JPH10223817A - 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法 - Google Patents
側面型電子部品の電極構造及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10223817A JPH10223817A JP3570297A JP3570297A JPH10223817A JP H10223817 A JPH10223817 A JP H10223817A JP 3570297 A JP3570297 A JP 3570297A JP 3570297 A JP3570297 A JP 3570297A JP H10223817 A JPH10223817 A JP H10223817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electronic component
- insulating substrate
- type electronic
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板と側面型電子部品との半田固定力が弱
く、信頼性を欠く。 【解決手段】 多数個取りする集合絶縁基板に、所定間
隔で複数列形成した長穴状のスルーホールの対向する位
置に一定間隔に凹部を形成し、メッキ処理によりスルー
ホールの内面を含む集合絶縁基板の全表面に銅メッキ層
を形成し、メッキレジストをラミネートし、露光現像後
パターンマスクを形成し、パターンエッチングを行い、
集合絶縁基板に上面電極２、下面電極３、凹部４ａを含
むスルーホール面に側面電極４を形成して、上面電極
２、側面電極４及び下面電極３が連続的に繋がる。上面
電極２に電子素子５を実装後、電子素子５を封止樹脂７
で樹脂封止する。長穴状のスルーホールの凹部を通るカ
ットラインに沿って集合絶縁基板を切断して単個の側面
型電子部品２０に分割する。凹部４ａにより半田付け面
積が拡大し、基板との半田固定力を増し、信頼性が向上
する。
く、信頼性を欠く。 【解決手段】 多数個取りする集合絶縁基板に、所定間
隔で複数列形成した長穴状のスルーホールの対向する位
置に一定間隔に凹部を形成し、メッキ処理によりスルー
ホールの内面を含む集合絶縁基板の全表面に銅メッキ層
を形成し、メッキレジストをラミネートし、露光現像後
パターンマスクを形成し、パターンエッチングを行い、
集合絶縁基板に上面電極２、下面電極３、凹部４ａを含
むスルーホール面に側面電極４を形成して、上面電極
２、側面電極４及び下面電極３が連続的に繋がる。上面
電極２に電子素子５を実装後、電子素子５を封止樹脂７
で樹脂封止する。長穴状のスルーホールの凹部を通るカ
ットラインに沿って集合絶縁基板を切断して単個の側面
型電子部品２０に分割する。凹部４ａにより半田付け面
積が拡大し、基板との半田固定力を増し、信頼性が向上
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳＭＤ型の側面受発
光デバイスに係わり、詳しくは、側面型電子部品の電極
構造及びその製造方法に関する。
光デバイスに係わり、詳しくは、側面型電子部品の電極
構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器は、高性能化、多機能化
とともに小型化、軽量化を追求している。そのため電子
部品をプリント基板上に実装し、樹脂封止するものが多
い。ＳＭＤ部品の多くは略直方体のプロックをしてお
り、プリント基板上の配線パターンに半田付け等の固着
手段で接続している。
とともに小型化、軽量化を追求している。そのため電子
部品をプリント基板上に実装し、樹脂封止するものが多
い。ＳＭＤ部品の多くは略直方体のプロックをしてお
り、プリント基板上の配線パターンに半田付け等の固着
手段で接続している。
【０００３】前記側面型電子部品の電極構造の技術が、
本出願人が先に出願した「下面電極付き側面使用電子部
品」（出願日、平成８年１１月１５日）に開示されてい
る。以下、図面に基づいてその概要を説明する。
本出願人が先に出願した「下面電極付き側面使用電子部
品」（出願日、平成８年１１月１５日）に開示されてい
る。以下、図面に基づいてその概要を説明する。
【０００４】図７は、側面使用電子部品をプリント基板
に実装した状態の斜視図、図８は、図７のＡ−Ａ線断面
図である。
に実装した状態の斜視図、図８は、図７のＡ−Ａ線断面
図である。
【０００５】図７及び図８において、１は略直方体形状
の絶縁基板であり、２は該絶縁基板１の上面端部に対向
する一対の上面電極である。３は下面電極であり、前記
上面電極２及び前記下面電極３と連なるように側面電極
４が形成されている。前記上面電極２に電子素子５であ
る、例えば、ＬＥＤが、前記一対の上面電極２の一方に
ダイボンディングされ、他方にはボンディングワイヤ６
で接続されている。７は、前記電子素子５及び接続部の
保護と、前記ＬＥＤの発光を効果的にするために、透光
性のエポキシ樹脂等の封止樹脂で封止することで、前記
側面使用電子部品８が完成される。
の絶縁基板であり、２は該絶縁基板１の上面端部に対向
する一対の上面電極である。３は下面電極であり、前記
上面電極２及び前記下面電極３と連なるように側面電極
４が形成されている。前記上面電極２に電子素子５であ
る、例えば、ＬＥＤが、前記一対の上面電極２の一方に
ダイボンディングされ、他方にはボンディングワイヤ６
で接続されている。７は、前記電子素子５及び接続部の
保護と、前記ＬＥＤの発光を効果的にするために、透光
性のエポキシ樹脂等の封止樹脂で封止することで、前記
側面使用電子部品８が完成される。
【０００６】前記側面使用電子部品８は図７に示すよう
に、プリント基板等のマザーボード９上の配線パターン
１０に、前記側面使用電子部品８が側面発光するよう
に、横向きにして、固着手段として、例えば半田１１に
より半田付け実装される。
に、プリント基板等のマザーボード９上の配線パターン
１０に、前記側面使用電子部品８が側面発光するよう
に、横向きにして、固着手段として、例えば半田１１に
より半田付け実装される。
【０００７】図８に示すように、前記側面使用電子部品
８と前記マザーボード９との固着は、前記半田１０が溶
融時に前記側面使用電子部品８に形成した側面電極４
と、前記マザーボード９上の配線パターン１０の双方を
濡らして接続される。
８と前記マザーボード９との固着は、前記半田１０が溶
融時に前記側面使用電子部品８に形成した側面電極４
と、前記マザーボード９上の配線パターン１０の双方を
濡らして接続される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た側面型電子部品の電極構造には次のような問題点があ
る。即ち、側面使用電子部品とマザーボードとの固着
は、マザーボード９の配線パターン１０と、側面使用電
子部品８に形成された側面電極４の裏面と、その一部周
辺のみが半田付けされ、側面電極４との半田付け面積が
狭いため、半田付け不良が発生し易く、また、半田固定
力が弱く、外部から予期せぬ衝撃力が加わった時に、固
着面が剥がれ、前記マザーボードとの接触不良等の致命
的な問題があった。
た側面型電子部品の電極構造には次のような問題点があ
る。即ち、側面使用電子部品とマザーボードとの固着
は、マザーボード９の配線パターン１０と、側面使用電
子部品８に形成された側面電極４の裏面と、その一部周
辺のみが半田付けされ、側面電極４との半田付け面積が
狭いため、半田付け不良が発生し易く、また、半田固定
力が弱く、外部から予期せぬ衝撃力が加わった時に、固
着面が剥がれ、前記マザーボードとの接触不良等の致命
的な問題があった。
【０００９】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、プリント基板に側面型電子部品
を確実に実装、固定する。生産性、経済性及び信頼性の
優れた側面型電子部品の電極構造及びその製造方法を提
供するものである。
のであり、その目的は、プリント基板に側面型電子部品
を確実に実装、固定する。生産性、経済性及び信頼性の
優れた側面型電子部品の電極構造及びその製造方法を提
供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における側面型電子部品の電極構造は、略直
方体形状の絶縁基板、該絶縁基板の上面端部に対向する
一対の上面電極を設け、該一対の上面電極は、それぞれ
その裏面に下面電極と、その側面に、前記上面電極及び
前記下面電極と連なる側面電極を形成して、前記上面電
極に電子素子を実装し、樹脂封止してなる側面型電子部
品の電極構造において、前記上面電極、側面電極、下面
電極が絶縁基板の端部周囲を一周し、且つ、前記側面電
極は絶縁基板のコーナー部で、上面電極から下面電極に
わたり凹部を有するように形成し、前記電子素子を側面
に向けて使用するとき、プリント基板に固着する絶縁基
板側の側面電極面に形成した凹部により、半田付け面積
を拡大したことを特徴とするものである。
に、本発明における側面型電子部品の電極構造は、略直
方体形状の絶縁基板、該絶縁基板の上面端部に対向する
一対の上面電極を設け、該一対の上面電極は、それぞれ
その裏面に下面電極と、その側面に、前記上面電極及び
前記下面電極と連なる側面電極を形成して、前記上面電
極に電子素子を実装し、樹脂封止してなる側面型電子部
品の電極構造において、前記上面電極、側面電極、下面
電極が絶縁基板の端部周囲を一周し、且つ、前記側面電
極は絶縁基板のコーナー部で、上面電極から下面電極に
わたり凹部を有するように形成し、前記電子素子を側面
に向けて使用するとき、プリント基板に固着する絶縁基
板側の側面電極面に形成した凹部により、半田付け面積
を拡大したことを特徴とするものである。
【００１１】また、前記側面電極の凹部は、前記側面電
極を形成するときの前記絶縁基板のコーナー部に設けた
スルーホールであることを特徴とするものである。
極を形成するときの前記絶縁基板のコーナー部に設けた
スルーホールであることを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明における側面型電子部品の電
極構造の製造方法は、略直方体形状の絶縁基板、該絶縁
基板の上面端部に対向する一対の上面電極を設け、該一
対の上面電極は、それぞれその裏面に下面電極と、その
側面に、前記上面電極及び前記下面電極と連なる側面電
極を形成して、前記上面電極に電子素子を実装し、樹脂
封止してなる側面型電子部品の電極構造の製造方法にお
いて、多数個取りする集合絶縁基板に、所定間隔で複数
列の長穴状のスルーホールを配列し、該対向する長穴状
のスルーホールと連通し、且つ、所定間隔で対向する位
置に凹部を形成するスルーホール加工工程と、メッキ処
理により前記長穴状のスルーホールの内面を含む集合絶
縁基板の全表面に銅メッキ層を形成するメッキ工程と、
メッキレジストをラミネートし、露光現像後パターンマ
スクを形成し、パターンエッチングを行い、前記集合絶
縁基板の上面及び下面に上面電極及び下面電極を形成
し、前記凹部を含む長穴状スルーホール面に対向する側
面電極を形成して、前記上面電極、側面電極及び下面電
極が連続的に繋がるように形成するエッチング工程と、
前記上面電極に電子素子を固着する実装工程と、前記電
子素子を樹脂封止する封止工程と、前記側面型電子部品
集合体の前記長穴状のスルーホールの凹部を通るカット
ラインに沿って集合絶縁基板を切断して単個の完成側面
型電子部品に分割する切断工程とからなることを特徴と
するものである。
極構造の製造方法は、略直方体形状の絶縁基板、該絶縁
基板の上面端部に対向する一対の上面電極を設け、該一
対の上面電極は、それぞれその裏面に下面電極と、その
側面に、前記上面電極及び前記下面電極と連なる側面電
極を形成して、前記上面電極に電子素子を実装し、樹脂
封止してなる側面型電子部品の電極構造の製造方法にお
いて、多数個取りする集合絶縁基板に、所定間隔で複数
列の長穴状のスルーホールを配列し、該対向する長穴状
のスルーホールと連通し、且つ、所定間隔で対向する位
置に凹部を形成するスルーホール加工工程と、メッキ処
理により前記長穴状のスルーホールの内面を含む集合絶
縁基板の全表面に銅メッキ層を形成するメッキ工程と、
メッキレジストをラミネートし、露光現像後パターンマ
スクを形成し、パターンエッチングを行い、前記集合絶
縁基板の上面及び下面に上面電極及び下面電極を形成
し、前記凹部を含む長穴状スルーホール面に対向する側
面電極を形成して、前記上面電極、側面電極及び下面電
極が連続的に繋がるように形成するエッチング工程と、
前記上面電極に電子素子を固着する実装工程と、前記電
子素子を樹脂封止する封止工程と、前記側面型電子部品
集合体の前記長穴状のスルーホールの凹部を通るカット
ラインに沿って集合絶縁基板を切断して単個の完成側面
型電子部品に分割する切断工程とからなることを特徴と
するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明におけ
る側面型電子部品の電極構造及びその製造方法について
説明する。図１〜図６は本発明の実施の形態である側面
型電子部品の電極構造及びその製造方法に係わり、図１
は、側面型電子部品をプリント基板に実装した状態の斜
視図、図２は、図１のＢ−Ｂ線断面図、図３は側面型電
子部品の斜視図、図４は図３の平面図、図５は図３のＣ
−Ｃ線断面図、図６は側面型電子部品の電極構造の製造
方法を示す斜視図である。図において、従来技術と同一
部材は同一符号で示す。
る側面型電子部品の電極構造及びその製造方法について
説明する。図１〜図６は本発明の実施の形態である側面
型電子部品の電極構造及びその製造方法に係わり、図１
は、側面型電子部品をプリント基板に実装した状態の斜
視図、図２は、図１のＢ−Ｂ線断面図、図３は側面型電
子部品の斜視図、図４は図３の平面図、図５は図３のＣ
−Ｃ線断面図、図６は側面型電子部品の電極構造の製造
方法を示す斜視図である。図において、従来技術と同一
部材は同一符号で示す。
【００１４】図１〜図５において、側面型電子部品の電
極構造について説明する。１は略直方体形状の絶縁基
板、２は該絶縁基板１の上面端部に対向する一対の上面
電極、３は前記一対の上面電極２のそれぞれその裏面に
形成した下面電極である。４は前記絶縁基板１の側面
に、前記上面電極２及び前記下面電極３と連なる側面電
極である。前記上面電極２、下面電極３、側面電極４が
前記絶縁基板１の端部周囲を一周するように形成されて
いる。前記側面電極４は、少なくとも後述するマザーボ
ードと固着する電極面には、外側コーナー部で上面電極
２から下面電極３にわたり凹部（図１では円弧形状）４
ａが形成されている。５は電子素子、例えばＬＥＤであ
り、前記一対の上面電極２の一方に接着又は半田等の固
着手段でダイボンディングされ、他方はボンディングワ
イヤ６で接続されている。前記電子素子５及びその接続
部を保護するために，前記ＬＥＤの発光を効果的にする
ために、透光性のエポキシ樹脂等の封止樹脂７で封止す
る。以上により側面型電子部品２０が構成される。
極構造について説明する。１は略直方体形状の絶縁基
板、２は該絶縁基板１の上面端部に対向する一対の上面
電極、３は前記一対の上面電極２のそれぞれその裏面に
形成した下面電極である。４は前記絶縁基板１の側面
に、前記上面電極２及び前記下面電極３と連なる側面電
極である。前記上面電極２、下面電極３、側面電極４が
前記絶縁基板１の端部周囲を一周するように形成されて
いる。前記側面電極４は、少なくとも後述するマザーボ
ードと固着する電極面には、外側コーナー部で上面電極
２から下面電極３にわたり凹部（図１では円弧形状）４
ａが形成されている。５は電子素子、例えばＬＥＤであ
り、前記一対の上面電極２の一方に接着又は半田等の固
着手段でダイボンディングされ、他方はボンディングワ
イヤ６で接続されている。前記電子素子５及びその接続
部を保護するために，前記ＬＥＤの発光を効果的にする
ために、透光性のエポキシ樹脂等の封止樹脂７で封止す
る。以上により側面型電子部品２０が構成される。
【００１５】図１及び図２に示すように、前記側面型電
子部品２０の電子素子５が側面発光するように側面に向
けて使用するとき、前記側面型電子部品２０のマザーボ
ード９の配線パターン１０に固着する際に、前記マザー
ボード９に固着する絶縁基板１側の側面電極４の外側コ
ーナー部で、上面電極から下面電極にわたり凹部４ａが
形成されて、半田付け面積が拡大されているので、半田
１１は配線パターン１０と絶縁基板１の凹部４ａを含む
側面電極４を濡らして確実に固着されて、半田固定力は
向上する。半田付け不良が発生し難く、また、外部から
予期せぬ衝撃力が加わった時に、固着面が剥がることも
ない。
子部品２０の電子素子５が側面発光するように側面に向
けて使用するとき、前記側面型電子部品２０のマザーボ
ード９の配線パターン１０に固着する際に、前記マザー
ボード９に固着する絶縁基板１側の側面電極４の外側コ
ーナー部で、上面電極から下面電極にわたり凹部４ａが
形成されて、半田付け面積が拡大されているので、半田
１１は配線パターン１０と絶縁基板１の凹部４ａを含む
側面電極４を濡らして確実に固着されて、半田固定力は
向上する。半田付け不良が発生し難く、また、外部から
予期せぬ衝撃力が加わった時に、固着面が剥がることも
ない。
【００１６】図６において、その製造方法を説明する。
図６（ａ）は側面型電子部品集合体、図６（ｂ）は表側
電極構造、図６（ｃ）は裏側電極構造を示す。
図６（ａ）は側面型電子部品集合体、図６（ｂ）は表側
電極構造、図６（ｃ）は裏側電極構造を示す。
【００１７】先ず、スルーホール加工工程は、ガラスエ
ポキシ樹脂等よりなる多数個取りする集合絶縁基板２１
に、所定間隔で複数列の長穴状のスルーホール２２ｂ
と、それぞれ対向する２つの長穴状のスルーホール２２
ｂにおいて、所定間隔で前記長穴状のスルーホール２２
ｂと連なり、且つ、対向する位置に複数個の凹部、例え
ば、本実施の形態では、半円形状部２２ａを施すスルー
ホール２２を形成するスルーホール加工を、切削又はプ
レス等の加工手段により形成する。
ポキシ樹脂等よりなる多数個取りする集合絶縁基板２１
に、所定間隔で複数列の長穴状のスルーホール２２ｂ
と、それぞれ対向する２つの長穴状のスルーホール２２
ｂにおいて、所定間隔で前記長穴状のスルーホール２２
ｂと連なり、且つ、対向する位置に複数個の凹部、例え
ば、本実施の形態では、半円形状部２２ａを施すスルー
ホール２２を形成するスルーホール加工を、切削又はプ
レス等の加工手段により形成する。
【００１８】次に、メッキ工程において、前記スルーホ
ール２２の壁面を含む集合絶縁基板２１の全表面を洗浄
した後、前記集合絶縁基板２１の全表面に無電解メッキ
及び電解メッキにより銅メッキ層を形成する。
ール２２の壁面を含む集合絶縁基板２１の全表面を洗浄
した後、前記集合絶縁基板２１の全表面に無電解メッキ
及び電解メッキにより銅メッキ層を形成する。
【００１９】更に、エッチング工程において、メッキレ
ジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを
形成した後、通常の基板エッチング液を用いてパターン
エッチングを行うことにより、前記集合絶縁基板２１の
上面及び下面に上面電極２及び下面電極３を形成し、前
記長穴状スルーホール２２ｂと半円形状部２２ａの壁面
とで側面電極４を形成する。図６（ｂ）、（ｃ）に示す
ように、前記上面電極２及び下面電極３は、凹部４ａを
含む側面電極４を介して周囲を一周するように繋がって
形成される。
ジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを
形成した後、通常の基板エッチング液を用いてパターン
エッチングを行うことにより、前記集合絶縁基板２１の
上面及び下面に上面電極２及び下面電極３を形成し、前
記長穴状スルーホール２２ｂと半円形状部２２ａの壁面
とで側面電極４を形成する。図６（ｂ）、（ｃ）に示す
ように、前記上面電極２及び下面電極３は、凹部４ａを
含む側面電極４を介して周囲を一周するように繋がって
形成される。
【００２０】次に、電子素子の実装工程において、前記
集合絶縁基板２１に形成された前記それぞれの一対の上
面電極２に、従来と同様に電子素子５、例えばＬＥＤを
接着剤または半田等の固着手段で実装する。
集合絶縁基板２１に形成された前記それぞれの一対の上
面電極２に、従来と同様に電子素子５、例えばＬＥＤを
接着剤または半田等の固着手段で実装する。
【００２１】樹脂封止工程は、透光性のエポキシ樹脂等
の封止樹脂７で、トランスファーモールド等のモールド
手段で、各列毎に前記電子素子５及び接続部を覆うよう
に樹脂封止され、側面型電子部品集合体２３ができる。
の封止樹脂７で、トランスファーモールド等のモールド
手段で、各列毎に前記電子素子５及び接続部を覆うよう
に樹脂封止され、側面型電子部品集合体２３ができる。
【００２２】切断工程は、前記側面型電子部品集合体２
３を切断して単個の完成側面型電子部品に分割するの
に、各列の前記側面電極４の半円形状部２２ａの中心を
通るカットライン２４に沿ってダイシング又はスライシ
ングマシン等で１チップに切断、分離することにより、
図３に示すような、略直方体の絶縁基板１の四隅のコー
ナー部で、前記上面電極２から前記下面電極３にわたる
側面電極４に円弧状の凹部４ａを有する側面型電子部品
２０が完成される。
３を切断して単個の完成側面型電子部品に分割するの
に、各列の前記側面電極４の半円形状部２２ａの中心を
通るカットライン２４に沿ってダイシング又はスライシ
ングマシン等で１チップに切断、分離することにより、
図３に示すような、略直方体の絶縁基板１の四隅のコー
ナー部で、前記上面電極２から前記下面電極３にわたる
側面電極４に円弧状の凹部４ａを有する側面型電子部品
２０が完成される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
側面型電子部品の電極構造において、側面電極を形成す
る長穴状のスルーホールの縦壁面の対向する位置に、凹
部を形成して、上面電極、下面電極及び側面電極が端部
を一周するように電極形成し、電子素子を実装、樹脂封
止後に、前記凹部形状上のカットラインに沿って切断す
ることにより、前記側面電極の外側コーナー部で、上面
電極から下面電極にわたり凹部が形成されて、前記側面
型電子部品の電子素子が側面発光するように側面に向け
て使用するとき、前記側面型電子部品をプリント基板等
のマザーボードに固着する際に、マザーボードと固着す
る側面電極の半田付け面積が拡大される。従って、側面
型電子部品はマザーボードに確実に固着され、半田固定
力は著しく向上する。半田付け不良が発生し難く、ま
た、外部から予期せぬ衝撃力が加わった時に、固着面が
剥がれることもない。前記側面電極の凹部形状の形成
は、長穴状のスルーホール形成時に行うので、コストア
ップすることはない。生産性、経済性及び信頼性の優れ
た側面型電子部品の電極構造及びその製造方法を提供す
ることが可能である。
側面型電子部品の電極構造において、側面電極を形成す
る長穴状のスルーホールの縦壁面の対向する位置に、凹
部を形成して、上面電極、下面電極及び側面電極が端部
を一周するように電極形成し、電子素子を実装、樹脂封
止後に、前記凹部形状上のカットラインに沿って切断す
ることにより、前記側面電極の外側コーナー部で、上面
電極から下面電極にわたり凹部が形成されて、前記側面
型電子部品の電子素子が側面発光するように側面に向け
て使用するとき、前記側面型電子部品をプリント基板等
のマザーボードに固着する際に、マザーボードと固着す
る側面電極の半田付け面積が拡大される。従って、側面
型電子部品はマザーボードに確実に固着され、半田固定
力は著しく向上する。半田付け不良が発生し難く、ま
た、外部から予期せぬ衝撃力が加わった時に、固着面が
剥がれることもない。前記側面電極の凹部形状の形成
は、長穴状のスルーホール形成時に行うので、コストア
ップすることはない。生産性、経済性及び信頼性の優れ
た側面型電子部品の電極構造及びその製造方法を提供す
ることが可能である。
【図１】本発明の実施の形態に係わるマザーボードに固
着した状態を示す側面型電子部品の斜視図である。
着した状態を示す側面型電子部品の斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】図１の側面型電子部品の斜視図である。
【図４】図３の平面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】図６（ａ）は本発明の実施の形態に係わる側面
型電子部品集合体及びその製造方法を説明する斜視図、
図６（ｂ）、（ｃ）は表側、裏側の電極構造を示す斜視
図である。
型電子部品集合体及びその製造方法を説明する斜視図、
図６（ｂ）、（ｃ）は表側、裏側の電極構造を示す斜視
図である。
【図７】従来のマザーボードに固着した状態を示す側面
型電子部品の斜視図である。
型電子部品の斜視図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線断面図である。
１ 絶縁基板 ２ 上面電極 ３ 下面電極 ４ 側面電極 ４ａ 凹部 ５ 電子素子 ６ ボンディングワイヤ ７ 封止樹脂 ９ マザーボード １０ 配線パターン １１ 半田 ２０ 側面型電子部品 ２１ 集合絶縁基板 ２２ スルーホール ２２ａ 半円形状部 ２２ｂ 長穴状のスルーホール ２３ 側面型電子部品集合体 ２４ カットライン
Claims (3)
- 【請求項１】 略直方体形状の絶縁基板、該絶縁基板の
上面端部に対向する一対の上面電極を設け、該一対の上
面電極は、それぞれその裏面に下面電極と、その側面
に、前記上面電極及び前記下面電極と連なる側面電極を
形成して、前記上面電極に電子素子を実装し、樹脂封止
してなる側面型電子部品の電極構造において、前記上面
電極、側面電極、下面電極が絶縁基板の端部周囲を一周
し、且つ、前記側面電極は絶縁基板のコーナー部で、上
面電極から下面電極にわたり凹部を有するように形成
し、前記電子素子を側面に向けて使用するとき、プリン
ト基板に固着する絶縁基板側の側面電極面に形成した凹
部により、半田付け面積を拡大したことを特徴とする側
面型電子部品の電極構造。 - 【請求項２】 前記側面電極の凹部は、前記側面電極を
形成するときの前記絶縁基板のコーナー部に設けたスル
ーホールであることを特徴とする請求項１記載の側面型
電子部品の電極構造。 - 【請求項３】 略直方体形状の絶縁基板、該絶縁基板の
上面端部に対向する一対の上面電極を設け、該一対の上
面電極は、それぞれその裏面に下面電極と、その側面
に、前記上面電極及び前記下面電極と連なる側面電極を
形成して、前記上面電極に電子素子を実装し、樹脂封止
してなる側面型電子部品の電極構造の製造方法におい
て、多数個取りする集合絶縁基板に、所定間隔で複数列
の長穴状のスルーホールを配列し、該対向する長穴状の
スルーホールと連通し、且つ、所定間隔で対向する位置
に凹部を形成するスルーホール加工工程と、メッキ処理
により前記長穴状のスルーホールの内面を含む集合絶縁
基板の全表面に銅メッキ層を形成するメッキ工程と、メ
ッキレジストをラミネートし、露光現像後パターンマス
クを形成し、パターンエッチングを行い、前記集合絶縁
基板の上面及び下面に上面電極及び下面電極を形成し、
前記凹部を含む長穴状スルーホール面に対向する側面電
極を形成して、前記上面電極、側面電極及び下面電極が
連続的に繋がるように形成するエッチング工程と、前記
上面電極に電子素子を固着する実装工程と、前記電子素
子を樹脂封止する封止工程と、前記側面型電子部品集合
体の前記長穴状のスルーホールの凹部を通るカットライ
ンに沿って集合絶縁基板を切断して単個の完成側面型電
子部品に分割する切断工程とからなることを特徴とする
側面型電子部品の電極構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03570297A JP4010424B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03570297A JP4010424B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223817A true JPH10223817A (ja) | 1998-08-21 |
| JP4010424B2 JP4010424B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=12449214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03570297A Expired - Lifetime JP4010424B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4010424B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10150138A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Citizen Electron Co Ltd | 下面電極付き側面使用電子部品 |
| JP2000196000A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Rohm Co Ltd | チップ電子部品及びその製造方法 |
| JP2001326390A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Rohm Co Ltd | 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板 |
| JP2003101079A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Citizen Electronics Co Ltd | 電子部品 |
| WO2006006255A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
| JP2006261308A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 |
| JP2007294966A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 多層反射面構造を有するｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
| KR100998040B1 (ko) | 2003-11-05 | 2010-12-03 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지용 기판과, 이를 구비하는 반도체 패키지,및 상기 반도체 패키지의 제조방법 |
| WO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
| JP2011060831A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | セラミック基板の製造方法及び発光体並びに発光装置 |
| JP2013171912A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
| JP2015149448A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | ローム株式会社 | 発光モジュール、発光装置および発光モジュールの製造方法 |
| JP2016072365A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US20170117447A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10041663B2 (en) | 2016-09-21 | 2018-08-07 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light source and method of mounting light-emitting device |
| US10347809B2 (en) | 2016-09-21 | 2019-07-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
-
1997
- 1997-02-05 JP JP03570297A patent/JP4010424B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10150138A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Citizen Electron Co Ltd | 下面電極付き側面使用電子部品 |
| JP2000196000A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Rohm Co Ltd | チップ電子部品及びその製造方法 |
| JP2001326390A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Rohm Co Ltd | 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板 |
| JP2003101079A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Citizen Electronics Co Ltd | 電子部品 |
| US7825421B2 (en) | 2003-09-19 | 2010-11-02 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JPWO2006006255A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2008-04-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
| WO2006006255A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
| JP4682138B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2011-05-11 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
| KR100998040B1 (ko) | 2003-11-05 | 2010-12-03 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지용 기판과, 이를 구비하는 반도체 패키지,및 상기 반도체 패키지의 제조방법 |
| JP2006261308A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 |
| US7777314B2 (en) | 2005-03-16 | 2010-08-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electronic component mounting package and package assembled substrate |
| JP4698259B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2011-06-08 | 三洋電機株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 |
| JP2007294966A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 多層反射面構造を有するｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
| US8586128B2 (en) | 2006-04-21 | 2013-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package having multi-stepped reflecting surface structure and fabrication method thereof |
| US9240527B2 (en) | 2009-06-05 | 2016-01-19 | Advanced Photonics, Inc. | Submount, optical module provided with submount, and submount manufacturing method |
| WO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
| JP2011060831A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | セラミック基板の製造方法及び発光体並びに発光装置 |
| JP2013171912A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
| JP2015149448A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | ローム株式会社 | 発光モジュール、発光装置および発光モジュールの製造方法 |
| JP2016072365A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US20170117447A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2017084929A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| US10388839B2 (en) | 2015-10-27 | 2019-08-20 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10041663B2 (en) | 2016-09-21 | 2018-08-07 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light source and method of mounting light-emitting device |
| US10347809B2 (en) | 2016-09-21 | 2019-07-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4010424B2 (ja) | 2007-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2976917B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5670797A (en) | Compact light-emitting device with sealing member and light-transmitting resin seal | |
| JP4010424B2 (ja) | 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法 | |
| JP3915992B2 (ja) | 面実装型電子部品の製造方法 | |
| JP2000252393A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP2013110210A (ja) | 半導体光学装置 | |
| JP3907145B2 (ja) | チップ電子部品 | |
| US20070096271A1 (en) | Substrate frame | |
| US6403895B1 (en) | Wiring substance and semiconductor | |
| JP7283938B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2000196153A (ja) | チップ電子部品およびその製造方法 | |
| JPH11340609A (ja) | プリント配線板、および単位配線板の製造方法 | |
| KR100658120B1 (ko) | 필름 기판을 사용한 반도체 장치 제조 방법 | |
| JP2000031545A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3786227B2 (ja) | 赤外線データ通信モジュール及びその製造方法 | |
| JPS63114299A (ja) | プリント配線板 | |
| JP2000036621A (ja) | 側面型電子部品の電極構造 | |
| JP2001177159A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001326428A (ja) | プリント基板 | |
| JP2000082762A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3576541B2 (ja) | 発光デバイス及び発光デバイスの製造方法 | |
| KR980012334A (ko) | 적층형 반도체 칩 패키지와 그 제조방법 | |
| KR20010038940A (ko) | 적층형 비엘피 패키지 및 제조방법 | |
| JPH07122701A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにｐｇａ用リードフレーム | |
| JPH10150065A (ja) | チップサイズパッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040113 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060829 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070830 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070830 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |