JP2000266465A - 基板乾燥装置および基板乾燥方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】第１エアナイフおよび第２エアナイフに供給す
る気体の総量を増加させることなく、基板の後端部に付
着した処理液を十分に除去することができる基板乾燥装
置および基板乾燥方法を提供する。 【解決手段】そこで本発明では、基板後端処理時間にお
いて第１エアナイフＡＫ１に供給する気体の量を第１流
量切換部３１によって減少させ、この気体の量の減少分
を第２エアナイフＡＫ２に追加供給できるように、第２
流量切換部３２の設定を変更し、第２エアナイフＡＫ２
からの気体の吐出量を増加させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示器用基板等の
ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基
板、フォトマスク用基板および半導体基板などの各種の
基板に付着した処理液を除去して基板を乾燥させる基板
乾燥装置および基板乾燥方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】その主面に処理液が付着した基板を乾燥
させる基板乾燥装置として、例えば実公平８―３００１
号公報に開示されたものが知られている。この基板乾燥
装置は、処理液である純水洗浄液が付着しローラコンベ
アによって搬送される基板の主面に、基板の搬送方向に
沿って配置された２つのエアナイフから層状に気体を吹
き付けることによって、基板の主面から純水洗浄液を吹
き飛ばして除去し基板を乾燥させる。また、上述の２つ
のエアナイフには給気ファンに流路接続された給気路か
ら分岐した２つの分岐管がそれぞれ流路接続されてい
る。このように基板乾燥装置に給気ファンが設けられず
に、上記の給気路が工場設備として設置された気体供給
設備と流路接続される構成も一般的である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述の給気ファンまた
は気体供給設備からの２つのエアナイフへの気体の供給
量が十分でない場合に、基板の搬送方向における基板の
後端部に付着した処理液を十分に除去できないという問
題が発生する。この問題を解決するために、基板乾燥装
置に給気能力の高い給気ファンを設置することが考えら
れるが、装置コストが増大したり、装置が大型化するな
どの別の問題が発生する。また、気体供給設備からの基
板乾燥装置への気体の供給量を増加させることも考えら
れるが、この場合は、液晶表示器などの製品を生産する
上での製品コストが増大するなどの別の問題が発生す
る。

【０００４】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、
給気ファンや気体供給設備などの気体供給源から２つの
エアナイフに供給する気体の総量を増加させることな
く、基板の後端に付着した処理液を十分に除去すること
のできる基板乾燥装置を提供することにある。また、本
発明の別の目的は、気体供給源から少なくとも２つのエ
アナイフに供給する気体の総量を増加させることなく、
基板の後端に付着した処理液を十分に除去することので
きる基板乾燥方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、請求項１に係る発明は、処理液が付着した基板の
主面に気体を層状に吹き付けて基板を乾燥させる基板乾
燥装置において、その主面に処理液が付着した基板をそ
の主面に沿った所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、
搬送手段によって搬送される基板の主面に気体を層状に
吹き付ける第１エアナイフと、第１エアナイフより前記
搬送方向の下流側であって前記搬送方向における基板の
長さ寸法よりも小さい寸法だけ離間した位置に配置さ
れ、搬送手段によって搬送される基板の前記主面に気体
を層状に吹き付ける第２エアナイフと、気体供給源に流
路接続された主供給管から分岐し、第１エアナイフに流
路接続される第１主管と、第１主管に介設され第１主管
に流れる気体の流量を切り替える第１流量切替手段と、
前記主供給管から分岐し、第２エアナイフに流路接続さ
れる第２主管と、第２主管に介設され第２主管に流れる
気体の流量を切り替える第２流量切替手段と、第１エア
ナイフによる気体の第１吹付け位置に対する基板の位置
を検出する第１位置検出手段と、第２エアナイフによる
気体の第２吹付け位置に対する基板の位置を検出する第
２位置検出手段と、第１吹付け位置を前記基板の後端が
通過したことを第１位置検出手段により検出してから、
第２吹付け位置を基板の後端が通過したことを第２位置
検出手段により検出するまでの基板後端処理時間におい
て、第１流量切替手段によって第１主管に流れる気体の
量を減少させるとともに、第２流量切替手段によって第
２主管に流れる気体の量を増加可能に切り替えて、第１
主管における気体の量の減少分を第２主管に追加供給す
る流量制御手段とを備えたことを特徴とする。

【０００６】また、請求項２に係る発明は、上記の第１
流量切替手段が、第１主管に介設された第１主管開閉用
バルブと、第１主管開閉用バルブを迂回するように第１
主管に流路接続され第１主管が流す気体の量より少ない
量の気体を流す第１バイパス管とを有することを特徴と
する。

【０００７】さらに、請求項３に係る発明は、上記の第
１バイパス管に第１バイパス管開閉用バルブが設けられ
ていることを特徴とする。

【０００８】またさらに、請求項４に係る発明は、上記
の第１流量切替手段が、第１主管に介設され第１主管に
流れる気体の量を調節可能な第１流量調節バルブを有す
ることを特徴とする。

【０００９】また、請求項５に係る発明は、上記の第２
流量切替手段が、第２主管に介設された第２主管開閉用
バルブと、第２主管開閉用バルブを迂回するように第２
主管に流路接続され第２主管が流す気体の量より少ない
量の気体を流す第２バイパス管とを有することを特徴と
する。

【００１０】さらに、請求項６に係る発明は、上記の第
２バイパス管に第２バイパス管開閉用バルブが設けられ
ていることを特徴とする。

【００１１】またさらに、請求項７に係る発明は、上記
の第２流量切替手段が、第２主管に介設され第２主管に
流れる気体の量を調節可能な第２流量調節バルブを有す
ることを特徴とする。

【００１２】請求項８に係る発明は、気体供給源に流路
接続された主供給管からそれぞれ分岐した少なくとも２
つの分岐管にそれぞれ流路接続され、基板の搬送方向に
おける基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ互いに離間
するとともに前記搬送方向に沿って配置された少なくと
も２つのエアナイフによって、搬送される基板の主面に
気体を層状にそれぞれ吹き付けて基板に付着した処理液
を除去する基板乾燥方法において、搬送される基板の後
端が前記搬送方向の上流側に配置された第１エアナイフ
による気体の第１吹付け位置を通過し、前記基板の後端
が第１エアナイフより下流側に配置された第２エアナイ
フによる気体の第２吹付け位置を通過するまでの間にお
いて、第１エアナイフへの気体の供給量を減少させて、
この気体の量の減少分を第２エアナイフに追加供給して
第２エアナイフからの気体の吐出量を増加させることを
特徴とする。

【００１３】また、請求項９に係る発明は、第１吹付け
位置および第２吹付け位置が搬送される基板の主面上に
あるときに、第１エアナイフからの気体の吐出量と第２
エアナイフからの気体の吐出量とをほぼ同等とすること
を特徴とする。

【００１４】さらに請求項１０に係る発明は、搬送され
る基板の前端が第１吹付け位置を通過し、前記基板の前
端が第２吹付け位置に達するまでの間において、第２エ
アナイフへの気体の供給量を減少させることを特徴とす
る。

【００１５】またさらに、請求項１１に係る発明は、第
２エアナイフへの気体供給量の減少分を第１エアナイフ
に追加供給して第１エアナイフからの気体の吐出量を増
加させることを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。図１はこの発明
の第１実施形態を示す模式図である。図１において、基
板洗浄装置１は、液晶表示器用の矩形状基板Ｗの主面に
処理液である洗浄液を供給して基板Ｗを洗浄するもので
ある。基板乾燥装置２は、基板洗浄装置１によって洗浄
された基板Ｗの主面に付着した洗浄液を除去するもので
ある。

【００１７】基板洗浄装置１には、洗浄液ＣＬが供給さ
れる基板Ｗの周囲を覆う略箱型の洗浄槽１１が設けられ
ている。この洗浄槽１１の上流側側面には、基板Ｗを洗
浄槽１１に搬入するための搬入口１２が形成され、下流
側側面には基板Ｗを洗浄槽１１から搬出するための搬出
口１３が形成されている。また、洗浄槽１１の底面は漏
斗状であり、この底面中央付近には、基板Ｗに供給され
た洗浄液ＣＬおよび洗浄槽１１内の雰囲気を洗浄槽１１
外へ排出するための排出口１４が形成されている。

【００１８】洗浄槽１１の内部には、基板Ｗをほぼ水平
に支持しつつその主面に沿った搬送方向（図１において
右方向）に例えば１００ｃｍ／ｍｉｎの搬送速度で搬送
する複数の搬送ローラ１５が互いに平行に前記搬送方向
に沿って配列されている。この複数の搬送ローラ１５の
上方には、基板Ｗの上側主面に洗浄液ＣＬを供給する複
数のノズル１６が洗浄槽１１に固定された図示しない取
付部材によって配置されている。各ノズル１６には、基
板洗浄装置１外に工場設備として設置された洗浄液供給
源ＬＳに流路接続された洗浄液供給管１７が、それぞれ
流路接続されている。

【００１９】基板洗浄装置１の下流側には基板乾燥装置
２が隣接配置されている。基板乾燥装置２は、乾燥処理
される基板Ｗの周囲を覆う乾燥槽２１を備えている。こ
の乾燥槽２１の上流側側面は、洗浄槽１１の下流側側面
と当接している。また、乾燥槽２１の上流側側面には、
乾燥槽１２内に基板Ｗを搬入するための搬入口２２が洗
浄槽１１の搬出口１３と連通するように形成されてい
る。乾燥槽２１の下流側側面には、乾燥槽２１内から基
板Ｗを搬出するための搬出口２３が形成されている。乾
燥槽２１の底面は漏斗状であり、この底面中央付近に
は、基板Ｗから除去された洗浄液および乾燥槽２１内の
雰囲気を乾燥槽２１外へ排出するための排出口２４が形
成されている。

【００２０】乾燥槽２１の内部には、基板Ｗをほぼ水平
に支持しつつその主面に沿った搬送方向（図１において
右方向）に例えば１００ｃｍ／ｍｉｎの搬送速度で搬送
する複数の搬送ローラ２５が互いに平行に前記搬送方向
に沿って配列されている。複数の搬送ローラ２５の上方
には、第１エアナイフＡＫ１および第２エアナイフＡＫ
２が乾燥槽２１の上部内面に固定された図示しない取付
部材によって基板の搬送方向に沿って互いに平行に配置
されている。また、図１に示すように第１エアナイフＡ
Ｋ１および第２エアナイフＡＫ２は、鉛直方向に対して
例えば１０度から５０度の範囲内で傾斜しているととも
に、図４に示すように搬送方向と直交する方向に対して
例えば５度から５０度の範囲内で傾斜している。

【００２１】第１エアナイフＡＫ１および第２エアナイ
フＡＫ２は、同じ構造であり、搬送される基板Ｗの上主
面と対向する先端には、基板の搬送方向と直交する基板
の幅寸法よりも若干大きな長さ寸法を有するスリット状
の吐出口が形成されている。

【００２２】第１エアナイフＡＫ１および第２エアナイ
フＡＫ２には、基板乾燥装置２１外に工場設備として設
置された気体供給源ＡＳに流路接続された主供給管ＬＳ
からそれぞれ分岐した第１主管Ｌ１、第２主管Ｌ２がそ
れぞれ流路接続されている。主供給管ＬＳには、主供給
管ＬＳ内を流れる気体を清浄にするフィルタＦＬが介設
されている。

【００２３】第１主管Ｌ１および第２主管Ｌ２には流量
切換部３が介設されている。流量切換部３は、第１主管
Ｌ１に介設された第１流量切換部３１と第２主管Ｌ２に
介設された第２流量切換部３２とから構成される。第１
流量切換部３１は、第１主管Ｌ１に介設された開閉バル
ブＶ１１と、この開閉バルブＶ１１を迂回するように第
１主管Ｌ１に流路接続されたバイパス管Ｌ１１を備えて
いる。また、バイパス管Ｌ１１には開閉バルブＶ１２が
介設されている。

【００２４】バイパス管Ｌ１１の配管径は、第１主管Ｌ
１の配管径よりも小さく、その結果、バイパス管Ｌ１１
内を流れる気体の量は、第１主管Ｌ１内を流れる気体の
量よりも少なくなる。具体的には、第１主管Ｌ１は、例
えば３００Ｌ／ｍｉｎ（リットル／分）以下の量の気体
を流すことが可能であり、バイパス管Ｌ１１は例えば１
０Ｌ／ｍｉｎ以下の量の気体を流すことが可能である。

【００２５】第２流量切換部３２は、第２主管Ｌ２に介
設された開閉バルブＶ２１と、この開閉バルブＶ２１を
迂回するように第２主管Ｌ２に流路接続されたバイパス
管Ｌ２１を備えている。バイパス管Ｌ２１には開閉バル
ブＶ２２が介設されている。バイパス管Ｌ２１の配管径
は、第２主管Ｌ２の配管径よりも小さく、その結果、バ
イパス管Ｌ２１内を流れる気体の量は、第２主管Ｌ２内
を流れる気体の量よりも少なくなる。具体的には、第２
主管Ｌ２は、例えば６００Ｌ／ｍｉｎ（リットル／分）
以下の量の気体を流すことが可能であり、バイパス管Ｌ
２１は例えば３００Ｌ／ｍｉｎ以下の量の気体を流すこ
とが可能である。図１において、開閉バルブＶ１１およ
び開閉バルブＶ２２はそれぞれ開状態であり、開閉バル
ブＶ１２および開閉バルブＶ２１は閉状態である。な
お、図１および後述する各図において、各バルブの開閉
状態を明瞭にするために、開状態にあるバルブは黒塗り
で図示され、閉状態にあるバルブは白抜きで図示されて
いる。

【００２６】第１エアナイフＡＫ１による気体ａ１の吹
付け位置である第１吹付け位置ｐ１の下方および第２エ
アナイフＡＫ２による気体ａ２の吹付け位置である第２
吹付け位置ｐ２の下方には、第１センサＰＳ１および第
２センサＰＳ２が搬送方向に沿って配置されている。第
１センサＰＳ１および第２センサＰＳ２は共に振り子式
のセンサであり、支点を中心に揺動自在な振り子部とこ
の振り子部の変位を検出する検出部とから構成されてい
る。直立状態にある振り子部が、搬送される基板Ｗの前
端Ｆによって押し倒される位置に第１センサＰＳ１およ
び第２センサＰＳ２の高さ位置が設定されている。

