JPS6137490A - 光学的情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、レーザー元等の高密度エネルギービームを用
いて情報の記録、再生金行なう光学的情報記録媒体及び
その製造方法に関し、更に詳しくは、記録層が、金属カ
ルコゲン化ｗｒｉみ王とし℃銅から成る微粒子が親水性
コロイド中に分散されて成る光学的情報記録媒体及びそ
の＃遣方法に関するものである。

〔従来技術〕

レーザー元等の高密度エネルギービームを利用して情報
の記録、再生が行なわｉる記録媒体ＶＣ１６いて、記録
直後に後処理を施工ことな（その情報ｔ−［１１再生す
ることができる［ＤＲＡＷ　（ＤｉｒｅｃｔＲｅａｄ　
Ａｆｔｅｒ　Ｗｒｉｔｅ　）Ｊ　％注ｋ”ｆｆする記録
媒体、またけ記録した情報を任意に消去’５ｆ能な記録
媒体等全文書ファイル、画像ファイル等映像情報のメモ
リ媒体として用いることが最近注目に集めている。

このような光学的情報記録媒体［ｊｃｔける記録層とし
ては、従来から種々のＭｉ成のものが知られているが、
その−例として、テルル、ビスマス、セレン等の牛金属
、またはこれらの酸化物（山下ら、第２８回応用物理関
係連合講演会講演予稿集第１４１頁（１９８１）入セＶ
ンーテルルーヒ素（Ｍ、　Ｔｅｒａｃｅ　ｅｔ　ａｌ　
、、Ｐ、Ａｐｐｌ　、Ｐｈｙｓ、、　５０，１８６８８
１頁（１９７９）　）、デルルーヒ素等のカルコゲン系
化合物ニジ成る薄膜記録層がある。しかしながらこのよ
うな薄膜記録層は、記録層圧含有された化合物の酸化に
よる劣化が原因となって記録情報の再生時に８ける誤１
ジ率が増大し、更に用いる化合物の中には有毒なものも
多（、安全性に対する信頼度が低いという欠点？有して
いる・これらの欠点ｔｗ＃消したものとしては、特開昭
５７−１２４２５４、同５７−２４２９０号及び同５Ｉ
７−３９９８９号の各公報に開示されているように、バ
インダー中に平均粒径５０ｎ１ｍ以下の金属微粉末を分
散して成る記録層盆石する光学的情報記録媒体がめる。

しかしながら、この記録媒体は黒体微粉末を分散して成
る記録層ｋｌ’ｉｆして８り、Ｖ−ザー尤照射による記
録層の反射性増大に工って記録を行なう方式に用いられ
るものでるるため、記録層の反射性低下Ｔ／ｃよって記
録を行なう方式に用１・られる記録媒体に比して、トラ
ッキング信号が得られくくいという欠点ｔ［している〇 記録層の反射性低下によって記録を行なう方式に用いら
れる記録媒体の具体的−例としては、特開昭５６−１０
４９１号公報に開示されたものｔ挙げることができる。

この記録媒体は１重合体から成るバインダー中に金属ま
たはその酸化物の微粒子を分散させた記録層を有するも
のであり、金属またはその酸化物の微粒子は２０〜１５
０八〇粒径を肩するものでるる。しかしながら、この記
録媒体は、有毒なＴｉ機溶媒を用い、金属がルゼニルを
出発原料として微粒子音形成して製造されるので。

製造時の作業環境に問題を生じるばかりでなく。

微粒子が不安定であって速やかに酸化され、記録層が厚
さ方向について不均質となる欠点がみられ、また金属ま
たはその酸化物の微粒子の分散媒としてのバインダーが
、親油性重合体でろるので、いわゆる水系塗布ができず
製造時の作業環境が衛生の而からも好ましくない。更に
この記録層は七の反射率が３０％以下と低いため１反射
元読み出し型光学的情報記録媒体としては好ましくない
。

記録層の反射性低下によって記録を行なう方式に用いら
れる記録媒体の他の具体例としては、特開昭５５−１０
８９９５号、同５６−３３９９５号、同５６−４９２９
６号及び同５６−４９２９７号の各公報に開示されたも
の？挙げることができる。この記録媒体は、支持体上に
設けられたハロゲン化鋏乳剤層の表面近傍に写真的な化
学現像及び物理現像にＪ−り反射性銀粒子に析出させた
記録層ｔ−Ｍするもので５９、銀に比して熱絶縁性に優
れたゼラチンを含有する点で、高感度な光学的情報記録
媒体でめるということができる。しかしながら、この記
録媒体に８いては、その記録層は３〜６μｍの厚すを有
しているため％感度に限界がみられるばかりでなく、厚
さ方向に８いて銀ａ度に勾配が生じ、その表面近傍のみ
が旨反射性となるので、支持体を通して記録、再生を行
なう方式には通用することが内端である。

−１、上述の従来技術勿開示した各公報においては、主
として支持体上の記録層表面が反射性となる記録媒体に
ついてのみ記載されて′ｉ６り、このような記録媒体は
、塵埃から記録層表面のピットを保護するために、酸化
シリコン或いはポリメチルメタクリレート等の保護層が
設けられるかまたは記録媒体全体がカプセル化されてい
ることが必要であり、従って保護層を塗設する工程また
はカプセル化する工程などの工程が必要となる。

このような煩雑さ’に：ｉｆｆるためにポリメチルメタ
クリレート或いはガラス等の透明支持体２通して記録す
る方法が通常用いられ、′この場合記録媒体の両側に透
明支持体ｋｊｉねて設けること等が知られている。

本発明者等は、斯かる透明支持体ｒ通して光学的な記録
、再生を行なうのにコ凶切な記録媒体ケ特願昭５７−４
３３０５号明細書によって提案した。この記録臨休は、
透明支持体と記録層との界面近傍の反射性銀粒子させ、
実用ｉ”Ｊ　ＯＦ＝な反射性β・当該界面近傍に住じさ
せるように透明支持体上に薄膜の物理現像核層を設けた
ものである。この記録媒体は、透明支持体を通して反射
光にエフ情報を読み取シ、元号なシグナルコントラスト
を得るために必′９．な反射性上層している。

