DE10051885B4 - Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen - Google Patents

Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen Download PDF

Info

Publication number
DE10051885B4
DE10051885B4 DE2000151885 DE10051885A DE10051885B4 DE 10051885 B4 DE10051885 B4 DE 10051885B4 DE 2000151885 DE2000151885 DE 2000151885 DE 10051885 A DE10051885 A DE 10051885A DE 10051885 B4 DE10051885 B4 DE 10051885B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
melt
magnetic field
single crystal
pulling
rotating magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE2000151885
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE10051885A1 (de
Inventor
Wilfried Von Dr. Ammon
Janis Dr. Virbulis
Andris Dr. Muiznieks
Georg Raming
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic AG filed Critical Siltronic AG
Priority to DE2000151885 priority Critical patent/DE10051885B4/de
Priority to DK200101478A priority patent/DK176384B1/da
Priority to JP2001320567A priority patent/JP3699671B2/ja
Publication of DE10051885A1 publication Critical patent/DE10051885A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10051885B4 publication Critical patent/DE10051885B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/26—Stirring of the molten zone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating
    • C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE2000151885 2000-10-19 2000-10-19 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen Expired - Fee Related DE10051885B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2000151885 DE10051885B4 (de) 2000-10-19 2000-10-19 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen
DK200101478A DK176384B1 (da) 2000-10-19 2001-10-08 Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning
JP2001320567A JP3699671B2 (ja) 2000-10-19 2001-10-18 ゾーンプーリングによる単結晶のプーリング法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2000151885 DE10051885B4 (de) 2000-10-19 2000-10-19 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10051885A1 DE10051885A1 (de) 2002-05-02
DE10051885B4 true DE10051885B4 (de) 2007-07-12

Family

ID=7660356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2000151885 Expired - Fee Related DE10051885B4 (de) 2000-10-19 2000-10-19 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3699671B2 (da)
DE (1) DE10051885B4 (da)
DK (1) DK176384B1 (da)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10216609B4 (de) * 2002-04-15 2005-04-07 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE10328859B4 (de) * 2003-06-20 2007-09-27 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen
DE102005063346B4 (de) 2005-04-06 2010-10-28 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Si-Scheibe mit annähernd rundem polygonalem Querschnitt
CN102586859A (zh) * 2012-03-10 2012-07-18 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3401021A (en) * 1961-08-01 1968-09-10 Westinghouse Electric Corp Apparatus of zone refining and controlling solute segregation in solidifying melts by electromagnetic means
EP0247297A2 (en) * 1986-04-28 1987-12-02 International Business Machines Corporation Semiconductor crystal growth via variable melt rotation
DD263310A1 (de) * 1987-08-17 1988-12-28 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur halbleiterkristallzuechtung aus elektrisch leitfaehigen schmelzen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3401021A (en) * 1961-08-01 1968-09-10 Westinghouse Electric Corp Apparatus of zone refining and controlling solute segregation in solidifying melts by electromagnetic means
EP0247297A2 (en) * 1986-04-28 1987-12-02 International Business Machines Corporation Semiconductor crystal growth via variable melt rotation
DD263310A1 (de) * 1987-08-17 1988-12-28 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur halbleiterkristallzuechtung aus elektrisch leitfaehigen schmelzen

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C.W. Lan et al.:Modulating dopant segregation in floating-zone silicon growth in magnetic fields using rotation. In: Journal of Crystal Growth 180, 1997, S. 381-387
C.W. Lan et al.:Modulating dopant segregation in floating-zone silicon growth in magnetic fields using rotation. In: Journal of Crystal Growth 180,1997, S. 381-387 *
Senchenkov, A.S. et al.,:Automatic polizon Facili- ty for space experiments on the russian. foton sa- tellite. In: Eur. Space Agency SP-454 (Vol. 2) Jan., 2000, S. 1031-1037
Senchenkov, A.S. et al.,:Automatic polizon Facili-ty for space experiments on the russian. foton sa-tellite. In: Eur. Space Agency SP-454 (Vol. 2) Jan., 2000, S. 1031-1037 *

Also Published As

Publication number Publication date
DK176384B1 (da) 2007-10-22
DE10051885A1 (de) 2002-05-02
JP3699671B2 (ja) 2005-09-28
DK200101478A (da) 2002-04-20
JP2002160993A (ja) 2002-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2190612B1 (de) Verfahren und einrichtung zum elektromagnetischen rühren von elektrisch leitenden flüssigkeiten
DE102005063346B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Si-Scheibe mit annähernd rundem polygonalem Querschnitt
DE10137856B4 (de) Durch tiegelloses Zonenziehen hergestellter Einkristall aus Silicium
DE10259588B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium
DE10216609B4 (de) Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE10051885B4 (de) Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen
DE2538854C3 (da)
DE202009006850U1 (de) Mixersystem mit einem Behälter
DE3805118C2 (da)
DE10339792B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium
DE102011005519A1 (de) Verfahren zum Granulieren oder Agglomerieren sowie Werkzeug hierfür
DE102010041061B4 (de) Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist
DE1583601A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kuehlen eines schmelzfluessigen Metallstranges
DE2911842A1 (de) Verfahren zum umruehren beim stranggiessen
WO2011076157A1 (de) Verfahren und anordnung zur beeinflussung der schmelzkonvektion bei der herstellung eines festkörpers aus einer elektrisch leitfähigen schmelze
WO2001055464A1 (de) Druckgiessverfahren und vorrichtung zu seiner durchführung
DE69917938T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum stranggiessen von metallen
DE10000097A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Metallfaserherstellung nach dem Schmelzextraktionsverfahren
DE112012000360T5 (de) Einkristall-Herstellungsvorrichtung und Einkristall-Herstellungsverfahren
DE10328859B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen
DE4103575A1 (de) Verfahren zur kristallisation von fettemulsionen oder fettschmelzen
WO2014202284A1 (de) Kristallisationsanlage und kristallisationsverfahren zur kristallisation aus elektrisch leitenden schmelzen sowie über das verfahren erhältliche ingots
DE102004034798A1 (de) Rührsystem für Glasschmelzen
DE102009056000A1 (de) Verfahren zum Gießen von flüssigen Metallen
DE2640641A1 (de) Verfahren zum einstellen einer stabilen schmelzzone beim tiegelfreien zonenschmelzen eines halbleiterkristallstabes

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140501