラックピッチを狭くして情報を
高密度化して記録した場合には、この高密度化した記録
ディスクの複数のトラックに亘って光ビームが投射され
ることとなるという問題を有していた。即ち、光ビーム
の波長に基づいてビームスポットの直径が定まることか
ら一般に、スポット径を小径化することには限界があ
り、この限界を越えた狭いトラックピッチで情報が記録
されると、図4(c)に示すように複数のトラックの各
情報ピット12a,12b,12cから反射光32の
「暗」(又は明31)という情報が同時に複数検出され
て情報再生を正確に行なえなくなるという不都合が生じ
ていた。
及びその再生方法は以上のように構成されていたことか
ら、相隣るトラックのトラックピッチを狭くして情報を
高密度化して記録した場合には、この高密度化した記録
ディスクの複数のトラックに亘って光ビームが投射され
ることとなるという問題を有していた。即ち、光ビーム
の波長に基づいてビームスポットの直径が定まることか
ら一般に、スポット径を小径化することには限界があ
り、この限界を越えた狭いトラックピッチで情報が記録
されると、図4(c)に示すように複数のトラックの各
情報ピット12a,12b,12cから反射光32の
「暗」(又は明31)という情報が同時に複数検出され
て情報再生を正確に行なえなくなるという不都合が生じ
ていた。
【0005】また、この一方で、書き込み可能な記録膜
を備える光ディスクであって、情報を高密度に記録する
ことができる光ディスクの開発も要望されている。本発
明はこのような課題を解決するためになされたもので、
情報を高密度に記録することができる光ディスクまた
は、この記録された情報の再生を正確に行なうことがで
きる光ディスクを提供することを目的とする。
を備える光ディスクであって、情報を高密度に記録する
ことができる光ディスクの開発も要望されている。本発
明はこのような課題を解決するためになされたもので、
情報を高密度に記録することができる光ディスクまた
は、この記録された情報の再生を正確に行なうことがで
きる光ディスクを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の光ディスクは、基板の上に直接又は中間層を介
して、読み出し又は書き込みのために照射される光ビー
ムの径を絞るためのシャッタ層を備え、該シャッタ層
は、半導体微粒子を含有するように構成した。
本発明の光ディスクは、基板の上に直接又は中間層を介
して、読み出し又は書き込みのために照射される光ビー
ムの径を絞るためのシャッタ層を備え、該シャッタ層
は、半導体微粒子を含有するように構成した。
【0007】
【作用】本発明の光ディスクの基板側から光照射が行な
われると、半導体微粒子を含有するシャッタ層でビーム
径が絞られる。
われると、半導体微粒子を含有するシャッタ層でビーム
径が絞られる。
【0008】すなわち、シャッタ層においては、ある光
強度以上の所だけ光が透過し、それ以外の所では光の透
過が抑制され、その結果としてビーム径がさらに絞られ
る。
強度以上の所だけ光が透過し、それ以外の所では光の透
過が抑制され、その結果としてビーム径がさらに絞られ
る。
【0009】
【実施例】以下、本発明の光ディスクを図1〜図3に基
づいて説明する。図1には、位相差を利用して記録、再
生を行う、いわゆる位相ピットを備えた第1実施例とし
ての光ディスク1が示される。
づいて説明する。図1には、位相差を利用して記録、再
生を行う、いわゆる位相ピットを備えた第1実施例とし
ての光ディスク1が示される。
【0010】この光ディスク1は、基板11と、この基
板11の上に形成されたシャッタ層17と、このシャッ
タ層17の上に形成された光反射層19とを備える。前
記基板11は、通常、ディスク形状をなし、基板11の
光ビームの光源側の面には平坦面11aが形成され、他
方の面11bには音声、映像等の情報に対応する複数の
情報ピット部12が形成される。
板11の上に形成されたシャッタ層17と、このシャッ
タ層17の上に形成された光反射層19とを備える。前
記基板11は、通常、ディスク形状をなし、基板11の
光ビームの光源側の面には平坦面11aが形成され、他
方の面11bには音声、映像等の情報に対応する複数の
情報ピット部12が形成される。
【0011】基板11は、通常、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート、ポリオレフィン系樹脂等の各種透明樹脂材
料から形成され、前記情報ピット部12は、通常、基板
11を射出成形などによって形成する時に同時に成形さ
れる。
ーボネート、ポリオレフィン系樹脂等の各種透明樹脂材
料から形成され、前記情報ピット部12は、通常、基板
11を射出成形などによって形成する時に同時に成形さ
れる。
【0012】このような基板11の情報ピット部12側
の上には、読み出し又は書き込みのために照射される光
ビームの径を絞るためのシャッタ層17が形成される。
このシャッタ層17は、ガラス又は樹脂のマトリックス
の中に、CdS、CdSe、CdSxSe1-x 、GaA
s、アモルファスSi、CdTe、CdSe、ZnO、
ZnS、ZnSe、ZnTe、GaP、GaN、AlA
s、AlP、AlSb、およびアモルファスSiCの中
から選ばれた少なくとも1種の半導体微粒子を分散させ
て形成される。
の上には、読み出し又は書き込みのために照射される光
ビームの径を絞るためのシャッタ層17が形成される。
このシャッタ層17は、ガラス又は樹脂のマトリックス
の中に、CdS、CdSe、CdSxSe1-x 、GaA
s、アモルファスSi、CdTe、CdSe、ZnO、
ZnS、ZnSe、ZnTe、GaP、GaN、AlA
s、AlP、AlSb、およびアモルファスSiCの中
から選ばれた少なくとも1種の半導体微粒子を分散させ
て形成される。
【0013】このようなシャッタ層17に含有される半
導体微粒子の含有量は、1〜80mol%より好ましく
は、5〜70mol%程度とされる。この値が80mo
l%を超えると、半導体微粒子どうしの凝縮がおこり、
微粒子として存在できないという不都合が生じ、この値
が1mol%未満となると、十分なシャッター効果が得
られない(シャッター開閉による透過率の差が小さい)
という不都合が生じる。
導体微粒子の含有量は、1〜80mol%より好ましく
は、5〜70mol%程度とされる。この値が80mo
l%を超えると、半導体微粒子どうしの凝縮がおこり、
微粒子として存在できないという不都合が生じ、この値
が1mol%未満となると、十分なシャッター効果が得
られない(シャッター開閉による透過率の差が小さい)
という不都合が生じる。
【0014】含有される半導体微粒子の粒径は、0.1
〜50nm、より好ましくは0.5〜30nmとされ
る。このような半導体微粒子を分散させるマトリックス
(母体)の材料としては、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、低アルカリガラス、石英ガラス等のガラス
や、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アモルファスポリオレフィン、エポキシ等
の樹脂が用いられる。このようなマトリックス材料は、
用いる光源の波長で十分な透明度をもつことが必要とさ
れる。
〜50nm、より好ましくは0.5〜30nmとされ
る。このような半導体微粒子を分散させるマトリックス
(母体)の材料としては、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、低アルカリガラス、石英ガラス等のガラス
や、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アモルファスポリオレフィン、エポキシ等
の樹脂が用いられる。このようなマトリックス材料は、
用いる光源の波長で十分な透明度をもつことが必要とさ
れる。
【0015】半導体微粒子をマトリックスに分散させる
方法は、マトリックスがガラスであるか樹脂であるかに
よって異なる。すなわち、マトリックス材料がガラスの
場合、高濃度の半導体構成成分を含むガラスを超急冷
法により作製し、その後の熱処理によって半導体微粒子
をガラスの中に析出させる方法、多孔質ガラスのポア
中に半導体微粒子を液相や気相より含浸する方法、半
導体微粒子が分散した溶液を、ゾルゲル法により固化す
る方法、スパッタなどの方法により半導体微粒子を含
むガラス薄膜を気相より成長させる方法などが挙げられ
る。
方法は、マトリックスがガラスであるか樹脂であるかに
よって異なる。すなわち、マトリックス材料がガラスの
場合、高濃度の半導体構成成分を含むガラスを超急冷
法により作製し、その後の熱処理によって半導体微粒子
をガラスの中に析出させる方法、多孔質ガラスのポア
中に半導体微粒子を液相や気相より含浸する方法、半
導体微粒子が分散した溶液を、ゾルゲル法により固化す
る方法、スパッタなどの方法により半導体微粒子を含
むガラス薄膜を気相より成長させる方法などが挙げられ
る。
【0016】この一方で、マトリックス材料が樹脂の場
合、半導体微粒子が分散させられた溶液と樹脂が溶解
された溶液とを混合し、この混合液を基板の上にスピン
コート法により成膜する方法、スパッタや蒸着などの
方法により、半導体微粒子を含む樹脂薄膜を気相により
成長させる方法などが挙げられる。
合、半導体微粒子が分散させられた溶液と樹脂が溶解
された溶液とを混合し、この混合液を基板の上にスピン
コート法により成膜する方法、スパッタや蒸着などの
方法により、半導体微粒子を含む樹脂薄膜を気相により
成長させる方法などが挙げられる。
【0017】このようにして形成されるシャッタ層17
の厚さは、0.005〜0.3μm程度とされる。シャ
ッタ層17の作用を、図3に基づいて説明する。図3は
本発明のシャッタ層を設けることによって、光ビームの
径がさらに絞られることを説明するための概略説明図で
ある。すなわち図3(a)はシャッタ層を設けない状態
でのビームプロファイルであり、図3(b)はシャッタ
層を設けた状態でのビームプロファイルである。(a)
および(b)に示されるプロファイルから分かるよう
に、シャッタ層を設けることによってビーム径を著しく
絞ることができ、従来読み出し出来なかった(図3
(a))1つの記録ピットを確実に読み出すことが出来
る(図3(b))。
の厚さは、0.005〜0.3μm程度とされる。シャ
ッタ層17の作用を、図3に基づいて説明する。図3は
本発明のシャッタ層を設けることによって、光ビームの
径がさらに絞られることを説明するための概略説明図で
ある。すなわち図3(a)はシャッタ層を設けない状態
でのビームプロファイルであり、図3(b)はシャッタ
層を設けた状態でのビームプロファイルである。(a)
および(b)に示されるプロファイルから分かるよう
に、シャッタ層を設けることによってビーム径を著しく
絞ることができ、従来読み出し出来なかった(図3
(a))1つの記録ピットを確実に読み出すことが出来
る(図3(b))。
【0018】なお、本発明の光ディスクが対象としてい
る読み出し又は書き込みのための光ビーム波長は、31
0〜890nmであり、実際、具体的に用いる波長に応
じて、シャッタ層17の組成が適宜、選定される。
る読み出し又は書き込みのための光ビーム波長は、31
0〜890nmであり、実際、具体的に用いる波長に応
じて、シャッタ層17の組成が適宜、選定される。
【0019】このようにして形成されたシャッタ層17
の上には光反射層19が形成される。光反射層19は、
Au,Ag,Cu,Al等の金属から構成され、このも
のは真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング
等の各種真空成膜法で成膜される。このような光反射層
19の厚さは0.03〜0.3μm程度とされる。
の上には光反射層19が形成される。光反射層19は、
Au,Ag,Cu,Al等の金属から構成され、このも
のは真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング
等の各種真空成膜法で成膜される。このような光反射層
19の厚さは0.03〜0.3μm程度とされる。
【0020】なお、本発明の基板11とシャッタ層17
との間や、シャッタ層17と光反射層19の間には、Z
nS、SiO2 あるいはこれらの混合物等の各種中間層
を設けてもよい。さらに光反射層19の上には、各種保
護膜を設けてもよい。
との間や、シャッタ層17と光反射層19の間には、Z
nS、SiO2 あるいはこれらの混合物等の各種中間層
を設けてもよい。さらに光反射層19の上には、各種保
護膜を設けてもよい。
【0021】図2には、反射率の差を利用して記録、再
生を行ういわゆる反射率の差を生ぜしめるピットを備え
る光ディスク2が第2実施例として示される。この光デ
ィスク2は、基板13と、この基板13の上に形成され
たシャッタ層17と、このシャッタ層17の上に形成さ
れた記録膜18とを備えている。この第2実施例で用い
られる基板13の表面上には第1実施例のように記録ピ
ットが形成されておらず、その代りに後述する記録膜1
8が設けられ、この記録膜18に記録ピット部が形成さ
れる。シャッタ層17は、前記第1実施例ですでに説明
したそれと同様である。
生を行ういわゆる反射率の差を生ぜしめるピットを備え
る光ディスク2が第2実施例として示される。この光デ
ィスク2は、基板13と、この基板13の上に形成され
たシャッタ層17と、このシャッタ層17の上に形成さ
れた記録膜18とを備えている。この第2実施例で用い
られる基板13の表面上には第1実施例のように記録ピ
ットが形成されておらず、その代りに後述する記録膜1
8が設けられ、この記録膜18に記録ピット部が形成さ
れる。シャッタ層17は、前記第1実施例ですでに説明
したそれと同様である。
【0022】記録膜18は光照射の記録により、光照射
された部分と、光照射されなかった部分との間で反射率
の差がとれるような材料から形成される。これらの材料
の一例を挙げると、非結晶質と結晶質との間の相変化を
利用して情報を行う、As−Te−Ge系、Sn−Te
−Se系、TeOx(0<X<2)、Sb2 Se3 、B
i2 Te3 等の相変化タイプの記録膜材料がある。さら
に、Te系材料の無機系の薄膜やシアニン色素、フタロ
シアニン色素等の有機色素薄膜を用いたピット形成によ
る記録材料等も記録膜18材料の一例である。その他、
光磁気メモリーに用いられるTbFeCo、GdCo、
PtCo等の材料も挙げられる。
された部分と、光照射されなかった部分との間で反射率
の差がとれるような材料から形成される。これらの材料
の一例を挙げると、非結晶質と結晶質との間の相変化を
利用して情報を行う、As−Te−Ge系、Sn−Te
−Se系、TeOx(0<X<2)、Sb2 Se3 、B
i2 Te3 等の相変化タイプの記録膜材料がある。さら
に、Te系材料の無機系の薄膜やシアニン色素、フタロ
シアニン色素等の有機色素薄膜を用いたピット形成によ
る記録材料等も記録膜18材料の一例である。その他、
光磁気メモリーに用いられるTbFeCo、GdCo、
PtCo等の材料も挙げられる。
【0023】なお、本発明の第2実施例の基板13とシ
ャッタ層17との間や、シャッタ層17と記録膜18と
の間には、ZnS、SiO2 、あるいはこれらの混合物
等の各種中間層を設けてもよい。
ャッタ層17との間や、シャッタ層17と記録膜18と
の間には、ZnS、SiO2 、あるいはこれらの混合物
等の各種中間層を設けてもよい。
【0024】さらに、記録膜18の上には、Au、A
g、Al、Cu等の反射膜や、ZnS、SiO2 等の保
護膜を設けても良い。なお、本実施例では主として読み
出し光のビーム径を絞ることを中心にして説明してきた
が、もちろん書き込み光のビーム径を絞り、高密度記録
に適用できることは言うまでもない。
g、Al、Cu等の反射膜や、ZnS、SiO2 等の保
護膜を設けても良い。なお、本実施例では主として読み
出し光のビーム径を絞ることを中心にして説明してきた
が、もちろん書き込み光のビーム径を絞り、高密度記録
に適用できることは言うまでもない。
【0025】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光ディスク
では、基板の上に直接又は中間層を介して、読み出し又
は書き込みのために照射される光ビームの径を絞るため
のシャッタ層を備え、該シャッタ層は、半導体微粒子を
含有するように構成しているので、情報を高密度に記録
したり、あるいは高密度に記録された情報の再生を正確
に行うことができる。
では、基板の上に直接又は中間層を介して、読み出し又
は書き込みのために照射される光ビームの径を絞るため
のシャッタ層を備え、該シャッタ層は、半導体微粒子を
含有するように構成しているので、情報を高密度に記録
したり、あるいは高密度に記録された情報の再生を正確
に行うことができる。
【図1】本発明の光ディスクの一例の構造を説明するた
めの概略半片断面図である。
めの概略半片断面図である。
【図2】本発明の他の光ディスクの一例の構造を説明す
るための概略半片断面図である。
るための概略半片断面図である。
【図3】本発明のシャッタ層を設けることによって、光
ビームの径がさらに絞られることを説明するための概略
説明図であって、(a)はシャッタ層を設けない状態で
のビームプロファイルであり、(b)はシャッタ層を設
けた状態でのビームプロファイルである。
ビームの径がさらに絞られることを説明するための概略
説明図であって、(a)はシャッタ層を設けない状態で
のビームプロファイルであり、(b)はシャッタ層を設
けた状態でのビームプロファイルである。
【図4】(a)は情報が記録された状態を模式的に示す
ための光ディスクの部分切り欠き断面図であり、(b)
は読み出しの原理を説明するための図、(c)は高密度
に記録された情報の再生を行う場合に生ずる従来の不都
合を説明するための図である。
ための光ディスクの部分切り欠き断面図であり、(b)
は読み出しの原理を説明するための図、(c)は高密度
に記録された情報の再生を行う場合に生ずる従来の不都
合を説明するための図である。
1,2…光ディスク 11,13…基板 17…シャッタ層
Claims (3)
- 【請求項1】 基板の上に直接又は中間層を介して、読
み出し又は書き込みのために照射される光ビームの径を
絞るためのシャッタ層を備え、該シャッタ層は、半導体
微粒子を含有することを特徴とする光ディスク。 - 【請求項2】 前記シャッタ層は、ガラス又は樹脂のマ
トリックスの中に、CdS,CdSe、CdSxSe
1-x 、GaAs、アモルファスSi、CdTe、CdS
e、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaP、G
aN、AlAs、AlP、AlSb、およびアモルファ
スSiCの中から選ばれた少なくとも1種の半導体微粒
子を分散させてなることを特徴とする請求項1記載の光
ディスク。 - 【請求項3】 前記半導体微粒子は、シャッタ層中に5
〜70mol%の割合で含有されることを特徴とする請
求項1または請求項2に記載の光ディスク。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4185041A JPH0628713A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 光ディスク |
US08/087,320 US5456961A (en) | 1992-07-13 | 1993-07-08 | High density optical disk |
DE69318634T DE69318634T2 (de) | 1992-07-13 | 1993-07-13 | Optische Platte mit hoher Speicherdichte |
EP93305481A EP0580346B1 (en) | 1992-07-13 | 1993-07-13 | High density optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4185041A JPH0628713A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 光ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0628713A true JPH0628713A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16163763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4185041A Pending JPH0628713A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 光ディスク |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5456961A (ja) |
EP (1) | EP0580346B1 (ja) |
JP (1) | JPH0628713A (ja) |
DE (1) | DE69318634T2 (ja) |
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