DK200101478A - Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning - Google Patents

Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning Download PDF

Info

Publication number
DK200101478A
DK200101478A DK200101478A DKPA200101478A DK200101478A DK 200101478 A DK200101478 A DK 200101478A DK 200101478 A DK200101478 A DK 200101478A DK PA200101478 A DKPA200101478 A DK PA200101478A DK 200101478 A DK200101478 A DK 200101478A
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
monocrystal
producing
zone melting
melt
zone
Prior art date
Application number
DK200101478A
Other languages
English (en)
Inventor
Virbulis Janis
Ammon Wilfried Von
Muiznieks Andris
Raming Georg
Original Assignee
Wacker Siltronic Halbleitermat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic Halbleitermat filed Critical Wacker Siltronic Halbleitermat
Publication of DK200101478A publication Critical patent/DK200101478A/da
Application granted granted Critical
Publication of DK176384B1 publication Critical patent/DK176384B1/da

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/26—Stirring of the molten zone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating
    • C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

PATENTKRAV: 1. Fremgangsmåde til fremstilling af en monokrystal ved zonesmeltning, hvorved den med en induktionsspole frembragte smelte udsættes for mindst ét roterende magnetfelt og bringes til størkning, og den ved størkning af smelten opståede monokrystal bliver drejet, kendetegnet ved, at monokrystallen og magnetfeltet bliver drejet med modsatrettede omdrejnings-retninger. 2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at monokrystallen bliver frembragt med en diameter på mindst 3" (76,2 mm). 3. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller krav 2, kendetegnet ved, at feltstyrken af magnetfeltet ligger i området fra 0,1 til 20 mT. 4. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 3, kendetegnet ved, at frekvensen af magnetfeltet ligger i området fra 10 til 1000 Hz. 5. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 4, kendetegnet ved, at smelten udsættes for yderligere et roterende magnetfelt. 6. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at magnetfelterne påføres smelten således, at et indre område af smelten roterer modsatrettet i forhold til et ydre område af smelten, hvorved der opstår en blandingszone mellem det ydre område og det indre område. 7. Fremgangsmåde ifølge krav 6, kendetegnet ved, at blandingszonen ved variation af amplituderne og/eller frekvenserne af magnetfelterne forskydes radialt. 8. Fremgangsmåde ifølge krav 6, kendetegnet ved, at blandingszonens radiale position varieres over tid.
DK200101478A 2000-10-19 2001-10-08 Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning DK176384B1 (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10051885 2000-10-19
DE2000151885 DE10051885B4 (de) 2000-10-19 2000-10-19 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DK200101478A true DK200101478A (da) 2002-04-20
DK176384B1 DK176384B1 (da) 2007-10-22

Family

ID=7660356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK200101478A DK176384B1 (da) 2000-10-19 2001-10-08 Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3699671B2 (da)
DE (1) DE10051885B4 (da)
DK (1) DK176384B1 (da)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10216609B4 (de) * 2002-04-15 2005-04-07 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE10328859B4 (de) * 2003-06-20 2007-09-27 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen
DE102005063346B4 (de) 2005-04-06 2010-10-28 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Si-Scheibe mit annähernd rundem polygonalem Querschnitt
CN102586859A (zh) * 2012-03-10 2012-07-18 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3401021A (en) * 1961-08-01 1968-09-10 Westinghouse Electric Corp Apparatus of zone refining and controlling solute segregation in solidifying melts by electromagnetic means
US4659423A (en) * 1986-04-28 1987-04-21 International Business Machines Corporation Semiconductor crystal growth via variable melt rotation
DD263310A1 (de) * 1987-08-17 1988-12-28 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur halbleiterkristallzuechtung aus elektrisch leitfaehigen schmelzen

Also Published As

Publication number Publication date
DK176384B1 (da) 2007-10-22
DE10051885A1 (de) 2002-05-02
JP3699671B2 (ja) 2005-09-28
DE10051885B4 (de) 2007-07-12
JP2002160993A (ja) 2002-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK200101478A (da) Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning
CA2141799C (en) A method and a device for stirring a molten metal
CA2279909A1 (en) Method for casting molten metal, apparatus for the same and cast slab
DE3361490D1 (en) Process for casting metals using magnetic fields
JPS5731353A (en) Speed detector for sewing machine
DE69904329T2 (de) Verdichtung eines teilförmigen schüttguts
DK1246813T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af Citalopram
DK200300588A (da) Doteret halvlederskive af zonetrukket halvledermateriale samt fremgangsmåde til fremstilling af halvlederskiven
JP2008513214A (ja) タンディッシュまたはとりべのそれぞれの排出の間に、タンディッシュまたはとりべにおいて生じる渦を抑制するための方法および設備
DK0979614T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et jern-valleproteolysatkompleks
JPH02268947A (ja) 連続鋳造機におけるモールドの振動発生装置
SE0203038L (sv) Sätt och anordning för framställning av fint pulver av järn eller stål
Riedel et al. Fracture-severing of conventional steel connecting rods
JPH0337455B2 (da)
RU2017576C1 (ru) Способ получения слитков
Jiang et al. Bionics growth mechanism of nodular eutectic in as-cast manganese steel
JPS53114716A (en) Improving method for properties of nodular graphite cast iron tube
RU2001131208A (ru) Способ подготовки алюминиевого раскислителя стали
JPH067906A (ja) 溶鋼流路の閉塞防止法
SU1639902A1 (ru) Способ вакуумной капилл рной пайки
CA2187404A1 (en) Process for manufacturing a metal ingot with thixotropic properties
Turevskii et al. Methods for Controlling the Vibro-Ageing of Iron Castings
GB2363119B (en) Method of manufacture of ceramic materials
JPS5551331A (en) Vibration adding device
JPH02170911A (ja) 溶鋼の精錬方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed

Effective date: 20131031