KR910008836A - 반도체기억장치 - Google Patents

반도체기억장치 Download PDF

Info

Publication number
KR910008836A
KR910008836A KR1019900016663A KR900016663A KR910008836A KR 910008836 A KR910008836 A KR 910008836A KR 1019900016663 A KR1019900016663 A KR 1019900016663A KR 900016663 A KR900016663 A KR 900016663A KR 910008836 A KR910008836 A KR 910008836A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cell array
memory cell
signal lines
lines
memory device
Prior art date
Application number
KR1019900016663A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940001288B1 (ko
Inventor
무네히로 요시다
슈소 후지이
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR910008836A publication Critical patent/KR910008836A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940001288B1 publication Critical patent/KR940001288B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 1실시예에 따른 전원선 및 접지선을 나타낸 배선패턴의 개략도
제 2 도는 메모리셀어레이영역상에 배선된 전원선 및 접지선을 상세히 나타낸 배선 패턴도.
제 3 도는 본 발명의 반도체기억장치를 실제의 16MDRAM에 적용한 경우를 나타낸 개략도.

Claims (4)

  1. 메모리셀어레이영역(12,12')과, 이 메모리셀어레이상에 배선되는 복수의 신호선(16) 및, 규칙적으로 상기 신호선(16)사이에 배선됨과 더불어 그 신호선(16)과 동등한 형상으로 되도록 형성되는 복수의 전원선(d1∼dn)및 접지선 (S1∼Sn)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 신호선은 컬럼선택적인 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 신호선은 컬럼심호·독출·기록선인 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  4. 적어도 2개의 메모리셀어레이영역(12,12')과, 이 메모리셀어레이영역(12,12')사이에 배치되는 주변회로영역(13), 상기 메모리셀어레이영역(12,12')상에 배선되는 복수의 신호선(16), 규칙적으로 상기 신호선(16)사이에 배선됨과 더불어 그 신호선(16)과 동등한 형상으로 되도록 형성되어 상기 주변회로영역(13)에 접속되는 복수의 전원선(d1∼dn)및 접지선 (S1∼Sn)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900016663A 1989-10-19 1990-10-19 반도체 기억장치 KR940001288B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1270381A JPH07114259B2 (ja) 1989-10-19 1989-10-19 半導体記憶装置
JP1-270381 1989-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910008836A true KR910008836A (ko) 1991-05-31
KR940001288B1 KR940001288B1 (ko) 1994-02-18

Family

ID=17485467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900016663A KR940001288B1 (ko) 1989-10-19 1990-10-19 반도체 기억장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5231607A (ko)
EP (1) EP0423825B1 (ko)
JP (1) JPH07114259B2 (ko)
KR (1) KR940001288B1 (ko)
DE (1) DE69024167T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10998268B2 (en) 2019-01-16 2021-05-04 SK Hynix Inc. Semiconductor device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2758504B2 (ja) * 1990-07-06 1998-05-28 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
JP3082323B2 (ja) * 1991-07-30 2000-08-28 ソニー株式会社 メモリモジュール
US5325336A (en) * 1992-09-10 1994-06-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device having power line arranged in a meshed shape
JP3354231B2 (ja) * 1993-09-29 2002-12-09 三菱電機エンジニアリング株式会社 半導体装置
JPH08195083A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Toshiba Microelectron Corp 半導体記憶装置
JPH0955482A (ja) * 1995-06-08 1997-02-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3556388B2 (ja) * 1996-04-23 2004-08-18 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体メモリ装置
US5936877A (en) 1998-02-13 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Die architecture accommodating high-speed semiconductor devices
JP4212171B2 (ja) * 1999-01-28 2009-01-21 株式会社ルネサステクノロジ メモリ回路／ロジック回路集積システム
US7388289B1 (en) * 1999-09-02 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Local multilayered metallization
EP1113368A3 (en) * 1999-12-27 2001-09-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit with cache
JP2012252762A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Elpida Memory Inc 半導体装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5840344B2 (ja) * 1980-06-10 1983-09-05 富士通株式会社 半導体記憶装置
JPS5780828A (en) * 1980-11-07 1982-05-20 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPS57124463A (en) * 1981-01-26 1982-08-03 Nec Corp Semiconductor device
JPS58114392A (ja) * 1981-12-07 1983-07-07 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4695978A (en) * 1984-11-15 1987-09-22 Fujitsu Limited Semiconductor memory device
KR910008099B1 (ko) * 1988-07-21 1991-10-07 삼성반도체통신주식회사 메모리 칩의 파워 및 시그널라인 버싱방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10998268B2 (en) 2019-01-16 2021-05-04 SK Hynix Inc. Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DE69024167D1 (de) 1996-01-25
EP0423825A3 (en) 1992-03-04
DE69024167T2 (de) 1996-05-30
US5231607A (en) 1993-07-27
KR940001288B1 (ko) 1994-02-18
JPH03133174A (ja) 1991-06-06
EP0423825A2 (en) 1991-04-24
JPH07114259B2 (ja) 1995-12-06
EP0423825B1 (en) 1995-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890002886A (ko) 반도체 기억장치
KR900010998A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR840003146A (ko) 다이나믹(Dynamic) RAM 집적회로 장치
KR910010508A (ko) 반도체 장치
KR890001090A (ko) 메모리 집적회로
KR860002866A (ko) 반도체 집적회로장치
KR890016573A (ko) 반도체기억장치
KR880000965A (ko) 반도체 기억장치
KR910008836A (ko) 반도체기억장치
KR920006997A (ko) 용장회로(冗長回路)
KR920008925A (ko) 반도체집적회로
KR900002317A (ko) 메모리 칩의 파워 및 시그널라인 버싱방법
KR950010089A (ko) 개선된 패드의 배치를 구비한 반도체 집적회로 장치
KR930005020A (ko) 망사 구조의 전원선을 가지는 반도체 메모리 장치
KR870008316A (ko) 반도체 기억장치
KR880010421A (ko) 오픈 비트선 구조를 가지는 다이나믹형 랜덤 억세스 메모리
KR870002583A (ko) 반도체 기억장치
DE3779389D1 (de) Halbleiterspeicherschaltung mit schnellem leseverstaerker und dreistand-bustreiber.
KR910008730A (ko) 반도체 기억장치
KR890004333A (ko) 반도체 메모리 장치
DE3686926D1 (de) Taktsignalgeneratorschaltung fuer eine dynamische halbleiterspeicheranordnung.
KR920001708A (ko) 반도체 집적회로
KR910008726A (ko) 반도체기억장치
KR970053599A (ko) 서브워드라인 드라이버 구조를 가지는 반도체메모리장치
KR910010715A (ko) 반도체 메모리

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080128

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee