JP2000091500A - パワ―モジュ―ル - Google Patents
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Abstract
型半導体モジュール。 【解決手段】モータの各相巻線を駆動するのに必要なハ
イパワーデバイス18と、ベースプレート6と、パワー
シェル6と、パワーシェルの内部チャンバー内に位置す
る回路基板8とからなるパワモジュール2の、熱エネル
ギを管理するために、ベースは絶縁性金属基用が用いら
れ、パワーシェル、ベースプレート、パワーシェルの接
続はS型ピンコネクタ20によってなされるため、組み
立てが容易化される。
Description
に関し、特に、放熱用の内部端子を利用したモータ制御
用の集積化パワーパッケージに関する。
ルは、多くの異なる分野で用いられている。パワーモジ
ュールの一般的な使用としては、モータの駆動および制
御がある。
効果型トランジスタ(FET)がよく用いられ、特に、
低電力型制御回路から受信した信号に基づいてモータを
駆動するための電力を供給するパワー型の金属酸化FE
T(MOSFET)が用いられる。
ング機構においてみられるように、電力用モータを駆動
するために必要な高電流をスイッチングすることが可能
であるが、このスイッチング時の大電流を流す際におい
て大量な熱エネルギーも発生する。
生される熱エネルギーを放熱するためによく用いられ
る。この大型のヒートシンクを用いることは、モジュー
ルのパッケージサイズを大型化させ、搭載される半導体
の配設を複雑化させることにつながる。
低電力型の制御回路を配設したような場合には、モジュ
ールの信頼性を減少させ、FETによって発散される熱
エネルギーによるダメージによってその動作に影響を及
ぼすことになる。
ッケージ化の要請は、特に、パワーモジュールの小型
化、および、駆動されるモータと同一領域内での配置が
要求される自動車分野においてやっかいである。
タドライバモジュールは、機械式のパワーステアリング
部品に最適な条件の基で直接搭載され、これを駆動して
いる。
体とモジュール制御回路との間を接続する広大化したワ
イヤおよびケーブルは、電気モータを制御するパワー型
半導体デバイスの効果的使用を妨げるものとして望まれ
ていない。
れ、切替え型リラクタンス(reluctance)モ
ータを含む高トルク電気モータの駆動が可能で、該モジ
ュール内に集積化された制御回路を備えたパワー型半導
体モジュールを提供することにある。
子、モータ端子は、該モジュールに直接搭載されたハイ
パワーデバイスのようなモジュールの外枠(shel
l)まで引き出されている。該ハイパワーデバイスは、
ワイヤ又はケーブルを用いずに相互接続されている。
ワーデバイスから発生した熱エネルギーを金属基板へ伝
達することによって、制御電子部から熱エネルギーを直
接取り除くように配置したものであり、これにより、制
御用のモータに近接して搭載が可能なコンパクトで、信
頼性のあるモジュールを提供することができる。
たパワーシェルとを備えた電子モジュールを提供する。
該パワーシェルは、内部チャンバー(chamber)
を形成する複数の壁と、少なくとも1つの導電領域とを
有する。該少なくとも1つの導電領域には、少なくとも
1つの電子デバイスが搭載されている。該パワーシェル
の内部チャンバー内には、回路基板が配置されている。
性基板を備えた電子モジュール用の絶縁性金属プレート
を提供する。該金属性基板には、該基板を概略覆う形で
第1の絶縁層が積層されている。該第1の絶縁層には、
複数の分離領域を形成するためにエッチングされた少な
くとも2つの導電領域が積層されている。該少なくとも
2つの導電領域の間には第2の絶縁層が形成され、少な
くとも1つの導電領域上にはソルダーマスクが設置され
ている。
した図面と関連する下記に示す発明の記載内容から明ら
かである。
して図面に示すようなものがあるが、本発明は、この図
面に示すような配置および手段に限定されるものではな
い。
同一符号を付すものとする。図1、図2、図3は、本発
明に係る組み立てられたモジュール2構造を示すもので
あり、それぞれ、斜視図、正面図、側面図を示す。
ポーネント、すなわち、パワーシェル4と、ベースプレ
ート6と、回路基板8とから構成される。図示のよう
に、パワーシェル4はベースプレート6上に搭載され、
回路基板8はパワーシェル4内の空洞部にはめ込まれて
いる。以下、これらサブ・コンポーネントの各々につい
て詳細に説明する。
ュール2は、4相切替え式のリラクタンス(reluc
tance)モータのコンバータを構成する電気部品に
みられるような、電気的パワーが要求される自動車のパ
ワーステアリング分野において用いられる。従って、半
導体部品として、例えばパワー型MOSFETは、入力
源であるDCパワーをモータ駆動に必要な適切なAC出
力パワーに変換する。また、本発明に係るパワーモジュ
ールは、3相DC型ブラシレスモータのコンバータとし
て使用することも可能である。
からDC電力を入力するためのパワー入力端子10a,
10b,10cを有している。例えば、端子10aを正
極電圧端子とし、端子10bを負極電圧端子とし、端子
10cをシャシー(chassis)アース端子とす
る。
ル2から、このパワーモジュール2によって制御される
4相切替え式のリラクタンスモータの各相巻線に通電す
るためのモータ位相端子12a,12b,12c,12
d,12e,12fを有している。モータ位相端子12
a〜12fは、パワーシェル4で全体的にモールドされ
ている。以下、パワーモジュール2のパワー電子回路部
の構成を詳細に説明する。
MOSFETおよびダイオードのような、ハイパワーコ
ントローラ電子素子を駆動するために必要な、低電力制
御回路を提供する。典型的な例として、該低電力制御回
路は、ハイパワーMOSFET半導体のゲート駆動電圧
を供給する。個々の低電力回路デバイスは、回路基板8
の表面部14に搭載されることが好ましい。コネクタ1
6は、回路基板8に搭載され、低電力回路に対して外部
接続を提供する。
4に搭載されたハイパワーデバイス18との間の電気的
接続は、以下に述べるように、S型ピンコネクタ20に
よって行われる。
いが、必要に応じてコネクタを付加させることが可能で
ある。コネクタ18としては”S”形状が好ましいが、
弾力性を保った状態で半田付け又はワイヤボンド(ワイ
ヤ接続)できるものであれば、どのような形状でもよ
い。
パワーシェル4内の空洞部に回路基板8を搭載すること
によって、回路基板8とパワーシェル4との間に弾力性
のある接続を提供している。このS型ピンコネクタ20
は、パワーシェル4上の金属性タブ22又はベースプレ
ート6上のパッド領域に直接接続されている。
て、ヘッダーの1列又は複数列からなるコネクタピンの
使用が不要となる。
は、例えばパワーシェル4又はベースプレート6といっ
た他のモジュール部品に送られる信号が、回路基板8上
の略同じ位置に伝えられるようにする必要がある。この
ことは、信号経路に不必要な長さを付加させ、ノイズを
増加させる要因となる。
用することによって、回路基板8上の各信号を、互いに
独立した接続状態で、パワーシェル4又はベースプレー
ト6に接続させることができる。言い替えると、S型ピ
ンコネクタ20は、ある信号を、信号経路内の所定の点
でモジュール部品に接続させることができる。このこと
は、信号経路の長さを制限でき、パワーモジュール2の
ノイズを低減させる。
品、例えばボルトといった当業者で知られているような
部品を用いて搭載用のタブ24を介して搭載することが
できる。パワーモジュール2は、ハイパワーデバイス1
8によって発生された熱を発散させるために、ベースプ
レート6を介してヒートシンクに搭載させることが好ま
しい。
ート6は、好ましくは、薄いパターン状の銅又は他の導
電性、半田性の表面として形成された比較的薄い絶縁性
フィルムによって覆われた、肉厚の厚い銅又はアルミニ
ウムの基板を有する絶縁性金属基板(IMS)構造とす
ることによって、ハイパワー部品から熱的経路を提供す
ることができる。
の分解図を示す。パワーシェル4、ベースプレート6、
回路基板8は、コンパクトに組み立てられ、有効な表面
領域が効率良く使用できるように、配置されている。
ースプレート6の搭載用の穴28に挿入することによっ
て、パワーシェル4を整列させて嵌合させることができ
る。パワーシェル4は、ハイパワーデバイス18が導電
領域30上に搭載されるようにするために、半田付け、
導電性エポキシ剤等を用いてモールドされている。パワ
ーシェル4がベースプレート6に搭載されるときは、導
電領域30はそれぞれ接触領域32の上部に配置され、
半田又は導電性の接着によって接続される。これによ
り、ハイパワーデバイス18とベースプレート6との間
で電気的な接続がなされる。
の間の接続によって、2つの有益な機能を提供する。そ
の第1の機能として、ベースプレート6への電気的経路
を提供し、これにより、電力、アース、各種のハイパワ
ーデバイス18間のハイパワー信号を区分することがで
きる。第2の機能として、ハイパワーデバイス18から
ベースプレート6へ、熱的な伝導経路が提供される。こ
の熱的な伝導経路は、熱エネルギーを、ハイパワーデバ
イス18から取り除いて、ベースプレート6に接続され
た所定のヒートシンク(図示せず)に導く。
内の導電領域30の表面に搭載され、導電領域30の裏
面はベースプレート6の接触領域32と接触する。
チ34(notch)がパワーシェル4の調整用タブ3
6(tab)と一致するようにして、パワーシェル4内
にはめ込まれる。このはめ込みにより、回路基板8の位
置決め調整が確実になされるため、パワーモジュール2
の組み立てを単純に行うことができる。このパワーシェ
ル4内へのはめ込みによって、S型ピンコネクタ20
は、1つ又はそれ以上の導電領域30、および/又は、
1つ又はそれ以上のベースプレート6上の各パッド38
とつながる。これにより、回路基板8とベースプレート
6との間で電気的伝導がとれ、組み立てを簡素化するこ
とができる。
これに関連する部品は、ハイパワーデバイス18および
パワーシェル4とは独立して組み立てを行うことができ
る。パワーシェル4とベースプレート6とが一旦組み立
てられ、全てのワイヤボンドが完了した場合、以下に述
べるように、回路基板8はパワーシェル4と容易に組み
立てが行われる。本発明の構成を用いることによって、
回路基板8上での熱エネルギーによる逆効果を防ぐこと
ができる。この熱エネルギーは、ハイパワーデバイス1
8から、回路基板8とは一定の距離がおかれたベースプ
レート6に接触するヒートシンクの方向へ伝達される。
部、ベースプレート6、および、カバー(図示せず)
は、注入用ゲル、例えばシリコン・エラストマ(ela
stomer)によって充填される。
FET、シャント抵抗、ショットキーダイオード、およ
びキャパシタを含み、以下に詳細に述べるように、例え
ば、切替え型リラクタンスモータのコンバータを提供す
る。本発明に係るパワーモジュールは、切替え型リラク
タンスモータのコンバータに関して記載されているが、
パワーモジュール2としてパワー型半導体デバイスおよ
び低電力型制御回路を備えていれば、当業者によってど
の構成でも適用することができる。
ェル4として、底面図および上面図をそれぞれ示すもの
であり、ここでは、接触領域32の詳細を示す。
プラスチックモールド部42に埋め込まれた、端子10
a〜10cの拡張部、モータ位相端子12a〜12f、
或いは凹部40である。端子10a〜10c或いはモー
タ位相端子12a〜12fの場合、接触領域32が引き
出され、モールドプラスチック42によって固着されて
いる。
図6は、導電領域30の表面46を示す。端子10a〜
10cおよびモータ位相端子12a〜12fの各々は、
裏面44および表面46を構成する導電領域30を有し
ている。前述したように、ハイパワーデバイス18は、
表面46の各部に搭載され、裏面44はベースプレート
6の接触領域32の各部と電気的に接触する。
部をもつ端子10a〜10cおよびモータ位相端子12
a〜12fを使用することによって、構成を簡素化し
て、熱の分散および発散を行わせることができる。
示せず)を取り付けるためのスルホール部48が設けら
れている。
上面図を示す。前述したように、ベースプレート6とし
ては絶縁性金属基板(IMS)構造が好ましく、周知の
技術を用いて形成することができる。ベースプレート6
はパターン化されており、エッチ部50を通してサブス
トレート48とつながっている。
てパターン化された接触領域32からサブストレート4
8への良好な熱的伝導性を提供する。サブストレート4
8としてはアルミニウムが好ましく、その厚さとしては
約0.125インチが好ましい。この金属性サブストレ
ートとしては、例えばプラスチック、ゴム、ガラスのよ
うな他の多くの材料と比較して熱的伝導性に優れたもの
である。また、この金属性サブストレートのもつ剛性に
よって、モジュールの破損を防ぐことができる。
より電気的に分離された複数の導電領域が形成される。
これらの導電領域は、正極,負極のパワー接続部および
位相接続部とつながれ、ゲートパッドを分離し、各部品
間でショートを起こさせることなくサブストレートヘ熱
エネルギー転送する。ベースプレート構造として、IM
S構造とすることは好ましいことではあるが、この他
に、例えば、Al2O3のフレームスプレイ、ダイレクト
ボンド用銅基板、或いは、能動型金属真鍮基板を用い、
分離可能な構造のAl、AlSiCおよび/又はCuに
よってベースプレートを構成してもよい。
図である。この図8は、本発明において用いられる場合
の構造例である。
リマーフィルム)52がサブストレート48上に形成さ
れている。第1の絶縁層52上には導電領域54が形成
され、該導電領域54上には導電層56が形成されてい
る。該導電層56上には第2の絶縁層(或いはポリマー
フィルム)58が形成され、該第2の絶縁層58上には
導電領域60が形成されている。
約0.006インチの厚さが好ましい。導電領域54
は、窪み62を導電領域54,56,60および絶縁領
域58内でエッチングして形成するとき、窪み62を通
して横方向に引き出してメッキすることができ、これに
より、導電領域60上に所定の層を形成することができ
る。
ッキ層64が形成されている。メッキ材料としては、例
えば、ニッケルメッキを用いることができ、さらには、
表面を金張りにすることが好ましい。
約0.0015インチの厚さとすることが好ましく、銅
を用いることが好ましい。導電領域56および60は、
約0.0024〜約0.0030インチの厚さが好まし
く、銅を用いることが好ましい。最後に、メッキ層64
上には、デバイスの半田付けプロセスの期間中に不必要
な電気的接触を避けるために、ソルダーマスク66が設
けられる。
切替え型のリラクタンスモータのコンバータを組み立て
るために必要なハイパワーデバイス18を備えたパワー
モジュールの構成例を示す。
USと−(負極)BUSとの間にキャパシタを結合させ
ることが好ましい。本発明における動作に際しては、キ
ャパシタ68が、例えば半田を用いて正端子10aと負
端子10bとの間に接続されている。キャパシタ68
は、パワー回路内に比較的大きな電流パルスを発生する
ための局部エネルギーを提供する。
面領域を無駄に活用しない形で、導電領域30上の所定
位置に効果的に搭載されている。このような方式でキャ
パシタ68を搭載することによって、他の回路部品と電
気的に近接した状態で、パワー回路内に完全に収めるこ
とができ、これにより良好な電気特性を得ることができ
る。
aおよび70bをパワーシェル4内に配置することがで
きる。さらに、ベースプレートの表面領域を有効に活用
するために、シャント抵抗70aおよび70bを、ハイ
パワーデバイス18に電気的に近接したパワー回路内で
配置することができる。シャント抵抗70aおよび70
bの値としては、1mΩが好ましい。
型リラクタンスモータのコンバータの概略回路構成を示
す。図9および図10に示すように、モータ位相端子1
2aは、モータ位相Aおよびモータ位相Cの入力を示
す。モータ位相端子12bおよび12cは、モータ位相
Aおよびモータ位相Cの出力をそれぞれ示す。
位相Bおよびモータ位相Dの入力を示し、モータ位相端
子12eおよび12fは、モータ位相Bおよびモータ位
相Dの出力をそれぞれ示す。
び70bもまた、回路内の図示する位置に設けられてい
る。
ワーモジュール2の温度をモニタするために、ベースプ
レート6に搭載されている。このサーミスタ72は、該
モータのコンバータ回路における必須部品ではないた
め、図10中には図示しないものとする。
SFET74aおよび74bは導電領域30に搭載され
ており、複数のワイヤボンド76を介して他の導電領域
30に接続されている。このワイヤボンド76は、半導
体デバイスの1つの端子を導電領域30又はベースプレ
ート6のゲートパッド78に接続するために使用されて
おり、周知のワイヤボンディング技術を用いて組み立て
に利用される。入力MOSFET74aおよび74bと
しては、30V、Nチャネル、ダイサイズが4.6のM
OSFETが好ましい。なお、ここでは、他の全ての半
導体デバイスと共に用いられるMOSFET74aおよ
び74bのダイサイズは、工業規格のダイサイズに適用
される。
c,80dは、モータ位相端子12b,12c,12
e,12fのそれぞれと−(マイナス)バス端子10b
との間で接続されている。出力MOEFET80a〜8
0dのゲートは、制御用の回路基板8に接続するため
に、ゲートパッド78にワイヤボンドされている。
続は、前述したように、S型ピンコネクタ20を介して
接続されている。出力MOSFET80a〜80dは、
30V、Nチャネル、ダイサイズ4のパワーMESFE
Tデバイスを用いることが好ましい。
に分離された半導体用のダイス82a,82bによって
構成され、導電領域30に位置し、そのカソードが入力
MOSFET84bのドレインと接続され、そのアノー
ドが−(負極)バス入力端子10bと接続されたモータ
制御回路内に配設されている。
離された半導体用のダイス84a,84bによって構成
され、そのカソードが入力MOSFET74bのドレイ
ンと接続され、そのアノードが−(負極)バス入力端子
10bと接続されたモータ制御回路内に配設されてい
る。
4a,84bの各々は、45Vショットキーダイオー
ド、サイズ2のダイデバイスを用いることが好ましい。
電領域30に設けられ、各ダイオード84a,84b,
84c,84dにおいてそのカソードが+(正極)バス
端子10aに接続され、そのアノードがモータ位相端子
12b,12c,12e,12fに接続されている。ダ
イオード86a,86b,86c,86dは、45V、
ショットキーダイオード、サイズ2のダイデバイスを用
いることが好ましい。
の動作を、図10を参照して説明する。なお、この4相
モータの各相の動作は、全て同様にして行われる。従っ
て、ここでは、A相の動作のみについて説明する。
ータの動作は、3つの独立した動作、すなわち、磁化動
作、フリーフイール(free wheel)動作、強制
消磁動作からなっている。これら磁化動作、フリーフイ
ール動作、強制消磁動作は、パワーMOSFETのオ
ン、オフを切替えることによって、ほぼそれらの動作を
説明できる。
つの相を磁化している期間においては、入力MOSFE
T74aおよび出力MOSFET80aは、所定のゲー
トに電圧を加えることによって切替えられる。スイッチ
ング用MOSFET74aおよび80aは、+(正極)
バス端子10aからシャント抵抗70a、A相モータ巻
線、−(負極)バス端子10bまでの電流経路を作る。
は、出力MOSFET80aはスイッチオンのままであ
るが、入力MOSFET74aはスイッチオフとされ
る。この結果、A相モータ巻線によるブレークダウン
が、シャント抵抗70a、A相入力ダイオード82、出
力MOSFET80aを通じて行われている間、回転子
に電流が流れる。
た磁化エネルギーがキャパシタ68に送られる。この強
制消磁動作の期間中は、入力MOSFET74aと出力
MOSFET80aとは、スイッチオフされる。この結
果、−(負極)バス端子10bから入力ダイオード82
a、シャント抵抗70a、切替え型リラクタンスモータ
のA相へと電流が流れるため、これにより、出力ダイオ
ード86aへの電流経路が形成される。
リーフイール動作、強制消磁動作を組み合わせることに
よって、例えば、自動車分野での電子パワーステアリン
グ機構におけるような複雑なモータの動作制御を、パワ
ーモジュール2に効果的に行わせることができる。この
パワーモジュール2によるサイズのコンパクト化および
放熱特性によって、回路基板8上の高感度な制御電子部
分にダメージの危険性を与えることなく、該パワーモジ
ュール2をパワーステアリング機構の上部又はその近傍
に設置することができる。
モジュールは、コンパクトな構成のみならず、パワータ
イプで、ハイパワー電子部品および制御モジュール動作
に必要な低電力制御回路を集積化したデバイスを提供す
ることができる。
ヒートシンク或いは他の周知の放熱手段を備え、回路基
板8から熱を逃がすために、ハイパワーデバイス18か
らベースプレート6へ熱エネルギーを効果的に送るよう
に配列されている。
基板8、S型ピンコネクタ20を加えた配列によって、
パワーモジュール2の組み立てを容易化させ、モジュー
ル全体の大きさの縮小化を図り、使用する領域を最大限
に活かすことができる。
ターンがエッチングして配置された一種のサブストレー
トとして、例えばアルミニウムのような高熱伝導特性を
もつ材料を使用したベースプレート6を用いることによ
って達成される。
ドバス、接続部を、個々の信号パッドおよび制御用電極
パッドから分離して配列することができ、これにより、
資源利用を最大限に活用できる。
載されているが、数多くの変更、修正、およびその他の
使用が可能であることは、当業者にとって明らかであ
る。
の内容、および、添付のクレームに限定されるものでは
ない。
視図である。
ある。
ある。
示す分解斜視図である。
ワーシェルの底面図である。
ワーシェルの上面図である。
ースプレートの上面図である。
る。
ーシェルに搭載されるハイパワーデバイスを含む本発明
に係るパワーモジュールを示す斜視図である。
タンスモータのコンバータのハイパワー回路を示す回路
図である。
18)
3)
いが、必要に応じてコネクタを付加させることが可能で
ある。コネクタ20としては”S”形状が好ましいが、
弾力性を保った状態で半田付け又はワイヤボンド(ワイ
ヤ接続)できるものであれば、どのような形状でもよ
い。
ェル4として、底面図および上面図をそれぞれ示すもの
であり、ここでは、導電領域30の詳細を示す。
プラスチックモールド部42に埋め込まれた、端子10
a〜10cの拡張部、モータ位相端子12a〜12f、
或いは凹部40である。端子10a〜10c或いはモー
タ位相端子12a〜12fの場合、導電領域30が引き
出され、モールドプラスチック42によって固着されて
いる。
示せず)を取り付けるためのスルホール部49が設けら
れている。
上面図を示す。前述したように、ベースプレート6とし
ては絶縁性金属基板(IMS)構造が好ましく、周知の
技術を用いて形成することができる。ベースプレート6
はパターン化されており、エッチ部50を通してサブス
トレート98とつながっている。
てパターン化された接触領域32からサブストレート9
8への良好な熱的伝導性を提供する。サブストレート9
8としてはアルミニウムが好ましく、その厚さとしては
約0.125インチが好ましい。この金属性サブストレ
ートとしては、例えばプラスチック、ゴム、ガラスのよ
うな他の多くの材料と比較して熱的伝導性に優れたもの
である。また、この金属性サブストレートのもつ剛性に
よって、モジュールの破損を防ぐことができる。
リマーフィルム)52がサブストレート98上に形成さ
れている。第1の絶縁層52上には導電領域54が形成
され、該導電領域54上には導電層56が形成されてい
る。該導電層56上には第2の絶縁層(或いはポリマー
フィルム)58が形成され、該第2の絶縁層58上には
導電領域60が形成されている。
に分離された半導体用のダイス82a,82bによって
構成され、導電領域30に位置し、そのカソードが入力
MOSFET74aのドレインと接続され、そのアノー
ドが−(負極)バス入力端子10bと接続されたモータ
制御回路内に配設されている。
電領域30に設けられ、各ダイオード86a,86b,
86c,86dにおいてそのカソードが+(正極)バス
端子10aに接続され、そのアノードがモータ位相端子
12b,12c,12e,12fに接続されている。ダ
イオード86a,86b,86c,86dは、45V、
ショットキーダイオード、サイズ2のダイデバイスを用
いることが好ましい。
た磁化エネルギーがキャパシタ68に送られる。この強
制消磁動作の期間中は、入力MOSFET74aと出力
MOSFET80aとは、スイッチオフされる。この結
果、−(負極)バス端子10bから入力ダイオード8
2、シャント抵抗70a、切替え型リラクタンスモータ
のA相へと電流が流れるため、これにより、出力ダイオ
ード86aへの電流経路が形成される。
Claims (21)
- 【請求項1】 電子モジュールであって、 ベースと、 前記ベースに結合されたパワーシェルとを備え、 該パワーシェルは、 内部チャンバーを形成する複数の壁と、 少なくとも1つの導電領域と、 前記少なくとも1つの導電領域に搭載された少なくとも
1つの電子デバイスと、 前記パワーシェルの前記内部チャンバー内に位置する回
路基板とを有することを特徴とする電子モジュール。 - 【請求項2】 前記回路基板は、少なくとも1つの弾力
性のコネクタによって前記ベースに電気的に結合された
ことを特徴とする請求項1記載の電子モジュール。 - 【請求項3】 前記少なくとも1つの弾力性のコネクタ
は、S形状に形成されたことを特徴とする請求項2記載
の電子モジュール。 - 【請求項4】 前記回路基板は、前記少なくとも1つの
弾力性のコネクタによって前記導電領域に電気的に結合
されたことを特徴とする請求項1記載の電子モジュー
ル。 - 【請求項5】 前記少なくとも1つの弾力性のコネクタ
は、S形状に形成されたことを特徴とする請求項4記載
の電子モジュール。 - 【請求項6】 前記少なくとも1つの電子デバイスは、
MOSFETであることを特徴とする請求項1記載の電
子モジュール。 - 【請求項7】 前記少なくとも1つの電子デバイスは、
切替え型リラクタンスモータのコンバータ内のパワーデ
バイスを構成することを特徴とする請求項1記載の電子
モジュール。 - 【請求項8】 前記少なくとも1つの電子デバイスは、
3相DC型ブラシレスモータのコンバータを構成するこ
とを特徴とする請求項1記載の電子モジュール。 - 【請求項9】 前記ベースは、絶縁性金属基板からなる
ことを特徴とする請求項1記載の電子モジュール。 - 【請求項10】 前記絶縁性金属基板は、アルミニウム
からなることを特徴とする請求項9記載の電子モジュー
ル。 - 【請求項11】 前記ベースは、電気的に分離された複
数の導電領域からなることを特徴とする請求項1記載の
電子モジュール。 - 【請求項12】 前記電気的に分離された導電領域は、
ニッケルメッキされた銅、又は、表面が金張りされかつ
ニッケルメッキされた銅からなることを特徴とする請求
項11記載の電子モジュール。 - 【請求項13】 前記ベースは、Al,AlSiC,お
よびCuからなるグループから選択された材料によって
構成されたことを特徴とする請求項1記載の電子モジュ
ール。 - 【請求項14】 前記ベースは、Al2O3のフレームス
プレイ、ダイレクトボンド用銅基板、および、能動型金
属真鍮基板のうちの1つを用いて組み立てられたことを
特徴とする請求項9記載の電子モジュール。 - 【請求項15】 前記回路基板は、前記少なくとも1つ
の導電領域に搭載された前記少なくとも1つの電子デバ
イスの動作を制御することを特徴とする請求項1記載の
電子モジュール。 - 【請求項16】 電子モジュール用の絶縁性金属プレー
トであって、 該プレートは、 熱的伝導性をもつ金属性基板と、 前記金属性基板に積層される層であって、前記金属性基
板を概略覆う第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層に積層される領域であって、複数の分
離領域を形成するために、エッチングされた少なくとも
2つの導電領域と、 前記少なくとも2つの導電領域間に設けられた第2の絶
縁層と、 前記少なくとも1つの導電領域上に設けられたソルダー
マスクとを具えたことを特徴とする絶縁性金属プレー
ト。 - 【請求項17】 前記金属性基板は、アルミニウムから
なることを特徴とする請求項16記載の絶縁性金属プレ
ート。 - 【請求項18】 前記金属性基板の厚さは、約0.12
5インチであることを特徴とする請求項16記載の絶縁
性金属プレート。 - 【請求項19】 前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁
層のうちの少なくとも1つの厚さは、略0.006イン
チであることを特徴とする請求項16記載の絶縁性金属
プレート。 - 【請求項20】 前記導電領域のうちの少なくとも1つ
の厚さは、略0.0013〜略0.0015インチであ
ることを特徴とする請求項16記載の絶縁性金属プレー
ト。 - 【請求項21】 前記導電領域のうちの他の少なくとも
1つの厚さは、略0.0024〜略0.0030インチ
であることを特徴とする請求項20記載の絶縁性金属プ
レート。
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Publications (2)
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---|---|---|---|
JP11236402A Expired - Fee Related JP3103354B2 (ja) | 1998-08-24 | 1999-08-24 | パワーモジュール |
Country Status (4)
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DE (1) | DE19939933B4 (ja) |
FR (1) | FR2782597B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004524701A (ja) * | 2001-04-02 | 2004-08-12 | インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション | パワーモジュール |
KR100896728B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2009-05-11 | 스위치드 릴럭턴스 드라이브즈 리미티드 | 스위치드 릴럭턴스 드라이브 시스템의 제어 방법 |
JP2009289980A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2011009767A (ja) * | 2010-08-17 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2011228379A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Denso Corp | 半導体モジュール、及び、それを用いた電動装置 |
US10217727B2 (en) | 2014-08-25 | 2019-02-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus including a first semiconductor chip including an insulated gate bipolar transistor and a second semiconductor chip including a diode |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6278199B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-08-21 | International Rectifier Corp. | Electronic single switch module |
KR20010058771A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 구자홍 | 전기/전자 제품용 원 시스템 모듈 |
US6555937B2 (en) * | 2000-02-01 | 2003-04-29 | Denso Corporation | Vehicle alternator rectifier having L-shaped connection terminals |
DE10004059A1 (de) * | 2000-02-01 | 2001-11-08 | Buhler Motor Gmbh | Mehrphasen-Motor |
US6476480B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-11-05 | Delphi Technologies, Inc. | Press-fit IC power package and method therefor |
US6912134B2 (en) * | 2000-09-12 | 2005-06-28 | International Rectifier Corporation | Fan control circuit and package |
DE10064194B4 (de) * | 2000-12-22 | 2006-12-07 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiter-Modul und Kühlkörper zur Aufnahme des Leistungshalbleiter-Moduls |
DE10141114C1 (de) * | 2001-06-08 | 2002-11-21 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung |
US6531782B1 (en) | 2001-06-19 | 2003-03-11 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of placing die to minimize die-to-die routing complexity on a substrate |
DE10254910B4 (de) * | 2001-11-26 | 2008-12-24 | AutoNetworks Technologies, Ltd., Nagoya | Schaltkreisbildende Einheit und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10204200A1 (de) * | 2002-02-01 | 2003-08-21 | Conti Temic Microelectronic | Leistungsmodul |
DE10205816A1 (de) * | 2002-02-13 | 2003-08-14 | Bosch Gmbh Robert | Gehäuse für ein elektrisches Gerät |
ITPR20020037A1 (it) * | 2002-07-26 | 2004-01-26 | Zapi S P A | Procedimento per misurare le correnti di fase di un dispositivo per il controllo di motori elettrici realizzato in tecnologia ims o affine i |
DE10239512A1 (de) | 2002-08-28 | 2004-03-11 | Minebea Co. Ltd., A Japanese Corporation | Anordnung zur Unterbringung der Leistungs- und Steuerelektronik eines Elektromotors |
US6891725B2 (en) * | 2002-09-23 | 2005-05-10 | Siemens Energy & Automation, Inc. | System and method for improved motor controller |
KR100902766B1 (ko) * | 2002-09-27 | 2009-06-15 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 절연성 세라믹 히트 싱크를 갖는 디스크리트 패키지 |
JP4186732B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2008-11-26 | 株式会社村田製作所 | 電子機器 |
FR2859066A1 (fr) * | 2003-08-14 | 2005-02-25 | Int Rectifier Corp | Module de puissance a grille de connexion formant un insert de moulage |
US7187551B2 (en) * | 2003-08-14 | 2007-03-06 | International Rectifier Corporation | Module for solid state relay for engine cooling fan control |
JP4471752B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2010-06-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電動パワーステアリング用制御装置および電動パワーステアリングシステム |
JP2006187130A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Hitachi Ltd | 捲回式鉛電池を電源とする電動パワーステアリングシステム及びそれに用いられるモータとインバータ装置 |
US7745930B2 (en) * | 2005-04-25 | 2010-06-29 | International Rectifier Corporation | Semiconductor device packages with substrates for redistributing semiconductor device electrodes |
ES2425084T3 (es) * | 2005-05-02 | 2013-10-11 | Epcos Ag | Condensador de potencia |
JP2008541416A (ja) * | 2005-05-02 | 2008-11-20 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | パワーキャパシタ |
US20070063603A1 (en) * | 2005-08-22 | 2007-03-22 | Levine Gregory M | Integrated motor and controller assemblies for horizontal axis washing machines |
US7336491B2 (en) * | 2005-09-06 | 2008-02-26 | Lear Corporation | Heat sink |
DE102006011674A1 (de) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Arvinmeritor Light Vehicle Systems-France | Leiterplatte mit Masseleiter für einen Elektromotor, und Elektromotor |
US20070257343A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Hauenstein Henning M | Die-on-leadframe (dol) with high voltage isolation |
US20090091889A1 (en) * | 2007-10-09 | 2009-04-09 | Oman Todd P | Power electronic module having improved heat dissipation capability |
US20090200864A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Josef Maier | Chip on bus bar |
DE102008012665A1 (de) * | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Strommessvorrichtung mittels magnetempfindlichem Sensor für ein leistungselektronisches System |
DE102008001414A1 (de) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Robert Bosch Gmbh | Substrat-Schaltungsmodul mit Bauteilen in mehreren Kontaktierungsebenen |
US8559149B2 (en) * | 2008-05-05 | 2013-10-15 | Hamilton Sundstrand Corporation | Modular primary distribution contact board |
JP4909961B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2012-04-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電動パワーステアリング用制御装置 |
FR2940590B1 (fr) | 2008-12-24 | 2015-04-24 | Sagem Defense Securite | Pack electrique a modules de commande et de puissance separes. |
BRPI1014406A2 (pt) * | 2009-05-28 | 2016-04-05 | Graco Minnesota Inc | módulo de controle de motor |
KR101243064B1 (ko) | 2009-09-01 | 2013-03-25 | 주식회사 만도 | 차량용 모터 컨트롤러 |
TWI377465B (en) * | 2010-03-11 | 2012-11-21 | Delta Electronics Inc | Heat dissipating module and electronic device using such heat dissipating module |
JP5287787B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2013-09-11 | 株式会社デンソー | 電動装置 |
JP5067679B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2012-11-07 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール、および、それを用いた駆動装置 |
KR20110135233A (ko) * | 2010-06-10 | 2011-12-16 | 현대자동차주식회사 | 자동차의 인버터용 커패시터 |
FR2975253B1 (fr) * | 2011-05-13 | 2016-12-23 | Valeo Systemes De Controle Moteur | Assemblage d'un module electronique de puissance et d'une carte pcb a faible encombrement |
CA2837050A1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Eaton Corporation | Plug-in composite power distribution assembly and system including same |
JP5808630B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-11-10 | 株式会社ミツバ | Srモータ用制御装置 |
US20140105767A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Denso Corporation | Power supply module |
DE102012112389A1 (de) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | Aptronic Ag | Elektrische Baugruppe zur Montage auf einer Hutschiene |
KR102034717B1 (ko) | 2013-02-07 | 2019-10-21 | 삼성전자주식회사 | 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈 |
FR3004058B1 (fr) * | 2013-03-26 | 2016-12-16 | Valeo Systemes Thermiques | Module de commande d'un appareil electrique |
EP2946886B1 (en) | 2014-03-28 | 2017-02-22 | Black & Decker Inc. | Electronic switch and control module for a power tool |
WO2015187500A1 (en) * | 2014-06-02 | 2015-12-10 | Enphase Energy, Inc. | Ungrounded inverter enclosure and cabling |
EP2983246B1 (de) * | 2014-08-05 | 2020-03-04 | Aptiv Technologies Limited | Elektrische Verbindungsanordnung |
US10231348B2 (en) * | 2015-05-28 | 2019-03-12 | Yazaki Corporation | Heat dissipation structure for connector module |
KR102053603B1 (ko) | 2015-06-01 | 2019-12-09 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 내화성 물품 및 이의 형성 방법 |
DE102016202509A1 (de) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Vertikaler Aufbau einer Halbbrücke |
US10617007B2 (en) * | 2016-03-17 | 2020-04-07 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Printed circuit board, a terminal and a method of assembling a printed circuit board module |
DE102016117331A1 (de) | 2016-09-15 | 2018-03-15 | Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH | Gehäusekontaktierung eines Steuergerätes |
CN106452272B (zh) * | 2016-11-04 | 2018-08-28 | 南京怡咖电气科技有限公司 | 一种用于电动车的开关磁阻电机集成驱动装置 |
US10541588B2 (en) | 2017-05-24 | 2020-01-21 | Black & Decker Inc. | Electronic power module for a power tool having an integrated heat sink |
CN108964566B (zh) * | 2018-08-13 | 2019-10-25 | 南京埃克锐特机电科技有限公司 | 一种电动汽车驱动用开关磁阻电机控制器 |
CN110601635B (zh) * | 2019-10-24 | 2021-09-21 | 苏州乐米凡电气科技有限公司 | 一种开关磁阻控制器 |
DE102020211078A1 (de) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Steuervorrichtung, insbesondere Lenkungssteuervorrichtung |
EP3968466A1 (en) * | 2020-09-14 | 2022-03-16 | IXYS Semiconductor GmbH | Electrical contact for semiconductor package |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59190086A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-27 | Sanshin Ind Co Ltd | 電子部品ユニツトの船外機用エンジンへの取付構造 |
US4668898A (en) * | 1986-04-21 | 1987-05-26 | General Electric Company | Electronically commutated motor |
JP2538636B2 (ja) * | 1988-03-28 | 1996-09-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US5043791A (en) * | 1989-09-05 | 1991-08-27 | Motorola, Inc. | Electrical device having improved lead frame and thermally stable connection arrangement and method |
DE69227066T2 (de) * | 1991-05-31 | 1999-06-10 | Denso Corp | Elektronische Vorrichtung |
JP2848068B2 (ja) * | 1991-12-10 | 1999-01-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2936855B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-08-23 | 富士電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP2854757B2 (ja) * | 1992-06-17 | 1999-02-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
JP2725952B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1998-03-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
JP2956363B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1999-10-04 | 富士電機株式会社 | パワー半導体装置 |
DE4232575A1 (de) * | 1992-09-29 | 1994-03-31 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung mit einer Leiterplatte, mindestens einem Leistungsbauelement und einem Kühlkörper |
DE4418426B4 (de) * | 1993-09-08 | 2007-08-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls |
JP3157362B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2001-04-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5563447A (en) * | 1993-09-07 | 1996-10-08 | Delco Electronics Corp. | High power semiconductor switch module |
US5408128A (en) * | 1993-09-15 | 1995-04-18 | International Rectifier Corporation | High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing |
JPH087956A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の端子組立構造 |
JP3428161B2 (ja) * | 1994-08-05 | 2003-07-22 | 松下電器産業株式会社 | モータ |
FR2724283B1 (fr) * | 1994-09-02 | 1996-10-18 | Schneider Electric Sa | Variateur electronique de vitesse |
US5906310A (en) | 1994-11-10 | 1999-05-25 | Vlt Corporation | Packaging electrical circuits |
JP3201187B2 (ja) * | 1994-12-08 | 2001-08-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US5835356A (en) | 1995-09-29 | 1998-11-10 | Allen Bradley Company, Llc | Power substrate module |
US5641944A (en) * | 1995-09-29 | 1997-06-24 | Allen-Bradley Company, Inc. | Power substrate with improved thermal characteristics |
DE29516656U1 (de) * | 1995-10-21 | 1995-12-07 | Ebm Elektrobau Mulfingen Gmbh & Co, 74673 Mulfingen | Kollektorloser Elektromotor |
US5789704A (en) * | 1995-12-06 | 1998-08-04 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Container with heat removing features for containing an electronic contol unit |
FR2747876B1 (fr) * | 1996-04-18 | 2003-12-05 | Int Rectifier Corp | Repartition des composants d'un systeme de commande de moteur |
DE19630173C2 (de) * | 1996-07-26 | 2001-02-08 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen |
DE19646396C2 (de) * | 1996-11-11 | 2001-06-28 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul für verschiedene Schaltungsvarianten |
US5838133A (en) * | 1997-05-14 | 1998-11-17 | Mccann; Roy A. | Switched reluctance motor controller |
DE19720695A1 (de) * | 1997-05-16 | 1998-11-26 | Honeywell Ag | Umformer |
JP3031323B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US6201701B1 (en) * | 1998-03-11 | 2001-03-13 | Kimball International, Inc. | Integrated substrate with enhanced thermal characteristics |
-
1999
- 1999-08-17 US US09/375,716 patent/US6166464A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-23 DE DE19939933A patent/DE19939933B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-24 FR FR9910726A patent/FR2782597B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-24 JP JP11236402A patent/JP3103354B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-12 US US09/660,305 patent/US6441520B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004524701A (ja) * | 2001-04-02 | 2004-08-12 | インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション | パワーモジュール |
KR100896728B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2009-05-11 | 스위치드 릴럭턴스 드라이브즈 리미티드 | 스위치드 릴럭턴스 드라이브 시스템의 제어 방법 |
JP2009289980A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2011228379A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Denso Corp | 半導体モジュール、及び、それを用いた電動装置 |
JP2011009767A (ja) * | 2010-08-17 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US10217727B2 (en) | 2014-08-25 | 2019-02-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus including a first semiconductor chip including an insulated gate bipolar transistor and a second semiconductor chip including a diode |
US10546839B2 (en) | 2014-08-25 | 2020-01-28 | Renesas Electronic Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus including semiconductor chips including an insulated gate bipolar transistor and a diode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2782597A1 (fr) | 2000-02-25 |
US6441520B1 (en) | 2002-08-27 |
FR2782597B1 (fr) | 2005-06-17 |
DE19939933B4 (de) | 2004-05-13 |
DE19939933A1 (de) | 2000-04-06 |
JP3103354B2 (ja) | 2000-10-30 |
US6166464A (en) | 2000-12-26 |
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