JP2004303854A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004303854A JP2004303854A JP2003093241A JP2003093241A JP2004303854A JP 2004303854 A JP2004303854 A JP 2004303854A JP 2003093241 A JP2003093241 A JP 2003093241A JP 2003093241 A JP2003093241 A JP 2003093241A JP 2004303854 A JP2004303854 A JP 2004303854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor device
- wiring member
- heat
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の半導体装置1では、
一方の主面側に第一電極及び制御用電極、他方の主面側に第二電極が露出した半導体スイッチング素子10と、前記半導体スイッチング素子10を挟む形で配置され、前記第一電極と前記第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材2、3と、前記一対の放熱部材2、3の間を充填するモールド樹脂部4と、を備える半導体装置1であって、
制御信号の入力に供され、且つ、外部に引き出される、表面が絶縁加工された可撓性の配線部材5を有するとともに、
当該配線部材5は、前記制御用電極、もしくは該制御用電極に接続された通電部材の端子に導通接着されてなることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体スイッチング素子の両主面にそれぞれ電気的かつ熱的に接続された一対の放熱部材を備えてなり、当該両主面から放熱を行う半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体スイッチング素子の両主面から放熱を行う半導体装置には、例えば、一対の放熱部材(ヒートシンク)を、素子を挟む形で配置し、放熱部材間を樹脂でモールドしたものがある(下記特許文献1参照)。このような半導体装置は、代表的な半導体スイッチング素子(半導体パワー素子ともいう)であるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を例にすると、素子の2つの主面にそれぞれ露出するエミッタ電極及びコレクタ電極に、それぞれヒートシンクを直接、またはスペーサを介してそれぞれハンダ接続する。この場合のヒートシンクは、大電流経路としての機能も有する。一方、素子のゲート電極(制御用電極)と、モールド樹脂部の外部に延出する制御信号用リードとは、ボンディングワイヤにより導通接続される。そして、このような素子パッケージを複数組付けることにより、インバータ回路モジュールが作製され、モータ駆動等の用途に供される。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−156225号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記制御信号用リードは金属リードにて構成されており、またその端部はモールド樹脂部内にてボンディングワイヤにより接続されている。半導体装置は外部機器に組付けられるわけであるが、そのような金属リードの場合、外部に延出している部位を折曲げ加工し、ベンド形状にしてから外部機器に組付け(接続)しなければならず、またそのような形状のリードを人間の手により外部機器に組付けるのは困難であった。
【0005】
また、ボンディングワイヤは、ワイヤ長が長くなるほど、樹脂モールド時に、隣接するボンディングワイヤ同士が接触したり、断線が生じたりする可能性が高くなる。素子の微細化と高電流密度化による発熱量の増大によってヒートシンクの大面積化が求められる今日においては、ワイヤ長が増大することが考えられるため、そのような接触や断線の問題は看過できなくなる。また、リードの一部がモールド樹脂部内に封入されているとしても、上記のような折曲げ加工や組付け時にリードに負荷が加わるため、それに接続されたボンディングワイヤにも負荷の一部が伝わり、断線が生じることも考えられる。このような要因により接続信頼性が悪化し、また製品の歩留まりが低下してしまうため、従来のようなボンディングワイヤによる接続構造をそのまま適用することには難がある。
【0006】
従って、本発明の課題は、外部機器への組付けが容易で、且つ、歩留まりの向上した放熱部材付きの樹脂モールド半導体装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段及び作用・発明の効果】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置では、
一方の主面側に第一電極及び制御用電極、他方の主面側に第二電極が露出した半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を挟む形で配置され、前記第一電極と前記第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材と、前記一対の放熱部材の間を充填するモールド樹脂部と、を備える半導体装置であって、
制御信号の入力に供され、且つ、外部に引き出される、表面が絶縁加工された可撓性の配線部材を有するとともに、
当該配線部材は、前記制御用電極、もしくは該制御用電極に接続された通電部材の端子に導通接着されてなることを特徴とする。
【0008】
上記本発明の半導体装置によると、上記のような制御信号用リードに代わり、表面が絶縁加工された可撓性の配線部材が配されている。また、配線部材は制御用電極、もしくは制御用電極に接続された通電部材の端子に導通接着されており、配線部材の接続にボンディングワイヤを使用していない構成となっている。また配線部材が可撓性であるため、内部の接続部に余計な負荷を与えることなく、外部機器への組付けを容易に行うことができる。さらに、配線部材は、電極又は端子に直接接着されているため、ボンディングワイヤによる接続の場合よりも接続信頼性を確保できる。
【0009】
また、金属リードにボンディングワイヤが付された構成では、金属リードやボンディングワイヤと、放熱部材との間に短絡が生じる惧れがある。そのため、図6の従来の半導体装置1´の例に示されるように、金属リード105の先端は放熱部材2、3の端部付近に配されることになり、中心付近に素子10が配された場合、接続距離、すなわちボンディングワイヤ107のワイヤ長を長くせざるを得ない。このことは、放熱部材2、3の大面積化が求められる今日においては致命的である。しかし、上記本発明では、配線部材は表面が絶縁加工されているため、放熱部材との接触を気にする必要がなく、放熱部材間に配線部材を引くことができる。したがって、電極もしくは端子の位置が放熱部材間の中心付近であっても、配線部材を放熱部材間の中心付近まで引き、直接接着することが可能となる。これにより、放熱部材の大面積化にも対応できる。
【0010】
また、本発明の半導体装置では、第一電極に接続される放熱部材は、該第一電極に接続するための凸部が一体形成された構成することができる。半導体スイッチング素子において、第一電極側の主面には、第一電極に加えて制御用電極も露出している。そのため、第一電極に接続される放熱部材は、第一電極側の主面全体を覆うような形態とすることができず、第一電極側の主面のうち、露出する第一電極にのみに接続されるような形態でなければならない。したがって、従来の半導体装置では、図6に示すように、素子10と放熱部材3との間に、素子10の第一電極にのみ接触する形状のスペーサ103を挿入しているが、この場合、スペーサ103と放熱部材3との間の接合界面において、熱引きが良好に行われない問題が生じることがある。そこで、上記本発明のごとく、放熱部材に、第一電極に接続するための凸部を一体形成する(つまり、放熱部材3とスペーサ103とを一体形成する)ことで、そのような問題を解消することができる。また、一体形成することにより、部品点数を削減できるうえに、従来行われていた放熱部材3とスペーサ103との接合処理(例えば、ハンダリフロー処理)も削減できるので、コスト面においても改善される。
【0011】
また、本発明の半導体装置では、放熱部材は、配線部材を絶縁接着して固定するための絶縁接着部を有し、配線部材は当該絶縁接着部に絶縁接着された構成とすることができる。配線部材は、上述のように表面が絶縁加工されているので、放熱部材との接触を気にする必要がない。そこで、放熱部材に、配線部材を何の支障もなく絶縁接着することができる。これにより、配線部材は固定され、電極もしくは端子に導通接着された部位に余計な負荷が加わることを防ぐことができる。
【0012】
一般に半導体装置では、半導体スイッチング素子の動作制御を行う制御回路を構成して、インテリジェントパワーモジュール(IPM)とすることができる。従来、そのような制御回路は半導体装置の外部に構成され、リード(制御信号用リード)を通じて制御用電極に制御信号を送っている。しかし、その場合、半導体スイッチング素子と、制御回路とが離れているため、制御信号の伝達を担う経路(配線長)が長く構成される。そのため、該経路がノイズの影響を受け易く、半導体スイッチング素子が誤動作を起こしてしまう場合がある。そこで、本発明の半導体装置では、半導体スイッチング素子の動作制御を行う制御回路部を、モールド樹脂部内に封入し、且つ、制御用電極から外部へと引き出される接続経路のいずれかの位置に介挿されるよう構成して、インテリジェントパワーモジュールとする。これにより、制御信号の伝達を担う経路が短縮され、ノイズによる素子の誤動作を低減することができる。なお、このような構成にすることで、放熱部材の大面積化に伴う、放熱部材間に生じるスペースを有効に活用することができる。
【0013】
また、従来のように制御回路が外部に構成される場合には、半導体装置において、素子の制御用電極に接続されたリードが剥き出しであるため、製造時や組付け時等において、ハンドリングを行う人間が静電気を帯電していると、制御用電極に電圧が印加されてしまい、素子の劣化や破壊が生じてしまう場合がある。しかし、本発明の半導体装置の構成では、外部に引き出された配線部材は、制御回路部を介して素子の制御用電極に接続されているため、制御用電極が制御回路にて保護され、静電気が直接印加されることがなくなる。この結果、素子の劣化や破壊を防止することができ、歩留まり低下の防止に繋がる。
【0014】
以下に、制御回路部がモールド樹脂部内に封入され、且つ、制御用電極から外部へと引き出される接続経路のいずれかの位置に介挿されている半導体装置の態様について説明する。まず一つ目の形態では、配線部材は制御回路部を有し、且つ、当該配線部材が制御用電極に導通接着された構成とすることができる。配線部材に制御回路部が形成されることにより、通電部材等を介さず、配線部材を制御用電極に直接導通接着することができる。具体的には、配線部材が可撓性配線基板として構成され、該可撓性配線基板に電子部品が実装されることにより制御回路部をなす。
【0015】
二つ目の態様としては、通電部材は、第二電極に接続される放熱板に絶縁接着されてなるとともに、制御回路部を有し、且つ、配線部材が当該通電部材の端子に導通接着された構成とすることができる。これは、制御用電極と配線部材との間に制御回路部を有する通電部材が形成された構成であり、通電部材の一方の端子は制御用電極に、もう一方の端子は配線部材に接続される。具体的には、通電部材は配線基板部を備え、該配線基板部に電子部品が実装されることにより制御回路部をなす。
【0016】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
図1に示すのは、本発明の半導体装置の第1実施形態であるパワーモジュール1の断面模式図である。パワーモジュール1は、半導体スイッチング素子10(以下、単に半導体チップともいう)、一対の放熱部材2、3、モールド樹脂部4、配線部材5が一体化したものである。このようなパワーモジュール1は、例えばブラシレスモータ用の三相インバータ回路の一部を構成する。半導体チップ10の種類は、例えばIGBTやパワーMOSFETとすることができる。モータなどの誘導負荷に接続されるIGBTには、通常、フリーホイールダイオードが逆並列に接続されるが、図1中には表していない。
【0017】
図5の拡大断面図に示すように、薄板状の半導体チップ10は、一方の主面側に上記第一電極であるエミッタ電極10e(またはソース電極)及び制御用電極であるゲート電極10gが露出し、他方の主面側に上記第二電極であるコレクタ電極10c(またはドレイン電極)が露出するように設計されている。ゲート電極10g、エミッタ電極10e及びコレクタ電極10cには、Ni−Auめっきなど、半田との濡れ性向上のための表面処理が施されている。エミッタ電極10e及びゲート電極10gが露出形成されている主面側において、ゲート電極10g及びエミッタ電極10eの非露出領域は、ポリイミド樹脂等などの絶縁保護膜10aに被覆されている。他方、反対側の主面では、全面にコレクタ電極10cが露出している。
【0018】
そして、半導体チップ10において、コレクタ電極10cにはコレクタ側放熱部材2が、エミッタ電極10eにはエミッタ側放熱部材3が、例えばハンダからなる接合部材6により、それぞれ電気的かつ熱的に接続されている。各放熱部材2、3は、扁平状または板状の形態を有し、接合部材6を介して半導体チップ10に接続される受熱面22、33、外部に露出した放熱面21、31を有する。これらの面はそれぞれ略平面であり、互いに略平行となっている。また、各放熱部材2、3には、モールド樹脂部4の外側に延出する大電流用のリード端子がそれぞれ形成されている(図示せず)。なお、各放熱部材2、3は、熱伝導性および電気伝導性の観点から、たとえばCu、W、Mo、Alのグループから選択される1種の金属材料、もしくはそれらの金属材料を主体とする合金により構成されることが好ましい。
【0019】
また、半導体チップ10の周側面を被覆するとともに、放熱部材2、3により形成される隙間を充填するようにモールド樹脂部4が設けられている。モールド樹脂部4は、たとえばエポキシ樹脂により構成される。
【0020】
さらに、パワーモジュール1は、半導体チップ10のゲート電極10gに制御信号(チャネル切り換え信号)を供給するための配線部材5を有する。そして、以下のような接続形態とすることでボンディングワイヤによる接続を排している。配線部材5は、表面が絶縁加工された可撓性の部材によって構成されており、詳しくは、例えばポリイミドシート内にCuまたはCu合金からなる配線パターンが形成されたもの(一般にフレキシブルリードと呼ばれる)を好適に用いることができる。このように配線部材5が可撓性であることから、外部機器(図示せず)への接続が容易となる。外部機器への接続は、図示しないが例えば、外部機器側にはピンを設けておき、配線部材5の外部に引き出された側の端部には該ピンと嵌合するソケットを設けておくことで、容易に接続できる。
【0021】
また、配線部材5は、表面が絶縁加工されているので放熱部材2、3との接触を気にする必要がなく、放熱部材2、3の間に配することができる。したがって、配線部材2、3の中央付近に位置する半導体チップ10の付近まで配線部材5を引き、ゲート電極10gに配線部材5を直接導通接着することが可能となる。導通接着に関しては、配線部材5の内部配線を剥き出しにした部位と、ゲート電極10gと、を例えば銀ロウからなる導通接合材7を介して接着することで実現できる。これにより、ボンディングワイヤによる接続の場合よりも良好な接続信頼性を得ることができる。
【0022】
次に、エミッタ電極10eに接続された放熱部材3は、エミッタ電極10eに接続するための凸部35が一体形成されている。上述のように、半導体チップ10において、エミッタ電極10eを有する主面には、エミッタ電極10eに加えてゲート電極10gも露出している。したがって、コレクタ電極10cのように主面全域を放熱部材2が覆うような形態で接続することができない。このため、放熱部材3には、受熱面33がエミッタ電極10eの露出面に含まれるような形状となるように凸部35が一体形成される。なお、受熱面がエミッタ電極10eの露出面に含まれるような形状のスペーサ103(図6参照)を配して、エミッタ電極10eと放熱部材2とを接続してもよい。
【0023】
次に、エミッタ電極10eに接続された放熱部材3は、配線部材5を絶縁接着して固定するための絶縁接着部36を有する。そして、配線部材5は絶縁接着部36に、例えばシリコーン樹脂からなる絶縁接着材8を介して絶縁接着されている。本実施形態では、絶縁接着を行う位置がゲート電極10gに近く、絶縁接着部36は凸部35から張り出した形態となっているが、これに限られることはなく、個別に形成して絶縁接着を行っても良いし、またはコレクタ電極10cに接続された放熱部材2に設けて絶縁接着してもよい。
【0024】
以上のようなパワーモジュール1は、以下のような製造工程によって得られる。▲1▼放熱部材2と半導体チップ10とを、受熱面22とコレクタ電極10c側の主面とが対向するよう接合部材(ハンダ)6により固定する。▲2▼放熱部材3の絶縁接着部36に配線部材5を絶縁接着材(シリコーン樹脂)8により絶縁接着、もしくは半導体チップ10のゲート電極10gに配線部材5を導通接着材(銀ロウ)7により導通接着する。▲3▼半導体チップ10と放熱部材3とを、エミッタ電極10eと凸部35の受熱面33とが対向するよう接合部材(ハンダ)6により固定する。▲4▼配線部材5を接着(▲2▼において配線部材5が、放熱部材3側に絶縁接着された場合には半導体チップ10のゲート電極10gに導通接着材7により導通接着、また、半導体チップ10側に導通接着された場合には放熱部材3の絶縁接着部36に絶縁接着材8により絶縁接着)する。▲5▼例えばエポキシ樹脂を放熱部材2、3の間に充填することでモールド樹脂部を形成する。以上によりパワーモジュール1が完成する。
【0025】
(第2の実施形態)
図2に示すのは、本発明の半導体装置の第2実施形態であるインテリジェントパワーモジュール(以下、IPMとする)1の断面模式図である。以下、主として図1と異なるところを述べ、同一部分は図2中に同一符号を付して説明を簡略化する。図2に示すように、IPM1では、モールド樹脂部4内に半導体チップ1の動作制御をおこなうための制御回路部9が封入されている。配線部材5は、例えばポリイミドシート内にCuまたはCu合金からなる配線パターンが形成された可撓性(フレキシブル)配線基板にて構成され、そして当該基板上において制御回路部9が実現されている。詳しくは、可撓性配線基板(配線部材)5の実装面に、電子部品(ゲートドライブIC等の能動素子)91や、チップ抵抗、チップコンデンサ等の受動素子(配線部材5内に組込まれる場合もあるのでここでは図示しない)が実装されることにより、所定の回路が実現し、制御回路部9をなしている。以上のようにして、制御回路部9が、モールド樹脂部4内に封入され、且つ、ゲート電極10gから外部へと引き出される接続経路の途中に介挿された構造が得られる。なお、制御回路部9は例えば、公知のIGBTのゲート駆動回路や、IGBTの過電流、過熱を検出して保護の為の動作をする回路として構成される。また、本実施形態では、制御回路部9は、配線部材5の放熱部材2、3間の領域内に形成されているが、図3のように放熱部材2、3間の領域外で、且つ、モールド樹脂部4内に納まるように形成することもできる。
【0026】
(第3の実施形態)
図4に示すのは、本発明の半導体装置の第3実施形態であるインテリジェントパワーモジュール(IPM)1の断面模式図である。以下、主として図1と異なるところを述べ、同一部分は図4中に同一符号を付して説明を簡略化する。図4に示すように、本実施形態のIPM1でも、上記の第2実施形態と同様に、モールド樹脂部4内に半導体チップ1の動作制御をおこなうための制御回路部9が封入されている。詳しくは、放熱部材2の放熱面21とは逆側の面(受熱面)22の半導体チップ10が接合されていない領域に、例えばシリコーン樹脂(接着剤)からなる絶縁層108を介して、配線基板部92が固定(絶縁接着)されており、該配線基板部92に電子部品91が実装されることにより制御回路部9をなす。なお、制御回路部9は、上記の第2実施形態の場合と同様の回路構成とされている。そして、配線基板部92の片方の端子は、半導体チップ10のゲート電極10gにボンディングワイヤ107により接続されており、もう片方の端子には配線部材5が導通接着材(銀ロウ)7を介して導通接着されている。ここでのボンディングワイヤ107は、互いに近接して各々固定された半導体チップ10と配線基板部92とを接続するものであるので、上記のような問題は生じない。以上のようにして、制御回路部9が、モールド樹脂部4内に封入され、且つ、ゲート電極10gから外部へと引き出される接続経路の途中に介挿された構造が得られる。なお、ここでは、制御回路部9とは上記通電部材を兼ねるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の半導体装置(パワーモジュール)の断面構造を表す模式図
【図2】第2実施形態の半導体装置(インテリジェントパワーモジュール)の断面構造を表す模式図
【図3】図2の第2実施形態の変形例を表す図
【図4】第3実施形態の半導体装置(インテリジェントパワーモジュール)の断面構造を表す模式図
【図5】半導体スイッチング素子10の断面構造を表す模式図
【図6】従来の半導体装置の断面構造を表す模式図
【符号の説明】
1 半導体装置
2 放熱部材(コレクタ電極10c側)
3 放熱部材(エミッタ電極10e側)
35 凸部
36 絶縁接着部
4 モールド樹脂部
5 配線部材
6 接合部材
7 導通接着材
8 絶縁接着材
9 制御回路部
91 電子部品
10 半導体スイッチング素子(半導体チップ)
10c コレクタ電極
10e エミッタ電極
10g ゲート電極
Claims (8)
- 一方の主面側に第一電極及び制御用電極、他方の主面側に第二電極が露出した半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を挟む形で配置され、前記第一電極と前記第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材と、前記一対の放熱部材の間を充填するモールド樹脂部と、を備える半導体装置であって、
制御信号の入力に供され、且つ、外部に引き出される、表面が絶縁加工された可撓性の配線部材を有するとともに、
当該配線部材は、前記制御用電極、もしくは該制御用電極に接続された通電部材の端子に導通接着されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記第一電極に接続される前記放熱部材は、該第一電極に接続するための凸部が一体形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記放熱部材は、前記配線部材を絶縁接着して固定するための絶縁接着部を有し、前記配線部材は当該絶縁接着部に絶縁接着されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記半導体スイッチング素子の動作制御を行う制御回路部が、前記モールド樹脂部内に封入され、且つ、前記制御用電極から外部へと引き出される接続経路のいずれかの位置に介挿されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記配線部材は前記制御回路部を有し、且つ、当該配線部材が前記制御用電極に導通接着されてなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記配線部材は可撓性配線基板として構成され、該可撓性配線基板に電子部品が実装されることにより前記制御回路部をなすことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記通電部材は、前記第二電極に接続される前記放熱板に絶縁接着されてなるとともに、前記制御回路部を有し、且つ、前記配線部材が当該通電部材の端子に導通接着されてなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記通電部材は配線基板部を備え、該配線基板部に電子部品が実装されることにより前記制御回路部をなすことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003093241A JP4019993B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003093241A JP4019993B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004303854A true JP2004303854A (ja) | 2004-10-28 |
JP4019993B2 JP4019993B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=33406088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003093241A Expired - Fee Related JP4019993B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4019993B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222121A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2007041902A1 (fr) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | Xuelin Li | Structure de conduction et de dissipation thermique pour un boitier a diodes electroluminescentes de lumiere blanche |
JP2009253131A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011023654A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Toyota Motor Corp | パワーモジュール |
JP2012175070A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 半導体パッケージ |
WO2013038749A1 (ja) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | 住友電気工業株式会社 | 配線シート付き電極端子、配線構造体、半導体装置、及びその半導体装置の製造方法 |
WO2014038587A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPWO2016171122A1 (ja) * | 2015-04-21 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN110364499A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 多封装顶侧冷却 |
CN111406316A (zh) * | 2017-10-26 | 2020-07-10 | 新电元工业株式会社 | 电子部件 |
-
2003
- 2003-03-31 JP JP2003093241A patent/JP4019993B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222121A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4547279B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2007041902A1 (fr) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | Xuelin Li | Structure de conduction et de dissipation thermique pour un boitier a diodes electroluminescentes de lumiere blanche |
JP2009253131A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011023654A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Toyota Motor Corp | パワーモジュール |
JP2012175070A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 半導体パッケージ |
WO2013038749A1 (ja) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | 住友電気工業株式会社 | 配線シート付き電極端子、配線構造体、半導体装置、及びその半導体装置の製造方法 |
CN104603937A (zh) * | 2012-09-07 | 2015-05-06 | 日立汽车***株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2014038587A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPWO2014038587A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-08-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9530722B2 (en) | 2012-09-07 | 2016-12-27 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Semiconductor device and production method for same |
JPWO2016171122A1 (ja) * | 2015-04-21 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN111406316A (zh) * | 2017-10-26 | 2020-07-10 | 新电元工业株式会社 | 电子部件 |
CN111406316B (zh) * | 2017-10-26 | 2023-08-01 | 新电元工业株式会社 | 电子部件 |
CN110364499A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 多封装顶侧冷却 |
CN110364499B (zh) * | 2018-03-26 | 2023-07-28 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 多封装顶侧冷却 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4019993B2 (ja) | 2007-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3516789B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
JP3910383B2 (ja) | パワーモジュールおよびインバータ | |
JP3879688B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100342589B1 (ko) | 반도체 전력 모듈 및 그 제조 방법 | |
US7884455B2 (en) | Semiconductor device | |
US10204849B2 (en) | Semiconductor device | |
US20120267682A1 (en) | Semiconductor device | |
JP5017332B2 (ja) | インバータ | |
JP4262453B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
JP2008118067A (ja) | パワーモジュール及びモータ一体型コントロール装置 | |
JPH09260550A (ja) | 半導体装置 | |
CN110914975B (zh) | 功率半导体模块 | |
JP4019993B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7266508B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20130270706A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2004071977A (ja) | 半導体装置 | |
JP4403166B2 (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
JP2004221381A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009130055A (ja) | 半導体装置 | |
CN112397472A (zh) | 半导体装置 | |
JP2004048084A (ja) | 半導体パワーモジュール | |
CN218975436U (zh) | 半导体装置和电子设备 | |
KR20190085587A (ko) | 고열전도성 반도체 패키지 | |
JP4349728B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3753132B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050509 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070917 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131005 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |