JP2000196152A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光素子およびその製造方法

Info

Publication number
JP2000196152A
JP2000196152A JP36680398A JP36680398A JP2000196152A JP 2000196152 A JP2000196152 A JP 2000196152A JP 36680398 A JP36680398 A JP 36680398A JP 36680398 A JP36680398 A JP 36680398A JP 2000196152 A JP2000196152 A JP 2000196152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
emitting device
light emitting
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP36680398A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3469484B2 (ja
Inventor
Haruhiko Okazaki
崎 治 彦 岡
Koichi Nitta
田 康 一 新
Chiharu Nozaki
崎 千 晴 野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP36680398A priority Critical patent/JP3469484B2/ja
Priority to US09/469,340 priority patent/US6495862B1/en
Publication of JP2000196152A publication Critical patent/JP2000196152A/ja
Priority to US10/280,510 priority patent/US6924163B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3469484B2 publication Critical patent/JP3469484B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極とのオーミック接触を確保すると共に、
光の取り出し効率を劇的に改善することができる半導体
発光素子及びその製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 光の取り出し面を凹凸状に加工すること
により、活性層から放出された光の取り出し効率すなわ
ち、外部量子効率を大幅に改善することができる。ま
た、ｐ型ＧａＮ層の表面付近にマグネシウム（Ｍｇ）な
どのｐ型ドーパントを含んだ層を堆積して拡散させ、そ
の層を除去した後にｐ側電極を形成することにより、ｐ
側電極とのオーミック接触を確保し、電極の剥離も防
ぎ、信頼性も改善することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子及
びその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、Ｇ
ａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮなどの窒化物系半導体層
が積層された発光素子であって、素子の動作電圧低減、
高輝度化、信頼性の向上などが著しい半導体発光素子及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウムに代表される窒化物系半導
体を用いることにより、紫外光から青色、緑色の波長帯
の発光素子が実用化されつつある。
【０００３】ここで、本願において「窒化物系半導体」
とは、ＢxＩｎyＡｌzＧａ(1-x-y-z)Ｎ（０≦ｘ≦１、０
≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）なる組成式で表されるIII−Ｖ
族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ
に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶
も含むものとする。
【０００４】窒化物系半導体を用いて発光ダイオード
（ＬＥＤ）や半導体レーザなどの発光素子を形成するこ
とにより、これまで困難であった発光強度の高い紫外
光、青色光、緑色光等の発光が可能となりつつある。ま
た、窒化物系半導体は、結晶成長温度が高く、高温度下
でも安定した材料であるので電子デバイスヘの応用も期
待されている。
【０００５】以下、窒化物系半導体を用いた半導体発光
素子の一例としてＬＥＤを例に挙げて説明する。図１０
は、従来の窒化物系半導体ＬＥＤの断面構造を表す概念
図である。すなわち、従来のＬＥＤは、サファイア基板
１０１の上にＧａＮバッファ層（図示せず）、、ｎ型Ｇ
ａＮ層１０２、ＩｎＧａＮ発光層１０３、ｐ型ＧａＮ層
１０４が順次エピタキシャル成長された構成を有する。
また、ＩｎＧａＮ発光層１０３およびｐ型ＧａＮ層１０
４の一部がエッチング除去されて、ｎ型ＧａＮ層１０２
が露出されている。ｐ型ＧａＮ層１０３上にはｐ側透明
電極１１３が形成され、その一部に電流阻止用の絶縁膜
１０７とｐ側ボンディング電極１０６が積層されてい
る。また、ｎ型ＧａＮ層１０２の上にはｎ側電極１０５
が形成されている。
【０００６】このような構造においては、ｐ側電極１０
６を介して注入された電流は、導電性の良い透明電極１
１３で広げられ、ｐ型ＧａＮ層１０３からｎ型ＧａＮ層
１０２に電流が注入されて発光し、その光は透明電極１
１３を透過してチップ外に取り出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図１０に例
示したような従来の窒化物系半導体発光素子は、電極部
の接触抵抗が高く、また、光の取り出し効率も悪いとい
う問題を有していた。
【０００８】すなわち、ＧａＮのバンドギャップは３．
４ｅＶと広いために、電極とオーミック接触をさせるこ
とが難しい。その結果として、電極部の接触抵抗が高く
なり、素子の動作電圧が高くなるとともに、発熱も大き
いという問題が生ずる。
【０００９】また、ＧａＮの屈折率は２．６７と大きい
ために、臨界屈折角が２１．９度と極めて小さい。つま
り、光出射面の法線からみて、この臨界屈折角よりも大
きい角度で入射した光は、ＬＥＤチップの外に取り出せ
ない。チップの表面にＡＲ（anti-reflection：反射防
止）膜を形成しても、この臨界角は変わらない。このた
めに、外部量子効率を改善してより大きな発光パワーを
得ることが困難であった。
【００１０】ここで、光取り出し面であるｐ型ＧａＮ層
の表面を凹凸形状に加工すれば、この問題を改善するこ
とができる。しかし、凹凸形状を形成するためにはｐ型
ＧａＮ層はある程度の厚さが必要となる。そして、電極
との接触抵抗を少しでも低減するために高濃度の不純物
をドーピングしつつ、厚いｐ型ＧａＮ層を形成しようと
すると、結晶表面の面荒れが発生するという新たな問題
が生じていた。
【００１１】本発明は、かかる種々の課題の認識に基づ
いてなされたものである。すなわち、その目的は、電極
とのオーミック接触を確保すると共に、光の取り出し効
率を劇的に改善することができる半導体発光素子及びそ
の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体発光素子は、窒化物系半導体からな
る発光部を備えた半導体発光素子であって、前記発光部
から放出される光の外部への取り出し効率が改善される
ように光取り出し面に凹凸が設けられていることを特徴
とし、外部量子効率を大幅に改善することができる。
【００１３】ここで、本発明の望ましい実施の形態とし
て、前記凹凸は、窒化物系半導体の表面に設けられ、前
記凹凸が設けられた前記窒化物系半導体の表面にはさら
に透光性電極が設けられていることを特徴とする。
【００１４】または、前記半導体発光素子は、平坦な表
面を有する窒化物系半導体の上に設けられた透光性電極
を備え、前記凹凸は、前記透光性電極の表面に設けられ
ていることを特徴とする。
【００１５】または、前記半導体発光素子は、平坦な表
面を有する窒化物系半導体の上に設けられた透光性電極
と、前記透光性電極の上に設けられ透光性を有する光取
り出し層と、を備え、前記凹凸は、前記光取り出し層の
表面に設けられていることを特徴とする。
【００１６】また、前記透光性電極の下の前記窒化物系
半導体は、前記透光性電極層との接触面の付近におい
て、ドーパントが高い濃度で導入され、接触抵抗を大幅
に低下させることができる。
【００１７】また、前記透光性電極は、前記窒化物系半
導体と接触して設けられた１００ｎｍ以下の層厚の金属
からなる層を有し、その上に堆積するＩＴＯの付着強度
を改善し接触抵抗を下げることができる。この金属層と
しては、ＮｉまたはＰｔを用いることが望ましい。
【００１８】一方、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、発光部を有する窒化物系半導体を形成する工程と、
前記窒化物系半導体の表面に導電性を高めるドーパント
を含有した金属層を堆積する工程と、前記ドーパントを
前記窒化物系半導体に拡散させる工程と、前記ドーパン
トを含有した金属層を除去する工程と、前記窒化物系半
導体の表面に電極を形成する工程と、を備えたことを特
徴とし、電極の接触抵抗を大幅に低下させることができ
る。
【００１９】ここで、前記金属層を堆積する前記工程の
前に、前記窒化物系半導体の表面に凹凸を形成する工程
をさらに備え、前記電極は、前記発光部から放出される
光に対して透光性を有することを特徴とし、光の取り出
し効率を大幅に改善することができる。
【００２０】また、前記金属層として、前記窒化物系半
導体の表面に堆積されマグネシウム（Ｍｇ）を含有した
第１の層と、前記第１の層の上に堆積された金（Ａｕ）
からなる第２の層を含むものとすると、接触抵抗を効果
的に低下させることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照しつつ、本発明
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の半導
体発光素子を表す斜視概念図である。すなわち、同図の
半導体発光素子は、サファイア基板１の上にＧａＮバッ
ファ層（図示せず）、ｎ型ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ発光
層３、ｐ型ＧａＮ層４が順次積層された構造を有する。
また、ＩｎＧａＮ発光層３およびｐ型ＧａＮ層４は選択
的にエッチング除去されて、ｎ型ＧａＮ層２が露出され
ている。ｐ型ＧａＮ層４の上には、一部に電流阻止用の
絶縁膜７が形成されている。そして、ｐ型ＧａＮ層４と
絶縁膜７の上には、ｐ側透明電極１３が形成され、その
上にｐ側のボンディング・パッド６が選択的に積層され
ている。また、ｎ型ＧａＮ層２の上にはｎ側電極５が形
成されている。
【００２２】本発明の特徴的な点のひとつは、ｐ型Ｇａ
Ｎ層４の表面に凹凸状の加工が施されている点にある。
すなわち、図示した例においては、ｐ型ＧａＮ層４の表
面にシリンドリカル・レンズ状の複数の凸部９が形成さ
れている。ｐ型ＧａＮ層４の表面をこのように加工する
ことにより、活性層３から放出された光の取り出し効率
を改善することができる。
【００２３】すなわち、図１０に示した従来例のように
光の取り出し面が平面であると、活性層３から放出され
た光のうちで、取り出し面に対して臨界角よりも大きい
法線角度で斜めに入射した光は、全反射される。これに
対して、本発明の発光素子においては、光取り出し面に
対して斜めに入射した光も、入射した凹凸面との角度に
応じて外部に通り抜けることができるようになる。ま
た、全反射された光も、凹凸面において反射を繰り返
し、その過程において、臨界角よりも小さい法線角度で
凹凸部の表面に入射した時に、外部に通り抜けることが
できるようになる。
【００２４】つまり、従来の平面状の光取り出し面の場
合と比べて、凹凸面の場合には、臨界角である２１．９
°よりも小さい法線角で入射する確率が激増する。その
結果として、活性層３から放出された光を外部に取り出
すことのできる効率、すなわち外部量子効率を大幅に改
善することができる。
【００２５】また、本実施形態においては、ｐ型ＧａＮ
層４の表面の凸状部は複数のシリンドリカル・レンズあ
るいはロッドレンズとしても作用する。従って、これら
の凸状部の下方の活性層の線状部分から放出された光
は、それぞれのシリンドリカル・レンズによって集光さ
れ、複数の線状のビームとして放出される。
【００２６】一方、本発明による半導体発光素子のもう
ひとつの特徴点は、ｐ型ＧａＮ層４の表面付近にマグネ
シウム（Ｍｇ）が高い濃度で含有されていることであ
る。すなわち、後に詳述するように、本発明において
は、素子の製造工程において、ｐ型ＧａＮ層４の表面に
マグネシウムを含む金属層を一旦堆積し、熱処理を施し
てマグネシウムをＧａＮ層４の表面層に拡散させた後
に、その金属層を除去して、ｐ側透明電極１３を形成す
る。このような独特のプロセスによって、ｐ型ＧａＮ層
４の表面付近のキャリア濃度を上昇させ、透明電極１３
とのオーミック接触を確保することができる。その結果
として、素子の動作電圧を低減させ、諸特性を改善する
ことができる。
【００２７】さらに、このようにマグネシウムをｐ型Ｇ
ａＮ層４の表面層に高濃度にドーピングすることによっ
て、ｐ型ＧａＮ層４の「面荒れ」を回避することもでき
る。すなわち、本発明においては、ｐ型ＧａＮ層４の表
面に凹凸を設けるために、ＧａＮ層４をある程度厚く形
成する必要がある。しかし、ｐ側電極とのオーミック接
触を確保するためにｐ型ドーパントを高い濃度でドーピ
ングしつつ、ＧａＮ層４を厚く成長すると「面荒れ」が
発生するという問題があった。このような「面荒れ」が
発生すると、本発明のような凹凸の加工を施した後も、
その表面の結晶の品質は良好でなく、諸特性が低下す
る。
【００２８】これに対して、本発明によれば、成長後に
マグネシウムを導入するので、ｐ型ＧａＮ層４の成長に
際しては、ドーピング濃度をさほど高くする必要がな
い。従って、「面荒れ」を招くことなく、ＧａＮ層４を
厚く成長することが可能となる。
【００２９】次に、本発明の発光素子の製造方法の具体
例について説明する。
【００３０】図２及び図３は、本発明の発光素子の要部
製造方法を表す概略工程断面図である。すなわち、これ
らの図は、図１に示したＡ−Ａ線で切断した断面の一部
を表す概略断面図である。
【００３１】まず、同図（ａ）に表したように、サファ
イア基板１の上に、図示しないＧａＮバッファ層、ｎ型
ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ発光層３、ｐ型ＧａＮ層４を順
次結晶成長する。結晶成長法としては、例えば、ＭＯＣ
ＶＤ（metal-organic chemical vapor deposition）
法、ハイドライドＣＶＤ法、あるいはＭＢＥ（molecula
rbeam epitaxy）などの方法を挙げることができる。
【００３２】次に、図２（ｂ）に表したように、レジス
トパターンを形成する。具体的には、ｐ型ＧａＮ層４の
表面にレジストを塗布し、ＰＥＰ（photo-engraving pr
ocess）法によりパターニングして、複数の平行なスト
ライプ状のレジストパターン３０を形成する。レジスト
パターンの具体的な寸法は、活性層３から光取り出し面
までの距離や、発光素子が使用される光学系において要
求される光強度分布などに応じて適宜決定することが望
ましい。具体的には、例えば、レジストパターンのスト
ライプの幅及び間隔をそれぞれ数ミクロン程度とするこ
とができる。
【００３３】次に、図２（ｃ）に表したように、レジス
トパターン３０の形状を加工する。具体的には、熱処理
を施すことにより、ストライプ状のレジストを軟化させ
て横断面が半円状の「かまぼこ形状」に変形させる。
【００３４】次に、図２（ｄ）に表したように、レジス
トパターン３０の形状をｐ型ＧａＮ層４に転写する。具
体的には、レジストパターン３０の上からＲｌＥ（reac
tiveion etching）やイオンミリング（ion milling）等
の方法によりエッチングする。すると、レジストパター
ン３０が順次エッチングされ、さらに、その下のｐ型Ｇ
ａＮ層４も順次エッチングされる。このようにして、ｐ
型ＧａＮ層４の表面にレジストパターン３０の断面形状
に似た凹凸を形成することができる。
【００３５】ここで、レジストパターン３０の断面形状
と、加工後のｐ型ＧａＮ層４の表面凹凸の断面形状との
関係は、エッチング速度の比率によって決定される。す
なわち、レジストパターン３０のエッチング速度に対し
て、ｐ型ＧａＮ層４のエッチング速度の方が速い場合に
は、ｐ型ＧａＮ層４の凹凸は、レジストパターンよりも
強調される。一方、レジストパターン３０のエッチング
速度に対して、ｐ型ＧａＮ層４のエッチング速度の方が
遅い場合には、ｐ型ＧａＮ層４の凹凸は、レジストパタ
ーンよりも緩和される。従って、ｐ型ＧａＮ層４の凹凸
は、レジストパターン３０の断面形状とエッチング選択
比とを適宜調節することにより制御することができる。
【００３６】次に、図３（ａ）に表したように、まず、
凹凸形状を加工したｐ型ＧａＮ層４の表面全体にＭｇ
（マグネシウム）層４０とＡｕ（金）層４２を順次蒸着
し、熱処理を施す。ここで、Ｍｇ層４０の層厚は例えば
１０ｎｍ、Ａｕ層４２の層厚は例えば１００ｎｍとする
ことができる。また、熱処理の温度を、３００℃以上と
することにより良好な結果が得られる。例えば、７５０
℃で２０秒間程度のフラッシュアニールを施すことが効
