IT1261716B - Memoria di sola lettura a maschera a programmazione di dati dopo formazione delle linee dei bit. - Google Patents

Memoria di sola lettura a maschera a programmazione di dati dopo formazione delle linee dei bit.

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IT1261716B
IT1261716B ITMI921962A ITMI921962A IT1261716B IT 1261716 B IT1261716 B IT 1261716B IT MI921962 A ITMI921962 A IT MI921962A IT MI921962 A ITMI921962 A IT MI921962A IT 1261716 B IT1261716 B IT 1261716B
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    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
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    • G11C17/123—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices comprising cells having several storage transistors connected in series
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Abstract

Memoria di sola lettura a maschera (ROM maschera) in un dispositivo di memoria a semiconduttore con una regione di diffusione di un dato tipo di conduttività estendentesi in una prima direzione e separata da un'altra mediante una regione isolante, ed una linea di parole estendentesi in una seconda direzione perpendicolare alla prima direzione e parallela ad un'altra linea di parole, ed una linea di bit estendentesi nella prima direzione entro una regione formata su una disposizione delle linee di parole e corrispondente alla regione isolante tra le regioni di diffusione, e contattante la linea delle parole attraverso una data regione di contatto. Pertanto, poiché la linea di bit è separata dalla regione di diffusione di un dato intervallo, il tempo di elaborazione o "turn around time (TAT)" può essere grandemente ridotto.
ITMI921962A 1991-09-04 1992-08-07 Memoria di sola lettura a maschera a programmazione di dati dopo formazione delle linee dei bit. IT1261716B (it)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2683078A1 (fr) * 1991-10-29 1993-04-30 Samsung Electronics Co Ltd Memoire morte a masque de type non-et.
KR100446603B1 (ko) * 1997-12-12 2004-11-03 삼성전자주식회사 강유전성액정화합물,이를포함한액정조성물및이를채용한액정표시소자
DE10254155B4 (de) 2002-11-20 2010-12-09 Infineon Technologies Ag Maskenprogrammierbares ROM-Bauelement
CN100343920C (zh) * 2004-07-14 2007-10-17 义隆电子股份有限公司 适用字符线金属导线技术的平面单元只读存储器
US7953595B2 (en) 2006-10-18 2011-05-31 Polycom, Inc. Dual-transform coding of audio signals

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156993A (en) * 1980-05-08 1981-12-03 Fujitsu Ltd Read only memory
GB2102623B (en) * 1981-06-30 1985-04-11 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing a semiconductors memory device
JPS6329579A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Hitachi Ltd 縦型ｒｏｍ
IT1217403B (it) * 1988-04-12 1990-03-22 Sgs Thomson Microelectronics Matrice di memoria a tovaglia con celle eprom sfalsate

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