JP2001324631A - 基板、光ファイバ接続端部材、光素子ハウジング部材、光モジュール及び基板の製造方法 - Google Patents
基板、光ファイバ接続端部材、光素子ハウジング部材、光モジュール及び基板の製造方法Info
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Abstract
子と、光ファイバ接続端部材に接続される光ファイバコ
ネクタの光ファイバまたは光素子ハウジング部材に設け
られた光素子とを、無調芯かつ高精度に接続することが
でき、しかも簡素な構造で、安定的に実現することがで
きる基板、光ファイバ接続端部材、光素子ハウジング部
材、光モジュール及び基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の基板は、光導波路4を備えた基
板1の少なくとも一方の側に位置決め用の段差5が形成
されていることを特徴とする。
Description
接続端部材、光素子ハウジング部材、光モジュール及び
基板の製造方法に関し、特に、基板の光導波路または基
板に搭載された光素子と、光ファイバ接続端部材に接続
される光ファイバコネクタの光ファイバまたは光素子ハ
ウジング部材に設けられた光素子とを、無調芯かつ高精
度に接続可能な基板、光ファイバ接続端部材、光素子ハ
ウジング部材、光モジュール及び基板の製造方法に関す
るものである。
データ伝送には、並列光モジュールや多芯の光送受信モ
ジュール等が必要である。これらのモジュールに対して
は、より高品質化、より低コスト化が求められており、
これまで以上に部品点数の削減、モジュール構造の簡素
化、製造工程の省力化等が不可欠となる。また、光モジ
ュールを装置に組み込む際には、通常のピグテール付き
モジュールでは、光ファイバの余長処理、即ち光モジュ
ールに取り付けられた光ファイバを収納するための空間
が余分に必要になるという問題点がある。したがって、
光ファイバの取り外しが可能な、光ファイバレセプタク
ル付き光モジュールを用いることが望ましい。
タクル構造を適用するためには、多芯光ファイバコネク
タとの接続に用いるガイドピン、もしくはガイドピン挿
入孔と、光モジュールの光軸との相対位置を高精度に調
芯させる必要がある。この調芯方法としては、例えば、
光モジュールを発光させた状態で光ファイバに最も強く
光が入射するように、この光モジュールとレセプタクル
を相対移動させて位置調整し、その後、このレセプタク
ルを光モジュールに固定する、いわゆるアクティブアラ
イメントが考えられている。
トでは、光モジュールとレセプセプタクルの位置調整を
精密な手作業で行う必要があるために、光モジュールが
高コストになる要因になっている。光モジュールの低コ
スト化のためには、このような精密な手作業による調芯
は避けるべきであり、無調芯で組み立てることのできる
構造の光モジュールが求められている。
に開示されている無調芯組立構造の多芯光モジュールの
一例である光導波路部品を示す分解斜視図、図16は同
一部破断斜視図であり、この光導波路部品は、光導波路
部品本体100の両端部100a,100bに、別体の
接続端部材101,101がそれぞれ挿通固定されてい
る。光導波路部品本体100は、基板102と、クラッ
ド部103と、複数本のコア104aからなる光導波路
コア部104とを備えている。クラッド部103の上面
には、光導波路コア部104の両側に2条のV字溝10
5a,105bが形成されている。
6aから他方の端面106bまで貫通する透孔107と
ガイドピン挿入孔108a,108bが形成され、透孔
107内には、前記V字溝105a,105bと嵌合す
るV字突起109a,109bが形成されている。この
光導波路部品では、光導波路部品本体100の一方の端
部100aを、接続端部材101の透孔107に、その
V字溝105a,105bがV字突起109a,109
bに嵌合した状態で挿通し、光導波路コア部104の各
コア104aの端面と接続端部材101の端面106a
とを面一とし、この状態を保持して両者を接着し固定す
ることにより、光導波路部品本体100と接続端部材1
01を無調芯で固定することができる。
路部品本体100を、接続端部材101に、V字溝10
5a,105bがV字突起109a,109bに嵌合し
た状態で挿通するために、V字溝105a,105bや
V字突起109a,109bが破損し易いという問題が
ある。
が特開平8−248269号公報に開示されている。こ
の光導波路部品は、図17に示すように、接続端部材1
01の透孔107内の前記光導波路部品本体100のV
字溝105a,105bと対向する位置に、略同一形状
のV字溝111a,111bを形成したもので、V字溝
105a,111a間及びV字溝105b,111b間
にそれぞれ光ファイバ112等を介在させて位置決めを
行う構成である。
て、特開平9−105838号公報に開示された光導波
路装置がある。この光導波路装置は、図18に示すよう
に、基板201上にコア部206とクラッド部205を
形成した導波路チップ201の接続端面225a,22
5b側に、嵌合凹部216によって導波路チップ201
の両側面と上面210を囲んで嵌合する接続端部材20
2,203を嵌合装着し、図19に示す光導波路装置と
する。この光導波路装置では、導波路チップ201の上
面210の両側に形成されたV字溝208a,208b
と、接続端部材202,203の嵌合凹部216のV字
溝208a,208bに対応する位置に形成された逆V
字溝214,215とにより、光ファイバ209の両端
側を挟み、導波路チップ201と接続端部材202,2
03の位置決めを行っている。
来の光導波路部品や光導波路装置では、微小部品である
光ファイバをV字溝もしくは逆V字溝に合わせて載置す
る必要があり、高精度を得ることが難しいという問題点
があった。また、これら光導波路部品や光導波路装置に
おいて問題とされるのは、V字溝の精度である。そこ
で、特開平9−105838号公報には、V字溝の精度
を向上させる方法が開示されている。この方法は、機械
加工によりV字溝を形成する方法、あるいはエッチング
加工により矩形溝を形成する方法であるが、一般に、こ
れらの方法ではサブミクロンの桁の精度を達成すること
は難しく、シングルモード光ファイバアレイへ適用する
場合に問題となる。
のであって、基板の光導波路または基板に搭載された光
素子と、光ファイバ接続端部材に接続される光ファイバ
コネクタの光ファイバまたは光素子ハウジング部材に設
けられた光素子とを、無調芯かつ高精度に接続すること
ができ、しかも簡素な構造で、安定的に実現することが
できる基板、光ファイバ接続端部材、光素子ハウジング
部材、光モジュール及び基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
に、本発明は次のような基板、光ファイバ接続端部材、
光素子ハウジング部材、光モジュール及び基板の製造方
法を採用した。すなわち、本発明の請求項1記載の基板
は、光導波路を備えた基板において、その基板の少なく
とも一方の側に位置決め用の段差が形成されていること
を特徴とする。
板において、前記光導波路には、それに接続される光素
子が搭載されていることを特徴とする。
記載の基板において、前記光導波路に、光の伝搬方向に
対して傾斜した斜め溝を形成し、該斜め溝に、前記光導
波路を伝搬する光を該光導波路外に反射する光反射手段
を設けたことを特徴とする。
記載の基板において、前記光導波路に、光の伝搬方向に
対して傾斜した斜め溝を形成し、該斜め溝に、前記光導
波路を伝播する光から所望の範囲の波長の光を選択し該
光導波路外に取り出す光波長選択手段を設けたことを特
徴とする。
基板において、その基板の少なくとも一方の側に位置決
め用の段差が形成されていることを特徴とする。
基板の一端部を収納し固定する孔が形成されかつ前記基
板を光ファイバに光学的に接続する光ファイバ接続端部
材において、前記孔には、前記基板を位置決めするため
の段差が形成されていることを特徴とする。
基板の一端部または他端部を収納し固定する孔が形成さ
れかつ前記基板を光素子に光学的に接続する光素子ハウ
ジング部材において、前記孔には、前記基板を位置決め
するための段差が形成されていることを特徴とする。
ないし5のいずれか1項記載の基板と、請求項6記載の
光ファイバ接続端部材および/または請求項7記載の光
素子ハウジング部材とを備えたことを特徴とする。
記載の光モジュールにおいて、2つの前記光ファイバ接
続端部材が前記光素子ハウジング部材を挟んで対向配置
され、前記光ファイバ接続端部材に収納・固定された前
記基板と前記光素子ハウジング部材の光素子とが光学的
に接続されていることを特徴とする。
8または9記載の光モジュールにおいて、前記基板は、
弾性部材の弾性力により光ファイバ接続端部材に押圧さ
れていることを特徴とする。
項1ないし5のいずれか1項記載の基板の製造方法であ
って、異方性エッチングにより、前記基板の少なくとも
一方の側に位置決め用の段差を形成することを特徴とす
る。
造方法の各実施の形態について図面に基づき説明する。
の実施の形態の光モジュールを示す分解斜視図、図2は
同光モジュールの横断面図であり、図において、符号1
は光導波路基板(光導波路を備えた基板)、2は光導波
路基板1の端部を収納し固定する光ファイバ接続端部材
である。光導波路基板1は、矩形状のSi基板3上に、
複数のコア4aをクラッド4bで埋め込んだ石英製の多
芯構造の光導波路4が形成され、このSi基板3の上面
の両側には、その長手方向に沿ってSiの異方性エッチ
ングにより高精度の段差5,5が形成されている。
からなるハウジング11の一端面11aが研磨によって
平坦化されており、この一端面11aから他端面11b
に貫通するように、光ファイバコネクタと接続する際に
そのガイドピンを挿入するためのガイドピン挿入孔1
2、12、及び光導波路基板1の端部を収納し固定する
ための貫通孔13が形成されている。この貫通孔13に
は、ハウジング11の下面に開口するキャビティ14が
形成されるとともに、その内部には光導波路基板1に形
成された段差5,5と相補形状の段差15,15が形成
されている。このガイドピン挿入孔12の直径は、例え
ば0.7mmである。
ファー成形により、段差15,15とガイドピン挿入孔
12,12との相対位置が十分な精度となるように成形
される。また、段差5,5及び段差15,15の斜面の
角度は、例えば、45度である。
光ファイバ接続端部材2の貫通孔13に挿入した後、こ
の光導波路基板1を押圧用部材等を用いてキャビティ1
4から光ファイバ接続端部材2の上面に向かって押し付
け、光導波路基板1を光ファイバ接続端部材2にエポキ
シ接着剤等により接着し固定する。この際、光導波路基
板1の段差5,5は、光ファイバ接続端部材2の段差1
5,15と自動整合的に高精度で整合される。
1の両側部に、その長手方向に沿って段差5,5を形成
し、光ファイバ接続端部材2の貫通孔13の内部に、前
記段差5,5と相補形状の段差15,15を形成したの
で、この光導波路基板1を光ファイバ接続端部材2に接
着、固定する際に、これら段差5,5及び段差15,1
5が互いに整合され、高精度の位置合わせが可能にな
る。
と、光ファイバ接続端部材2のガイドピン挿入孔12,
12との相対位置を、無調芯で高精度に整合することが
でき、したがって、光導波路基板1のコア4aと、光フ
ァイバ接続端部材2に接続される光ファイバコネクタの
光ファイバとを、無調芯かつ高精度に接続することがで
きる。
の実施の形態の光モジュールを示す分解斜視図であり、
本実施の形態の光モジュールが上述した第1の実施の形
態の光モジュールと異なる点は、第1の実施の形態では
光導波路基板1がSi基板3上に複数のコア4aをクラ
ッド4bで埋め込んだ石英製の光導波路4を形成したの
みの構成であるのに対し、本実施の形態の光モジュール
では、Si基板3上に、光導波路4にレーザ光を入射す
るための半導体レーザ(光素子)21を搭載することに
より、ハイブリッド光集積モジュールとした点である。
光導波路4に加えて光素子である半導体レーザ21を搭
載したので、光モジュールをハイブリッド化することが
できる。
の実施の形態の光モジュールを示す分解斜視図であり、
本実施の形態の光モジュールが上述した第1の実施の形
態の光モジュールと異なる点は、第1の実施の形態では
光導波路基板1がSi基板3上に複数のコア4aをクラ
ッド4bで埋め込んだ石英製の光導波路4を形成した構
成であるのに対し、本実施の形態の光モジュールでは、
半導体レーザ21の搭載されたSiサブマウント(光素
子を備えた基板)31の両側に異方性エッチングにより
第1の実施の形態と同様の段差5,5を形成し、このS
iサブマウント31を光ファイバ接続端部材2に挿入
し、半導体レーザ21の発光面が光ファイバ接続端部材
2の一端面11aと面一になるように位置合わせを行
い、このSiサブマウント31を光ファイバ接続端部材
2に接着剤等で固定した点である。
と図示しない外部の光ファイバとが光導波路を介さずに
直接結合する。また、半導体レーザ21はハンダバンプ
を用いたセルフアラインにより、Siサブマウント31
上の所定の位置に自動的に高精度に実装される。
造にすることで、短尺の光ファイバや光導波路を光モジ
ュール内に実装する必要が無く、部品点数を削減するこ
とができ、製造コストを低減し安価なものとすることが
できる。また、光結合点数が少なくなるので、光結合部
分における反射及び結合損失を低減することができる。
また、光素子と光ファイバとの結合を光軸無調整にて達
成することができる。
体レーザ21だけでなく、他の発光素子、もしくはフォ
トダイオード(PD)やアバランシェフォトダイオード
(APD)等の受光素子、あるいは複数の光素子を搭載
した構成としてもよい。また、半導体レーザ21等の発
光素子、あるいはフォトダイオード(PD)やアバラン
シェフォトダイオード(APD)等の受光素子の周囲を
透明樹脂により封止した構成としてもよい。
バ接続端部材2の貫通孔13から外にはみ出すが、はみ
出した樹脂は研磨によって切削し、平坦化すればよい。
また、予め光ファイバ接続端部材2の貫通孔13の光フ
ァイバ側出口をガラス板等でふさいだ状態で樹脂封止を
行えば、研磨を必要とせずに平坦な端面が得られる。ま
た、このガラス板に無反射コーティングを施せば、反射
防止対策としても有効である。
ドライバや受光素子用プリアンプ等の電子部品を搭載す
れば、これらの電子部品と光素子との間の配線長を短縮
することができるため、光モジュールの高速動作に有効
である。
の実施の形態の光モジュールを示す分解斜視図であり、
本実施の形態の光モジュールは、光素子ハウジング部材
41の内部に、ハンダバンプを用いたセルフアライン方
式により半導体レーザ21を搭載したSiサブマウント
42を挿入し接着した構成である。この光素子ハウジン
グ部材41には、光ファイバ接続端部材2と同様に貫通
孔43及び段差44が形成されており、Siサブマウン
ト42の両側にも前記段差44と相補形状の段差45が
形成されている。
42と光素子ハウジング部材41との接着位置の精度
は、Siサブマウント42に形成された段差45と光素
子ハウジング部材41に形成された段差44を整合させ
て固定することにより達成することができる。
路基板1の端部を挿入する。このとき第1の実施の形態
と同様に、光導波路基板1と光ファイバ接続端部材2が
位置決め固定される。次に、光導波路基板1の他方の端
部を光素子ハウジング部材41の貫通孔43に挿入す
る。このとき光導波路基板1と光素子ハウジング部材4
1の接続位置の精度は、Si基板3に形成された段差5
と光素子ハウジング部材41に形成された段差44を整
合させて固定することにより達成することができる。ま
た、半導体レーザ21のSiサブマウント42上での位
置精度は、前述のセルフアラインにより無調整で達成す
ることができる。
段差5と光素子ハウジング部材41に形成された段差4
4とを整合し、固定することにより、半導体レーザ21
と光導波路基板1との接続を無調芯で達成することがで
きる。この半導体レーザ21は、外部の光ファイバと光
導波路4を介して結合される。
基板1に半導体レーザ21が搭載された状態で光ファイ
バ接続端部材2の端面11aを研磨する必要があるが、
本実施の形態では、予め光ファイバ接続端部材2の端面
11aを研磨してから半導体レーザ21と組み合わせる
ことができる。したがって、搭載される半導体レーザ2
1等の光素子に研磨時の振動を与えたくない場合には、
この構成が効果的である。
の実施の形態の光モジュールを示す分解斜視図であり、
本実施の形態の光モジュールは、光素子ハウジング部材
41の内部に、半導体光増幅器51を搭載したSiサブ
マウント52を挿入した構成である。このSiサブマウ
ント52の両側には、光素子ハウジング部材41の段差
44と相補形状の段差53が形成されている。
部材41との接着位置の精度は、第4の実施の形態と同
様に、Siサブマウント52に形成された段差53と光
素子ハウジング部材41に形成された段差44を整合さ
せて固定することにより達成することができる。また、
半導体光増幅器51のSiサブマウント52上での位置
精度は、セルフアラインにより達成される。
ファイバ接続端部材2を2つ用意し、これらを光素子ハ
ウジング部材41を挟んで対向配置し、光素子ハウジン
グ部材41の貫通孔43に、その両側から光導波路基板
1のそれぞれの他の端部を挿入する。それぞれの光導波
路基板1の一方の端部には光ファイバ接続端部材2が挿
入固定されているので、外部の光ファイバと接続可能で
ある。
1、1の接着位置の精度、及び光導波路基板1と光ファ
イバ接続端部材2の接着位置の精度は、第4の実施の形
態の光モジュールと同様に達成することができる。
の実施の形態の光モジュールを示す断面図であり、本実
施の形態の光モジュールは、光導波路基板1の光導波路
4に斜め溝55を形成し、この斜め溝55にミラー56
を挿入し、さらにバンプ57を介して受光素子58を搭
載した構成である。
してきた光がミラー56によって反射し、受光素子58
に入射する。ここで、ミラー56を波長選択膜とする
と、波長多重の光信号が光導波路4を伝搬してきた場合
に、この光信号のうちある領域の波長を選択的に取り出
して受光することができる。また、受光素子58の替り
に面発光レーザを搭載してもよい。これにより、面発光
レーザを用いた光送信モジュールとなる。
の実施の形態の光モジュールを示す分解斜視図、図9は
該光モジュールのSiサブマウントを示す拡大斜視図で
あり、本実施の形態の光モジュールは、Siサブマウン
ト61に半導体レーザ21と表面受光型の受光素子58
がセルフアラインにより無調整かつ高精度に実装されて
いる。
板62上に、分割された複数(この場合、2つ)のSi
基板63a、63bが貼り付けられ、これらSi基板6
3a、63bの間には鉄板からなる電磁遮蔽板64が設
けられ、Si基板63a、63bの互いに離間する側の
端部には段差65がそれぞれ形成されている。そして、
受光素子58が搭載されるSi基板63aには、異方性
エッチングによりV溝ミラー66が形成されている。こ
のSiサブマウント61を挿入し固定する光ファイバ接
続端部材2の貫通孔13には、平板マイクロレンズ68
が貼り付けられている。V溝ミラー66は、Si基板6
3aに段差65を形成する際に同時に形成しても良い。
および受光素子58の形状は、例えば、ともに300μ
m角,厚さ100μmとされ、これらをSiサブマウン
ト61に搭載するためのハンダバンプ57はAu−Sn
を主成分とするハンダが好適に用いられる。このハンダ
バンプ57の形状は、例えば、幅25μm、長さ140
μm、高さ15μmとされ、素子1個あたりのバンプ数
は4個とされる。
形成されているので、半導体レーザ21の出射点と受光
素子58の入射点に段差が生じるが、平板マイクロレン
ズ68を貼り付け、レンズ中心高さにオフセットを設け
ることにより段差を補正することができる。即ち、図1
0(a)に示すように、半導体レーザ21から出射した
光は直線的に平板マイクロレンズ68を通過し、光ファ
イバに集光される。
子58に向かって進行する光は、光軸オフセットされた
平板マイクロレンズ68によって下方に屈折された後、
V溝ミラー66によって上方に屈折されて受光素子58
に入射する。このような構成とすることにより、半導体
レーザ21と受光素子58の信号線間で生じる電気的な
クロストークを低減することができる。
8の実施の形態の光モジュールを示す斜視図であり、本
実施の形態の光モジュールは、2個のSiサブマウント
31a,31bを光ファイバ接続端部材73の貫通孔7
4に挿入し固定した構成である。この貫通孔74には平
板マイクロレンズ75が貼り付けられている。
レーザ21が、第2のSiサブマウント31bには表面
受光型の受光素子58が実装されており、受光素子58
の下部にはV溝ミラー66が形成されている。そして、
2個のSiサブマウント31a,31bの間には板バネ
76が設けられている。第1及び第2のSiサブマウン
ト31a、31bには段差5が、光ファイバ接続端部材
73には段差15がそれぞれ形成されており、これらの
段差5,15が整合し位置決め固定される。
58の搭載されるSiサブマウントを分離することによ
り、ガイドピン挿入孔12の間隔が狭く、2個のガイド
ピン挿入孔12の間にSiサブマウント31を配置する
場合に比べて、実装面積に余裕ができる。また、半導体
レーザ21と受光素子58の信号線間で生じる電気的な
クロストークを低減することができる。
ウント31a,31bの間に板バネ76を設け、それぞ
れの段差5を光ファイバ接続端部材73の段差15に押
圧する構造にすることで確実かつ容易にこれらの部材を
位置決め固定することができる。
9の実施の形態の光モジュールを示す分解斜視図であ
り、本実施の形態の光モジュールは、Siサブマウント
81上に面発光半導体レーザ82および表面入射型の受
光素子83が搭載され、その周囲に段差84が形成され
ている。また、光ファイバ接続端部材85にも段差84
と相補形状の段差86が形成されている。
の位置精度はマーカ目合わせ方式によるパッシブアライ
ンにより達成される。この光モジュールでは、Siサブ
マウント81に光ファイバ接続端部材85を、双方に設
けた段差を整合させることで高精度に位置決め固定され
る。
2および表面入射型の受光素子83の光軸がSiサブマ
ウント81に対して垂直であるため、ガイドピン挿入孔
12もSiサブマウント81と垂直になるように形成さ
れる。図13は本実施の形態の光モジュールの変形例を
示す断面図であり、光ファイバ接続端部材85の下方か
らはSiサブマウント81を、上方からは平板マイクロ
レンズ75をそれぞれ位置決め固定する構成とされてい
る。
第10の実施の形態の光モジュールの製造方法を示す過
程図であり、まず、図14(a)に示すように、Si基
板91上に石英からなる光導波路層92を形成する。こ
こで、Si基板91の厚みは0.8mmで、このSi基
板91上に、化学気相堆積法(CVD法)によって光導
波路層92を堆積させる。また、光導波路のコア4aは
断面5μm角、クラッド4bの厚さは上部、下部とも1
5μmとする。コア4aの間隔は、例えば250μm、
1個の光導波路基板に形成されるコア4aの本数は12
本とする。
路層92の不要部分をエッチングによって除去し、光導
波路4を形成する。このエッチングは16バッファード
フッ酸を用いて行う。次に、図14(c)に示すよう
に、Si基板91を異方性エッチングすることによっ
て、光導波路4の両側に段差5を形成する。この異方性
エッチングは、水酸化カリウム水溶液(KOH)を用い
て行う。このSi基板91のエッチング部分の深さは1
50μm、幅は300μm程度、エッチングにより生じ
る斜面のSi基板面とのなす角は54.7度である。
基板91をダイシングすることで光導波路基板1を作製
する。なお、Siサブマウント31についても、これに
準じた方法で作製することができる。
方法の各実施形態について図面に基づき説明してきた
が、具体的な構成は本実施形態に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可
能である。例えば、光ファイバ接続端部材2に板バネ等
の弾性部材を設け、この弾性部材の弾性力によって光導
波路基板1を光ファイバ接続端部材2の貫通孔13内側
に押圧する構造としても良い。これにより、光導波路基
板1と光ファイバ接続端部材2との段差の整合をより容
易に行うことができる。
め端面とすることで、光ファイバと光導波路4との接続
部での反射の影響を軽減することができる。また、光導
波路基板1を光ファイバ接続端部材2の貫通孔13に挿
入する際、光導波路基板1の端面を光ファイバ接続端部
材2よりも突き出た状態で接着した後、端面研磨する
と、光導波路4の端面が光ファイバ接続端部材2の端面
11aからわずかに突き出た状態で仕上げることがで
き、光ファイバとの接続を行う際、フィジカルコンタク
トが達成でき、反射による影響を軽減できる。
される場合は、光導波路基板1を光ファイバ接続端部材
2に挿入する際、光導波路基板1の端面が光ファイバ接
続端部材2の端面11aよりも引っ込んだ状態で接着・
固定した後、光導波路基板1の端面に透明充填材を充填
し、光導波路4の端面を保護する様にしても良い。
31を光素子ハウジング部材41あるいは光ファイバ接
続端部材2に挿入する場合、透明樹脂等でSiサブマウ
ント31および光素子を封止することにより光モジュー
ルの信頼性を確保することができる。
ば、少なくとも一方の側に位置決め用の段差を形成した
ので、該基板の一端部を光ファイバ接続端部材および/
または光素子ハウジング部材の孔に収納する際に、基板
と、光ファイバ接続端部材および/または光素子ハウジ
ング部材との相対位置を機構的な位置決めのみで高精度
に達成することができる。したがって、光素子を発光さ
せることなく基板の光導波路や光素子と、光ファイバ接
続端部材の光ファイバおよび/または光素子ハウジング
部材の光素子との光軸を調芯することができる。
して傾斜した斜め溝を形成し、該斜め溝に、前記光導波
路を伝搬する光を該光導波路外に反射する光反射手段を
設けたので、光導波路を伝搬してきた光を該光導波路外
に容易に取り出すことができる。
して傾斜した斜め溝を形成し、該斜め溝に、前記光導波
路を伝播する光から所望の範囲の波長の光を選択し該光
導波路外に取り出す光波長選択手段を設けたので、波長
多重の光信号が光導波路を伝搬してきた場合に、この光
信号のうちある領域の波長を選択的に取り出して受光す
ることができる。
基板の一端部を収納し固定する孔に前記基板を位置決め
するための段差を形成したので、基板の一端部を光ファ
イバ接続端部材の孔に収納する際に、基板と、光ファイ
バ接続端部材との相対位置を機構的な位置決めのみで高
精度に達成することができる。したがって、光素子を発
光させることなく基板の光導波路や光素子と、光ファイ
バ接続端部材の光ファイバとの光軸を調芯することがで
きる。
基板の一端部または他端部を収納し固定する孔に前記基
板を位置決めするための段差を形成したので、基板の一
端部を光素子ハウジング部材の孔に収納する際に、基板
と、光素子ハウジング部材との相対位置を機構的な位置
決めのみで高精度に達成することができる。したがっ
て、光素子を発光させることなく基板の光導波路や光素
子と、光素子ハウジング部材の光素子との光軸を調芯す
ることができる。
基板と、本発明の光ファイバ接続端部材および/または
光素子ハウジング部材とを備えたので、基板と、光ファ
イバ接続端部材および/または光素子ハウジング部材と
の相対位置を機構的な位置決めのみで高精度に達成する
ことができる。したがって、光素子を発光させることな
く基板の光導波路や光素子と、光ファイバ接続端部材の
光ファイバおよび/または光素子ハウジング部材の光素
子との光軸を調芯することができる。
り光ファイバ接続端部材に押圧したので、基板と光ファ
イバ接続端部材との段差の整合をより容易に行うことが
できる。
エッチングにより、前記基板の少なくとも一方の側に位
置決め用の段差を形成するので、基板に高精度の段差を
容易に形成することができる。
示す分解斜視図である。
示す横断面図である。
示す分解斜視図である。
示す分解斜視図である。
示す分解斜視図である。
示す分解斜視図である。
示す断面図である。
示す分解斜視図である。
Siサブマウントを示す拡大斜視図である。
の段差を補正した例を示す断面図である。
を示す斜視図である。
を示す分解斜視図である。
の変形例を示す断面図である。
ルの製造方法を示す過程図である。
る。
である。
である。
る。
Claims (11)
- 【請求項1】 光導波路を備え、少なくとも一方の側に
位置決め用の段差が形成されていることを特徴とする基
板。 - 【請求項2】 前記光導波路には、それに接続される光
素子が搭載されていることを特徴とする請求項1記載の
基板。 - 【請求項3】 前記光導波路に、光の伝搬方向に対して
傾斜した斜め溝が形成され、該斜め溝には、前記光導波
路を伝搬する光を該光導波路外に反射する光反射手段が
設けられていることを特徴とする請求項1または2記載
の基板。 - 【請求項4】 前記光導波路に、光の伝搬方向に対して
傾斜した斜め溝が形成され、該斜め溝には、前記光導波
路を伝播する光から所望の範囲の波長の光を選択し該光
導波路外に取り出す光波長選択手段を設けてなることを
特徴とする請求項1または2記載の基板。 - 【請求項5】 光素子が搭載され、少なくとも一方の側
に位置決め用の段差が形成されていることを特徴とする
基板。 - 【請求項6】 基板の一端部を収納し固定する孔が形成
されかつ前記基板を光ファイバに光学的に接続する光フ
ァイバ接続端部材において、 前記孔には、前記基板を位置決めするための段差が形成
されていることを特徴とする光ファイバ接続端部材。 - 【請求項7】 基板の一端部または他端部を収納し固定
する孔が形成されかつ前記基板を光素子に光学的に接続
する光素子ハウジング部材において、 前記孔には、前記基板を位置決めするための段差が形成
されていることを特徴とする光素子ハウジング部材。 - 【請求項8】 請求項1ないし5のいずれか1項記載の
基板と、請求項6記載の光ファイバ接続端部材および/
または請求項7記載の光素子ハウジング部材とを備えた
ことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項9】 2つの前記光ファイバ接続端部材が前記
光素子ハウジング部材を挟んで対向配置され、前記光フ
ァイバ接続端部材に収納・固定された前記基板と前記光
素子ハウジング部材の光素子とが光学的に接続されてい
ることを特徴とする請求項8記載の光モジュール。 - 【請求項10】 前記基板は、弾性部材の弾性力により
光ファイバ接続端部材に押圧されていることを特徴とす
る請求項8または9記載の光モジュール。 - 【請求項11】 請求項1ないし5のいずれか1項記載
の基板の製造方法であって、 異方性エッチングにより、前記基板の少なくとも一方の
側に位置決め用の段差を形成することを特徴とする基板
の製造方法。
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