本発明者等は上述の提案技術に係る記録媒体について研
究を続けた粕来、さらに特願昭５８−４２２０２号明細
書くよって、主として銅より成る微粒子が親水性コロイ
ド中に含有されて成る記録層？１？肩する光学的情報記
録媒体を提案した。この記録媒体は、銀、金、ノラジワ
ム、コバルト、ニッケル等を用いたものに比して極めて
安価であシ、水銀、鉛を用いたものに比して毒性が十分
に少なく作業環境の衛生の点から好ましいものでめり、
しかも高感度で安定性に優れている。

しかしながら、上記の記録媒体にＳいて新たな問題点が
判明した。即ち、記録層は一般的には薄層であるはと感
度が高くなることが刈られているが、上記のような記録
層Ｋｇいて、＠理現像核層即）析出核が分散された析出
核層を薄層化すると、得られる記録層に８いＣは、Ｖ−
デー光等の高密度エネルギービームに対する反射率また
は吸収率が悪化し、このため記録時または再生時゛にに
、いて十分な感度が得られない場合かめる。

このようなことから鋭意研究ｔ′Ｎねたところ、写真業
界に？いて従来知られている物理現像核は、還元剤の存
在下でＡｇ　　ｋ還元することにより金属銀全析出する
だめの析出核であるため、このような析出核を用い又錯
化剤の存在下でＣｕ　　の不均化反応により金楓銅を析
出せしめる場合には、銅の析出が必ずしも十分なものと
はならず、従って析出核層を薄層化すると銅の析出が一
層不十分となって得られる記録層の感度が低１すること
が判明した。特に析出核層が０．０５μｍ以下１、さら
には０．０１μｍ以下とする場合には上記欠点が著しく
大きくて薄層化による利益會十分に祷ることができない
。

〔発明の目的〕

本発明は以上の如＠事情に基いてなされたものでおって
、その目的は、記録ビーム及び再生ビームに対する吸収
率及び反射率の大きい記録層を有し、感度の高い記録、
再生で行なうことができる光学的情報記録媒体ｔ−提供
することにある。

本発明の他の目的は、反射性記録層の形成に８いて、薄
層化ケ十分に達成しながら銅の粒子数密度？高（するこ
とができ、Ｗｉ局感度の高い記録、再生７行なうことが
できる光学的情報記録媒体？有利に製造することができ
る方法全提供することＫめる。

〔発明の構成〕

以上の目的は、支持体上に反射性記録層を設けてなる光
学的情報記録媒体に８いて、前記反射性記録層は、金属
カルコゲン化’ｍｉ含み主として銅からなる微粒子が親
水性コロイド中に分散されてなるものであることを−特
徴とする光学的情報記録媒体及び支持体上忙反射性記鎧
層會設けてなる光学的情報記録媒体の製造方法に２いて
、析出核層に８ける金属カルコゲン化物からなる析出核
に銅？析出せしめることにより、金属カルコゲン化物を
含み主として銅からなる微粒子が親木性コロイド中に分
散されてなる反射性記録層に形成する工程を有すること
を特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法によって達
成される。

本発明に８いては、支持体上Ｋ、’Ｎ−１及び・カルコ
ゲン化物からなる微粒子が親水性コロイド中に分散され
てなる反射性記録層に８！ｌｆ″′Ｃ元学的情報記録媒
体を構成する。

そして本発明の製造方法に？いては、支持体上に設けた
析出核層にｓａ！ｄる金属カルコゲン化物からなる析出
核に銅？析出せしめることにニジ、銅及び金属カルコゲ
ン化物からなる微粒子が親水性コロイド中に分散されて
なる反射性記録層ヶ形成し、もって光学的情報１己録媒
体を得る。

本発明の好ましい実施態様にｋいては、記録層の厚さが
例えば０．０１−０．５μｍでるり、銅像粒子の平均粒
径が例えば０．００５〜０．２μｍであり、１だ支持体
が透明であってこの叉持体孕通して記録。

再生でれる方式に用いられるものでめろことである。ま
た銅微粒子の粒子数密度が１Ｘ１０１５〜１×１０１８
１【ｉ３でめることが好ましい。このように粒子数密度
を制御することによって、記録層における記録ビームの
吸収率がより同上し、かつ支持体・側の記録層界面近傍
での反射性自主及び反射ムラの減少がみられ、感度及び
ＳＮ比業より高くでき、更に均−憔及び安定性に優れた
記録媒体となる。

本発明に３いては、記録層ｔ、支持体上に塗設された析
出核層ｒ析出処理することによって得られた反射性のも
のとするので、親水性コロイドを含む析出核層中に含有
される銅微粒子数？一定に保５つつ、析出処理によって
その平均粒径を増大せしめることができ、そのため均一
分散性の艮好な記録層金容易に製作することができる。

本発明に’Ｊ６いては析出処理により記録層が形成され
るので、析出核層中の析出核密度、析出核層の厚さ及び
析出処理条件？制御することによって、好適な粒子数密
度全Ｍする銅微粒子全分散して成る記録層？得ることが
できる。尚、銅微粒子の粒子数密度は、得られた記録媒
体の記録層の厚き、記録層中にｆＷ３れる鋼の量及び銅
微粒子の平均粒径ｔ。

例えばｔ＋顕微鏡に裏って測定することにエフ容易に計
ｎすることができる。

以下、図面を参照しなから本＠ＢＡｒ更Ｉ／ｃ具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されるも−のではない
。

第１図は、光学的情報記録媒体前駆体（析出処理する前
の媒体ｒ’ｘ学的情報記録媒体前駆体と称す。）の構成
の一例全示す断面図である。図に８いて、１は支持体、
２は析出核？含んだ析出核層で、親水性コロイド分散媒
中に析出核を分散せしめた層でめジ、３は上記析出核層
２上に積層して設けられた銅化合物官有層である。

以上ＶｃＭいて、支持体の材質としては、高密度エネル
ギービームに対して実質的に透明なものであれば任意の
ものｔ用いることができ、その具体例としては、トリ酢
酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーゼネート、セラミック、ポ
リイミド樹脂、ガラス、金属等業挙げることができる。

支持体は下引処理されていることは必ずしも必要ではな
いが、下引処理されているものが好ましい。この場合の
下引処理剤としては、例えばシランカップリング剤、ケ
イ酸塩及びチタンカップリング剤等を用いろことができ
、特に米国特許第３，６６１，５８４号明細書に記載さ
れているシランカンプリング剤が好フしい。

