JP2014523969A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014523969A JP2014523969A JP2014518961A JP2014518961A JP2014523969A JP 2014523969 A JP2014523969 A JP 2014523969A JP 2014518961 A JP2014518961 A JP 2014518961A JP 2014518961 A JP2014518961 A JP 2014518961A JP 2014523969 A JP2014523969 A JP 2014523969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- reactive material
- reservoir
- mandrel
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D25/00—Special casting characterised by the nature of the product
- B22D25/06—Special casting characterised by the nature of the product by its physical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D7/00—Casting ingots, e.g. from ferrous metals
- B22D7/005—Casting ingots, e.g. from ferrous metals from non-ferrous metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D7/00—Casting ingots, e.g. from ferrous metals
- B22D7/06—Ingot moulds or their manufacture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本願は、2011年6月27日に出願された米国仮特許出願第61/501,605号の利得および優先権を主張するものであり、その内容は、参照することによって、その全体がここに含まれるものとする。
本願は、一般的に、鋳造に関し、さらに詳細には、反応性材料の鋳造、およびこのようにして得られた管状反応性材料ターゲットに関する。
例えば、周知の方法、構造、および技術は、この説明の理解を明確にするために、詳細には示されていない。
とよい。代替的に、装置は、冷媒内に浸漬されてもよい。モールドを冷却するステップは、外側モールドシェルおよびマンドレルの内壁を同時に冷却することを含んでいてもよい。モールドは、垂直方向に配向されているとよく、内壁および/または外側モールドは、底から上に向かって冷却されるとよい。いくつかの実施形態では、遠位端にシャワーヘッドが取り付けられたヒーターを、シャワーヘッドを通して流体冷媒を噴霧しながら、コア区域から引き抜くようになっている。冷却速度は、反応性材料、例えば、リチウムを凝固させ、平均粒径、例えば、3−10mm直径の粒径を有する微細な均一結晶粒組織を画定するように、制御されるようになっているとよい。
105 マンドレル(コア)
107 コア区域
110 外側モールドシェル
120 間隙
130 プレート
140 リザーバ
150 延長チューブ
160,170 フランジ
180 カバー
182 ポンピングポート
185 観察ポート
190 ガスチューブ
195 ヒーター
200 リチウムインゴット
210 攪拌機
220 第1のクーラー
230 第2のクーラー
240 真空ポンプ
250 オリフィス弁
260 リフト機構
Claims (27)
- 反応性材料PVDターゲットを鋳造するための方法において、
開口を画定しているモールドを準備するステップであって、前記モールドは、閉鎖した底部分を有している、ステップと、
反応性材料インゴットを前記モールドに近接するリザーバ内に配置するステップと、
前記リザーバ内に真空または不活性雰囲気を生成させ、前記リザーバ内において前記反応性材料を溶融させるステップと、
前記モールドを鋳込温度よりも高い温度に加熱し、前記モールド内に真空または不活性雰囲気を生成させるステップと、
溶融した反応性材料を前記リザーバから前記開口内に導入するステップと、
前記モールドを冷却し、前記反応性材料PVDターゲットを形成するステップとを含んでいることを特徴とする方法。 - 開口を画定している前記モールドを準備する前記ステップおよび前記反応性材料を前記モールドに近接するリザーバ内に配置する前記ステップに続いて、前記リザーバと前記溶融した反応性材料が導入される前記モールドの部分とを密封するようになっていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記リザーバおよび前記モールドは、密封可能な空間を形成するように一緒に組み合わされていることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 溶融した反応材料を前記リザーバから前記開口内に導入する前記ステップは、溶融した反応性材料が前記モールド内に流れることを可能にすることを含んでいることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記ターゲットは、管状反応性PVDターゲットを含んでおり、前記モールドを準備する前記ステップは、外側モールドシェルおよび前記外側モールドシェル内に配置されたマンドレルを備えるモールドを準備することを含んでおり、前記外側モールドシェルおよび前記マンドレルは、それらの間に円筒状環状開口を画定しており、前記マンドレルは、コア区域を画定する内壁を有していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記モールドを加熱する前記ステップは、前記内壁を加熱することを含んでいることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記モールドを加熱する前記ステップは、前記外側モールドシェルを加熱することを含んでいることを特徴とする請求項5または6のいずれかに記載の方法。
- 前記外側モールドシェルを加熱する前記ステップは、前記内壁からの熱放射を介して前記外側モールドシェルを加熱することを含んでいることを特徴とする請求項5〜7に記載の方法。
- 前記モールドを冷却する前記ステップは、流体冷媒を前記コア区域から前記内壁に向かって導くことを含んでいることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記モールドを冷却する前記ステップは、流体冷媒を前記外側モールドシェルに向かって導くことを含んでいることを特徴とする請求項5〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記流体冷媒を導く前記ステップは、前記流体冷媒をシャワーヘッドを通して噴霧することを含んでいることを特徴とする請求項9または10のいずれかに記載の方法。
- 前記流体冷媒は、水、水溶液、および油基組成物からなる群から選択される流体を含んでいることを特徴とする請求項9〜11のいずれかに記載の方法。
- 前記流体冷媒を導く前記ステップは、前記流体冷媒をシャワーヘッドを通して噴霧することを含んでおり、前記シャワーヘッドは、ヒーターの遠位端に取り付けられており、前記ヒーターは、前記コア区域内に挿入されるように構成されていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記ヒーターを前記コア区域から引き出し、同時に前記流体冷媒を前記シャワーヘッドから噴霧することをさらに含んでいることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記モールドは、垂直方向に配向されており、前記内壁および前記外側モールドシェルの少なくとも1つは、底から上に向かって冷却されるようになっていることを特徴とする請求項6〜14のいずれかに記載の方法。
- 前記モールドの前記冷却は、前記外側モールドシェルおよび前記マンドレルの前記内壁を同時に冷却することを含んでいることを特徴とする請求項6〜15のいずれかに記載の方法。
- 前記溶融した反応性材料が前記モールド内に導かれた後、前記モールドが冷却される前に、前記モールドを撹拌することをさらに含んでいることを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載の方法。
- 前記外側モールドシェルを前記管状PVDターゲットから除去することをさらに含んでいることを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記載の方法。
- 前記反応性材料は、リチウムおよびリチウム基合金からなる群から選択されるようになっていることを特徴とする請求項1〜18のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜19のいずれかの方法によって鋳造された反応性材料PVDターゲット。
- 基部構造と、前記基部構造上に配置された鋳造反応性材料層とを備えていることを特徴とするPVDターゲット。
- 前記基部構造は、コア区域を画定する内壁を有するマンドレルから構成されており、前記鋳造反応性材料層は、前記マンドレルの外壁上に配置されており、前記マンドレルおよび前記鋳造リチウム層は、管状構造を画定していることを特徴とする請求項21に記載のPVDターゲット。
- 前記反応性材料層は、その反応しない形態にあることを特徴とする請求項21または22のいずれかに記載のPVDターゲット。
- 前記鋳造反応性材料層は、リチウム層から構成されていることを特徴とする請求項21〜23のいずれかに記載のPVDターゲット。
- 前記鋳造反応性材料層は、1体積%未満の空隙を含んでいることを特徴とする請求項21〜24のいずれかに記載のPVDターゲット。
- 前記マンドレルは、鋼およびステンレス鋼の少なくとも一種から構成されていることを特徴とする請求項21〜25のいずれかに記載のPVDターゲット。
- 前記鋳造リチウム層は、少なくとも約3mmの直径の平均粒径を有する結晶粒を含んでいることを特徴とする請求項21〜26のいずれに記載のPVDターゲット。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161501605P | 2011-06-27 | 2011-06-27 | |
US61/501,605 | 2011-06-27 | ||
PCT/US2012/044399 WO2013003458A1 (en) | 2011-06-27 | 2012-06-27 | Sputtering target |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014523969A true JP2014523969A (ja) | 2014-09-18 |
JP2014523969A5 JP2014523969A5 (ja) | 2015-08-20 |
Family
ID=46598921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014518961A Pending JP2014523969A (ja) | 2011-06-27 | 2012-06-27 | スパッタリングターゲット |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10138544B2 (ja) |
EP (1) | EP2723915A1 (ja) |
JP (1) | JP2014523969A (ja) |
KR (1) | KR101988391B1 (ja) |
CN (1) | CN103814151B (ja) |
WO (1) | WO2013003458A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5968808B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2016-08-10 | Jx金属株式会社 | インジウム製円筒形ターゲット部材及び円筒形ターゲット部材の製造方法 |
JP5941016B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2016-06-29 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
JP6305083B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2018-04-04 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、それの製造方法 |
CN105349952A (zh) * | 2015-11-09 | 2016-02-24 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 金属锂靶材铸造制备方法 |
CN108827994B (zh) * | 2018-06-04 | 2020-06-19 | 西安交通大学 | 一种车载加速器中子源固态锂靶*** |
KR101956017B1 (ko) * | 2018-12-12 | 2019-03-08 | (주)코아엔지니어링 | 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치 및 충진방법 |
US20230075617A1 (en) * | 2020-02-13 | 2023-03-09 | Junora Ltd | Systems and methods for casting sputtering targets |
CN112962070B (zh) * | 2021-02-02 | 2023-02-07 | 邱从章 | 一种溅射靶材的制备装备及其制备方法 |
CN113463047A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-10-01 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种靶材制备电动辅助装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06507943A (ja) * | 1991-05-21 | 1994-09-08 | ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド | 自立性亜鉛合金ターゲットを持つ回転円筒マグネトロン構造 |
EP1186682A2 (de) * | 2000-09-05 | 2002-03-13 | Unaxis Materials Deutschland GmbH | Zylinderförmiges Sputtertarget und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2011045304A1 (en) * | 2009-10-12 | 2011-04-21 | Gradel S.À.R.L. | Method and apparatus for production of rotatable sputtering targets |
Family Cites Families (124)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH577864A5 (ja) | 1974-05-29 | 1976-07-30 | Sulzer Ag | |
KR840004375A (ko) | 1982-04-15 | 1984-10-15 | 루이스 뒤쀠 | 실린더형 강괴제조 방법 및 장치 |
US5215639A (en) | 1984-10-09 | 1993-06-01 | Genus, Inc. | Composite sputtering target structures and process for producing such structures |
DE3532131A1 (de) | 1985-09-10 | 1987-03-12 | Bayer Ag | Verfahren zur gerichteten erstarrung von metallschmelzen |
JPH086175B2 (ja) | 1988-02-18 | 1996-01-24 | 三井造船株式会社 | 管材内面スパッタ用ターゲット |
DE3912381A1 (de) | 1988-04-15 | 1989-10-26 | Sharp Kk | Auffaengereinheit |
JPH01290765A (ja) | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
JPH02190470A (ja) | 1989-01-13 | 1990-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ用ターゲット及びその製造方法 |
JPH02200775A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-09 | Daido Steel Co Ltd | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
JPH02311394A (ja) | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Daido Steel Co Ltd | Wターゲット材 |
US5096562A (en) | 1989-11-08 | 1992-03-17 | The Boc Group, Inc. | Rotating cylindrical magnetron structure for large area coating |
JPH0539566A (ja) | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
US5230459A (en) | 1992-03-18 | 1993-07-27 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby |
DE4216870C2 (de) | 1992-05-22 | 1994-08-11 | Titan Aluminium Feingus Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines metallischen Gußkörpers nach dem Feingußverfahren |
US5693203A (en) | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
US5487822A (en) | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
US5433835B1 (en) | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
US5474667A (en) | 1994-02-22 | 1995-12-12 | Materials Research Corporation | Reduced stress sputtering target and method of manufacturing therefor |
US5836506A (en) | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5857611A (en) | 1995-08-16 | 1999-01-12 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5591314A (en) | 1995-10-27 | 1997-01-07 | Morgan; Steven V. | Apparatus for affixing a rotating cylindrical magnetron target to a spindle |
US5830336A (en) * | 1995-12-05 | 1998-11-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering of lithium |
GB9600210D0 (en) | 1996-01-05 | 1996-03-06 | Vanderstraeten E Bvba | Improved sputtering targets and method for the preparation thereof |
JPH10158829A (ja) | 1996-12-04 | 1998-06-16 | Sony Corp | スパッタリングターゲット組立体の製造方法 |
US5963778A (en) | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor |
EP0918351A1 (en) | 1997-11-19 | 1999-05-26 | Sinvaco N.V. | Improved planar magnetron with moving magnet assembly |
US6579431B1 (en) | 1998-01-14 | 2003-06-17 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers |
DE69928790T2 (de) | 1998-04-16 | 2006-08-31 | Bekaert Advanced Coatings N.V. | Mittel zur kontrolle der targetabtragung und der zerstäubung in einem magnetron |
US6287435B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-09-11 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition |
EP0969238A1 (en) | 1998-06-29 | 2000-01-05 | Sinvaco N.V. | Vacuum tight coupling for tube sections |
US6183686B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same |
US6451185B2 (en) | 1998-08-12 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
US6071389A (en) | 1998-08-21 | 2000-06-06 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making |
KR20010080499A (ko) | 1998-12-03 | 2001-08-22 | 추후제출 | 삽입체 타겟 조립체 및 그 제조 방법 |
US6192969B1 (en) | 1999-03-22 | 2001-02-27 | Asarco Incorporated | Casting of high purity oxygen free copper |
JP3967067B2 (ja) | 1999-06-15 | 2007-08-29 | 東ソー株式会社 | スパッタリングターゲット |
EP1063679B1 (en) | 1999-06-21 | 2008-01-09 | Bekaert Advanced Coatings NV. | Erosion profile compensated magnetron with moving magnet assembly |
US6164519A (en) | 1999-07-08 | 2000-12-26 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of bonding a sputtering target to a backing plate |
US6190516B1 (en) | 1999-10-06 | 2001-02-20 | Praxair S.T. Technology, Inc. | High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions |
DE19953470A1 (de) | 1999-11-05 | 2001-05-23 | Heraeus Gmbh W C | Rohrtarget |
US6878250B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
WO2001085369A1 (fr) | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Nippon Steel Corporation | Tambour de refroidissement pour le moulage par coulage continu de pieces fines, procede et appareil de fabrication, fine piece moulee et procede de moulage par coulage continu |
JP2001347356A (ja) | 2000-06-07 | 2001-12-18 | Mitsubishi Materials Corp | 引け巣が無く表面が滑らかで皺の無い銅または銅合金インゴットの製造方法および装置 |
US6619537B1 (en) | 2000-06-12 | 2003-09-16 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers |
US6725522B1 (en) | 2000-07-12 | 2004-04-27 | Tosoh Smd, Inc. | Method of assembling target and backing plates |
DE60142299D1 (de) | 2000-08-17 | 2010-07-15 | Tosoh Smd Inc | Hochreiner sputtering targets mit indikator zur anzeige des endes der nutzungsdauerfür target und herstellungsverfahren dafür |
WO2002022300A1 (en) | 2000-09-11 | 2002-03-21 | Tosoh Smd, Inc. | Method of manufacturing sputter targets with internal cooling channels |
US6409897B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-06-25 | Poco Graphite, Inc. | Rotatable sputter target |
JP3905301B2 (ja) | 2000-10-31 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
AT4240U1 (de) | 2000-11-20 | 2001-04-25 | Plansee Ag | Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle |
WO2002049785A1 (en) | 2000-12-18 | 2002-06-27 | Tosoh Smd, Inc. | Low temperature sputter target/backing plate joining technique and assemblies made thereby |
DE10063383C1 (de) * | 2000-12-19 | 2002-03-14 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung |
DE10102493B4 (de) | 2001-01-19 | 2007-07-12 | W.C. Heraeus Gmbh | Rohrförmiges Target und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets |
US6599405B2 (en) | 2001-05-30 | 2003-07-29 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Recessed sputter target |
US7141812B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-28 | Mikro Systems, Inc. | Devices, methods, and systems involving castings |
JP4413008B2 (ja) | 2001-08-13 | 2010-02-10 | ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム | スパッタターゲットを製造する方法 |
US6856444B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-02-15 | Sage Electrochromics, Inc. | Inferential temperature measurement of an electrochromic device |
US6799627B2 (en) | 2002-06-10 | 2004-10-05 | Santoku America, Inc. | Castings of metallic alloys with improved surface quality, structural integrity and mechanical properties fabricated in titanium carbide coated graphite molds under vacuum |
US20040016635A1 (en) | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Ford Robert B. | Monolithic sputtering target assembly |
AU2002368353A1 (en) | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Honeywell International Inc. | Die cast sputter targets |
US20060207740A1 (en) | 2002-11-14 | 2006-09-21 | Martin Weigert | Processes for producing a sputtering target from a silicon-based alloy, a sputtering target |
US6921470B2 (en) | 2003-02-13 | 2005-07-26 | Cabot Corporation | Method of forming metal blanks for sputtering targets |
US20040186810A1 (en) | 2003-02-14 | 2004-09-23 | Michaluk Christopher A. | Method of supplying sputtering targets to fabricators and other users |
US20070007129A1 (en) | 2003-03-25 | 2007-01-11 | Wilmert De Bosscher | Universal vacuum coupling for cylindrical target |
JP2009513818A (ja) | 2003-07-04 | 2009-04-02 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 回転管状スパッタターゲット組立体 |
US20090078570A1 (en) | 2003-08-11 | 2009-03-26 | Wuwen Yi | Target/backing plate constructions, and methods of forming target/backing plate constructions |
US20050051606A1 (en) | 2003-09-09 | 2005-03-10 | Rene Perrot | Method of manufacturing an extended life sputter target assembly and product thereof |
JP2007517133A (ja) | 2003-09-11 | 2007-06-28 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 粒子トラップを形成するために蒸着処理構成要素を処理する方法及び粒子トラップを表面上に有する蒸着処理構成要素 |
US6988306B2 (en) | 2003-12-01 | 2006-01-24 | Praxair Technology, Inc. | High purity ferromagnetic sputter target, assembly and method of manufacturing same |
WO2005090631A1 (en) | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Bekaert Advanced Coatings | Method to reduce thermal stresses in a sputter target |
CN1938813A (zh) | 2004-04-05 | 2007-03-28 | 贝卡尔特先进涂层公司 | 管状磁体组件 |
CN100475319C (zh) | 2004-04-22 | 2009-04-08 | 贝卡尔特先进复合有限责任公司 | 保持圆柱形滤筒的压力容器 |
US20050236270A1 (en) | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Heraeus, Inc. | Controlled cooling of sputter targets |
US7300617B2 (en) | 2004-05-13 | 2007-11-27 | David Gerling | Method of making fusion cast articles |
US20050279630A1 (en) | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dynamic Machine Works, Inc. | Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same |
KR101147941B1 (ko) | 2004-07-16 | 2012-05-24 | 베카에르트 어드벤스드 코팅스 | 열간 등방압 처리에 의해 얻어진 원통형 타겟 |
CN101040061B (zh) | 2004-10-11 | 2011-07-06 | 贝卡尔特先进涂层公司 | 细长的气体分配*** |
DE602005006008T2 (de) | 2004-10-18 | 2009-06-18 | Bekaert Advanced Coatings | Endblock für eine sputter-vorrichtung mit drehbarem target |
WO2006097152A1 (en) | 2004-10-18 | 2006-09-21 | Bekaert Advanced Coatings | Flat end-block for carrying a rotatable sputtering target |
EP1652564A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-05-03 | Martin Eurlings | Back-flush device |
EP1652565A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-05-03 | Martin Eurlings | Cross flow filter device with concentric filter elements |
DE102004060423B4 (de) | 2004-12-14 | 2016-10-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Rohrtarget und dessen Verwendung |
EP1834007A1 (en) | 2004-12-27 | 2007-09-19 | Cardinal CG Company | Oscillating shielded cylindrical target assemblies and their methods of use |
US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
ES2319569T3 (es) | 2005-03-11 | 2009-05-08 | Bekaert Advanced Coatings | Bloque terminal sencillo, de angulo recto. |
US20060201589A1 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Honeywell International Inc. | Components comprising metallic material, physical vapor deposition targets, thin films, and methods of forming metallic components |
US7354659B2 (en) | 2005-03-30 | 2008-04-08 | Reactive Nanotechnologies, Inc. | Method for fabricating large dimension bonds using reactive multilayer joining |
CN101175640B (zh) | 2005-04-11 | 2011-04-13 | 贝卡尔特先进复合有限责任公司 | 侧向开端口的细丝卷绕的压力容器 |
JP4820996B2 (ja) | 2005-05-30 | 2011-11-24 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 希ガスの固定化装置及び固定化方法 |
US8092657B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-01-10 | Bekaert Advanced Coatings | Module for coating both sides of a substrate in a single pass |
KR100674005B1 (ko) | 2005-07-01 | 2007-01-24 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터링 소스 및 이를 구비한 스퍼터 |
US20070017803A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
US20070062803A1 (en) | 2005-09-20 | 2007-03-22 | Cp Technologies, Inc. | Device and method of manufacturing sputtering targets |
