DE3311835A1 - Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement - Google Patents

Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement

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Description

  • Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement Die Erfindunh betrifft ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement, das gegenüber elektromagnetischen Wellen wie Licht, worunter im weitesten Sinne UV-Strahlen, sichtbares Licht, IR-Strahlen, Röntgenstrahlen und 8-Strahlen zu verstehen sind, empfindlich ist.
  • Fotoleitfähige Materialien, aus denen fotoleitfähige Schichten in Festkörper-Bildabtastvorrichtungen, in Bilderzeugungselementen für elektrofotografische Zwecke auf dem Gebiet der Bilderzeugung oder in Manuskript-Lesevorrichtungen gebildet werden, meisten eine hohe Empfindlichkeit, ein hohes S/N-Verhältnis 2 fotostrom (Ip)/Dunkelstrom (Id)]. Spektraleigenschaften, die an die Spektraleigenschaften der elektromagnetischer Wellen, mit denen bestrahlt werden soll, angepaßt sind, ein schnelles Ansprechen auf Licht und einen gewünschten Dunke lwiderstandswert haben und dürfen während der Anwendung nicht gesundheitsschädlich sein.
  • Außerdem ist es bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung auch notwendig, daß das Restbild innerhalb einer vorbestimmten Zeit leicht behandelt bzw. beseitigt werden kann. Im Fall eines Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke, das in eine für die Anwendung in einem Büro als Büromaschine vorgesehene, elektrofotografische Vorrichtung eingebaut werden soll, ist es besonders wichtig, daß das Bilderzeugungselement nicht gesundheitsschädlich ist.
  • Von dem vorstehend erwähnten Gesichtspunkt aus hat in neuerer Zeit amorphes Silicium (nachstehend als a-Si bezeichnet) als fotoleitfähiges Material Beachtung gefunden. Beispielsweise sind aus den DE-OSS 27 46 967 und 28 55 718 Anwendungen von a-Si für den Einsatz in Bilderzeugungselementen für elektrofotografische Zwecke bekannt, und aus der DE-OS 29 33 411 ist eine Anwendung von a-Si für den Einsatz in einer Lesevorrichtung mit fotoelektrischer Wandlung bekannt.
  • Die fotoleitfähigen Aufzeichnungselemente mit aus a-Si gebildeten, fotoleitfähigen Schichten müssen jedoch unter den gegenwärtigen Umständen hinsichtlich der Erzielung eines Gleichgewichts der Gesamteigenschaften, wozu elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigenschaften wie der Dunkelwiderstandswert, die Lichtempfindlichkeit und das Ansprechen auf Licht sowie Eigenschaften bezüglich des Einflusses von Umgebungsbedingungen während der Verwendung wie die Feuchtigkeitsbeständigkeit und außerdem die Stabilität im Verlauf der Zeite gehören, weiter verbessert werden.
  • Beispielsweise wird im Fall der Anwendung in einem Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke oft beobachtet, daß während seiner Verwendung ein Restpotential verbleibt, wenn gleichzeitig Verbesse- rungen in bezug auf die Erzielung einer höheren Lichtempfindlichkeit und eines höheren Dunkelwiderstands beabsichtigt sind. Wenn ein solches fotoleitfähiges Aufzeichnungselement über eine lange Zeit wiederholt verwendet wird, werden verschiedene Schwierigkeiten, beispielsweise eine Anhäufung von Ermüdungserscheinungen durch wiederholte Anwendung oder die sogenannte Geisterbild-Erscheinung, wobei Restbilder erzeugt werden, hervorgerufen, oder das Ansprechen auf Licht vermindert sich allmählich, wenn das fotoleitfähige Aufzeichnungselement wiederholt mit hoher Geschwindigkeit verwendet wird.
  • Des weiteren hat a-Si in dem Bereich der Wellenlängen, die länger sind als die Wellenlängen an der Seite des Bereichs der längeren Wellenlängen im Bereich des sichtbaren Lichts, einen Absorptionskoeffizienten, der im Vergleich mit dem Absorptionskoeffizienten an der Seite des Bereichs der kürzeren Wellenlängen im Bereich des sichtbaren Lichts relativ kleiner ist, weshalb sich bei der Anpassung an den gegenwärtig praktisch angewandten Halbleiterlaser oder im Fall der Anwendung einer gegenwärtig verfügbaren Halogenlampe oder Leuchtstofflampe als Lichtquelle im Hinblick auf den Nachteil, daß das Licht an der Seite der längeren Wellenlängen nicht in wirksamer Weise eingesetzt werden kann, noch manches verbessern ließe.
  • Wenn das Licht, mit dem bestrahlt wird, nicht in ausreichendem Maße in die fotoleitfähige Schicht hinein absorbiert werden kann, jedoch die Menge des den Träger erreichenden Lichts erhöht wird, treten außerdem in dem Fall, daß der Träger selbst ein hohes Reflexionsvermögen in bezug auf das durch die fotoleitfähige Schicht hindurchdringende Licht hat, auf Mehrfach- reflexionen zurückzuführende Interferenzen auf, die eine Ursache für die Erzeugung unscharfer Bilder sein können.
  • Diese Wirkung wird größer, wenn die bestrahlte Stelle bzw. der Lichtpunkt, mit dem bestrahlt wird, kleiner gemacht wird, um die Auflösung zu erhöhen, und stellt insbesondere bei der Anwendung eines Halbleiterlasers als Lichtquelle ein großes Problem dar.
  • Bei der Gestaltung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungselements muß infolgedessen zusammen mit der Verbesserung der a-Si-Materialien für sich die Uberwindung all der Probleme, die vorstehend erwähnt wurden, angestrebt werden.
  • Im Hinblick auf die Lösung der vorstehend erwähnten Probleme wurden erfindungsgemäß ausgedehnte Untersuchungen hinsichtlich der Anwendbarkeit und Brauchbarkeit von a-Si als fotoleitfähiges Material für elektrofotografische Bilderzeugungselemente, Festkörper-Bildabtastvorrichtungen, Lesevorrichtungen usw. durchgeführt. Es wurde nun überraschenderweise gefunden, daß ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement mit einer amorphen Schicht, die Fotoleitfähigkeit zeigt und aus a-Si, insbesondere aus einem amorphen Material, das in einer Matrix von Siliciumatomen Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) enthält, Wnachstehend als a-Si(H,X) bezeichnetg, d. h. aus sogenanntem hydriertem, amorphem Silicium, halogeniertem, amorphem Silicium oder halogenhaltigem, hydriertem, amorphem Silicium, besteht, nicht nur für die praktische Verwendung außerordentlich gute Eigenschaften zeigt, sondern auch den bekannten, fotoleitfähigen Aufzeichnungselementen im wesentlichen in jeder Hinsicht überlegen ist und insbesondere hervorragende Eigenschaften als fotoleitfähiges Aufzeichnungselement für elektrofotografische Zwecke zeigt, wenn dieses fotoleitfähige Aufzeichnungselement bei seiner Herstellung so gestaltet wird, daß es eine besondere Struktur hat, wie sie nachstehend beschrieben wird.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement zur Verfügung zu stellen, das elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigenschaften hat, die in konstanter Weise stabil sind, im wesentlichen ohne Einschränkung in jeder Art von Umgebung verwendet werden kann und hinsichtlich der Lichtempfindlichkeitseigenschaften an der Seite der längeren Wellenlängen hervorragend ist sowie eine hervorragende Beständigkeit gegenüber der Licht-Ermüdung zeigt, ohne daß nach wiederholter Verwendung irgendwelche Verschlechterungserscheinungen hervorgerufen werden, und vollkommen oder im wesentlichen frei von beobachteten Restpotentialen ist.