また、コロナ放電処理、プラズマ放電処理、イオンゼン
パードメントなどの異面処理が接着性改良のために支持
体になされていても工い。また記録？工び再生位置の正
確な設定のための案内溝（微細なレリーフ状）？！−Ｍ
する支持体も同様に用いるＣとができる。

前記析出核層の形成に８いては、析出核物質と己て金属
カルコゲン化ｗｈ用いる。この金属カルコゲン化物とし
ては、例えばクロム、鉄、コノ９ルト、ニッケル、銅、
亜鉛、ログ９ム、パラシワム、銀、カドミ９ム、インジ
９ム、スズ、アンチモン、イリジウム、白金、金、水銀
、タリウム、鉛、ビスマスなどの金属の硫化？！７また
はセレン化物或いはテルル化？！７などｔ挙げることが
できる。このうち銀、ニッケル、パラクロムの硫化物が
好１しく、特にパラクロムの硫化物が好ましい。こりノ
ぞラジウムの硫化物の微粒子表面はイオウイオンに工す
電荷を帝びて３ｖ水との親和性が高いため、析出核層に
均一でしかも安定に分散ぜしめることができ、従って銅
の析出処理？良好に行なうことができ、その結果銅像粒
子が晶い均一度で分散された反射ムラのない記録層？得
ることができる。

本発明にＫいて、析出核は上記の如き金属カルコゲン化
物金蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法等の
適宜の方法によって支持体上に設けることもできる。Ｃ
のような蒸着法、スノぐツタリング法、化学的気相成長
法等の方法は半ば析出核１ｒ＠んだ層全非常に糟（でき
１、従って記録用、ビームのエネルギー？Ｍ効に利用す
ることができる点で利益がめジ、この場合の膜厚は５〜
１０００Ａであり、好ましくは２０〜５００Ａでめる。

前記析出核音形成する微粒子の粒径は効果的な析出処理
全行なうためには元号に小さいことが必要であり１例え
ば５〜２０００Ａ′ｔ″あり、好）しくはｌＯ〜５００
Ａである。

上記の如き析出核層を支持体上に設ける方法は任意でろ
る。例えば（１）上記析出核＠ＩＸｔ−栽水性コ親水ド
分散媒中に分散した液を支持体上に塗布することＫよっ
て析出核層を得てもよいし、〔２〕支持体上に上記析出
核物質の薄膜を蒸着法又はス）Ｒツタリング法にＬつ工
形成した後に、親水性コロイド分散媒全オーバコートす
ることによって析出核層を得ても工いし、〔３〕またこ
れとは違和、親水性コロイド分散媒を支持体上に塗布し
てから析出核物質の薄膜ケ蒸着法又はスパッタリング法
によって形成して析出核層を得てもよい。これらのうｈ
好ましいのは上記（１）又は〔２〕の方法である。なお
前記蒸着法、スパッタリング法に代えて化学的気相成長
法や液相形成法等を用い又もよい。

また、このとき用いる塗布法としては、ブレード塗布、
エアーナイフ塗布、バー塗布、ロール塗布、カーテン塗
布及びスピンナー塗布などの任意の塗布方式業採用でき
る。このようにして得られる析出核層の膜厚は例えば０
．００１〜０，５μｍ程度でるり。

好ましくは０．００１〜０．０５μｍである。析出核層
に３いて、親水性コロイドと析出核との重量比は。

約１０：１−１：１００でめり、このときの析出核の密
度は約１Ｏ１７〜１０２０個／ｃｒｎ３でめる。

前記析出核Ｎ？影形成るコロイド分散媒とし℃は、析出
核がコロイド粒子とし℃安定に均一に存在し得るような
公知の親水性コロイド分散媒勿便用することができ、そ
の具体例としては１例えばゼラチン、アルカリ処理ゼラ
チン、酸処理ゼラチン及びゼラチン誘導体、コロイド状
アルブミン、カゼイン、セルロース誘導体（カルＩキシ
メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等）、
糖訪導体（アルギン酸ナトリ９ム、澱粉誘導体等）。

合成Ｒ水性高分子（ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン。

ポリアクリル酸共重合体）等？挙げる０とができる。こ
れらは必要に応じて２種以上を組合せて用いることもで
きる。これらのコロイド分散媒の中好ましいものは熱伝
導性の低い親水性コロイドでアク、七ツマーユニットと
して少な（ともアクリル酸の塩またはメタクリル酸の塩
ｒ含Ｎｊる共重合体組成のアクリルｒＲ側脂、水溶性の
セルロース誘導体及びゼラチンが望ましい。これに対し
、疎水性の高分子物質は保護コロイド性か弱（しかも銅
イオンの拡散金伴う析出処理の進行を防げるので好まし
くない。

前記銅化合物含有層、即ち上記析出核層の析出核に析出
処理によって銅原子？供給する〜の形成に用いる銅化合
物としては、ＣｕＣ１、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ等のハロゲン
化第−銅またはこれらの混晶体、ＣｕＳＣＮ’Ｅたは（
’ｕｃＪ２、ＣｕＢｒ２　、ＣｕＩ２等のハロゲン化第
二銅またはこれらの混晶体、ＣｕＳＯ４、Ｃｕ　（ＮＯ
５）２等？用いることができる。特に銅原子の析出核へ
の供給ケ効率良く行なうためには前記銅化合物含有゛層
が難溶性の塩の分Ｗｊ１．層でるることが好１しく、Ｃ
の場合には特にハロゲン化第−銅が好適に用いられろ。

前記銅化合物は、析（支）核層中に＠′ｌれていてもよ
く、析出核層上に別の含有層として設けられていてもよ
い。

好１しく用いられるハロゲン化第−銅乳剤は特願昭５６
−２４６６９号明細書及び七の引用分献に記載されてい
る方法によｐＦＡ製することができる。

即ち、親水性高分子化合物デ含有する酸性水溶液中にお
い℃、二価の銅イオン？還元剤によって還元することに
よυノ・ｑグン化８Ｒ−銅乳剤ケ得る。

銅化合物言ｗＮ？ｒ−塗布により形成する場合の塗布液
には、０．１〜２０重量％の割合で親水性保ｉ？ヘコロ
イド？含有せしめるのが好ましい。こσ〕ような親水性
保静コロイドとしては、例えばゼラチン、ゼラチン誘導
体、アラビアゴム、アルブミン、９Ｊ。

天、その他の天然高分子化合物、ポリビニルアルコール
、ポリビニルピロリドン、セルロースエーテル、酢酸セ
ルロースの部分的加水分解物、その他の合成高分子化合
＠ｉ挙げることができる。またこの親水性保護コロイド
は、析出核層の膨潤及び溶出金防止する観点から保水性
の高い万が好ましい。塗布方法としては、スピンナー塗
布が好増しく、回転ｉｔｘは例えば２００〜１０００　
ｒｐｍである。

第２図は、前記光学的情報記録媒体前駆体ヶ析出処理し
た後の元竿的情報記録媒体の構成の一例を示す断面図で
ある。図に８いて、４は析出処理により銅が供給されて
反射性？呈し、当初の析出核奮含んだ層が変化したとこ
ろの記録層でめジ、この記録層４の支持体側界面近傍に
３いても析出が進行しこの記録層４全体に銅微粒子が存
在している。５は析出処理の結果として銅の量が減少し
た銅化合物分散層である。

前記記録層４の形成のため”の析出処理は１次のような
メカニズムに従って行なわれる。

（１）銅化合物含有層に含まれる銅化合物による第一銅
イオン又はその錯イオンの生成及びそれらイオン種の析
出核への拡散過程 （２１析（支）核上にｊｄける第一銅イオン種より生成
した金属銅の成長過程 第１の過程（１１Ｆｉ、銅化合物含有層の銅化合物が第
一銅化合物である場合には、それが析出処理液に溶解し
拡散する過程であり、−万銅化合物が第二銅化合物であ
る場合にはそれが析出処理液に溶解した上、析出処理液
中に含有される適当な還元剤によって第二銅イオンが第
一銅イオンとなり。

これが拡散する過程である。

また第２の過程（２７は、下記式による第−鋼イオンの
不均化反応の生ずる過程である。

２　Ｃｕ”　ｄ　Ｃｕ　十Ｃｕ２＋ 斯かる不均化反応を利用することにより、銅イオン七還
元することによυ金楓銅を生成せしめる方法に比して悌
めて有利に析出処理？達成することができる。即ち、銅
イオンの還元反応に？ける標準水素電極を基準とする標
準単極電位Ｅは次の通りでるる。

Ｃｕ”＋ｅ−，＝ＩＣｕ　　　　Ｅｘｏ、５２０（Ｖ）
Ｃｕ　　＋２ｅ　　ｄｃｕ　　　Ｅ−０，３３７（Ｖ）
このように銅の標準単極電位Ｅの値は決して大きなもの
ではなく、従って銅イオンを還元反応によって還元する
ためには還元力の相当に大き−・還元剤上用いることが
必要となるが、斯かる還元剤？用いることは実用上困難
な問題を伴う。

上述の不均化反応會促進するためには、第一銅イオンＣ
ｕ＋の濃度が高いこと、第二鋼イオンＣｕ２＋が系外に
除去されればよいが、ノ・ロゲン化第−銅化合ｑｌ！！
Ｉは例えばハロゲン化銀に比して水に対する＃解反がｉ
情く、従って適用された析出処理教にｊｄける第一銅イ
オン？高濃度に維持することが容易である。１だ第二銅
イオンの除去は、これと錯体を形成するキｖ−）剤を用
いて行なうことができる。

以上のように、記録層の形成のための析出処理は、第一
銅イオンの不均化反応によるものでめり、従来の銀？利
用するもののように還元反応によるものではない。即ち
、ハロゲン化銀乳剤による析出処理は、Ａｇ　錯合体の
析出核への拡散とそこでの還元反応によって行なわれる
（例えば。

Ｔ、Ｈ，Ｊａｍｅｓ　、　”１’ｈｅ　Ｔｈｅｏｒｙ　
ｏｆ　ｔｈｅ　Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ　Ｐｒｏｃｅ
ｓｓ”第１６章（１９６６）及び特開昭５６−４９２９
６号公報参照）。これに銀イオンの標準単極電位が約０
．８００　（Ｖｌと高（て容易に還元されるからでおる
。

以上りことから、前記記録層の形成のための析出処理に
は、既述の第１の過程及び第２の過程の進行？促進する
化合ｖｌン言Ｍする析出処理液ｒ用いることが必要であ
り、具体的には、第一銅イオンに対しては過当な大きさ
の配泣り目ｔＭし、第二銅イオンに対しては一層大きな
配位能を石する化合物または化合物系紫含有する析出処
理液が好〕しく用いられる。更に、銅イオンの諒が第二
銅化合物であるときには、第一銅イオンに還元するため
に必要な、従って適当な大きさの還元性に’ＩＮする化
合物音含有する析出処理液が用いられる。

析出処理のために好適圧用いることができる析出処理液
としては、下記に示す第１群、第２８＋及び第３群から
選ばれた少なくとも１種類牙処Ｆｌ！刑として＠肩する
アルカリ性水浴液孕挙げることができる。

第１９：　４−アミンフェノール類及び３−ピラゾリ　
ン類 第２群ニアミノ酸訪導体、脂肪族カルゲン藪、オキシカ
ルゼン酸、ケトカルボンν、芳香族カルボン酸、アミン
類、キノリン誘導体、アミノカルボン酸及びピリジン誘
与体 第３群：下記一般式で示されるアスコルビン酸誘導体及
び七のアルカリ金属塩 −股式 ｏＨ＋・ 〔式中、Ｒは水素原子または水酸基を表わし、ｎは１〜
４の正の整数勿衣ゎ丁。但し、ｎｓ−１のときはＩｔは
水酸基のみ７表ゎ丁。〕 また必要に応じ℃前記３種の群から選ばれた少なくとも
２棚ｇ４以上のものｔ組み合せて用いてもよい。

前記外１群に含１れる４−アミノフェノール類の中で好
１．シく用いられる具体的な化合物としては、４−Ｎ−
メチルアミンフェノール・ヘミスルフェート（通称メト
ールへ　４−Ｎ−ベンジルアミノフェノール塩酸塩、４
−　Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノフェノール塩酸塩、４−７
ミノフ工ノール硫Ｍ塩、　　ｌ−オキシメチル−４−ア
ミノフェノール塩酸塩、２，４−ジアミノフェノール、
４−Ｎ−カルゲキシメテルアミノフェノール・ｐ−オキ
シフェニルグリシン等を挙げることができ、３−ピラゾ
リン卿の中で好１しく用いらハる具体的な化合物として
は、ｌ−フェニル−３−ピラソリ、トン、４．４−ジメ
チル−１−フェニル−３−ピラゾリドン、４−メチル−
フェニル−３−ピラゾリドン等を挙げることがＣ＠る。

前記第２群に才まれる化合物の好ましく用いられる具体
例を以下に示す。

マロン酸、クエン酸、オキサル酢Ｕ１サリチル酸、５−
スルホサリチル酸、α−カルボ千シー〇−アニス酸、Ｎ
ｊＮ’−ジ（２−とドロキシエテル）エナレンジアミン
、ジ（２−アミノエチル）エーテル、２−アミノメチル
ピリジン、２．２−７ミノエチルピリジン、ピリジン−
２−、カルボン酸、ピリジン−２，６−カルボン酸、ニ
コチン酸ヒドラジド、イソニコチン酸ヒドラジド、ビリ
ドキ丈ミン、ピペリジン−２，６−ジカルメン酸、ヒス
タミン、３−メチルヒスタミン、イミノジ酢酸、イミノ
ジゾロピオン酸、Ｎ−メチルイミノジ酢酸、Ｎ−（３，
３−ジメチルブチル）イミノジ酢酸、フェニルイミノジ
酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ヒドロキシエチ
ルイミノジプロピオン酸、ヒドロキシプロピルイミノジ
酢酸、２−ヒドロキシシクロヘキシルイミノジ酢酸、メ
トキシエチルイミノジ酢酸、Ｎ−（カルバモイルメチル
〕イミノジ酢酸、２〜エトキシカルボニル、・アミノエ
テルイミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、カルゼキシエチ
ルイミノジ酢酸、カルボキシメチルイミノジプロピオン
酸、Ｎ−ｎ−ブチルエチレンジアミントリ酢［、Ｎ−シ
クロヘキシルエチレンジアミン）！ｌ）［、β−アラニ
ン、フェニルアラニン、チロシン、ホスホセリン、メチ
オニン１．アスノぞラギン°酸、グルタミン酸、オルニ
チン、リジン、アルギニン、プロリン、ヒドロキシプロ
リン、ヒスチジン、トリプトファン、ｌ−アミノシクロ
ペンタンカルボン酸、１−アミノシクロヘキサンカルゼ
ン酸、ｌ−アミノシクロへブタンカルダン酸、β−アラ
ニルヒスチジン、リジンパップレシン、グルタミン酸ナ
トリ９ム、アデノシン−５−シリン酸、アデノシン−５
−トリリン酸、オキシン−５−スルホン酸、キノリン−
２−カルゼン識、キノリンー８−カルゼン酸、４−ヒＰ
ロキシー１，５−ナフチリジン、８−ヒドロキシ−１，
６−ナフチリジン、８−ヒ）″ａキシー１．７−ナフナ
リジン。

前記第３群Ｖｃ言−まｎる前記一般式で示されるアスコ
ルビン酸誘導体重たはそのアルカリ金！Ａ塩り具体的化
合物例としては、Ｌ−７スコルビン酸、アラボアスコル
ビン酸、１−エリスロアスコルビン酸、α−グルコアス
コルビン酸等及びこれらのアルカ１金属塩倉挙げること
ができるが、こハらのなかで、し−７スコルビン戯ｌた
はそのアルカリ金属塩が特に好筐しい。

析出処理液に用いらｉる好ましい溶媒としては、純水、
アルコール類（例えば、メチルアルコール、エチルアル
コール等）、ｙｖ　コールｐ（例；ｃば、エチレングリ
コール、ジエチＶングリコール等）等の極性溶媒を挙げ
ることができ、これらの溶媒は単独または２８以上？適
宜組合せて用いられる。

更に上記析出処理液には、処理剤の他に、析出特性（析
出速度、析出処１！ｌＩ液の保存性向上など）または増
白な反射率、吸尤夏１分元特性等σ〕うを学的特廿ゲ得
るために、棹々の添加剤？加えることができろ。Ｃｃｖ
添加剤の王なものとしては例えば。

アルカリ剤（例えば、アルカリ金属或いはアンモニアの
水酸化物、炭酸塩、リン酸塩）、ｐＨ調整或いは緩衝剤
（例えば、酢酸、ホウ酸のような弱酸。

弱塩基またはそれらの塩ン、保恒剤（ｆｆ１Ｊえば、亜
硫酸塩、酸性亜＠酸塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩、ホ
ルムアルデヒド亜＠　ｒＭ　７Ｘ累塩付加物、アルカノ
ールアミン亜硫酸水素塩付加物等）を挙げることができ
る。

上記析出処理液に８ける処理剤の濃度は処理剤の種類に
より異なり一部に規定はできないが１通常は０．０１〜
２．０モル／−ｅ程度とされ、析出処理温度に通常ｌＯ
〜４０℃程度とでれる。

また既述の如き析用処理液？用いず、前記鋼化合？！Ｉ
＠Ｗ層中に処理剤の一部若しくは全部の成分？含有せし
めて？き、銅化合物を溶解するアルカリ浴沿を上記析出
処理液と同様に作用させることにＪ−９、所期の析出処
理を行なうことも可能でめろ。

更に、元手的情報記録媒体前駆体に？いて銅化合物含有
層ケ設けず、銅イオン會含有する析出処理用溶液を用い
て溶液中から直接析出核に銅原子を供給してもよい。

未発四元学的情報記録媒体においては、例えば第２図の
銅化合物宮Ｍ層５ｒ析出処浬後剥離して。

第３図に示すように銅化合物含有層が除去された構成と
してもよい。この析ｄ処理後にどける銅化合物含有層５
？除去する操作は１例えば剥離または溶解等の方法によ
って行なうことができる。この剥離操作は、析出処理後
の水洗工程に際し又、銅化合物含有層５の親水性コロイ
ド分散媒が溶解するか、ゾル化する温度にまで水洗時の
温度で上昇せしめる（以下単に「温水洗浄」という。）
ことにより行なわれる。この温水洗浄におい１、記録層
４を硬膜剤を用いて硬化させて？くことが好ましく、こ
うすることによって銅化合物含有層５の剥離を効果的に
行なうことかできる。１だ他の方法とし′Ｃは、銅化合
Ｗ言肩層５を−４な強電界！１！［７Ｘ浴液に浸漬して
膜収縮？起こさせた後に温水で洗浄することによっても
好適に剥離させることができろ。この場合に用いられる
強電界質としては、例えば＠酸ナトリウムの如き強酸と
強塩基とによる頃が好ましい。また上記強電界ｌｘｔ析
出処理数中に含有させて使用する場合にも同様の効果？
得ることができる。上述の温水洗浄に３げろ液温は、例
えば銅化合？Ｉ言肩層の分散媒が親水性コロイドであり
この親水性コロイド分散媒がゼラチンである場合には、
２０〜５０℃でめジ、好１しくは４０±５℃程度である
。

未発四元学的情報記録媒体における記録層の厚きは０．
Ｏ１〜０．５μｍであることが好１しく、さらに好”！
　Ｌ　＜　ｎ　Ｏ，０３〜０．２μｍ′″ＣＳる。厚さ
が０．０１ｐｍ未洒である場合には塗布むらが顕存化し
均−且つ安定な記録層とすることか困難となり、ｌだ厚
さが０．５μｍ？越える場合には記録媒体の反射性が低
（なつ″′Ｃ元学光学み取りが困難となり、シグナルコ
ントラストが低下する場合がある。

１だ記録層中に分散された銅微粒子の平均粒径は、０．
０　Ｕ　５〜０．２　ｐ　ｒｎ″″Ｃ：あることか好１
しく、さらに好ましくは０．０１〜０．１μｍである。

平均粒径がｏ、ｏｏｓμｍ未満である場合には記録エネ
ルギービーム吸収率及び再生エネルギービーム反射率が
低下し、記録再生は殆ど不可能になることかめる。−万
平均粒径が０゜２μｍ’（越える場合には銅（ａ粒子の
凝集に起因した吸収率の低下及び反射率のムラが発生し
、記録再生特性は悪化することがめる。

尚、ここでいう平均粒径とは銅微粒子の最長幅と最短幅
の平均値？いう。またこのような平均粒径？もつ銅微粒
子の粒径分布としては、粒径が揃っているほど好ましく
、通常銅微粒子の総数の６０％程度が平均粒径の士″°
５０％以内にあればよいｇ未発四元学的情報記録媒体は
、反射元により情報の読み取りで行なう必安上、支持体
ン通して１０〜８０％、好’ＪＬ＜は２０〜７０％の反
射率（何れも再生元に対し又の反射率）γＭすることが
必要である。反射率がＩＯ％禾瀾でめる場合ＫＶ′ｉＳ
へ比が低下し、情報の読み取りが困難となる。

未発四元学的情報記録媒体は１反射率の上昇或いは膜厚
の辣少ｒ目的として、必要にＬり隙索伴在下若しくは非
存在下で加熱処理で行なってもよい。この場合の好まし
い加熱温度範凹は２５０〜４００℃程度である。

第４図はピット清報が記録された不発ＢＡｆｔ、学的情
報記録媒体の一例を示す断面図であり、この例に８いて
は、支持体ｌの方向から高密度エネルギービーム勿照射
して記録層４の照射部分を溶解若しくは吹き飛ばして（
ｂｌｏｗ　ｏｆｆ、　）ピット７？Ｉ−形成した構成音
Ｍする。６は高密度エネルギービームの照射勿示す矢印
である。

この記録媒体に８いては、上記ピット７の低下した反射
性金利用して、ＩＩ：き込み用高密度エネルギービーム
よυも弱い高密度エネルギービームにより情報の読み出
し、再生音響なうことができる。

本発明の記録媒体に８いてピット情報業記録するために
用いることができる高密度エネルギービームとしては、
例えばキセノンランプ、水嫁ランプ、アーク灯、レーザ
ー元等を用いることができ。

このり）レーザー元が高密度記録ができる点で好ましい
。レーザー元としては、連続波発撮りものでもパルス発
振のものでも用いろことができる。

使用できるレーザーは、具体的にはルビーレーザー（波
＆６９４３＾）、テルゴンイオンレー！−（ｔ）１長４
８８ＯＡ、ｌ　５１４５Ａ　）、ガラスレーザー（波長
ＬＯ６μｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ−（波長６３２
８Ａ）、クリプトンイオンレーザ−（波長６４７１Ａ）
、ヘリウム−カドミウムレーザー（波長４４１６Ａ、３
２５０Ａ　）、色素レーザー、牛導体し−ザー等會挙げ
ることができる。

不発明の記録媒体に記＠するために用いる高密度エネル
ギービーム及び再生するために用いる高密度エネルギー
ビームは、同一種類であっても異なる種類であってもよ
（、透明支持体全通して照射することが好ましいが、透
明支持体とは反刈側の記録層表面側に直接照射する工う
にしてもよい。

〔発明の効果Ｊ 以上詳細に説明したように、本＠明によれば、記録層が
親水性コロイド分散媒中に金属カルコゲン化物１ｒ含み
主として銅から成る微粒子が分散さ九でいる反射性のも
のであるので、記録層の面密度エネルギービームに対す
る吸収率が増大するので高Ｂ　ｕｌＥの記録７行なうこ
とができ、しかも反射率が増大するりで亮注能の読み出
し７行なうことができ、このことによって感度及びＳＮ
比の著しい向上を図ることができる。１だ記録層に３け
る分散媒がＸ１１．水性コロイドでろるため、水系白布
によって記録層？得ることができ、この結果製造時にお
い′″ＣＣ従米うにＷｆｆｉ溶媒？用いることがないこ
とから作業環境の高い安全性を得ることができろ。そし
て微粒子が主として銅から成るものであるため、製造コ
ストの低減化７図ることがでさ、しかも銅は毒性か少な
（取扱い上の安全性が高い。

そして析出核’ｍ＊が金属カルコゲン化物であるため、
銅イオンの不均化反応による金属鋼の析出が商い効率で
達成され、しかも金属カルコゲン化ｗＩは親水性コロイ
ド中に均一でしかも安定に分散されるため析出核層に８
い（析出核が均一で安定に存在することとなり、これに
よってムラＶ］ない均一性の商い金ｈ％銅の析出を達成
することができる。ナしてこの結果析出核Ｎｒ十分に薄
層としながら金属銅の析出？十分に行なうことができ、
結局薄層化によって記録媒体の感度ン十分に市（するこ
とができると共に、記録層の吸収率が高（て十分な記録
荀行なうことができしかも記録層の反射率が高くて十分
な続出し７行なうことができる。

実際、後述する実施例の説明からも理’ｔ９’ｔされる
ように、析出核層がその厚さが例えば０．０５μｍ以下
さらには０．０１μｍ以下でろろような薄層でおる場合
に？いても、金属銅の析出が十分であるため。

結局、記録層の厚さが例えば０．２μｍ以下さらには０
．０７μｍ以下の薄型であって感度か茜＜シかもＳＮ比
の優れた記録媒体？得ることができろ。

１だこの種の光学的情報記録媒体の記録層の分光特性は
、分散された微粒子状の金朗かバルク状妨でＭする複素
屈折率及び尤填率、兼びに分数媒質の屈折率に依存する
ものでおり（Ｊ、Ｃ，ＭａｘｗｅｌｌＧａｒｎｅｔ、Ｐ
ｈ１ｌｏｓ、Ｔｒａｎｓ　、Ｒ，Ｓｏｃ　、Ｌｏｎｄ　
、　２０３第３８５頁（１９０４）　）、七のうち支配
的因子は分散された微粒子状の金属がバルク状態でＭす
る複素屈折率でめる。本発明記録媒体は前述の＠粒子状
金属が銅のものであるが、銅の複素屈折率ｎｔ−表わ丁
式 ％式％：］） にＨける実数部分ｎ及び消衰係数にの値は、Ｗ４１衣に
示すように波長によって大きく異なり、しかも共に示し
た銀についてのそれらとも全（異なる。

そしてこのことより、本発明記録媒体が従来リパルク金
属が銀でるるものでは適用することができなかった波長
の元に対して適用し得るものであることが理解される。

第　　１　　表 具体的には、銀による記録層を石する記録媒体の分光感
度が、第５図に曲線Ａで示すように約５００〜６００ｎ
ｍ付近で最大感度會示すのに対し、銅による記録層を石
する記録媒体は、曲綴Ｂで示すように、約７００〜８０
０ｎｍ付近に最大感度？有振波長を有する牛導体レーザ
ー全利用することができ、これによ）、ガスレーザーを
用いる場合に比して小型でしかも安価な光学的情報記録
６生装置の実現がｉｉＪ能となる。

ｍ原子源として用いる銅化合物としてはノ・ロゲン化鋼
が好ましいが、このハロゲス化鋼は感光性を示さないた
め明室で取扱うことがでさ、製造上のメリットが大きい
。

これら本発明Ｔｔ特徴づける効果は、銅以外の他の金属
微粒子分散系薄Ｂ’ｆｒ製造する技術、例えば金属塊の
粉砕、高温焼結、筐たは蒸着法によっては得られないも
のでめる。

〔実施例〕

以下本発明の実施例について説明するか、これにより本
発明が限定されるものではない。

実施例１ 塩化パラジウム（ＩＩ）のｏ、４ｓ重ｆｃ％水溶液（塩
酸酸性）　　　　　　　　　　１４７　ｍｔ純　　水　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３５４
ｍ１硫化ナトリウムの０．０８５Ｍ、８％水溶液　　　
４３９−ポリビニルアルコールの１重ｔ％水溶Ｂ　　　
　　５０ｒｎｔ以上の物質？温度３０℃で攪拌しながら
順次混合し、１５分間攪拌？奮続、硫化、ＲうＸ）＋７
ム（ＩＩ）の濃度が０．０５重貴％、親水性コロイドの
濃度が０．０５重量％、硫化パラジウム（ｎ）微粒子の
平均粒径が３　Ｑ　Ａ　Ｏ）硫化パラジウム（ＩＦ）コ
ロイド溶液を得た。

この硫化・ぞラジウム（ＩＩ）コロイド溶液に界面活性
剤及び硬膜剤を加え、これｔ下引加工が７Ｍすれ゛た厚
さＬ２Ｍの？リメテルメククリレート版よシ成ろ支持体
に、スピンナー塗布装置にＪ−り乾燥後の膜厚が０．０
１μｍとなるように塗布し、乾燥して略無色透明の析出
核層上形成した。

−万、次の組成の溶液Ａ及び溶ｆｆ！、Ｂ？Ｉｌ−肖製
した。

溶液Ａ二オセインゼラチン　　　　　　　１８．９臭化
カリ９ム　　　　　　　　２２．、ｓ、＠沃化カリウム
　　　　　　　　０．８８．５１Ｌ−アスコルビン酸　
　　　３２．０．９純　　水　　　　　　　　　　　　
　　　１２００ｍ／溶液Ｂ：硝酸第二銅三水塩　　　　
　　４２．＋ｆｉ純水　　　　　６０〇− 溶液Ａ’ｋｍ度４０℃に保ち、攪拌下、温度？４０℃と
した溶液Ｂ＝ｉ瞬時に添加し、得られた混合溶液の温度
’に４０℃に保って３分間攪拌音読け、その後脱塩処理
及び水洗処雪？行ない、オセインゼラチン２４．Ｆ全添
加し、超晋波分散処理？ｌＯ分間行ない、以つ″′Ｃ沃
臭化第−銅乳剤（総量５００　ｍｌ！、　）を得た。こ
の乳剤は、ｐｌ−１が３．５、首府される銅とゼラチン
の重量比が約０．５．透過型電子稙倣鋭写真により３１
１Ｊ足されたハロゲン化第−銅粒子の平均粒径が０．０
５μｍのものでめった。

この大臭化第−銅乳剤？上記析出核層上にスピンナー堕
布装置にＪ−９塗布し、乾燥後の膜厚かＬ２μｍの銅化
合物含ｘｒ＊ｒ形成し、以って光学的情報記録媒体前駆
体？作った。

この前駆体金、グリシン０．２Ｍ水溶液よりなジ緩衝液
に工りｐＨｋｇに調整した析出処理液に、温度２５℃で
３分間浸漬して析出処理上行ない、その後温度３７℃の
温水で水洗して銅化合ｑｌｌ！！７含有層（乳剤層）？
剥離除去して試料を得た。

この試料を支持体であるポリメチルメタクリレート板７
通して観察すると、金属元、沢に’ｌＷする銅鏡の形成
が認められ、波長８３０　ｎｍ　ｙ）元にどける反射率
は４０％でめった。また記録層の厚さは０．０５μｍ、
記録層中の銅微粒子の平均粒径は０．０４μｍ％粒子数
密度は２Ｘ１０１６個ｈ３でめった。