TWI317763B (en) | 2005-10-03 | 2009-12-01 | Thermal Conductive Bonding Inc | Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing |
US7593154B2 (en) | 2005-10-11 | 2009-09-22 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices having improved ion conducting layers |
AT8697U1 (de) | 2005-10-14 | 2006-11-15 | Plansee Se | Rohrtarget |
JP5242169B2 (ja) | 2005-12-28 | 2013-07-24 | 株式会社エー・エム・テクノロジー | スパッタリングターゲット構造体の製造方法 |
EP1813695B8 (en) | 2006-01-31 | 2011-09-28 | Materion Advanced Materials Technologies and Services Inc. | Tubular sputtering target with improved stiffness |
EP1826292A1 (en) | 2006-02-23 | 2007-08-29 | Bekaert Advanced Coatings | Sputter module. |
WO2007141173A1 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Bekaert Advanced Coatings | A rotatable sputter target |
US8043488B2 (en) | 2006-06-02 | 2011-10-25 | Bekaert Advanced Coatings | Rotatable sputter target |
US20090183983A1 (en) | 2006-06-19 | 2009-07-23 | Bekaert Advanced Coatings | Insert piece for an end-block of a sputtering installation |
WO2008001547A1 (fr) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | élément de liaison pour cible de pulvérisation cathodique/plaque de support |
US20080041720A1 (en) | 2006-08-14 | 2008-02-21 | Jaeyeon Kim | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for PVD targets |
US7830585B2 (en) | 2006-11-09 | 2010-11-09 | Sage Electrochromics, Inc. | Method of making an ion-switching device without a separate lithiation step |
US20080110746A1 (en) | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Kardokus Janine K | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
US20080112878A1 (en) | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Honeywell International Inc. | Alloy casting apparatuses and chalcogenide compound synthesis methods |
US8206646B2 (en) | 2006-12-22 | 2012-06-26 | Praxair Tecnology, Inc. | Method for consolidating and diffusion-bonding powder metallurgy sputtering target |
US20080236738A1 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Chi-Fung Lo | Bonded sputtering target and methods of manufacture |
JP5467735B2 (ja) | 2007-07-02 | 2014-04-09 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット |
US8702919B2 (en) | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
US20090065354A1 (en) | 2007-09-12 | 2009-03-12 | Kardokus Janine K | Sputtering targets comprising a novel manufacturing design, methods of production and uses thereof |
DE102007044651B4 (de) | 2007-09-18 | 2011-07-21 | W.C. Heraeus GmbH, 63450 | Rohrsputtertarget mit grabenförmig strukturierter Außenfläche des Trägerrohres sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
TW200914637A (en) | 2007-09-27 | 2009-04-01 | Bekaert Advanced Coatings | Insert piece for an end-block of a sputtering installation |
ES2375235T3 (es) | 2008-02-15 | 2012-02-28 | Bekaert Advanced Coatings Nv. | Acoplamiento a vacío con múltiples surcos. |
WO2009109435A1 (en) | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Bekaert Advanced Filtration Sa | An elongate mesh pack for use as part of a filter candle |
US20100178525A1 (en) | 2009-01-12 | 2010-07-15 | Scott Campbell | Method for making composite sputtering targets and the tartets made in accordance with the method |
JP5524185B2 (ja) | 2008-05-16 | 2014-06-18 | ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー | 高剛性を有する回転可能なスパッタリングマグネトロン |
JP5387118B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2014-01-15 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US20110100809A1 (en) | 2008-07-08 | 2011-05-05 | Bekaert Advanced Coatings | Method to manufacture an oxide sputter target comprising a first and second phase |
EP2362822A2 (en) | 2008-09-26 | 2011-09-07 | Mikro Systems Inc. | Systems, devices, and/or methods for manufacturing castings |
JP2010111943A (ja) | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
EP2287356A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-23 | Bekaert Advanced Coatings NV. | Sputter target, method and apparatus for manufacturing sputter targets |
US20110089030A1 (en) | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Miasole | CIG sputtering target and methods of making and using thereof |
-
2012
- 2012-06-27 JP JP2014518961A patent/JP2014523969A/ja active Pending
- 2012-06-27 CN CN201280031120.7A patent/CN103814151B/zh active Active
- 2012-06-27 EP EP12741130.4A patent/EP2723915A1/en not_active Withdrawn
- 2012-06-27 WO PCT/US2012/044399 patent/WO2013003458A1/en active Application Filing
- 2012-06-27 KR KR1020137034334A patent/KR101988391B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-27 US US14/127,759 patent/US10138544B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06507943A (ja) * | 1991-05-21 | 1994-09-08 | ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド | 自立性亜鉛合金ターゲットを持つ回転円筒マグネトロン構造 |
EP1186682A2 (de) * | 2000-09-05 | 2002-03-13 | Unaxis Materials Deutschland GmbH | Zylinderförmiges Sputtertarget und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2011045304A1 (en) * | 2009-10-12 | 2011-04-21 | Gradel S.À.R.L. | Method and apparatus for production of rotatable sputtering targets |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013003458A1 (en) | 2013-01-03 |
KR101988391B1 (ko) | 2019-06-12 |
CN103814151B (zh) | 2016-01-20 |
CN103814151A (zh) | 2014-05-21 |
US10138544B2 (en) | 2018-11-27 |
US20140202852A1 (en) | 2014-07-24 |
EP2723915A1 (en) | 2014-04-30 |
KR20140057213A (ko) | 2014-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014523969A (ja) | スパッタリングターゲット | |
US6719034B2 (en) | Process for producing a tube-shaped cathode sputtering target | |
RU2526909C1 (ru) | Способ изготовления металлического изделия из порошкового материала цикличным послойным лазерным синтезом | |
EP1375034A2 (en) | Method and apparatus for directional solidification of a metal melt | |
JP2009221550A (ja) | 粉末製造機及び粉末製造方法 | |
CN113245562B (zh) | 高能束制备金属试验件与结构件的设备 | |
JP2014523969A5 (ja) | ||
JP4426471B2 (ja) | 希土類金属含有合金の鋳造装置 | |
US20170341132A1 (en) | Chill Plate for Equiax Casting Solidification Control For Solid Mold Casting of Reticulated Metal Foams | |
CN108213383B (zh) | 一种半固态浆料制备方法及装置 | |
RU139624U1 (ru) | Установка изготовления изделия путем лазерного спекания | |
JP3210293B2 (ja) | 粉体状の材料を製造するための方法 | |
EP2488677B1 (en) | Method and apparatus for production of rotatable sputtering targets | |
JP6956395B2 (ja) | 半凝固スラリーの作成方法及び作成装置並びに半凝固スラリーを用いた成型方法 | |
WO2017155038A1 (ja) | 鋳造装置 | |
US8240355B2 (en) | Forming a cast component with agitation | |
RU2146185C1 (ru) | Способ изготовления направленной кристаллизацией детали с монокристаллической структурой и устройство для его осуществления | |
JP2004306044A (ja) | 精密鋳造装置およびこれを用いる精密鋳造方法 | |
JP6554052B2 (ja) | 鋳造装置 | |
CN103042194B (zh) | 一种用于制备空壳薄壁铸件的装置及方法 | |
JP2002307150A (ja) | 鋳鉄管の製造方法 | |
RU2611253C1 (ru) | Способ получения порошка квазикристаллического сплава Al-Cu-Fe | |
CN114505482A (zh) | 制备金属管靶的装置、方法 | |
JP5731638B2 (ja) | 合金片製造装置およびそれを用いた希土類系磁石原料用合金片の製造方法 | |
JP2004138365A (ja) | 溶銑・溶鋼の精錬に用いる浸漬管の補修方法及び補修装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150629 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160422 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170801 |