JP6528003B2 - 単結晶インゴット成長装置及びその成長方法 - Google Patents
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Description
(付記1)
単結晶インゴットが成長するシリコン融液が収容されるるつぼ、
前記るつぼの周りに備えられ、水平方向に磁場を形成させる水平マグネット、及び、
前記水平マグネットを垂直方向に移動させるマグネット移動手段、
を含み、
前記マグネット移動手段は、
前記水平マグネットの最大磁場位置(Maximum gauss position:MGP)を前記るつぼに収容されたシリコン融液の固液界面よりも高く位置させ、
前記MGPの上昇率を3.5mm/hr〜6.5mm/hrに制御する、
単結晶インゴット成長装置。
前記マグネット移動手段は、
前記MGPが前記るつぼのシリコン融液の界面よりも150mm以上に位置するように前記水平マグネットの移動を制御する、
付記1に記載の単結晶インゴット成長装置。
前記マグネット移動手段は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でOi散布(Stdev)を0.04ppma以下に維持するために前記水平マグネットの移動を制御する、
付記1に記載の単結晶インゴット成長装置。
前記マグネット移動手段は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でBMD散布(Log BMDのStdev)を0.063Ea/cm3以下に維持するために前記水平マグネットの移動を制御する、
付記1に記載の単結晶インゴット成長装置。
前記マグネット移動手段は、
前記るつぼに収容されたシリコン融液の固化率40%以下で前記水平マグネットの移動を制御する、
付記1ないし付記4のいずれか一項に記載の単結晶インゴット成長装置。
単結晶インゴットをシリコン融液の界面から成長させる第1段階、
前記第1段階で単結晶インゴットが成長するシリコン融液に水平方向に磁場を形成させる第2段階、及び、
前記第2段階で形成された磁場の最大磁場位置(Maximum gauss position:MGP)を前記シリコン融液の界面よりも高く位置させ、前記MGPの上昇率を3.5mm/hr〜6.5mm/hrに制御する第3段階、
を含む、
単結晶インゴット成長方法。
前記第3段階は、
前記シリコン融液の固液界面よりも150mm以上に位置するように前記MGPを制御する過程を含む、
付記6に記載の単結晶インゴット成長方法。
前記第3段階は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でOi散布(Stdev)を0.04ppma以下に維持するために前記MGPを制御する過程を含む、
付記6に記載の単結晶インゴット成長方法。
前記第3段階は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でBMD散布(Log BMDのStdev)を0.063Ea/cm3以下に維持するために前記MGPを制御する過程を含む、
付記6に記載の単結晶インゴット成長方法。
前記第3段階は、
前記シリコン融液の固化率40%以下で前記MGPを制御する過程を含む、
付記6ないし付記9のいずれか一つに記載の単結晶インゴット成長方法。
Claims (10)
- 単結晶インゴットが成長するシリコン融液が収容されるるつぼ、
前記るつぼの周りに備えられ、水平方向に磁場を形成させる水平マグネット、
前記水平マグネットを垂直方向に移動させるマグネット移動手段、及び、
前記単結晶インゴットと前記シリコン融液の界面の位置を一定の高さに維持するために前記るつぼを上向き移動させる手段、
を含み、
前記マグネット移動手段は、
前記水平マグネットの最大磁場位置(Maximum gauss position:MGP)を前記るつぼに収容されたシリコン融液の固液界面よりも高く位置させ、
前記MGPの上昇率を3.5mm/hr〜6.5mm/hrに制御する、
単結晶インゴット成長装置。 - 前記マグネット移動手段は、
前記MGPが前記るつぼのシリコン融液の界面よりも150mm以上に位置するように前記水平マグネットの移動を制御する、
請求項1に記載の単結晶インゴット成長装置。 - 前記マグネット移動手段は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でOi散布(Stdev)を0.04ppma以下に維持するために前記水平マグネットの移動を制御する、
請求項1に記載の単結晶インゴット成長装置。 - 前記マグネット移動手段は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でBMD散布(Log BMDのStdev)を0.063Ea/cm3以下に維持するために前記水平マグネットの移動を制御する、
請求項1に記載の単結晶インゴット成長装置。 - 前記マグネット移動手段は、
前記るつぼに収容されたシリコン融液の固化率40%以下で前記水平マグネットの移動を制御する、
請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の単結晶インゴット成長装置。 - 単結晶インゴットをシリコン融液の界面から成長させると共に、前記単結晶インゴットと前記シリコン融液の界面の位置を一定の高さに維持するためにるつぼを上向き移動させる第1段階、
前記第1段階で単結晶インゴットが成長するシリコン融液に水平方向に磁場を形成させる第2段階、及び、
前記第2段階で形成された磁場の最大磁場位置(Maximum gauss position:MGP)を前記シリコン融液の界面よりも高く位置させ、前記MGPの上昇率を3.5mm/hr〜6.5mm/hrに制御する第3段階、
を含む、
単結晶インゴット成長方法。 - 前記第3段階は、
前記シリコン融液の固液界面よりも150mm以上に位置するように前記MGPを制御する過程を含む、
請求項6に記載の単結晶インゴット成長方法。 - 前記第3段階は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でOi散布(Stdev)を0.04ppma以下に維持するために前記MGPを制御する過程を含む、
請求項6に記載の単結晶インゴット成長方法。 - 前記第3段階は、
前記単結晶インゴットの水平断面内でBMD散布(Log BMDのStdev)を0.063Ea/cm3以下に維持するために前記MGPを制御する過程を含む、
請求項6に記載の単結晶インゴット成長方法。 - 前記第3段階は、
前記シリコン融液の固化率40%以下で前記MGPを制御する過程を含む、
請求項6ないし請求項9のいずれか一項に記載の単結晶インゴット成長方法。
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