【００２７】上述のように各センサＰＳ１、ＰＳ２の高
さ位置が設定されているので、搬送される基板Ｗの前端
Ｆが、その自重によって直立状態にある各センサＰＳ
１、ＰＳ２の振り子部の先端と接触し振り子部を押し倒
すことによって、各センサＰＳ１、ＰＳ２の振り子部が
支点を中心に傾斜し傾斜状態となる。この傾斜状態は、
振り子部の先端が基板の下側主面に接触している間は維
持される。各検出部は、各振り子部の直立状態から傾斜
状態への変位をそれぞれ検出し、基板Ｗの前端Ｆが各セ
ンサＰＳ１、ＰＳ２上を通過したことをそれぞれ検出す
る。

【００２８】また、基板Ｗの搬送に連れて、基板Ｗの後
端Ｒが各センサＰＳ１、ＰＳ２上を通過すると、各セン
サＰＳ１、ＰＳ２の各振り子部の先端と基板Ｗの下側主
面とが接触しなくなり、傾斜状態にある各振り子部がそ
の自重によってそれぞれ直立状態に復帰する。この傾斜
状態から直立状態への各振り子部の変位を各検出部がそ
れぞれ検出し、基板Ｗの後端Ｒが各センサＰＳ１、ＰＳ
２上を通過したことをそれぞれ検出する。

【００２９】第１センサＰＳ１には、第１信号線ＳＬ１
の一方端が電気的に接続され、第２センサＰＳ２には、
第２信号線ＳＬ２の一方端が電気的に接続されている。
第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２の他方端はそ
れぞれ流量制御部４に電気的に接続されている。流量制
御部４は、基板乾燥装置２などを統括的に制御するマイ
クロコンピュータを含む制御装置内に設けられている。
流量制御部４は、第１センサＰＳ１および第２センサＰ
Ｓ２から第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２を介
して送信される信号に基づいて、各開閉バルブＶ１１，
Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２にその開閉動作を指示する信号
を送信する。流量制御部４は、制御装置とは別個のロジ
ック回路によって構成しても良い。

【００３０】次に、上述の基板洗浄装置１および基板乾
燥装置２の動作について説明する。図１に示すように、
洗浄槽１１の搬入口１２から搬入された基板Ｗは、洗浄
槽１１内を複数の搬送ローラ１５によってほぼ水平に支
持されつつその主面に沿った方向に搬送される。基板Ｗ
が洗浄槽１１内に搬入されたことを図示しないセンサが
検知すると、洗浄液供給源ＬＳから洗浄液供給管１７を
介して複数のノズル１６にそれぞれ供給された洗浄液
が、複数のノズル１６の吐出口から搬送される基板Ｗの
上側主面に向けてそれぞれ吐出される。複数のノズル１
６からそれぞれ吐出された洗浄液は、基板Ｗの上側主面
に供給され、基板Ｗの上側主面が洗浄される。基板Ｗに
供給され基板Ｗから流れ落ちた洗浄液は、排出口１４か
ら洗浄槽１１外に排出される。洗浄処理を終えた基板Ｗ
は、搬出口１３を介して基板乾燥装置２に向けて搬出さ
れる。

【００３１】基板洗浄装置１から搬出され、その上側主
面に洗浄液が付着した基板Ｗは、搬入口２２を介して基
板乾燥装置２の乾燥槽２１内に搬入される。図２には、
乾燥槽２１内に搬入された基板Ｗの前端Ｆが第１吹付け
位置ｐ１に達する前の状態を示す模式図である。また、
図４（ａ）は図２に示す状態を説明するための平面図で
ある。図２に示すように、基板Ｗの前端Ｆが第１吹付け
位置ｐ１に達する前においては、第１センサＰＳ１およ
び第２センサＰＳ２の振り子部は共に直立状態である。
このとき、第１センサＰＳ１および第２センサＰＳ２
は、振り子部が直立状態であることを示すＯＦＦ信号を
第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２を介して流量
制御部４にそれぞれ送信する。これらのＯＦＦ信号を受
信した流量制御部４は、開閉バルブＶ１１を開状態に、
開閉バルブＶ１２を閉状態に、開閉バルブＶ２１を閉状
態に、開閉バルブＶ２２を開状態にするように各開閉バ
ルブＶ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２に信号を送信す
る。

【００３２】流量制御部４からの信号を受けた開閉バル
ブＶ１１は開状態に、開閉バルブＶ１２は閉状態に、開
閉バルブＶ２１は閉状態に、開閉バルブＶ２２は開状態
となる。その結果、気体供給源ＡＳから主供給管ＬＳに
供給され、第１主管Ｌ１側に分岐した気体は、バイパス
管Ｌ１１へ分岐することなく第１エアナイフＡＫ１に気
体が供給される。また、第２主管Ｌ２側に分岐した気体
は、バイパス管Ｌ２１へ分岐した後、再び第２主管Ｌ２
に戻り第２エアナイフＡＫ２に供給される。上述のよう
に第１主管Ｌ１およびバイパス管Ｌ２１は、３００Ｌ／
ｍｉｎ以下の量の気体を流すことが可能であるので、気
体供給源ＡＳから主供給管ＬＳに例えば６００Ｌ／ｍｉ
ｎの量の気体が供給されると、主供給管ＬＳから第１主
管Ｌ１側へ３００Ｌ／ｍｉｎの量の気体が分岐し、第２
主管Ｌ２側へ３００Ｌ／ｍｉｎの量の気体が分岐する。
そして、第１エアナイフＡＫ１および第２エアナイフＡ
Ｋ２からそれぞれ同等量（約３００Ｌ／ｍｉｎ）の気体
が吐出される。

【００３３】そして、複数の搬送ローラ２５によって基
板Ｗが搬送され、図１および図４（ｂ）に示すように、
第１吹付け位置ｐ１および第２吹付け位置ｐ２が基板Ｗ
の上側主面上に位置することとなる。このとき、搬送さ
れる基板Ｗの搬送方向と直交する幅方向にわたって、各
エアナイフＡＫ１，ＡＫ２から搬送方向と逆方向に向け
て層状に気体ａ１，ａ２がそれぞれ吹き付けられて、基
板Ｗの上側主面に付着した洗浄液が主面上から搬送方向
の上流側に向けて吹き飛ばされて除去される。また、各
センサＰＳ１，ＰＳ２の振り子部は共に傾斜状態とな
り、流量制御部４にそれぞれＯＮ信号が送信される。こ
の状態においても各エアナイフＡＫ１，ＡＫ２からそれ
ぞれ同等量の気体が吐出される状態が継続される。

【００３４】次に、図３および図４（ｃ）に示すように
基板Ｗの後端Ｒが第１吹付け位置ｐ１を通過し、第２吹
付け位置ｐ２を通過するまでの基板後端処理時間におけ
る動作について説明する。この基板後端処理時間におい
て、第１センサＰＳ１の振り子部はその先端が基板Ｗの
下側主面と接触していないのでその自重で直立状態に変
位している。第１センサＰＳ１の検出部は振り子部が直
立状態であることを検出し、第１センサＰＳ１から流量
制御部４にＯＦＦ信号が送信される。一方、第２センサ
ＰＳ２の振り子部はその先端が基板Ｗの下側主面と接触
し続けているので傾斜状態を維持している。第２センサ
ＰＳ２の検出部は振り子部が傾斜状態であることを検出
し、第２センサＰＳ２から流量制御部４にＯＮ信号が送
信される。

【００３５】第１センサＰＳ１からＯＦＦ信号を、第２
センサＰＳ２からＯＮ信号をそれぞれ受信した流量制御
部４は、図３に示すように開閉バルブＶ１１を閉状態
に、開閉バルブＶ１２を開状態に、開閉バルブＶ２１を
開状態に、開閉バルブＶ２２を閉状態にそれぞれ設定す
る。その結果、気体供給源ＡＳから主供給管ＬＳに供給
され第１主管Ｌ１側に分岐した気体は、バイパス管Ｌ１
１に分岐した後、再び第１主管に戻り第１エアナイフＡ
Ｋ１に供給される。これに対し、第２主管Ｌ２側に分岐
した気体は、バイパス管２１に分岐することなく第２エ
アナイフＡＫ２に供給される。上述のようにバイパス管
Ｌ１１は１０Ｌ／ｍｉｎ以下の量しか気体を流すことが
できないので、図３に示す状態では主供給管ＬＳから第
１主管Ｌ１側に分岐する気体の量は１０Ｌ／ｍｉｎとな
る。これに対し、第２主管Ｌ２は６００Ｌ／ｍｉｎの量
の気体を流すことが可能であるので、第１主管Ｌ１での
気体の減少分である２９０Ｌ／ｍｉｎが第２主管Ｌ２側
に追加供給されて、第２主管Ｌ２内には５９０Ｌ／ｍｉ
ｎの量の気体が流れる。そして、第１エアナイフＡＫ１
からの気体の吐出量は約１０Ｌ／ｍｉｎに減少し、第２
エアナイフＡＫ２からの気体の吐出量は約５９０Ｌ／ｍ
ｉｎに増加する。

【００３６】上述のように基板後端処理時間において
は、基板Ｗの後端部に第２エアナイフＡＫ２から多量に
気体が吐出され、基板Ｗの後端部に付着した洗浄液が十
分に除去される。また、第１エアナイフＡＫ１に供給す
る気体の量を減少させ、この減少分を第２エアナイフＡ
Ｋ２に追加供給するので、気体供給源ＡＳから第１エア
ナイフＡＫ１および第２エアナイフＡＫ２に供給する気
体の総量は例えば６００Ｌ／ｍｉｎと一定である。さら
に、第１エアナイフＡＫ１から少量の気体が吐出されて
いるので、第１エアナイフＡＫ１内に基板Ｗから飛散し
た洗浄液の飛沫が第１エアナイフＡＫ１内に浸入するこ
とを防止でき、第１エアナイフＡＫ１が汚染されること
による基板の再汚染を防止できる。

【００３７】基板後端処理時間は、基板Ｗの後端Ｒが第
２吹付け位置ｐ２を通過するまで継続される。すなわ
ち、図４（ｄ）に示すように基板Ｗの後端Ｒが第２吹付
け位置ｐ２を通過すると、第２センサＰＳ２の振り子部
が基板Ｗの下側主面に接触しなくなるので、その自重で
直立状態に変位する。その結果、図２に示すように第１
センサＰＳ１および第２センサＰＳ２が共に直立状態と
なり、上述したように第１エアナイフＡＫ１および第２
エアナイフＡＫ２からほぼ同等量（約３００Ｌ／ｍｉ
ｎ）の気体を吐出しつつ、図４（ｄ）に示すように次に
乾燥処理すべき基板Ｗ２を待機する状態となる。

【００３８】次に流量切換部３の変形例について図５を
用いて説明する。図５において図１における符号と同じ
符号が付されている部材は、図１に図示される部材と同
じ部材を示し、その詳細な説明は省略する。なお、図５
においてｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４は、第１主管Ｌ１およ
び第２主管Ｌ２との各接続部である。

【００３９】図５（ａ）に示すように、バイパス管Ｌ１
２，Ｌ２２に開閉バルブを設けず流量切換を開閉バルブ
Ｖ１１，Ｖ２１のみで行う構成でも良い。具体的には、
上述の基板後端処理時間（図４（ｃ））において開閉バ
ルブＶ１１を閉状態とし、開閉バルブＶ２１を開状態と
する。また、図４（ａ）（ｂ）（ｄ）に示す状態におい
ては、開閉バルブＶ１１を開状態とし、開閉バルブＶ２
１を閉状態とする。

【００４０】図５（ｂ）に示すように、第１主管Ｌ１に
バイパス管を設ける代わりに第１主管Ｌ１にスローリー
ク機能付のバルブＶ１３を介設させても良い。バブル１
３は閉状態において少量（例えば１０Ｌ／ｍｉｎ）の気
体を流すことが可能なバルブである。具体的には、上述
の基板後端処理時間（図４（ｃ））においてバルブＶ１
３を閉状態とし、開閉バルブＶ２１を開状態に、開閉バ
ルブ２２を閉状態とする。また、図４（ａ）（ｂ）
（ｄ）に示す状態においては、バルブＶ１３を開状態と
し、開閉バルブＶ２１を閉状態に、開閉バルブ２２を開
状態とする。

【００４１】図５（ｃ）に示すように第１主管Ｌ１およ
び第２主管Ｌ２にそれぞれ流量調節機能付のバルブ１
４，２４をそれぞれ介設させても良い。このバルブ１
４，２４は、流量制御部４からの電気信号に基づいてバ
ルブ１４，２４内のオリフィス径の開度を変更しバルブ
１４，２４内を流れる気体の量を調節できるものであ
る。具体的には、上述の基板後端処理時間（図４
（ｃ））においてバルブ１４内のオリフィス径が小さく
なるように開度を変更し、バルブＶ２４内のオリフィス
径が大きくなるように開度を変更する。また、図４
（ａ）（ｂ）（ｄ）に示す状態においては、バルブＶ１
４内のオリフィス径とバルブＶ２４内のオリフィス径と
が同等となるようにそれぞれの開度を変更する。

【００４２】また、図３に示す第１実施形態で、基板後
端処理時間において、開閉バルブ１１，１２を共に閉状
態とし、第１エアナイフＡＫ１からの気体の吐出を停止
しても良い。

【００４３】次に、図６（ａ）に示すように基板Ｗの前
端Ｒが第１吹付け位置ｐ１を通過し、第２吹付け位置ｐ
２を通過するまでの基板前端処理時間における変形例に
ついて説明する。この基板前端処理時間において図６
（ｂ）に示すように開閉バルブ２１，２２を共に閉状態
として第２エアナイフＡＫ２からの気体の吐出を停止す
る。そして、開閉バルブ１１を開状態に、開閉バルブＶ
１２を閉状態にして第２エアナイフＡＫ２からのみ例え
ば約３００Ｌ／ｍｉｎの量の気体を吐出する。

【００４４】また、図５（ｃ）に示す流量切換部３を用
いて、さらに第１主管Ｌ１の配管径および第２主管Ｌ２
の配管径を共に例えば６００Ｌ／ｍｉｎの量の気体を流
すことが可能な配管径に設定しても良い。そして、バル
ブ２４のオリフィス径を小さくしバルブ１４のオリフィ
ス径を大きくするようにバルブ２４，１４のオリフィス
の開度をそれぞれ変更すると、第１主管Ｌ１には多量
（例えば５９０Ｌ／ｍｉｎ）の気体が流れ、第２主管Ｌ
２には少量（例えば１０Ｌ／ｍｉｎ）の気体が流れる。
その結果、第１エアナイフＡＫ１からは多量の気体が基
板Ｗの前端部に向けて吐出されて基板Ｗの前端部に付着
した洗浄液が効率良く除去される。また、第２エアナイ
フＡＫ２から少量の気体が吐出され、第２エアナイフＡ
Ｋ２内の汚染が防止できる。

【００４５】本発明は、上述の各実施形態に限定される
ものではない。例えば基板乾燥装置２によって基板Ｗの
主面から除去する処理液は、現像液、エッチング液、剥
離液等の各種の処理液でもよい。上述の各実施形態にお
いては、複数の搬送ローラ１５，１６によって基板Ｗは
水平に支持されつつ搬送されるが、基板Ｗの搬送方向に
向かって左右に傾斜させた傾斜姿勢で基板Ｗの主面に沿
った方向に基板Ｗを搬送しても良い。この場合、各エア
ナイフＡＫ１，ＡＫ２のスリット状の吐出口と基板Ｗの
主面との間隔を一定にするために、各エアナイフを基板
Ｗとそれぞれ平行に設置するのが好ましい。また、基板
の主面に沿って鉛直方向に基板を搬送させても良い。さ
らに、各エアナイフＡＫ１，ＡＫ２が基板Ｗの搬送方向
と直交する方向と平行に配置しても良い。また、各エア
ナイフＡＫ１，ＡＫ２を搬送方向と直交する方向に対
し、互いに異なる方向に傾斜させて、平面視でハの字状
に配置しても良い。さらに、各エアナイフＡＫ１，ＡＫ
２を基板Ｗの下主面側に配置して下側主面に付着した処
理液を除去する構成でも良いし、両主面側にそれぞれ配
置する構成でも良い。気体供給源ＡＳとして例えば給気
ファンなどを基板乾燥装置２に設置しても良い。また、
各センサＰＳ１，ＰＳ２は光学式のセンサでも良い。乾
燥処理する基板は略円形の半導体ウエハでも良い。

【００４６】

【発明の効果】以上詳細に説明した如く、請求項１また
は請求項８に係る発明によれば、基板後端処理時間にお
いて、第１エアナイフに供給する気体の量を減少させ、
この気体の量の減少分を第２エアナイフに追加供給して
第２エアナイフからの吐出量を増加させることができる
ので、第１エアナイフおよび第２エアナイフに供給する
気体の総量を増加させることなく、基板の後端部に付着
した処理液を十分に除去することができる。

【００４７】また請求項２から請求項７のいずれかに係
る発明によれば、第１エアナイフおよび第２エアナイフ
への気体の供給量を簡単な構成で切り替えることができ
る。

【００４８】さらに請求項９に係る発明によれば、第１
吹付け位置および第２吹付け位置が基板の主面上にある
ときに、第１エアナイフおよび第２エアナイフからの気
体の吐出量をほぼ同等とすることができるので、均一な
乾燥処理が可能となる。

【００４９】またさらに、請求項１０に係る発明によれ
ば、第１吹付け位置のみが基板の主面上にあるときに第
２エアナイフへの気体の供給量を減少させるので、気体
の使用量が減少し、製品の生産コストを削減できる。

【００５０】さらに請求項１１に係る発明によれば、第
２エアナイフへの気体供給量の減少分を第１エアナイフ
に供給し第１エアナイフからの気体の吐出量を増加させ
ることができるので、第１エアナイフおよび第２エアナ
イフに供給する気体の総量を増加させることなく、第１
エアナイフによって基板の前端部に付着した処理液の除
去効率が向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施形態を示す模式図である。

【図２】第１実施形態において第１吹付け位置に基板の
前端が到達する前の状態を示す模式図である。

【図３】第１実施形態において基板後端処理時間の状態
を示す模式図である。

【図４】第１実施形態において、各吹付け位置と基板と
の位置関係を説明するための平面図である。

【図５】流量切換部の変形例を示す模式図である。

【図６】基板前端処理時間における変形例を説明するた
めの説明図である。

【符号の説明】

１ 基板洗浄装置 ２ 基板乾燥装置 ３ 流量切換部 ４ 流量制御部 １５、２５ 搬送ローラ Ｗ，Ｗ１，Ｗ２ 基板 ＡＫ１ 第１エアナイフ ＡＫ２ 第２エアナイフ ＡＳ 気体供給源 ＬＳ 主供給管 Ｌ１ 第１主管 Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２ バイパス管 Ｌ２ 第２主管 ｐ１ 第１吹付け位置 ｐ２ 第２吹付け位置 ＰＳ１ 第１センサ ＰＳ２ 第２センサ Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２ 開閉バルブ Ｖ１３，Ｖ１４，Ｖ２４ バルブ Ｆ 基板の前端 Ｒ 基板の後端

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】処理液が付着した基板の主面に気体を層状
   に吹き付けて基板を乾燥させる基板乾燥装置において、 その主面に処理液が付着した基板をその主面に沿った所
   定の搬送方向に搬送する搬送手段と、 搬送手段によって搬送される基板の主面に気体を層状に
   吹き付ける第１エアナイフと、 第１エアナイフより前記搬送方向の下流側であって前記
   搬送方向における基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ
   離間した位置に配置され、搬送手段によって搬送される
   基板の前記主面に気体を層状に吹き付ける第２エアナイ
   フと、 気体供給源に流路接続された主供給管から分岐し、第１
   エアナイフに流路接続される第１主管と、 第１主管に介設され第１主管に流れる気体の流量を切り
   替える第１流量切替手段と、 前記主供給管から分岐し、第２エアナイフに流路接続さ
   れる第２主管と、 第２主管に介設され第２主管に流れる気体の流量を切り
   替える第２流量切替手段と、 第１エアナイフによる気体の第１吹付け位置に対する基
   板の位置を検出する第１位置検出手段と、 第２エアナイフによる気体の第２吹付け位置に対する基
   板の位置を検出する第２位置検出手段と、 第１吹付け位置を前記基板の後端が通過したことを第１
   位置検出手段により検出してから、第２吹付け位置を基
   板の後端が通過したことを第２位置検出手段により検出
   するまでの基板後端処理時間において、第１流量切替手
   段によって第１主管に流れる気体の量を減少させるとと
   もに、第２流量切替手段によって第２主管に流れる気体
   の量を増加可能に切り替えて、第１主管における気体の
   量の減少分を第２主管に追加供給する流量制御手段と、
   を備えたことを特徴とする基板乾燥装置。
2. 【請求項２】第１流量切替手段が、第１主管に介設され
   た第１主管開閉用バルブと、第１主管開閉用バルブを迂
   回するように第１主管に流路接続され第１主管が流す気
   体の量より少ない量の気体を流す第１バイパス管とを有
   することを特徴とする請求項１に記載の基板乾燥装置。
3. 【請求項３】第１バイパス管に第１バイパス管開閉用バ
   ルブが設けられていることを特徴とする請求項２に記載
   の基板乾燥装置。
4. 【請求項４】第１流量切替手段が、第１主管に介設され
   第１主管に流れる気体の量を調節可能な第１流量調節バ
   ルブを有することを特徴とする請求項１に記載の基板乾
   燥装置。
5. 【請求項５】第２流量切替手段が、第２主管に介設され
   た第２主管開閉用バルブと、第２主管開閉用バルブを迂
   回するように第２主管に流路接続され第２主管が流す気
   体の量より少ない量の気体を流す第２バイパス管とを有
   することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか
   に記載の基板乾燥装置。
6. 【請求項６】第２バイパス管に第２バイパス管開閉用バ
   ルブが設けられていることを特徴とする請求項５に記載
   の基板乾燥装置。
7. 【請求項７】第２流量切替手段が、第２主管に介設され
   第２主管に流れる気体の量を調節可能な第２流量調節バ
   ルブを有することを特徴とする請求項１から請求項４の
   いずれかに記載の基板乾燥装置。
8. 【請求項８】気体供給源に流路接続された主供給管から
   それぞれ分岐した少なくとも２つの分岐管にそれぞれ流
   路接続され、基板の搬送方向における基板の長さ寸法よ
   りも小さい寸法だけ互いに離間するとともに前記搬送方
   向に沿って配置された少なくとも２つのエアナイフによ
   って、搬送される基板の主面に気体を層状にそれぞれ吹
   き付けて基板に付着した処理液を除去する基板乾燥方法
   において、 搬送される基板の後端が前記搬送方向の上流側に配置さ
   れた第１エアナイフによる気体の第１吹付け位置を通過
   し、前記基板の後端が第１エアナイフより下流側に配置
   された第２エアナイフによる気体の第２吹付け位置を通
   過するまでの間において、第１エアナイフへの気体の供
   給量を減少させて、この気体の量の減少分を第２エアナ
   イフに追加供給して第２エアナイフからの気体の吐出量
   を増加させることを特徴とする基板乾燥方法。
9. 【請求項９】第１吹付け位置および第２吹付け位置が搬
   送される基板の主面上にあるときに、第１エアナイフか
   らの気体の吐出量と第２エアナイフからの気体の吐出量
   とをほぼ同等とすることを特徴とする請求項８に記載の
   基板乾燥方法。
10. 【請求項１０】搬送される基板の前端が第１吹付け位置
    を通過し、前記基板の前端が第２吹付け位置に達するま
    での間において、第２エアナイフへの気体の供給量を減
    少させることを特徴とする請求項８または請求項９に記
    載の基板乾燥方法。
11. 【請求項１１】第２エアナイフへの気体供給量の減少分
    を第１エアナイフに追加供給して第１エアナイフからの
    気体の吐出量を増加させることを特徴とする請求項１０
    に記載の基板乾燥方法。