果的である。この工程により、ＭｇがＧａＮ層４の表面
層に拡散して、表面のキャリア濃度を十分に高くするこ
とができる。ここで、Ａｕ（金）層４２は、いわゆる
「キャップ層」として作用する。すなわち、Ｍｇ層４０
の上にＡｕ層４２を設けることより、Ｍｇ層４０を保護
し、熱処理の際にＭｇが蒸発することを防止して、Ｇａ
Ｎ層４へのＭｇの拡散を促進することができる。また、
ここで行う熱処理は、ＲＩＥやイオン・ミリングなどの
ドライプロセスにより半導体層に与えられたダメージを
軽減して結晶性を回復させることにも作用する。
【００３７】ここで、Ｍｇ層とＡｕ層の積層構造を堆積
する代わりに、Ｍｇ層とＩｎ（インジウム）層を積層し
ても良い。または、Ｍｇ層とＩｎ層とＡｕ層を積層して
も良い。さらに、ＡｕまたはＩｎの少なくともいずれか
にＭｇを含有させた合金層を堆積しても良い。Ｉｎを用
いると、ＧａＮ層４の表面付近に、ＭｇとともにＩｎも
拡散し、局所的にＩｎＧａＮの薄層が形成される。Ｉｎ
ＧａＮは、ＧａＮと比較してバンドギャップが小さいた
め、ｐ側電極とのオーミック接触をさらに良好すること
ができる。
【００３８】また、ｐ型のドーパントとしては、Ｍｇの
他にも、各種のII族元素を用いることができると考えら
れる。例えば、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｈｇ（水銀）、Ｚ
ｎ（亜鉛）、Ｃｄ（カドミウム）などを用いても良好な
結果が得られる可能性がある。さらに、ｐ型ドーパント
としては、Ｃ（炭素）などの各種の材料を用いることが
できる。
【００３９】次に、図３（ｂ）に表したように、蒸着し
たＭｇ層４０とＡｕ層４２をエッチングにより除去す
る。この状態で、ｐ型ＧａＮ層４の表面は、Ｍｇが高い
濃度でドーピングされている。このようにＭｇ層４０と
Ａｕ層４２を除去することにより、この後に形成する電
極の「はがれ」を解消することができる。すなわち、本
発明者の実験検討によれば、ｐ型ＧａＮ層４とｐ側電極
との間にＭｇ層が介在すると、ｐ側電極が剥離しやすく
なるという傾向が認められた。これに対して、本発明に
よれば、Ｍｇ層４０を除去することにより、ｐ側電極の
剥離を解消することができる。同時に、これらの金属層
を除去することによって、光取り出し面の透明性を確保
し、発光強度を改善することもできる。
【００４０】次に、図３（ｃ）に表したように、ｎ側電
極５を形成する。具体的には、まず、ｐ型ＧａＮ層４と
活性層３を部分的にエッチングして、ｎ型ＧａＮ層２を
露出させる。そして、熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜７を
堆積し、ＰＥＰ法を用いてパターニングする。さらに、
エッチングにより露出させたｎ型ＧａＮ層２の上にＴｉ
層５ａとＡｕ層５ｂを蒸着し、リフトオフによりパター
ニングして、８００℃で２０秒間程度のフラッシュアニ
ールを施すことにより、ｎ型電極５を形成する。
【００４１】次に、図３（ｄ）に表したように、ｐ側電
極１３を形成する。具体的には、ｐ型ＧａＮ層４の表面
のＳｉＯ2膜７をＰＥＰ法によりパターニングして部分
的に除去する。そして、凹凸加工されたｐ型ＧａＮ層４
の上に、透明金属電極として真空蒸着法により厚さ５ｎ
ｍのＮｉ（ニッケル）層１３ａを堆積し、さらに、スパ
ッタ法によりｌＴＯ（indium tin oxide）透明電極１３
ｂを形成する。なお、Ｎｉ（ニッケル）層１３ａの代わ
りに、Ｐｔ（白金）層を用いても良い。このように、Ｉ
ＴＯ層１３ｂの下にＮｉやＰｔなどの金属層１３ａを設
けるとＩＴＯ層の付着強度を改善し、さらに接触抵抗も
低下させることができる。
【００４２】さらに、金（Ａｕ）などを堆積しＰＥＰ法
によってパターニングすることによって、ｌＴＯ透明電
極１３と接続されたボンディング・パッド６を形成す
る。
【００４３】ここで、ｐ型ＧａＮ層４の表面に残された
ＳｉＯ2膜７は、ボンディング・パッド６の下部での発
光を防いで、発光効率を改善する役割を有する。なお、
ｎ型ＧａＮ層２を部分的に露出させた後に形成したＳｉ
Ｏ2膜７は、図３（ｃ）及び（ｄ）に表したように、発
光層３の側面が露出しているメサ側面にも形成されてお
り、また、ｎ側電極部分と透明電極とｐ側電極の重なり
部分を除くｐ側電極の周囲にも形成されている。
【００４４】図４は、このようにして得られた半導体発
光素子の特性を表すグラフ図である。すなわち、同図
（ａ）は電流−電圧特性、同図（ｂ）は電流−光パワー
特性をそれぞれ表す。また、これらの特性図において
は、図１０に表した従来の半導体発光素子の特性も併せ
て示した。
【００４５】図４（ａ）の電流−電圧特性をみると、従
来の素子の場合には、３ボルトにおいて動作電流は約１
ミリアンペアであり、電圧を増加に伴う電流の立ち上が
りは緩慢である。これに対して、本発明の素子の場合
は、３ボルトにおいて５ミリアンペアが得られ、電圧の
増加に伴って電流は急激に立ち上がっている。本発明の
素子は、電流値が３．２ミリアンペアの時の電圧が約
３．２ボルトと低く、従来の素子と比較して動作電圧を
１０％以上低下することができた。
【００４６】一方、図４（ｂ）の発光特性をみると、本
発明の素子は、従来と比べて光出力が倍増していること
が分かる。例えば、動作電流２０ミリアンペアにおける
光出力をみると、従来の素子では０．４５ミリワットで
あるのに対して、本発明の素子では０．９５ミリワット
が得られている。このように、本発明によれば、光取り
出し面に凹凸を設けることによって光の取り出し効率が
向上し、従来の２倍以上の光出力が得られた。
【００４７】また、本発明の発光素子の発光波長は、約
４５０ナノメータであった。さらに、本発明の素子にお
いては、ｐ型ＧａＮ層４の表面のモフォロジは良好であ
り、比較的厚く成長したにもかかわらず、「面荒れ」が
生ずることもなかった。さらに、ｐ型ＧａＮ層４の表面
に形成した透光性電極層１３の付着強度も良好であり、
剥離が生ずることもなかった。
【００４８】以上詳述したように、本発明によれば、ｐ
側のオーミック接触が良好で、光の取り出し効率も高
く、信頼性も良好な半導体発光素子を提供することがで
きることが分かった。
【００４９】次に、本発明の変形例について説明する。
【００５０】図５は、本発明の第１の変形例を表す概念
斜視図である。同図においては、図１乃至図３に関して
前述した部分と同一の部分には、同一の符号を付して詳
細な説明は省略する。本変形例においては、ｐ型ＧａＮ
層４の表面に、半円柱形状でなく、半球状の凸状部１０
が形成されている。このようにしても、光の取り出し効
率すなわち、外部量子効率を改善することができる。
【００５１】また、本変型例の凹凸形状は、図２に関し
て前述したプロセスと概略同様にして形成することがで
きる。すなわち、ｐ型ＧａＮ層４の上にレジストを円形
のパターンに形成し、加熱軟化させてレンズ形状とした
後にエッチングすることにより図５に表したような半球
状の凸状部１０を形成することができる。
【００５２】本変形例においても、図１に関して前述し
たものと同様に、活性層３から放出された光を外部に取
り出すことのできる確率、すなわち外部量子効率を大幅
に改善することができる。
【００５３】さらに、本変形例によれば、それぞれの半
球状レンズの凸部の下から放出される光をそれぞれの半
球状レンズにより集光して外部に放出することができ
る。
【００５４】次に、本発明の第２の変形例について説明
する。
【００５５】図６は、本発明の第２の変形例を表す概念
斜視図である。同図においても、図１乃至図３に関して
前述した部分と同一の部分には、同一の符号を付して詳
細な説明は省略する。本変形例においては、ｐ型ＧａＮ
層４の表面に、球状でなく、複数のメサストライプ状の
凸状部１１が形成されている。このようにしても、光の
取り出し効率すなわち、外部量子効率を改善することが
できる。
【００５６】また、本変型例の凹凸形状も、図２に関し
て前述したプロセスと概略同様にして形成することがで
きる。すなわち、図２（ｂ）に表したように、ｐ型Ｇａ
Ｎ層４の上にレジストをストライプ状に形成し、加熱軟
化させずにエッチングすることにより図６に表したよう
な形状の凹凸を形成することができる。
【００５７】本変形例においても、図１に関して前述し
たものと同様に、活性層３から放出された光を外部に取
り出すことのできる確率、すなわち外部量子効率を大幅
に改善することができる。
【００５８】さらに、本変形例によれば、図２（ｃ）に
関して前述したようなレジストパターンの軟化工程が不
要であり、製造が容易であるという利点も有する。
【００５９】次に、本発明の第３の変形例について説明
する。
【００６０】図７は、本発明の第３の変形例を表す概念
斜視図である。同図においても、図１乃至図３に関して
前述した部分と同一の部分には、同一の符号を付して詳
細な説明は省略する。本変形例においては、ｐ型ＧａＮ
層４の表面に、単一の半球レンズ状の凸状部１２が形成
されている。このようにしても、光の取り出し効率すな
わち、外部量子効率を改善することができる。
【００６１】本変型例の凹凸形状も、図２に関して前述
したプロセスと概略同様にして形成することができる。
すなわち、ｐ型ＧａＮ層４の上にレジストを円形のパタ
ーンで厚く形成し、加熱軟化させることによって単一の
半球状の形状に成形し、エッチングすることにより図７
に表したようなレンズ形状を形成することができる。
【００６２】本変形例においても、図１に関して前述し
たものと同様に、活性層３から放出された光を外部に取
り出すことのできる確率、すなわち外部量子効率を大幅
に改善することができる。
【００６３】さらに、本変形例によれば、ｐ型ＧａＮ層
４の表面の凸部を単一のレンズ状としたことにより、高
い集光効果が得られ、ファイバなどへの結合効率を改善
することができる。
【００６４】次に、本発明の第４の変形例について説明
する。
【００６５】図８は、本発明の第４の変形例を表す概念
斜視図である。同図においても、図１乃至図３に関して
前述した部分と同一の部分には、同一の符号を付して詳
細な説明は省略する。本変形例においては、ｐ型ＧａＮ
層４の表面は平面であり、その上に堆積されたｐ側透明
電極１３の表面が凹凸状に加工されている。このように
しても、光の取り出し効率を改善することができる。
【００６６】すなわち、透明電極１３として多用される
ＩＴＯの屈折率は、約２．０であり、ｐ型ＧａＮ層４の
屈折率２．６７に対して近い。従って、ｐ型ＧａＮ層４
と透明電極１３との間では、全反射は殆ど生ずることが
なく、光は通り抜けることができる。そして、透明電極
１３に入射した光は、図１に関して前述した場合と同様
にその凹凸面において臨界角よりも小さい法線角度で入
射する確率が高くなり、その結果として、光の取り出し
効率を改善することができる。
【００６７】さらに、本実施形態によれば、ｐ型ＧａＮ
層４の表面を加工する必要がないため、加工に伴って生
じうる損傷を解消することができる。例えば、ｐ型Ｇａ
Ｎ層４の表面を凹凸状に加工するために過度のプラズマ
や荷電粒子に曝すと、ｐ型ＧａＮ層４の表面が変質し、
ｐ側電極とのオーミック接触が劣化するなどの問題が生
ずることもある。これに対して、本実施形態によれば、
ｐ型ＧａＮ層４の表面を加工する必要がないので、オー
ミック接触を維持することが容易となる。
【００６８】また、本変形例においては、ｐ型ＧａＮ層
４の表面に凹凸を形成する必要がないので、ｐ型ＧａＮ
層４をそれ程厚く成長する必要がない。
【００６９】透明電極１３の表面に設ける凹凸のパター
ンは、図示したものには限定されず、図１〜図３に例示
したようなパターンも同様に用いることができる。ま
た、そのパターン寸法は、活性層３から放出される光の
波長よりも大きくすることが望ましい。すなわち、図示
した例においては、凹凸のストライプの幅や高さを５０
０ナノメータ程度よりも大きくすることが望ましい。
【００７０】一方で、ＩＴＯなどの透明電極は、数ミク
ロン程度まで厚く堆積することが困難であるので、凹凸
のストライプの幅や高さを１ミクロン以下に形成する必
要が生ずる場合もある。このような微細なパターンを形
成する方法としては、例えば、「干渉露光法」がある。
これは、光半導体素子の回折格子（グレーティング）を
形成する際に用いられる方法であり、波長が異なる２つ
のレーザ光を合波し、ハーフミラーを介して２光束に分
割し、それぞれの光束を対称に位置にある全反射ミラー
でそれぞれ反射させて対象物に入射させることによって
「干渉縞」を生じさせる方法である。このようにして得
られた干渉縞により、レジストを露光することにより、
微細なストライプ状パターンを形成することができる。
【００７１】レーザ光としては、例えば、Ｈｅ−Ｃｄレ
ーザ（波長：３２５ナノメータ）とＡｒレーザ（波長：
３５１ナノメータ）を用いることができる。
【００７２】また、このような微細パターンを形成する
方法として、「電子ビーム露光法」も挙げることができ
る。これは、電子線に対して感光性を有する材料をマス
クとして用い、電子ビームを走査することにより、所定
のパターンを形成する方法である。
【００７３】次に、本発明の第５の変形例について説明
する。
【００７４】図９は、本発明の第５の変形例を表す概念
斜視図である。同図においても、図１乃至図３に関して
前述した部分と同一の部分には、同一の符号を付して詳
細な説明は省略する。本変形例においても、ｐ型ＧａＮ
層４の表面は平面であり、その上には、ｐ側透明電極１
３が堆積され、さらにその上に透光性を有する光取り出
し層２０が設けられている。そして、光取り出し層２０
の表面が凹凸状に加工されている。このようにしても、
光の取り出し効率を改善することができる。また、本変
形例においても、ｐ型ＧａＮ層４の表面に凹凸を形成す
る必要がないので、加工に伴う損傷を防ぎ、ｐ型ＧａＮ
層４をそれ程厚く成長する必要もない。なお、本変形例
の場合には、透光性電極層１３とボンディング電極６と
を接続させて導通を確保する。
【００７５】透光性電極層１３や光取り出し層２０の材
料としては、活性層３から放出される光に対して透光性
を有し、且つｐ型ＧａＮ層４と近い屈折率を有すること
が望ましい。つまり、これらの層の屈折率がｐ型ＧａＮ
層４と近ければ、層間での光の全反射を低減し、光の取
り出し効率を高くすることができる。また、光取り出し
層２０の材料として、導電性を有するものを用いれば、
電流を拡げることができる点でさらに良い。
【００７６】透光性電極層１３の材料としては、例え
ば、ＩＴＯを挙げることができる。また、光取り出し層
２０の材料としては、例えば、ＧａＮと屈折率が近い樹
脂などの有機材料や、無機材料を用いることができる。
樹脂材料を用いる場合には、厚く形成することができる
ので、大きな凹凸も容易に形成することができ、凹凸の
形状や大きさを任意に選択することが可能となる。樹脂
材料としては、具体的には例えば、ポリカーボネイトを
挙げることができる。すなわち、ポリカーボネイトの屈
折率は約１．６程度で、ＧａＮと比較的近い屈折率を有
する。
【００７７】また、光取り出し層２０の材料としては、
窒化シリコン（ＳｉＮx）を挙げることができる。すな
わち、窒化シリコンの屈折率は、約２．０であり、Ｇａ
Ｎの屈折率と近いために、活性層３から放出された光が
層間において全反射されることを防止することができ
る。また、その他にも、例えば、Ｉｎ2Ｏ3（屈折率は約
２．０）、Ｎｄ2Ｏ2（屈折率は約２．０）、Ｓｂ2Ｏ
3（屈折率は約２．０４）、ＺｒＯ2（屈折率は約２．
１）、ＣｅＯ2（屈折率は約２．２）、ＴｉＯ2（屈折率
は約２．２〜２．７）、ＺｎＳ（屈折率は約２．３
５）、Ｂｉ2Ｏ3（屈折率は約２．４５）などを用いても
同様に良好な結果を得ることができる。さらに、光取り
出し層２０の材料としては、導電性を有する金属酸化物
を用いても良い。
【００７８】以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の
形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具
体例に限定されるものではない。例えば、ＧａＮ層の表
面に設ける凹凸形状は、種々の形状が考えられ、規則的
あるいは不規則的な凹凸形状であっても同様の作用効果
を得ることができる。
【００７９】また、発光素子の構造は、当業者が適宜変
更して同様に実施することができる。すなわち、必要に
応じて、素子の積層構造や材料の組成を最適化すること
ができ、例えば、活性層を多重量子井戸型の構造とした
り、活性層の上下にクラッド層を設けたりしても良い。
【００８０】また、基板として用いるものはサファイア
に限定されず、その他にも、例えば、スピネル、Ｍｇ
Ｏ、ＳｃＡｌＭｇＯ4、ＬａＳｒＧａＯ4、（ＬａＳｒ）
（ＡｌＴａ）Ｏ3などの絶縁性基板や、ＳｉＣ、Ｓｉ、
ＧａＡｓ、ＧａＮなどの導電性基板も同様に用いてそれ
ぞれの効果を得ることができる。ここで、ＳｃＡｌＭｇ
Ｏ4基板の場合には、（０００１）面、（ＬａＳｒ）
（ＡｌＴａ）Ｏ3基板の場合には（１１１）面を用いる
ことが望ましい。特に、ＧａＮについては、例えば、サ
ファイア基板の上にハイドライド気相成長法などにより
厚く成長したＧａＮ層をサファイア基板から剥離してＧ
ａＮ基板として用いることができる。
【００８１】また、ＧａＮのような導電性の基板を用い
た場合には、発光素子のｎ側電極を基板の裏面側に設け
ることもできる。
【００８２】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に説明する効果を奏する。
【００８３】まず、本発明によれば、半導体発光素子に
おいて、光の取り出し面を凹凸状に加工することによ
り、活性層から放出された光の取り出し効率すなわち、
外部量子効率を大幅に改善することができる。
【００８４】また、本発明によれば、ｐ型ＧａＮ層の表
面付近にマグネシウム（Ｍｇ）などのｐ型ドーパントを
高い濃度で含有させることにより、ｐ側電極とのオーミ
ック接触を確保し、素子の動作電圧を低減させて、発熱
を抑制し、信頼性も改善することができる。
【００８５】さらに、本発明によれば、マグネシウムな
どのｐ型ドーパントを導入した後にその金属層をｐ型Ｇ
ａＮ層の表面から除去することによって、ｐ側電極の剥
離を解消することができる。つまり、電極の剥離に伴う
特性の劣化を解消し、発光素子の信頼性を向上させるこ
とができる。同時に、これらの金属層を除去することに
よって、光取り出し面の透明性を確保し、発光強度を改
善することもできる。
【００８６】また、本発明によれば、マグネシウムなど
の金属層を設けてｐ型ドーパントを拡散により高濃度に
ドーピングすることによって、ｐ型ＧａＮ層４の「面荒
れ」を回避することもできる。すなわち、ｐ型ＧａＮ層
の表面に凹凸を設けるためには、ＧａＮ層をある程度厚
く形成する必要があり、ｐ型ドーパントを高い濃度でド
ーピングしてＧａＮ層を厚く成長すると「面荒れ」が発
生するという問題がある。これに対して、本発明によれ
ば、成長後にマグネシウムを導入するので、ｐ型ＧａＮ
層の成長に際しては、ドーピング濃度をさほど高くする
必要がない。従って、「面荒れ」を招くことなく、Ｇａ
Ｎ層４を厚く成長することが可能となる。
【００８７】以上詳述したように、本発明によれば、外
部量子効率が高く、動作電圧が低く、且つ信頼性も改善
された半導体発光素子を提供することが可能となり産業
上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体発光素子を表す概念斜視図であ
る。
【図２】本発明の発光素子の要部製造方法を表す概略工
程断面図である。
【図３】本発明の発光素子の要部製造方法を表す概略工
程断面図である。
【図４】本発明の半導体発光素子の特性を表すグラフ図
である。すなわち、同図（ａ）は電流−電圧特性、同図
（ｂ）は電流−光パワー特性をそれぞれ表す。
【図５】本発明の第１の変形例を表す概念斜視図であ
る。
【図６】本発明の第２の変形例を表す概念斜視図であ
る。
【図７】本発明の第３の変形例を表す概念斜視図であ
る。
【図８】本発明の第４の変形例を表す概念斜視図であ
る。
【図９】本発明の第５の変形例を表す概念斜視図であ
る。
【図１０】従来の窒化物系半導体ＬＥＤの断面構造を表
す概念図である。
【符号の説明】
１、１０１ サファイア基板 ２、１０２ ｎ型ＧａＮ層 ３、１０３ ｌｎＧａＮ発光層 ４、１０４ ｐ型ＧａＮ層 ５、１０５ ｎ側電極 ６、１０６ ボンディング・パッド ７、１０７ 電流阻止層 ９ シリンドリカルレンズ １０ 半球レンズ １１ メサストライフ １２ 半球レンズ １３、１１３ ｐ側透光性電極 ２０ 光取り出し層 ４０ マグネシウム層 ４２ 金層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野 崎 千 晴 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 CA34 CA40 CA49 CA57 CA65 CA72 CA74 CA83 CA88 CA93 CA98

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】窒化物系半導体からなる発光部を備えた半
    導体発光素子であって、 前記発光部から放出される光の外部への取り出し効率が
    改善されるように光取り出し面に凹凸が設けられている
    ことを特徴とする半導体発光素子。
  2. 【請求項２】前記凹凸は、窒化物系半導体の表面に設け
    られ、前記凹凸が設けられた前記窒化物系半導体の表面
    にはさらに透光性電極が設けられていることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体発光素子。
  3. 【請求項３】前記半導体発光素子は、平坦な表面を有す
    る窒化物系半導体の上に設けられた透光性電極を備え、 前記凹凸は、前記透光性電極の表面に設けられているこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
  4. 【請求項４】前記半導体発光素子は、平坦な表面を有す
    る窒化物系半導体の上に設けられた透光性電極と、前記
    透光性電極の上に設けられ透光性を有する光取り出し層
    と、を備え、 前記凹凸は、前記光取り出し層の表面に設けられている
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
  5. 【請求項５】前記透光性電極の下の前記窒化物系半導体
    は、前記透光性電極層との接触面の付近において、ドー
    パントが高い濃度で導入されていることを特徴とする請
    求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
  6. 【請求項６】前記透光性電極は、前記窒化物系半導体と
    接触して設けられた１００ｎｍ以下の層厚の金属からな
    る層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか
    １つに記載の半導体発光素子。
  7. 【請求項７】発光部を有する窒化物系半導体を形成する
    工程と、 前記窒化物系半導体の表面に導電性を高めるドーパント
    を含有した金属層を堆積する工程と、 前記ドーパントを前記窒化物系半導体に拡散させる工程
    と、 前記ドーパントを含有した金属層を除去する工程と、 前記窒化物系半導体の表面に電極を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  8. 【請求項８】前記金属層を堆積する前記工程の前に、前
    記窒化物系半導体の表面に凹凸を形成する工程をさらに
    備え、 前記電極は、前記発光部から放出される光に対して透光
    性を有することを特徴とする請求項７記載の半導体発光
    素子の製造方法。
  9. 【請求項９】前記金属層は、前記窒化物系半導体の表面
    に堆積されマグネシウム（Ｍｇ）を含有した第１の層
    と、前記第１の層の上に堆積された金（Ａｕ）からなる
    第２の層を含むことを特徴とする請求項７または８に記
    載の半導体発光素子の製造方法。
JP36680398A 1998-12-24 1998-12-24 半導体発光素子およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3469484B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36680398A JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 1998-12-24 半導体発光素子およびその製造方法
US09/469,340 US6495862B1 (en) 1998-12-24 1999-12-20 Nitride semiconductor LED with embossed lead-out surface
US10/280,510 US6924163B2 (en) 1998-12-24 2002-10-25 Semiconductor light emitting device and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36680398A JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 1998-12-24 半導体発光素子およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003193785A Division JP2003347586A (ja) 2003-07-08 2003-07-08 半導体発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000196152A true JP2000196152A (ja) 2000-07-14
JP3469484B2 JP3469484B2 (ja) 2003-11-25

Family

ID=18487722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36680398A Expired - Fee Related JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 1998-12-24 半導体発光素子およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6495862B1 (ja)
JP (1) JP3469484B2 (ja)

Cited By (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017748A (ja) * 2001-06-27 2003-01-17 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
WO2003065464A1 (fr) * 2002-01-28 2003-08-07 Nichia Corporation Dispositif a semi-conducteur a base de nitrure comprenant un substrat de support, et son procede de realisation
WO2003105243A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-18 Kopin Corporation High-efficiency light-emitting diodes
DE10234977A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
WO2004015785A1 (ja) * 2002-08-07 2004-02-19 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2004152800A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP2004198978A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Keiwa Inc プラズマディスプレイパネル用輝度向上シート及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル装置
JP2004521498A (ja) * 2001-03-09 2004-07-15 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング ビーム放射半導体素子およびその作製方法
US6809340B2 (en) 2001-09-28 2004-10-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting element
JP2005005679A (ja) * 2003-04-15 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US6872649B2 (en) 1999-04-15 2005-03-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing transparent conductor film and compound semiconductor light-emitting device with the film
WO2005043633A1 (ja) * 2003-11-04 2005-05-12 Pioneer Corporation 半導体発光素子及びその製造方法
WO2005050748A1 (ja) * 2003-11-19 2005-06-02 Nichia Corporation 半導体素子及びその製造方法
KR100495824B1 (ko) * 2002-11-14 2005-06-16 삼성전기주식회사 반도체 엘이디 소자
JP2005203737A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Nitto Denko Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2005244201A (ja) * 2004-01-28 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US6946788B2 (en) 2001-05-29 2005-09-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP2006086254A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Kyocera Corp 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置
JP2006128227A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
KR100610639B1 (ko) 2005-07-22 2006-08-09 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
US7102175B2 (en) 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US7105857B2 (en) 2002-07-08 2006-09-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
JP2006294907A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2006324685A (ja) * 2002-07-08 2006-11-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
JP2006324661A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光素子用のオーミックコンタクト層の製造方法及びこれを備えた発光素子の製造方法
JP2006324672A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd 光抽出効率が改善された垂直構造窒化物半導体発光素子
JP2006339627A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化物系半導体発光ダイオード
US7154125B2 (en) * 2002-04-23 2006-12-26 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride-based semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof
US7161188B2 (en) 2004-06-28 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element
JP2007019099A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007019488A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
WO2007013757A1 (en) * 2005-07-25 2007-02-01 Lg Innotek Co., Ltd Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
JP2007504640A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 薄膜発光ダイオードおよびその製造方法
US7189591B2 (en) 2003-12-19 2007-03-13 Nitto Denko Corporation Process for producing light-emitting semiconductor device
JP2007507081A (ja) * 2003-09-26 2007-03-22 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 放射を発する薄膜半導体チップ
JP2007073734A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Kyocera Corp 発光素子
WO2007074897A1 (ja) 2005-12-29 2007-07-05 Rohm Co., Ltd. 半導体発光素子およびその製法
JP2007173482A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP2007208259A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード素子及びその製造方法
JP2007220973A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007220971A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007220970A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007220972A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007251130A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Epitech Technology Corp 発光ダイオード及びその製造方法
WO2007108532A1 (ja) 2006-03-23 2007-09-27 Showa Denko K.K. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプ
JP2007305998A (ja) * 2006-05-08 2007-11-22 Lg Electronics Inc 発光素子及びその製造方法
US7301175B2 (en) 2001-10-12 2007-11-27 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2008503900A (ja) * 2004-06-22 2008-02-07 バーティクル，インク 改良光出力を提供する縦型半導体装置
JP2008109098A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード装置
WO2008072681A1 (ja) 2006-12-11 2008-06-19 Showa Denko K.K. 化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2009500872A (ja) * 2005-07-11 2009-01-08 ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー 光抽出が改善したレーザリフトオフｌｅｄ
WO2009008210A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 C.I. Kasei Company, Limited 発光装置
JP2009010215A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Nichia Corp 半導体発光素子
JP2009502043A (ja) * 2005-07-21 2009-01-22 クリー インコーポレイテッド 光取り出し効率向上のための凹凸化高屈折率表面を有する青色発光ダイオード
JP2009021642A (ja) * 2008-10-29 2009-01-29 Sharp Corp 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP2009060142A (ja) * 2008-12-01 2009-03-19 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
WO2009084670A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Nichia Corporation 半導体発光素子およびその製造方法
WO2009084325A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Mitsubishi Chemical Corporation Ｌｅｄ素子およびｌｅｄ素子の製造方法
JP2009158685A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Kyocera Corp 発光素子及びその製造方法並びに照明装置
WO2009093683A1 (ja) 2008-01-24 2009-07-30 Showa Denko K.K. 化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置
JP2009267418A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Samsung Electronics Co Ltd 発光装置、これを含むパッケージとシステム、およびその製造方法
JP2010074182A (ja) * 2009-12-17 2010-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物半導体発光素子
JP2010171376A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
KR100975527B1 (ko) 2008-11-19 2010-08-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
JP2010245542A (ja) * 2005-06-16 2010-10-28 Lg Electronics Inc 発光ダイオード
KR101013724B1 (ko) 2004-03-08 2011-02-10 엘지전자 주식회사 질화물계 화합물 발광소자
US7893449B2 (en) 2005-12-14 2011-02-22 Showa Denko K.K. Gallium nitride based compound semiconductor light-emitting device having high emission efficiency and method of manufacturing the same
JP2011066453A (ja) * 2010-12-27 2011-03-31 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
US7968897B2 (en) 2004-03-09 2011-06-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device having a support substrate and inclined sides
US7982232B2 (en) 2008-08-27 2011-07-19 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and lamp
JP2011204875A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Toshiba Corp 発光素子
JP2011216882A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Seoul Opto Devices Co Ltd 高効率発光ダイオード及びその製造方法
KR101077769B1 (ko) * 2004-12-27 2011-10-27 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
US8124992B2 (en) 2008-08-27 2012-02-28 Showa Denko K.K. Light-emitting device, manufacturing method thereof, and lamp
JP2012043902A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Fujifilm Corp 発光素子及び発光素子の製造方法
KR101134493B1 (ko) * 2010-03-19 2012-04-13 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR101138950B1 (ko) * 2010-06-08 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
JP2012243823A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2013033921A (ja) * 2011-06-30 2013-02-14 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物系発光ダイオード素子およびその製造方法
KR101238817B1 (ko) 2004-09-27 2013-03-04 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 박막 칩
KR101239859B1 (ko) * 2012-03-16 2013-03-06 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2013080827A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Sharp Corp 発光素子
JP2013093441A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 New Japan Radio Co Ltd 窒化物半導体装置の製造方法
KR101317632B1 (ko) * 2007-04-17 2013-10-10 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
US8598607B2 (en) 2006-03-07 2013-12-03 Lg Electronics Inc. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR101381983B1 (ko) * 2012-03-09 2014-04-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
US9318327B2 (en) 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
CN109841753A (zh) * 2019-02-02 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 光取出层及其制作方法、显示面板

Families Citing this family (216)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7051360B1 (en) * 1998-11-30 2006-05-23 United Video Properties, Inc. Interactive television program guide with selectable languages
TW497277B (en) * 2000-03-10 2002-08-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
US7319247B2 (en) * 2000-04-26 2008-01-15 Osram Gmbh Light emitting-diode chip and a method for producing same
EP2270875B1 (de) * 2000-04-26 2018-01-10 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsmittierendes Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
US6693935B2 (en) * 2000-06-20 2004-02-17 Sony Corporation Semiconductor laser
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
WO2002041364A2 (en) * 2000-11-16 2002-05-23 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
US6649942B2 (en) * 2001-05-23 2003-11-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device
EP3078899B1 (en) * 2001-08-09 2020-02-12 Everlight Electronics Co., Ltd Led illuminator and card type led illuminating light source
US8012889B2 (en) * 2001-11-07 2011-09-06 Flexform Technologies, Llc Fire retardant panel composition and methods of making the same
KR20030052060A (ko) * 2001-12-20 2003-06-26 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조방법
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
CN100552987C (zh) * 2002-05-28 2009-10-21 松下电工株式会社 发光器件、使用该器件的照明装置及表面发光照明装置
JP4178836B2 (ja) * 2002-05-29 2008-11-12 ソニー株式会社 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
US20040000672A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-01 Kopin Corporation High-power light-emitting diode structures
TW200400608A (en) 2002-06-17 2004-01-01 Kopin Corp Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US7002180B2 (en) * 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US6955985B2 (en) * 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
JP2006505118A (ja) * 2002-10-30 2006-02-09 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法
US20100242299A1 (en) * 2003-01-09 2010-09-30 Con-Trol-Cure, Inc. Uv curing system and process
MY142684A (en) 2003-02-26 2010-12-31 Cree Inc Composite white light source and method for fabricating
JP2004266039A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2004304161A (ja) * 2003-03-14 2004-10-28 Sony Corp 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法
US20040227151A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting diode
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7105861B2 (en) 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7211831B2 (en) 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US7667238B2 (en) 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US6831302B2 (en) 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7521854B2 (en) 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
JP2006526274A (ja) * 2003-04-23 2006-11-16 ツェン−ホン ルー 埋込み電荷注入電極を有する発光デバイス
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
RU2231171C1 (ru) * 2003-04-30 2004-06-20 Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" Светоизлучающий диод
EP1482566A3 (en) * 2003-05-28 2004-12-08 Chang Hsiu Hen Light emitting diode electrode structure and full color light emitting diode formed by overlap cascaded die bonding
KR100452751B1 (ko) * 2003-06-03 2004-10-15 삼성전기주식회사 그물망 전극이 적용된 ⅲ-질화물 반도체 발광소자
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US6921924B2 (en) * 2003-06-18 2005-07-26 United Epitaxy Company, Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2005026688A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法
JP2007529105A (ja) * 2003-07-16 2007-10-18 松下電器産業株式会社 半導体発光装置とその製造方法、照明装置および表示装置
TW200505042A (en) * 2003-07-17 2005-02-01 South Epitaxy Corp LED device
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US8134172B2 (en) * 2003-09-01 2012-03-13 Lg Innotek Co., Ltd. LED and fabrication method thereof
KR101047680B1 (ko) * 2003-09-22 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7341880B2 (en) 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
KR100714639B1 (ko) * 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
US7622743B2 (en) * 2003-11-04 2009-11-24 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP4124102B2 (ja) * 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
US7450311B2 (en) 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
US7417264B2 (en) * 2003-12-22 2008-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Top-emitting nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same
KR100586943B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자의 제조방법
KR100586949B1 (ko) * 2004-01-19 2006-06-07 삼성전기주식회사 플립칩용 질화물 반도체 발광소자
JP4765632B2 (ja) * 2004-01-20 2011-09-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US20050161696A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
JP2005223165A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系発光素子
JP4689176B2 (ja) * 2004-02-26 2011-05-25 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005277374A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
CN100463235C (zh) * 2004-02-27 2009-02-18 炬鑫科技股份有限公司 氮化镓系发光组件及其制造方法
KR100601945B1 (ko) * 2004-03-10 2006-07-14 삼성전자주식회사 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
TW200531310A (en) * 2004-03-12 2005-09-16 Opto Tech Corp Light emitting diode with micro-lens layer
KR100598155B1 (ko) * 2004-03-17 2006-07-07 (주)옵토웨이 무반사 처리된 고효율 발광 다이오드 소자
US7777241B2 (en) * 2004-04-15 2010-08-17 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
US8035113B2 (en) * 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
US20050236636A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Supernova Optoelectronics Corp. GaN-based light-emitting diode structure
CN101366121B (zh) * 2004-04-28 2011-05-04 沃提科尔公司 垂直结构半导体器件
EP1624495A1 (en) * 2004-07-14 2006-02-08 SuperNova Optoelectronics Corporation High light efficiency GaN-based LED and its manufacturing method
WO2006011734A1 (en) * 2004-07-24 2006-02-02 Young Rak Do Led device comprising thin-film phosphor having two dimensional nano periodic structures
US7557380B2 (en) * 2004-07-27 2009-07-07 Cree, Inc. Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads
US8174037B2 (en) * 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
JP4371029B2 (ja) * 2004-09-29 2009-11-25 サンケン電気株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
EP1810351B1 (en) * 2004-10-22 2013-08-07 Seoul Opto Device Co., Ltd. Gan compound semiconductor light emitting element
US7404756B2 (en) * 2004-10-29 2008-07-29 3M Innovative Properties Company Process for manufacturing optical and semiconductor elements
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
US20060094322A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J Process for manufacturing a light emitting array
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
TWI389334B (zh) 2004-11-15 2013-03-11 Verticle Inc 製造及分離半導體裝置之方法
KR100659579B1 (ko) * 2004-12-08 2006-12-20 한국전자통신연구원 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법
JP4384019B2 (ja) * 2004-12-08 2009-12-16 住友電気工業株式会社 ヘッドランプ
US7906176B2 (en) 2004-12-17 2011-03-15 Flexform Technologies, Llc Methods of manufacturing a fire retardant structural board
JP2006179511A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US7413918B2 (en) * 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US20060204865A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Luminus Devices, Inc. Patterned light-emitting devices
US20070045640A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
JP2006310737A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Seiko Epson Corp 発光素子、発光素子の製造方法及び画像表示装置
US20070108459A1 (en) * 2005-04-15 2007-05-17 Enfocus Engineering Corp Methods of Manufacturing Light Emitting Devices
JP2006324324A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法および窒化物半導体基板
US9153645B2 (en) * 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
JP4707450B2 (ja) * 2005-05-18 2011-06-22 イーストマン コダック カンパニー 画像処理装置及びホワイトバランス調整装置
KR100654533B1 (ko) * 2005-05-24 2006-12-06 엘지전자 주식회사 광 추출용 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조방법
TW200701507A (en) * 2005-06-24 2007-01-01 Epitech Technology Corp Light-emitting diode
US7759690B2 (en) * 2005-07-04 2010-07-20 Showa Denko K.K. Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
KR100706796B1 (ko) * 2005-08-19 2007-04-12 삼성전자주식회사 질화물계 탑에미트형 발광소자 및 그 제조 방법
WO2007029842A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Showa Denko K.K. Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method thereof
WO2007031929A1 (en) * 2005-09-16 2007-03-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for manufacturing led wafer with light extracting layer
JP2007116131A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
US7388233B2 (en) 2005-10-17 2008-06-17 Luminus Devices, Inc. Patchwork patterned devices and related methods
US7348603B2 (en) 2005-10-17 2008-03-25 Luminus Devices, Inc. Anisotropic collimation devices and related methods
US7391059B2 (en) 2005-10-17 2008-06-24 Luminus Devices, Inc. Isotropic collimation devices and related methods
US8928022B2 (en) 2006-10-17 2015-01-06 Epistar Corporation Light-emitting device
US20080099777A1 (en) * 2005-10-19 2008-05-01 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices and related systems
US8405106B2 (en) 2006-10-17 2013-03-26 Epistar Corporation Light-emitting device
US9530940B2 (en) 2005-10-19 2016-12-27 Epistar Corporation Light-emitting device with high light extraction
KR100703158B1 (ko) * 2005-10-24 2007-04-06 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
JP5032017B2 (ja) * 2005-10-28 2012-09-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
JP2007150259A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US7829909B2 (en) * 2005-11-15 2010-11-09 Verticle, Inc. Light emitting diodes and fabrication methods thereof
US8729580B2 (en) * 2005-12-06 2014-05-20 Toshiba Techno Center, Inc. Light emitter with metal-oxide coating
JP4986445B2 (ja) * 2005-12-13 2012-07-25 昭和電工株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US8101961B2 (en) * 2006-01-25 2012-01-24 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with growth substrates
DE102006015788A1 (de) * 2006-01-27 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR100735488B1 (ko) * 2006-02-03 2007-07-04 삼성전기주식회사 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법
JP2007220865A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR101198763B1 (ko) * 2006-03-23 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법
JP5082504B2 (ja) * 2006-03-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US7521727B2 (en) * 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
US20070258241A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with non-bonded converging optical element
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US7953293B2 (en) * 2006-05-02 2011-05-31 Ati Technologies Ulc Field sequence detector, method and video device
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
TWI336965B (en) * 2006-06-16 2011-02-01 High Power Optoelectronics Inc Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR100755591B1 (ko) 2006-06-22 2007-09-06 고려대학교 산학협력단 질화물계 발광소자의 제조방법
WO2008011377A2 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
SG140473A1 (en) * 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
JP4984119B2 (ja) * 2006-08-28 2012-07-25 スタンレー電気株式会社 窒化物半導体結晶ないしそれを用いた発光素子及びその製造方法
TWI318013B (en) 2006-09-05 2009-12-01 Epistar Corp A light emitting device and the manufacture method thereof
JP2008091862A (ja) * 2006-09-08 2008-04-17 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
DE102007004302A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
JP2008117824A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Sharp Corp 窒化物系半導体素子の製造方法
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
WO2008082097A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and fabrication method thereof
KR101272706B1 (ko) 2006-12-28 2013-06-10 서울옵토디바이스주식회사 양극 알루미늄산화층을 이용하여 패턴된 반도체층을 갖는수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
US7863067B2 (en) * 2007-03-14 2011-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon substrate with reduced surface roughness
US8110425B2 (en) * 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
KR101382677B1 (ko) * 2007-04-16 2014-04-07 엘지이노텍 주식회사 웨이퍼 기판, 반도체 발광소자 및 웨이퍼 기판을 이용한 반도체 발광소자 제조방법
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
JP5048392B2 (ja) * 2007-05-25 2012-10-17 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US7714339B2 (en) * 2007-05-29 2010-05-11 Neoton Optoelectronics Corp. Light emitting diode
TWI452716B (zh) * 2007-06-08 2014-09-11 Formosa Epitaxy Inc Gallium nitride based light emitting diode and manufacturing method thereof
KR100872717B1 (ko) 2007-06-22 2008-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20090002835A (ko) * 2007-07-04 2009-01-09 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
JP4829190B2 (ja) * 2007-08-22 2011-12-07 株式会社東芝 発光素子
KR100921466B1 (ko) 2007-08-30 2009-10-13 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8872204B2 (en) * 2007-11-23 2014-10-28 Epistar Corporation Light-emitting device having a trench in a semiconductor layer
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8592800B2 (en) * 2008-03-07 2013-11-26 Trustees Of Boston University Optical devices featuring nonpolar textured semiconductor layers
US20090321775A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-31 Ghulam Hasnain LED with Reduced Electrode Area
JP5166146B2 (ja) 2008-07-10 2013-03-21 スタンレー電気株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5282503B2 (ja) * 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TW201015743A (en) * 2008-10-01 2010-04-16 Formosa Epitaxy Inc LED and manufacturing method thereof
TW201017863A (en) * 2008-10-03 2010-05-01 Versitech Ltd Semiconductor color-tunable broadband light sources and full-color microdisplays
KR101390401B1 (ko) * 2008-12-24 2014-04-29 광주과학기술원 무반사 격자패턴의 제조방법
KR101081166B1 (ko) * 2009-09-23 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR20110043282A (ko) * 2009-10-21 2011-04-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR20110056866A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 삼성전자주식회사 질화물 발광소자 및 그 제조방법
KR101103892B1 (ko) * 2009-12-08 2012-01-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
DE102009054555A1 (de) * 2009-12-11 2011-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips
US8783915B2 (en) 2010-02-11 2014-07-22 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
KR101091504B1 (ko) * 2010-02-12 2011-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자 제조방법
KR101039939B1 (ko) 2010-04-28 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101735670B1 (ko) * 2010-07-13 2017-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101138951B1 (ko) 2010-08-23 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102130284A (zh) * 2010-09-28 2011-07-20 映瑞光电科技(上海)有限公司 单色led芯片及其制作方法
CN102130252B (zh) * 2010-11-03 2013-02-27 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102130285B (zh) * 2010-11-03 2012-12-26 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102468418B (zh) * 2010-11-18 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 垂直结构发光二极管芯片及其制造方法
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP2012227289A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR101803569B1 (ko) * 2011-05-24 2017-12-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20130024089A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
GB201202222D0 (en) * 2012-02-09 2012-03-28 Mled Ltd Enhanced light extraction
CN103367570B (zh) * 2012-03-30 2016-01-20 清华大学 白光led
CN103367561B (zh) * 2012-03-30 2016-08-17 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103367525B (zh) * 2012-03-30 2016-12-14 清华大学 太阳能电池的制备方法
CN103367560B (zh) * 2012-03-30 2016-08-10 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103367562B (zh) * 2012-03-30 2016-08-03 清华大学 发光二极管及光学元件的制备方法
CN103367584B (zh) * 2012-03-30 2017-04-05 清华大学 发光二极管及光学元件
CN103367585B (zh) * 2012-03-30 2016-04-13 清华大学 发光二极管
CN103367583B (zh) * 2012-03-30 2016-08-17 清华大学 发光二极管
CN103367383B (zh) 2012-03-30 2016-04-13 清华大学 发光二极管
CN103367477A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 清华大学 太阳能电池
US20130299844A1 (en) * 2012-05-08 2013-11-14 Case Western Reserve University Enhanced light extraction efficiency for light emitting diodes
US9000414B2 (en) * 2012-11-16 2015-04-07 Korea Photonics Technology Institute Light emitting diode having heterogeneous protrusion structures
US10014442B2 (en) * 2013-04-22 2018-07-03 Korea Polytechnic University Industry Academic Cooperation Foundation Method for manufacturing vertical type light emitting diode, vertical type light emitting diode, method for manufacturing ultraviolet ray light emitting diode, and ultraviolet ray light emitting diode
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
DE102014105799A1 (de) * 2014-04-24 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
TWI568016B (zh) * 2014-12-23 2017-01-21 錼創科技股份有限公司 半導體發光元件
DE102015111130B9 (de) 2015-07-09 2022-09-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
DE102016100563B4 (de) 2016-01-14 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und optoelektronische Leuchtvorrichtung
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR102019251B1 (ko) * 2016-09-15 2019-11-04 일룩스 아이엔씨. 인쇄된 광 변환 구조를 구비하는 다색 발광 디스플레이
CN107833954B (zh) * 2016-09-15 2020-01-24 伊乐视有限公司 具有表面贴装发光元件的显示器
EP3352210A1 (en) * 2017-01-19 2018-07-25 eLux Inc. Light emitting diodes adapted for the fluidic assembly of emissive displays
DE102019106546A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
CN111697116B (zh) * 2020-06-19 2023-05-16 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光led芯片及制备方法
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2943388B2 (ja) * 1991-05-16 1999-08-30 松下電器産業株式会社 レンチキュラーレンズシートの製造方法と製造装置
JP2836687B2 (ja) 1993-04-03 1998-12-14 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3333330B2 (ja) 1994-09-30 2002-10-15 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US5633527A (en) * 1995-02-06 1997-05-27 Sandia Corporation Unitary lens semiconductor device
US5617436A (en) * 1995-06-07 1997-04-01 Cornell Research Foundation, Inc. Strain-compensated multiple quantum well laser structures
US5977566A (en) 1996-06-05 1999-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor light emitter
JP2941743B2 (ja) 1996-06-05 1999-08-30 株式会社東芝 化合物半導体発光素子及びその製造方法
US5905275A (en) * 1996-06-17 1999-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Gallium nitride compound semiconductor light-emitting device
US5925898A (en) * 1996-07-18 1999-07-20 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic transducer and production methods
JPH10209569A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Hewlett Packard Co <Hp> ｐ型窒化物半導体装置とその製造方法
DE69839300T2 (de) * 1997-12-15 2009-04-16 Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose Licht-emittierende Vorrichtung
US5981975A (en) * 1998-02-27 1999-11-09 The Whitaker Corporation On-chip alignment fiducials for surface emitting devices
JP4183299B2 (ja) 1998-03-25 2008-11-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Cited By (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6876003B1 (en) 1999-04-15 2005-04-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor light-emitting device, method of manufacturing transparent conductor film and method of manufacturing compound semiconductor light-emitting device
