JP2000091645A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、発光部が大きく、表示品位が高い
表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半導体発
光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板２の表面に表面電極７Ａ，７Ｂが形
成されると共に裏面に実装用電極８Ａ，８Ｂが形成さ
れ、表面電極７Ａ，７Ｂと実装用電極８Ａ，８Ｂとが装
置端部に位置するスルーホール１により接続され、表面
電極７Ａ上に発光素子が搭載されモルード樹脂３により
モールドされて構成される半導体発光装置において、ス
ルーホール１の発光素子３搭載側が薄膜６により塞がれ
ており、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で形
成して構成する。
表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半導体発
光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板２の表面に表面電極７Ａ，７Ｂが形
成されると共に裏面に実装用電極８Ａ，８Ｂが形成さ
れ、表面電極７Ａ，７Ｂと実装用電極８Ａ，８Ｂとが装
置端部に位置するスルーホール１により接続され、表面
電極７Ａ上に発光素子が搭載されモルード樹脂３により
モールドされて構成される半導体発光装置において、ス
ルーホール１の発光素子３搭載側が薄膜６により塞がれ
ており、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で形
成して構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ発光素子か
ら構成される半導体発光装置及びその製造方法に関し、
特に携帯電話等の照明用のチップ型ＬＥＤなどに応用さ
れる半導体発光装置及びその製造方法に関する。
ら構成される半導体発光装置及びその製造方法に関し、
特に携帯電話等の照明用のチップ型ＬＥＤなどに応用さ
れる半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＥＤ発光素子から構成される半
導体発光装置としては、例えば、特許第２１１４８４７
号に記載されるようなものがあり、それについて、図６
〜図８を参照して説明する。
導体発光装置としては、例えば、特許第２１１４８４７
号に記載されるようなものがあり、それについて、図６
〜図８を参照して説明する。
【０００３】その製造は、まず、図６に示すように、ス
ルーホール孔１１が平行に形成された基板１２を用い
て、スルーホール孔１１の一方に接続された電極上にＬ
ＥＤ発光素子１３を搭載し、他方のスルーホール孔１１
に接続された電極に金線１５をボンディングし、ＬＥＤ
発光素子１３をモールド樹脂１４によりモールドする。
そして、カッティングラインｌ11，ｌ12でカッティング
することにより、図７や図８に示すような半導体発光装
置を得ることができる。なお、図７に示したものは単一
のＬＥＤ発光素子１３から構成されるものであり、図８
に示したものは２個のＬＥＤ発光素子１３から構成され
るものである。
ルーホール孔１１が平行に形成された基板１２を用い
て、スルーホール孔１１の一方に接続された電極上にＬ
ＥＤ発光素子１３を搭載し、他方のスルーホール孔１１
に接続された電極に金線１５をボンディングし、ＬＥＤ
発光素子１３をモールド樹脂１４によりモールドする。
そして、カッティングラインｌ11，ｌ12でカッティング
することにより、図７や図８に示すような半導体発光装
置を得ることができる。なお、図７に示したものは単一
のＬＥＤ発光素子１３から構成されるものであり、図８
に示したものは２個のＬＥＤ発光素子１３から構成され
るものである。
【０００４】また、モールド樹脂１４は、スルーホール
孔１１の配列方向と同方向で列毎に分離されるように形
成される。そして、カッティングラインｌ12と平行な方
向のモールド樹脂１４の断面がカッティングラインｌ12
に重ならず、モールド樹脂１４が上方向に凸の畝状にな
るように形成される。
孔１１の配列方向と同方向で列毎に分離されるように形
成される。そして、カッティングラインｌ12と平行な方
向のモールド樹脂１４の断面がカッティングラインｌ12
に重ならず、モールド樹脂１４が上方向に凸の畝状にな
るように形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の技術では、モールド樹脂１４をスルーホール孔１
１から漏れないように形成する必要があるため、樹脂モ
ールド部のサイズが規制されてしまった。
従来の技術では、モールド樹脂１４をスルーホール孔１
１から漏れないように形成する必要があるため、樹脂モ
ールド部のサイズが規制されてしまった。
【０００６】すると、半導体発光装置デバイスのサイズ
に対する発光部の面積比が制限されることになり、十分
な発光特性が得られないか、発光部を十分なサイズに維
持するには半導体発光装置自体が大型化してしまった。
に対する発光部の面積比が制限されることになり、十分
な発光特性が得られないか、発光部を十分なサイズに維
持するには半導体発光装置自体が大型化してしまった。
【０００７】さらに、この従来の半導体発光装置を複数
使用して、例えば表示パネル用ドットマトリックスを構
成する場合、各デバイス間即ち半導体発光装置の発光部
間の隙間が大きくなってしまい、表示品位を劣化させる
という欠点もあった。
使用して、例えば表示パネル用ドットマトリックスを構
成する場合、各デバイス間即ち半導体発光装置の発光部
間の隙間が大きくなってしまい、表示品位を劣化させる
という欠点もあった。
【０００８】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、発光部が大きく、表示品位
が高い表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半
導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。
めになされたものであって、発光部が大きく、表示品位
が高い表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半
導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明では、基板の表面に表面電極
が形成されると共に裏面に実装用電極が形成され、表面
電極と実装用電極とが装置端部に位置するスルーホール
により接続され、表面電極上に発光素子が搭載されモル
ード樹脂によりモールドされて構成される半導体発光装
置において、スルーホールの光素子搭載側を薄膜により
塞ぎ、その上部までモールド樹脂を畝状の形状で形成し
て構成している。
に、請求項１に記載の発明では、基板の表面に表面電極
が形成されると共に裏面に実装用電極が形成され、表面
電極と実装用電極とが装置端部に位置するスルーホール
により接続され、表面電極上に発光素子が搭載されモル
ード樹脂によりモールドされて構成される半導体発光装
置において、スルーホールの光素子搭載側を薄膜により
塞ぎ、その上部までモールド樹脂を畝状の形状で形成し
て構成している。
【００１０】請求項１に記載の発明によれば、スルーホ
ールの発光素子搭載側を薄膜により塞ぎ、その上部まで
モールド樹脂を形成するように構成しているので、製造
工程におけるモールド時にモールド樹脂の漏れを防止し
て、従来のものと同じデバイスサイズで、スルーホール
の制約なしに樹脂モールド部の大型化が可能となる。し
たがって、発光部を大型化でき、表示品位が高い表示パ
ネル用ドットマトリックスを構成できる半導体発光装置
を実現できる。また、モールド樹脂を畝状としているの
で、製造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場
合と比較して、そりの発生を低減することができる。
ールの発光素子搭載側を薄膜により塞ぎ、その上部まで
モールド樹脂を形成するように構成しているので、製造
工程におけるモールド時にモールド樹脂の漏れを防止し
て、従来のものと同じデバイスサイズで、スルーホール
の制約なしに樹脂モールド部の大型化が可能となる。し
たがって、発光部を大型化でき、表示品位が高い表示パ
ネル用ドットマトリックスを構成できる半導体発光装置
を実現できる。また、モールド樹脂を畝状としているの
で、製造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場
合と比較して、そりの発生を低減することができる。
【００１１】また、請求項２に記載の発明では、基板の
表面に表面電極が形成されると共に裏面に実装用の裏面
電極が形成され、表面電極と裏面電極とがスルーホール
により接続され、表面電極上に発光素子が搭載されモル
ード樹脂によりモールドされて構成される半導体発光装
置において、基板を表面電極が形成された上部層と裏面
電極が形成された下部層との２層構造とし、それら上部
層又は下部層のいずれか一方にスルーホールを形成し、
そのスルーホールが他方に形成された表面電極又は裏面
電極のいずれかに接続されるように側面を介した立体配
線を形成して構成している。
表面に表面電極が形成されると共に裏面に実装用の裏面
電極が形成され、表面電極と裏面電極とがスルーホール
により接続され、表面電極上に発光素子が搭載されモル
ード樹脂によりモールドされて構成される半導体発光装
置において、基板を表面電極が形成された上部層と裏面
電極が形成された下部層との２層構造とし、それら上部
層又は下部層のいずれか一方にスルーホールを形成し、
そのスルーホールが他方に形成された表面電極又は裏面
電極のいずれかに接続されるように側面を介した立体配
線を形成して構成している。
【００１２】請求項２に記載の発明によれば、上記のよ
うな２層構造とし、その上部層又は下部層のいずれか一
方にスルーホールを形成し、そのスルーホールが他方の
電極に接続されるように側面を介した立体配線を形成し
て構成しているので、製造工程におけるモールド時にモ
ールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと同じデバイ
スサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂モールド部
の大型化が可能となる。したがって、発光部を大型化で
き、表示品位が高い表示パネル用ドットマトリックスを
構成できる半導体発光装置を実現できる。なお、モール
ド樹脂を畝状とすることが好ましく、それは製造時に基
板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較して、
そりの発生を低減することができるからである。
うな２層構造とし、その上部層又は下部層のいずれか一
方にスルーホールを形成し、そのスルーホールが他方の
電極に接続されるように側面を介した立体配線を形成し
て構成しているので、製造工程におけるモールド時にモ
ールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと同じデバイ
スサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂モールド部
の大型化が可能となる。したがって、発光部を大型化で
き、表示品位が高い表示パネル用ドットマトリックスを
構成できる半導体発光装置を実現できる。なお、モール
ド樹脂を畝状とすることが好ましく、それは製造時に基
板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較して、
そりの発生を低減することができるからである。
【００１３】また、請求項３に記載の発明では、表面に
表面電極が形成される共に裏面に実装用電極が形成さ
れ、更にそれら表面電極と実装用電極とを接続するスル
ーホールが形成された基板を用いて、その基板の表面電
極上に発光素子を搭載してモルード樹脂によりモールド
する半導体発光装置の製造方法において、スルーホール
の発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、その上部まで
モールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離するように形成
し、その列毎に切断することとしている。
表面電極が形成される共に裏面に実装用電極が形成さ
れ、更にそれら表面電極と実装用電極とを接続するスル
ーホールが形成された基板を用いて、その基板の表面電
極上に発光素子を搭載してモルード樹脂によりモールド
する半導体発光装置の製造方法において、スルーホール
の発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、その上部まで
モールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離するように形成
し、その列毎に切断することとしている。
【００１４】請求項３に記載の発明によれば、スルーホ
ールの発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、その上部
までモールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離するように
形成し、その列毎に切断することとしているので、モー
ルド時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと
同じデバイスサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂
モールド部の大型化が可能となる。したがって、発光部
を大型化でき、表示品位が高い表示パネル用ドットマト
リックスを構成できる半導体発光装置を実現できる。ま
た、モールド樹脂を畝状としているので、製造時に基板
上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較して、そ
りの発生を低減することができる。
ールの発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、その上部
までモールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離するように
形成し、その列毎に切断することとしているので、モー
ルド時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと
同じデバイスサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂
モールド部の大型化が可能となる。したがって、発光部
を大型化でき、表示品位が高い表示パネル用ドットマト
リックスを構成できる半導体発光装置を実現できる。ま
た、モールド樹脂を畝状としているので、製造時に基板
上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較して、そ
りの発生を低減することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。第１の実施形態につい
て、要部斜視図である図１を用いて説明する。
て、図面を参照して説明する。第１の実施形態につい
て、要部斜視図である図１を用いて説明する。
【００１６】第１の実施形態の半導体発光装置は、図１
に示すように、基板２の表面に表面電極７Ａ，７Ｂが形
成され裏面に実装用電極（図示なし）が形成されてお
り、これら表面電極７Ａ，７Ｂと実装用電極とがスルー
ホール１により接続されいる。そして、表面電極７Ａ上
に発光素子（図示なし）が搭載され、その発光素子が金
線（図示なし）により表面電極７Ｂにボンディングさ
れ、その上部にモールド樹脂４がモールドされて構成さ
れるものである。
に示すように、基板２の表面に表面電極７Ａ，７Ｂが形
成され裏面に実装用電極（図示なし）が形成されてお
り、これら表面電極７Ａ，７Ｂと実装用電極とがスルー
ホール１により接続されいる。そして、表面電極７Ａ上
に発光素子（図示なし）が搭載され、その発光素子が金
線（図示なし）により表面電極７Ｂにボンディングさ
れ、その上部にモールド樹脂４がモールドされて構成さ
れるものである。
【００１７】本実施形態のものでは、スルーホール１
（孔）の表面電極７Ａ，７Ｂ側が、薄膜６により塞がれ
ており、前述の図６〜８を用いて説明した従来のものと
異なり、その上部にまでモールド樹脂４が形成されてい
る。また、このモールド樹脂４は、スルーホール１を分
断するようなカッティングラインｌ1に垂直な方向の断
面形状が台形となるような畝状の形状で形成されてい
る。
（孔）の表面電極７Ａ，７Ｂ側が、薄膜６により塞がれ
ており、前述の図６〜８を用いて説明した従来のものと
異なり、その上部にまでモールド樹脂４が形成されてい
る。また、このモールド樹脂４は、スルーホール１を分
断するようなカッティングラインｌ1に垂直な方向の断
面形状が台形となるような畝状の形状で形成されてい
る。
【００１８】なお、薄膜６としては、導電性材料でも非
導電性材料でも良いが、例えば銅箔を用いれば、表面電
極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。また、薄膜
６として裏面に接着剤が塗布された樹脂フィルムを用い
ることもでき、それに用いる樹脂材料としては、ポリア
ミド、ポリエステル、エポキシ等が適用可能である。
導電性材料でも良いが、例えば銅箔を用いれば、表面電
極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。また、薄膜
６として裏面に接着剤が塗布された樹脂フィルムを用い
ることもでき、それに用いる樹脂材料としては、ポリア
ミド、ポリエステル、エポキシ等が適用可能である。
【００１９】本実施形態の半導体発光装置の製造方法に
おいては、前述の図６を用いて説明した従来のものと同
様の多連取りの基板（２）に、スルーホール１の配列方
向と平行方向に畝状のモールド樹脂４を直線状に形成
し、カッティングラインｌ1に沿ってカッティングを施
したものである。そして、モールド樹脂４形成前には、
スルーホール１の発光素子搭載側を薄膜６により塞いだ
後、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で列毎に
分離するように形成し、その列毎に切断したものであ
る。なお、スルーホール１の内部やランド部は、例えば
銅泊により形成可能なものである。
おいては、前述の図６を用いて説明した従来のものと同
様の多連取りの基板（２）に、スルーホール１の配列方
向と平行方向に畝状のモールド樹脂４を直線状に形成
し、カッティングラインｌ1に沿ってカッティングを施
したものである。そして、モールド樹脂４形成前には、
スルーホール１の発光素子搭載側を薄膜６により塞いだ
後、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で列毎に
分離するように形成し、その列毎に切断したものであ
る。なお、スルーホール１の内部やランド部は、例えば
銅泊により形成可能なものである。
【００２０】なお、本実施形態で用いた基板は、スルー
ホール用の孔を形成した後、裏面電極（実装用電極８
Ａ，８Ｂ）を銅箔等の導電性材料により形成し、スルー
ホールを銅箔等の導電性材料により形成した後、表面電
極７Ａ，７Ｂを銅箔等の導電性材料により形成したもの
である。そして、薄膜６として、例えば銅箔を用いれ
ば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。
ホール用の孔を形成した後、裏面電極（実装用電極８
Ａ，８Ｂ）を銅箔等の導電性材料により形成し、スルー
ホールを銅箔等の導電性材料により形成した後、表面電
極７Ａ，７Ｂを銅箔等の導電性材料により形成したもの
である。そして、薄膜６として、例えば銅箔を用いれ
ば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。
【００２１】次に、第２の実施形態について、その要部
斜視図である図２を用いて説明する。図２に示した第２
の実施形態が、上記第１の実施形態と異なる点は、モー
ルド樹脂４の形状が異なる点だけである。そなわち、第
２の実施形態において、モールド樹脂４は、スルーホー
ル１の配列方向にほぼ垂直なカッティングラインｌ2に
垂直な方向の断面形状が台形となるような畝状の形状で
形成されている。
斜視図である図２を用いて説明する。図２に示した第２
の実施形態が、上記第１の実施形態と異なる点は、モー
ルド樹脂４の形状が異なる点だけである。そなわち、第
２の実施形態において、モールド樹脂４は、スルーホー
ル１の配列方向にほぼ垂直なカッティングラインｌ2に
垂直な方向の断面形状が台形となるような畝状の形状で
形成されている。
【００２２】また、本実施形態の半導体発光装置の製造
方法においては、前述の図６を用いて説明した従来のも
のと同様の多連取りの基板（２）に、スルーホール１の
配列方向と垂直方向に畝状のモールド樹脂４を直線状に
形成し、カッティングラインｌ1に沿ってカッティング
を施したものである。そして、モールド樹脂４形成前に
は、スルーホール１の発光素子搭載側を薄膜６により塞
いだ後、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で列
毎に分離するように形成し、その列毎に切断したもので
ある。
方法においては、前述の図６を用いて説明した従来のも
のと同様の多連取りの基板（２）に、スルーホール１の
配列方向と垂直方向に畝状のモールド樹脂４を直線状に
形成し、カッティングラインｌ1に沿ってカッティング
を施したものである。そして、モールド樹脂４形成前に
は、スルーホール１の発光素子搭載側を薄膜６により塞
いだ後、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で列
毎に分離するように形成し、その列毎に切断したもので
ある。
【００２３】なお、本実施例においても、薄膜６として
は、導電性材料でも非導電性材料でも良いが、例えば銅
箔を用いれば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成すること
ができる。また、薄膜６として裏面に接着剤が塗布され
た樹脂フィルムを用いることもでき、それに用いる樹脂
材料としては、ポリアミド、ポリエステル、エポキシ等
が適用可能である。
は、導電性材料でも非導電性材料でも良いが、例えば銅
箔を用いれば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成すること
ができる。また、薄膜６として裏面に接着剤が塗布され
た樹脂フィルムを用いることもでき、それに用いる樹脂
材料としては、ポリアミド、ポリエステル、エポキシ等
が適用可能である。
【００２４】また、本実施形態でも用いた基板は、スル
ーホール用の孔を形成した後、裏面電極（実装用電極８
Ａ，８Ｂ）を銅箔等の導電性材料により形成し、スルー
ホールを銅箔等の導電性材料により形成した後、表面電
極７Ａ，７Ｂを銅箔等の導電性材料により形成したもの
である。そして、薄膜６として、例えば銅箔を用いれ
ば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。
ーホール用の孔を形成した後、裏面電極（実装用電極８
Ａ，８Ｂ）を銅箔等の導電性材料により形成し、スルー
ホールを銅箔等の導電性材料により形成した後、表面電
極７Ａ，７Ｂを銅箔等の導電性材料により形成したもの
である。そして、薄膜６として、例えば銅箔を用いれ
ば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。
【００２５】次に、第３の実施形態について、その要部
断面図である図３を用いて説明する。
断面図である図３を用いて説明する。
【００２６】第３の実施形態の半導体発光装置は、図３
に示すように、基板が上部層２Ａと下部層２Ｂとの２層
構造から成り、基板上部層２Ａの表面に表面電極７Ａ，
７Ｂが形成されており、表面電極７Ａ上に発光素子３が
搭載されている。そして、下層部２Ａ，２Ｂの裏面にそ
れぞれ実装用の裏面電極８Ａ，８Ｂが形成されている。
さらに、表面電極７Ａ，７Ｂのそれぞれが、スルーホー
ル１’Ａ，１’Ｂを介して裏面電極８’Ａ，８’Ｂに接
続されるように、下部層２の側面を介して立体配線９
Ａ，９Ｂにより配線されている。このように、本実施形
態では、下層部２において、裏面電極８’Ａ，８’Ｂに
下層部２の側面にも位置する立体配線９Ａ，９Ｂを形成
しているので、実装時には、固着強度や濡れ性が向上す
る。
に示すように、基板が上部層２Ａと下部層２Ｂとの２層
構造から成り、基板上部層２Ａの表面に表面電極７Ａ，
７Ｂが形成されており、表面電極７Ａ上に発光素子３が
搭載されている。そして、下層部２Ａ，２Ｂの裏面にそ
れぞれ実装用の裏面電極８Ａ，８Ｂが形成されている。
さらに、表面電極７Ａ，７Ｂのそれぞれが、スルーホー
ル１’Ａ，１’Ｂを介して裏面電極８’Ａ，８’Ｂに接
続されるように、下部層２の側面を介して立体配線９
Ａ，９Ｂにより配線されている。このように、本実施形
態では、下層部２において、裏面電極８’Ａ，８’Ｂに
下層部２の側面にも位置する立体配線９Ａ，９Ｂを形成
しているので、実装時には、固着強度や濡れ性が向上す
る。
【００２７】また、上部層２Ａの上面には、発光素子３
を覆うように、モールド樹脂４がモールドされて構成さ
れている。
を覆うように、モールド樹脂４がモールドされて構成さ
れている。
【００２８】そして、本実施形態のものでは、このよう
に、端部に露出しない内部にスルーホール１’Ａ，１’
Ｂを配置して、基板上部層２Ａの表面電極７Ａ，７Ｂと
基板下層部２Ｂの裏面電極８’Ａ，８’Ｂとを、立体配
線９Ａ，９Ｂを介して接続するように構成しているの
で、前述の図６〜８を用いて説明した従来のものと異な
り、モールド樹脂４が素子上部面の全面に形成されてい
る。すなわち、本実施形態のものによれば、スルーホー
ルを内部に形成することによって、スルーホールの位置
に関係なく、モールド樹脂４を形成することができる。
に、端部に露出しない内部にスルーホール１’Ａ，１’
Ｂを配置して、基板上部層２Ａの表面電極７Ａ，７Ｂと
基板下層部２Ｂの裏面電極８’Ａ，８’Ｂとを、立体配
線９Ａ，９Ｂを介して接続するように構成しているの
で、前述の図６〜８を用いて説明した従来のものと異な
り、モールド樹脂４が素子上部面の全面に形成されてい
る。すなわち、本実施形態のものによれば、スルーホー
ルを内部に形成することによって、スルーホールの位置
に関係なく、モールド樹脂４を形成することができる。
【００２９】なお、スルーホールは、上記のように基板
下層部に形成せず、基板上部層に形成しても良いもので
ある。また、下層部２Ｂの電極部分はスルーホールで形
成することが可能であり、また、下層部２Ｂとしてスリ
ット穴による無電界メッキで形成した基板と上部層２Ａ
のスルーホールとをメッキ導通接続しても良い。
下層部に形成せず、基板上部層に形成しても良いもので
ある。また、下層部２Ｂの電極部分はスルーホールで形
成することが可能であり、また、下層部２Ｂとしてスリ
ット穴による無電界メッキで形成した基板と上部層２Ａ
のスルーホールとをメッキ導通接続しても良い。
【００３０】また、図４に示すように、このモールド樹
脂４は、上記第１の実施形態、又は第２の実施形態のよ
うに、基板端面（素子端面）のカッティングラインのい
ずれかの方向に、断面形状が台形となるような畝状の形
状で形成されているのが好ましく、その方向はいずれで
も良い。また、図５に示すように、モールド樹脂４を直
方体形状のものでも良い。しかしながら、図４に示した
ものの方が、モールド樹脂４を畝状としているので、図
５に示したものと比較して、そりの発生を低減すること
ができるので好ましい。
脂４は、上記第１の実施形態、又は第２の実施形態のよ
うに、基板端面（素子端面）のカッティングラインのい
ずれかの方向に、断面形状が台形となるような畝状の形
状で形成されているのが好ましく、その方向はいずれで
も良い。また、図５に示すように、モールド樹脂４を直
方体形状のものでも良い。しかしながら、図４に示した
ものの方が、モールド樹脂４を畝状としているので、図
５に示したものと比較して、そりの発生を低減すること
ができるので好ましい。
【００３１】なお、図３に示した第３の実施形態のもの
では、基板下層部２Ｂによって、モールド樹脂４がスル
ーホール１’Ａ，１’Ｂを通って裏面に漏れることが防
止される。
では、基板下層部２Ｂによって、モールド樹脂４がスル
ーホール１’Ａ，１’Ｂを通って裏面に漏れることが防
止される。
【００３２】上記のいずれの実施形態のものによって
も、製造工程におけるモールド時にモールド樹脂の漏れ
を防止して、従来のものと同じデバイスサイズで、スル
ーホールの制約なしに樹脂モールド部の大型化が可能と
なる。したがって、発光部を大型化でき、表示品位が高
い表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半導体
発光装置を実現できる。また、上記第１の実施形態、第
２の実施形態、及び第３の実施形態のうち図４に示した
もののよれば、モールド樹脂を畝状としているので、製
造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比
較して、そりの発生を低減することができる。
も、製造工程におけるモールド時にモールド樹脂の漏れ
を防止して、従来のものと同じデバイスサイズで、スル
ーホールの制約なしに樹脂モールド部の大型化が可能と
なる。したがって、発光部を大型化でき、表示品位が高
い表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半導体
発光装置を実現できる。また、上記第１の実施形態、第
２の実施形態、及び第３の実施形態のうち図４に示した
もののよれば、モールド樹脂を畝状としているので、製
造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比
較して、そりの発生を低減することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、スルーホールの発光素子搭載側を薄膜により塞
ぎ、その上部までモールド樹脂を形成するように構成し
ているので、製造工程におけるモールド時にモールド樹
脂の漏れを防止して、従来のものと同じデバイスサイズ
で、スルーホールの制約なしに樹脂モールド部の大型化
が可能となる。したがって、発光部を大型化でき、表示
品位が高い表示パネル用ドットマトリックスを構成でき
る半導体発光装置を実現できる。また、モールド樹脂を
畝状としているので、製造時に基板上部全面にモールド
樹脂を形成する場合と比較して、そりの発生を低減する
ことができる。
よれば、スルーホールの発光素子搭載側を薄膜により塞
ぎ、その上部までモールド樹脂を形成するように構成し
ているので、製造工程におけるモールド時にモールド樹
脂の漏れを防止して、従来のものと同じデバイスサイズ
で、スルーホールの制約なしに樹脂モールド部の大型化
が可能となる。したがって、発光部を大型化でき、表示
品位が高い表示パネル用ドットマトリックスを構成でき
る半導体発光装置を実現できる。また、モールド樹脂を
畝状としているので、製造時に基板上部全面にモールド
樹脂を形成する場合と比較して、そりの発生を低減する
ことができる。
【００３４】また、請求項２に記載の発明によれば、上
記のような２層構造とし、その上部層又は下部層のいず
れか一方にスルーホールを形成し、そのスルーホールが
他方の電極に接続されるように側面を介した立体配線を
形成して構成しているので、製造工程におけるモールド
時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと同じ
デバイスサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂モー
ルド部の大型化が可能となる。したがって、発光部を大
型化でき、表示品位が高い表示パネル用ドットマトリッ
クスを構成できる半導体発光装置を実現できる。なお、
モールド樹脂を畝状とすることが好ましく、それは製造
時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較
して、そりの発生を低減することができるからである。
記のような２層構造とし、その上部層又は下部層のいず
れか一方にスルーホールを形成し、そのスルーホールが
他方の電極に接続されるように側面を介した立体配線を
形成して構成しているので、製造工程におけるモールド
時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと同じ
デバイスサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂モー
ルド部の大型化が可能となる。したがって、発光部を大
型化でき、表示品位が高い表示パネル用ドットマトリッ
クスを構成できる半導体発光装置を実現できる。なお、
モールド樹脂を畝状とすることが好ましく、それは製造
時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較
して、そりの発生を低減することができるからである。
【００３５】また、請求項３に記載の発明によれば、ス
ルーホールの発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、そ
の上部までモールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離する
ように形成し、その列毎に切断することとしているの
で、モールド時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来
のものと同じデバイスサイズで、スルーホールの制約な
しに樹脂モールド部の大型化が可能となる。したがっ
て、発光部を大型化でき、表示品位が高い表示パネル用
ドットマトリックスを構成できる半導体発光装置を実現
できる。また、モールド樹脂を畝状としているので、製
造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比
較して、そりの発生を低減することができる。
ルーホールの発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、そ
の上部までモールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離する
ように形成し、その列毎に切断することとしているの
で、モールド時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来
のものと同じデバイスサイズで、スルーホールの制約な
しに樹脂モールド部の大型化が可能となる。したがっ
て、発光部を大型化でき、表示品位が高い表示パネル用
ドットマトリックスを構成できる半導体発光装置を実現
できる。また、モールド樹脂を畝状としているので、製
造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比
較して、そりの発生を低減することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の概
略構造を示す要部斜視図である。
略構造を示す要部斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の半導体発光装置の概
略構造を示す要部斜視図である。
略構造を示す要部斜視図である。
【図３】本発明の第３の実施形態の半導体発光装置の概
略構造を示す要部断面図である。
略構造を示す要部断面図である。
【図４】第３の実施形態の半導体発光装置の外観構造を
示す要部斜視図である。
示す要部斜視図である。
【図５】第３の実施形態の半導体発光装置の外観構造を
示す要部斜視図である。
示す要部斜視図である。
【図６】従来の半導体発光装置の製造方法を示す要部斜
視図である。
視図である。
【図７】従来の半導体発光装置の概略構造を示す要部斜
視図である。
視図である。
【図８】従来の半導体発光装置の概略構造を示す要部斜
視図である。
視図である。
１，１’Ａ，１’Ｂ スルーホール ２ 基板 ２Ａ 基板上層部 ２Ｂ 基板下層部 ３ 発光素子 ４ モールド樹脂 ５ 金線 ６ 薄膜 ７Ａ，７Ｂ 表面電極 ８Ａ，８Ｂ 実装用電極 ８’Ａ，８’Ｂ 裏面電極
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の表面に表面電極が形成されると共
に裏面に実装用電極が形成され、前記表面電極と実装用
電極とが装置端部に位置するスルーホールにより接続さ
れ、前記表面電極上に発光素子が搭載されモルード樹脂
によりモールドされて構成される半導体発光装置におい
て、 前記スルーホールの前記発光素子搭載側が薄膜により塞
がれており、その上部まで前記モールド樹脂が畝状の形
状で形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 基板の表面に表面電極が形成されると共
に裏面に実装用の裏面電極が形成され、前記表面電極と
裏面電極とがスルーホールにより接続され、前記表面電
極上に発光素子が搭載されモルード樹脂によりモールド
されて構成される半導体発光装置において、 前記基板は前記表面電極が形成された上部層と前記裏面
電極が形成された下部層との２層構造からなり、該上部
層又は下部層のいずれか一方に前記スルーホールが形成
され、該スルーホールが他方に形成された前記表面電極
又は前記裏面電極のいずれかに接続されるように側面を
介した立体配線が形成されていることを特徴とする半導
体発光装置。 - 【請求項３】 表面に表面電極が形成される共に裏面に
実装用電極が形成され、更にそれら表面電極と実装用電
極とを接続するスルーホールが形成された基板を用い
て、該基板の表面電極上に発光素子を搭載してモルード
樹脂によりモールドする半導体発光装置の製造方法にお
いて、 前記スルーホールの前記発光素子搭載側を薄膜により塞
いだ後、その上部までモールド樹脂を畝状の形状で列毎
に分離するように形成し、その列毎に切断することを特
徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256250A JP2000091645A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256250A JP2000091645A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091645A true JP2000091645A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17290036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10256250A Pending JP2000091645A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091645A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001352102A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
| JP2003017754A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Rohm Co Ltd | 面実装型半導体装置 |
| JP2012049480A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 半導体装置およびその検査方法、並びに電気機器 |
| CN102683509A (zh) * | 2011-02-16 | 2012-09-19 | 罗姆股份有限公司 | Led模块 |
-
1998
- 1998-09-10 JP JP10256250A patent/JP2000091645A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001352102A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
| JP2003017754A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Rohm Co Ltd | 面実装型半導体装置 |
| JP2012049480A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 半導体装置およびその検査方法、並びに電気機器 |
| US8749263B2 (en) | 2010-08-30 | 2014-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus, inspection method thereof and electric device |
| CN102683509A (zh) * | 2011-02-16 | 2012-09-19 | 罗姆股份有限公司 | Led模块 |
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