前記試料全ターンテーブル上にセットして回転させ、ビ
ーム径がＬ４μｍとなるよう集光させた波長８３０ｎｒ
ｒｚｙ）半導体レーザーｙｔＪｋ　１０　ｍ／　ｓｅｃ
の走査速度で走査し、Ｉ　ＭＨｚのパルス信号（ノソル
ス幅５００ｎｓｅｃ）ｉ与えることにより記録層にビッ
ト？形成させて書き込み記録を行なった。

…１ｄ己試料のムＣ録層上に３けるレーザー尤の彌反は
、記録時で１０ｍν■、再生時で２ｍＷでるり、４’４
’ＥＳＮ比の測定１３ＱＫ１−１ｚのバンド幅で行なっ
たところ、ＳＮ比は４５ｄＢでめった。

実施例２ 下引加工が施された厚さＬ２朋のポリメナルメタクリレ
ート仮エリ成る支持体に、真空蒸沼装置により平均膜厚
が約１ＯＡとｒｘるＪうに飴化銀？蒸着し、ざらにＣの
蒸＊膜上にポリビニルアルコールの０．０５Ｊ］ｌ：量
％水溶欣？乾燥恢の膜厚か０．０１μｍとなる工うに釜
布し、乾燥して析出核層を形成し、以下実施例１と同様
にして試料を得た。

この試料を支持体でるるポリメチルメタクリレート板７
通して観察すると、金属元沢ゲＭする銅鏡の形成が紹め
られ、波長８３　Ｑ　ｎｍの尤における反射率は４０％
でめった。また記録層の厚さは０．０５μｍ、記録ｊ軸
中の銅微粒子の平均粒径は０．０４μｍ、粒子＆Ｘ密度
は２Ｘｌυ１６個７．５でめった。

前記試料全ターンテーブル上にセットして回転させ、ビ
ーム径がＬ４μｍとなる工う集光ざゼた波長８３０ｎｍ
の牛導体し−ザー元’？ｔ　ｌ　Ｏｍ／　ｓｅｃの走査
速度で走査し、　ｌ　ＭＨｚのノ（ルス信号（パルス幅
５００　ｎ５ｅｃ　）　ｙｚ与えることにより記録層に
ピット？形成させて香き込み記録上行なった。

前記試料の記録層上におけるレーザー元の強度は、記録
時でｌＯｍＷ、再生時で２ｍＷであり、再生ＳＮ比の測
定に３０ＫＨｚのバンド幅で行なったところ、ＳＮ比は
４Ｂ、ｄＢであった。

比較例１ 塩化金酸の５重量％水溶液　　　　　　１６ｍ水素化ホ
ク素ナトリウムの１重ｉｔ％水溶液　　４０ｔｒｔｌバ
インダー水溶沿（ａ度１重′に％）　　　　　２４−純
　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　４２０ｍ１（バインダーはゼラチン１重量部とポリ
ビニルアルコール誘導体４Ｍ量部との混合物でおる。）
以上の′＠質？温度２０℃で１ｏ分間攪拌し、金の濃度
が０．０９５重景３．コロイドの濃度が０．０５、ｉｉ
％、金微粒子の平均粒径が３ＯＡの金コロイド溶液ケ得
た。

この金コロイド溶液に界面活性剤及び硬膜剤２加え、こ
れｒ下引Ｗ工が施さ九た厚さＬ２困のポリメチルメタク
リｖ−ト板エク成る支持体に、スピンナル塗布装置によ
り乾燥後の膜厚が０．０１μｍとなるようＶＣ塗布し、
乾燥して略無色透明の析出核層を形成し、以下実施例１
と同様にして試料を得た。

この試料？支持体であるポリメチルメタグリノー上板倉
通して観察すると、波長８３Ｑｎｍの尤に？ける反射率
は１０％でめった。１だ記録層の厚さは０．０３μｍ、
記録層中の金微粒子の平均粒径はｏ、ｏｉμｍ、粒子数
密度ｈ　２　Ｘ　ｌ　０１６（［Ｍｊ％ｍ３でめった。

前記試料？ターンテーブル上にセットして回転させ、ビ
ーム径がＬ４μ「となるＪ−う集光させた波長８３０Ｊ
ＩＪＴ）の半導体レーザー尤ｋ　１０　ｍ／ｓｅｃの走
査速度で走査し、ＩＡ４Ｈｚの、６ルス信号（ノクルス
幅５００ｎｓｅｃ）２与えること和より記録層にピント
金形成させて書き込み記録７行なった。

前記試料の記録層上にｈ４するレーザー元の強度は、記
録時で１０　ｍＷ、再生時で２ｍＷであり、再生ＳＮ比
の測定１３ＱＫＨｚのバンド幅で行なったとコロ、ＳＮ
比は２０ｄｌｌと低いものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は析出処理前の光学的情報記録媒体前風体の断面
図、第２図は析出処理後の本発明に係る光学的情報記録
媒体の断面図、第３図は析出処理の後、銅化合物含有層
が除去された後の本発明に係る光学的情報記録媒体の断
面図、第４図は高密度エネルギービーム照射後の本発明
に係る光学的情報記録媒体の断面図、第５図は記録層の
金属が銀である場合と銅でおる場合の分光感度を示す曲
線図である。 ｌ・・・支持体　　　　　　２・・・析出核層３・・・
銅化合物含有層 ４・・・記録Ｎｊ（析出処理後の析出核層）５・・・析
出処理後の銅化合物＠有層 ６・・・高密度エネルギービーム ７・・・ビット “−ｘ 代理人　弁理士　大　井　正　彦　（ニー。 λ゛−゛。 羊１図 巣２図 第３図 差４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）支持体上に反射性記録層を設けてなる光学的情報記
   録媒体において、前記反射性記録層は、金属カルコゲン
   化物を含み主として銅からなる微粒子が親水性コロイド
   中に分散されてなるものであることを特徴とする光学的
   情報記録媒体。 ２）金属カルコゲン化物が金属硫化物であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体
   。 ３）支持体上に反射性記録層を設けてなる光学的情報記
   録媒体の製造方法において、析出核層における金属カル
   コゲン化物からなる析出核に銅を析出せしめることによ
   り、金属カルコゲン化物を含み主として銅からなる微粒
   子が親水性コロイド中に分散されてなる反射性記録層を
   形成する工程を有することを特徴とする光学的情報記録
   媒体の製造方法。