US6872649B2 (en) 1999-04-15 2005-03-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing transparent conductor film and compound semiconductor light-emitting device with the film
JP2004521498A (ja) * 2001-03-09 2004-07-15 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング ビーム放射半導体素子およびその作製方法
US8138511B2 (en) 2001-03-09 2012-03-20 Osram Ag Radiation-emitting semiconductor component and method for producing the semiconductor component
US6946788B2 (en) 2001-05-29 2005-09-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP2003017748A (ja) * 2001-06-27 2003-01-17 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US6809340B2 (en) 2001-09-28 2004-10-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting element
US7301175B2 (en) 2001-10-12 2007-11-27 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
US7390684B2 (en) 2001-10-12 2008-06-24 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
US6744071B2 (en) 2002-01-28 2004-06-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with a supporting substrate
EP2262008A3 (en) * 2002-01-28 2011-03-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with supporting substrate and method for producing nitride semiconductor element
EP2105977A1 (en) * 2002-01-28 2009-09-30 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with supporting substrate and method for producing nitride semiconductor element
WO2003065464A1 (fr) * 2002-01-28 2003-08-07 Nichia Corporation Dispositif a semi-conducteur a base de nitrure comprenant un substrat de support, et son procede de realisation
US6946683B2 (en) 2002-01-28 2005-09-20 Nichia Corporation Opposed terminal structure having a nitride semiconductor element
JP2008294482A (ja) * 2002-01-28 2008-12-04 Nichia Corp 窒化物半導体素子
US6916676B2 (en) 2002-01-28 2005-07-12 Nichia Corporation Method for producing a nitride semiconductor element
US7939349B2 (en) 2002-04-23 2011-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride-based semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
US7154125B2 (en) * 2002-04-23 2006-12-26 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride-based semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2003105243A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-18 Kopin Corporation High-efficiency light-emitting diodes
US7378334B2 (en) 2002-07-08 2008-05-27 Nichia Corporation Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
JP2006324685A (ja) * 2002-07-08 2006-11-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
US7105857B2 (en) 2002-07-08 2006-09-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
DE10234977A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US7943944B2 (en) 2002-07-31 2011-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh GaN-based radiation-emitting thin-layered semiconductor component
US7553685B2 (en) 2002-08-07 2009-06-30 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and light-emitting device
WO2004015785A1 (ja) * 2002-08-07 2004-02-19 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2004071896A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2004152800A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
KR100495824B1 (ko) * 2002-11-14 2005-06-16 삼성전기주식회사 반도체 엘이디 소자
JP2004198978A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Keiwa Inc プラズマディスプレイパネル用輝度向上シート及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル装置
JP2005005679A (ja) * 2003-04-15 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US7102175B2 (en) 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
JP2007504640A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 薄膜発光ダイオードおよびその製造方法
US8604497B2 (en) 2003-09-26 2013-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting thin-film semiconductor chip
JP2007507081A (ja) * 2003-09-26 2007-03-22 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 放射を発する薄膜半導体チップ
WO2005043633A1 (ja) * 2003-11-04 2005-05-12 Pioneer Corporation 半導体発光素子及びその製造方法
US7399649B2 (en) 2003-11-04 2008-07-15 Pioneer Corporation Semiconductor light-emitting device and fabrication method thereof
JP4588638B2 (ja) * 2003-11-04 2010-12-01 パイオニア株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JPWO2005043633A1 (ja) * 2003-11-04 2007-05-10 パイオニア株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US7183586B2 (en) 2003-11-19 2007-02-27 Nichia Corporation Semiconductor element and manufacturing method for the same
KR101127314B1 (ko) 2003-11-19 2012-03-29 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체소자
WO2005050748A1 (ja) * 2003-11-19 2005-06-02 Nichia Corporation 半導体素子及びその製造方法
JP2005203737A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Nitto Denko Corp 半導体発光素子の製造方法
US7189591B2 (en) 2003-12-19 2007-03-13 Nitto Denko Corporation Process for producing light-emitting semiconductor device
JP2005244201A (ja) * 2004-01-28 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
KR101013724B1 (ko) 2004-03-08 2011-02-10 엘지전자 주식회사 질화물계 화합물 발광소자
US7968897B2 (en) 2004-03-09 2011-06-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device having a support substrate and inclined sides
JP2008503900A (ja) * 2004-06-22 2008-02-07 バーティクル，インク 改良光出力を提供する縦型半導体装置
US7161188B2 (en) 2004-06-28 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element
US7763903B2 (en) 2004-06-28 2010-07-27 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same
JP2006086254A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Kyocera Corp 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置
KR101238817B1 (ko) 2004-09-27 2013-03-04 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 박막 칩
JP2006128227A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
KR101077769B1 (ko) * 2004-12-27 2011-10-27 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2006294907A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2006324661A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光素子用のオーミックコンタクト層の製造方法及びこれを備えた発光素子の製造方法
US8580668B2 (en) 2005-05-18 2013-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming ohmic contact layer and method of fabricating light emitting device having ohmic contact layer
US8373184B2 (en) 2005-05-19 2013-02-12 Samsung Electronics Co. Ltd. Vertical nitride based semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency
JP2006324672A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd 光抽出効率が改善された垂直構造窒化物半導体発光素子
JP2006339627A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化物系半導体発光ダイオード
JP2007019488A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2010245542A (ja) * 2005-06-16 2010-10-28 Lg Electronics Inc 発光ダイオード
JP2007019099A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2009500872A (ja) * 2005-07-11 2009-01-08 ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー 光抽出が改善したレーザリフトオフｌｅｄ
US8674375B2 (en) 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
JP2009502043A (ja) * 2005-07-21 2009-01-22 クリー インコーポレイテッド 光取り出し効率向上のための凹凸化高屈折率表面を有する青色発光ダイオード
KR100610639B1 (ko) 2005-07-22 2006-08-09 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP2007036240A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子、及びその製造方法
US9147797B2 (en) 2005-07-25 2015-09-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US8742429B2 (en) 2005-07-25 2014-06-03 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
WO2007013757A1 (en) * 2005-07-25 2007-02-01 Lg Innotek Co., Ltd Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
JP2007073734A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Kyocera Corp 発光素子
US7893449B2 (en) 2005-12-14 2011-02-22 Showa Denko K.K. Gallium nitride based compound semiconductor light-emitting device having high emission efficiency and method of manufacturing the same
JP2007173482A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US8304795B2 (en) 2005-12-29 2012-11-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with concave-convex pattern and method for manufacturing the same
