JP2000039626A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】開口率を維持したまま、保持特性がよくフィー
ドスルー電圧が小さく、かつ、表示均一性、信頼性に優
れるアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。 【解決手段】２枚の対向する透明絶縁性基板を有し、第
１の基板上には、複数の走査線（図１の５０２）と複数
の信号線（図１の１０３）と、各交点近傍に設けた薄膜
トランジスタ（図１の５０３）と、走査線と略平行して
延在し、複数の櫛歯状の突出部を有する共通電極（図１
の１０６）と、共通電極の相隣る櫛歯状の突出部の間隙
に形成される画素電極（図１の１０４）と、その上層に
保護絶縁膜を介して形成される第１の配光膜と、を備
え、第２の基板上には、画素電極に対向する領域に開口
を設けたブラックマトリクスと、第２の配光膜とを有す
る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置で
あって、基板内部の、基板の法線方向から見て共通電極
の櫛歯状の突出部と画素電極に挟まれる領域に、所定の
誘電率の誘電体（図１の２３０）を配設する。
ドスルー電圧が小さく、かつ、表示均一性、信頼性に優
れるアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。 【解決手段】２枚の対向する透明絶縁性基板を有し、第
１の基板上には、複数の走査線（図１の５０２）と複数
の信号線（図１の１０３）と、各交点近傍に設けた薄膜
トランジスタ（図１の５０３）と、走査線と略平行して
延在し、複数の櫛歯状の突出部を有する共通電極（図１
の１０６）と、共通電極の相隣る櫛歯状の突出部の間隙
に形成される画素電極（図１の１０４）と、その上層に
保護絶縁膜を介して形成される第１の配光膜と、を備
え、第２の基板上には、画素電極に対向する領域に開口
を設けたブラックマトリクスと、第２の配光膜とを有す
る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置で
あって、基板内部の、基板の法線方向から見て共通電極
の櫛歯状の突出部と画素電極に挟まれる領域に、所定の
誘電率の誘電体（図１の２３０）を配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、横電界駆動型のア
クティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
クティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted
Nematic）モードに代表されるように、基板面に対して
垂直な方向に電界を作用させて、液晶分子のダイレクタ
（分子軸）の配向を変化させることにより、光の透過率
を制御して、パネルに画像を表示するタイプ（以下、縦
電界駆動型という）のものが一般的であった。しかしな
がら、この縦電界駆動型の液晶表示装置では、電界印加
時に、ダイレクタが基板表面に対して垂直に配向し、そ
の結果、視角方向により屈折率が変化するために、視野
角依存性が強く、広視野角が求められる用途には適して
いない。
Nematic）モードに代表されるように、基板面に対して
垂直な方向に電界を作用させて、液晶分子のダイレクタ
（分子軸）の配向を変化させることにより、光の透過率
を制御して、パネルに画像を表示するタイプ（以下、縦
電界駆動型という）のものが一般的であった。しかしな
がら、この縦電界駆動型の液晶表示装置では、電界印加
時に、ダイレクタが基板表面に対して垂直に配向し、そ
の結果、視角方向により屈折率が変化するために、視野
角依存性が強く、広視野角が求められる用途には適して
いない。
【０００３】これに対して、液晶分子のダイレクタを基
板面に平行に配向し、基板面に対して平行な方向に電界
を作用させてダイレクタを基板面に平行な面内で回転さ
せることにより、光の透過率を制御して画像表示を行う
タイプ（以下、横電界駆動型という）の液晶表示装置
が、近年、研究開発されている。この横電界駆動型の液
晶表示装置では、視角方向による屈折率変化が著しく小
さいため、広い視野で高画質の表示性能が得られる。
板面に平行に配向し、基板面に対して平行な方向に電界
を作用させてダイレクタを基板面に平行な面内で回転さ
せることにより、光の透過率を制御して画像表示を行う
タイプ（以下、横電界駆動型という）の液晶表示装置
が、近年、研究開発されている。この横電界駆動型の液
晶表示装置では、視角方向による屈折率変化が著しく小
さいため、広い視野で高画質の表示性能が得られる。
【０００４】ここで、従来の横電界駆動型のアクティブ
マトリクス液晶表示装置について、図１２乃至図２０を
参照して説明する。図１２は、従来の横電界駆動型のア
クティブマトリクス液晶表示装置の表示画素の平面図で
あり、図１３は、図１２のａ−ａ’線における断面図で
ある。また、図１４は、液晶表示装置の構成を模式的に
説明するための図である。
マトリクス液晶表示装置について、図１２乃至図２０を
参照して説明する。図１２は、従来の横電界駆動型のア
クティブマトリクス液晶表示装置の表示画素の平面図で
あり、図１３は、図１２のａ−ａ’線における断面図で
ある。また、図１４は、液晶表示装置の構成を模式的に
説明するための図である。
【０００５】図１２を参照すると、表示画素は、外部駆
動回路と接続される走査線５０２、信号線１０３、共通
電極１０６、およびスイッチング素子である薄膜トラン
ジスタ５０３、および画素電極１０４から構成される。
動回路と接続される走査線５０２、信号線１０３、共通
電極１０６、およびスイッチング素子である薄膜トラン
ジスタ５０３、および画素電極１０４から構成される。
【０００６】また、図１３に示すように、ＴＦＴ側ガラ
ス基板１０２上には、共通電極１０６が形成され、その
上に層間絶縁膜１３０を介し、画素電極１０４、映像信
号線１０３が形成される。その際、画素電極１０４と共
通電極１０６は交互に配置される。これら電極は、保護
絶縁膜１１０で被覆され、その上には、液晶１０７を配
向させるのに必要であるＴＦＴ側配向膜１２０が塗布さ
れ、ラビング処理される。このようにして、ＴＦＴ側基
板１００が作成される。
ス基板１０２上には、共通電極１０６が形成され、その
上に層間絶縁膜１３０を介し、画素電極１０４、映像信
号線１０３が形成される。その際、画素電極１０４と共
通電極１０６は交互に配置される。これら電極は、保護
絶縁膜１１０で被覆され、その上には、液晶１０７を配
向させるのに必要であるＴＦＴ側配向膜１２０が塗布さ
れ、ラビング処理される。このようにして、ＴＦＴ側基
板１００が作成される。
【０００７】また、対向側ガラス基板１０１上には、遮
光膜２０３がマトリクス状に設けられ、その上に色表示
をするために必要な色層１４２が形成される。さらにそ
の上に対向基板上を平坦化させるに必要な平坦化膜２０
２が設けられ、その上に液晶１０７を配向させるのに必
要である対向側配向膜１２２が塗布され、ラビング処理
される。ラビング方向は、ＴＦＴ側基板１００に施した
方向と逆方向である。このようにして、対向側基板２０
０が作成される。
光膜２０３がマトリクス状に設けられ、その上に色表示
をするために必要な色層１４２が形成される。さらにそ
の上に対向基板上を平坦化させるに必要な平坦化膜２０
２が設けられ、その上に液晶１０７を配向させるのに必
要である対向側配向膜１２２が塗布され、ラビング処理
される。ラビング方向は、ＴＦＴ側基板１００に施した
方向と逆方向である。このようにして、対向側基板２０
０が作成される。
【０００８】ＴＦＴ側基板１００と対向側基板２００の
間には、液晶１０７、スペーサ３０２が封入される。両
基板のギャップは、スペーサ３０２の直径により決定さ
れる。最後に、ＴＦＴ側ガラス基板１０２の電極パター
ンを形成しない面には、ＴＦＴ側偏光板１４５がラビン
グ方向に透過軸が直交するよう貼りつけられ、対向側ガ
ラス基板１０１の各種パターンが存在しない側には、対
向側偏光板１４３が透過軸がＴＦＴ側偏光板１４５の透
過軸方向と直交するように貼りつけられる。上述した方
法により、液晶表示パネル３００が完成する。
間には、液晶１０７、スペーサ３０２が封入される。両
基板のギャップは、スペーサ３０２の直径により決定さ
れる。最後に、ＴＦＴ側ガラス基板１０２の電極パター
ンを形成しない面には、ＴＦＴ側偏光板１４５がラビン
グ方向に透過軸が直交するよう貼りつけられ、対向側ガ
ラス基板１０１の各種パターンが存在しない側には、対
向側偏光板１４３が透過軸がＴＦＴ側偏光板１４５の透
過軸方向と直交するように貼りつけられる。上述した方
法により、液晶表示パネル３００が完成する。
【０００９】更に、液晶表示パネル３００は、図１４に
示すように、バックライト４００の上に設置され、駆動
回路５００に接続される。
示すように、バックライト４００の上に設置され、駆動
回路５００に接続される。
【００１０】次に、液晶表示装置の動作について図１５
及び図１６を参照して説明する。図１５は、従来の液晶
表示装置の等価回路を示す回路図であり、図１６は、走
査線、信号線、共通電極に印加される電圧波形、および
画素電極電圧の動作波形を示す図である。なお、図１６
中でＶｆｄはフィードスルー電圧と呼ばれ、共通電極電
圧は、映像信号の振幅が中間調であるときの画素電極電
圧の正フレームと負フレームの振幅△Ｖ＋、△Ｖ−が等
しくなるように設定される。
及び図１６を参照して説明する。図１５は、従来の液晶
表示装置の等価回路を示す回路図であり、図１６は、走
査線、信号線、共通電極に印加される電圧波形、および
画素電極電圧の動作波形を示す図である。なお、図１６
中でＶｆｄはフィードスルー電圧と呼ばれ、共通電極電
圧は、映像信号の振幅が中間調であるときの画素電極電
圧の正フレームと負フレームの振幅△Ｖ＋、△Ｖ−が等
しくなるように設定される。
【００１１】単位素子内の電荷の流れ、及び液晶の光ス
イッチングについて説明すると、図１２で共通電極と同
層で設けられた走査信号線５０２のＯＮ／ＯＦＦ信号に
より、薄膜トランジスタ５０３がスイッチングし、薄膜
トランジスタ５０３がＯＮであるときは、映像信号線１
０３から電荷が画素電極１０４に流れ込む。共通電極１
０６には、上述した通り、常時一定の直流電圧が印加さ
れている。電気回路的には、図１５で画素電極１０４と
共通電極は、液晶１０７、ＴＦＴ側ガラス基板１０２、
層間絶縁膜１３０をそれぞれ挟んだ静電容量ＣLC、
ＣGL、ＣSCを形成する。
イッチングについて説明すると、図１２で共通電極と同
層で設けられた走査信号線５０２のＯＮ／ＯＦＦ信号に
より、薄膜トランジスタ５０３がスイッチングし、薄膜
トランジスタ５０３がＯＮであるときは、映像信号線１
０３から電荷が画素電極１０４に流れ込む。共通電極１
０６には、上述した通り、常時一定の直流電圧が印加さ
れている。電気回路的には、図１５で画素電極１０４と
共通電極は、液晶１０７、ＴＦＴ側ガラス基板１０２、
層間絶縁膜１３０をそれぞれ挟んだ静電容量ＣLC、
ＣGL、ＣSCを形成する。
【００１２】その後、薄膜トランジスタ５０３がＯＦＦ
した後の電荷は保持されるが、この保持された電荷によ
り生ずる画素電極１０４と共通電極１０６の電位差によ
り、ガラス基板に平行な横電界が生じ、これにより液晶
１０７のダイレクタが回転することで液晶表示パネル３
００のリターデーションが変化し、遮光膜２０３、画素
電極１０４、共通電極１０６、走査信号線５０２、薄膜
トランジスタ５０３が設置されていない部位で、図１８
でのバックライト４００から出射された光の入射光に対
するパネル透過量が変化する。共通電極と画素電極の電
位差とパネル透過率の関係を図１７に示す。
した後の電荷は保持されるが、この保持された電荷によ
り生ずる画素電極１０４と共通電極１０６の電位差によ
り、ガラス基板に平行な横電界が生じ、これにより液晶
１０７のダイレクタが回転することで液晶表示パネル３
００のリターデーションが変化し、遮光膜２０３、画素
電極１０４、共通電極１０６、走査信号線５０２、薄膜
トランジスタ５０３が設置されていない部位で、図１８
でのバックライト４００から出射された光の入射光に対
するパネル透過量が変化する。共通電極と画素電極の電
位差とパネル透過率の関係を図１７に示す。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の液晶表
示装置には、以下に示す２つの問題がある。
示装置には、以下に示す２つの問題がある。
【００１４】第１の問題点は、電荷保持時間の低下に伴
うパネル透過率の低下や表示むらが発生するということ
である。その理由を以下に述べる。
うパネル透過率の低下や表示むらが発生するということ
である。その理由を以下に述べる。
【００１５】すなわち、上述した従来の液晶表示装置で
は、静電容量ＣLC、ＣGL、ＣSCに保持される電荷は、薄
膜トランジスタ５０３がＯＦＦした時に完全に保持され
ていることが望ましいが、実際には電気回路的に、ある
時定数をもって電荷量は減衰する。この時定数τoff
は、近似的に（１）式のようにかける。
は、静電容量ＣLC、ＣGL、ＣSCに保持される電荷は、薄
膜トランジスタ５０３がＯＦＦした時に完全に保持され
ていることが望ましいが、実際には電気回路的に、ある
時定数をもって電荷量は減衰する。この時定数τoff
は、近似的に（１）式のようにかける。
【００１６】
【数１】
【００１７】ここで、Ｒｏｆｆは薄膜トランジスタ５０
３のＯＦＦ時の抵抗、ＣGSは図１８に示す薄膜トランジ
スタ５０３のゲート−ソース間容量である。
３のＯＦＦ時の抵抗、ＣGSは図１８に示す薄膜トランジ
スタ５０３のゲート−ソース間容量である。
【００１８】横電界方式の液晶表示装置では、ＣLCとＣ
GLはフリンジ容量であるため、縦電界方式の液晶表示装
置と比較して小さい。また、Ｒｏｆｆは、薄膜トランジ
スタのプロセス限界により決まる一定の値であり、ＣGS
は、薄膜トランジスタのサイズにより決定されるもので
自由度はともに小さい。更に、ＣSCは、画素電極１０４
と共通電極１０６部のオーバーラップ部であり、この面
積を増すことは開口率を低下させることになってしま
う。
GLはフリンジ容量であるため、縦電界方式の液晶表示装
置と比較して小さい。また、Ｒｏｆｆは、薄膜トランジ
スタのプロセス限界により決まる一定の値であり、ＣGS
は、薄膜トランジスタのサイズにより決定されるもので
自由度はともに小さい。更に、ＣSCは、画素電極１０４
と共通電極１０６部のオーバーラップ部であり、この面
積を増すことは開口率を低下させることになってしま
う。
【００１９】また、バックライトの光強度を高く設定す
ると、図１８で示すように、薄膜トランジスタのバック
チャンネルへの入射、ｎ−ｉ−ｎ寄生抵抗部でのホール
形成により光リーク電流が増大する。画素電荷がリーク
すると、共通電極と画素電極の電位差が減少し、図１７
の曲線に従いパネル透過率が減少する。また、光リーク
電流の程度は、薄膜トランジスタの製造ばらつきにより
まちまちであり、光リーク電流の面内ばらつきによる輝
度むらが発生しやすくなってしまう。
ると、図１８で示すように、薄膜トランジスタのバック
チャンネルへの入射、ｎ−ｉ−ｎ寄生抵抗部でのホール
形成により光リーク電流が増大する。画素電荷がリーク
すると、共通電極と画素電極の電位差が減少し、図１７
の曲線に従いパネル透過率が減少する。また、光リーク
電流の程度は、薄膜トランジスタの製造ばらつきにより
まちまちであり、光リーク電流の面内ばらつきによる輝
度むらが発生しやすくなってしまう。
【００２０】更に、電荷が薄膜トランジスタを介しリー
クする場合の他に、抵抗率が低い液晶材料を使用した場
合、すなわちイオンを多く含有する液晶材料を使用した
場合には、画素電極に電荷を書き込んだ後、しばらくし
て液晶内イオンが電気２重層を形成し、ＣLCがみかけ上
増大する。薄膜トランジスタがＯＦＦした後は、画素電
極に蓄えられている電荷は一定とみなしてよいから、こ
の減少は画素電極と共通電極間の電圧を低下させること
になる。この電圧降下は近似的に画素容量比と呼ばれる
下記パラメータｘに比例する。
クする場合の他に、抵抗率が低い液晶材料を使用した場
合、すなわちイオンを多く含有する液晶材料を使用した
場合には、画素電極に電荷を書き込んだ後、しばらくし
て液晶内イオンが電気２重層を形成し、ＣLCがみかけ上
増大する。薄膜トランジスタがＯＦＦした後は、画素電
極に蓄えられている電荷は一定とみなしてよいから、こ
の減少は画素電極と共通電極間の電圧を低下させること
になる。この電圧降下は近似的に画素容量比と呼ばれる
下記パラメータｘに比例する。
【００２１】
【数２】
【００２２】ＣSCが十分大きくとれない場合、このモデ
ルによる電圧降下が大きくなることが予想され、この場
合でもパネル透過率は減少することになる。
ルによる電圧降下が大きくなることが予想され、この場
合でもパネル透過率は減少することになる。
【００２３】このように、横電界方式のアクティブマト
リクス液晶表示装置では、開口率を維持したまま、縦電
界方式のアクティブマトリクス液晶表示装置と同様の保
持特性を得ることが難しく、パネル透過率の低下や表示
むらの発生を抑制することは困難となるという問題が生
じる。
リクス液晶表示装置では、開口率を維持したまま、縦電
界方式のアクティブマトリクス液晶表示装置と同様の保
持特性を得ることが難しく、パネル透過率の低下や表示
むらの発生を抑制することは困難となるという問題が生
じる。
【００２４】第２の問題点は、長期連続使用後の焼き付
き、表示むらが発生するということである。その理由を
以下に述べる。
き、表示むらが発生するということである。その理由を
以下に述べる。
【００２５】すなわち、薄膜トランジスタのフィードス
ルー電圧大薄膜トランジスタのフィードスルー電圧は、
近似的に（３）式のようにかける。ゆえに、（３）式の
分母が小さい横電界方式の液晶表示装置では、Ｖｆｄは
大きくなる。さらに、縦電界方式と比較し、ＣLCが全容
量に対し占める割合が大きいので階調が変化したとき、
すなわちＣLCが変化したときに、Ｖｆｄの変動量が縦電
界方式と比較して大きくなる。Ｖｆｄが大きいことは、
大型パネルなどで走査信号波形が遅延した際に表示部の
左右でＶｆｄに差が生じる。
ルー電圧大薄膜トランジスタのフィードスルー電圧は、
近似的に（３）式のようにかける。ゆえに、（３）式の
分母が小さい横電界方式の液晶表示装置では、Ｖｆｄは
大きくなる。さらに、縦電界方式と比較し、ＣLCが全容
量に対し占める割合が大きいので階調が変化したとき、
すなわちＣLCが変化したときに、Ｖｆｄの変動量が縦電
界方式と比較して大きくなる。Ｖｆｄが大きいことは、
大型パネルなどで走査信号波形が遅延した際に表示部の
左右でＶｆｄに差が生じる。
【００２６】
【数３】
【００２７】共通電極は、従来技術で記述したように、
表示面内均一かつ一定の直流電圧を印加しているため、
上記の現象は画素電極−共通電極間電圧の直流成分の面
内ばらつきの増加、階調間ばらつきの増加を引き起こ
し、液晶材料への直流電圧の印加起因での材料劣化によ
る焼き付き、および表示むらや、表示面内で液晶に印加
される実効的な電圧の差による表示面内での輝度ばらつ
きが発生するという問題が生じる。
表示面内均一かつ一定の直流電圧を印加しているため、
上記の現象は画素電極−共通電極間電圧の直流成分の面
内ばらつきの増加、階調間ばらつきの増加を引き起こ
し、液晶材料への直流電圧の印加起因での材料劣化によ
る焼き付き、および表示むらや、表示面内で液晶に印加
される実効的な電圧の差による表示面内での輝度ばらつ
きが発生するという問題が生じる。
【００２８】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、開口率を維持したま
ま、保持特性がよくフィードスルー電圧が小さく、か
つ、表示均一性、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供することにある。
のであって、その主たる目的は、開口率を維持したま
ま、保持特性がよくフィードスルー電圧が小さく、か
つ、表示均一性、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明は、２枚の対向す
る透明絶縁性基板を有し、第１の基板上には、複数の走
査線および複数の信号線と、前記走査線と前記信号線の
各交点近傍に設けた薄膜トランジスタと、前記走査線と
略平行して延在し、前記走査線側に向かって延びる複数
の櫛歯状の突出部を有する共通電極と、前記基板の法線
方向から見て、前記共通電極の相隣る櫛歯状の突出部の
間隙に該櫛歯状の突出部に略平行して形成され、層間絶
縁膜を介して、その少なくとも一部が前記共通電極と相
重なる画素電極と、その上層に保護絶縁膜を介して形成
される第１の配光膜と、を備え、第２の基板上には、前
記画素電極に対向する領域に開口を設けたブラックマト
リクスと、第２の配光膜を有し、前記画素電極と前記共
通電極との間に印加した電圧で液晶層に略平行な電界を
発生させることにより、前記２枚の対向する基板の間に
挟持された液晶を制御するアクティブマトリクス型液晶
表示装置であって、前記画素電極と前記共通電極との間
の蓄積容量が、均一な厚さで平坦な構造の層間絶縁膜の
みにより形成される場合よりも、大となる手段を設けた
ものである。
る透明絶縁性基板を有し、第１の基板上には、複数の走
査線および複数の信号線と、前記走査線と前記信号線の
各交点近傍に設けた薄膜トランジスタと、前記走査線と
略平行して延在し、前記走査線側に向かって延びる複数
の櫛歯状の突出部を有する共通電極と、前記基板の法線
方向から見て、前記共通電極の相隣る櫛歯状の突出部の
間隙に該櫛歯状の突出部に略平行して形成され、層間絶
縁膜を介して、その少なくとも一部が前記共通電極と相
重なる画素電極と、その上層に保護絶縁膜を介して形成
される第１の配光膜と、を備え、第２の基板上には、前
記画素電極に対向する領域に開口を設けたブラックマト
リクスと、第２の配光膜を有し、前記画素電極と前記共
通電極との間に印加した電圧で液晶層に略平行な電界を
発生させることにより、前記２枚の対向する基板の間に
挟持された液晶を制御するアクティブマトリクス型液晶
表示装置であって、前記画素電極と前記共通電極との間
の蓄積容量が、均一な厚さで平坦な構造の層間絶縁膜の
みにより形成される場合よりも、大となる手段を設けた
ものである。
【００３０】また、本発明は、前記蓄積容量が大となる
手段が、（１）前記第１の基板内部であって、前記基板
の法線方向から見て、前記共通電極の櫛歯状の突出部と
前記画素電極に挟まれる領域に、所定の誘電率の誘電体
を配設した構造、（２）前記基板の法線方向から見て、
前記共通電極と前記画素電極とが重なる領域の少なくと
も一部に所定の凹凸を設け、前記共通電極と前記画素電
極とが相向かい合う面積を大とする構造、（３）前記基
板の法線方向から見て、前記共通電極と画素電極とが重
なる領域の少なくとも一部において、前記層間絶縁膜
を、他の領域よりも薄くした構造、（４）前記基板の法
線方向から見て、前記共通電極と前記画素電極とが相重
なる領域の少なくとも一部において、前記層間絶縁膜を
所定の誘電率の誘電体とする構造、の少なくとも１以上
を備えた構造とすることができる。
手段が、（１）前記第１の基板内部であって、前記基板
の法線方向から見て、前記共通電極の櫛歯状の突出部と
前記画素電極に挟まれる領域に、所定の誘電率の誘電体
を配設した構造、（２）前記基板の法線方向から見て、
前記共通電極と前記画素電極とが重なる領域の少なくと
も一部に所定の凹凸を設け、前記共通電極と前記画素電
極とが相向かい合う面積を大とする構造、（３）前記基
板の法線方向から見て、前記共通電極と画素電極とが重
なる領域の少なくとも一部において、前記層間絶縁膜
を、他の領域よりも薄くした構造、（４）前記基板の法
線方向から見て、前記共通電極と前記画素電極とが相重
なる領域の少なくとも一部において、前記層間絶縁膜を
所定の誘電率の誘電体とする構造、の少なくとも１以上
を備えた構造とすることができる。
【００３１】更に、本発明においては、前記層間絶縁膜
又は前記所定の誘電率の誘電体が、前記第１の基板又は
前記第１の基板上に形成される他の絶縁膜のいずれより
も高い誘電率を有する透明誘電体からなる構成とするこ
ともでき、前記透明誘電体が、酸化チタンからなること
が好ましい。
又は前記所定の誘電率の誘電体が、前記第１の基板又は
前記第１の基板上に形成される他の絶縁膜のいずれより
も高い誘電率を有する透明誘電体からなる構成とするこ
ともでき、前記透明誘電体が、酸化チタンからなること
が好ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明に係るは、その好ましい一
実施の形態において、２枚の対向する透明絶縁性基板を
有し、第１の基板上には、複数の走査線（図１の５０
２）と複数の信号線（図１の１０３）と、各交点近傍に
設けた薄膜トランジスタ（図１の５０３）と、走査線と
略平行して延在し、複数の櫛歯状の突出部を有する共通
電極（図１の１０６）と、共通電極の相隣る櫛歯状の突
出部の間隙に形成される画素電極（図１の１０４）と、
その上層に保護絶縁膜を介して形成される第１の配光膜
と、を備え、第２の基板上には、画素電極に対向する領
域に開口を設けたブラックマトリクスと、第２の配光膜
と、を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置であって、基板の法線方向から見て、共通電極
の櫛歯状の突出部と画素電極に挟まれる領域に、所定の
誘電率の誘電体（図１の２３０）を備える。
実施の形態において、２枚の対向する透明絶縁性基板を
有し、第１の基板上には、複数の走査線（図１の５０
２）と複数の信号線（図１の１０３）と、各交点近傍に
設けた薄膜トランジスタ（図１の５０３）と、走査線と
略平行して延在し、複数の櫛歯状の突出部を有する共通
電極（図１の１０６）と、共通電極の相隣る櫛歯状の突
出部の間隙に形成される画素電極（図１の１０４）と、
その上層に保護絶縁膜を介して形成される第１の配光膜
と、を備え、第２の基板上には、画素電極に対向する領
域に開口を設けたブラックマトリクスと、第２の配光膜
と、を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置であって、基板の法線方向から見て、共通電極
の櫛歯状の突出部と画素電極に挟まれる領域に、所定の
誘電率の誘電体（図１の２３０）を備える。
【００３３】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
【００３４】［実施例１］本発明の第１の実施例に係る
液晶表示装置について、図１乃至図５を参照して説明す
る。図１は、第１の実施例に係る液晶表示装置の単位素
子の平面図であり、図２は、図１のｃ−ｃ’線での断面
図である。
液晶表示装置について、図１乃至図５を参照して説明す
る。図１は、第１の実施例に係る液晶表示装置の単位素
子の平面図であり、図２は、図１のｃ−ｃ’線での断面
図である。
【００３５】図２を参照すると、本実施例は、ＴＦＴ側
ガラス基板１００の共通電極１０６と画素電極１０４に
挟まれた領域をエッチングし、溝を形成する。その後、
比誘電率の高い透明誘電体膜、たとえば酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２、比誘電率ε≒８５）などを溝内に成膜する。こ
の絶縁膜を高誘電率絶縁膜２３０と呼ぶことにする。薄
膜トランジスタのゲート絶縁膜としては従来技術と同様
の層間絶縁膜１３０を成膜する。これは下層配線（走査
線、共通電極配線）と上層配線（信号線）のクロス容
量、薄膜トランジスタの電気特性を従来の液晶表示装置
と同一にするためである。その他の製造工程、および構
成は従来技術と同様である。
ガラス基板１００の共通電極１０６と画素電極１０４に
挟まれた領域をエッチングし、溝を形成する。その後、
比誘電率の高い透明誘電体膜、たとえば酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２、比誘電率ε≒８５）などを溝内に成膜する。こ
の絶縁膜を高誘電率絶縁膜２３０と呼ぶことにする。薄
膜トランジスタのゲート絶縁膜としては従来技術と同様
の層間絶縁膜１３０を成膜する。これは下層配線（走査
線、共通電極配線）と上層配線（信号線）のクロス容
量、薄膜トランジスタの電気特性を従来の液晶表示装置
と同一にするためである。その他の製造工程、および構
成は従来技術と同様である。
【００３６】このように形成した液晶表示装置は、図１
に示すように、開口率の低下はなく、画素電極１０４に
薄膜トランジスタ５０３を介し映像信号線１０３より流
れ込んだ電荷は、画素電極１０４と共通電極１０６で構
成される蓄積容量で保持される。この蓄積容量は、溝内
の高誘電率絶縁膜２３０により、従来の液晶表示装置に
対し増大している。そのため、従来例において述べたメ
カニズムに従い、保持特性が向上し、フィードスルー電
圧が小さくなる。
に示すように、開口率の低下はなく、画素電極１０４に
薄膜トランジスタ５０３を介し映像信号線１０３より流
れ込んだ電荷は、画素電極１０４と共通電極１０６で構
成される蓄積容量で保持される。この蓄積容量は、溝内
の高誘電率絶縁膜２３０により、従来の液晶表示装置に
対し増大している。そのため、従来例において述べたメ
カニズムに従い、保持特性が向上し、フィードスルー電
圧が小さくなる。
【００３７】上記した第１の実施例の効果について、図
３乃至図５を参照して説明する。図３は、１フレーム時
間、すなわち保持時間を変化させた時のパネル透過率の
測定結果を示す図であり、図４は、フィードスルー電圧
の表示面内での差異を、図５は、フィードスルーの映像
信号電圧依存性を示す図である。ここでは、常時薄膜ト
ランジスタをＯＮした時のパネル透過率を１００％とし
て規格化している。
３乃至図５を参照して説明する。図３は、１フレーム時
間、すなわち保持時間を変化させた時のパネル透過率の
測定結果を示す図であり、図４は、フィードスルー電圧
の表示面内での差異を、図５は、フィードスルーの映像
信号電圧依存性を示す図である。ここでは、常時薄膜ト
ランジスタをＯＮした時のパネル透過率を１００％とし
て規格化している。
【００３８】本実施例では、従来技術と比較して保持時
間を長くしても輝度の低下がほとんどないのが分かる。
また、従来技術と比較してフィードスルー電圧の表示面
内、および異なる映像信号電圧での変化量が小さい。す
なわち、本実施例では、表示面内の全ての位置、および
全階調で画素電極１０４、共通電極間１０６の直流電圧
成分が無視できるくらい小さくなるため、表示面内での
輝度の不均一性のような初期表示特性問題、及び表示む
ら、焼き付き等の信頼性の問題を解決することができ
る。また本実施例では、開口率を低下させないため、液
晶表示装置の輝度が低下することはない。
間を長くしても輝度の低下がほとんどないのが分かる。
また、従来技術と比較してフィードスルー電圧の表示面
内、および異なる映像信号電圧での変化量が小さい。す
なわち、本実施例では、表示面内の全ての位置、および
全階調で画素電極１０４、共通電極間１０６の直流電圧
成分が無視できるくらい小さくなるため、表示面内での
輝度の不均一性のような初期表示特性問題、及び表示む
ら、焼き付き等の信頼性の問題を解決することができ
る。また本実施例では、開口率を低下させないため、液
晶表示装置の輝度が低下することはない。
【００３９】以上、説明したように、本発明の第１の実
施例では、ＴＦＴ側ガラス基板１００に比誘電率の高い
透明誘電体を形成することによって、画素電極１０４と
共通電極１０６とで構成される蓄積容量を増大させるこ
とができ、従って、保持特性がよく、フィードスルー電
圧が小さい液晶パネルを得ることができる。また、従来
の開口率を維持したまま、表示均一性、信頼性に優れる
アクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することが
できる。
施例では、ＴＦＴ側ガラス基板１００に比誘電率の高い
透明誘電体を形成することによって、画素電極１０４と
共通電極１０６とで構成される蓄積容量を増大させるこ
とができ、従って、保持特性がよく、フィードスルー電
圧が小さい液晶パネルを得ることができる。また、従来
の開口率を維持したまま、表示均一性、信頼性に優れる
アクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することが
できる。
【００４０】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
について、図６及び図７を参照して説明する。図６は、
第２の実施例に係る液晶表示装置の平面図であり、図７
は、図６のｄ−ｄ’線での断面図である。
について、図６及び図７を参照して説明する。図６は、
第２の実施例に係る液晶表示装置の平面図であり、図７
は、図６のｄ−ｄ’線での断面図である。
【００４１】第２の実施例は、前記した第１の実施例と
異なり、層間絶縁膜１３０を形成する際に、ＴＦＴ側ガ
ラス基板１００の法線方向から見て、画素電極１０４と
共通電極１０６とがオーバーラップする部分の内側の層
間絶縁膜１３０にスリットを設け、薄膜トランジスタの
半導体膜を成膜すると同時に、スリット部に半導体膜５
０４が残るようパターニングをしたものである。その他
の構成は、前記した第１の実施例と同様である。
異なり、層間絶縁膜１３０を形成する際に、ＴＦＴ側ガ
ラス基板１００の法線方向から見て、画素電極１０４と
共通電極１０６とがオーバーラップする部分の内側の層
間絶縁膜１３０にスリットを設け、薄膜トランジスタの
半導体膜を成膜すると同時に、スリット部に半導体膜５
０４が残るようパターニングをしたものである。その他
の構成は、前記した第１の実施例と同様である。
【００４２】本実施例では、比較的誘電率の大きいａ−
Ｓｉ（誘電率ε≒１２）を画素電極１０４と共通電極１
０６との間に形成することで、従来技術に比べて蓄積容
量を増大させることができる。また、ＴＦＴ側基板のパ
ターニングの際に、従来技術と同一の露光回数で製造す
ることができ、開口率の低下が少なく、保持特性がよ
く、フィードスルー電圧が小さい液晶パネルを得ること
ができ、高輝度で、表示均一性、信頼性に優れるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供することができ
る。
Ｓｉ（誘電率ε≒１２）を画素電極１０４と共通電極１
０６との間に形成することで、従来技術に比べて蓄積容
量を増大させることができる。また、ＴＦＴ側基板のパ
ターニングの際に、従来技術と同一の露光回数で製造す
ることができ、開口率の低下が少なく、保持特性がよ
く、フィードスルー電圧が小さい液晶パネルを得ること
ができ、高輝度で、表示均一性、信頼性に優れるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供することができ
る。
【００４３】なお、本実施例では、層間絶縁膜１３０の
スリット部に半導体膜５０４を形成しているが、本発明
は上記構造に限定されるものではなく、半導体膜５０４
の代わりに、前記した第１の実施例と同様の比誘電率の
高い透明誘電体を形成することもできる。
スリット部に半導体膜５０４を形成しているが、本発明
は上記構造に限定されるものではなく、半導体膜５０４
の代わりに、前記した第１の実施例と同様の比誘電率の
高い透明誘電体を形成することもできる。
【００４４】［実施例３］次に、本発明の第３の実施例
について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、
第３の実施例に係る液晶表示装置の平面図であり、図９
は、図８のｄ−ｄ’線での断面図である。
について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、
第３の実施例に係る液晶表示装置の平面図であり、図９
は、図８のｄ−ｄ’線での断面図である。
【００４５】本実施例は、前記した第１の実施例と異な
り、ＴＦＴ側ガラス基板１００の画素電極１０４と共通
電極１０６とのオーバーラップ部の一部に、共通電極１
０６を形成する前にスリット状の溝５０５をエッチング
処理し、形成することを特徴としている。なお、その他
の工程は、前記した実施例と同様である。
り、ＴＦＴ側ガラス基板１００の画素電極１０４と共通
電極１０６とのオーバーラップ部の一部に、共通電極１
０６を形成する前にスリット状の溝５０５をエッチング
処理し、形成することを特徴としている。なお、その他
の工程は、前記した実施例と同様である。
【００４６】本実施例では、上記の構造により、画素電
極１０４と共通電極１０６とのオーバーラップ部分の面
積が大きくなり、画素電極１０４と共通電極１０６で形
成される保持容量を増大させることができる。従って、
前記した第１の実施例と同様の効果を得ることができ
る。
極１０４と共通電極１０６とのオーバーラップ部分の面
積が大きくなり、画素電極１０４と共通電極１０６で形
成される保持容量を増大させることができる。従って、
前記した第１の実施例と同様の効果を得ることができ
る。
【００４７】なお、本実施例では、ＴＦＴ側ガラス基板
１００の画素電極１０４と共通電極１０６とのオーバー
ラップ部の一部に、スリット状の溝５０５を形成してい
るが、本発明は上記構造に限定されるものではなく、画
素電極１０４と共通電極１０６とのオーバーラップ部分
の面積が大きくなるような凹凸を設ける構造とすること
もできる。
１００の画素電極１０４と共通電極１０６とのオーバー
ラップ部の一部に、スリット状の溝５０５を形成してい
るが、本発明は上記構造に限定されるものではなく、画
素電極１０４と共通電極１０６とのオーバーラップ部分
の面積が大きくなるような凹凸を設ける構造とすること
もできる。
【００４８】［実施例４］次に、本発明の第４の実施例
について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１
０は、第４の実施例に係る液晶表示装置の平面図であ
り、図１１は、図１０のｄ−ｄ’線での断面図である。
について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１
０は、第４の実施例に係る液晶表示装置の平面図であ
り、図１１は、図１０のｄ−ｄ’線での断面図である。
【００４９】本実施例では、図１１に示すように層間絶
縁膜をエッチングレート比が大きな２種類の膜、すなわ
ち、第１層間絶縁膜６０１と第２層間絶縁膜６０２とを
積層し、層間絶縁膜としている。画素電極１０４と共通
電極１０６のオーバーラップ部では、第２層間絶縁膜６
０２のみをエッチングし、層間絶縁膜を他の領域と比較
して薄膜化している。
縁膜をエッチングレート比が大きな２種類の膜、すなわ
ち、第１層間絶縁膜６０１と第２層間絶縁膜６０２とを
積層し、層間絶縁膜としている。画素電極１０４と共通
電極１０６のオーバーラップ部では、第２層間絶縁膜６
０２のみをエッチングし、層間絶縁膜を他の領域と比較
して薄膜化している。
【００５０】従って、上記の構造により、画素電極１０
４と共通電極１０６のオーバーラップ部の層間絶縁膜の
膜厚が従来技術と比較して薄くなるため、画素電極１０
４と共通電極１０６で形成される保持容量を増やすこと
ができ、前記した第１の実施例と同様の効果を得ること
ができる。
４と共通電極１０６のオーバーラップ部の層間絶縁膜の
膜厚が従来技術と比較して薄くなるため、画素電極１０
４と共通電極１０６で形成される保持容量を増やすこと
ができ、前記した第１の実施例と同様の効果を得ること
ができる。
【００５１】なお、本実施例では、層間絶縁膜をエッチ
ングレート比が異なる、第１層間絶縁膜６０１と第２層
間絶縁膜６０２との２層構造としているが、本発明は上
記構造に限定されるものではなく、画素電極１０４と共
通電極１０６のオーバーラップ部の層間絶縁膜の膜厚を
薄くする構造であればよく、たとえば、３層以上の積層
構造とすることもできる。
ングレート比が異なる、第１層間絶縁膜６０１と第２層
間絶縁膜６０２との２層構造としているが、本発明は上
記構造に限定されるものではなく、画素電極１０４と共
通電極１０６のオーバーラップ部の層間絶縁膜の膜厚を
薄くする構造であればよく、たとえば、３層以上の積層
構造とすることもできる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
開口率をほとんど減少させることなく、画素電極に書き
込まれた電荷の保持特性の向上、およびフィードスルー
電圧の減少を実現し、それにより、表示特性、信頼性を
向上させることができるという効果を奏する。
開口率をほとんど減少させることなく、画素電極に書き
込まれた電荷の保持特性の向上、およびフィードスルー
電圧の減少を実現し、それにより、表示特性、信頼性を
向上させることができるという効果を奏する。
【００５３】その理由は、本発明の横電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置では、（１）基板の内部
であって、基板の法線方向から見て、櫛歯状の突出部を
有する画素電極と共通電極との間に挟まれた領域に、高
い誘電率をもつ透明誘電体を埋め込む、（２）画素電極
と共通電極の重なる領域の層間絶縁膜を高い誘電体で形
成する、（３）画素電極と共通電極の重なる領域のみ、
層間絶縁膜を薄く形成する、（４）ＴＦＴガラス基板の
画素電極と共通電極のオーバーラップ部に溝を設け、画
素電極、共通電極の重なる部分の面積を増大させる、と
いう４つの方式のいずれか、または組み合わせにより、
共通電極と画素電極で形成され、かつ液晶の誘電率に依
存しない蓄積容量を増大させることができるからであ
る。
ィブマトリクス型液晶表示装置では、（１）基板の内部
であって、基板の法線方向から見て、櫛歯状の突出部を
有する画素電極と共通電極との間に挟まれた領域に、高
い誘電率をもつ透明誘電体を埋め込む、（２）画素電極
と共通電極の重なる領域の層間絶縁膜を高い誘電体で形
成する、（３）画素電極と共通電極の重なる領域のみ、
層間絶縁膜を薄く形成する、（４）ＴＦＴガラス基板の
画素電極と共通電極のオーバーラップ部に溝を設け、画
素電極、共通電極の重なる部分の面積を増大させる、と
いう４つの方式のいずれか、または組み合わせにより、
共通電極と画素電極で形成され、かつ液晶の誘電率に依
存しない蓄積容量を増大させることができるからであ
る。
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の単
位画素の平面図である。
位画素の平面図である。
【図２】図１のｃ−ｃ’線における液晶表示装置の単位
画素の断面図である。
画素の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の保
持特性を示す図である。
持特性を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置のフ
ィードスルーの面内分布を示す図である。
ィードスルーの面内分布を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置のフ
ィードスルーの映像信号電圧振幅依存性を示す図であ
る。
ィードスルーの映像信号電圧振幅依存性を示す図であ
る。
【図６】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の単
位画素の平面図である。
位画素の平面図である。
【図７】図６のｄ−ｄ’線における液晶表示装置の単位
画素の断面図である。
画素の断面図である。
【図８】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の単
位画素の平面図である。
位画素の平面図である。
【図９】図８のｄ−ｄ’線における液晶表示装置の単位
画素の断面図である。
画素の断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
単位画素の平面図である。
単位画素の平面図である。
【図１１】図１０のｄ−ｄ’線における液晶表示装置の
単位画素の断面図である。
単位画素の断面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の単位画素の平面図であ
る。
る。
【図１３】従来の液晶表示装置の単位画素の断面図であ
る。
る。
【図１４】従来の透過型液晶表示装置の構成を示す図で
ある。
ある。
【図１５】従来の横電界方式の液晶表示パネルの等価回
路を示す図である。
路を示す図である。
【図１６】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の信号波形を示す図である
の信号波形を示す図である
【図１７】従来の液晶表示装置の電圧輝度特性を示す図
である。
である。
【図１８】従来の逆スタガ型薄膜トランジスタの構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１９】他の従来技術の単位画素の平面図である。
【図２０】他の従来技術の単位画素の断面図である。
１００ ＴＦＴ側基板 １０１ 対向側ガラス基板 １０２ ＴＦＴ側ガラス基板 １０３ 信号線 １０４ 画素電極 １０６ 共通電極 １０７ 液晶 １１０ 保護絶縁膜 １２０ ＴＦＴ側配向膜 １２２ 対向側配向膜 １３０ 層間絶縁膜 １４２ 色層 １４３ 対向側偏光板 １４５ ＴＦＴ側偏光板 ２００ 対向側基板 ２０２ 平坦化膜 ２０３ 遮光膜 ２３０ 高誘電率絶縁膜 ３００ 液晶表示パネル ３０２ スペーサ ４００ バックライト ５００ 駆動回路 ５０２ 走査線 ５０３ 薄膜トランジスタ ５０４ 半導体膜 ５０５ 溝 ６００ ａ−Ｓｉ ６０１ 第１層間絶縁膜 ６０２ 第２層間絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA14 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB11 JB13 JB23 JB32 JB54 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KB28 MA13 NA01 NA07 NA11 NA25 PA02 QA06 QA18
Claims (11)
- 【請求項１】２枚の対向する透明絶縁性基板を有し、第
１の基板上には、複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線の各交点近傍に設けた薄膜トラ
ンジスタと、前記走査線と略平行して延在し、前記走査
線側に向かって延びる複数の櫛歯状の突出部を有する共
通電極と、前記基板の法線方向から見て、前記共通電極
の相隣る櫛歯状の突出部の間隙に該櫛歯状の突出部に略
平行して形成され、層間絶縁膜を介して、その少なくと
も一部が前記共通電極と相重なる画素電極と、その上層
に保護絶縁膜を介して形成される第１の配光膜と、を備
え、第２の基板上には、前記画素電極に対向する領域に
開口を設けたブラックマトリクスと、第２の配光膜を有
し、前記画素電極と前記共通電極との間に印加した電圧
で液晶層に略平行な電界を発生させることにより、前記
２枚の対向する基板の間に挟持された液晶を制御するア
クティブマトリクス型液晶表示装置であって、 前記画素電極と前記共通電極との間の蓄積容量が、均一
な厚さで平坦な構造の層間絶縁膜のみにより形成される
場合よりも、大となる手段を設けたことを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】前記蓄積容量が大となる手段が、前記第１
の基板内部であって、前記基板の法線方向から見て、前
記共通電極の櫛歯状の突出部と前記画素電極に挟まれる
領域に、所定の誘電率の誘電体を配設した構造からな
る、ことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。 - 【請求項３】前記蓄積容量が大となる手段が、前記基板
の法線方向から見て、前記共通電極と前記画素電極とが
重なる領域の少なくとも一部に所定の凹凸を設け、前記
共通電極と前記画素電極とが相向かい合う面積を大とす
る構造からなる、ことを特徴とする請求項１記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】前記蓄積容量が大となる手段が、前記基板
の法線方向から見て、前記共通電極と画素電極とが重な
る領域の少なくとも一部において、前記層間絶縁膜を、
他の領域よりも薄くした構造からなる、ことを特徴とす
る請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項５】前記蓄積容量が大となる手段が、前記基板
の法線方向から見て、前記共通電極と前記画素電極とが
相重なる領域の少なくとも一部において、前記層間絶縁
膜を所定の誘電率の誘電体とした、ことを特徴とする請
求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】前記層間絶縁膜が、少なくとも２層以上の
積層構造をなし、前記基板の法線方向から見て、前記共
通電極と画素電極とが重なる領域の少なくとも一部にお
いて、積層をなす前記層間絶縁膜の少なくとも１層以上
が除去されている、ことを特徴とする請求項４記載のア
クティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】前記層間絶縁膜が、前記保護絶縁膜、前記
第１の基板のいずれよりも高い誘電率を有する透明誘電
体からなる、ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれ
か一に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】前記所定の誘電率の誘電体が、前記層間絶
縁膜、前記保護絶縁膜、前記第１の基板のいずれよりも
高い誘電率を有する透明誘電体からなる、ことを特徴と
する請求項５記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項９】前記透明誘電体が、酸化チタンからなる、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記所定の誘電率の誘電体が、前記薄膜
トランジスタを形成する半導体層からなる、ことを特徴
とする請求項８記載のアクティブマトリクス型液晶表示
装置。 - 【請求項１１】請求項２乃至５記載の特徴の、少なくと
も２以上の特徴を備えたアクティブマトリクス型液晶表
示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10209148A JP3127894B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| TW088110844A TW557384B (en) | 1998-07-24 | 1999-06-28 | Active matrix-type liquid crystal display device |
| NL1012470A NL1012470C2 (nl) | 1998-07-24 | 1999-06-29 | Weergave-inrichting met vloeibare kristallen van het type met actieve matrix. |
| CN99109819A CN1103062C (zh) | 1998-07-24 | 1999-07-15 | 有源矩阵型液晶显示器件 |
| US09/357,060 US6404474B1 (en) | 1998-07-24 | 1999-07-19 | Horizontal electric field LCD with increased capacitance between pixel and common electrodes |
| KR1019990030005A KR100313726B1 (ko) | 1998-07-24 | 1999-07-23 | 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10209148A JP3127894B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000039626A true JP2000039626A (ja) | 2000-02-08 |
| JP3127894B2 JP3127894B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=16568114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10209148A Expired - Lifetime JP3127894B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6404474B1 (ja) |
| JP (1) | JP3127894B2 (ja) |
| KR (1) | KR100313726B1 (ja) |
| CN (1) | CN1103062C (ja) |
| NL (1) | NL1012470C2 (ja) |
| TW (1) | TW557384B (ja) |
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| US11493811B2 (en) | 2020-07-28 | 2022-11-08 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
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- 1998-07-24 JP JP10209148A patent/JP3127894B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1999
- 1999-06-28 TW TW088110844A patent/TW557384B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-29 NL NL1012470A patent/NL1012470C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1999-07-15 CN CN99109819A patent/CN1103062C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-19 US US09/357,060 patent/US6404474B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3127894B2 (ja) | 2001-01-29 |
| TW557384B (en) | 2003-10-11 |
| US6404474B1 (en) | 2002-06-11 |
| KR100313726B1 (ko) | 2001-11-26 |
| KR20000011930A (ko) | 2000-02-25 |
| NL1012470C2 (nl) | 2005-02-07 |
| CN1246639A (zh) | 2000-03-08 |
| CN1103062C (zh) | 2003-03-12 |
| NL1012470A1 (nl) | 2000-01-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071110 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110 Year of fee payment: 8 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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