  • Durch die Erfindung soll auch ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement zur Verfügung gestellt werden, das in dem gesamten Bereich des sichtbaren Lichts eine hohe Lichtempfindlichkeit hat, hinsichtlich der Anpassung an einen Halbleiterlaser besonders hervorragend ist und ein schnelles Ansprechen auf Licht zeigt.
  • Weiterhin soll durch die Erfindung ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement mit hervorragenden elektrofotografischen Eigenschaften zur Verfügung gestellt werden, das während der zur Erzeugung von elektrostatischen Ladungen durchgeführten Ladungsbehandlung in einem Ausmaß, das dazu ausreicht, daß ein übliches, elektrofotografisches Verfahren in sehr wirksamer Weise durchgeführt werden kann, wenn das fotoleitfähige Aufzeichnungselement für die Verwendung als elektrofotografisches Bilderzeugungselement vorgesehen ist, zum Tragen bzw. zum Festhalten von Ladungen befähigt ist.
  • Weiterhin soll durch die Erfindung ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement für elektrofotografische Zwecke zur Verfügung gestellt werden, mit dem leicht Bilder hoher Qualität, die eine hohe Dichte, einen klaren Halbton und eine hohe Auflösung haben, hergestellt werden können.
  • Des weiteren soll durch die Erfindung ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement mit einer hohen Lichtempfindlichkeit und einem hohen S/N-Verhältnis zur Verfügung gestellt werden.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird durch das im Patentanspruch 1 gekennzeichnete, fotoleitfähige Aufzeichnungselement gelöst.
  • Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
  • Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht, die zur Erläuterung des Schichtaufbaus einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements dient.
  • Fig. 2 bis 10 sind schematische Schnittansichten, in denen die Verteilungszustände der Germaniumatome in der amorphen Schicht erläutert werden.
  • Fig. 11 ist ein schematisches Fließbild, das die im Rahmen der Erfindung angewandte Vorrichtung erläutert.
  • Fig. 12 bis 27 sind graphische Darstellungen, die die Kurven der Änderungsgeschwindigkeit der Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisse in den erfindungsgemäßen Beispielen zeigen.
  • Fig. 28 zeigt eine schematische Schnittansicht, die den Schichtaufbau einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements erläutert.
  • Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht, in der der Schichtaufbau einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements erläutert wird.
  • Das in Fig. 1 gezeigte, fotoleitfähige Aufzeichnungselement 100 weist auf einem Träger 101 für das fotoleitfähige Aufzeichnungselement eine amorphe Schicht 102 auf, die als eine der End-Oberflächen eine freie Oberfläche 105 hat.
  • Die amorphe Schicht 102 hat einen Schichtaufbau aus einem ersten Schichtbereich (G) 103, der aus Germaniumatome enthaltendem a-Si(H,X) c?\achstehend kurz mit FtaSiGe(H,X)t> bezeichnetS besteht, und einem zweiten Schichtbereich (S) 104, der aus a-Si(H,X) besteht und Fotoleitfähigkeit zeigt. Der erste Schichtbereich (G) 103 und der zweite Schichtbereich (S) 104 sind aufeinanderfolgend von der Seite des Trägers 101 her laminiert. In dem ersten Schichtbereich (G) 103 sind die Germaniumatome in der Richtung der zu der Oberfläche des Trägers 101 im wesentlichen parallelen Ebene in einer kontinuierlichen und gleichmäßigen Verteilung enthalten, während sie in der Richtung der Schichtdicke in einer Verteilung enthalten sind, die entweder gleichmäßig oder ungleichmäßig sein kann.
  • Erfindungsgemäß sind in dem zweiten Schichtbereich (S), der auf dem ersten Schichtbereich (G) vorgesehen ist, keine Germaniumatome enthalten. Dadurch, daß eine amorphe Schicht mit einer solchen Schichtstruktur gebildet wird, kann ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement erhalten werden, das gegenüber dem Licht mit Wellenlängen des gesamten Bereichs von relativ kürzeren Wellenlängen bis zu relativ längeren Wellenlängen einschließlich des Bereichs des sichtbaren Lichts eine ausgezeichnete Lichtempfindlichkeit zeigt.
  • Weil die Germaniumatome überall in dem ersten Schichtbereich (G) kontinuierlich verteilt sind, kann ferner das Licht an der Seite der längeren Wellenlängen, das im Fall der Verwendung eines Halbleiterlasers usw. in dem zweiten Schichtbereich (S) nicht in einem wesentlichen Ausmaß absorbiert werden kann, in dem ersten Schichtbereich (C) im wesentlichen vollständig absorbiert werden, wodurch Interferenzen, die auf eine Reflexion von der Oberfläche des Trägers zurückzuführen sind, vermieden werden können.
  • In dem erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement kann an der Schicht-Grenzfläche zwischen dem ersten Schichtbereich (G) und dem zweiten Schichtbereich (S) eine ausreichende, chemische Stabilität gewährleistet werden, weil alle amorphen Materialien, aus denen die einzelnen Schichtbereiche gebildet werden, als gemeinsamen Bestandteil Siliciumatome enthalten.
  • Wenn die Verteilung der Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke ungleichmäßig gemacht wird, kann alternativ eine Verbesserung der Affinität zwischen dem ersten Schichtbereich (G) und dem zweiten Schichtbereich (S) erzielt werden, indem man die Verteilung der Germaniumatome in dem ersten Schichtbereich (G) so gestaltet, daß Germaniumatome in dem gesamten Schichtbereich kontinuierlich verteilt sind und daß die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke verändert wird und von der Trägerseite aus in Richtung auf den zweiten Schichtbereich (S) abnimmt.
  • Die Fig. 2 bis 10 zeigen typische Beispiele für die ungleichmäßige Verteilung der in dem ersten Schichtbereich (G) enthaltenen Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke.
  • In den Fig. 2 bis 10 zeigt die Abszissenachse die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome, während die Ordinatenachse die Schichtdicke des ersten Schichtbereichs (G) bezeichnet. tag B zeigt die Lage der End-Oberfläche des ersten Schichtbereichs (G) an der Trägerseite, während tT die Lage der End-Oberfläche des ersten Schichtbereichs (G) an der Seite, die der Träger seite entgegengesetzt ist, zeigt. D. h., daß die Schichtbildung des Germaniumatome enthaltenden, ersten Schichtbereichs (G) von der tB-Seite ausgehend in Richtung auf die tT-Seite fortschreitet.
  • In Fig. 2 wird eine erste typische Ausführungsform des Tiefenprofils der in dem ersten Schichtbereich (G) enthaltenen Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke gezeigt.
  • Bei der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform sind die Germaniumatome in dem ersten Schichtbereich (G) von der Grenzflächenlage tB an der die Oberfläche, auf der der Germaniumatome enthaltende, erste Schichtbereich (G) zu bilden ist, mit der Oberfläche des ersten Schichtbereichs (G) in Berührung ist, bis zu der Lage t1 in der Weise enthalten, daß die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome einen konstanten Wert C1 annimmt, während die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome von der Lage t1 bis zu der Grenzflächenlage tT von dem Wert C2 ausgehend allmählich kontinuierlich abnimmt. Die Konzentration der Germaniumatome erhält in der Grenzflächenlage tT den Wert C3.
  • Bei der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform nimmt die Verteilungskonzentration C der enthaltenen Germaniumatome von der Lage t3 B bis zu der Lage tT von dem Wert C4 ausgehend allmählich und kontinuierlich ab, bis sie in der Lage tT den Wert C5 erreicht.
  • Im Fall der Fig. 4 wird die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome von der Lage tB bis zu der Lage t2 bei dem konstanten Wert C6 gehalten, während die Verteilungskonzentration C von der Lage t2 bis zu der Lage tT allmählich kontinuierlich abnimmt und in der Lage tT einen Wert von im wesentlichen 0 erhält.
  • (Unter einer Verteilungskonzentration mit einem Wert von im wesentlichen 0 ist ein unterhalb des nachweisbaren Grenzwertes liegender Gehalt zu verstehen).
  • Im Fall von Fig. 5 nimmt die Verteilungskonzentration der Germaniumatome von der Lage tB, wo sie den Wert C8 hat, bis zu der Lage tT> wo sie einen Wert von im wesentlichen 0 erhält, allmählich und kontinuierlich ab.
  • Bei der in Fig. 6 gezeigten Ausführungsform wird die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome zwischen der Lage tag B und der Lage t3 auf einem konstanten Wert Cg gehalten, während sie in der Lage tT den Wert C10 erhält. Zwischen der Lage t3 und der Lage tT nimmt die Verteilungskonzentration C in Form einer Funktion erster Ordnung von der Lage t3 bis zu der Lage tT ab.
  • Bei der in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform wird ein Tiefenprofil derart ausgebildet, daß die Verteilungskonzentration C von der Lage tB bis zu der Lage t4 einen konstanten Wert C11 annimmt, während die Verteilungskonzentration C von der Lage t4 bis zu der Lage tr in Form einer Funktion erster Ordnung von dem Wert C12 bis zu dem Wert C13 abnimmt.
  • Bei der in Fig. 8 gezeigten Ausführungsform nimmt die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome von der Lage tB bis zu der Lage tT in Form einer Funktion erster Ordnung von dem Wert C14 bis zu einem Wert von im wesentlichen 0 ab.
  • In Fig. 9 wird eine AusfLihrungsform gezeigt, bei der die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome von der Lage tB bis zu der Lage t5 in Form einer Funktion erster Ordnung von dem Wert C15 bis zu dem Wert C16 abnimmt, während sie zwischen der Lage t5 und der Lage tT auf dem konstanten Wert C16 gehalten wird.
  • Bei der in Fig. 10 gezeigten Ausführungsform hat die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome in der Lage tag B den Wert C17. Die Verteilungskonzentration C vermindet sich dann von dem Wert C17 ausgehend am Anfang allmählich und in der Nähe der Lage t6 plötzlich, bis sie in der Lage t6 den Wert C18 erreicht.
  • Zwischen der Lage t6 und der Lage t7 vermindert sich die Konzentration am Anfang plötzlich und danach allmählich, bis sie in der Lage t7 den Wert C19 erreicht, und die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome nimmt zwischen der Lage t7 und der Lage t8 sehr allmählich ab und erreicht in der Lage t8 den Wert C20.
  • Zwischen der Lage t8 und der Lage tT nimmt die Verteilungskonzentration C entlang einer Kurve mit der in Fig. 10 gezeigten Gestalt von dem Wert C20 bis zu einem Wert von im wesentlichen 0 ab.
  • Wie vorstehend anhand einiger typischer Beispiele für ungleichmäßige Tiefenprofile von in dem ersten Schichtbereich (G) enthaltenen Germaniumatomen in der Richtung der Schichtdicke beschrieben wurde, ist der erste Schichtbereich (G) in dem Fall, daß das Tiefenprofil der in dem ersten Schichtbereich (G) enthaltenen Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke ungleichmäßig ist, geeigneterweise mit einem solchen Tiefenprofil der Germaniumatome vorgesehen, daß der erste Schichtbereich (G) an der Trägerseite einen Anteil, in dem die Verteilungskonzentration C der Germaniumatome einer Anreicherung der Germaniumatome entspricht, und an der Seite der Grenzfläche tT einen Anteil, in dem der Verteilungskonzentration C der Germaniumatome ein beträchtlich niedrigerer Wert gegeben wird als an der Trägerseite, aufweist.
  • D. h., daß der am Aufbau der amorphen Schicht beteiligte, erste Schichtbereich (G) in dem Fall, daß er Germaniumatome enthält, die in der Richtung der Schichtdicke eine ungleichmäßige Verteilung ausbilden, an der Trägerseite vorzugsweise einen lokalisierten Bereich (A), der Germaniumatome in einer relativ höheren Konzentration enthält, aufweisen kann.
  • Wie anhand der in den Fig. 2 bis 10 gezeigten Symbole erläutert wird, kann der lokalisierte Bereich (A) geeigneterweise innerhalb von 5 pm von der Grenzflächenlage tag B aus vorgesehen sein.
  • Der vorstehend erwähnte, lokalisierte Bereich (A) kann mit dem gesamten Schichtbereich (LT), der sich von der Grenzflächenlage tB aus gerechnet bis zu einer Tiefe von 5 pm erstreckt, identisch gemacht werden oder alternativ einen Teil des Schichtbereichs (LT) bilden.
  • Es kann in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den erforderlichen Eigenschaften der zu bildenden, amorphen Schicht festgelegt werden, ob der lokalisierte Bereich (A) als Teil des Schichtbereichs (LT) gestaltet werden oder den gesamten Schichtbereich (LT) einnehmen soll.
  • Der lokalisierte Bereich (A) kann vorzugsweise gemäß einer solchen Schichtbildung gebildet werden, daß der Höchstwert C der Verteilungskonzentrationen max der Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke (der Werte des Tiefenprofils) geeigneterweise 1000 Atom-ppm oder mehr, vorzugsweise 5000 Atom-ppm oder mehr und insbesondere 1 x 10 Atom-ppm oder mehr betragen kann.
  • D. h., daß die Germaniumatome enthaltende, amorphe Schicht erfindungsgemäß vorzugsweise so gebildet wird, daß der Höchstwert C der Verteilungskonzentration max innerhalb einer Schichtdicke von 5 um von der Träger- seite aus (in dem Schichtbereich mit einer Dicke von 5 pm, von tag B aus gerechnet) vorliegen kann.
  • Im Rahmen der Erfindung kann der Gehalt der Germaniumatome in dem ersten Schichtbereich (G) in geeigneter Weise nach Wunsch so festgelegt werden, daß die Aufgabe der Erfindung in wirksamer Weise gelöst wird, und der Gehalt der Germaniumatome in dem ersten Schichtbereich (G) kann geeigneterweise 1 bis 9,5 x 10 Atomppm, vorzugsweise 100 bis 8 x 10 Atom-ppm und insbesondere 500 bis 7 x 105 Atom-ppm betragen.
  • Bei dem erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement gehören die Schichtdicke des ersten Schichtbereichs (C) und die Schichtdicke des zweiten Schichtbereichs (S) zu den Faktoren, die für eine wirksame Lösung der Aufgabe der Erfindung wichtig sind, weshalb bei der Gestaltung des fotoleitfähigen Aufzeichnungselements in ausreichendem Maße auf diese Schichtdicken geachtet werden sollte, damit dem gebildeten, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement gewünschte Eigenschaften verliehen werden können.
  • Im Rahmen der Erfindung kann die Schichtdicke T B des ersten Schichtbereichs (G) geeigneterweise 3,0 nm bis 50 pm, vorzugsweise 4,0 nm bis 40 pm und insbesondere 5,0 nm bis 30 um betragen.
  • Andererseits kann die Schichtdicke T des zweiten Schichtbereichs (S) geeigneterweise 0,5 bis 90 Sm, vorzugsweise 1 bis 80 pm und insbesondere 2 bis 50 µm betragen.
  • Die Summe der vorstehend erwähnten Schichtdicken T und TB, nämlich (T + TB), kann bei der Gestaltung der Schichten des fotoleitfähigen Aufzeichnungselements geeigneterweise auf der Grundlage einer gegenseitigen, organischen Beziehung zwischen den für beide Schichtbereiche erforderlichen Eigenschaften und den für die gesamte amorphe Schicht erforderlichen Eigenschaften in der gewünschten Weise festgelegt werden.
  • In dem erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement kann der numerische Bereich für die vorstehend erwähnte Summe (T + Tß) geeigneterweise 1 bis 100 um, vorzugsweise 1 bis 80 um und insbesondere 2 bis 50 pm betragen.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die numerischen Werte für die einzelnen, vorstehend erwähnten Schichtdicken T8 und T vorzugsweise so gewählt, daß die Beziehung TB/T 5 1 erfüllt wird.
  • Bei der Wahl der numerischen Werte für die Schichtdicken T B und T in dem vorstehend erwähnten Fall wird es in höherem Maße bevorzugt, daß die Werte von TB und T in der Weise festgelegt werden, daß die Beziehung TB/T <= 0,9 und insbesondere TB/T c 0,8 erfüllt wird.
  • Wenn der Gehalt der Germaniumatome in dem ersten Schichtbereich (G) im Rahmen der Erfindung 1 x 10 Atom-ppm oder mehr beträgt, wird der erste Schichtbereich (G) geeigneterweise mit einer sehr dünnen Schichtdicke T B hergestellt, die geeigneterweise 30 µm oder weniger, vorzugsweise 25 µm oder weniger und insbesondere 20 µm oder weniger beträgt.
  • Beispiele für Halogenatome (X), die gegebenenfalls in den ersten Schichtbereich (G) und den zweiten Schichtbereich (S), aus denen die amorphe Schicht gebildet wird, eingebaut werden können, sind im Rahmen der Erfindung Fluor, Chlor, Brom und Jod, wobei Fluor und Chlor besonders bevorzugt werden.
  • Die Menge der Wasserstoffatome (H) oder die Menge der Halogenatome (X) oder die Gesamtmenge der Wasserstoff- und Halogenatome (H + X), die in dem am Aufbau der gebildeten, amorphen Schicht beteiligten, zweiten Schichtbereich (S) enthalten sein sollen, kann erfindungsgemäß geeigneterweise 1 bis 40 Atom-%, vorzugsweise 5 bis 30 Atom-% und insbesondere 5 bis 25 Atom-% betragen.
  • Bei dem erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement kann mindestens in den ersten Schichtbereich (G) eine Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften eingebaut werden, um dem ersten Schichtbereich (G) gewünschte Leitungseigenschaften zu verleihen.
  • Die Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften, die in dem ersten Schichtbereich (G) enthalten sein soll, kann in einer gleichförmigen und gleichmäßigen Verteilung innerhalb des gesamten Schichtbereichs oder örtlich in einem Teil des Schichtbereichs enthalten sein.
  • Wenn die Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften örtlich in einen Teil des ersten Schichtbereichs (G) des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements eingebaut wird, kann der Schichtbereich (PN), der die vorstehend erwähnte Substanz (C) enthält, geeigneterweise als Endteil-Schichtbereich des ersten Schichtbereichs (G) vorgesehen werden.
  • Besonders in dem Fall, daß der vorstehend erwähnte Schichtbereich (PN) als Endteil-Schichtbereich an der Trägerseite des ersten Schichtbereichs (G) vorgesehen ist, kann eine Injektion von Ladungen mit einer bestimmten Polarität aus dem Träger in die amorphe Schicht in wirksamer Weise verhindert werden, indem man die Art und den Gehalt der vorstehend erwähnten Substanz (C), die in dem Schichtbereich (PN) enthalten sein soll, in geeigneter Weise wählt.
  • Bei dem erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement kann die zur Regulierung der Leitungseigenschaften befähigte Substanz (C) in den ersten Schichtbereich (G), der einen Teil der amorphen Schicht bildet, entweder gleichmäßig in den gesamten Bereich oder örtlich, in der Richtung der Schichtdicke gesehen, eingebaut werden. Die vorstehend erwähnte Substanz (C) kann alternativ auch in den zweiten Schichtbereich (S), der auf dem ersten Schichtbereich (G) vorgesehen ist, eingebaut werden. Es ist auch möglich, die vorstehend erwähnte Substanz (C) sowohl in den ersten Schichtbereich (G) als auch in den zweiten Schichtbereich (S) einzubauen.
  • Wenn die vorstehend erwähnte Substanz (C) in den zweiten Schichtbereich (S) eingebaut werden soll, können die Art und der Gehalt der in den zweiten Schichtbereich (S) einzubauenden Substanz (C) sowie die Art und Weise ihres Einbaus in geeigneter Weise in Abhängigkeit von der Art und dem Gehalt der in den ersten Schichtbereich (G) eingebauten Substanz (C) sowie von der Art und Weise des Einbaus der in den ersten Schichtbereich (G) eingebauten Substanz (C) festgelegt werden.
  • Wenn die vorstehend erwähnte Substanz (C) in den zweiten Schichtbereich (S) eingebaut werden soll, kann die vorstehend erwähnte Substanz (C) im Rahmen der Erfindung vorzugsweise innerhalb des Schichtbereichs eingebaut werden, der mindestens die Berührungs-Grenzfläche mit dem ersten Schichtbereich (G) enthält.
  • Die vorstehend erwähnte Substanz (C) kann erfindungsgemäß gleichmäßig in den gesamten, zweiten Schichtbereich (S) oder alternativ gleichmäßig in einem Teil des zweiten Schichtbereichs (S) enthalten sein.
  • Wenn die Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften in den ersten Schichtbereich (G) und den zweiten Schichtbereich (S) eingebaut werden soll, wird es bevorzugt, daß der die vorstehend erwähnte Substanz (C) enthaltende Schichtbereich in dem ersten Schichtbereich (G) und der die vorstehend erwähnte Substanz (C) enthaltende Schichtbereich in dem zweiten Schichtbereich (S) miteinander in Berührung sind.
  • Die vorstehend erwähnte, in den ersten Schichtbereich (G) einzubauende Substanz (C) kann mit der in den zweiten Schichtbereich (S) einzubauenden Substanz (C) entweder identisch sein oder verschiedener Art sein, und auch der Gehalt der Substanz (C) in den einzelnen Schichtbereichen kann gleich oder verschieden sein.
  • Im Rahmen der Erfindung wird es jedoch bevorzugt, daß der Gehalt der Substanz (C) in dem ersten Schichtbereich (G) in ausreichendem Maße größer gemacht wird, wenn in den einzelnen Schichtbereichen die gleiche Art der Substanz (C) verwendet wird, oder daß in die gewünschten, einzelnen Schichtbereiche verschiedene Arten der Substanz (C) mit verschiedenen elektrischer.
  • Eigenschaften eingebaut werden.
  • Erfindungsgemäß können dadurch, daß die Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften mindestens in den am Aufbau der amorphen Schicht beteiligten, ersten Schichtbereich (G) eingebaut wird, die Leitungseigenschaften des Schichtbereichs (PN) in der gewünschten Weise frei reguliert werden. Als Beispiele für eine solche Substanz (C) können die auf dem Halbleitergebiet verwendeten Fremdstoffe erwähnt werden. Im Rahmen der Erfindung können Fremdstoffe vom p-Typ, die Leitungseigenschaften vom p-Typ ergeben, und Fremdstoffe vom n-Typ, die Leitungseigenschaften vom n-Typ ergeben, verwendet werden.
  • Im einzelnen können als Fremdstoffe vom p-Typ zu der Gruppe III des Periodensystems gehörende Atome (die Atome der Gruppe III) wie B (Bor), Al (Aluminium), Ga (Gallium), In (Indium) und T1 (Thallium) erwähnt werden, wobei B und Ga besonders bevorzugt werden.
  • Als Fremdstoffe vom n-Typ können zu der Gruppe V des Periodensystems gehörende Atome (die Atome der Gruppe V) wie P (Phosphor), As (Arsen), Sb (Antimon) und Bi (Wismut) verwendet werden, wobei P und As besonders bevorzugt werden.
  • Im Rahmen der Erfindung kann der Gehalt der Substanz (C) in dem Schichtbereich (PN) in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den erforderlichen Leitungseigenschaften des Schichtbereichs (PN) oder in dem Fall, daß der Schichtbereich (PN) in unmittelbarer Berührung mit dem Träger vorgesehen ist, in Abhängigkeit von einer organischen Beziehung, beispielsweise der Beziehung zu den Eigenschaften an der Berührungs-Grenzfläche mit dem Träger, gewählt werden.
  • Der Gehalt der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften kann auch geeigneterweise unter Berücksichtigung anderer Schichtbereiche, die in unmittelbarer Berührung mit dem Schichtbereich (PN) vorgesehen sind, und der Beziehung zu den Eigenschaften an de r Be der Berührungs-Grenzfläche mit den erwähnten, anderen Schichtbereichen gewählt werden.
  • Erfindungsgemäß kann der Gehalt der Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften in dem Schichtbereich (PN) geeigneterweise 0,01 bis 5 x 104 Atom-ppm, vorzugsweise 0,5 bis 1 x 104 Atom-ppm und insbesondere 1 bis 5 x 103 Atom-ppm betragen.
  • Im Rahmen der Erfindung können dadurch, daß als Gehalt der Substanz (C) in dem Schichtbereich (PN) geeigneterweise 30 Atom-ppm oder mehr, vorzugsweise 50 Atom-ppm oder mehr und insbesondere 100 Atom-ppm oder mehr gewählt werden, folgende Vorteile erzielt werden: In dem Fall, daß die einzubauende Substanz (C) ein Fremdstoff vom p-Typ ist, kann die Injektion von Elektronen von der Trägerseite her in die amorphe Schicht in wirksamer Weise verhindert werden, wenn die freie Oberfläche der amorphen Schicht einer Ladungsbehandlung mit positiver Polarität unterzogen wird, oder in dem Fall, daß die vorstehend erwähnte, einzubauende Substanz (C) ein Fremdstoff vom n-Typ ist, kann die Injektion von positiven Löchern von der Trägerseite her in die amorphe Schicht in wirksamer Weise verhindert werden, wenn die freie Oberfläche der amorphen Schicht einer Ladungsbehandlung mit negativer Polarität unterzogen wird.
  • In den vorstehend erwähnten Fällen kann der Schichtbereich (Z), d. h. der Schichtbereich ohne den vorste- hend erwähnten Schichtbereich (PN), wie vorstehend beschrieben wurde, eine Substanz (C) enthalten, die einen Leitungstyp mit einer von dem Leitungstyp der in dem Schichtbereich (PN) enthaltenen Substanz (C) verschiedenen Polarität hat, oder der Schichtbereich (Z) kann eine Substanz (C), die einen Leitungstyp mit der gleichen Polarität wie die in dem Schichtbereich (PN) enthaltene Substanz (C) hat, in einer Menge, die viel geringer ist als die praktisch verwendete Menge, die in dem Schichtbereich (PN) enthalten sein soll, enthalten.
  • In einem solchen Fall kann der Gehalt der Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften, die in dem vorstehend erwähnten Schichtbereich (Z) enthalten sein soll, in geeigneter Weise nach Wunsch in Abhängigkeit von der Polarität und dem Gehalt der vorstehend erwähnten Substanz (C), die in dem vorstehend erwähnten Schichtbereich (PN) enthalten ist, festgelegt werden und geeigneterweise 0,001 bis 1000 Atom-ppm, vorzugsweise 0,05 bis 500 Atom-ppm und insbesondere 0,1 bis 200 Atom-ppm betragen.
  • Wenn im Rahmen der Erfindung in dem Schichtbereich (PN) und dem Schichtbereich (Z) die gleiche Art der Substanz (C) enthalten ist, kann der Gehalt der Substanz (C) in dem Schichtbereich (Z) vorzugsweise 30 Atom-PPm oder weniger betragen.
  • Erfindungsgemäß kann dadurch, daß in der amorphen Schicht ein Schichtbereich, der eine Substanz (C1) für die Regulierung der Leitungseigenschaften mit einem Leitungstyp einer Polarität enthält, und ein Schichtbereich, der eine Substanz (C2) für die Regulierung der Leitungseigenschaften mit einem Leitungstyp der anderen Polarität enthält, in unmittelbarer Berührung miteinander vorgesehen sind, in dem Berührungsbereich auch eine sogenannte Verarmungsschicht vorgesehen werden.
  • D. h., daß in der amorphen Schicht eine Verarmungsschicht vorgesehen werden kann, indem man beispielsweise einen Schichtbereich (P), der den vorstehend erwähnten Fremdstoff vom p-Typ enthält, und einen Schichtbereich (N), der den vorstehend erwähnten Fremdstoff vom n-Typ enthält, in der Weise ausbildet, daß sie in unmittelbarer Berührung miteinander stehen und dadurch einen sogenannten pn-Ubergang bilden.
  • In die amorphe Schicht des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements werden geeigneterweise Sauerstoffatome eingebaut, um Verbesserungen bezüglich der Erzielung einer höheren Lichtempfindlichkeit und eines höheren Dunkelwiderstands und des weiteren eine Verbesserung der Haftung zwischen dem Träger und der amorphen Schicht zu erzielen.
  • Die in der amorphen Schicht enthaltenen Sauerstoffatome können entweder gleichmäßig in dem gesamten Schichtbereich der amorphen Schicht oder nur örtlich in einem Teil des Schichtbereichs der amorphen Schicht enthalten sein.
  • Die Sauerstoffatome können in der Richtung der Schichtdicke der amorphen Schicht in der Weise verteilt sein, daß ihre Verteilungskonzentration C (O) ähnlich wie bei dem unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 10 beschriebenen Verteilungszustand der Germaniumatome entweder gleichmäßig oder ungleichmäßig ist.
  • D. h., daß die Verteilung der Sauerstoffatome ähnlich wie im Fall der Germaniumatome unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 10 erläutert werden kann, wenn die Verteilungskonzentration C (O) in der Richtung der Schichtdicke ungleichmäßig ist.
  • Im Rahmen der Erfindung wird der am Aufbau der amorphen Schicht beteiligte Schichtbereich (O) in dem Fall, daß hauptsächlich Verbesserungen der Lichtempfindlichkeit und des Dunkelwiderstands beabsichtigt sind, in der Weise ausgebildet, daß er den gesamten Schichtbereich der amorphen Schicht einnimmt, während der Schichtbereich (O) in der Weise ausgebildet wird, daß er den Endteil-Schichtbereich an der Trägerseite der amorphen Schicht einnimmt, wenn hauptsächlich eine Verstärkung der Haftung zwischen dem Träger und der amorphen Schicht beabsichtigt ist.
  • In dem an erster Stelle genannten Fall kann der Gehalt der Sauerstoffatome in dem Schichtbereich (0) geeigneterweise relativ kleiner gemacht werden, damit eine hohe Lichtempfindlichkeit beibehalten wird, während in dem an letzter Stelle genannten Fall der Gehalt der Sauerstoffatome geeigneterweise relativ groß gemacht werden kann, damit eine Verstärkung der Haftung an dem Träger gewährleistet ist.
  • Für die gleichzeitige Verbesserung der Lichtempfindlichkeit, des Dunkelwiderstands und der Haftung zwischen dem Träger und der amorphen Schicht können Sauerstoffatome in der Weise in dem Schichtbereich (0) verteilt sein, daß sie an der Trägerseite in einer relativ höheren Konzentration verteilt sind und an der Seite der freien Oberfläche der amorphen Schicht eine relativ niedrigere Konzentration haben oder daß in dem Schicht- bereich an der Seite der freien Oberfläche der amorphen Schicht überhaupt keine Sauerstoffatome enthalten sind.
  • Der Gehalt der Sauerstoffatome. die in dem Schichtbereich (0) enthalten sein sollen, kann in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den Eigenschaften, die für den Schichtbereich (0) selbst erforderlich sind, oder in dem Fall, daß der Schichtbereich (0) in unmittelbarer Berührung mit dem Träger vorgesenen -st, in Abhängigkeit von einer organischen Beziehung, beispielsweise der Beziehung zu den Eigenschaften an der Berührungs-Grenzfläche mit dem Träger und aroerer. Beziehungen, gewählt werden.
  • Wenn ein anderer Schichtbereich -n unmittelbarer Berührung mit dem Schichtbereich (10) ausgebildet werden soll, kann der Gehalt der Sauerstoffatome geeigneterweise auch unter Berücksichtigur:g der Eigenschaften des anderen Schichtbereichs der beziehung zu den Eigenschaften an der Berührungs-Grenzfläche mit dem anderen Schichtbereich gewählt werten.
  • Der Gehalt der Sauerstoffatome in dem Schichtbereich (0) kann in geeigneter Weise ifn Abnängigkeit von den Eigenschaften, die das zu bildende, fotoleitfähige Aufzeichnungselement haben muß, nach Wunsch festgelegt werden und kann geeigneterweise 0,001 bis 50 Atom-%, vorzugsweise 0,002 bis 40 Atom-% und insbesondere 0,003 bis 30 Atom-% betragen.
  • Wenn der Schichtbereich (0, in Rahmen der Erfindung den gesamten Bereich der amorphen Schicht einnimmt oder wenn er zwar nicht den gesamten Schichtbereich der amorphen Schicht einnimmt, jedoch eine Schichtdicke hat, die relativ zu der Schichtdicke T der amorphen Schicht ausreichend groß ist, ist die Obergrenze des Gehalts der Sauerstoffatome in dem Schichtbereich (0) geeigneterweise in ausreichendem Maße geringer als der vorstehend erwähnte Wert.
  • D. h., daß die Obergrenze des Gehalts der Sauerstoffatome in dem Schichtbereich (0) geeigneterweise 30 Atom- oder weniger, vorzugsweise 20 Atom-% oder weniger und insbesondere 10 Atom-% oder weniger betragen kann, wenn das Verhältnis der Schichtdicke T0 des Schichtbereichs (0) zu der Schichtdicke T der amorphen Schicht den Wert 2/5 oder einen höheren Wert hat.
  • Der am Aufbau der amorphen Schicht beteiligte Schichtbereich (0) kann im Rahmen der Erfindung geeigneterweise so ausgebildet werden, daß er an der Trägerseite wie vorstehend beschrieben einen lokalisierten Bereich (B), der Sauerstoffatome in einer relativ höheren Konzentration enthält, aufweist, und in diesem Fall kann die Haftung zwischen dem Träger und der amorphen Schicht weiter verbessert werden.
  • Wie anhand der in den Fig. 2 bis 10 gezeigten Symbole erläutert wird, kann der lokalisierte Bereich (B) geeigneterweise innerhalb von 5 pm von der Grenzflächenlage tag B aus vorgesehen sein.
  • Der vorstehend erwähnte, lokalisierte Bereich (B) kann im Rahmen der Erfindung mit dem gesamten Schichtbereich (LT), der sich von der Grenzflächenlage tB aus gerechnet bis zu einer Tiefe mit einer Dicke von 5 Mm erstreckt, identisch gemacht werden oder alternativ einen Teil des Schichtbereichs (LT) bilden.
  • Es kann in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den erforderlichen Eigenschaften der zu bildenden, amorphen Schicht festgelegt werden, ob der lokalisierte Bereich (B) als Teil des Schichtbereichs (LT) gestaltet werden oder den gesamten Schichtbereich (LT) einnehmen soll.
  • Der lokalisierte Bereich (8) kann vorzugsweise gemäß einer solchen Schichtbildung gebildet werden, daß der Höchstwert Cmax der Verteilungskonzentration der Sauerstoffatome in der Richtung der Schichtdicke geeigneterweise 500 Atom-ppm oder mehr, vorzugsweise 800 Atom-ppm oder mehr und insbesondere 1000 Atom-ppm oder mehr betragen kann.
  • D. h., daß der Schichtbereich (0) geeigneterweise so gebildet werden kann, daß der Höchstwert Cmax der Verteilungskonzentration der Sauerstoffatome innerhalb einer Schichtdicke von 5 pm von der Trägerseite aus (in dem Schichtbereich mit einer Dicke von 5 Hm, von t8 aus gerechnet) vorliegen kann.
  • Die Bildung eines aus a-SiGe(H,X) bestehenden, ersten Schichtbereichs (G) kann erfindungsgemäß nach einem Vakuumbedampfungsverfahren unter Anwendung der Entladungserscheinung, beispielsweise nach dem Glimmentladungsverfahren, dem Zerstäubungsverfahren oder dem Ionenplattierverfahren, durchgeführt werden. Die grundlegende Verfahrensweise für die Bildung des aus a-SiGe(H,X) bestehenden, ersten Schichtbereichs (G) nach dem Glimmentladungsverfahren besteht beispielsweise darin, daß ein zur Zuführung von Siliciumatomen (Si) befähigtes, gasförmiges Ausgangsmaterial und ein zur Zuführung von Germaniumatomen (Ge) befähigtes, gasförmiges Ausgangsmaterial, zusammen mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasser- stoffatomen (H) und/oder einem gasförmigen Ausgangsmaterial für die Einführung von Halogenatomen (X), falls notwendig, in eine Abscheidungskammer, die im Inneren auf einen verminderten Druck gebracht werden kann, eingeleitet werden und daß in der Abscheidungskammer eine Glimmentladung angeregt wird, wodurch auf der Oberfläche eines Trägers, der in eine vorbestimmte Lage gebracht wurde, eine aus a-SiGe(H,X) bestehende Schicht gebildet wird. Für die Bildung der Schicht nach dem Zerstäubungsverfahren kann in dem Fall, daß die Zerstäubung unter Verwendung von zwei Platten in Form eines aus Si bestehenden Targets und eines aus Ge bestehenden Targets oder einer Platte in Form eines eine Mischung von Si und Ge enthaltenden Targets in einer Atmosphäre aus beispielsweise einem Inertgas wie Ar oder He oder in einer auf diesen Gasen basierenden Gasmischung durchgeführt wird, gegegenenfalls ein Gas für die Einführung von Wasserstoffatomen (H) und/oder Halogenatomen (X) in die zur Zerstäubung dienende Abscheidungskammer eingeleitet werden.
  • Zu dem erfindungsgemäß für die Zuführung von Si einzusetzenden, gasförmigen Ausgangsmaterial können als wirksame Materialien gasförmige oder vergasbare Siliciumhydride (Silane) wie SiH4, Si2H6 Si3H8 und Si4H1o gehören. SiH4 und Si2H6 werden im Hinblick auf ihre einfache Handhabung während der Schichtbildung und auf den Wirkungsgrad hinsichtlich der Zuführung von Si besonders bevorzugt.
  • Als Substanzen, die gasförmige Ausgangsmaterialien für die Zuführung von Ge sein können, können gasförmige oder vergasbare Germaniumhydride wie GeH4, Ge2H6, Ge3H8, Ge4H10, Ge5H12. Ge6H14, Ge7H16, Cle und GeH20 usw., die wirksame Substanzen darstellen, erwähnt werden. Im Hinblick auf die leichte Handhabung während der Schichtbildungsvorgänge und den Wirkungsgrad hinsichtlich der Zuführung von Ge werden GeH4, Ge2H6 und Ge 3H8 besonders bevorzugt.
  • Als wirksame gasförmige Ausgangsmaterialien für die Einführung von Halogenatomen, die erfindungsgemäß einzusetzen sind, kann eine Vielzahl von Halogenverbindungen, wozu gasförmige oder vergasbare Halogenverbindungen wie gasförmige Halogene, Halogenide, Interhalogenverbindungen oder halogensubstituierte Silanderivate gehören, erwähnt werden.
  • Im Rahmen der Erfindung ist auch der Einsatz von gasförmigen oder vergasbaren, Halogenatome enthaltenden Silanverbindungen, die Siliciumatome und Halogenatome als am Aufbau beteiligte Atome enthalten, wirksam.
  • Zu typischen Beispielen für Halogenverbindungen, die erfindungsgemäß vorzugsweise eingesetzt werden, können gasförmige Halogene wie Fluor, Chlor, Brom oder Jod und Interhalogenverbindungen wie BrF, C1F, C1F3, BrF5, BrF3, JF3, JF7, JC1 und JBr gehören.
  • Als Halogenatome enthaltende Siliciumverbindungen, d. h. als halogensubstituierte Silanderivate, können vorzugsweise Siliciumhalogenide wie SiF4, Si2F6, SiC14 und SiBr4 ein gesetzt werden.
  • Wenn das erfindungsgemäße, fotoleitfähige Aufzeichnungselement nach dem Glimmentladungsverfahren unter Anwendung einer solchen Halogenatome enthaltenden Siliciumverbindung gebildet werden soll, kann auf einem bestimmten Träger ein aus a-SiGe, das Halogenatome enthält, bestehender, erster Schichtbereich (G) gebildet werden, ohne daß als zur Zuführung von Si befähigtes, gasförmiges Ausgangsmaterial zusammen mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial für die Zuführung von Ge ein gasförmiges Siliciumhydrid eingesetzt wird.
  • Die grundlegende Verfahrensweise zur Bildung eines Halogenatome enthaltenden, ersten Schichtbereichs (G) nach dem Glimmentladungsverfahren besteht beispielsweise darin, daß ein gasförmiges Siliciumhalogenid als gasförmiges Ausgangsmaterial fur die Zufuhrung von Si, ein Germaniumhydrid als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Zuführung von Ge und ein Gas wie Ar, H2 oder He in einem vorbestimmten Mischungsverhältnis und mit vorbestimmten Gasdurchflußgeschwindigkeiten in eine zur Bildung des ersten Schichtbereichs (G) dienende Abscheidungskammer eingeleitet werden und daß in der Abscheidungskammer eine Glimmentladung angeregt wird, um eine Plasmaatmosphäre aus diesen Gasen zu bilden, wodurch auf einem bestimmten Träger der erste Schichtbereich (G) gebildet werden kann.
  • Für eine einfachere Regulierung des Anteils der eingeführten Wasserstoffatome können diese Gase außerdem in einem gewünschten Ausmaß mit einer gasförmigen, Wasserstoffatome enthaltenden Siliciumverbindung vermischt werden.
  • Die einzelnen Gase können nicht nur als einzelne Spezies, sondern auch in Form einer Mischung aus mehr als einer Spezies eingesetzt werden.
  • Für die Bildung eines aus a-SiGe(H,X) bestehenden, ersten Schichtbereichs (G) nach dem reaktiven Zerstäubungsverfahren oder dem Ionenplattierverfahren kann beispielsweise im Fall des Zerstäubungsverfahrens die Zerstäubung unter Anwendung von zwei Platten in Form eines Si-Targets und eines Ge-Targets oder unter Anwendung einer Platte in Form eines Si und Ge enthaltenden Targets in einer bestimmten Gasplasmaatmosphåre durchgeführt werden. Im Fall des Ionenplattierverfahrens werden polykristallines Silicium oder Einkristall-Silicium und polykristallines Germanium oder Einkristall-Germanium als Verdampfungsquellen jeweils in ein Aufdampfschiffchen hineingebracht, und diese Verdampfungsquellen werden durch Erhitzen nach dem Widerstandsheizverfahren oder dem Elektronenstrahlverfahren verdampft, wobei dem erhaltenen fliegenden, verdampften Produkt ein Durchtritt durch die Gasplasmaatmosphäre ermöglicht wird.
  • Während dieser Verfahrensweise kann zur Einführung von Halogenatomen in die gebildete Schicht beim Zerstäubungsverfahren oder beim Ionenplattierverfahren eine gasförmige Halogenverbindung oder eine Halogenatome enthaltende Siliciumverbindung, wie sie vorstehend beschrieben wurden, in die Abscheidungskammer eingeleitet werden, wobei eine Plasmaatmosphäre aus diesem Gas gebildet wird.
  • Für die Einführung von Wasserstoffatomen kann auch ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen wie H2 oder eines der gasförmigen Silane und/oder Germaniumhydride, die vorstehend erwähnt wurden, in die Abscheidungskammer eingeleitet werden, und in der Abscheidungskammer kann eine Plasmaatmosphäre aus diesem Gas gebildet werden.
  • Erfindungsgemäß können als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Halogenatomen die Halogenverbindungen oder die halogenhaltigen Siliciumverbindungen, die vorstehend erwähnt wurden, in wirksamer Weise eingesetzt werden. Außerdem ist es auch möglich, ein gasförmiges oder vergasbares Halogenid, das Wasserstoffatome als eine der am Aufbau beteiligten Atomarten enthält, beispielsweise einen Halogenwasserstoff wie HF, HC1, HBr oder HJ, ein halogensubstituiertes Siliciumhydrid wie SiH2F2, SiH2J2' SiH2C12' SiHCl3, SiH2Br2 oder SiHBr3, ein halogensubstituiertes Germaniumhydrid wie CeHF3, GeH2F2, GeH3F, GeHCl3, GeH2C12, GeH3Cl, GeHBr3, GeH2Br2, GeH3Br, GeHJ3, GeH2J2 oder GeH3J oder ein gasförmiges oder vergasbares Germaniumhalogenid wie GeF4, GeCl4, GeBr4, GeJ4, GeF2, GeCl2, GeBr2 oder GeJ2 als wirksames Ausgangsmaterial für die Bildung eines ersten Schichtbereichs (G) der amorphen Schicht einzusetzen.
  • Von diesen Substanzen können die Halogenide, die Wasserstoffatome enthalten und dazu befähigt sind, während der Bildung des ersten Schichtbereichs (G) gleichzeitig mit der Einführung von Halogenatomen in die Schicht Wasserstoffatome einzuführen, die hinsichtlich der Regulierung der elektrischen oder fotoelektrischen Eigenschaften sehr wirksam sind, vorzugsweise als Ausgangsmaterial für die Einführung von Halogenatomen eingesetzt werden.
  • Für den Einbau von Wasserstoffatomen in die Struktur des ersten Schichtbereichs (G) kann anders als bei dem vorstehend beschriebenen Verfahren dafür gesorgt werden, daß in einer Abscheidungskammer, in der eine Entladung angeregt wird, H2 oder ein Siliciumhydrid wie SiH4, Si2H6, Si3H8 oder Si4H10 und Germanium oder eine Germaniumverbindung für die Zuführung von Ge oder alternativ ein Germaniumhydrid wie GeH4, Ge2H6, Ge3H8> Ge4H10, Ge5H12 Ge6H14, Ge7H16, Ge8H18 oder Ge9H20 und Silicium oder eine Siliciumverbindung für die Zuführung von Si zusammen vorliegen.
