TWI672191B - 帶有裝設樞紐手臂之化學機械拋光機的系統及方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種化學機械拋光系統。該化學機械拋光系統包含一平臺、一裝載罩、一樞紐、一第一拋光手臂以及一第二拋光手臂，該第一拋光手臂自該樞紐懸臂並可繞著該平臺與該裝載罩之間該樞紐的中心線旋轉，該第二拋光手臂自該樞紐懸臂並可繞著該平臺與該裝載罩之間該樞紐的中心線旋轉，該第二手臂可獨立於該樞紐旋轉。

Description

帶有裝設樞紐手臂之化學機械拋光機的系統及方法
本發明之多數具體實施例係與在化學機械拋光系統中處理多數半導體基板的方法與設備有關。
在製造現代半導體積體電路(ICS)的製程中，需要在先前形成的多數層與結構上，發展各種材料層。然而，該先前的形成時常餘留不適合用於多數後續材料層定位的頂表面形貌。例如，當在先前形成的多數層上印刷具有多數小型幾何的光微影成像圖案時，係需要深度對焦。據此，基本上需要辨識具有平坦且平面的表面，否則，該圖案的某些部分處於該焦距中，而該圖案的其他部分則否。此外，如果在某些處理步驟之前並未將不規則性校平，那麼該基板的表面形貌可能變得更加不規則，而在進一步處理期間，隨該等層堆疊時便造成進一步的問題。根據所涉及的晶圓形式與幾何尺寸，該等表面不規則性可能造成不良的產出及裝置效能。因此，理想的是在積體電路製造期間，達到多數薄膜某些形式的平坦化或拋光。
一種在積體電路製造期間進行層平坦化的方式為化學機械拋光(CMP)。一般而言，化學機械拋光涉及到將該基板壓抵住一拋光材料，同時在其之間存在拋光流體時驗證其之間的相對運動。該拋光流體一般而言包含一磨料或化學拋光合成物之一，其在該平坦化處理中具有助益。該基板可以推進通過具有較細微磨料材料及/或化學材料的許多不同拋光材料，以達成一種高度平坦化或拋光的表面。一旦拋光之後，該半導體基板便自該化學機械拋光轉移至一連串的清洗模組，該等清洗模組移除在拋光之後黏著於該基板的磨料顆粒及/或多數其他污染物。
隨著客戶的應用需要變得更加多樣與複雜，想要提供一種可配置及彈性的化學機械拋光系統便變得最重要。傳統的化學機械拋光系統一般而言需要使所有的拋光頭在一拋光平臺與一裝載罩之間移動，或是需要其他協調一致的處理/測量站台，因此使得產量與該系統中所執行的最長處理完成度有關。此外，理想的是使該化學機械拋光系統為可配置，以使該系統該等組件移動所產生的多數顆粒所造成(實際與感知)的缺陷問題最小化。
因此，在該領域中需要一種在化學機械拋光系統中處理多數半導體基板的改良方法與設備。
在一第一具體實施例中，提供一化學機械拋光系統。該化學機械拋光系統包含一平臺、一裝載罩、一樞紐、一第一拋光手臂與一第二拋光手臂，該第一拋光手臂自該樞 紐懸臂並可繞著該平臺與該裝載罩之間該樞紐之中心線旋轉，該第二拋光手臂自該樞紐懸臂並可繞著該平臺與該裝載罩之間該樞紐之中心線旋轉，該第二手臂可獨立於該樞紐旋轉。
在一第二具體實施例中，提供一化學機械拋光系統。該化學機械拋光系統包含一平臺、一裝載罩、一樞紐、一第一拋光手臂與一第二拋光手臂，該樞紐可關於一第一軸旋轉，該第一拋光手臂以樞軸方式附加至該樞紐的第一支點，並可於該平臺與該裝載罩之間移動，該第二拋光手臂以樞軸方式附加至該樞紐的第二支點，並可於該平臺與該裝載罩之間移動。
而在另一具體實施例中，提供一種用於以一基板處理器移動一基板的方法。該方法包含自一裝載罩將一基板裝載至一第一拋光頭之中，該第一拋光頭係附加至一第一拋光手臂的第一端，其中該第一拋光手臂的第二端係以樞軸方式附加至一可轉位樞紐上的第一支點；以及利用將該樞紐轉位或關於該第一支點旋轉該第一拋光手臂的方式，將該基板移動至一處理站台。
100‧‧‧化學機械拋光系統
102‧‧‧工廠介面
104‧‧‧裝載機器人
106‧‧‧拋光模組
108‧‧‧控制器
110‧‧‧中央處理單元
112‧‧‧記憶體
114‧‧‧支援電路
116‧‧‧清洗器
118‧‧‧晶圓匣
120‧‧‧介面機器人
122‧‧‧基板
124‧‧‧輸入模組
126‧‧‧輸出模組
128‧‧‧基板處理器
130‧‧‧化學機械研磨站台
132‧‧‧化學機械研磨站台
134‧‧‧樞紐
136‧‧‧轉移站台
138‧‧‧機械底座上方側
140‧‧‧機械底座
142‧‧‧裝載罩
144‧‧‧裝載罩
150‧‧‧拋光手臂
152‧‧‧拋光頭組件
154‧‧‧馬達/致動器
156‧‧‧拋光頭
160‧‧‧清洗模組
162‧‧‧烘乾機
164‧‧‧軌道
166‧‧‧基板處理器
168‧‧‧第一機器人
170‧‧‧第二機器人
174‧‧‧夾持器
176‧‧‧夾持器
178‧‧‧夾持器
182‧‧‧調節器組件
184‧‧‧襯墊
186‧‧‧平臺
188‧‧‧封閉殼體
190‧‧‧調節頭
192‧‧‧漿料噴嘴
204‧‧‧手臂支點軸
208‧‧‧軸承
210‧‧‧中心軸
212‧‧‧滑輪
214‧‧‧皮帶
216‧‧‧馬達
220‧‧‧馬達
222‧‧‧滑輪
224‧‧‧皮帶
226‧‧‧馬達
230‧‧‧拋光中心線
232‧‧‧箭頭
250‧‧‧馬達
254‧‧‧皮帶
256‧‧‧平臺中心線
258‧‧‧滑輪
260‧‧‧第一端
262‧‧‧第二端
310‧‧‧一第一拋光手臂
314‧‧‧箭頭
316‧‧‧支點
320‧‧‧第二拋光手臂
324‧‧‧箭頭
326‧‧‧支點
330‧‧‧第三拋光手臂
334‧‧‧箭頭
336‧‧‧支點
396‧‧‧箭頭
402‧‧‧中心軸
408‧‧‧驅動齒輪組件
410‧‧‧齒條
412‧‧‧小齒輪
414‧‧‧馬達
420‧‧‧頂部軸承塊
422‧‧‧底部軸承塊
434‧‧‧軌道
436‧‧‧軌道
460‧‧‧第一端
510‧‧‧第一拋光手臂
512‧‧‧箭頭
520‧‧‧第二拋光手臂
