DK176384B1 - Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning - Google Patents

Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning Download PDF

Info

Publication number
DK176384B1
DK176384B1 DK200101478A DKPA200101478A DK176384B1 DK 176384 B1 DK176384 B1 DK 176384B1 DK 200101478 A DK200101478 A DK 200101478A DK PA200101478 A DKPA200101478 A DK PA200101478A DK 176384 B1 DK176384 B1 DK 176384B1
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
melt
monocrystal
magnetic field
flow
rotation
Prior art date
Application number
DK200101478A
Other languages
English (en)
Inventor
Janis Virbulis
Wilfried Von Ammon
Andris Muiznieks
Georg Raming
Original Assignee
Siltronic Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic Ag filed Critical Siltronic Ag
Publication of DK200101478A publication Critical patent/DK200101478A/da
Application granted granted Critical
Publication of DK176384B1 publication Critical patent/DK176384B1/da

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/26Stirring of the molten zone
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • C30B13/30Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

DK 176384 B1
Opfindelsen omhandler en fremgangsmåde til fremstilling af en monokrystal ved zonesmeltning, ved hvilken en med en induktionsspole frembragt smelte udsættes for mindst ét roterende magnetfelt og bringes til størkning, og den ved smeltens størkning fremkomne monokrystal bliver drejet.
5
Anvendelsen af et roterende magnetfelt ved zonesmeltning er eksempelvis beskrevet i DD-263 310 A1. Ganske vist sigter den i dette skrift foreslåede fremgangsmåde på standardiseringen af diffusionsgrænselagstykkelsen, mens den foreliggende opfindelse løser opgaven at opnå en så vidt muligt homogen fordeling af doteringsstoffer i 10 smelten og at opnå en monokrystal.
Hidtil er det blevet forsøgt at opnå homogeniseringen af doteringsstoffordelingen ved variation af krystaldrejningen, gennem forskydning af induktionsspolen relativt til krystalaksen og gennem ændring af induktionsspolens form. En ulempe ved denne 15 foranstaltning er, at den ofte fører til forhøjelse af forskydningshastigheden og til forringelse af processtabiliteten.
Opfindelsen omhandler en fremgangsmåde til fremstilling af en monokrystal ved zonesmeltning, ved hvilken en med en induktionsspole frembragt smelte udsættes for 20 mindst ét roterende magnetfelt og bringes til størkning, og den ved smeltens størkning fremkomne monokrystal bliver drejet, kendetegnet ved, at monokrystallen og magnetfeltet bliver drejet i modsat omdrejningsretning.
Beskrivelsen af opfindelsen omfatter også figurer. Fig. 1 viser en anordning, der er 25 egnet til gennemførelsen af fremgangsmåden. Fig. 2 til 5 gengiver de i simulationsberegningerne beregnede strømningsforhold i smelten, hvor der i hvert enkelt tilfælde kun er vist den ene af to symmetriske halvdele af et snit gennem smelten. Fig. 6 til 8 tydeliggør virkningen af de af opfindelsen omfattede fremgangsmåder på den radiale modstandsfordeling og dermed også på fordelingen af doteringsstoffer.
30
Den i fig. 1 illustrerede anordning omfatter en monokrystal 4, der over en smelte 3 er forbundet med en polykrystallinsk forrådsstang 1. Smelten bliver frembragt af en induktionsspole 2. Ved sænkning af monokrystallen størkner en del af smelten, hvorved volumenet af monokrystallen tiltager. Samtidig bevirker induktionsspolen, at 35 materialet fra forrådsstangen bliver smeltet og på denne måde forøges smeltens volumen. Omfattet af opfindelsen ses mindst en flerpolet magnet 5, eksempelvis en 2 DK 176384 B1 vekselstrømselektromotor med flerpolet stator, der frembringer et magnetfelt der roterer modsat monokrystallens omdrejningsretning. I figuren er magnetfeltets feltlinier 6 fremstillet som pile.
5 Doteringsstoffordelingen i monokrystallen bliver påvirket af strømningsforholdene i smelten og af grænselagsdiffusion. Strømningen i smelten, der bliver frembragt af de termiske, Marangoni- og elektromagnetiske kræfter, har specielt for monokrystaller med store diametre en typisk tohvirvelstruktur, der er illustreret i fig. 2. I den centrale hvirvel 10, der har kontakt med en polykrystallinsk forrådsstang, er doterings-10 stofkoncentrationen mindre end i en ydre hvirvel 20. Så længe disse koncentrationsforskelle i begge hvirvler eksisterer, forbliver en formindskelse af forskellen af diffusionsgrænselagstykkelsen, hvad angår en radial doteringsstofhomogenisering, virkningsløs.
15 Opfinderen fandt ud af, at det med de af kravene omfattede fremgangsmåder lykkedes at forandre den typiske tohvirvelstruktur af smelten med en i centrum af smelten nedadrettet strømning, og at den radiale homogenitet af doteringsstoffordelingen derigennem tydeligt lod sig forbedre.
20 Tohvirvelstrukturen blev ændret ved hjælp af en tvungen konvektion. Bedst egnet er en volumenkraft, der virker i det samlede smeltevolumen. Yderligere tilstræbes det, at strømningen i centrum af smelten er rettet opad (mod forrådsstangen), fordi smelten ellers bliver bragt direkte fra forrådsstangen og nedad (til monokrystallen). Som omfattet af opfindelsen lykkedes dette ved anvendelse af mindst ét roterende 25 magnetfelt, der til forskel for fremgangsmåden, der er beskrevet i DD-263 310 A1, skal rotere modsat omdrejningsretningen af monokrystallen. Såfremt monokrystallen underkastes en vekslende rotation (periodisk skift af omdrejningsretningen), hvilket også ifølge det af opfindelsen omfattede er muligt, er den over tid gennemsnitlige krystalrotation bestemmende for definitionen af omdrejningsretningen for krystallen.
30 Uden den modsatrettede drejning af magnet og monokrystal løber strømningsretningen nedad i centrum af smelten. Den doteringsstoffattige smelte bliver ført direkte til centrum af monokrystallen og dermed forringes homogeniteten af den radiale inkorporering af doteringsstoffer tydeligt. Yderligere bliver den i forvejen bestående forskydningsfare, på grund af ikke-smeltede partikler, der kommer direkte 35 fra forrådsstangen til monokrystallen, yderligere forhøjet.
3 DK 176384 B1
Det modsat omdrejningsretningen for monokrystallen roterende magnetfelt bevirker en volumenkraft i azimutal retning i smelten. Ifølge en særlig foretrukken udførelsesform af fremgangsmåderne bliver denne volumenkraft benyttet til at frembringe en enkelt hvirvel ved tvungen konvektion i smelten med en strømning, der forløber opad i 5 centrum af smelten. Denne mod forrådsstangen rettede strømning i centrum af smelten bevirker, at de fra forrådsstangen kommende ikke-smeltede partikler og doteringsstoffattige smelteområder ikke transporteres direkte til monokrystallen, men først bliver godt blandet i smelten. Partiklerne får derigennem tilstrækkelig tid til at smelte fuldstændig. For at opnå den foretrukne ændring fra tohvirvelstruktur til 10 enhvirvelstruktur, må feltstyrken af magnetfeltet tilpasses de forhåndenværende procesvilkår. Den optimale feltstyrke er afhængig af andre procesparametre såsom magnetfeltets frekvens, diameteren og omdrejningshastigheden af monokrystallen, trækkehastigheden og formen af den anvendte induktionsspole. Den kan derfor fastsættes gennem testforsøg. Opfinderens forsøg har vist, at fremgangsmåderne 15 fortrinsvis kan benyttes til frembringelse af monokrystaller af silicium, der har en diameter på mindst 3" (76,2 mm), hvor monokrystallen fortrinsvis bliver frembragt med feltstyrker fra 0,1 til 20 mT, særligt foretrukket fra 1 til 5 mT. Frekvensen af det roterende magnetfelt ligger fortrinsvis ved 10 til 1000 Hz, særligt foretrukket ved 50 til 500 Hz.
20
Ved en samtidig anvendelse af to roterende magnetfelter med forskellige frekvenser og over tid variable amplituder kan man yderligere forbedre blandingen af smelten og den radiale homogenisering af doteringsstoffer, og nærmere bestemt være uafhængig af forekomsten af en enhvirvelstruktur eller en tohvirvelstruktur i smelten. Felter med 25 forskellige frekvenser har forskellige Indtrængningsdybder i smelten og virker som følge deraf på forskellige områder af smelten.
Når der kun eksisterer en hvirvel i smelten, der er blevet frembragt ved anvendelse af et roterende magnetfelt ifølge den for opfindelsen foretrukne udførelsesform, kan 30 yderligere indvirkning på strømningsforholdene i hvirvelstrukturen opnås ved tilpasning af feltstyrken og/eller frekvensen af det ene af de to magnetfelter og doteringsstoffordelingen kan indstilles endnu mere præcist.
Når der forekommer en tohvirvelstruktur I smelten, kan de to roterende felter med 35 forskellige frekvenser og/eller forskellige amplituder anvendes på smelten, således at den indre del af smelten roterer i modsat retning i forhold til den ydre del af smelten.
4 DK 176384 B1
Ved tidsafhængig variation af amplituderne og/eller frekvenserne lod omvendingspunktet for hastighedsfelterne sig forandre over tid, og dermed styredes blandingen af smelten radialt. Derigennem blev forskelle i doteringsstofkoncentrationerne mellem de to hvirvler udlignet.
5
Eksempel
For at demonstrere indflydelsen af de roterende magnetfelter på strømningen og doteringsstoffordelingen i smelten blev simulationsberegninger gennemført. Først blev 10 smeltezonens form beregnet. Derefter blev strømningen i smelten og doteringsstoffordelingen ved størkningsfronten beregnet afhængigt af tid. Ved simulationen blev Finite-Elemente-metoden anvendt. Beregningerne blev foretaget på grundlag af flg. forudsætninger: en krystaldiameter på 4" (101,6 mm), en krystalrotation på 5 omdr./min. og en frekvens af det roterende magnetfelt på 50 Hz. Omdrejnings-15 retningen af magnetfeltet var modsatrettet i forhold til krystalomdrejningsretningen. Resultater af beregningerne er vist i fig. 2 til 8. I fig. 2 til 5 er vist strømfunktionen af strømningen i en meridional (r, z) flade. Strømfunktionens linier er parallelle med strømningsretningen, og mellem to linier flyder den tilsvarende massestrøm gennem.
Pilene angiver strømningens retning. I fig. 2 er strømningen uden roterende magnetfelt 20 vist. Man ser en tohvirvelstruktur med en central hvirvel 10 og en ydre hvirvel 20. I fig.
3 udgør induktionen af magnetfeltet 1 mT, og indvirkningen på strømningen er ubetydelig. I fig. 4 udgør induktionen 2 mT og den ydre, imod centrum af smelten rettede hvirvel, er blevet større. I fig. 5 udgør induktionen 3,5 mT og en enhvirvel-struktur er opstået.
25
Fig. 6 til 8 viser dimensionsløse (normaliserede) modstandsfordelinger på størkningsfronten på forskellige tidspunkter. Modstanden er omvendt proportional med doteringsstofkoncentrationen. I fig. 6 udgør induktionen af magnetfeltet 0 mT, i fig. 7 er værdien af induktionen 1 mT og i fig. 8 er den 3 mT. Fig. 6 til 8 viser at, den radiale 30 modstandsfordeling bliver mere homogen med forøget feltstyrke af det roterende magnetfelt.

Claims (7)

1. Fremgangsmåde til fremstilling af en monokrystal ved zonesmeltning, hvorved den med en induktionsspole frembragte smelte udsættes for mindst ét roterende 5 magnetfelt og bringes til størkning, og den ved størkning af smelten opståede monokrystal bliver drejet, kendetegnet ved, at monokrystallen og magnetfeltet bliver drejet med modsatrettede omdrejningsretninger, 10 og at frekvensen af magnetfeltet ligger i området fra 10 til 1000 Hz.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at monokrystallen bliver frembragt med en diameter på mindst 3" (76,2 mm).
3. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller krav 2, kendetegnet ved, at feltstyrken af magnetfeltet ligger i området fra 0,1 til 20 mT,
4. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 3, kendetegnet ved, at smelten udsættes for yderligere et roterende magnetfelt. 20
5. Fremgangsmåde ifølge krav 4, kendetegnet ved, at magnetfelterne påføres smelten således, at et indre område af smelten roterer modsatrettet i forhold til et ydre område af smelten, hvorved der opstår en blandingszone mellem det ydre område og det indre område. 25
5 DK 176384 B1
6. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at blandingszonen ved variation af amplituderne og/eller frekvenserne af magnetfelterne forskydes radialt.
7. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at blandingszonens radiale 30 position varieres over tid.
DK200101478A 2000-10-19 2001-10-08 Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning DK176384B1 (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2000151885 DE10051885B4 (de) 2000-10-19 2000-10-19 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen
DE10051885 2000-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DK200101478A DK200101478A (da) 2002-04-20
DK176384B1 true DK176384B1 (da) 2007-10-22

Family

ID=7660356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK200101478A DK176384B1 (da) 2000-10-19 2001-10-08 Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3699671B2 (da)
DE (1) DE10051885B4 (da)
DK (1) DK176384B1 (da)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10216609B4 (de) * 2002-04-15 2005-04-07 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE10328859B4 (de) * 2003-06-20 2007-09-27 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen
DE102005063346B4 (de) 2005-04-06 2010-10-28 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Si-Scheibe mit annähernd rundem polygonalem Querschnitt
CN102586859A (zh) * 2012-03-10 2012-07-18 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3401021A (en) * 1961-08-01 1968-09-10 Westinghouse Electric Corp Apparatus of zone refining and controlling solute segregation in solidifying melts by electromagnetic means
US4659423A (en) * 1986-04-28 1987-04-21 International Business Machines Corporation Semiconductor crystal growth via variable melt rotation
DD263310A1 (de) * 1987-08-17 1988-12-28 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur halbleiterkristallzuechtung aus elektrisch leitfaehigen schmelzen

Also Published As

Publication number Publication date
DE10051885B4 (de) 2007-07-12
JP2002160993A (ja) 2002-06-04
DK200101478A (da) 2002-04-20
JP3699671B2 (ja) 2005-09-28
DE10051885A1 (de) 2002-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060254498A1 (en) Silicon single crystal, and process for producing it
Cröll et al. Floating-zone growth of silicon in magnetic fields. II. Strong static axial fields
CA2688739C (en) Method and apparatus for producing a single crystal
US8337615B2 (en) Method for producing a monocrystalline Si wafer having an approximately polygonal cross-section and corresponding monocrystalline Si wafer
DK176384B1 (da) Fremgangsmåde til frembringelse af en monokrystal ved zonesmeltning
Li et al. Effect of a high magnetic field on the Al–Al3Ni fiber eutectic during directional solidification
JP2004292309A (ja) シリコン単結晶を製造するための方法及び装置、シリコン単結晶及びこれから切り出された半導体ウェーハ
JPH03505442A (ja) 半導体結晶材料の成長
JPH0455388A (ja) シリコン単結晶引上方法
US6113688A (en) Process for producing single crystals
Davies et al. A study of parameters to optimise the design of LPE dipping apparatus
DK176922B1 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en doteret halvlederskive ved zonetrækning af en enkrystal
EP0504929B1 (en) Method of growing silicon monocrystalline rod
JP6528003B2 (ja) 単結晶インゴット成長装置及びその成長方法
JP2827833B2 (ja) 単結晶育成法
Grants et al. Linear and non-linear stability of melt flows in magnetic fields
KR20110087035A (ko) 단결정 성장장치, 단결정 성장방법 및 이에 의해 성장된 단결정 잉곳과 웨이퍼
Martin et al. Application of a Heat Pipe to Czochralski Growth: Part I: Growth and Segregation Behavior of Ga‐Doped Ge
Mosel et al. Growth of high quality silicon mono ingots by the application of a magnetic cusp field in Cz puller
Sim et al. Effect of the ingot cooling on the grown-in defects in silicon Czochralski growth
Glacki VGF growth of 4” GaAs single crystals with traveling magnetic fields
Lan et al. A simple method for improving the stability of float zones under normal gravity
Quang et al. Influence of mechanical vibrations on microscopic growth rates in GaSb pulled crystals
Sakaguchi et al. Tip oscillation of dendritic patterns in a phase field model. II
Nikolov et al. Simulation studies of the hydrodynamics in high-temperature solutions for crystal growth. VI. Temperature fluctuations at the crystal/liquid interface

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed

Effective date: 20131031