DE4427994A1 - Metallbasisplatine und elektronische Einrichtung, die diese verwendet - Google Patents
Metallbasisplatine und elektronische Einrichtung, die diese verwendetInfo
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Description
Diese Erfindung betrifft eine Metallbasisplatine mit einem
metallischen Basisabschnitt, einem Schaltungsleiterab
schnitt sowie einem Isolierabschnitt, der zwischen dem
Schaltungsleiterabschnitt und dem Basisabschnitt vorgesehen
ist, und insbesondere eine Metallbasisplatine, die bei ei
ner Halbleitervorrichtung zur Leistungssteuerung verwendet
wird, die in einer elektronischen Einrichtung eingebaut ist
und viel Wärme erzeugt.
Bei elektronischen Steuervorrichtungen wie einem Inverter,
einem Servoverstärker und einem Spindelverstärker weist
eine Halbleitereinrichtung zur Leistungssteuerung Dioden,
Transistoren, IGFETs und MOSFETs mit hoher Kapazität auf.
Es gibt eine sogenannte "DBC-Platine" als Platine für eine
in einem elektronischen Schaltkreis verwendete Schaltung
wie einem Leistungssteuerabschnitt, der eine große Wärme
menge erzeugt. Die DBC-Platine weist eine Metallplatte für
eine Leiterschaltung, ein keramisches Isoliermaterial sowie
eine wärmeleitfähige Metallplatte auf, die an die Basis des
keramischen Isoliermaterials angefügt ist. Die in der DBC-
Platine verwendete Metallplatte kann beispielsweise eine
Kupferplatte sein. Das verwendete keramische Isoliermate
rial kann beispielsweise Aluminiumoxidkeramik oder Alumi
niumoxidkeramik sein. Die wärmeleitfähige Platte kann bei
spielsweise eine Kupferplatte sein. Wird als keramisches
Isoliermaterial ein Material wie Aluminiumoxidkeramik oder
nitriertes Aluminiumoxidkeramiknitrid verwendet, die beide
eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen, dann wird die in
einer Leiterschaltung erzeugte Wärme rasch zu einer Metall
platte übertragen. Da außerdem das Material selbst keramisch
ist, wird der Materialabbau aufgrund der Koronaentladung
unterdrückt und die Beständigkeit gegen die elektrische
Entladung wird ebenfalls verbessert.
Da sich allerdings die Wärmeausdehnungszahl der Schicht aus
keramischem Isoliermaterial von derjenigen der wärmeleitfä
higen Metallplattenschicht unterscheidet, ist die Wärmezy
kluscharakteristik ziemlich mäßig, und in der angrenzenden
Grenzschicht können Risse erzeugt werden. Aufgrund von Be
schränkungen beim Herstellungsverfahren für Keramiken läßt
sich auch eine großflächige Platte nur schwer herstellen.
Ein Keramikprodukt ist bei Verwendung der herkömmlichen
Herstellungsmethode typischerweise auf eine Abmessung von
etwa 150 mm×150 mm begrenzt. Darüberhinaus müssen die Ma
terialien bei dem Herstellungsverfahren für die herkömmli
che Platine auf eine hohe Temperatur erhitzt werden, und
damit ist das Herstellungsverfahren im Ergebnis bei hohen
Produktionskosten sehr kompliziert.
Zur Lösung der oben beschriebenen Probleme mit der DBC-Pla
tine wurde die Verwendung einer Metallbasisplatine vorge
schlagen, bei der eine Isolierschicht aus einem organischen
Polymeren und einer Metallfolie vorgesehen und mit einem
Kleber an eine wärmeleitfähige Metallplatte geklebt ist. In
Fig. 7 ist gezeigt, daß bei dieser Metallplatte 70 ein
Schaltungsleiter 3 über einer Isolierschicht 2 ausgebildet
ist, die an der Oberseite der wärmeleitfähigen Metallplatte
1 ein organisches Isoliermaterial aufweist, in dem einer
Isolierschicht 2 ein körniges anorganisches Füllmaterial
beigegeben ist. Diese Ausgestaltung ist beispielsweise in
der japanischen Patentveröffentlichung Nr. 6235/1971 und
der japanischen Patentveröffentlichung Nr. 9650/1972 offen
bart. Zwischen dem Leiter 3 und der Platte 1 ist ein Entla
dungspfad 71 zu sehen.
Allgemein weist das eine Isolierschicht bildende Isolierma
terial im Vergleich zu der von in der DBC-Platine verwende
ten Keramik eine wesentlich niedrigere Wärmeleitfähigkeit
auf, aber die Wärmeleitfähigkeit wird durch die Beigabe ei
nes anorganischen Füllmaterials wie Aluminiumoxid oder Si
liciumoxid erleichtert. Darüberhinaus wird die Wärmeleit
fähigkeit auf einen gewünschten Pegel erhöht, indem die
Dicke der Isolierschicht auf etwa 7% bis 30% derjenigen
der DBC-Platine reduziert wird.
Die technischen Dokumente, die mit dieser Erfindung in Zu
sammenhang stehen, umfassen die offengelegte japanische Ge
brauchsmusterveröffentlichung Nr. 106775/1991, die ein
"Metal Base Board" offenbart, die offengelegte japanische
Gebrauchsmusterveröffentlichung Nr. 73966/1988, die ein
"Heat-Radiating Insulating Board" offenbart, die offenge
legte japanische Gebrauchsmusterveröffentlichung Nr. 98253/
1987, die ein "Printed-Circuit Board" offenbart, die
offengelegte japanische Gebrauchsmusterveröffentlichung Nr.
244180/1991, die eine "Metal Base Laminated Plate" offen
bart, die offengelegte japanische Patentveröffentlichung
Nr. 27786/1990, die ein "Low Heat Resistance Circuit Board"
offenbart, die offengelegte japanische Patentveröffentli
chung Nr. 232795/1989, die ein "Method of Manufacturing a
Metal Base Board" offenbart, sowie die offengelegte japani
sche Patentveröffentlichung Nr. 232792/1990, die ein
"Circuit Board" offenbart.
Insbesondere Fig. 1 oder Fig. 4 in der offengelegten japa
nischen Gebrauchsmusterveröffentlichung Nr. 106775/1991 of
fenbaren eine Metallbasisplatine, bei der längliche organi
sche Füllstoffe mit hoher Wärmeleitfähigkeit einer organi
schen Isolierschicht beigegeben sind. Ihre Längsflächen
sind der Metallbasisseite zugewandt oder statistisch ver
teilt. Wegen der Beigabe der anorganischen Füllstoffe kann
die von den auf dem Schaltungsleiter 3 einer Metallbasis
platine 70 angebrachten Teilen wie Transistoren, Wider
ständen und Kondensatoren abgestrahlte Wärme wirksam zur
Ableitung nach außen übertragen werden.
Da außerdem in diesen Metallbasisplatinen ein organisches
Polymerisoliermaterial verwendet wird, läßt sich bei gerin
gen Kosten leicht eine Platine herstellen, die größer als
eine DBC-Platine ist. Darüberhinaus ergibt sich nicht wie
bei einer DBC-Platine das Problem der Bildung von Rissen
aufgrund eines Wärmezyklus. Aus den oben beschriebenen
Gründen wird eine Metallbasisplatine mit der oben beschrie
benen Ausgestaltung in einer Leistungsschaltung oder ande
ren, ähnlichen elektrischen Bauteilen verwendet, die eine
große Wärmemenge erzeugen.
Allerdings wird bei dem oben beschriebenen herkömmlichen
Typ einer Metallbasisplatine einem organischen Polymermate
rial ein körniges anorganisches Füllmaterial beigegeben,
und die resultierende Mischung wird als Isoliermaterial
verwendet. Allerdings baut organische Isolierschicht leicht
ab, wenn sie einer elektrischen Entladung ausgesetzt wird,
und das körnige Füllmaterial arbeitet nicht wirksam. Reicht
nämlich der Abbau aufgrund der elektrischen Entladung bis
zu dem Abschnitt mit dem beigegebenen organischen Füll
material, dann wird der Abbau weiter längs der Grenzschicht
des Abschnitts fortschreiten. Im Ergebnis ist der Füllstoff
nicht immer bei der Verbesserung der Charakteristika der
elektrischen Entladungsbeständigkeit wirksam.
Da die Dicke der Isolierschicht außerdem auf etwa 7% bis
30% der Dicke einer gewöhnlichen DBC-Platine reduziert
ist, um die erwünschten Wärmestrahlungschakteristika zu
gewährleisten, werden die Isoliercharakteristika unter
hoher Spannung beeinflußt. Es sollte zunächst bemerkt wer
den, daß bei Erhöhung der Dicke einer Isolierschicht die
Beständigkeit gegenüber der elektrischen Entladung verbes
sert wird, aber die Wärmestrahlungscharakteristika schlech
ter werden, da die in dem Schaltungsleiter erzeugte Wärme
kaum zu der Metallplatte übertragen wird. Es sei auch
bemerkt, daß der herkömmliche Typ einer Metallbasisplatine
zwar allgemein bei Anwendungen verwendet wird, die eine re
lativ niedrige Betriebsspannung, z. B. 200 V Wechselspannung
oder weniger erfordern, daß aber in jüngster Zeit eine Me
tallbasisplatine häufig bei Anwendungen verwendet wird, bei
denen ständig eine hohe Spannung in der Klasse von 400 V
oder 600 V angelegt wird. Unter diesen zwei Bedingungen
wird die Isolierschicht aus dem organischen Polymeren auf
grund einer elektrischen Koronaentladung abbauen, und die
Isoliercharakteristika der Isolierschicht erleiden Schaden.
Da die Platte außerdem nicht sehr dick ist, ist die Lebens
dauer bis zum endgültigen Durchbruch der Isolierung kurz.
Für dieses Problem gibt es mehrere Gründe. Befindet sich
erstens Luft an einer Fläche längs eines Leiterschaltungs
abschnitts einer Platine, dann liegen in der verarbeiteten
Schicht mit Luft gefüllte Hohlraumabschnitte vor, selbst
wenn der Abschnitt beispielsweise mit Resist oder einem Si
liciumkapselungsmaterial bearbeitet worden ist. Zweitens
wird bekanntlich eine elektrische Koronaentladung erzeugt,
wenn eine hohe Wechselspannung an solche mit Luft gefüllten
Hohlraumabschnitte angelegt wird. Drittens liegt bei den
meisten organischen Polymermaterialien die Spannung, bei
der die elektrische Koronaentladung beginnt, in einem Be
reich von etwa 400 bis 500 V, obwohl dies von der Dicke je
der Platine abhängt. Eine elektrische Koronaentladung kann
nicht nur bei einer elektronischen Einrichtung mit einer
Nennspannung von 400 V oder weniger, sondern auch bei einer
elektronischen Einrichtung auftreten, für die die Nennspan
nung über 400 V liegt, auftreten, wenn während des Dienst
betriebs in Verbindung mit der elektronischen Steuerung von
solchen Abschnitten wie einem Schalter eine Spannung von
mehr als 400 V geladen wird.
Obwohl ferner das in der offengelegten japanischen Ge
brauchsmusterveröffentlichung Nr. 106775/1991 offenbare
"Metal Base Board" wirksam thermische Vorteile liefert, wie
eine Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit und eine Reduzie
rung der linearen Wärmeausdehnungszahl liefert, wird der
Abbau aufgrund der elektrischen Entladung längs einer
Grenzschicht fortschreiten, wie dies für die in Fig. 7
gezeigte Platine mit dem beigegebenen, körnigen anorgani
schen Füllmaterial oben beschrieben ist, wenn ein Abbau
aufgrund der elektrischen Entladung die Füllstoffe er
reicht. Aus diesem Grund kann der Füllstoff nicht die Be
ständigkeit der Metallbasisplatine gegen die elektrische
Entladung verbessern.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, Metallbasisplatinen zu
schaffen, die hervorragende Wärmestrahlungscharakteristika
sowie eine hervorragende Beständigkeit gegen eine elektri
sche Entladung liefern und selbst unter einer hohen Span
nung verwendet werden können. Eine Aufgabe liegt auch
darin, eine elektronische Einrichtung zu schaffen, die eine
solche Metallbasisplatine verwendet und bei hoher Spannung
arbeitet.
Bei der Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung
und in der elektronischen Einrichtung, die diese verwendet,
weist eine Isolierschicht ein organisches Isoliermaterial
mit beigegebenen, flockigen anorganischen Füllstoffen auf.
Die Flachseiten der flockigen anorganischen Füllstoffe sind
im wesentlichen parallel zu den Oberflächen des Schaltungs
leiterabschnitts und des Basisabschnitts ausgerichtet, so
daß die Platten mit dem anorganischen flockigen Füllstoff
in geschichtetem Zustand gestapelt sind. Bei dieser Anord
nung wird in dem Abschnitt mit den beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllstoffen der Abbau aufgrund der Entladung
verhindert oder wesentlich unterdrückt, selbst wenn in ei
nem Hohlraum an der Oberfläche eines Schaltungsleiterab
schnitts oder innerhalb einer Isolierschicht eine Korona
entladung auftritt und das Isoliermaterial abgebaut wird.
Als Ergebnis sind die Entladungsbeständigkeitscharakte
ristika der gesamten Isolierschicht verbessert.
Bei einer Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfin
dung und der elektronischen Einrichtung, die diese verwen
det, weist der Isolierabschnitt ein organisches Isolier
material mit flockigen anorganischen Füllstoffen und einem
körnigen anorganischen Füllmaterial auf, wobei die Flach
seiten der flockigen anorganischen Füllstoffe im wesent
lichen parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiterab
schnitts und des Basisabschnitts ausgerichtet sind, so daß
die Materialien in geschichtetem Zustand gestapelt werden
können. Als Ergebnis wird in dem Abschnitt mit den beige
gebenen, flockigen organischen Füllstoffen der Abbau auf
grund der Entladung verhindert oder im wesentlichen unter
drückt, selbst wenn eine Entladung in einem Hohlraum längs
der Oberfläche des Schaltungsleiters oder in einem Hohl
raumabschnitt innerhalb der Isolierschicht auftritt und das
organische Isoliermaterial aufgrund der Entladung abgebaut
wird. Ebenso werden die Entladungsbeständigkeitscharakte
ristika der gesamten Isolierschicht verbessert, und die
Wärmeleitfähigkeit der Isolierschicht wird wegen des
körnigen anorganischen Füllmaterials erhöht. Gleichzeitig
kann die lineare Wärmeausdehnungszahl reduziert werden, so
daß eine für die Bedingungen der praktischen Verwendung ge
eignete Isolierschicht ausgebildet werden kann, indem ein
festes Verhältnis des Füllmaterials geändert wird.
Bei einer Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfin
dung und der diese verwendenden elektronischen Einrichtung
weist der Isolierabschnitt eine Isolierschicht aus einem
organischen Isoliermaterial mit beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllstoffen und eine Isolierschicht aus einem
organischen Isoliermaterial mit einem beigegebenen, körni
gen anorganischen Füllmaterial, also insgesamt zwei Schich
ten auf, wobei die Oberflächen der flockigen anorganischen
Füllstoffe im wesentlichen parallel zu den Oberflächen des
Schaltungsleiter- und Basisabschnitts ausgerichtet sind, so
daß die Füllmaterialien in geschichtetem Zustand gestapelt
werden können. Als Ergebnis wird selbst dann, wenn das or
ganische Isoliermaterial aufgrund einer elektrischen Entla
dung abgebaut wird, der Abbau aufgrund der elektrischen
Entladung in dem Abschnitt mit den beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllstoffen unterdrückt, oder der Abbau auf
grund der elektrischen Entladung selbst wird verhindert,
und die elektrischen Entladungsbeständigkeitscharakte
ristika werden verbessert. Da ferner die Isolierschicht ein
körniges anorganisches Füllmaterial aufweist, wird die
Wärmeleitfähigkeit der Isolierschicht erhöht, und ebenso
kann die lineare Wärmeausdehnungszahl reduziert werden. Mit
dieser Anordnung läßt sich eine für die Bedingungen prakti
scher Verwendung geeignete Isolierschicht ausbilden, indem
das Dickenverhältnis zwischen den beiden organischen
Isolierschichten geändert wird.
Bei der Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung
und der elektronischen Einrichtung, die diese verwendet,
weist der Isolierabschnitt mehrere Isolierschichten auf,
wobei jede Isolierschicht eine organische Isolierschicht
mit einem unterschiedlichen Typ eines flockigen anorgani
schen Füllstoffs aufweist, die jeweils einen unterschiedli
chen durchschnittlichen Teilchendurchmesser aufweisen. Die
Füllstoffe, die zu wenigstens einem Typ der flockigen anor
ganischen Füllmaterialien gehören, sind im wesentlichen
parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiters und des
Basisabschnitts ausgerichtet, so daß die Füllstoffe in ge
schichtetem Zustand gestapelt werden können. Als Ergebnis
wird selbst dann, wenn in einem Abschnitt des Schaltungs
leiters längs der Oberfläche oder in einem Hohlraumab
schnitt innerhalb der Isolierschicht eine elektrische Ent
ladung auftritt und das organische Isoliermaterial aufgrund
der elektrischen Entladung abgebaut wird, der Abbau auf
grund der elektrischen Entladung in dem Abschnitt mit den
beigegebenen, flockigen anorganischen Füllstoffen unter
drückt, oder der Abbau aufgrund der elektrischen Entladung
selbst wird verhindert. Summarisch sind die elektrischen
Entladungsbeständigkeitscharakteristika in der gesamten
Isolierschicht verbessert. Darüberhinaus kann eine für die
Bedingungen der praktischen Verwendung geeignete Isolier
schicht ausgebildet werden, indem das Dickenverhältnis zwi
schen mehreren organischen Isolierschichten geändert wird.
Bei der Metallbasisplatine und der elektronischen Einrich
tung, die diese verwendet, weist der Isolierabschnitt ein
organisches Isoliermaterial mit vielfach unterschiedlichen
Typen flockiger anorganischer Füllstoffe auf, die jeweils
aus einem unterschiedlichen Rohmaterial hergestellt sind,
wobei die Oberflächen der flockigen anorganischen Füllmate
rialien im wesentlichen parallel zu den Oberflächen des
Schaltungsleiterabschnitts und des Basisabschnitts ausge
richtet sind, so daß die Füllmaterialien in geschichtetem
Zustand gestapelt werden können. Aus diesem Grund wird
selbst dann, wenn in einem Abschnitt des Schaltungsleiters
längs der Oberfläche oder in einem Hohlraum innerhalb der
Isolierschicht eine elektrische Entladung auftritt und das
organische Isoliermaterial aufgrund der elektrischen Entla
dung abgebaut wird, der Abbau aufgrund der elektrischen
Entladung in dem Abschnitt mit den beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllstoffen unterdrückt, oder der Abbau auf
grund der elektrischen Entladung selbst wird verhindert,
wobei die elektrischen Entladungsbeständigkeitscharakteri
stika in der gesamten Isolierschicht verbessert sind.
Darüberhinaus können der Isolierschicht Eigenschaften
verliehen werden, die dem Typ des Füllmaterials entspre
chen; aus diesen Gründen kann eine Isolierschicht ausge
bildet werden, die für die Bedingungen der praktischen
Verwendung besser geeignet ist.
Bei der Platine nach der vorliegenden Erfindung und der
elektronischen Einrichtung, die diese verwendet, weist der
Isolierabschnitt mehrere Isolierschichten auf, wobei jede
Schicht eine organische Isolierschicht mit flockigen anor
ganischen Füllstoffen aufweist, die jeweils einen unter
schiedlichen Teilchendurchmesser aufweisen, wobei die Ober
flächen jedes flockigen organischen Füllstoffs im wesent
lichen parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiter
abschnitts und des Basisabschnitts ausgerichtet sind, so
daß die Füllstoffe in geschichtetem Zustand gestapelt wer
den können. Als Ergebnis wird selbst dann, wenn in einem
Abschnitt des Schaltungsleiters entlang der Oberfläche oder
in einem Hohlraum innerhalb der Isolierschicht eine elek
trische Entladung auftritt und das organische Isoliermate
rial aufgrund der elektrischen Entladung abgebaut wird, der
Abbau aufgrund der elektrischen Entladung in dem Abschnitt
mit den beigegebenen, flockigen anorganischen Füllstoffen
unterdrückt, oder der Abbau aufgrund der elektrische Entla
dung selbst wird verhindert, wobei die elektrischen Entla
dungsbeständigkeitscharakteristika in der gesamten Oberflä
che verbessert sind. Da der Isolierschicht darüberhinaus
Eigenschaften verliehen werden können, die dem Typ des
Füllmaterials entsprechen, kann eine Isolierschicht
ausgebildet werden, die für Bedingungen der praktischen
Verwendung geeignet ist.
Weitere Aufgaben und Einzelheiten der Erfindung sind aus
der folgenden Beschreibung unter Bezug auf die beigefügten
Zeichnungen zu verstehen.
Fig. 1 ist eine Ansicht zur Veranschaulichung der
Ausgestaltung einer Metallbasisplatine nach der vorliegen
den Erfindung;
Fig. 2 ist eine Zeichnung zur Veranschaulichung einer
Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 ist eine Ansicht zur Veranschaulichung einer
Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ist eine Ansicht zur Veranschaulichung einer
Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 ist eine Ansicht zur Veranschaulichung einer
Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 ist eine Ansicht zur Veranschaulichung einer
Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 7 ist eine Ansicht zur Veranschaulichung einer
Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung.
Unter Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen werden im fol
genden Metallbasisplatinen nach der vorliegenden Erfindung
und die diese verwendende elektronische Einrichtung be
schrieben. Wie dies in Fig. 1 gezeigt ist, weist eine Me
tallbasisplatine 10 einen Schaltungsleiter 3 über einer
Isolierschicht 2 auf einer Metallplatte 1 mit flockigen an
organischen Füllstoffen 4 auf, deren Flocken die Form einer
flachen Platte aufweisen und der Isolierschicht beigegeben
sind. Als Material für die Metallplatte 1 kann beispiels
weise ein Material wie Fe, Al, Cu, SUS oder Siliciumstahl
verwendet werden; in dieser Ausführungsform ist allerdings
Cu verwendet. Als Material für den Schaltungsleiter 3 kann
beispielsweise ein Material wie Al oder Cu verwendet wer
den; bei dieser Ausführungsform ist allerdings Cu verwen
det.
In der Isolierschicht ist ein organisches Isoliermaterial
mit beigegebenen, flockigen anorganischen Füllstoffen ver
wendet, und bei dieser Ausführungsform wird ein Harz mit
flockigen anorganischen Füllstoffen verwendet, die jeweils
einen Aluminiumoxidfüllstoff aufweisen (wird unter dem Na
men Low Soda Alumina L-13PC von Showa Keikinzoku vertrie
ben), der dem Harz mit 80 Gew.-% beigegeben ist. Die
flockigen anorganischen Füllstoffe sind dem Harz in einer
Menge von 80% gegenüber dem Harz beigegeben, da die Visko
sität des Harzes stark ansteigt und die Bearbeitbarkeit
schlecht wird, wenn die flockigen anorganischen Füllstoffe
zu deutlich dem Harz beigemischt werden.
Insbesondere werden als organisches Isoliermaterial haupt
sächlich ein Epoxidharz und ein Dicyandiamid-Aushärtungs
mittel verwendet, und Aluminiumoxidflocken mit einer Größe
von jeweils etwa 0,06 mm und einer Dicke von 0,002 bis
0,003 mm werden als die flockigen anorganischen Füllstoffe
4 verwendet. Darüberhinaus beträgt die Dicke einer Isolier
schicht in einer Platine 0,12 mm, und in der Isolierschicht
2 sind etwa 20 bis 30 Flockenschichten ausgebildet.
Die Flocken in den flockigen anorganischen Füllstoffen kön
nen kreisförmig, rechteckig, vieleckig oder von anderer
Form sein, solange die Materialien flach sind. Darüber
hinaus sind die Flachseiten jeder Flocke 4 des anorgani
schen Füllstoffs in dem organischen Isoliermaterial allge
mein parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiters 3
und der Metallplatte 1 ausgerichtet, so daß die flockigen
anorganischen Füllstoffe in geschichtetem Zustand gestapelt
werden können. Die flockigen anorganischen Füllstoffe sind
nämlich so beigegeben, daß jeder Vektor von einem gegebenen
Punkt an dem Schaltungsleiter 3 zu der Metallplatte in
vertikaler Richtung zu dem Schaltungsleiter 3 einige der
flockigen anorganischen Füllstoffe schneidet, wie dies an
den Pfaden 11 zu sehen ist.
In der Isolierschicht 2 lassen sich verschiedene Methoden
zum Ausrichten der flockigen anorganischen Füllstoffe in
einer Richtung anwenden. Beispielsweise (1) wird ein Pulver
aus flockigen anorganischen Füllstoffen einem organischen
Isoliermaterial mit niedriger Viskosität beigegeben, wobei
jede Flocke die Form einer flachen Platte aufweist, die Mi
schung wird mehrmals aufgebracht, um eine dünne Schicht
auszubilden, und die dünne Schicht wird dann ausgehärtet;
(2) die flockigen anorganischen Füllstoffe werden unter
Ausnutzung der Schwerkraft in einer Richtung ausgerichtet;
oder (3) ein Pulver aus flockigen anorganischen Füllstoffen
wird auf einer Metallplatte aufgebracht, wobei jede Flocke
die Form einer flachen Platte aufweist, und dann wird eine
Schicht aus organischem Isoliermaterial so aufgebracht, daß
sie mit den Flocken imprägniert wird. Bei dieser Ausfüh
rungsform wird ein Pulver aus flockigen anorganischen Füll
stoffen 4 einem organischen Isoliermaterial mit niedriger
Viskosität beigegeben, wobei jede Flocke die Form einer
flachen Platte aufweist; und mehrmals in der Form von dün
nen Schichten (10 bis 20 µ/ ein- bis zehnmal) aufgebracht,
und die dünnen Schichten werden unter Druck und Wärme im
Vakuum ausgehärtet.
Es wurde ein Test auf die elektrischen Entladungsbestän
digkeitscharakteristika der nach dem oben beschriebenen
Verfahren erhaltenen Platine durchgeführt. Bei diesem Test
auf die Beständigkeit gegen elektrische Entladung wurden
Proben erhalten, indem im Zentrum einer Metallbasisplatine
mit Außenabmessungen von 200 mm (Länge)×150 mm (Breite)
ein Leitermuster von 5 mm (Breite)×50 mm (Länge) geätzt
wurde. Die Dicke der Metallplatte betrug 2 mm, die Dicke
der organischen Polymerisolierschicht 0,12 mm und die Dicke
der leitfähigen Schicht 1,2 mm.
Bei dem Test wurde Industriestrom (Wechselstrom 2 kV und
Wechselstrom 3 kV, 60 Hz) zwischen das Leitermuster und die
Metallplatte der Metallbasisplatine bei einer Umgebungstem
peratur von 100°C aufgebracht. Die Zeit bis zum Durchbruch
der Isolierung wurde gemessen. Beim Anlegen einer Wechsel
spannung ergibt die Luft in der Nähe der Oberfläche des
Leitermusters eine heftige elektrische Entladung. Die bei
diesem Test erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle 1 darge
stellt.
In Tabelle 1 ist deutlich gezeigt, daß die Metallbasispla
tine, in der flockige anorganische Füllstoffe verwendet
sind, im Vergleich zu denjenigen eines herkömmlichen Pro
dukts (einer Metallbasisplatine, bei der ein körniges anor
ganisches Füllmaterial verwendet ist) weit bessere elektri
sche Entladungsbeständigkeitscharakteristika aufweist. In
einer Metallbasisplatine 10 mit der oben beschriebenen Aus
gestaltung baut eine in der Seite des Schaltungsleiter 3
erzeugte elektrische Entladung nämlich die Isolierschicht 2
ab, und der Abbau schreitet bis zu dem Abschnitt fort, in
dem der Isolierschicht 2 die flockigen anorganischen Füll
stoffe beigegeben sind. Wie oben beschrieben, sind die
Oberflächen der flockigen anorganischen Füllstoffe 4, die
jeweils einen Teil der Isolierschicht 2 bilden, im wesent
lichen parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiters 3
und der Metallplatte 1 ausgerichtet, und die Füllstoffe
sind außerdem in geschichteten Lagen gestapelt. Obwohl in
dem Abschnitt mit dem flockigen anorganischen Füllmaterial
eine elektrische Entladung auftritt, schreitet der Abbau
bei dieser Struktur sehr langsam fort, da die flockigen
anorganischen Füllstoffe 4 hervorragende elektrische
Entladungsbeständigkeitscharakteristika liefern. Im
Ergebnis zeigt sich die Leistung nach Tabelle 1. Die
Metallbasisplatine mit einem Schaltungsleiter 3, der über
der Isolierschicht 2 auf der Oberfläche der Metallplatte 1
ausgebildet ist, bei der die flockigen anorganischen
Füllstoffe 4 in der Isolierschicht 2 so beigegeben sind,
daß die Oberflächen jeder Flocke des flockigen anorga
nischen Füllmaterials 4 allgemein parallel zu den Oberflä
chen des Schaltungsleiters 3 und des Metallkörpers 1 ausge
richtet und die ausgerichteten Flocken 7 des anorganischen
Füllstoff in geschichtetem Zustand gestapelt sind, weist
nämlich im Vergleich zu dem herkömmlichen Platinentyp
überragende elektrische Entladungsbeständigkeitscharakteri
stika auf.
Halbleitervorrichtungen wie Transistoren, Widerstände und
Kondensatoren zur Leistungssteuerung, die eine große
Wärmemenge erzeugen, werden auf einer Metallbasisplatine
mit der oben beschriebenen Ausgestaltung montiert, um eine
Vielzahl von elektronischen Einrichtungen aufzubauen.
Im folgenden wird eine zweite Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung beschrieben. Wie in Fig. 2 gezeigt, weist
eine Metallbasisplatine 20 den Schaltungsleiter 3 über der
Isolierschicht 2 auf der Metallplatte 1 auf, wobei der Iso
lierschicht 2 die flockigen anorganischen Füllmaterialien 4
und ein körniges anorganisches Füllmaterial beigegeben
sind. Bei dieser Ausführungsform ist ein Harz mit Beigabe
von flockigen anorganischen Aluminiumoxidfüllstoffen (die
von Showa Keikinzoku unter dem Namen Low Soda Alumina AL-
13PC vertrieben werden) in etwa 40 Gew.-% zu dem Gewicht
des Harzes und von körnigen anorganischen Füllmaterialien
(von Showa Denko produzierter kugelförmiger Aluminiumoxid
füllstoff) in etwa 50 Gew.-% zu dem Gewicht des Harzes ver
wendet.
In dem organischen Isoliermaterial mit den flockigen anor
ganischen Füllstoffen 4 und den darin beigegebenen, körni
gen anorganischen Füllmaterialien 5 sind die Oberflächen
der flockigen anorganischen Füllstoffe im wesentlichen
parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiters 3 und der
Metallplatte 1 ausgerichtet und in geschichtetem Zustand
gestapelt. Wie aus den Pfaden 21 zu sehen ist, wird jeder
Vektor in dem Isolierabschnitt 2 von einem gegebenen Punkt
an dem Schaltungsleiter 3 zu der Metallplatte 1 in verti
kaler Richtung zu dem Schaltungsleiter 3 Flocken in den
flockigen anorganischen Füllstoffen 4 schneiden.
Zum Ausrichten der flockigen anorganischen Füllstoffe 4 in
einer Richtung können verschiedene Methoden verwendet wer
den. Allerdings sind bei dieser Ausführungsform der
flockige anorganische Füllstoff 4 und ein körniges anorga
nisches Füllmaterial 5 einem organischen Isoliermaterial
mit niedriger Viskosität in Pulverform beigegeben. Die
Mischung wird mehrmals in Form von dünnen Schichten aufge
bracht. Dann wird die dünne Schicht unter Druck und Wärme
im Vakuum ausgehärtet. Als Ergebnis konnte die Viskosität
des Harzes auf etwa 70% im Vergleich zu dem Fall reduziert
werden, wo nur die in bezug auf die erste Ausführungsform
beschriebenen flockigen anorganischen Füllstoffe 4 beige
geben waren und die Bearbeitbarkeit wurde ebenfalls ver
bessert. Dementsprechend läßt sich die Viskosität des
Isoliermaterials reduzieren, und die lineare Wärmeaus
dehnungszahl sowie die Wärmeleitfähigkeit lassen sich bei
einem Herstellungsverfahren leicht einstellen.
Der Test auf die elektrischen Entladungsbeständigkeitscha
rakteristika der nach der oben beschriebenen Methode erhal
tenen Platine wurde nach der gleichen Prozedur wie bei der
ersten Ausführungsform durchgeführt. Die Ergebnisse dieses
Tests sind in Tabelle 2 gezeigt.
In der obigen Tabelle 2 ist deutlich gezeigt, daß im Ver
gleich zu den herkömmlichen Produkten die elektrischen Ent
ladungsbeständigkeitscharakteristika für eine Metallbasis
platine mit flockigen Aluminumoxidfüllmaterialien und kör
nigen Aluminiumfüllmaterialien, die in einem organischen
Isoliermaterial beigegeben sind, wesentlich besser sind.
Der Mechanismus zur Verbesserung der elektrischen Entla
dungsbeständigkeitscharakteristika bei dieser Ausführungs
form ist im wesentlichen der gleiche wie bei der ersten
Ausführungsform.
Elektronische Einrichtungen werden gebaut, indem Halblei
tervorrichtungen zur Leistungssteuerung wie Transistoren,
Widerstände und Kondensatoren, die viel Wärme erzeugen, auf
eine Metallbasisplatine mit der oben beschriebenen Ausge
staltung gepackt werden.
Nun wird eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Er
findung beschrieben. Wie in Fig. 3 gezeigt, ist der Schal
tungsleiter 3 einer Metallbasisplatine über der Isolier
schicht 2 auf der Oberfläche der Metallplatte 1 ausgebil
det, die Isolierschicht 2 weist eine erste Isolierschicht
2a und eine zweite Isolierschicht 2b auf, die erste Iso
lierschicht 2a ist mit den flockigen anorganischen Füllma
terialien 4 gefüllt, und die zweite Isolierschicht 2b ist
mit den körnigen Füllmaterialien 5 gefüllt.
In der ersten Isolierschicht 2a ist ein organisches Iso
liermaterial wie ein Epoxidharz mit Beigabe von flockigen
anorganischen Füllmaterialien 4 verwendet. Bei dieser Aus
führungsform sind flockige anorganische Aluminiumoxidfüll
stoffe (unter dem Namen Low Soda Alumina Al-13 PC von Showa
Keikinzoku erhältlich) mit etwa 80% gegenüber dem Harz
beigegeben.
In der zweiten Isolierschicht 2b ist ein organisches Iso
liermaterial wie ein Epoxidharz mit einem beigegebenen,
körnigen anorganischen Füllmaterial verwendet. Bei dieser
Ausführungsform sind körnige anorganische Aluminiumoxid
füllstoffe (Ultragranular Alumina, ein kugelförmiges, von
Showa Denko verkauftes Produkt) mit etwa 90 Gew.-% ge
genüber dem Harz beigegeben.
In der Metallbasisplatine nach dieser Ausführungsform ist
die erste Isolierschicht 2a auch aus einem organischen
Isoliermaterial mit den beigegebenen, flockigen anorgani
schen Füllmaterialen 4 in der Isolierschicht an der Seite
ausgebildet, die an die Leiterplatte 3 angrenzt. Diese
Anordnung ist wirksam zur Verbesserung ihrer elektrischen
Entladungsbeständigkeitscharakteristika. Bei einem Herstel
lungsverfahren wird zunächst die zweite Isolierschicht 2b
mit den beigegebenen, körnigen anorganischen Füllstoffen 5
auf der Metallplatte 1 ausgebildet, dann wird die erste
Isolierschicht 2a mit den beigegebenen, flockigen anorga
nischen Füllstoffen 4 ausgebildet, und schließlich wird der
Schaltungsleiter 3 verklebt.
Die Oberflächen der in der ersten Isolierschicht 2a beige
gebenen, flockigen anorganischen Füllstoffe 4 sind im
wesentlichen parallel zu den Oberflächen des Schaltungs
leiters 3 und der Metallplatte 1 in dem organischen Iso
liermaterial ausgerichtet, und die flockigen anorganischen
Füllstoffe sind auch in geschichtetem Zustand gestapelt.
Die flockigen anorganischen Füllstoffe sind nämlich so bei
gegeben, daß jeder Vektor von einem gegebenen Punkt an dem
Schaltungsleiter 3 zu der Metallplatte in vertikaler Rich
tung zu dem Schaltungsleiter 3 eine Flocke in dem flockigen
anorganischen Füllstoff in dem Isolierabschnitt 2 schnei
det, wie dies an den Pfaden 31 zu sehen ist.
Zum Ausrichten der organischen Füllstoffmaterialien in ei
ner Richtung können verschiedene Methoden verwendet werden.
Bei dieser Ausführungsform wird zunächst ein Pulver aus ei
nem körnigen Füllstoffmaterial 5 einem organischen Isolier
material mit niedriger Viskosität beigegeben, und die Mi
schung wird mehrmals in Form einer dünnen Schicht aufge
bracht, die durch Aufbringen von Druck und Wärme auf die
Dicke von 0,06 mm ausgehärtet wird. Darüberhinaus wird ein
Pulver aus dem flockigen anorganischen Füllstoffmaterial 4
in einem organischen Isoliermaterial mit niedriger Viskosi
tät beigegeben, und die Mischung wird mehrmals in Form von
dünnen Schichten aufgebracht, die durch Aufbringen von
Druck und Wärme im Vakuum ausgehärtet werden. Damit ist
eine Isolierschicht mit einer Gesamtdicke von 0,12 mm
ausgebildet, und der Schaltungsleiter 3 wird damit
verklebt.
Der Test auf die elektrischen Entladungsbeständigkeits
charakteristika der auf die oben beschriebene Weise erhal
tenen Platine wurde nach dem gleichen Verfahren wie bei den
oben beschriebenen ersten und zweiten Ausführungsformen
durchgeführt. Die Ergebnisse dieses Tests sind in Tabelle 3
gezeigt.
In Tabelle 3 ist deutlich gezeigt, daß die Metallbasis
platine nach dieser Ausführungsform im Vergleich zu her
kömmlichen Produkten weit bessere elektrische Entla
dungsbeständigkeitscharakteristika aufweist. Der Mecha
nismus zur Verbesserung der elektrischen Entladungsbestän
digkeitscharakteristika ist im wesentlichen der gleiche wie
bei der ersten Ausführungsform. Da allerdings die Dicke der
ersten Isolierschicht 2a mit den beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllmaterialien im Vergleich zur Dicke der
Isolierschicht in der oben beschriebenen ersten Ausfüh
rungsform geringer ist, wird die Zeit bis zum Durchbruch
der Isolierung kürzer.
Elektronische Einrichtungen werden aufgebaut, indem Halb
leitervorrichtungen zur Leistungssteuerung wie Transisto
ren, Widerstände und Kondensatoren, die viel Wärme erzeu
gen, auf die Metallbasisplatine mit der oben beschriebenen
Ausgestaltung gepackt werden.
Im folgenden wird die vierte Ausführungsform der vorliegen
den Erfindung beschrieben. Wie dies in Fig. 4 gezeigt ist,
weist eine Metallbasisplatine 40 einen Schaltungsleiter 3
auf, der über der Isolierschicht 2 auf der Oberseite der
Metallplatte 1 angeordnet ist. Die Isolierschicht 2 weist
die erste Isolierschicht 2a und die zweite Isolierschicht
2b auf. Die flockigen anorganischen Füllstoffe 4 sind in
der ersten Isolierschicht 2a beigegeben, und flockige
anorganische Füllstoffe 6 mit einer Durchschnittsgröße, die
von derjenigen der in der ersten Isolierschicht 2a beigege
benen flockigen anorganischen Füllstoffe 4 verschieden ist,
sind in der zweiten Isolierschicht 2b beigegeben.
Bei der Metallbasisplatine nach dieser Ausführungsform ist
die Anordnung der ersten Isolierschicht 2a aus organischem
Isoliermaterial mit den flockigen anorganischen Füllmate
rialien 4 mit einer relativ hohen Durchschnittsgröße an
grenzend an die Schaltungsplatine 3 wirksam bei der Verbes
serung der elektrischen Entladungsbeständigkeitscharakteri
stika der Einheit. Dementsprechend wird zunächst die zweite
Isolierschicht 2b mit den flockigen anorganischen Füllstof
fen 7 mit geringen Durchschnittsabmessungen auf der Metall
platte 1 ausgebildet. Dann wird die erste Isolierschicht 2a
mit den beigegebenen, flockigen anorganischen Füllstoffen 4
mit länglicher Durchschnittsgröße darauf ausgebildet.
Schließlich wird der Schaltungsleiter 3 verklebt.
Die Oberflächen der flockigen anorganischen Füllstoffe 4 in
der Isolierschicht 2a und der flockigen anorganischen Füll
stoffe 6 in der zweiten Isolierschicht 2b sind im wesentli
chen parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiters 3 und
der Metallplatte 1 ausgerichtet, und die Füllstoffe sind in
geschichtetem Zustand gestapelt. Dementsprechend schneidet
jeder Vektor in dem Isolierabschnitt von einem gegebenen
Punkt an dem Schaltungsleiter 3 zu der Metallplatte 1 in
vertikaler Richtung zu dem Schaltungsleiter 3 Flocken in
den flockigen anorganischen Füllmaterialien 4 und 6, wie
dies entlang der Pfade 41 zu sehen ist.
Auch bei dieser Ausgestaltung sind die elektrischen Entla
dungsbeständigkeitscharakteristika weit besser als bei her
kömmlichen Produkten. Der Mechanismus zur Verbesserung der
elektrischen Entladungsbeständigkeitscharakteristika bei
dieser Ausführungsform und das Verfahren zum Ausrichten der
Richtung der anorganischen Füllmaterialien sind im wesent
lichen gleich denen bei der ersten und dritten Ausführungs
form.
Halbleitervorrichtungen zur Leistungssteuerung wie Transi
storen, Widerstände und Kondensatoren, die sehr viel Wärme
erzeugen, werden an der Metallbasisplatine mit der oben be
schriebenen Konstruktion montiert, um elektronische Ein
richtungen aufzubauen.
Nun wird eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Er
findung beschrieben. Wie dies in Fig. 5 gezeigt ist, ist
der Schaltungsleiter 3 der Metallbasisplatine 50 über der
Isolierschicht 2 auf der Oberseite der Metallplatte 1 aus
gebildet. Ein flockiges anorganisches Füllmaterial 4 eines
ersten Typs und ein zweiter Typ eines flockigen anorgani
schen Materials sind in gemischter Form in der Isolier
schicht 2 eingebracht. In dem organischen Isoliermaterial
mit statistischer Mischung der beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllstoffe 4 und der beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllstoffe 7 sind die Oberflächen der
flockigen anorganischen Füllmaterialien 4 und 7 im wesent
lichen parallel zu den Oberflächen des Schaltungsleiters 3
und der Metallplatte 1 ausgerichtet, und die anorganischen
Füllflocken sind in geschichtetem Zustand gestapelt. Jeder
Vektor von einem gegebenen Punkt an dem Schaltungsleiter 3
zur Metallplatte 1 in zu dem Schaltungsleiter 3 vertikaler
Richtung schneidet nämlich Flocken der flockigen anorgani
schen Füllstoffe 4 und 7, wie dies aus den Pfaden 51 zu
sehen ist. Als Rohmaterial für die oben beschriebenen,
flockigen anorganischen Füllstoffe 4 und 7 ist beispiels
weise eines der Materialien Glimmer, Bornitrid, flockiges
Glas und flockiges Aluminiumoxid verwendet.
Auch bei dieser Ausgestaltung sind die elektrischen Entla
dungsbeständigkeitscharakteristika weit besser als bei her
kömmlichen Produkten. Der Mechanismus zur Verbesserung der
elektrischen Entladungsbeständigkeitscharakteristika bei
dieser Ausführungsform und das Verfahren zum Ausrichten der
Richtung der anorganischen Füllstoffe in einer Richtung
sind im wesentlichen gleich denen der ersten Ausführungs
formen.
Halbleitervorrichtungen zur Leistungssteuerung wie Transi
storen, Widerstände und Kondensatoren, die viel Wärme er
zeugen, werden auf der Metallbasisplatine mit der oben be
schriebenen Konstruktion angebracht, um elektronische Ein
richtungen aufzubauen.
Als nächstes wird eine sechste Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung beschrieben. Wie dies in Fig. 6 gezeigt
ist, ist der Schaltungsleiter 3 der Metallbasisplatine 60
über der Isolierschicht 2 auf der Oberseite der Metall
platte 1 ausgebildet. Die Isolierschicht 2 weist die erste
Isolierschicht 2a und die zweite Isolierschicht 2b auf. Die
flockigen anorganischen Füllstoffe 4 sind in der ersten
Isolierschicht 2a beigegeben, und flockige anorganischen
Füllmaterialien 8 aus einem Rohmaterial, das sich von
demjenigen der in der ersten Isolierschicht 2a beigege
benen, flockigen anorganischen Füllstoffe 4 unterscheidet,
sind in der zweiten Isolierschicht 2b beigegeben. Bei
dieser Anordnung schneidet nämlich jeder Vektor von einem
gegebenen Punkt an dem Schaltungsleiter 3 zur Metallplatte
1 in zu dem Schaltungsleiter 3 vertikaler Richtung Flocken
der flockigen anorganischen Füllstoffe 4 und 8, wie dies
aus den Pfaden 61 zu sehen ist. Als Rohmaterial für die
oben beschriebenen, flockigen anorganischen Füllstoffe 4
und 8 ist beispielsweise eines der Materialien Glimmer,
Bornitrid, flockiges Glas und flockiges Aluminiumoxid
verwendet.
Die Oberflächen der flockigen anorganischen Füllmaterialien
4 in der Isolierschicht 2a und der flockigen anorganischen
Füllstoffe 8 in der zweiten Isolierschicht 2b sind im we
sentlichen parallel zu den Oberflächen der Schaltungsleiter
3 und der Metallplatte 1 ausgerichtet, und die Füllstoffe
sind in geschichtetem Zustand gestapelt. Wie bei jeder der
oben beschriebenen Ausführungsformen sind auch bei dieser
Ausgestaltung die elektrischen Entladungsbeständigkeits
charakteristika weit besser als bei herkömmlichen Produk
ten. Der Mechanismus zur Verbesserung der elektrischen
Entladungsbeständigkeitscharakteristika bei dieser
Ausführungsform und das Verfahren zum Ausrichten der
Richtung der anorganischen Füllstoffe in einer Richtung
sind im wesentlichen gleich denen der ersten und dritten
Ausführungsform.
Halbleitervorrichtungen zur Leistungssteuerung wie Transi
storen, Widerstände und Kondensatoren, die viel Wärme er
zeugen, werden auf der Metallbasisplatine mit der oben be
schriebenen Konstruktion montiert, um elektronische Ein
richtungen aufzubauen.
Es sei bemerkt, daß die Metallbasisplatinen nach der vor
liegenden Erfindung nicht auf die in bezug auf die obigen
Ausführungsformen begrenzt sind und innerhalb des Geistes
der vorliegenden Erfindung modifiziert werden können. Bei
den oben beschriebenen Ausführungsformen ist der Schal
tungsleiter nur an einer Seite der Metallplatte ausgebil
det, aber die Schaltungsleiter können über einer Isolier
schicht an zwei Seiten der Metallplatte ausgebildet sein.
Die in der oben beschriebenen dritten, vierten und sechsten
Ausführungsform gezeigte Metallbasisplatine besteht auch
aus zwei Schichten einschließlich einer Isolierschicht,
aber die Metallbasisplatinen nach der vorliegenden Erfin
dung sind nicht auf eine Zweischichtstruktur begrenzt und
können zu einer Metallbasisplatine mit mehreren Schichten
modifiziert werden.
Wie oben beschrieben, weist der Isolierabschnitt in einer
Metallbasisplatine und einer diese verwendenden elektroni
schen Einrichtung ein organisches Isoliermaterial mit bei
gegebenen, flockigen organischen Füllstoffen auf, und die
flockigen anorganischen Füllstoffe sind in geschichtetem
Zustand gestapelt, so daß selbst dann, wenn die Isolier
schicht aufgrund einer elektrischen Entladung abgebaut
wird, der Abbau aufgrund der elektrischen Entladung durch
die beigegebenen, flockigen anorganischen Füllstoffe ver
hindert wird; aus diesem Grund sind die elektrischen Entla
dungsbeständigkeitscharakteristika verbessert.
Ebenso weist bei der Metallbasisplatine nach der vorliegen
den Erfindung und der diese verwendenden elektronischen
Einrichtung der Isolierabschnitt ein organisches Isolier
material mit flockigen anorganischen Füllstoffen und einem
beigegebenen, körnigen anorganischen Füllmaterial auf, und
die flockigen anorganischen Füllstoffe sind in
geschichtetem Zustand gestapelt. Im Ergebnis wird selbst
dann, wenn die Isolierschicht aufgrund einer elektrischen
Entladung abbaut, der Abbau aufgrund der elektrischen
Entladung durch den Abschnitt mit den beigegebenen, flocki
gen anorganischen Füllstoffen verhindert. Aus diesem Grund
sind die elektrischen Entladungsbeständigkeitscharakte
ristika verbessert, wobei gleichzeitig die Bearbeitbarkeit
erleichtert wird. Darüberhinaus kann die geforderte
Leistungsfähigkeit dadurch erreicht werden, daß
anorganische Füllstoffe mit unterschiedlichen
Charakteristika beigemischt werden, ohne daß eine Beschrän
kung durch die flockigen anorganischen Füllstoffe besteht.
Ebenso weist bei der Metallbasisplatine nach der vorliegen
den Erfindung und der diese verwendenden Einrichtung der
Isolierabschnitt eine erste Isolierschicht aus einem orga
nischen Isoliermaterial mit beigegebenen, flockigen anorga
nischen Füllstoffen sowie eine zweite Isolierschicht aus
einem organischen Isoliermaterial mit beigegebenem,
körnigen anorganischen Füllmaterial auf, und die flockigen
anorganischen Füllmaterialien sind in geschichtetem Zustand
gestapelt. Im Ergebnis wird selbst dann, wenn die Isolier
schicht aufgrund einer elektrischen Entladung abbaut, der
Abbau aufgrund der elektrischen Entladung durch den Ab
schnitt mit den beigegebenen, flockigen anorganischen Füll
stoffen verhindert. Aus diesem Grund sind die elektrischen
Entladungsbeständigkeitscharakteristika verbessert, wobei
gleichzeitig die Bearbeitbarkeit erleichtert wird, und die
geforderte Leistungsfähigkeit kann dadurch erreicht werden,
daß anorganische Füllstoffe mit unterschiedlichen Charak
teristika beigemischt werden, ohne daß eine Beschränkung
durch die flockigen anorganischen Füllstoffe besteht.
Bei der Metallbasisplatine nach der vorliegenden Erfindung
und der diese verwendenden Einrichtung weist der Isolierab
schnitt auch ein organisches Isoliermaterial mit beigegebe
nen anorganischen Füllstoffen aus mehreren unterschiedli
chen Materialtypen auf, und die flockigen anorganischen
Füllstoffe sind in geschichtetem Zustand gestapelt. Dement
sprechend selbst dann, wenn die Isolierschicht aufgrund
einer elektrischen Entladung abbaut, der Abbau aufgrund der
elektrischen Entladung durch den Abschnitt mit den beigege
benen, flockigen anorganischen Füllstoffen verhindert. Aus
diesem Grund sind die elektrischen Entladungsbeständig
keitscharakteristika verbessert, wobei auch die Bearbeit
barkeit erleichtert wird, und die geforderte Leistungs
fähigkeit kann dadurch erreicht werden, daß anorganische
Füllmaterialien mit unterschiedlichen Charakteristika
beigemischt werden, ohne daß eine Beschränkung durch die
flockigen anorganischen Füllstoffe besteht.
Der Isolierabschnitt bei der Metallbasisplatine nach der
vorliegenden Erfindung und der diese verwendenden elektro
nischen Einrichtung weist auch mehrere Isolierschichten
auf, wobei die Isolierschichten ein organisches Isolierma
terial mit beigegebenen, flockigen anorganischen Füllmate
rialien aus unterschiedlichen Materialtypen aufweisen, und
die flockigen anorganischen Füllstoffe sind in geschich
tetem Zustand gestapelt. Dementsprechend wird selbst dann,
wenn die Isolierschicht aufgrund einer elektrischen
Entladung abbaut, der Abbau aufgrund der elektrischen
Entladung durch den Abschnitt mit den beigegebenen,
flockigen anorganischen Füllstoffen verhindert. Aus diesem
Grund sind die elektrischen Entladungsbeständigkeitscharak
teristika verbessert, wobei auch die Bearbeitbarkeit
erleichtert wird, und die geforderte Leistungsfähigkeit
kann dadurch erreicht werden, daß anorganische Füllmateria
lien mit unterschiedlichen Charakteristika beigemischt
werden, ohne daß eine Beschränkung durch die flockigen
anorganischen Füllstoffe besteht.
Die Erfindung wurde zwar zur vollständigen und deutlichen
Offenbarung nur in bezug auf eine spezielle Ausführungsform
beschrieben, die beigefügten Ansprüche sind aber dadurch
nicht eingeschränkt, sondern sollen so ausgelegt werden,
daß sie alle Modifizierungen und alternativen Konstruktio
nen, auf die der Fachmann treffen kann, umfassen, die
richtig unter die grundlegende, hier dargelegte Lehre
fallen.
Claims (13)
1. Metallbasisplatine mit einer Metallbasisschicht, einer
Schaltungsleiterschicht und einer Isolierschicht, die zwi
schen der Schaltungsleiterschicht und der Basisschicht
vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Isolierschicht ein organisches Isoliermaterial mit
einem beigegebenen, flockigen anorganischen Füllmaterial
aufweist, wobei das flockige anorganische Füllmaterial in
der Isolierschicht in mehreren gestapelten Schichten
angeordnet ist.
2. Elektronische Einrichtung mit einer Metallbasisplatine
mit einer Metallbasisschicht, einer Schaltungsleiterschicht
und einer Isolierschicht, die zwischen der Schaltungslei
terschicht und der Basisschicht vorgesehen ist, dadurch ge
kennzeichnet,
daß die Isolierschicht ein organisches Isoliermaterial mit
einem beigegebenen, flockigen anorganischen Füllmaterial
aufweist, wobei das flockige anorganische Füllmaterial in
der Isolierschicht in mehreren gestapelten Schichten ange
ordnet ist, und
daß mehrere Leistungsschaltungsbauteile an der Schaltungs leiterschicht befestigt sind.
daß mehrere Leistungsschaltungsbauteile an der Schaltungs leiterschicht befestigt sind.
3. Metallbasisplatine mit einem Metallbasisabschnitt, einem
Schaltungsleiterabschnitt und einem Isolierabschnitt, der
zwischen dem Schaltungsleiterabschnitt und dem Basisab
schnitt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolierabschnitt ein organisches Isoliermaterial
mit einem beigegebenen, flockigen anorganischen Füllmate
rial und einem körnigen anorganischen Füllmaterial auf
weist, wobei das flockige anorganische Füllmaterial in der
Isolierschicht in mehreren gestapelten Schichten angeordnet
ist.
4. Metallbasisplatine nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich
net, daß das körnige anorganische Füllmaterial in wenig
stens einer Schicht aus dem flockigen anorganischen Füllma
terial beigemischt ist.
5. Metallbasisplatine mit einem Metallbasisabschnitt, einem
Schaltungsleiterabschnitt und einem Isolierabschnitt, der
zwischen dem Schaltungsleiterabschnitt und dem Basisab
schnitt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolierabschnitt eine erste Isolierschicht aus ei
nem organischen Isoliermaterial mit beigegebenen, flockigen
anorganischen Füllstoffen sowie eine zweite Isolierschicht
mit einem organischen Isoliermaterial mit beigegebenem,
körnigen anorganischen Füllmaterial aufweist, wobei die
flockigen anorganischen Füllstoffe in dem Isolierabschnitt
in gestapeltem und geschichtetem Zustand angeordnet sind.
6. Metallbasisplatine nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß das flockige anorganische Material Aluminiumoxid
mit einer Flockengröße von etwa 0,06 mm aufweist.
7. Metallbasisplatine mit einem Metallbasisabschnitt, einem
Schaltungsleiterabschnitt und einem Isolierabschnitt, der
zwischen dem Schaltungsleiterabschnitt und dem Basisab
schnitt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolierabschnitt mehrere Isolierschichten aufweist,
wobei jede Isolierschicht ein organisches Isoliermaterial
mit mehreren beigegebenen, flockigen anorganischen Füllma
terialien aufweist, wobei wenigstens zwei der Materialien
Flocken mit unterschiedlichen Durchschnittsabmessungen auf
weisen und die flockigen anorganischen Füllstoffe in dem
Isolierabschnitt in mehreren Schichten angeordnet sind.
8. Metallbasisplatine nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß das flockige anorganische Material in etwa 20-30
Schichten gestapelt ist.
9. Metallbasisplatine mit einem Metallbasisabschnitt, einem
Schaltungsleiterabschnitt und einem Isolierabschnitt, der
zwischen dem Schaltungsleiterabschnitt und dem Basisab
schnitt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolierabschnitt ein organisches Isoliermaterial
mit flockigen anorganischen Füllstoffen aufweist, die meh
rere, darin beigegebene anorganische Rohfüllmaterialien
aufweisen, wobei die flockigen anorganischen Füllmateria
lien in dem Isolierabschnitt in mehreren Schichten
angeordnet sind.
10. Metallbasisplatine nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß das flockige anorganische Material in etwa
20-30 Schichten gestapelt ist und die Flocken eine
Oberflächenabmessung von etwa 0,06 mm und eine Dicke von
0,002-0,003 mm aufweisen.
11. Metallbasisplatine mit einem Metallbasisabschnitt, ei
nem Schaltungsleiterabschnitt und einem Isolierabschnitt,
der zwischen dem Schaltungsleiterabschnitt und dem Basisab
schnitt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolierabschnitt mehrere Isolierschichten aufweist,
wobei wenigstens zwei der Isolierschichten ein organisches
Isoliermaterial mit einem darin beigegebenen, flockigen an
organischen Füllmaterial aus einem jeweils unterschiedli
chen Rohmaterial aufweisen, wobei die flockigen anorgani
schen Füllstoffe in dem Isolierabschnitt in mehreren
Schichten angeordnet sind.
12. Elektronische Einrichtung mit einer Metallbasisplatine
mit einem Metallbasisabschnitt, einem Schaltungsleiterab
schnitt und einem Isolierabschnitt, der zwischen dem Schal
tungsleiterabschnitt und dem Basisabschnitt vorgesehen ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolierabschnitt mehrere Isolierschichten aufweist,
wobei wenigstens zwei der Isolierschichten ein organisches
Isoliermaterial mit einem darin beigegebenen, flockigen an
organischen Füllmaterial aus einem jeweils unterschiedli
chen Rohmaterial aufweisen, wobei die flockigen anorgani
schen Füllstoffe in dem Isolierabschnitt in mehreren
Schichten angeordnet sind.
13. Metallbasisplatine nach Anspruch 11, dadurch gekenn
zeichnet, daß das flockige anorganische Material in mehre
ren Schichten mit einer Gesamtdicke von etwa 0,12 mm gesta
pelt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19639893A JP2756075B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 金属ベース基板およびそれを用いた電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4427994A1 true DE4427994A1 (de) | 1995-02-09 |
DE4427994C2 DE4427994C2 (de) | 2000-10-26 |
Family
ID=16357209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944427994 Expired - Fee Related DE4427994C2 (de) | 1993-08-06 | 1994-08-08 | Metallkernsubstrat, insbesondere zur Verwendung für elektronische Schaltungen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US5527604A (de) |
JP (1) | JP2756075B2 (de) |
CN (1) | CN1038465C (de) |
DE (1) | DE4427994C2 (de) |
GB (1) | GB2280782B (de) |
HK (1) | HK1004032A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1020909A2 (de) * | 1999-01-17 | 2000-07-19 | Delphi Technologies, Inc. | Dickschichthybridschaltung auf einer Metalleiterplatte und Methode |
WO2001096458A1 (de) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Füllstoff für wärmeleitende kunststoffe, wärmeleitender kunststoff und herstellungsverfahren dazu |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2756075B2 (ja) * | 1993-08-06 | 1998-05-25 | 三菱電機株式会社 | 金属ベース基板およびそれを用いた電子機器 |
US6175084B1 (en) | 1995-04-12 | 2001-01-16 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal-base multilayer circuit substrate having a heat conductive adhesive layer |
US5837356A (en) * | 1995-09-22 | 1998-11-17 | Kyocera Corporation | Wiring board and method for manufacturing the same |
US6034331A (en) | 1996-07-23 | 2000-03-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Connection sheet and electrode connection structure for electrically interconnecting electrodes facing each other, and method using the connection sheet |
JP3169121B2 (ja) * | 1996-11-11 | 2001-05-21 | ティーディーケイ株式会社 | テープカセット |
DE19646441A1 (de) * | 1996-11-11 | 1998-05-14 | Heusler Isabellenhuette | Elektrischer Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6432497B2 (en) | 1997-07-28 | 2002-08-13 | Parker-Hannifin Corporation | Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components |
JP4085536B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2008-05-14 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置 |
US6926796B1 (en) | 1999-01-29 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic parts mounting method and device therefor |
US6570099B1 (en) * | 1999-11-09 | 2003-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive substrate and the method for manufacturing the same |
US6958535B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive substrate and semiconductor module using the same |
US6475594B2 (en) * | 2001-01-05 | 2002-11-05 | Sorbent Products Co., Inc. | Sorbent mat assembly |
US7226806B2 (en) * | 2001-02-16 | 2007-06-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Wet etched insulator and electronic circuit component |
JP2004200346A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子収納用パッケージ、その製造方法及び半導体装置 |
JP3934565B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2007-06-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US7232957B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-06-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same |
US20070072425A1 (en) * | 2003-10-07 | 2007-03-29 | Neomax Materials Co., Ltd. | Substrate and method for producing same |
JP4089636B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2008-05-28 | 三菱電機株式会社 | 熱伝導性樹脂シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法 |
DE102004058335A1 (de) * | 2004-11-29 | 2006-06-14 | Schulz-Harder, Jürgen, Dr.-Ing. | Substrat |
US7473853B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-01-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
JP4878862B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2012-02-15 | 三洋電機株式会社 | 回路装置 |
JP4632858B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 電気機器 |
WO2009055554A2 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multi-layer chip carrier and process for making |
US20090110909A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Asymmetric dielectric film |
US8107229B2 (en) * | 2008-03-14 | 2012-01-31 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Portable communication device having a printed circuit board slider hinge assembly |
JP5506170B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-05-28 | パナソニック株式会社 | 実装構造体および電子機器 |
CA2923361C (en) * | 2008-08-11 | 2018-10-09 | Greenhill Antiballistics Corporation | Composite material |
JP5158040B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-03-06 | Tdk株式会社 | ガラスセラミックス基板 |
JP5116855B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-01-09 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置、静電チャック |
JP2010186789A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Hitachi Ltd | 絶縁回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 |
DE102010019721A1 (de) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrisches Isoliermaterial, Isolationspapier und Isolationsband für eine Hochspannungsrotationsmaschine |
JP5532419B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-06-25 | 富士電機株式会社 | 絶縁材、金属ベース基板および半導体モジュール並びにこれらの製造方法 |
EP2629973B1 (de) | 2010-10-18 | 2017-08-09 | Greenhill AntiBallistics Corporation | Gradienten-nanopartikel-kohlenstoff-allotrop-polymer-verbundmaterial |
EP2626647B1 (de) * | 2011-03-30 | 2014-06-11 | Eberspächer catem GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung eines Leiterbahnen aufweisenden Plattenelementes |
EP2763513B1 (de) * | 2011-09-30 | 2016-09-14 | Kyocera Corporation | Verdrahtungssubstrat, in eine komponente eingebettetes substrat und verpackungsstruktur |
WO2013153771A1 (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | 日本発條株式会社 | 銅ベース回路基板 |
CN103515815B (zh) * | 2012-06-28 | 2016-03-02 | 联想(北京)有限公司 | 基于柔性电路板的mhl连接装置、连接器、转换器和*** |
WO2014021186A1 (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | 京セラ株式会社 | 配線基板、それを備えた実装構造体および配線基板の製造方法 |
US9554464B2 (en) * | 2012-08-02 | 2017-01-24 | Waseda University | Metal-base printed circuit board |
JP2014175485A (ja) | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Ibiden Co Ltd | 配線板及びその製造方法 |
JP6214930B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-10-18 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 多層配線基板 |
KR102508957B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2023-03-13 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
KR102213604B1 (ko) * | 2017-02-15 | 2021-02-05 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 패키지 장치 |
WO2018207819A1 (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | 積水化学工業株式会社 | 絶縁性シート及び積層体 |
KR102524428B1 (ko) * | 2017-05-10 | 2023-04-24 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 절연성 시트 및 적층체 |
US11383499B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-07-12 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Insulating sheet and laminate |
TW201943565A (zh) * | 2018-04-17 | 2019-11-16 | 日商積水化學工業股份有限公司 | 絕緣片、積層體、及基板 |
CN113257759A (zh) * | 2020-02-10 | 2021-08-13 | 华为技术有限公司 | 散热器、单板、电子设备及制造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4307147A (en) * | 1979-08-30 | 1981-12-22 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Highly thermal conductive and electrical insulating substrate |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2129143A1 (de) * | 1971-06-11 | 1972-12-21 | Wesch, Ludwig, Prof Dr , 6900 Heidelberg | Kunstbetonlaminat |
US3785837A (en) * | 1972-06-14 | 1974-01-15 | Du Pont | Partially crystallizable glasses for producing low-k crossover dielectrics |
US4141055A (en) * | 1977-04-27 | 1979-02-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Crossover structure for microelectronic circuits |
US4286010A (en) * | 1979-10-05 | 1981-08-25 | Essex Group, Inc. | Insulating mica paper and tapes thereof |
US4364100A (en) * | 1980-04-24 | 1982-12-14 | International Business Machines Corporation | Multi-layered metallized silicon matrix substrate |
US4403107A (en) * | 1980-12-15 | 1983-09-06 | Amp Incorporated | Stamped circuit board |
US4492730A (en) * | 1982-03-26 | 1985-01-08 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Substrate of printed circuit |
JPS59181687A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | 松下電器産業株式会社 | 集積回路基板 |
US4944964A (en) * | 1984-10-31 | 1990-07-31 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Lacquer, and process for producing anti-corrosion coatings |
JPS6298253A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-07 | Hitachi Ltd | 液体クロマトグラフ |
JPH0537492Y2 (de) * | 1985-12-11 | 1993-09-22 | ||
US4781968A (en) * | 1986-02-28 | 1988-11-01 | Digital Equipment Corporation | Micro-electronics devices and methods of manufacturing same |
US4865875A (en) * | 1986-02-28 | 1989-09-12 | Digital Equipment Corporation | Micro-electronics devices and methods of manufacturing same |
JPH0611301B2 (ja) * | 1986-09-16 | 1994-02-16 | ライオン株式会社 | ゲル状芳香剤組成物 |
JPS6373966U (de) * | 1986-10-31 | 1988-05-17 | ||
JPS63270133A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 回路用基板 |
JPS63290729A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Ube Ind Ltd | 金属表面を有する芳香族ポリイミドフィルムおよびその製造法 |
JPH0659003B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1994-08-03 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波の電力分配器 |
JPH0442171Y2 (de) * | 1987-08-17 | 1992-10-05 | ||
JPH0729857B2 (ja) * | 1987-08-26 | 1995-04-05 | 日立金属株式会社 | セラミック・金属接合体及びその製造法 |
JPH01232795A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 金属ベース基板の製造方法 |
JP2607906B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1997-05-07 | 三菱電線工業株式会社 | 回路基板 |
JPH0227786A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 低熱抵抗回路基板 |
US4908258A (en) * | 1988-08-01 | 1990-03-13 | Rogers Corporation | High dielectric constant flexible sheet material |
US4996097A (en) * | 1989-03-16 | 1991-02-26 | W. L. Gore & Associates, Inc. | High capacitance laminates |
US5057903A (en) * | 1989-07-17 | 1991-10-15 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Thermal heat sink encapsulated integrated circuit |
JPH03106775U (de) * | 1990-02-15 | 1991-11-05 | ||
JPH03244180A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属ベース積層板 |
JPH03279488A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | セラミックスペーパの製造方法 |
KR960000980B1 (ko) * | 1990-03-27 | 1996-01-15 | 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 | 무전해도금용 기재 접착제, 이 접착제를 사용한 프린트 회로판 및 이의 용도 |
JP2864270B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-03-03 | 雅文 宮崎 | 多層配線基板及びその製造方法 |
US5060114A (en) * | 1990-06-06 | 1991-10-22 | Zenith Electronics Corporation | Conformable pad with thermally conductive additive for heat dissipation |
JP2906282B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1999-06-14 | 富士通株式会社 | ガラスセラミック・グリーンシートと多層基板、及び、その製造方法 |
JP2756075B2 (ja) * | 1993-08-06 | 1998-05-25 | 三菱電機株式会社 | 金属ベース基板およびそれを用いた電子機器 |
CN1075338C (zh) * | 1993-09-21 | 2001-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 电路基板连接件及用其制造多层电路基板的方法 |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19639893A patent/JP2756075B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
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1995
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-
1996
- 1996-02-08 US US08/598,527 patent/US5578367A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-15 US US08/647,768 patent/US5670241A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1996-11-19 US US08/745,411 patent/US5820972A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-16 HK HK98103183A patent/HK1004032A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4307147A (en) * | 1979-08-30 | 1981-12-22 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Highly thermal conductive and electrical insulating substrate |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1020909A2 (de) * | 1999-01-17 | 2000-07-19 | Delphi Technologies, Inc. | Dickschichthybridschaltung auf einer Metalleiterplatte und Methode |
EP1020909A3 (de) * | 1999-01-17 | 2003-07-09 | Delphi Technologies, Inc. | Dickschichthybridschaltung auf einer Metalleiterplatte und Methode |
WO2001096458A1 (de) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Füllstoff für wärmeleitende kunststoffe, wärmeleitender kunststoff und herstellungsverfahren dazu |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5820972A (en) | 1998-10-13 |
US5670241A (en) | 1997-09-23 |
US5527604A (en) | 1996-06-18 |
US5648156A (en) | 1997-07-15 |
US5648157A (en) | 1997-07-15 |
CN1106606A (zh) | 1995-08-09 |
US5567917A (en) | 1996-10-22 |
CN1038465C (zh) | 1998-05-20 |
US5578366A (en) | 1996-11-26 |
JPH0750460A (ja) | 1995-02-21 |
DE4427994C2 (de) | 2000-10-26 |
GB2280782B (en) | 1995-10-11 |
JP2756075B2 (ja) | 1998-05-25 |
GB2280782A (en) | 1995-02-08 |
US5578367A (en) | 1996-11-26 |
US5834101A (en) | 1998-11-10 |
GB9415823D0 (en) | 1994-09-28 |
HK1004032A1 (en) | 1998-11-13 |
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