WO2007074897A1 (ja) 2005-12-29 2007-07-05 Rohm Co., Ltd. 半導体発光素子およびその製法
JP2007208259A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード素子及びその製造方法
JP2007220971A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007220973A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007220972A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007220970A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 発光素子及びその製造方法、並びにランプ
US8598607B2 (en) 2006-03-07 2013-12-03 Lg Electronics Inc. Light emitting device and method of manufacturing the same
US8643035B2 (en) 2006-03-07 2014-02-04 Lg Electronics Inc. Light emitting device and method of manufacturing the same
US8912556B2 (en) 2006-03-07 2014-12-16 Lg Electronics Inc. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9343624B2 (en) 2006-03-07 2016-05-17 Lg Electronics Inc. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2011091443A (ja) * 2006-03-17 2011-05-06 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 発光ダイオードの製造方法
JP2007251130A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Epitech Technology Corp 発光ダイオード及びその製造方法
WO2007108532A1 (ja) 2006-03-23 2007-09-27 Showa Denko K.K. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプ
US8648376B2 (en) 2006-05-08 2014-02-11 Lg Electronics Inc. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
JP2007305998A (ja) * 2006-05-08 2007-11-22 Lg Electronics Inc 発光素子及びその製造方法
US9837578B2 (en) 2006-05-08 2017-12-05 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
US9246054B2 (en) 2006-05-08 2016-01-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
US8283690B2 (en) 2006-05-08 2012-10-09 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
JP2008109098A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード装置
US9318327B2 (en) 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
WO2008072681A1 (ja) 2006-12-11 2008-06-19 Showa Denko K.K. 化合物半導体発光素子及びその製造方法
KR101317632B1 (ko) * 2007-04-17 2013-10-10 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2009010215A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Nichia Corp 半導体発光素子
WO2009008210A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 C.I. Kasei Company, Limited 発光装置
JP2009158685A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Kyocera Corp 発光素子及びその製造方法並びに照明装置
WO2009084670A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Nichia Corporation 半導体発光素子およびその製造方法
US8552445B2 (en) 2007-12-28 2013-10-08 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
WO2009084325A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Mitsubishi Chemical Corporation Ｌｅｄ素子およびｌｅｄ素子の製造方法
US9159868B2 (en) 2007-12-28 2015-10-13 Nichia Corporation Method for manufacturing semiconductor light emitting device
US8883529B2 (en) 2007-12-28 2014-11-11 Nichia Corporation Method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP5343860B2 (ja) * 2007-12-28 2013-11-13 三菱化学株式会社 ＧａＮ系ＬＥＤ素子用電極およびＧａＮ系ＬＥＤ素子ならびにそれらの製造方法。
US8368103B2 (en) 2008-01-24 2013-02-05 Showa Denko K.K. Compound semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same, conductive translucent electrode for compound semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device, and mechanical apparatus
WO2009093683A1 (ja) 2008-01-24 2009-07-30 Showa Denko K.K. 化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置
JP2009267418A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Samsung Electronics Co Ltd 発光装置、これを含むパッケージとシステム、およびその製造方法
US9287479B2 (en) 2008-04-25 2016-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Luminous devices, packages and systems containing the same, and fabricating methods thereof
DE102009018603B9 (de) * 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US8937321B2 (en) 2008-04-25 2015-01-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Luminous devices, packages and systems containing the same, and fabricating methods thereof
DE102009018603B4 (de) * 2008-04-25 2020-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US8124992B2 (en) 2008-08-27 2012-02-28 Showa Denko K.K. Light-emitting device, manufacturing method thereof, and lamp
US7982232B2 (en) 2008-08-27 2011-07-19 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and lamp
JP2009021642A (ja) * 2008-10-29 2009-01-29 Sharp Corp 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
KR100975527B1 (ko) 2008-11-19 2010-08-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
JP2009060142A (ja) * 2008-12-01 2009-03-19 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
JP2010171376A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2010074182A (ja) * 2009-12-17 2010-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物半導体発光素子
KR101134493B1 (ko) * 2010-03-19 2012-04-13 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
JP2011204875A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Toshiba Corp 発光素子
JP2011216882A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Seoul Opto Devices Co Ltd 高効率発光ダイオード及びその製造方法
US9455378B2 (en) 2010-03-31 2016-09-27 Seoul Viosys Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same
KR101138950B1 (ko) * 2010-06-08 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
JP2012043902A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Fujifilm Corp 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2011066453A (ja) * 2010-12-27 2011-03-31 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
US8878213B2 (en) 2011-05-16 2014-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US8987026B2 (en) 2011-05-16 2015-03-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
JP2012243823A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2013033921A (ja) * 2011-06-30 2013-02-14 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物系発光ダイオード素子およびその製造方法
JP2013080827A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Sharp Corp 発光素子
JP2013093441A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 New Japan Radio Co Ltd 窒化物半導体装置の製造方法
KR101381983B1 (ko) * 2012-03-09 2014-04-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
KR101239859B1 (ko) * 2012-03-16 2013-03-06 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN109841753A (zh) * 2019-02-02 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 光取出层及其制作方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
JP3469484B2 (ja) 2003-11-25
US6495862B1 (en) 2002-12-17
US20030062530A1 (en) 2003-04-03
US6924163B2 (en) 2005-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3469484B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2003347586A (ja) 半導体発光素子
US7993943B2 (en) GaN based LED with improved light extraction efficiency and method for making the same
US5789768A (en) Light emitting diode having transparent conductive oxide formed on the contact layer
US7294862B2 (en) Photonic crystal light emitting device
US8076686B2 (en) Light emitting diode and manufacturing method thereof
US20080224158A1 (en) Light Emitting Device With Undoped Substrate And Doped Bonding Layer
US20100295088A1 (en) Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
JP2006128227A (ja) 窒化物半導体発光素子
TW200541112A (en) Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
JPH0974219A (ja) 面発光型ダイオード及びその製造方法
JP7432024B2 (ja) 赤外線発光ダイオード
US20150311400A1 (en) Light-emitting device
US20130187122A1 (en) Photonic device having embedded nano-scale structures
CN103811614B (zh) 具有异质材料结构的发光元件及其制造方法
JP4803302B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
TW201817033A (zh) 具有超晶格之iii-p發光器件
USRE43426E1 (en) Fabrication method of transparent electrode on visible light-emitting diode
JP4751093B2 (ja) 半導体発光素子
JP2007242669A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2008091664A (ja) 発光素子及び照明装置並びに光ピックアップ
JP2007250714A (ja) 発光素子
US20230016028A1 (en) Semiconductor light-emitting component and light-emitting device
KR102283105B1 (ko) 고방열 나노구조 광소자 및 그 제조 방법
KR102189614B1 (ko) 초격자를 갖는 iii-p 발광 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070905

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees