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Technisches
Gebiet
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Diese
Erfindung bezieht sich allgemein auf die Halbleiterverarbeitungstechnologie
und insbesondere auf ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten
Schaltung einschließlich
eines feldplattierten ohmschen Widerstands, um eine maximale Führung über den
feldplattierten ohmschen Widerstand zu erzielen.
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Hintergrund der Erfindung
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Es
sind verschiedene Verfahren zum Herstellen von ohmschen Widerständen auf
einem Halbleitersubstrat bekannt. Die US-Patente 4.140.817, 5.548.268,
5.683.928, 5.976.392, 5.989.970, 6.069.398 und 6.093.596, von denen
hier jedes durch Literaturhinweis eingefügt ist, offenbaren ein Verfahren
zum Herstellen von ohmschen Widerständen.
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In
einer integrierten Schaltung kann ein Metall, das, etwa als Strang, über den
Körper
eines diffundierten ohmschen Widerstands mit Dickschichtwiderstand
läuft, Änderungen
im Widerstandswert des ohmschen Widerstands verursachen, wenn an
den Strang eine Spannung angelegt wird. Die Spannung am Strang kann
zum Invertieren, Abbauen oder Akkumulieren eines Bereichs des ohmschen
Widerstands unterhalb des Stranges führen, was im ohmschen Widerstand
zu Änderungen
des Widerstandswerts führt.
Durch wiederholtes Auftreten kann eine unerwünschte bleibende Änderung
des Widerstandswerts eintreten.
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Eine
Lösung
bestand darin, metallische Leiter nicht über ohmsche Widerstände zu führen, um das
Problem zu vermeiden. Dieses Verfahren vergeudet jedoch wertvollen
Bereich und führt
dazu, dass ein Chip einer integrierten Schaltung bei der Anwendung
dieses Verfahrens einen größeren Bereich einnimmt
als ein Chip einer integrierten Schaltung, bei dem der Bereich über ohmschen
Widerständen zur
Führung
metallischer Leiter genutzt wird.
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Bei
einer weiteren, in
18 veranschaulichten Lösung – siehe
beispielsweise die britische Patentanmeldung
GB2016208 – erstreckt sich über den
Wider standskörper
der Metallstrang, der mit einem ersten der Widerstandskontakte verbindet.
Der als Feldplatte bekannte Metallfortsatz erstreckt sich nahezu
bis zu dem Metall, das mit dem zweiten Widerstandskontakt verbindet,
soweit es Anordnung, Konstruktion und Herstellungsregeln zulassen.
Auf diese Weise liegt die an den ersten Widerstandskontakt angelegte
Spannung auch an der Feldplatte über dem
Widerstandskörper
an. Der zweite Widerstandskontakt ist mit einem anderen Potential
verbunden. Dort bleibt wegen an den ersten Kontakt und die Feldplatte
angelegter Spannungen eine Änderung
im Widerstandswert des ohmschen Widerstands bestehen, wobei aber
die Spannung wenigstens bekannt ist. Eine Unzulänglichkeit beim Verwenden einer
metallischen Feldplatte besteht darin, dass der Bereich über dem
Widerstandskörper,
abgesehen von den Kontaktbereichen, nicht verfügbar ist, um andere metallische
Leiter in der gleichen Metallschicht als Kontakte zum ohmschen Widerstand
zu führen.
Selbstverständlich
können
metallische Leiter in höheren Metallschichten über den
Widerstandskörper
geführt werden,
wie es im Gebiet bekannt ist.
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Bei
einer weiteren, in
19 veranschaulichten Lösung – siehe
beispielsweise die japanische Patentanmeldung
JP56021359 – ist über dem Widerstandskörper eine
Polysilicium-Feldplatte vorgesehen. Der Metallstrang, der mit einem
ersten der Widerstandskontakte verbindet, ist derart verlängert, dass
er auch Kontakt mit der Polysilicium-Feldplatte hat. Beim Anwenden
dieses Verfahrens ist ein Teil des Bereichs über dem Widerstandskörper verfügbar, um
andere metallische Leiter in der gleichen Metallschicht als Kontakte
zum ohmschen Widerstand zu führen.
Das Metall, das mit dem ersten der Widerstandskontakte verbindet,
stellt einen zweiten Kontakt mit der Polysilicium-Feldplatte her;
daher ist der Kontaktbereich mit der Polysilicium-Feldplatte, wie auch
jeder Bereich nahe beim Kontakt mit dem Polysilicium, aufgrund der
Anordnung, der Konstruktion und der Herstellungsregeln nicht verfügbar, um
andere metallische Leiter in der gleichen Metallschicht als Kontakte
zum ohmschen Widerstand zu führen.
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Es
wird ein Feldplatten-Widerstand benötigt, der es ermöglicht,
dass praktisch der gesamte Bereich über dem Widerstandskörper, den
Anordnung, Konstruktion und Herstellungsregeln zulassen, verfügbar ist,
um metallische Leiter in der gleichen Metallschicht als Kontakte
zum ohmschen Widerstand zu führen.
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Kurzbeschreibung
der Zeichnung
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1 bis 16 sind
eine Folge von Querschnittsansichten durch ein Halbleitersubstrat,
die Schritte im Verfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung zum Herstellen einer integrierten Schaltung, einschließlich eines
feldplattierten ohmschen Widerstands mit erweitertem Führungsbereich
darüber, veranschaulichen;
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17 ist
eine Draufsicht auf den feldplattierten ohmschen Widerstand von 16 mit
erweitertem Führungsbereich
darüber,
die eine mögliche Führung von
Strängen über den
ohmschen Widerstand veranschaulicht;
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18 ist
eine Querschnittsansicht eines ohmschen Widerstands des Standes
der Technik, der eine metallische Feldplatte aufweist; und
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19 ist
eine Querschnittsansicht eines ohmschen Widerstands des Standes
der Technik, der eine Polysilicium-Feldplatte aufweist.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Gemäß der Erfindung
wird durch eine Folge von Verarbeitungsschritten eine integrierte
Schaltung hergestellt, die einen feldplattierten ohmschen Widerstand
mit einem darüber
befindlichen erweiterten Bereich zur Führung metallischer Leiter umfasst,
die in der gleichen Metallschicht ausgebildet sind, wobei sie Kontakte
mit dem ohmschen Widerstand bildet. Ein ohmscher Widerstand, der
einen Widerstandskörper
und an jedem seiner Enden einen Kontaktbereich aufweist, wird in
einem aktiven Bereich eines Halbleitersubstrats gebildet. Eine erste
Schicht aus Isoliermaterial wird über dem ohmschen Widerstand gebildet,
und durch die erste Schicht aus Isoliermaterial wird ein Fenster
zum Widerstandskörper
erzeugt, um einen ersten Kontaktbereich zu bilden. Über der ersten
Isolierschicht wird eine Schicht aus Polysilicium gebildet, um eine
Feldplatte zu definieren, wobei die Polysilicium-Feldplatte an den
ersten Kontaktbereich des ohmschen Widerstands angrenzt und sich über den
Widerstandskörper
praktisch bis zum anderen Kontaktbereich erstreckt, soweit es Anordnung, Konstruktion
und Herstellungsregeln zulassen. Über der Polysiliciumschicht
wird eine zweite Isolierschicht gebildet. In der zweiten Isolierschicht
werden Fenster erzeugt, um Zugang zur Polysilicium-Feldplatte und zum
zweiten Kon taktbereich zu schaffen. Eine Metallschicht wird aufgebracht,
und unerwünschtes
Metall wird weggeätzt,
um Leiter über
der Polysilicium-Feldplatte eines feldplattierten ohmschen Widerstands
zu erzeugen, der darüber
einen erweiterten Bereich zur Führung
metallischer Leiter aufweist, die in der gleichen Metallschicht
ausgebildet sind, wobei sie Kontakte mit dem ohmschen Widerstand
bildet.
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Ausführliche
Beschreibung
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1 bis 16 sind
eine Folge von Querschnittsansichten durch einen Wafer oder ein
Halbleitersubstrat 20, die Schritte des Herstellungsverfahrens
für einen
feldplattierten ohmschen Widerstand 22 veranschaulichen,
der darüber
einen Bereich zur Führung
von Metallleitern aufweist, die in der gleichen Metallschicht ausgebildet
sind, während
Kontakte mit dem ohmschen Widerstand gebildet werden. In einer bevorzugten
Ausführungsform
ist Silicium das Halbleitersubstrat, aber die Erfindung ist nicht darauf
beschränkt.
Andere bekannte Halbleitersubstrate können verwendet werden. Obwohl
die Herstellung eines ohmschen Silicium-Widerstands vom p-Typ veranschaulicht
ist, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Obwohl das hier offenbarte
Verfahren die Herstellung eines feldplattierten ohmschen Widerstands
veranschaulicht, der im Halbleitersubstrat mit Metallkontakten hergestellt
wird, die in der ersten Metallschicht gefertigt werden, kann die
Erfindung dazu dienen, feldplattierte ohmsche Widerstände mit
Metallkontakten herzustellen, die in höheren Metallschichten gefertigt
werden.
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Wie
in 1 gezeigt ist, wird im Halbleitersubstrat 20 eine
Wanne oder ein aktiver Bereich 24 entwickelt, in dem der
feldplattierte ohmsche Widerstand 22 herzustellen ist.
Ein n+-Implantations-Schritt über
den aktiven Bereich 24, gefolgt vom Wachstum einer etwa
einen Mikrometer starken epitaktischen Siliciumschicht, wie etwa
mittels eines Prozesses der Gasphasenabscheidung nach chemischem
Verfahren, führt
zu einer abgedeckten n+-Schicht 28 unter der resultierenden
oberen Oberfläche 30 des
Substrats 20. Größe und Form
des aktiven Bereichs 24 hängen von der Größe des bzw. der
hierin zu fertigenden feldplattierten ohmschen Widerstands bzw.
Widerstände
ab, ferner von der Anzahl von Vorrichtungen einschließlich darin
enthaltener feldplattierter ohmscher Widerstände.
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Ein
Flächenätzschritt
entfernt (nicht gezeigtes) Oxid von der oberen Oberfläche 30 des
Substrats 20, sodass ein Zugang zum aktiven Bereich 24 erzielt
wird. In die obere Oberfläche 30 des
Substrats 20 werden Aussparungen 26, 32 und 34 eingeätzt, etwa
durch einen Plasmaätzprozess.
Es wird eine n+-Implantation in den Tiefkollektor ausgeführt, um einen
Kontakt 36 innerhalb des aktiven Bereichs 24, jedoch
außerhalb
des ohmschen Widerstands 22, zu bilden. Der Kontakt 36 schafft
einen elektrischen Zugang zur von der oberen Oberfläche 30 abgedeckten n-Schicht 28.
In den Einschnitten wird zur Isolation durch irgendeinen bekannten
Prozess, wie etwa einen vertieften, mehrfach gepufferten LOCOS-Prozess,
Feldoxid aufwachsen gelassen. Gleichzeitig mit dem Aufwachsen des
Oxids wird das n+-Implantat verteilt.
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Wie
in 2 veranschaulicht, wird eine (nicht gezeigte)
strukturierte Maske aus Photolack auf die Teile der oberen Oberfläche 30 gelegt,
bei denen keine Implantation erwünscht
ist. Teile des aktiven Bereichs 24 werden mit einem p+-Dotiermittel, wie
etwa wie mit Bor, jedoch nicht darauf beschränkt, implantiert, um den Widerstandskörper 38 zu
bilden. Die Menge des implantierten p-Dotiermittels wird, wie im
Gebiet bekannt, durch den Widerstandswert bestimmt, der für den ohmschen
Widerstand 22 gewünscht
wird. Der Photolack wird danach entfernt.
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Eine
weitere (nicht gezeigte) strukturierte Schicht aus Photolack wird
dort auf die obere Oberfläche 30 gelegt,
wo keine Implantation zur n+-Kontakt-Erweiterung erwünscht ist.
Die Implantation zur n+-Kontakt-Erweiterung bildet, wie in 3 veranschaulicht,
innerhalb des Kontakts 36 einen Kontaktbereich 36'. Der Kontaktbereich 36' besitzt wegen des
n+-Implantats einen niedrigeren Widerstandswert als der Kontakt 36.
Die Photolackschicht wird anschließend entfernt. Das Aufbringen,
Strukturieren und Entfernen des Photolacks oder der Masken sind hier
nicht immer besprochen. Ein Fachmann im Gebiet weiß von der
Notwendigkeit solcher Schritte.
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Ein
Schritt der Polysilicium-Vorbereitung bringt auf die Oberfläche 30 des
gesamten Substrats 20 eine Schicht aus Isoliermaterial
wie etwa TEOS-Oxid auf. Die Oxidschicht 40 ist, wie in 4 gezeigt,
normalerweise 350 Ångström dick.
Eine Schicht 42 aus amorphem polykristallinem Silicium mit
einer Dicke von etwa 600 Ångström kann durch einen
Prozess der Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren auf die
Oxidschicht 40 aufgebracht werden. Eine strukturierte Maske
wird über
die Schicht 42 gelegt, und ein Emitter-Fenster 44 wird mittels
eines Plasmaätzprozesses
durch die amorphe polykristalline Siliciumschicht 42 und
die Oxidschicht 40 bis zum Silicium des Widerstandskörpers 38 geätzt; dies
dient der Vorbereitung auf das Ausbilden eines Kontakts als erstem
Kontakt 46 mit dem Widerstandskörper 38.
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5 ist
eine Querschnittsansicht des Substrats 20 nach einer – durch
einen Prozess der Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren
erfolgenden – Flächenabscheidung
einer normalerweise 3100 Ångström dicken
Schicht 48 aus Polysilicium auf die amorphe polykristalline
Siliciumschicht 42. Zusätzlich
zum Bilden einer Schicht auf dem amorphen polykristallinen Silicium
füllt die
Schicht 48 aus Polysilicium das Fenster 44, sodass
Kontakt mit dem Widerstandskörper 38 entsteht
und der erste Widerstandskontakt 46 definiert wird. Als
Teil einer Verarbeitung von dotiertem Emitter wird, wie in 6 gezeigt,
in die Schicht 48 aus Polysilicium ein Dotiermittel vom
p-Typ, wie etwa Bor, jedoch nicht darauf beschränkt, implantiert, um p-dotiertes
Polysilicium zu bilden. Das Dotieren des Polysiliciums kann mittels anderer
bekannter Verfahren erzielt werden. Der Implantationsschritt wird
von der Erfindung nicht gefordert, trägt jedoch dazu bei, dass der
feldplattierte ohmsche Widerstand 22 in einem vorhandenen
Prozess hergestellt wird, ohne dass zusätzliche Verarbeitungsschritte
zugefügt
werden. Das Dotiermittel vom p-Typ bildet im Kontakt 46 einen
erweiterten Kontaktbereich 46'. Der erweiterte Kontaktbereich 46' besitzt einen
niedrigeren Widerstandswert als der Kontakt 46.
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Nach
dem Implantieren wird die Schicht 48 aus Polysilicium hart
maskiert und dann mittels eines Plasmaätzprozesses geätzt. Beim Ätzen der
Schicht 48 aus Polysilicium werden nicht nur unerwünschte Bereiche
der Polysiliciumschicht 48 entfernt, sondern es werden
auch unerwünschte
Bereiche der amorphen polykristallinen Siliciumschicht 42 und
der TEOS-Schicht 40 weggeätzt. Das verbleibende Polysilicium,
das die Feldplatte 50 bildet, ist in 7 gezeigt.
Der verbleibende Teil der Schicht 48 aus Polysilicium erstreckt
sich im Wesentlichen über
den gesamten Widerstandskörper 38.
Das dotierte Polysilicium der Feldplatte 50 ergibt einen
elektrischen Weg durch das dotierte Polysilicium im Fenster 44 und
den erweiterten Kontaktbereich 46' zum Widerstandskörper 38.
Während
eines Wärmebehandlungs-Schrittes
wird die amorphe polykristalline Siliciumschicht 42 in
eine Schicht aus Polysilicium umgewandelt und mit der Schicht 48 aus
Polysilicium vereinigt, wobei die Polysiliciumschicht 48' gebildet wird.
Das Polysilicium 48' erstreckt
sich im Wesentlichen über
den gesamten Widerstandskörper 38,
wobei es von ihm durch die Oxidschicht 40 beabstandet ist.
Aufgrund der Anordnung, der Konstruktion und der Herstellungsregeln
wird die Polysiliciumschicht 48' von dem Bereich (an der rechten
Seite von 7) weggeätzt, in dem ein weiteres Fenster
gebildet wird.
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Ein
weiterer Schritt, der von der Erfindung nicht gefordert wird, jedoch
im vorhandenen Prozess enthalten ist, bildet Abstandshalter 52 um
den Umfang der Polysilicium-Strukturen von (nicht gezeigten) Emitterkontakten
und der Feldplatte 50, die aus der Polysiliciumschicht 48 oder 48' gebildet werden. Eine
Schicht aus Isoliermaterial wie etwa TEOS-Oxid wird auf das gesamte
Substrat 20 aufgebracht. Ein Trockenätzprozess entfernt das unerwünschte Isoliermaterial
und hinterlässt,
wie in 8 gezeigt, Abstandshalter 52 um den Umfang
von Polysilicium-Strukturen. Der Abstandshalter 52 ist
an der Oberfläche 30 normalerweise
1500 Ångström breit. Im
vorhandenen Prozess wird der Abstandshalter 52 um den Umfang
von Polysilicium-Strukturen platziert, um Metalloxid-Halbleiter-Vorrichtungen
oder selbstanpassende Vorrichtungen unterzubringen, die auf dem
gleichen Substrat hergestellt werden. Der Abstandshalter 52 passt
den zweiten Widerstandskontakt 58 selbst an und erlaubt
eine höhere
Ausnutzung des Gebiets über
dem Widerstandskörper 38.
Obwohl dieser Schritt für
die Erfindung nicht notwendig ist, trägt er zum Herstellen von feldplattierten
ohmschen Widerständen 22 in
einem vorhandenen Prozess bei, ohne dass Prozessschritte verändert oder hinzugefügt werden.
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Ein
in 9 veranschaulichter Oberflächenimplantations-Schritt implantiert
im erweiterten Kontaktbereich 36' des Kollektorkontakts 36 ein
Dotiermittel vom n-Typ, wie etwa Arsen oder Phosphor, jedoch nicht
darauf beschränkt.
Das Implantat verringert den Widerstandswert des erweiterten Kontaktbereichs 36' und des Kollektorkontakts 36.
Eine (nicht gezeigte) Maske wird aufgebracht, um das Implantieren
auf den n-Wannen-Kollektorkontakt zu begrenzen, was zu einem n+-Tiefkollektorkontakt
führt, der
sich bis zur abgedeckten Schicht 28 hinunter erstreckt.
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Ein
wiederum weiterer Schritt, der von der Erfindung nicht gefordert
wird, jedoch im vorhandenen Prozess enthalten ist, ist eine in 10 veranschaulichte
Basiserweiterungs-Implantation. Bei der Basiserweiterungs-Implantation
wird in den Polysilicium-Strukturen von (nicht gezeigten) Emitterkontakten
und der Feldplatte 50 erneut Dotiermittel vom p-Typ, wie
etwa Bor, jedoch nicht darauf beschränkt, implantiert, um deren
Widerstandswert zu verringern. Eine als 54 veranschaulichte
Photolackmaske maskiert Bereiche, in denen das Implantieren zu verhindern
ist. Wichtiger ist, dass im Bereich 56 im Widerstandskörper 38,
wo ein zweiter Widerstandskontakt 58 gebildet wird, eine
selbstanpassende p+-Implantation erzielt wird.
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Wie
im Gebiet bekannt, ist um den aktiven Bereich 24 zur Isolation
von elektrischem und thermischem Rauschen ein Einschnitt 60 ausgebildet.
Die Schritte sind nicht veranschaulicht, aber der endgültige Einschnitt 60 ist
in 11 gezeigt. Beim Ausbilden des Einschnitts 60 wird
eine Maske geformt, und der Einschnitt wird geätzt, etwa durch einen Plasmaätzprozess.
Eine p+-Implantation bildet am Boden des Einschnitts 60 einen
implantierten Bereich 62. Auf die Seitenwand des Einschnitts
wird ein Oxid aufgebracht, und der Einschnitt wird mit Polysilicium
gefüllt.
Eine Wärmebehandlung
bewirkt, dass das implantierte Dotiermittel in den Widerstandskörper 38 unter
dem Fenster 44 diffundiert, wobei der Kontakt 46' gebildet wird.
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Wie
in 11 veranschaulicht, bringt ein Planarisierungs-Schritt
eine oder mehrere Schichten aus Isoliermaterial wie etwa einem Oxid
an, die insgesamt als dielektrische Schicht 66 veranschaulicht sind.
In einer bevorzugten Ausführungsform
sind eine Schicht aus TEOS, eine Schicht aus plasma-erweitertem
TEOS und eine Schicht aus Bor-Phosphor-TEOS aufgebracht. Die Schicht 66 wird
in einem Wärmebehandlungs-Schritt
aufgeschmolzen, um ihre obere Oberfläche zu glätten.
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Die
dielektrische Schicht 66 wird maskiert und geätzt, etwa
durch einen Trockenätzprozess,
jedoch nicht darauf beschränkt,
um, wie in 12 gezeigt, die Fenster 68, 70 und 72 zu öffnen. Fenster 68 öffnet zur
Polysilicium-Feldplatte 50. Fenster 70 öffnet zum
p+-Bereich 56. Fenster 72 öffnet zum Kollektorkontakt 36.
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Wie
in 13 veranschaulicht, kann in jedem der Fenster 68, 70 und 72 eine
erste Sperrschicht 74, etwa aus Platinsilicid, jedoch nicht
darauf beschränkt,
ausgebildet. Auf das Substrat wird Platin aufgebracht und aufgeheizt,
damit es mit Silicium reagiert, wo es mit ihm in Kontakt steht.
Das nicht umgesetzte Platin wird weggeätzt, wie es im Gebiet bekannt
ist. Die erste Sperrschicht 74 im Fenster 68 wird
in der Feldplatte 50 gebildet. Die erste Sperrschicht 74 im
Fenster 70 wird im dotierten Silicium im Bereich 56 gebildet,
wobei ein zweiter Kontakt 76 zum ohmschen Widerstand 22 gebildet
wird. Die erste Sperrschicht 74 im Fenster 72 wird
im n+-dotierten Silicium des Kontakts 36 gebildet.
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Wie
in 14 veranschaulicht, wird eine zweite Sperrschicht 76,
etwa aus Wolfram, jedoch nicht darauf beschränkt, auf die erste Sperrschicht 74 aufgebracht.
Die zweite Sperrschicht 76 kann, wenn sie aus Wolfram besteht,
durch einen Zerstäubungsprozess,
jedoch nicht darauf beschränkt,
aufgebracht werden, wie es im Gebiet bekannt ist. Es können zusätzliche
oder weniger Sperrschichten aufgebracht werden.
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Bei
der Vorbereitung auf das Ausbilden von elektrischen Leitern oder
Strängen
wird, wie in 15 veranschaulicht, eine Metallschicht 80,
etwa aus Aluminium oder Kupfer, jedoch nicht darauf beschränkt, auf
die gesamte oberste Fläche
aufgebracht, wie es im Gebiet bekannt ist. In der in 15 veranschaulichten
Ausführungsform
ist die Schicht 80 aus Metall die erste Metallschicht,
jedoch ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Die Erfindung kann in
einem Prozess mit mehrfachen Metall-Ebenen zum Herstellen von integrierten
Schaltungen auf jede Metall-Ebene angewandt werden.
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Unerwünschtes
Metall in der Schicht 80 wird weggeätzt, wie es im Gebiet bekannt
ist, sodass sich der feldplattierte ohmsche Widerstand 22 ergibt, über den
sich Stränge
erstrecken, wie in 16 und 17 veranschaulicht.
Die Metallschicht 80 erzeugt eine Leitung 82 zu
(nicht gezeigten) Emittern und zur Feldplatte 50, eine
Leitung 84 zum zweiten Widerstandskontakt 58,
eine Leitung 86 zum Kontakt 36 und Stränge 88,
von denen über
den Widerstandskörper 38 geführte Stränge 90 eine
Teilmenge sind. Der in 15 veranschaulichte feldplattierte
ohmsche Widerstand 22 stellt einen Teil einer integrierten Schaltung 98 dar,
in der der ohmsche Widerstand 22 hergestellt ist. Dadurch
ist der feldplattierte ohmsche Widerstand 22, der über dem
Körper 38 des
ohmschen Widerstands 22 einen erweiterten Bereich aufweist,
verfügbar,
um in der gleichen Metallschicht andere metallische Leiter über den
Körper 38 des
ohmschen Widerstands 22 zu führen, wobei sie die Kontakte
zum ohmschen Widerstand bildet.
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17 ist
eine Draufsicht auf den feldplattierten ohmschen Widerstand 22 von 16,
die eine mögliche
Führung
von Leitern 90 über
den Widerstandskörper 38 zeigt.
Die Breite 92 des Widerstandskörpers 38 ist als schmaler
als die Breite 94 des ersten Widerstandskontakts 46 und
des zweiten Widerstandskontakts 58 an den Enden des Widerstandskörpers 38 veranschaulicht,
obwohl die Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Im Wesentlichen ist der
gesamte Bereich über
dem Widerstandskörper 38 zur
Führung
von Strängen
oder metallischen Leitern verfügbar,
die nur der Anordnung, der Konstruktion und den Herstellungsregeln
unterworfen ist.
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Ein
auf diese Weise hergestellter feldplattierter ohmscher Widerstand 22 besitzt über dem
Widerstandskörper 38 einen
erweiterten Bereich zur Führung
von elektrischen Leitern oder Strängen 90. Anordnung,
Konstruktion und Herstellungsregeln können einschränkende Faktoren
bei der Nutzung des Gebiets über
dem Widerstandskörper 38 zur
Führung
von Leitern sein.
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Die
Erfindung kann in jedem bekannten Prozess hergestellt werden und
ist in einem BICMOS-Prozess (komplementären bipolaren Prozess) leicht
herzustellen. Hier sind nicht sämtliche
Schritte des Prozesses inbegriffen, oder es sind nicht sämtliche
Einzelheiten sämtlicher
Schritte inbegriffen, jedoch ist eine für den Fachmann im Gebiet ausreichende
Offenbarung enthalten. Die offenbarten Schritte sind die bei einem
Polysilicium-Emitter-Prozess angewandten. Der feldplattierte ohmsche
Polysilicium-Widerstand mit einem erweiterten Bereich für die Führung darüber kann
in diesem Prozess ohne irgendwelche zusätzlichen Verarbeitungsschritte
hergestellt werden. Ein feldplattierter ohmscher Polysilicium-Widerstand
mit erweitertem Bereich für die
Führung
kann hergestellt werden, indem weniger als sämtliche Schritte im Polysilicium-Emitter-Prozess angewandt
werden.
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Obwohl
die Erfindung als auf einem Siliciumsubstrat hergestellt beschrieben
ist, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Es kann jeder Halbleiter
verwendet werden. Obwohl ein ohmscher Widerstand mit einem mit p-Typ-Dotiermittel
dotierten Bereich beschrieben ist, ist die Erfindung nicht darauf
beschränkt;
die Erfindung kann dazu dienen, feldplattierte ohmsche Widerstände mit
anderen Arten des Dotierens herzustellen.