CN102130284A - 单色led芯片及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种单色LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括：衬底，所述衬底的材质为透明材质；集成微透镜，位于所述衬底的一侧的表面上，所述集成微透镜的材质与所述衬底的材质相同；缓冲层，位于所述衬底另一侧的表面上；有源层，位于所述缓冲层远离所述衬底的表面上；帽层，位于所述有源层远离所述衬底的表面上；正电极，所述正电极与所述帽层电连接；负电极，所述负电极与所述缓冲层电连接。本发明的LED芯片光线的微透镜不容易变形，光学可靠性高，且本发明的LED芯片对光线的利用率高，发光强度大。

Description

单色LED芯片及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体照明领域，特别涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种能够将电能转化为可见光的固态半导体器件。由于其具有体积小、耗电量低及使用寿命长的优点，已逐渐代替传统光源而被越来越广泛地应用于照明领域。

在授权公告号为CN 1251838C的中国专利中公开了一种现有技术的LED芯片结构示意图，以蓝色LED为例，请参考图1，包括：衬底10，所述衬底10为n-SiC衬底，所述衬底10具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；缓冲层11，位于所述衬底10的第一表面上，所述缓冲层11为n型GaN；有源层12，位于所述缓冲层11上方，所述有源层12为多量子阱有源层，其材质为p型GaN；帽层13，位于所述有源层12上，所述帽层13的材质为p型GaN；微透镜16，位于所述帽层13上，所述微透镜16的材质为有机树脂材料；负电极14，位于所述衬底10的第二表面；正电极15，位于微透镜14两侧的帽层13上。通过在负电极14以及正电极15在所述缓冲层11和帽层13施加电压，使得LED的有源层12发蓝光。所述有源层12发出的光线经过帽层13以及微透镜16透射出去。

由于微透镜16一般采用有机树脂材料，其高温下容易变形，造成LED芯片光学性能的不稳定性，并且现有的LED芯片的亮度低、发光强度低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种了单色LED芯片及其制作方法，解决了微透镜在高温下容易变形的问题，改善了LED芯片的光学稳定性，提高了LED芯片发光强度和亮度。

为解决上述问题，本发明提供一种单色LED芯片，包括：

衬底，所述衬底的材质为透明材质；

集成微透镜，位于所述衬底一侧的表面上，所述集成微透镜的材质与所述衬底的材质相同；

缓冲层，位于所述衬底另一侧的表面上；

有源层，位于所述缓冲层远离所述衬底的表面上；

帽层，位于所述有源层远离所述衬底的表面上；

正电极，所述正电极与所述帽层电连接；

负电极，所述负电极与所述缓冲层电连接。

可选地，所述正电极位于所述帽层远离所述衬底的一侧的表面上。

可选地，所述负电极位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的表面上。

可选地，还包括：抗反射层，位于所述帽层远离衬底一侧的表面上。

可选地，所述抗反射层的材质为金属。

可选地，还包括：基座、位于基座上的正电极焊垫和负电极焊垫，所述正电极通过导电胶与正电极焊垫电连接，所述负电极通过导电胶与负电极焊垫电连接。

可选地，所述基座的材质为半导体材质，所述正电极焊垫和负电极焊垫的材质为金属，所述导电胶的材质为导电银胶、导电铝胶。

可选地，所述衬底的材质为蓝宝石、砷化镓、氮化铝、氧化锌、碳化硅或硅。

相应地，本发明还提供一种单色LED芯片的制作方法，包括：

提供衬底，所述衬底的材质为透明材质；

在所述衬底一侧的表面依次形成缓冲层、有源层、帽层、负电极和正电极，所述正电极与所述帽层电连接，所述负电极与所述缓冲层电连接；

在所述衬底另一侧的表面形成集成微透镜。

可选地，所述正电极形成于所述帽层远离衬底的表面上。

可选地，所述负电极形成于所述缓冲层远离衬底的表面上。

可选地，还包括：在所述帽层远离所述衬底一侧的表面形成抗反射层的步骤。

可选地，所述抗反射层的材质为金属。

可选地，还包括：

提供基座，所述基座上形成有正电极焊垫和负电极焊垫；

利用导电胶将所述正电极与所述正电极焊垫电连接；

利用导电胶将所述负电极与所述负电极焊垫电连接。

可选地，所述基座的材质为半导体材质，所述正电极焊垫和负电极焊垫的材质为金属，所述导电胶的材质为导电银胶、导电铝胶。

可选地，所述衬底的材质为蓝宝石、砷化镓、氮化铝、氧化锌、碳化硅或硅。

可选地，所述集成微透镜为对所述衬底另一侧的表面进行刻蚀获得。

可选地，所述集成微透镜的制作方法包括：

在所述衬底另一侧的表面光刻形成多个厚度为2～4微米、直径为50～200微米的光刻胶圆台；

在温度为150～200摄氏度范围内，对所述光刻胶圆台烘烤，使得所述圆台变为球冠状光刻胶；

以所述球冠状光刻胶为掩模，等离子刻蚀所述衬底另一侧的表面，在刻蚀后的所述衬底另一侧的表面形成集成微透镜。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明的LED芯片结构包括衬底，所述衬底一侧的表面上具有集成微透镜，所述衬底另一侧表面上依次形成缓冲层、有源层、帽层，所述有源层发出的光线经过缓冲层、衬底、集成微透镜发射出去，由于衬底的材质与集成微透镜的材质相同，光线在衬底与集成微透镜的交界面不会形成全反射，有源层发出的光线能够全部发射出去，而现有技术的LED芯片结构在同一侧表面依次设置缓冲层、有源层、帽层、微透镜，由于现有技术的帽层和微透镜的材质不同，且帽层和微透镜的交界面平坦，因此现有技术光线在帽层和微透镜层交界面容易形成全反射，从而现有技术的有源层发出的光线不能全部发射出去，因此，本发明的LED芯片提高了光线的利用率，提高了LED芯片的发光强度和亮度；

由于本发明的微透镜的材质与衬底相同，所述材质可以为蓝宝石、砷化镓、氮化铝、氧化锌、碳化硅或硅，从而提高了微透镜的可靠性，与现有技术的微透镜的材质为有机树脂相比，本发明的微透镜高温下不易变形，增加了微透镜的使用寿命，并提高了LED芯片的光学可靠性；进一步地，在所述有源层远离衬底的一侧形成抗反射层，避免有源层发出的光线向抗反射层的一侧传播，使所述光线全部透过衬底和微透镜，进一步提高了LED芯片的发光强度和亮度。

附图说明

图1是现有技术的单色LED芯片的结构示意图。

图2是本发明一个实施例的单色LED芯片的结构示意图。

图3是图2沿AA线的剖面结构示意图。

图4是本发明的单色LED芯片制作方法流程示意图。

图5～图8是本发明的单色LED芯片制作方法剖面结构示意图。

具体实施方式

发明人发现，现有的LED芯片通常利用有机树脂材料作为微透镜，由于树脂材料高温下容易发生变形，使得现有的LED芯片的光学性能不稳定。并且微透镜与下方的帽层的交界面平坦且两者的材质不同，使得有源层发出的光线在微透镜与帽层的交界面容易形成全反射，使得光线被反射回有源层，而无法有效将有源层发出的光线完全透射出，造成有源层发出的光线利用率不高，影响LED芯片发光强度。

对应地，本发明的发明人提出一种单色LED芯片，包括：

衬底，所述衬底的材质为透明材质；

集成微透镜，位于所述衬底一侧的表面上，所述集成微透镜的材质与所述衬底的材质相同；

缓冲层，位于所述衬底另一侧的表面上；

有源层，位于所述缓冲层远离所述衬底的表面上；

帽层，位于所述有源层远离所述衬底的表面上；

正电极，所述正电极与所述帽层电连接；

负电极，所述负电极与所述缓冲层电连接。

下面将结合具体实施对本发明的技术方案进行说明。请参考图2，为本发明的一个实施例的单色LED芯片的结构示意图。

所述LED芯片包括：衬底201、集成微透镜202、缓冲层203、有源层204、帽层205、负电极206和正电极207。所述衬底201的材质为透明材质，所述衬底201一侧的表面具有集成微透镜202，所述衬底201另一侧的表面依次设置有缓冲层203、有源层204、帽层205，依次位于所述衬底201的与所述集成微透镜202相对的侧面。所述衬底201的材质为透明材质，所述集成微透镜202的材质与所述衬底201的材质相同。所述负电极205与所述缓冲层203电连接，所述正电极207与所述帽层205电连接。

具体地，作为一个实施例，所述衬底201的材质可以为氧化铝(Al₂O₃，蓝宝石)。在其他的实施例中，所述衬底201的材质还可以为碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、硅。

作为优选的实施例，所述集成微透镜202与所述衬底201为一体的结构，即所述集成微透镜202通过对所述衬底201的一侧的表面刻蚀形成；并且，由于集成微透镜202与所述衬底201形成一体的结构，即两者之间没有交界面，这样消除了光线在衬底201与集成微透镜202的交界面形成全反射的问题，提高了LED芯片光线的利用率。

由于集成微透镜202的材质与衬底201的材质相同，所述衬底201的材质为氧化铝(Al₂O₃，蓝宝石)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或硅，使得所述集成微透镜202不易变形，提高了LED芯片的光学可靠性。

在其他的实施例中，所述衬底201与微透镜202还可以为相互独立的结构，两者利用相同的材质分别制作，并且通过粘合的方式结合。虽然在衬底201与微透镜202粘合的交界面会有少量的光线反射，但是由于两者的材质相同，所述反射的光线占LED芯片光线的比例较少，对LED的光线利用率和发光强度的影响较小。由于衬底201与微透镜202的材质相同，大大减小了由于现有技术由于微透镜和衬底201的材质不同在两者交界面造成的全反射，提高了LED芯片的光线的利用率和发光强度。

作为一个实施例，所述缓冲层203用于减小所述衬底201与有缘层204之间的应力，并且所述缓冲层203用于与帽层205配合，在两者之间的有源层204施加电压，形成发光二极管。所述缓冲层203完全覆盖所述衬底201的与所述集成微透镜202相对一侧的表面。本实施中，所述缓冲层203的材质为n型GaN，例如是n型Al_0.09Ga_0.91N。

所述有源层204用于在外部电压的作用下发出光线。所述有源层204位于缓冲层203远离所述衬底201一侧的表面，所述有源层204部分覆盖所述缓冲层203。本实施例中，所述有源层204在外部电压的作用下，发出蓝色光线。所述有源层204的材质为p型GaN，例如是p型InGaN。根据LED芯片颜色的实际需要，通过改变衬底及有源层材料，所述有源层204还可以发出其他颜色的光线，例如红色光线、绿色光线，所述有源层204的材质为本领域技术人员的公知技术，在此不做详细说明。

作为一个实施例，所述帽层205用于与缓冲层203配合，在两者之间的有源层204施加电压，形成发光二极管。所述帽层205的材质为p型GaN层，所述帽层205位于所述有源层204远离所述衬底201的一侧的表面，所述帽层205覆盖所述有源层204。

作为优选的实施例，所述LED芯片结构还包括：位于所述有源层204远离衬底201一侧的表面的抗反射层208、位于所述抗反射层208和缓冲层203远离所述衬底201一侧的表面的电介质层209、导电胶210、基座213、位于所述基座213上的负电极焊垫211和正电极焊垫212。所述导电胶210将所述负电极焊垫211与所述负电极206电连接，所述导电胶210将所述正电极焊垫212与所述正电极207电连接。

具体地，所述抗反射层208的材质为金属。所述金属可以为镍、金、钛、铝、银或包含镍、金、钛、铝、银的化合物等。所述抗反射层208可以防止有源层204发出的光线从衬底201的远离集成微透镜202的一侧透过，从而使得有源层204发出的光线全部透过衬底201和集成微透镜202，提高LED芯片的光线利用率和发光强度。

所述电介质层209覆盖部分缓冲层203(即所述有源层204未覆盖的部分缓冲层203)，且所述电介质层209覆盖所述抗反射层208。所述电介质层209的材质为电学绝缘物质，例如是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等。

所述负电极206位于所述缓冲层203远离衬底201的一侧表面。所述负电极206贯穿所述电介质层209。所述负电极206的材质为金属，例如是钨、铜、铝等。所述负电极206将所述缓冲层203与位于基座213内外部驱动电路电连接，所述外部驱动电极213用于对所述LED芯片的正电极207和负电极206施加控制信号。本实施例中，所述负电极206通过导电胶210与负电极焊垫211电连接，并通过负电极焊垫211接收外部驱动电路的驱动信号。所述正电极207形成于所述帽层205远离衬底201的一侧表面。所述正电极209贯穿所述电介质层209和抗反射层208。所述正电极207的材质为金属，例如金、铜、铝、钛等。所述正电极207用于将所述帽层205与外部驱动电路电连接。所述正电极207通过导电胶210与正电极焊垫212电连接，并通过正电极焊垫212接收外部驱动电路的驱动信号。

由于所述正电极207和抗反射层208的材质均为金属，且所述正电极207贯穿所述抗反射层208，所述正电极207能够通过抗反射层208与下方的帽层205电连接，一方面，增大了正电极207与帽层205之间的接触面积，减小了正电极207与帽层205之间的接触电阻，另一方面，提高了正电极207与帽层205之间的电连接的可靠性，防止正电极207与帽层205之间接触不良导致的LED芯片无法正常显示，提高了LED芯片的发光可靠性。

作为一个实施例，所述基座213的材质为半导体材质，例如是硅、锗或其他半导体材料。所述正电极焊垫211和负电极焊垫212的材质为金属，所述金属可以为铝、铜、铜铝合金等各种导电金属。所述导电胶210的材质可以为导电银胶、导电铝胶等。

需要说明的是，本实施例中，所述正电极207形成于抗反射层208、电介质层209内、所述负电极206形成于所述电介质层209内，作为本发明的其他实施例，所述正电极207还可以形成于基座213上，且与所述正电极焊垫212电连接，所述负电极206还可以形成于所述基座213上，且与所述负电极焊垫211电连接，所述正电极207通过额外的导电胶与帽层205电连接，所述负电极206通过额外的导电胶与缓冲层电连接。

参考图3，为图2沿AA的剖面结构示意图。所述正电极207贯穿所述抗反射层208，所述负电极206位于所述抗反射层208的外部。需要说明的是，所述正电极207、负电极206还可以有其他的布局方式。作为一个实施例，(结合图2)，所述有源层204完全覆盖所述衬底201、所述帽层205位于有源层204表面，所述有源层204和帽层205内具有通孔，所述负电极206位于所述通孔内，且负电极206与通孔之间具有电介质层。作为又一实施例，当所述抗反射层208的材质为金属时，所述正电极209还可以位于所述抗反射层208远离衬底201一侧的表面或部分正电极207位于所述抗反射层208内，所述正电极207通过抗反射层208与帽层205电连接。

相应地，本发明还提供一种单色LED芯片制作方法。请参考图4，为本发明的单色LED芯片制作方法流程示意图，所述方法包括：

步骤S1，提供衬底，所述衬底的材质为透明材质；

步骤S2，在所述衬底一侧的表面依次形成缓冲层、有源层、帽层、负电极和正电极，所述正电极与所述帽层电连接，所述负电极与所述缓冲层电连接；

步骤S3，在所述衬底另一侧的表面形成集成微透镜。

下面将结合具体的实施例对本发明的技术方案进行详细地说明。请参考图5～图8，为本发明的LED芯片制作方法剖面结构示意图。

首先，参考图5，提供衬底201，所述衬底201为透明材质。所述衬底201可以为蓝宝石、砷化镓、氮化铝、氧化锌、碳化硅或硅。所述衬底201的一侧表面将会在后续的步骤中依次形成缓冲层、有源层、帽层、负电极和正电极，另一侧表面将会利用刻蚀方法，形成集成微透镜，即图中201a示出的部分最终将会被刻蚀去除。

然后，参考图6，在所述衬底201一侧的表面上依次形成缓冲层203、有源层204、帽层205、负电极206、正电极207。

具体地，所述缓冲层203完全覆盖所述衬底201。所述缓冲层203用于减小所述衬底201与后续形成的有缘层之间的应力，并且所述缓冲层203用于与后续形成的帽层配合，在两者之间的有源层施加电压，形成发光二极管。所述缓冲层203的材质为n型GaN，例如是n型Al_0.09Ga_0.91N。作为一个实施例，所述缓冲层203的制作方法为有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法。

所述有源层204部分覆盖所述缓冲层203，所述有源层204露出的部分缓冲层203后续用于形成负电极。所述有源层的材质为p型GaN，例如是InGaN。作为一个实施例，所述有源层204利用金属有机物化学气相沉积的方法制作。

所述帽层205位于所述有源层204上，所述帽层的205的材质为p型GaN，其制作方法为金属有机物化学气相沉积的方法。

作为优选的实施例，在形成所述帽层204后，形成覆盖所述帽层204的抗反射层208，以提高所述LED芯片的发光强度和光线利用率。所述抗反射层208的材质为金属，例如可以为镍、金、钛、铝、银或含有镍、金、钛、铝、银的化合物。所述抗反射层208的制作方法为物理气相沉积(PVD)方法。

作为优选的实施例，在形成抗反射层208后，形成覆盖所述抗反射层208和部分缓冲层203(即所述有源层204未覆盖的部分缓冲层)的电介质层209。所述电介质层209的材质为电学绝缘物质，例如是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等。所述电介质层209的制作方法为物理气相沉积的方法或化学气相沉积的方法。

然后，仍然参考图6，进行刻蚀工艺，在所述电介质层209内正电极通孔和负电极通孔，所述正电极通孔形成于所述帽层205远离衬底201的一侧表面，露出帽层205的部分表面；所述负电极通孔形成于所述缓冲层203远离衬底201的一侧表面，露出所述缓冲层203的部分表面。

接着，在所述正电极通孔和负电极通孔内填充金属，分别在所述帽层205远离衬底201的一侧表面形成正电极207和所述缓冲层203远离衬底201的一侧表面形成负电极208。所述金属可以为金、铜、铝、钛等。

所述负电极206与所述缓冲层203电连接，所述正电极207与所述帽层205电连接。所述正电极207和负电极206还可以有其他的制作方法。例如当抗反射层208的材质为金属时，所述正电极207可以直接形成于所述抗反射层208表面，通过所述抗反射层208与帽层205电连接。

然后，请参考图7，在所述衬底201另一侧的表面形成集成微透镜202。所述集成微透镜202的制作方法为：在所述衬底201的另一侧的表面形成厚度为2～4微米，直径为50～200微米光刻胶圆台(图中未示)；在温度为150～200摄氏度范围内，对所述光刻胶圆台烘烤；所述光刻胶圆台在高于光刻胶的玻璃软化温度下，由于表面张力的作用形成球冠状，之后以所述经烘烤的光刻胶圆台，即球冠状的光刻胶为掩膜对所述衬底201进行离子束刻蚀，形成集成微透镜202，透镜厚度为3～5微米。所述透镜厚度是集成微透镜202的沿垂直于衬底201的表面的最大尺寸。其中，“以所述球冠状的光刻胶为掩膜，对所述衬底201进行离子束刻蚀”具体为：以所述球冠状光刻胶为掩膜，对所述球冠状光刻胶与所述衬底进行保形刻蚀，即对光刻胶与衬底的刻蚀速率基本相同，因此在衬底上形成与球冠状光刻胶基本相同的微透镜。

在其他的实施例中，所述集成微透镜202还可以利用与所述衬底201的材质相同的材质的另一衬底刻蚀形成，然后利用粘合的方式与所述衬底201一侧的表面结合。

然后，参考图8，提供基座213，所述基座213上形成有负电极焊垫211和正电极焊垫212；

利用导电胶210，将所述正电极207与所述正电极焊垫212电连接，将所述负电极206与所述负电极焊垫202电连接。

本实施例中，所述基座213的材质为半导体材质，所述半导体材质可以为硅、锗等。所述正电极焊垫212和负电极焊垫211的材质为金属，所述金属可以为铜、铝等。所述导电胶210可以为导电银胶或导电铝胶。

综上，本发明提供的单色LED芯片在衬底的两侧分别形成与所述衬底材质相同的集成微透镜，所述衬底的材质为透明材质，所述衬底另一侧的表面形成有有源层，所述有源层发出的光线可以全部透过集成微透镜发射出去，减小表面反射，提高了LED芯片的发光强度和亮度。本发明的单色LED芯片的光线利用率高，发光强度大。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (18)

1.一种单色LED芯片，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的材质为透明材质；

集成微透镜，位于所述衬底的一侧的表面上，所述集成微透镜的材质与所述衬底的材质相同；

缓冲层，位于所述衬底另一侧的表面上；

有源层，位于所述缓冲层远离所述衬底的表面上；

帽层，位于所述有源层远离所述衬底的表面上；

正电极，所述正电极与所述帽层电连接；

负电极，所述负电极与所述缓冲层电连接。

2.如权利要求1所述的单色LED芯片，其特征在于，所述正电极位于所述帽层远离所述衬底的一侧的表面上。

3.如权利要求1所述的单色LED芯片，其特征在于，所述负电极位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧的表面上。

4.如权利要求1所述的单色LED芯片，其特征在于，还包括：抗反射层，位于所述帽层远离衬底的一侧的表面上。

5.如权利要求4所述的单色LED芯片，其特征在于，所述抗反射层的材质为金属。

6.如权利要求1所述的单色LED芯片，其特征在于，还包括：基座、位于基座上的正电极焊垫和负电极焊垫，所述正电极通过导电胶与正电极焊垫电连接，所述负电极通过导电胶与负电极焊垫电连接。

7.如权利要求6所述的单色LED芯片，其特征在于，所述基座的材质为半导体材质，所述正电极焊垫和负电极焊垫的材质为金属，所述导电胶的材质为导电银胶、导电铝胶。

8.如权利要求1所述的单色LED芯片，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、砷化镓、氮化铝、氧化锌、碳化硅或硅。

9.一种单色LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底的材质为透明材质；

在所述衬底的一侧的表面依次形成缓冲层、有源层、帽层、负电极和正电极，所述正电极与所述帽层电连接，所述负电极与所述缓冲层电连接；

在所述衬底另一侧的表面形成集成微透镜。

10.如权利要求9所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述正电极形成于所述帽层远离衬底的表面上。

11.如权利要求9所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述负电极形成于所述缓冲层远离衬底的表面上。

12.如权利要求9所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，还包括：在所述帽层远离所述衬底的一侧的表面形成抗反射层的步骤。

13.如权利要求12所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述抗反射层的材质为金属。

14.如权利要求9所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，还包括：

提供基座，所述基座上形成有正电极焊垫和负电极焊垫；

利用导电胶将所述正电极与所述正电极焊垫电连接；

利用导电胶将所述负电极与所述负电极焊垫电连接。

15.如权利要求14所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述基座的材质为半导体材质，所述正电极焊垫和负电极焊垫的材质为金属，所述导电胶的材质为导电银胶、导电铝胶。

16.如权利要求9所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、砷化镓、氮化铝、氧化锌、碳化硅或硅。

17.如权利要求9所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述集成微透镜为对所述衬底另一侧的表面进行刻蚀获得。

18.如权利要求17所述的单色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述集成微透镜的制作方法包括：

在所述衬底另一侧的表面光刻形成多个厚度为2～4微米、直径为50～200微米的光刻胶圆台；

在温度为150～200摄氏度范围内，对所述光刻胶圆台烘烤，使得所述圆台变为球冠状光刻胶；

以所述球冠状光刻胶为掩模，等离子刻蚀所述衬底另一侧的表面，在刻蚀后的所述衬底另一侧的表面形成集成微透镜。

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