DE60107280T2 - Tantal- oder wolfram-target mit kupferträgerplattenanordnung und herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Tantal- oder wolfram-target mit kupferträgerplattenanordnung und herstellungsverfahren dafür Download PDF

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Description

  • Die Erfindung betrifft eine Tantal- oder Wolfram-Target-Kupferlegierung-Rückplattenanordnung, die in der Lage ist, ein Hochenergie-Sputtern auszuhalten, und ein Herstellungsverfahren hierfür. Darüber hinaus soll das in dieser Beschreibung erläuterte Tantal oder Wolfram Legierungstargets mit solchen Komponenten als Hauptkomponenten umfassen.
  • Hintergrund
  • Diffusionsbonden ist ein effektives Verfahren als Bondmethode eines Sputter-Targets und einer Rückplate, die ein Hochenergie-Sputtern aushält, und die Anmelder präsentieren in der japanischen Patentveröffentlichung No. H6-108246 eine Festphasen-Diffusionsbond-Targetanordnung, bei der ein Einführ- bzw. Einlagematerial zwischen das Target und die Rückplatte eingefügt wird, und ein Herstellungsverfahren hierfür. Die Sputter-Target-Anordnung, welche mit diesem Festphasen-Diffusionsbonden erzeugt wird, weist eine sehr gute Haftung und Festigkeit auf.
  • Trotzdem wurde das Sputter-Target selbst infolge der Vergrößerung der Wafer-Öffnung in den vergangenen Jahren vergrößert, und insbesondere die Verformung nach dem Diffusionsbonden wurde zum ernsten Problem in einem Fall, bei dem die thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Targetmaterials und des Rückplattenmaterials sich deutlich unterscheiden.
  • Wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient des Sputter-Targets im Vergleich zu der Rückplatte kleiner ist (dieses ist oft bei einer Target-Rückplattenanordnungs-Struktur der Fall), wobei das Target oben und die Rückplatte unten angeordnet sind, biegt sich das Sputter-Target konvex nach oben beim Kühlen von der Temperatur des Diffusionsbondens auf Raumtemperatur, und wenn die Diffusionsbondstärke schwach ist, treten Fälle auf, in denen ein solches Sputter-Target sich vom äußeren Rand der Bondgrenze trennt.
  • Darüber hinaus wird das Ausmaß der Krümmung größer, auch wenn es sich nicht löst, und um die Dicke des Targets vorzuschreiben, ist es notwendig, den konvexen Abschnitt eines Targets, welches vorher im Ausmaß der Krümmung dicker ausgeführt wurde, zu verarbeiten (schneiden) oder die Krümmung bei Raumtemperatur nach dem Diffusionsbonden zu korrigieren. Dieses würde ein Problem der Zunahme des Arbeitsprozesses und schließlich eine Steigerung der Kosten verursachen.
  • Insbesondere in Verbindung mit Targets, die mit dem pulvermetallurgischen Produktionsverfahren hergestellt werden, beispielsweise Wolfram, würden Ereignisse auftreten, in denen das Target brechen würde, wenn das Ausmaß der Krümmung zu groß wird.
  • Beispielsweise hat sich bestätigt, daß dieses Problem häufig auftritt, wenn Tantal oder Wolfram als Targetmaterial und Aluminium oder eine Aluminiumlegierung als Rückplatte genutzt werden.
  • Weiterhin treten sogar Fälle auf, in denen das Kühlmittel infolge der Rückplattenverformung leckt, was die Folge des thermischen Einflusses des Hochenergie-Sputterns ist.
  • Das Ausmaß der Krümmung variiert zwischen 4 mm und 7 mm pro Posten bzw. Menge, und in einigen Fällen hat sich die Bondgrenze gelöst, wenn beispielsweise beim Diffusionsbonden ein Tantal-Target mit einem Durchmesser von 350 mm und einer Dicke von 10 mm mit einer Aluminiumlegierungs(A5052)-Rückplatte in einem Vakuum bei 500 °C und einer Last von 15 kg/mm2 diffusionsgebondet wird.
  • Beim Verarbeiten einer gebondeten Anordnung mit einer Krümmung von 4 mm der Targetform und beim Ausführen des Sputterns hierfür bei einer Sputter-Energie von 20 KW verformt sich das Target und ein Wasserleck-Unfall wurde beobachtet.
  • Die Erfindung
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Tantal- oder Wolfram-Target-Rückplattenanordnung anzugeben, welche sich nach dem Diffusionsbonden nur wenig verformt, auch wenn das Targetmaterial und die Rückplatte sehr unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, die frei von einer Trennung zwischen dem Target und der Rückplatte oder bruchfrei ist und die ein Hochenergie-Sputtern aushält. Darüber hinaus soll ein Herstellungsverfahren hierfür angegeben werden.
  • Nach intensiven Studien zur Herstellung eines diffusionsgebondeten Tantal- oder Wolframtargets mit einer Rückplatte, die Hochenergie-Sputtern aushält und in minimalem Ausmaß nach dem Diffusionsbonden gekrümmt ist, haben die Erfinder festgestellt, daß es sehr effizient ist, als Rückplatte eine Kupferlegierung zu nutzen, die einen geringeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als eine Aluminiumlegierung aufweist, die hart ist und schwierig zu verformen und die eine bevorzugte thermische Leitfähigkeit aufweist, und ein Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatt mit einer bestimmten Dicke als Einführ- bzw. Einlagematerial zu nutzen. Basierend auf dieser Feststellung liefert die Erfindung folgendes:
    • 1. Eine Tantal- oder Wolfram-Target-Kupferlegierung-Rückplattenanordnung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Tantal- oder Wolfram-Target und eine Kupfer-Chrom-Legierung- oder eine Kupfer-Zink-Legierung-Rückplatte einem Diffusionsbonden über ein Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatt Einlagematerial mit einer Dicke zwischen 2 mm oder mehr und 6 mm oder weniger ausgesetzt werden, wobei diffusionsgebondete Schnittstellen zwischen den jeweiligen Materialien gebildet sind und wobei das Ausmaß einer Krümmung nach dem Bonden 3 mm oder kleiner ist;
    • 2. ein Herstellungsverfahren einer Kupferlegierung-Rückplattenanordnung mit Tantal-oder Wolfram-Target, die dadurch gekennzeichnet ist, daß das Tantal-oder Wolfram-Target und eine Kupfer-Chrom-Legierung- oder Kupfer-Zink-Legierung-Rückplatte über einem Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatt Einlagematerial mit einer Dicke zwischen 2 mm und 6 mm in einem Vakuum einem Diffusionsbonden ausgesetzt werden bei einer Temperatur zwischen 400 °C und 548 °C und bei einer Druckbedingung von 15 bis 20 kg/mm2, wobei das Ausmaß einer Krümmung nach dem Bonden 3 mm oder kleiner ist.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung näher erläutert. Hierbei zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung der Anordnung mit dem Sputter-Target, einem Einlagematerial und der Rückplatte; und
  • 2 eine erklärende Darstellung des Ausmaßes der Krümmung nach dem Diffusionsbonden.
  • Die Erfindung verwendet eine Kupferlegierung-Rückplatte als Rückplate. Eine Kupfer-Chrom-Legierung oder eine Kupfer-Zink-Legierung, die einen kleineren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als eine Aluminiumlegierung aufweist, die hart ist und schwierig zu verformen und die eine bevorzugte thermische Leitfähigkeit aufweist, wird als die Rückplatte aus dem Kupferlegierungsmaterial verwendet.
  • Ein Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatt mit einer Dicke zwischen 2 mm oder mehr und 6 mm oder weniger wird als das Einlage- bzw. Einführmaterial verwendet. Wie oben beschrieben, liegt der Grund für die Notwendigkeit, daß das Einlagematerial eine Dicke von 2 mm oder mehr aufweist, darin, daß es hierdurch bei der Temperatur während des Diffusionsbondens ausreichend weich ist. Atome können leicht zerstreut werden, weil eine aktive neue Fläche infolge der Zerstörung des Oberflächenoxidfilms bei mikroskopischer Betrachtung erscheint, und die durch den Unterschied des thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Sputter-Target und der Rückplatte erzeugte Spannung beim Kühlen auf Raumtemperatur nach dem Diffusionsbonden kann vermindert werden.
  • Üblicherweise wird gesagt, daß hinsichtlich der Bondstärke und dergleichen zum Ausführen eines solchen Diffusionsbondens das Einlagematerial besser dünner ist. Die Erfindung ändert jedoch dieses herkömmliche Konzept wesentlich.
  • Wenn beispielsweise ein Einlagematerial nicht eingeführt wird, beträgt die Vicker-Härte des Tantal-Targetmaterials 109, und andererseits beträgt die Vicker-Härte einer Kupfer-Chrom-Legierung-Rückplatte 135. Da beide eine ähnliche Härte aufweisen, tritt bei mikroskopischer Betrachtung die Zerstörung des Oberflächenoxidfilms nicht ohne weiteres auf.
  • Weil eine aktive neue Fläche nicht erscheint, wurde es deshalb bekannt, daß ein Phänomen auftritt, bei dem Diffusionsbonden schwierig wird. Des weiteren wurde auch bekannt, daß ein dünnes Einlagematerial ineffizient ist, weil die Funktion des Einlagematerials abnimmt.
  • Aufgrund der vorher geschilderten Umstände ist es für die Herstellung einer Tantal- oder Wolfram-Target-Kupferlegierung-Rückplattenanordnung wesentlich, daß als Einlagematerial ein Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatt mit einer Dicke zwischen 2 mm oder mehr und 6 mm oder weniger verwendet wird.
  • Für die Herstellung einer Tantal- oder Wolfram-Target-Kupferlegierung-Rückplattenanordnung kann eine solche Anordnung hergestellt werden, indem ein Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatt mit einer Dicke zwischen 2 mm und 6 mm als das Einlagematerial zwischen dem Tantal- oder Wolfram-Target und der Kupferlegierung-Rückplatte verwendet wird und dieses im Vakuum bei einer Temperatur zwischen 400 °C und 548 °C und bei einem Druck von 15 bis 20 kg/mm2 diffusionsgebondet wird.
  • Hierdurch wird eine Festphasen-Diffusionsverbindung zwischen dem Tantal- oder Wolfram-Target und dem Aluminium- oder der Aluminiumlegierung und zwischen der Kupferlegierung-Rückplatte und dem Aluminium- oder Aluminiumlegierung gebildet, und ein gebondeter Körper mit sehr guter Haftung und Verbindungsfestigkeit kann erhalten werden.
  • Ausreichende Verbindungsstärke bzw.- festigkeit kann nicht erreicht werden, wenn die Temperatur geringer als 400 °C ist. Darüber hinaus ist die Temperatur vorzugsweise nicht größer als 548 °C, weil die eutaktische Temperatur des Aluminiums und des Kupfers überschritten wird und im Ergebnis hierdurch eine Flüssigphase austreten kann.
  • Wenn die Temperatur 500 °C überschreitet, wird weiterhin eine reaktive Schicht von mehreren Mikrometern an der Grenze von Aluminium und Kupfer gebildet, und weil eine solche reaktive Schicht eine harte Zwischenmetallverbindung ist, sollte diese nicht zu dick ausgebildet werden. Es ist deshalb notwendig, daß Diffusionsbonden innerhalb des oben angegebenen Temperaturbereichs auszuführen.
  • Des weiteren wird die Form des Targets und der Rückplatte in Anbetracht des Sputtertargets bestimmt, und, wenn die Dicke des Einlagematerials dick ist, muß die Dicke der Rückplatte relativ hierzu dünn sein. Weil hinsichtlich der dünnen Ausbildung der Rückplatte aus Sicht der Festigkeit eine Grenze existiert, ist es hinsichtlich der vorangehenden Betrachtungen trotzdem wünschenswert, daß die maximale Dicke des Einlagematerials eines Aluminium- oder eines Aluminiumlegierung-Blattes halb so groß wie die Dicke des Rückplatte ist.
  • Im folgenden werden Beispiele und vergleichende Beispiele der Erfindung beschrieben. Diese Beispiele dienen lediglich der Illustration, und die Erfindung wird hierdurch nicht begrenzt. Die Erfindung soll alle anderen Arten und Modifikationen, die von den Beispielen abweichen, innerhalb des technischen Bereiches der Erfindung umfassen.
  • Beispiel 1
  • Ein Tantal-Target mit einem Durchmesser von 350 mm und einer Dicke von 10 mm wurde maschinell hergestellt. Eine Kupfer-Chrom-Legierung wurde als Rückplatte verwendet.
  • Reine Aluminiumblätter (A-1050) von 2 mm bzw. 6 mm wurden als Einlagematerial verwendet, und die Dicke der Rückplatte betrug 19 mm, wenn diese zu der Dicke des Einlagematerials addiert wurde.
  • Die Grenz- bzw. Randfläche, in welcher das Target, das Einlagematerial und die Rückplatte diffusionsgebondet werden sollen, wurde einer Ultraschallreinigung mit Azeton als Lösungsmittel ausgesetzt und anschließend ausreichend mit Isopropylalkohol gereinigt.
  • Die obige Anordnung wurde in einem Eisenbehälter vakuumdicht angeordnet (Grad des Vakuums war 0,1 Torr oder weniger) und dem Diffusionsbonden mit einem heißen isostatischen Pressen (HIP) bei 500°C für vier Stunden bei einem Druck von 15 kg/mm2 diffusionsgebondet.
  • Der Eisenbehälter wurde nach dem Bonden maschinell entfernt. Das Ausmaß der Krümmung wurde mit einem Dickemessgerät gemessen, wobei das Tantal-Target oben aufgebracht wurde. 2 zeigt eine erläuternde Darstellung des Ausmaßes der Krümmung nach dem Diffusionsbonden.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Mittels eines Verfahrens ähnlich zum Beispiel 1 wurde ein Aluminium-Einlagematerial zwischen das Tantal-Target und die Kupfer-Chrom-Legierung-Rückplatte eingeführt, und die Dicke wurde auf 0,3 mm und 0,4 mm eingestellt.
  • Darüber hinaus wurden ein Nickel-Blatt und ein Silber-Blatt mit einer Dicke von 2 mm als andere Einlagematerialien verwendet und dem Diffusionsbonden ausgesetzt. Der Eisenbehälter wurde nach dem Bonden maschinell entfernt. Das Ausmaß der Krümmung wurde mit einem Dickemeßgerät gemessen, wobei das Tantal-Target oben angeordnet wurde. Darüber hinaus wurden die Bedingungen für das Trennen des Tantal-Targets und des Aluminium-Einlagematerials beobachtet.
  • Die Ergebnisses des Beispiels 1 und des Vergleichsbeispiels 1 sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Tabelle 1
    Figure 00070001
  • Die Trennung bzw. Ablösung in der Tabelle bezieht sich auf das Trennen / Ablösen an der Bondgrenze des Tantal-Targets und des Einlagematerials. Als reines Aluminium wurde A1050 – Material nach dem JGS-Standard genutzt.
  • Wie sich aus dem Beispiel in Tabelle 1 ergibt, betrug das Anmaß der Krümmung 2,5 mm bzw. 1,7 mm, wenn Aluminium-Blätter, die innerhalb des Bereichs der Erfindung liegen, von 2,0 mm oder 6 mm als Einlagematerial genutzt wurden. Beide zeigten ein minimales Ausmaß der Krümmung von weniger als 3 mm. Dieses Ausmaß der Krümmung zeigte weiterhin eine Tendenz zur Abnahme infolge der Zunahme der Dicke des Aluminium-Blattes.
  • Im Gegensatz dazu zeigt das Vergleichsbeispiel in der Tabelle 1, daß bei der Nutzung von reinen Aluminium-Blättern, die außerhalb des erfindungsgemäßen Bereiches liegen, von 0,3 mm und 0,4 mm bei ersterem eine Trennung / Ablösung zwischen dem Tantal-Target und dem Aluminium-Einlagematerial auftritt und bei letzterem ein großes Ausmaß der Krümmung von 4 mm auftritt.
  • Zusätzlich wurde beim Ausführen des Diffusionsbondens mit einem Nickel-Blatt und einem Silber-Blatt mit einer Dicke von 2 mm unabhängig von der ausreichenden Dicke das Phänomen einer Ablösung / Trennung zwischen dem Tantal-Target und dem Nickel- oder dem Silber-Einlagematerial beobachet.
  • Dementsprechend ist klar, daß die Nutzung eines Aluminiumblattes mit einer Dicke innerhalb des erfindungsgemäßen Bereiches als Einlagematerial sehr wirksam ist.
  • Beispiel 2
  • Wolframpulver wurde Vakuumdruck gesintert mit einer Heißpresse und anschließend mittels Drehbank bearbeitet, um einen Durchmesser von 350 mm und eine Dicke von 8 mm auszubilden. Eine Kupfer-Zink-Legierung wurde als Rückplatte genutzt.
  • Reine Aluminiumblätter (A-1050) von 2 mm bzw. 6 mm wurden als Einlagematerial verwendet, und die Dicke der Rückplatte wurde zusammen mit der Dicke des Einlagematerials auf 19 mm eingestellt.
  • Die Grenz- / Randfläche, wo das Target, das Einlagematerial und die Rückplatte diffusionsgebondet werden sollen, wurde eine Ultraschallreinigung mit Azeton als Lösungsmittel ausgesetzt und anschließend ausreichend mit Isopropylalkohol gereinigt. Das Wolfram-Target wurde weiterhin mit einem Vakuumtrockner ausreichend getrocknet.
  • Nach dem Ausführen des Diffusionsbondens und dem Entfernen des Eisenbehälters mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 wurde das Ausmaß der Krümmung mit einem Dickemeßgerät gemessen, wobei das Wolfram-Target oben angeordnet wurde.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Mittels eines Verfahrens ähnlich zu dem Beispiel 2 wurde ein Aluminium-Einlagematerial zwischen das Wolfram-Target und die Kupfer-Zink-Legierung-Rückplatte eingeführt, und die Dicke einer solchen Aluminium-Einlage wurde auf 0,3 mm und 0,4 mm eingestellt. Darüber hinaus wurden ein Nickel-Blatt und ein Silber-Blatt mit einer Dicke von 2 mm auch als andere Einlagematerialien verwendet und dem Diffusionsbonden ausgesetzt.
  • Das Ausmaß der Krümmung wurde mit einem Dickemeßgerät gemessen, wobei das Wolfram-Target oben angeordnet wurde. Darüber hinaus wurde die Bedingung für das Ablösen /Trennen zwischen dem Wolfram-Target und dem Aluminium-Einlagematerial ebenfalls beobachtet.
  • Die Ergebnisse für Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 2 sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Tabelle 2
    Figure 00100001
  • Die in der Tabelle angezeigte Trennung bezieht sich auf die Trennung an der Frontgrenze des Wolfram-Targets und des Einlagematerials. Als das reine Aluminium wurde ein A-1050-Material nach dem JIS-Standart genutzt.
  • Das Beispiel in der vorangehenden Tabelle 2 zeigt, daß beim Verwenden von reinen Aluminium-Blättern, die innerhalb des erfindungsgemäßen Bereiches liegen von 2 mm und 6 mm als Einlagematerial das Ausmaß der Krümmung 2,6 mm bzw. 1,7 mm betrug und das beide ein minimales Ausmaß der Krümmung von weniger als 3 mm zeigten. Darüber hinaus zeigte dieses Ausmaß der Krümmung eine Tendenz zur Verminderung infolge der Zunahme der Dicke des Aluminiumblattes.
  • Im Gegensatz dazu zeigt das Vergleichsbeispiel in der Tabelle 2, daß bei der Verwendung von reinen Aluminiumblättern, die außerhalb des erfindungsgemäßen Bereiches liegen, von 0,3 mm und 0,4 mm das Wolfram-Target brach und ein großes Ausmaß der Krümmung von etwa 4 mm beobachtet wird.
  • Darüber hinaus wurde beim Ausführen des Diffusionsbondens mit einem Nickel-Blatt oder einem Silber-Blatt mit einer Dicke von 2 mm unabhängig von der ausreichenden Dicke das Phänomen einer Trennung / Ablösung zwischen dem Wolfram-Target und dem Aluminium-Einlagematerial beobachtet.
  • Vom Beispiel 2 ergibt sich entsprechend, daß die Nutzung eines Aluminiumblattes mit einer Dicke innerhalb des erfindungsgemäßen Bereiches als Einlagematerial sehr effektiv ist.
  • Obwohl reines Aluminium als Einlagematerial in den vorliegenden Beispielen verwendet wurde, wurde darüber hinaus bestätigt, daß ähnliche Ergebnisse mit Aluminiumlegierungs-Blättern erhalten werden können, beispielsweise A 5052 oder dergleichen.
  • Es wird eine Tantal- oder Wolfram-Target-Kupferlegierung-Rückplattenanordnung erhalten, welche beim Diffusionsbonden nur unter kleinen Verformungen leidet, auch wenn das Target und die Rückplatte wesentlich unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, und die frei von einer Trennung / Ablösung zwischen dem Target und der Rückplatte oder von Rissen ist. Mittels der Verminderung des Ausmaßes der Krümmung nach dem Diffusionsbonden wird darüber hinaus die Garantie für die Target-Dicke erleichtert, und das Target-Ausbeuteverhältnis verbessert, und der Schneidprozeß oder Korrekturprozeß nach dem Bonden kann erleichtert bzw. vermindert werden. Eine exzellente Wirkung wird dahingehend erreicht, daß eine hoch zuverlässige Target-Anordnung geschaffen wird, die in der Lage ist, Hochenergie-Sputtern zu überleben, und die kompatibel mit der Vergrößung des Targets ist.
  • 1
    2Targetmaterial
    2
    Rückplattenmaterial
    3
    Einlagematerial
    4
    Ausmaß der Krümmung (mm)

Claims (2)

  1. Kupferlegierung-Rückplattenanordnung mit Tantal- oder Wolfram-Target, dadurch gekennzeichnet, daß ein Tantal- oder Wolfram-Target und eine Kupfer-Chrom-Legierung oder eine Kupfer-Zink-Legierung-Rückplatte einem Diffusionsbonden über einem Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatteinlagematerial mit einer Dicke zwischen 2 mm und 6 mm ausgesetzt werden, wobei diffusionsgebondete Schnittstellen zwischen den jeweiligen Materialien gebildet sind und wobei das Ausmaß einer Krümmung nach dem Bonden 3 mm oder kleiner ist.
  2. Herstellunsverfahren einer Kupferlegierung-Rückplattenanordnung mit Tantal- oder Wolfram-Target, dadurch gekennzeichnet, daß das Tantal- oder Wofram-Target und eine Kupfer-Chrom-Legierung- oder Kupfer-Zink-Legierung-Rückplatte über einem Aluminium- oder Aluminiumlegierung-Blatteinlagematerial mit einer Dicke zwischen 2 mm und 6 mm in einem Vakuum einem Diffusionsbonden ausgesetzt werden bei einer Temperatur zwischen 400 °C und 548 °C und bei einer Druckbedingung vom 15 bis 20 kg/mm2, wobei das Ausmaß einer Krümmung nach dem Bonden 3 mm oder kleiner ist.
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JP2000332159A JP3905301B2 (ja) 2000-10-31 2000-10-31 タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法
JP2000332159 2000-10-31
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DE60107280D1 DE60107280D1 (de) 2004-12-23
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WO (1) WO2002036848A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202015100433U1 (de) 2014-01-30 2015-02-09 Fhr Anlagenbau Gmbh Fügeverbindung zwischen zwei Elementen

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003052161A1 (fr) * 2001-12-19 2003-06-26 Nikko Materials Company, Limited Procede pour assembler une cible en substance magnetique avec une plaque dorsale, et cible en substance magnetique
JP4883546B2 (ja) * 2002-09-20 2012-02-22 Jx日鉱日石金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲットの製造方法
WO2004036626A2 (en) * 2002-10-18 2004-04-29 The Regents Of The University Of California Isostatic pressure assisted wafer bonding method
JP4263900B2 (ja) * 2002-11-13 2009-05-13 日鉱金属株式会社 Taスパッタリングターゲット及びその製造方法
CN103966561A (zh) * 2003-04-01 2014-08-06 Jx日矿日石金属株式会社 钽溅射靶及其制造方法
CN101857950B (zh) * 2003-11-06 2012-08-08 Jx日矿日石金属株式会社 钽溅射靶
DE102004020404B4 (de) * 2004-04-23 2007-06-06 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Trägerplatte für Sputtertargets, Verfahren zu ihrer Herstellung und Einheit aus Trägerplatte und Sputtertarget
JP4629051B2 (ja) * 2004-11-17 2011-02-09 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置
JP2006257510A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット
KR100968395B1 (ko) * 2005-04-28 2010-07-07 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟
US20070004587A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Intel Corporation Method of forming metal on a substrate using a Ruthenium-based catalyst
JP4949259B2 (ja) * 2005-10-04 2012-06-06 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
TW200741022A (en) * 2006-03-14 2007-11-01 Applied Materials Inc Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering
JP4706926B2 (ja) * 2006-03-17 2011-06-22 三菱マテリアル株式会社 バッキングプレート付きターゲットの製造方法
JP4162094B2 (ja) * 2006-05-30 2008-10-08 三菱重工業株式会社 常温接合によるデバイス、デバイス製造方法ならびに常温接合装置
WO2008001547A1 (fr) 2006-06-29 2008-01-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. élément de liaison pour cible de pulvérisation cathodique/plaque de support
WO2008096648A1 (ja) * 2007-02-09 2008-08-14 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体及びその製造方法
JP5243541B2 (ja) * 2008-06-02 2013-07-24 Jx日鉱日石金属株式会社 タングステン焼結体スパッタリングターゲット
CN101537530B (zh) * 2009-03-16 2011-08-03 宁波江丰电子材料有限公司 靶材结构的制作方法
SG173141A1 (en) 2009-05-22 2011-08-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Tantalum sputtering target
US9845528B2 (en) 2009-08-11 2017-12-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum sputtering target
KR20140129250A (ko) 2009-11-20 2014-11-06 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타깃-백킹 플레이트 접합체 및 그 제조 방법
US10167547B2 (en) 2009-12-24 2019-01-01 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Gadolinium sputtering target and production method of said target
JP5687458B2 (ja) * 2010-09-17 2015-03-18 株式会社アカネ 金属材料の接合方法
US10006117B2 (en) 2010-10-27 2018-06-26 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target-backing plate assembly and method for producing same
CN103492608B (zh) * 2011-02-14 2016-04-13 东曹Smd有限公司 经扩散结合的溅射靶组件及制造方法
JP2014523969A (ja) 2011-06-27 2014-09-18 ソレラス・リミテッド スパッタリングターゲット
CN102554447A (zh) * 2011-12-26 2012-07-11 昆山全亚冠环保科技有限公司 高纯Al靶焊接方法
CN102554455B (zh) * 2011-12-31 2015-07-08 宁波江丰电子材料股份有限公司 钨钛合金靶材与铜合金背板扩散焊接方法
WO2013122927A1 (en) 2012-02-14 2013-08-22 Tosoh Smd, Inc. Low deflection sputtering target assembly and methods of making same
JP5324016B1 (ja) 2012-03-21 2013-10-23 Jx日鉱日石金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに同ターゲットを用いて形成した半導体配線用バリア膜
WO2014007151A1 (ja) 2012-07-04 2014-01-09 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
CN103521916A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 宁波江丰电子材料有限公司 靶材组件的焊接方法
CN103706939B (zh) * 2012-09-28 2015-10-28 清华大学 一种钨铜异种金属的扩散连接方法
DE102012109782A1 (de) * 2012-10-15 2014-04-17 Karlsruher Institut für Technologie Schichtverbund
CN104551381B (zh) * 2013-10-25 2017-01-04 宁波江丰电子材料股份有限公司 钨靶材组件的焊接方法
JP5897767B2 (ja) * 2013-11-06 2016-03-30 Jx金属株式会社 スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体
CN104741773B (zh) * 2013-12-31 2016-08-17 宁波江丰电子材料股份有限公司 钨钛铝靶材组件的焊接方法
WO2016052380A1 (ja) 2014-09-30 2016-04-07 Jx金属株式会社 タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法
KR102117404B1 (ko) * 2018-05-10 2020-06-01 재단법인 포항산업과학연구원 스퍼터링 폐타겟으로부터 유가금속 회수방법 및 공정 부산물 재활용 방법
JPWO2020195030A1 (ja) * 2019-03-28 2021-09-13 Jx金属株式会社 スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法
CN112122764A (zh) * 2020-09-16 2020-12-25 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钨靶材与铜锌合金背板的扩散焊接方法
CN112935512A (zh) * 2021-03-26 2021-06-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钴靶材与铜铬合金背板的扩散焊接方法
CN113231705B (zh) * 2021-05-20 2022-11-04 上海博译金属有限公司 一种溅射镀膜用铬靶材与铜背板的复合方法
JP7376742B1 (ja) 2023-05-22 2023-11-08 株式会社アルバック ターゲット組立体およびターゲット組立体の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH069906B2 (ja) 1986-03-04 1994-02-09 日本発条株式会社 黒鉛と銅または銅合金からなる複合材
JPH01180976A (ja) * 1988-01-12 1989-07-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリング用バッキングプレート
TW234767B (de) * 1992-09-29 1994-11-21 Nippon En Kk
US5836506A (en) * 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US6073830A (en) * 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
KR20010005546A (ko) * 1997-03-19 2001-01-15 존슨매테이일렉트로닉스, 인코퍼레이티드 후면에 확산 니켈 플레이트된 타겟과 그의 생성방법
WO2000006793A1 (en) 1998-07-27 2000-02-10 Applied Materials, Inc. Sputtering target assembly
US6451185B2 (en) * 1998-08-12 2002-09-17 Honeywell International Inc. Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same
US6071389A (en) * 1998-08-21 2000-06-06 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making
JP2000239838A (ja) 1999-02-15 2000-09-05 Sony Corp 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体およびその製造方法
JP2000239837A (ja) 1999-02-15 2000-09-05 Sony Corp 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の分離方法
US6113761A (en) * 1999-06-02 2000-09-05 Johnson Matthey Electronics, Inc. Copper sputtering target assembly and method of making same
US6620296B2 (en) * 2000-07-17 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Target sidewall design to reduce particle generation during magnetron sputtering

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202015100433U1 (de) 2014-01-30 2015-02-09 Fhr Anlagenbau Gmbh Fügeverbindung zwischen zwei Elementen

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002129316A (ja) 2002-05-09
EP1331283A1 (de) 2003-07-30
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KR20030045153A (ko) 2003-06-09
WO2002036848A1 (fr) 2002-05-10
DE60107280D1 (de) 2004-12-23
JP3905301B2 (ja) 2007-04-18
EP1331283A4 (de) 2004-04-28
US20030134143A1 (en) 2003-07-17
KR100528888B1 (ko) 2005-11-15
TW554060B (en) 2003-09-21
US6759143B2 (en) 2004-07-06

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