522‧‧‧箭頭
530‧‧‧第三拋光手臂
532‧‧‧箭頭
556‧‧‧箭頭
600‧‧‧方法
610‧‧‧步驟
620‧‧‧步驟
因此，本發明的上述多種具體實施例係以可被詳細理解，對本發明一更特定敘述以及如以上簡短總結的方式，而透過參考多數具體實施例的方式獲得，而其某些部分則描 繪於該等附加圖式之中。然而要注意的是，該等附加圖式僅描繪此發明的典型具體實施例，而因此不被視做為本發明範圍的限制，因為本發明揭示內容可以允許多數其他等效具體實施例。
第1圖為一化學機械拋光(CMP)系統的上視圖示，該化學機械拋光系統具有一拋光模組；第2圖為第1圖該拋光模組沿著斷面線2-2取用的部分橫斷面圖示，其描述一基板處理器具體實施例；第3圖為第2圖該拋光模組的上視圖示，其具有自一中央樞紐延伸的多數手臂；第4圖描繪一基板處理器另一具體實施例的部分橫斷面圖示，該基板處理器可於第1圖該化學機械拋光系統100中使用；第5圖為第4圖該拋光模組的上視圖示，其具有一中央樞紐及多數附加手臂；以及第6圖為用於移動一基板穿過一化學機械拋光系統之方法的流程圖。
為了促進瞭解，已在盡可能的情況下使用相同的參考數字指定該等圖示共通的相同元件。也設想到一具體實施例中的多數元件和特徵，也可以有利地整合於其他具體實施例中，而不需進一步的說明。
提供透過一化學機械研磨(CMP)方法處理多數基板之方法與多種設備的多數具體實施例。該基板處理器包含 一中央樞紐，該中央樞紐具有多數可獨立移動的拋光手臂，每一手臂都支撐一拋光頭。雖然以示例性敘述該系統具有至少兩個處理站台，其適合用於將繞著一中央基板處理器設置的基板進行平坦化，但也同時設想到該系統可以具有多於兩個處理站台以及選擇性的多於兩個基板處理器的多種其他配置進行佈置。此外，以下揭示之該等具體實施例主要聚焦在從一基板移除材料，例如進行平坦化或拋光。設想到在此揭示之該等教導可以用於多種其他處理系統中，例如電鍍系統以及邊緣斜角移除系統，該等系統係需要有效率的基板轉移。
在一具體實施例中，該樞紐可以旋轉或進行轉位，而該等拋光手臂則以樞軸方式附加至該樞紐的外側部分，其中該等拋光手臂的支點係與該樞紐之旋轉軸不一致。此提供的每一拋光手臂，具有在該化學機械拋光系統的多數不同模組之間旋轉並移動一基板的能力，而與該樞紐或多數其他拋光手臂或基板的移動無關。因此，該基板處理器提供每一拋光頭獨立的移動，以及提供一基板自一平臺至一裝載罩或其他處理/測量站台的獨立移動。
在一第二具體實施例中，該等所有拋光手臂的該等旋轉軸都與一旋轉或非旋轉樞紐的中心共軸。每一拋光頭都可以關於該樞紐的外圍移動至對於連接至該樞紐該等其他拋光頭而言為獨立的位置。因此，該基板可獨立於由該基板處理器所支撐的其他基板，移動至一可利用及可存取的平臺或 裝載罩位置。
用於移動該基板處理器該等拋光手臂的傳動齒輪組件，有利地是於該平臺朝內。因此，由該傳動齒輪組件產生的任何顆粒或其他污染物，便不可能落於該平臺上，也不可能影響基板拋光操作。
第1圖為根據一具體實施例一化學機械拋光(CMP)系統100的平面圖，該化學機械拋光系統100提供每一拋光頭獨立的移動。該示例系統100一般而言包括一工廠介面102、一裝載機器人104與連接至一機械基底140的拋光模組106。該裝載機器人104係設置於一組軌道164上，該組軌道164靠近該工廠介面102與該拋光模組106，以促成在其之間進行多數基板122轉移。
提供一控制器108以促成該化學機械拋光系統100該等模組的控制與整合。該控制器108包括一中央處理單元(CPU)110、一記憶體112與多數支援電路114。該控制器108連接至該化學機械拋光系統100該等各種組件，以促成例如該平面化、清洗與轉移處理的控制。
該工廠介面102一般而言包含一清洗器116與一或多個晶圓匣118。利用一介面機器人120於該等晶圓匣118、該清洗器116與一輸入模組124之間轉移多數基板122。該輸入模組124係經定位，以利用多數夾持器促成在該拋光模組106與該工廠介面102之間進行多數基板122的轉移，例如利 用真空夾持器或力學夾鉗。
該清洗器116從該等基板移除進行拋光之後餘留的拋光殘屑及/或拋光流體。該清洗器116包含一處理器166，其移動來自該輸入模組124的多數基板穿過複數個清洗模組160至一烘乾機162。在一具體實施例中，該等清洗模組160包含多數刷箱與超音波清洗器。
該基板處理器166一般而言包含一第一機器人168與一第二機器人170。該第一機器人168包含至少一夾持器(如圖示為兩夾持器174、176)，並經配置以在至少該輸入模組124與該等清洗模組160之間轉移該基板。該第二機器人170包含至少一夾持器(如圖示為一夾持器178)，並經配置以在至少該等清洗模組160之一與該烘乾機162之間轉移該基板。
操作上，該化學機械拋光系統100係以該未拋光基板122開始，利用該介面機器人120自該等晶圓匣118之一轉移該未拋光基板122至該輸入模組124。接著，該裝載機器人104自該輸入模組124移動該基板122，並將該基板122轉移至該拋光模組106，其中該基板122進行拋光並同時處於一水平方向中。一旦該基板122被拋光，該裝載機器人104自該拋光模組106擷取該基板122，並將該經拋光基板122以一垂直方向放置於該輸入模組124中。該基板處理器166自該輸入模組124取回該經拋光基板122，並移動該基板穿過 該清洗器116該等清洗模組160之至少之一。該等清洗模組160的每一個都適合於一垂直方向中支撐一基板經歷完整清洗處理。一旦清洗完成，該處理器166轉移該基板至一輸出模組126，其中由該介面機器人120將該經清洗基板122翻轉為一水平方向，並回送至該等晶圓匣118之一。
該拋光模組106包含至少一化學機械研磨(CMP)或其他適宜的平坦化站台。在一具體實施例中，該拋光模組106包含一或多個化學機械研磨(CMP)站台130、132，其設置於一環境受控制的封閉殼體188中。可適宜從本發明受益的拋光模組106範例包含MIRRA®、MIRRA MESATM、REFLEXION®、REFLEXION® LK與REFLEXION LK EcmpTM化學機械研磨系統，全部都可從加州聖塔克拉拉的應用材料公司購得。其他的平坦化模組，包含使用處理襯墊、平坦化網或其組合的那些，以及以旋轉、線性或其他平面移動的方式相對於一平坦化表面移動基板的那些，也適宜從本發明受益。
該等化學機械研磨(CMP)站台130、132包含一平臺186，該平臺186支撐一可移動式拋光襯墊184。該平臺186旋轉該襯墊184，同時一漿料噴嘴192提供一拋光流體至該襯墊184上表面，用以對該基板122進行拋光。一調節器組件182則設置在該基底140鄰接該等化學機械研磨(CMP)站台130、132的每一個。該調節器組件182包含一調節頭190， 為了保持均勻平坦化結果的目的，用於週期性調節設置於該等化學機械研磨(CMP)站台130、132中的襯墊184。
該示例拋光模組106也包含一轉移站台136與一基板處理器128，兩者設置在一機械底座140的上方側138上。在一具體實施例中，該轉移站台136包含兩裝載罩142、144。在該裝載罩142的輸入緩衝區，利用該裝載機器人104自該工廠介面102接收多數未拋光基板122。該裝載機器人104也用於自該裝載罩144回送多數經拋光基板至該工廠介面102。也設想到該裝載罩142可以用於轉移多數經拋光基板，同時該裝載罩144可以用於轉移多數未拋光基板。進一步設想到該等裝載罩142、144的每一個都可以用於轉移多數經拋光與未拋光基板兩者。
該基板處理器128可以包含一中央旋轉機制(樞紐134)與複數個自該樞紐134懸臂延伸的拋光手臂150。在一具體實施例中，該複數個拋光手臂150係在一第一端以樞軸方式附加至該樞紐134，而每一拋光手臂150都於一第二端支撐一拋光頭組件152。該拋光頭組件152可以包含一馬達/致動器154與一拋光頭156。應該瞭解可以在該等拋光手臂150的每一個上設置該拋光頭組件152，包含該馬達/致動器154與該拋光頭156。該拋光頭156係經配置以在拋光期間支撐該基板122，並同時在該等化學機械研磨(CMP)站台130、132之間移動。該馬達/致動器154係經配置以對該基板122施壓， 同時留存於其中，而該拋光頭156則抵住設置該平臺186上的襯墊184。該馬達/致動器154也可以關於該拋光頭156的中心線旋轉該基板122。
在一具體實施例中，該樞紐134，其具有以樞軸方式附加的多數拋光手臂150，係關於其中心軸旋轉。該等拋光頭組件152係利用將該樞紐134關於其中心軸轉位的方式，於該等化學機械研磨(CMP)站台130、132及該轉移站台136之間移動。此外，每一拋光手臂150都可以獨立於該等其他拋光手臂150進行樞軸旋轉，因此每一拋光頭156都可以獨立移動。該拋光頭156可以在該拋光模組106中於多數相鄰位置之間移動。例如，根據該樞紐的旋轉位置，該拋光頭156可以在兩相鄰拋光站台、兩相鄰裝載罩或相鄰裝載罩與拋光站台之間移動。
現在參考第2圖，該化學機械研磨(CMP)站台130包含一馬達250，該馬達250可以驅動該平臺186關於一平臺中心線256的旋轉。該馬達250可以利用多數齒輪、滑輪及皮帶、直接驅動，或其它適宜的致動器連接至該平臺186。在第2圖描繪之具體實施例中，該平臺186係利用多數滑輪258及皮帶254連接至該馬達250。該馬達250可以控制該平臺186的旋轉速度與方向。該化學機械研磨(CMP)站台132則具有類似配置。
該樞紐134可以具有一中央旋轉機制，其將所有以 樞軸方式附加的多數拋光手臂150與該等附加拋光頭組件152的位置，關於該樞紐134的中心軸210旋轉。該樞紐134的旋轉可能額外造成多數特定拋光頭156自一處理站台移動至另一站台。該樞紐134的中心軸210也可以為該樞紐134的中心線。複數個軸承208可以穩定該樞紐134，同時允許該樞紐134旋轉。在一具體實施例中，該中央旋轉機制為一馬達216，該馬達216驅動該樞紐134的旋轉。該馬達216可以利用多數齒輪、滑輪及皮帶、直接驅動與其他適宜的方式連接至該樞紐。在第2圖描繪之具體實施例中，該樞紐134係利用多數滑輪212及皮帶214連接至該馬達216。
每一拋光手臂150都以樞軸方式附加至該樞紐134的第一端260，因此該拋光手臂150可相對於該樞紐134的中心軸210旋轉，並額外相對於一手臂支點軸204旋轉。在一具體實施例中，該拋光手臂150之手臂支點軸204係與該樞紐134的中心軸210不一致。該手臂支點軸204可以等間距繞著該樞紐134的中心軸210，以提供對多數相鄰拋光手臂150的最小干擾。例如，該等拋光手臂150之支點軸204可繞著該樞紐134的中心軸210以一種像是螺釘圖案的方式佈置。
馬達220或其他的適宜裝置使得該拋光手臂150關於該手臂支點軸204進行樞軸旋轉。該馬達220可以利用多數齒輪、滑輪及皮帶、直接驅動與其他致動器連接至該樞紐。在第2圖描繪之具體實施例中，該拋光手臂150係利用多數 滑輪222及皮帶224連接至該馬達220。如第2圖中所示，該馬達220可以位於該樞紐134內側。然而，用於驅動該等拋光手臂150旋轉之該等馬達220、226也可以設置於該等拋光手臂150之中，或設置於多數其他適宜位置處，以控制該等拋光手臂150的旋轉。
