JP7094983B2 - 向上したスループット及びプロセス柔軟性を備えたcmp機械 - Google Patents
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Description
本願は、2017年4月26日出願の米国特許仮出願第62/602,538号に基づく優先権を主張する。この仮出願は、参照によりその全体が本明細書に援用される。
開示された技術は、半導体加工設備、より具体的には、設置面積の減少をもたらし、かつ密集空間での対象物の取り扱い及び操作を可能にする操作能力を有する化学機械平坦化(chemical mechanical planarization:CMP)システム及び装置に関する。
102 支持部
104 アーム
106 キャリアヘッド
205 膜アセンブリ
210 支持板
220 弾性膜
230 膜クランプ
240 外側圧力リング
250 空気チャネル
260 空洞
270 ウェハ
280 支持基盤
300 化学機械平坦化(CMP)システム
302 支持部
304 第1リンク
306 第2リンク
308 キャリアヘッド
400 CMPシステム
402、404 支持部
406、408 アーム
410、412 キャリアヘッド
414 プラテン
416 中心
500 CMP装置
510 制御装置
520 第1CMPシステム
530 第2CMPシステム
Claims (20)
- 支持部であって、回転軸がこの支持部を貫いて延在する支持部と、
第1部分及びこの第1部分に対向する第2部分を備える少なくとも1つの細長部材であって、前記第1部分は、前記支持部に回転可能に接続し、この細長部材を、前記支持部に対して単一方向に少なくとも約270°である回転角にわたって前記回転軸の周りに旋回させるように構成されている少なくとも1つの細長部材と、
前記第2部分に接続し、基板を保持し加工するように構成されているキャリアヘッドと
を備える基板キャリアヘッドシステム。 - 前記回転角が、単一方向に実質的に無制限である請求項1に記載のシステム。
- 前記キャリアヘッドが、加圧され、これにより基板がプラテンで研磨パッドと接触してこの研磨パッドによって加工されることが可能になるように構成されている膜を備える請求項1又は請求項2に記載のシステム。
- 前記キャリアヘッドに、前記基板を、第1プラテンで前記基板に対して第1プロセスを実施することを可能にする第1位置から、第2プラテンで前記基板に対して第2プロセスを実施することを可能にする第2位置へと移動させるように構成されている制御装置
をさらに備える請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記第1プロセス及び第2プロセスが異なる請求項4に記載のシステム。
- 前記第1プロセスがバルク除去プロセスであり、前記第2プロセスが微細除去プロセスである請求項5に記載のシステム。
- 少なくとも1つの支持部であって、第1回転軸が前記支持部を貫いて延在する少なくとも1つの支持部と、
第1部分及びこの第1部分に対向する第2部分を有する第1リンクであって、前記第1部分は、前記支持部に回転可能に接続し、この第1リンクを、前記支持部に対して第1回転角にわたって前記第1回転軸の周りに旋回させるように構成されており、第2回転軸が前記第2部分を貫いて延在し、前記第1回転軸及び前記第2回転軸は互いに対してほぼ平行である第1リンク、並びに
第3部分及びこの第3部分に対向する第4部分を有する第2リンクであって、前記第3部分は、前記第2部分に回転可能に接続し、前記第2リンクを前記第1リンクに対して、第2回転角にわたって前記第2回転軸の周りに旋回させるように構成されている第2リンク
を備える少なくとも1つの細長部材と、
前記第4部分に接続し、基板を保持し加工するように構成されているキャリアヘッドと
を備える基板キャリアヘッドシステム。 - 前記第1回転角が、単一方向に少なくとも約270°である請求項7に記載のシステム。
- 前記キャリアヘッドが、基板に対して圧力を加え、前記基板がプラテンによって加工されることが可能になるように構成されている請求項7又は請求項8に記載のシステム。
- 前記第1リンク及び前記第2リンクの同期した回転に少なくとも一部は基づいて、前記キャリアヘッドをプラテンの中心に向かって直線的に移動するように構成されている請求項7又は請求項8に記載のシステム。
- 請求項7から請求項10のいずれか一項に記載のシステムを備え、前記キャリアヘッドによって保持された基板を加工するように構成されている少なくとも1つのプラテンをさらに備える化学機械平坦化装置。
- 少なくとも2つの請求項7から請求項11のいずれか一項に記載のシステムを備え、各システムは、
少なくとも2つの細長部材及び少なくとも2つのキャリアヘッドと、
各キャリアヘッドによって取り扱われる少なくとも4つの基板を加工するように構成されている少なくとも2つのプラテンと
をさらに備え、
前記第1回転角は、単一方向に少なくとも約270°である化学機械平坦化装置。 - 第2プラテンをさらに備え、前記少なくとも1つの細長部材が、前記基板を、第1プラテンで前記基板に対して第1プロセスを実施することを可能にする第1位置から、前記第2プラテンで前記基板に対して第2プロセスを実施することを可能にする第2位置へと移動するように構成されている請求項11に記載の装置。
- 少なくとも第1基板キャリアヘッドシステム及び第2基板キャリアヘッドシステムであって、各キャリアヘッドシステムが、
支持部であって、回転軸がこの支持部を貫いて延在する支持部、
第1部分及びこの第1部分に対向する第2部分を備える少なくとも1つの細長部材であって、前記第1部分は、前記支持部に回転可能に接続し、この細長部材を前記支持部に対して一定の回転角にわたって前記回転軸の周りに旋回させるように構成されている少なくとも1つの細長部材、並びに
前記第2部分に接続し、基板を保持し加工するように構成されているキャリアヘッド
を備える少なくとも第1基板キャリアヘッドシステム及び第2基板キャリアヘッドシステムと、
前記第1キャリアヘッドシステムによって保持された第1基板及び前記第2キャリアヘッドシステムによって保持された第2基板を加工するように構成されている少なくとも1つのプラテンと
を備える化学機械平坦化装置。 - 前記回転角が、単一方向に少なくとも約270°である請求項14に記載の装置。
- 前記回転角が、単一方向に実質的に無制限である請求項14又は請求項15に記載の装置。
- 前記第1キャリアヘッドシステムに、第1基板を、第1プラテンで前記第1基板に対して第1プロセスを実施するための第1位置から、第2プラテンで第2基板に対して第2プロセスを実施するための第2位置へと移動させるように構成されている制御装置をさらに備える請求項14から請求項16のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1プロセス及び第2プロセスが異なる請求項17に記載の装置。
- 前記第2基板キャリアヘッドシステムが加工状態に留まる間、前記第1基板キャリアヘッドシステムをオフライン状態に置くように構成されている制御装置をさらに備える請求項14から請求項16のいずれか一項に記載の装置。
- 前記制御装置が、前記第1キャリアヘッドシステム又は第2キャリアヘッドシステムに、前記少なくとも1つのプラテンの研磨パッドを交換させるように構成されている請求項17又は請求項19に記載の装置。
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