該馬達/致動器154，設置於該拋光手臂150的第二端262處，控制該拋光頭156的旋轉與垂直位移。該馬達/致動器154可以利用一連串的齒輪、托輥、皮帶及滑輪、直接驅動，或其他適宜方式連接至該拋光頭156。該馬達/致動器154可以關於一拋光中心線230旋轉該拋光頭156，以及可以旋轉由該拋光頭156所支撐的基板122。此外，該馬達/致動器154可以沿著該拋光中心線230垂直上下移動該拋光頭156，如以箭頭232所示。一旦該拋光手臂150於該平臺186上方旋轉該拋光頭156，該馬達/致動器154可以朝下移動該拋光頭156，以將該基板122放置與該襯墊184接觸，以進行該基板122的拋光。
在將該襯墊184上該基板122拋光之後，該馬達/致動器154可以朝上移動該拋光頭156，以使該基板122離開該襯墊184，而該基板122可被移動至另一平臺或至該裝載罩142中。為了理解該基板122於該拋光模組106之中的移動，接著針對第3圖進一步討論。
第3圖為第2圖中所示該樞紐134與多數附加拋光 手臂150之第一具體實施例的上視圖示。該拋光模組106的樞紐134可以關於該樞紐134的中心軸210旋轉，該中心軸210可為該樞紐134的中心處，如以箭頭354所示。該樞紐134包含三個拋光手臂150，該等拋光手臂150關於該手臂支點軸204旋轉。在第3圖描繪之具體實施例中，該三個拋光手臂150係如圖示為：一第一拋光手臂310，其關於一支點316進行樞軸旋轉，並可以如箭頭314所示旋轉；一第二拋光手臂320，其關於一支點326進行樞軸旋轉，並可以如箭頭324所示旋轉；以及一第三拋光手臂330，其關於一支點336進行樞軸旋轉，並可以如箭頭334所示旋轉。該等支點316、326、336係關於該樞紐134的中心軸210佈置，且與該中心軸210不一致。因此該等拋光手臂150可以關於該等支點316、326、336移動，並可以利用使該樞紐進行樞軸旋轉的方式關於該中心軸210額外移動。例如，可利用使該樞紐134樞軸旋轉的方式，如箭頭396所示，使該第三拋光手臂330關於該中心軸210額外旋轉。
每一拋光手臂150都支撐一相應的個別拋光頭156。每一拋光頭156都支撐一基板(於第3圖中為不可見)，以在該拋光模組106中進行拋光。該拋光頭150可以在一拋光站台中支撐該基板122以進行處理，接著將該基板122移動至次一拋光站台以進行進一步處理。替代的，該拋光頭156可以將該基板122持留於一單一拋光站台中，接著將該經處 理基板122回送至該裝載罩，而不需要在該拋光模組106的多數其他拋光站台處進行後續處理。每一基板122在每一拋光站台處所花費的時間，可能因為不同的處理要求而不同。為了能在該拋光模組106中完成一第二次操作的第二基板之前，推進於該拋光模組106中完成一第一次操作的基板122，該等拋光手臂150係經配置以能夠彼此獨立移動。因此，持留在一拋光頭中的第一基板係能推進以執行多數後續操作，而同時持留在一不同拋光頭中的第二基板係仍然在該拋光模組106的不同拋光站台中進行拋光。
根據該樞紐134轉位的位置，該第一拋光手臂310可以存取該拋光模組106中的一或多個站台。例如，在不旋轉該樞紐134時，該第一拋光手臂310可以藉由關於該支點316順時針旋轉的方式，存取該化學機械研磨(CMP)站台132。此外，該第一拋光手臂310可以藉由關於該支點316逆時針旋轉的方式，存取該化學機械研磨(CMP)站台130。因此，由該第一拋光手臂310所支撐的拋光頭156所持有的基板122，便可以在不旋轉該樞紐134或影響目前設置於該等其他拋光手臂320、330之該等拋光頭156的多數其他基板下，存取該化學機械研磨(CMP)站台130與該化學機械研磨(CMP)站台132。
由該第一拋光手臂310中該拋光頭156所持有的基板122也可以在藉由將該樞紐134進行轉位的方式於多數拋 光站台130、132之間旋轉。在此方法中，該第一拋光手臂310可經有利定位以在該拋光模組106的多數不同站台或裝載罩之間移動該基板122。例如，該第一拋光手臂310可經定位於該化學機械研磨(CMP)站台130上，而該基板122可能需要在該化學機械研磨(CMP)站台132上進行一第二拋光操作。在該第一拋光站台130中的拋光操作期間或完成之後，該樞紐134可以順時針進行轉位，因此該第一拋光手臂310可以在該化學機械研磨(CMP)站台132上一拋光操作完成之後抵達該裝載罩144，而不需要進一步旋轉該樞紐134，或影響該等其他拋光手臂150的操作。
在另一範例中，進入至該拋光模組106的多數基板122可能需要由該化學機械研磨(CMP)站台130或該化學機械研磨(CMP)站台132所進行的單一拋光操作。取代以該樞紐134將每一基板122轉位並等待一後續基板被拋光的方式，該樞紐134可為固定，而該等拋光手臂150可以在該等相鄰化學機械研磨(CMP)站台130、132與該等裝載罩142、144之間往返移動該基板。例如，該樞紐134可處於該第二拋光手臂320可利用關於該支點326旋轉而能存取該裝載罩144與該化學機械研磨(CMP)站台132的位置中。此外，該第三拋光手臂330可利用關於該支點326旋轉而存取該裝載罩142與該化學機械研磨(CMP)站台130。因此，可以在該化學機械研磨(CMP)站台130與化學機械研磨(CMP)站台 132上彼此獨立裝載並處理複數個基板。以此方式進行的操作可以有效率的允許在一單一拋光模組106中於不同站台上執行兩個不同的處理。
在該拋光模組106中該等化學機械研磨(CMP)站台130、132處執行的多數不同處理，可能需要與在該拋光模組106中該等化學機械研磨(CMP)站台130、132處執行的多數其他處理為較多或較少的時間。以樞軸方式附加至該樞紐134之該等拋光手臂150彼此獨立的操作，可以不需等待多數其他基板處理完成的方式，提供處理一基板所需時間的最佳化。此外，每一拋光手臂150的獨立性允許在該化學機械研磨(CMP)站台130處該基板122的振動，而不需要考慮到在該拋光模組106中該化學機械研磨(CMP)站台132處所執行的持續處理。
藉由簡單參考第6圖的方式，可以對該等基板122通過該拋光模組106的各種移動獲得受益。第6圖為將一基板移動通過第2圖中所示一化學機械拋光系統100的方法。
在步驟610，自一裝載罩將一基板裝載至一拋光頭之中，該拋光頭係附加至一第一拋光手臂的第一端。該第一拋光手臂的第二端則以樞軸方式附加在一可轉位樞軸上的支點。該支點允許該拋光手臂獨立於該可轉位樞紐移動。
在步驟620，該基板由轉位該樞紐或關於該支點旋轉該第一拋光手臂的方式，移動至一處理站台。將該樞紐進 行轉位，將移動附加至該樞紐的所有拋光手臂。因此，在不以樞軸旋轉該等拋光手臂的情況下，裝載至由該等拋光手臂所支撐之該等拋光頭之中的該等基板，便於該樞紐轉位的相同方向中，自一位置移動至另一位置。然而，旋轉該拋光手臂將個別移動每一基板，但不移動多數其他基板。
此外，可裝載一第二基板至一第二拋光頭之中，該第二拋光頭則附加至一第二拋光手臂的第一端。該第二拋光手臂的第二端可以樞軸方式附加至該可轉位樞紐上一第二支點。如果該樞紐係被預先轉位，或如果該第一拋光手臂係被旋轉而使該樞紐轉位時，該第二基板可利用關於該第二支點旋轉該第二拋光手臂的方式移動至該處理站台。藉由使該第二拋光手臂樞軸旋轉而取代使該可轉位樞紐轉位的方式，該第一拋光手臂的位置並未被改變。藉由將該樞紐進行轉位的方式，該等拋光手臂係經有利放置以存取多數其他的拋光站台或裝載罩。在此方法中，可以處理多數基板，並以彼此獨立方式移動。
第4圖描繪一基板處理器另一具體實施例的部分橫斷面圖式，該基板處理器可於第1圖該化學機械拋光(CMP)系統100中使用。雖然只要空間允許可以利用任意數量的手臂，但在此為了簡化敘述起見則敘述三個手臂。在第4圖該第二具體實施例中，該樞紐134的中心軸210以及該等拋光手臂150能對其旋轉的中心軸402可為一致。在一具體實施 例中，該樞紐134可以不進行轉位。在另一具體實施例中，該樞紐134可以透過與先前第2圖所討論敘述的相同方式進行轉位。
該樞紐134具有多數軌道434、436，該拋光手臂150的第一端460可跨騎於該等軌道434、436上。該等軌道434、436係為圓形，並沿著該樞紐134的外圍(如第5圖中所示)。該拋光手臂150具有一底部軸承塊422，該底部軸承塊422跨騎於該軌道436上，該拋光手臂150也具有一頂部軸承塊420，該頂部軸承塊420則跨騎於該軌道434上，以允許該等拋光手臂150繞著該樞紐134自由移動。替代的，該樞紐134與該等拋光手臂150可以在其之間具有多數其他適宜的連接，像是內部軌道或圓形元件，其允許該等拋光手臂150關於該中心軸402獨立移動，該中心軸402係與該樞紐134的中心軸210一致。
該拋光手臂150可以具有一驅動齒輪組件408或其他適宜的致動器，用以關於該樞紐134的外圍移動該拋光手臂150。該驅動齒輪組件408可完全或部分設置於該樞紐134中。該驅動齒輪組件408可以包含一馬達414、一小齒輪412與一齒條410。該馬達414可以附加至該拋光手臂150，靠近該樞紐134的外圍。該小齒輪412可以附加至該馬達414。該小齒輪412與附加至該樞紐134的齒條410咬合。該馬達414旋轉該小齒輪412，使該拋光手臂150沿著該齒條410推進， 該齒條410則沿著該樞紐134外圍設置。藉由控制該小齒輪412的旋轉方向，可以選擇該拋光手臂150關於該中心軸402旋轉的角度方向。有利的是，該驅動齒輪組件408係於該平臺與該拋光襯墊朝內設置。因此，實質上自該驅動齒輪組件408產生的污染物係不可能落於該襯墊上，也不可能影響基板拋光操作。
在第4圖描繪的具體實施例中，該馬達414係設置於該拋光手臂150中。在另一具體實施例中，該馬達414則設置於該樞紐134中。仍在另一具體實施例中，該馬達414可設置於該機械底座140該上方側138下方。設想到該馬達414可以放置於任何適宜位置中，以與該驅動齒輪組件408介接，並控制該拋光手臂150的位置。
該拋光手臂150的位置係選擇性地將該拋光頭156與該等化學機械研磨(CMP)站台132、130及/或該等裝載罩142、144對齊。在將一化學機械研磨(CMP)站台中該襯墊184上該基板122拋光之後，該基板122可被移動至另一化學機械研磨(CMP)站台，或被移動至該等裝載罩之一。如何在該拋光模組106中移動該基板122則於以下參考第5圖討論。
第5圖為於第4圖中所示該拋光模組106中該樞紐134與多數附加拋光手臂150之第二具體實施例的上視圖示。在一具體實施例中，該拋光模組106的樞紐134可以關 於該中心軸402旋轉，如以箭頭556所示。在另一具體實施例中，該樞紐134可為固定，並具備只關於該中心軸402旋轉之該等拋光手臂150。
在第5圖描繪之具體實施例中，該樞紐134包含三個拋光手臂150，其所有都可以關於該相同中心軸402旋轉。該等拋光手臂150係於第5圖中描繪為：一第一拋光手臂510，其如箭頭512所示關於該中心軸402進行樞軸旋轉；一第二拋光手臂520，其如箭頭522所示關於該中心軸402進行樞軸旋轉；以及一第三拋光手臂530，其如箭頭532所示關於該中心軸402進行樞軸旋轉。
每一拋光手臂150都支撐一個別拋光頭156，該拋光頭156則持有該基板122(於第5圖中為不可見)，以利用該拋光模組106進行拋光。該拋光模組106具有各種站台，其包含兩化學機械研磨(CMP)站台130、132與兩裝載罩142、144。該基板122在被回送至該裝載罩以自該拋光模組106移除之前，係於該等拋光站台的一或多個站台中進行處理。該等拋光手臂150可彼此獨立移動，以在完成一個別拋光操作後立即推進該等基板122，而不需要使多數其他基板移動。因此，該等基板可獨立於多數其他基板進行處理，在多數其他基板進行處理之前進行推進。
該拋光頭156係可關於一拋光中心線230旋轉，該中心線230位於該拋光手臂150相對於該樞紐134的端部。 該第一拋光手臂510可以沿著該樞紐134的完整外圍旋轉。該第一拋光手臂510的旋轉可以將該拋光頭156選擇性對齊於該拋光模組106中該等站台之一。例如，該第一拋光手臂510可以藉由關於該中心軸402順時針旋轉的方式存取該化學機械研磨(CMP)站台132。此外，該第一拋光手臂510可以藉由關於該中心軸402逆時針旋轉的方式存取該裝載罩142。因此，由該拋光頭156所持有的基板122可以在不旋轉該樞紐134或影響目前該等其他拋光手臂150所持有的多數其他基板122下，存取該化學機械研磨(CMP)站台130與該裝載罩142。
在另一範例中，進入至該拋光模組106的該等基板122可能需要由該化學機械研磨(CMP)站台130或該化學機械研磨(CMP)站台132所進行的單一拋光操作。取代以該樞紐134將每一基板122每次一個進行轉位，並等待一後續基板被拋光的方式，該等拋光手臂150可以關於該固定樞紐134移動，並因此將該基板自該等化學機械研磨(CMP)站台130、132至該等裝載罩142、144進行前後移動。例如，該第一拋光手臂510可以獨立存取該裝載罩142與該化學機械研磨(CMP)130。此外，該第三拋光手臂530可以獨立存取該裝載罩144與該化學機械研磨(CMP)132。因此，可以在該化學機械研磨(CMP)站台130與化學機械研磨(CMP)站台132上彼此獨立裝載並處理複數個基板，且不對彼此的操 作形成干擾。
因此，本發明於半導體基板清洗與拋光的領域中，表現一種顯著的進步性。該基板處理器適宜以允許多數基板彼此獨立處理的方式，支撐和轉移該等基板。因此，該處理器為更通用且更容易地適用於各種基板處理序列。此外，對於該等拋光手臂之該等驅動機制的設置，係促進該等基板的移動，而不會自該基板處理器引入可能影響基板拋光操作的污染物。
雖然前述內容導向像本發明的多數具體實施例，但在不背離其基本範圍下，可設計本發明之多數其他與進一步的具體實施例，而其範圍則由以下的申請專利範圍所決定。

Claims (20)

  1. 一化學機械拋光系統，包括：一平臺；一裝載罩；一樞紐；一第一拋光手臂，該第一拋光手臂自該樞紐懸臂並可在該平臺與該裝載罩之間繞著該樞紐之中心線旋轉；以及一第二拋光手臂，該第二拋光手臂自該樞紐懸臂並可在該平臺與該裝載罩之間繞著該樞紐之中心線旋轉，其中該第二拋光手臂及該第一拋光手臂獨立於該樞紐的一旋轉而旋轉。
  2. 如請求項1所述之系統，進一步包括：一第一馬達，該第一馬達設置於該樞紐之中，用以旋轉該第一拋光手臂；以及一第二馬達，該第二馬達設置於該樞紐之中，用以旋轉該第二拋光手臂。
  3. 如請求項1所述之系統，進一步包括：一傳動齒輪組件，該傳動齒輪組件設置於該樞紐中；以及一馬達，該馬達與該傳動齒輪組件咬合，並為可操作以使該第一拋光手臂獨立於該第二拋光手臂旋轉。
  4. 如請求項1所述之系統，進一步包括：一拋光頭，該拋光頭附加於該第一拋光手臂，其中該拋光頭係經配置以在處理期間支撐一基板，並將該基板抵住該平臺放置。
  5. 如請求項1所述之系統，進一步包括：一第二裝載罩；以及一第二平臺。
  6. 如請求項5所述之系統，其中該第一拋光手臂與該第二拋光手臂係可於該第二裝載罩與該第二平臺之間旋轉。
  7. 一化學機械拋光系統，包括：一平臺；一裝載罩；一樞紐，該樞紐可關於一第一軸旋轉；一第一拋光手臂，該第一拋光手臂以樞軸方式附加至該樞紐的一第一支點，並可於該平臺與該裝載罩之間移動；以及一第二拋光手臂，該第二拋光手臂以樞軸方式附加至該樞紐的一第二支點，並可於該平臺與該裝載罩之間移動。
  8. 如請求項7所述之系統，進一步包括：一第一馬達，該第一馬達設置於該樞紐之中，用以旋轉 該第一拋光手臂；以及一第二馬達，該第二馬達設置於該樞紐之中，用以旋轉該第二拋光手臂。
  9. 如請求項7所述之系統，進一步包括：一傳動齒輪組件，該傳動齒輪組件設置於該樞紐中；以及一馬達，該馬達與該傳動齒輪組件咬合，並為可操作以使該第一拋光手臂獨立於該第二拋光手臂旋轉。
  10. 如請求項7所述之系統，進一步包括：一拋光頭，該拋光頭附加於該第一拋光手臂，其中該拋光頭係經配置以在處理期間支撐一基板，並將該基板抵住該平臺放置。
  11. 如請求項7所述之系統，進一步包括：一第二裝載罩；以及一第二平臺。
  12. 如請求項11所述之系統，其中該第一拋光手臂與該第二拋光手臂係可於該第二裝載罩與該第二平臺之間旋轉。
  13. 如請求項12所述之系統，其中該第二拋光手臂係經配置以在不移動該第一拋光手臂之該拋光頭的情況下，於該裝載 罩與該平臺之間移動一第二拋光頭。
  14. 如請求項11所述之系統，其中該第一拋光手臂之該第一支點的中心線係與該樞紐之中心線不一致。
  15. 一種用於以一基板處理器移動一基板的方法，該方法包括：自一裝載罩將一基板裝載至一第一拋光頭之中，該第一拋光頭係附加至一第一拋光手臂的一第一端，其中該第一拋光手臂的一第二端係以樞軸方式附加至一可轉位樞紐上的一第一支點；以及利用將該樞紐轉位或關於該第一支點旋轉該第一拋光手臂的方式，將該基板移動至一處理站台。
  16. 如請求項15所述之方法，進一步包括：自該裝載罩將一第二基板裝載至一第二拋光頭之中，該第二拋光頭係附加至一第二拋光手臂的第一端，其中該第二拋光手臂的一第二端係以樞軸方式附加至該可轉位樞紐上的一第二支點；以及利用在該樞紐已被預先轉位時關於該第二支點旋轉該第二拋光手臂或在該第一拋光手臂被旋轉時將該樞紐轉位的方式，將該第二基板移動至一處理站台。
  17. 如請求項16所述之方法，其中所述利用樞軸旋轉該第二 拋光手臂的方式移動該第二基板，並不移動在該第一拋光手臂中的基板。
  18. 如請求項15所述之方法，該第一與第二拋光頭係經配置以存取至少一裝載罩與至少一平臺。
  19. 如請求項18所述之方法，其中經配置以將該第一與第二拋光手臂進行樞軸旋轉的一第一與第二移動組件，係於該裝載罩與該平臺朝內設置。
  20. 如請求項16所述之方法，其中該第一與第二拋光手臂之該第一與第二支點的一中心線，係與該可轉位樞紐的一中心線不一致。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI672191B (zh) * 2013-10-16 2019-09-21 美商應用材料股份有限公司 帶有裝設樞紐手臂之化學機械拋光機的系統及方法
WO2017146720A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 Intel Corporation Wafer retainer rings for chemical mechanical polishing
WO2017146719A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 Intel Corporation Wafer retainer rings for chemical mechanical polishing
TWI644387B (zh) * 2017-10-23 2018-12-11 台灣積體電路製造股份有限公司 基板傳送系統及方法
JP6887371B2 (ja) * 2017-12-20 2021-06-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体
TWI837213B (zh) * 2018-11-21 2024-04-01 美商應用材料股份有限公司 拋光系統、載具頭組件及拋光基板的方法
US11705354B2 (en) 2020-07-10 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Substrate handling systems
CN113211964B (zh) * 2021-05-29 2022-09-23 芜湖飞驰汽车零部件技术有限公司 一种轮毂加工后端综合性设备
CN216781428U (zh) * 2021-09-07 2022-06-21 杭州众硅电子科技有限公司 晶圆抛光***
CN114619308B (zh) * 2022-03-29 2023-05-16 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆抛光***、装载方法及其使用方法
US20240075582A1 (en) * 2022-09-01 2024-03-07 Applied Materials, Inc. Modular chemical mechanical polisher with simultaneous polishing and pad treatment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080038993A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Jeong In-Kwon Apparatus and method for polishing semiconductor wafers

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2389668A (en) * 1943-03-04 1945-11-27 Barnes Drill Co Indexing mechanism for machine tables
US3715841A (en) * 1971-04-28 1973-02-13 Carmet Co Automatic profile grinding machine with an indexing mechanism
US4872289A (en) * 1986-06-10 1989-10-10 Disco Abrasive Systems, Ltd. Cutter
JPH0825151B2 (ja) * 1988-09-16 1996-03-13 東京応化工業株式会社 ハンドリングユニット
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US6155768A (en) * 1998-01-30 2000-12-05 Kensington Laboratories, Inc. Multiple link robot arm system implemented with offset end effectors to provide extended reach and enhanced throughput
US6547510B1 (en) * 1998-05-04 2003-04-15 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus with coaxial drive shafts and dual independent scara arms
US6139405A (en) * 1999-01-19 2000-10-31 Ernst Thielenhaus Gmbh & Co. Kg Method of making a motor-vehicle brake-disk assembly
US6358128B1 (en) * 1999-03-05 2002-03-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6520895B2 (en) * 1999-09-07 2003-02-18 Nikon Corporation Polishing device and polishing pad component exchange device and method
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置
JP2004050334A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Daisho Seiki Kk ブレーキディスク加工用竪型両頭平面研削盤
JP2004106084A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Ebara Corp ポリッシング装置及び基板処理装置
US7037174B2 (en) * 2002-10-03 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Methods for reducing delamination during chemical mechanical polishing
US7044832B2 (en) * 2003-11-17 2006-05-16 Applied Materials Load cup for chemical mechanical polishing
US7118451B2 (en) * 2004-02-27 2006-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP apparatus and process sequence method
US7004814B2 (en) * 2004-03-19 2006-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP process control method
US20050239384A1 (en) * 2004-04-26 2005-10-27 True Setting Sales Reshaping fixture for carbide inserts
CN101023429B (zh) * 2004-07-02 2010-09-01 斯特拉斯鲍公司 用于处理晶片的方法和***
US7258599B2 (en) * 2005-09-15 2007-08-21 Fujitsu Limited Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device
US7273408B2 (en) * 2005-12-16 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Paired pivot arm
JP4838614B2 (ja) * 2006-03-29 2011-12-14 株式会社岡本工作機械製作所 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
TWI476855B (zh) 2006-05-03 2015-03-11 Gen Co Ltd 基板傳輸設備、和使用該設備的高速基板處理系統
TWI379748B (en) * 2007-07-20 2012-12-21 Applied Materials Inc Dual-mode robot systems,substrate transfer apparatus and methods for electronic device manufacturing, and method of calibrating
JP2009212459A (ja) 2008-03-06 2009-09-17 Sharp Corp Ｃｍｐ装置及びウェハーの洗浄方法
KR20110018323A (ko) * 2008-04-25 2011-02-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 높은 처리량 화학 기계 연마 시스템
US20090280727A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 Lakshmanan Karuppiah Polishing system with three headed carousel
DE102009048012A1 (de) * 2009-10-02 2011-04-14 Kapp Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Verzahnungs- oder Profilschleifmaschine und Verzahnungs- oder Profilschleifmaschine
TWI672191B (zh) * 2013-10-16 2019-09-21 美商應用材料股份有限公司 帶有裝設樞紐手臂之化學機械拋光機的系統及方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080038993A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Jeong In-Kwon Apparatus and method for polishing semiconductor wafers

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