  • Bei bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung kann die Menge der Wasserstoffatome (H) oder Halogenatome (X), die in den am Aufbau der gebildeten, amorphen Schicht beteiligten, ersten Schichtbereich (G) eingebaut werden, oder die Gesamtmenge der Wasserstoffatome und der Halogenatome, (H+X), geeigneterweise 0,01 bis 40 Atom-%, vorzugsweise 0,05 bis 30 Atom-% und insbesondere 0,1 bis 25 Atom-% betragen.
  • Für die Regulierung der Mengen der Wasserstoffatome (H) und/oder der Halogenatome (X) in dem ersten Schichtbereich (G) können beispielsweise die Trägertemperatur und/oder die Mengen der in die Abscheidungsvorrichtung einzuleitenden Ausgangsmaterialien für den Einbau von Wasserstoffatomen (H) oder Halogenatomen (X) oder die Entladungsleistung reguliert werden.
  • Erfindungsgemäß können für die Bildung des aus a-Si(H,X) bestehenden, zweiten Schichtbereichs (S) die Ausgangsmaterialien (II) für die Bildung des zweiten Schichtbereichs (S), d. h. Ausgangsmaterialien, die aus den vorstehend beschriebenen Ausgangsmaterialien (I) für die Bildung des ersten Schichtbereichs (G) mit Ausnahme des als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Zuführung von Ge dienenden Ausgangsmaterials ausgewählt wurden, nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie im Fall der Bildung des ersten Schichtbereichs (G) eingesetzt werden.
  • D. h., daß die Bildung eines aus a-Si(H,X) bestehenden, zweiten Schichtbereichs (S) im Rahmen der Erfindung nach dem Vakuumbedampfungsverfahren unter Anwendung der Entladungserscheinung, beispielsweise nach dem Glimmentladungsverfahren, dem Zerstäubungsverfahren oder dem Ionenplattierverfahren, durchgeführt werden kann. Die grundlegende Verfahrensweise für die Bildung des aus a-Si(H,X) bestehenden, zweiten Schichtbereichs (S) nach dem Glimmentladungsverfahren besteht beispielsweise darin, daß ein zur Zuführung von Siliciumatomen (Si) befähigtes, gasförmiges Ausgangsmaterial, zusammen mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen und/oder Halogenatomen, falls dies notwendig ist, in die Abscheidungskammer, die im Inneren auf einen verminderten Druck gebracht werden kann, eingeleitet wird und daß in der Abscheidungskammer eine Glimmentladung angeregt wird, wodurch auf der Oberfläche eines Trägers, der in eine vorbestimmte Lage gebracht wurde, eine a-Si(H,X) enthaltende Schicht gebildet wird. Für die Bildung der Schicht nach dem Zerstäubungsverfahren kann in dem Fall, daß die Zerstäubung unter Verwendung eines aus Si bestehenden Targets in einer Atmosphäre aus beispielsweise einem Inertgas wie Ar oder He oder in einer auf diesen Gasen basierenden Gasmischung durchgefLihrt wird, ein Gas für die Einführung von Wasserstoffatomen (H) und/oder Halogenatomen (X) in die zur Zerstäubung dienende Abscheidungskammer eingeleitet werden.
  • Für die Bildung eines Schichtbereichs (PN), der eine Substanz (C) für die Regulierung der Leitungseigenschaften, beispielsweise Atome der Gruppe III oder der Gruppe V, enthält, durch Einführung der Substanz (C) in die Struktur des am Aufbau der amorphen Schicht beteiligten Schichtbereichs kann ein Ausgangsmaterial für die Einführung der Atome der Gruppe III oder ein Ausgangsmaterial für die Einführung der Atome der Gruppe V im gasförmigen Zustand zusammen mit anderen Ausgangsmaterialien für die Bildung der amorphen Schicht in die Abscheidungskammer eingeleitet werden.
  • Als solche Ausgangsmaterialien für die Einführung der Atome der Gruppe III können vorzugsweise Verbindungen eingesetzt werden, die gasförmig oder zumindest unter den Schichtbildungsbedingungen vergasbar sind.
  • Als typische Beispiele solcher Ausgangsmaterialien für die Einführung von Atomen der Gruppe III können Borhydride wie B2H6, B4H10, B5H9, B5H11' B6H10, B6H12 und B6H14 und Borhalogenide wie BF3, BC13 und BBr3, die Ausgangsmaterialien für die Einführung von Boratomen darstellen, erwähnt werden. Außerdem können auch beispielsweise AlC13, GaCl3, Ga(CH3)3, InC13 oder T1Cl3 als Ausgangsmaterialien für die Einführung von Atomen der Gruppe III eingesetzt werden.
  • Als Ausgangsmaterial für die Einführung von Atomen der Gruppe V, das erfindungsgemäß in wirksamer Weise eingesetzt werden kann, können Phosphorhydride wie PH3 und P2H4 und Phosphorhalogenide wie PH4J, PF3, PF5, PC1 PCl5, PBr3, PBr5 und PJ3, die Ausgangsmaterialien für die Einführung von Phosphoratomen darstellen, erwähnt werden. Als wirksame Ausgangsmaterialien für die Einführung von Atomen der Gruppe V können außerdem beispielsweise auch AsH3, AsF3, AsCl3, AsBr3, AsF5, SbH3, SbF3, SbF5, SbCl3, SbCl5, SiH3, SiCl3 und BiBr3 usw. erwähnt werden.
  • Für die Bildung des Sauerstoffatome enthaltenden Schichtbereichs (0) in der amorphen Schicht kann während der Bildung der Schicht ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen zusammen mit dem vorstehend erwähnten Ausgangsmaterial für die Bildung der amorphen Schicht eingesetzt und in die Schicht eingebaut werden, während die Mengen dieser Ausgangsmaterialien reguliert werden. Wenn für die Bildung des Schichtbereichs (0) das Glimmentladungsverfahren angewandt werden soll, kann zu dem Ausgangsmaterial, das in der gewünschten Weise aus den vorstehend erwähnten Ausgangsmaterialien für die Bildung der amorphen Schicht ausgewählt wurde, ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen zugegeben werden. Als ein solches Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen können die meisten gasförmigen oder vergasbaren Substanzen eingesetzt werden, die als am Aufbau beteiligte Atome mindestens Sauerstoffatome enthalten.
  • Es kann beispielsweise eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Sauerstoffatome (O) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und gegebenenfalls einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis, eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Sauerstoffatome (O) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, ebenfalls in einem gewünschten Mischungsverhältnis, oder eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si), Sauerstoffatome (0) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, eingesetzt werden.
  • Alternativ kann auch eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) und Wasser- stoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Sauerstoffatome (0) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, eingesetzt werden.
  • Im einzelnen können beispielsweise Sauerstoff (°2) Ozon (03), Stickstoffmonoxid (NO), Stickstoffdioxid (wo2), Distickstoffmonoxid (N20), Distickstofftrioxid (N203), Distickstofftetroxid (N204), Distickstoffpentoxid (N2O5) und Stickstofftrioxid (NO 3) und niedere Siloxane, die als am Aufbau beteiligte Atome Siliciumatome (Si), Sauerstoffatome (0) und Wasserstoffatome (H) enthalten, beispielsweise Disiloxan H3SiOSiH3 und Trisiloxan H3SiOSi20SiH3, erwähnt werden.
  • Für die Bildung des Sauerstoffatome enthaltenden Schichtbereichs (0) nach dem Zerstäubungsverfahren kann eine Einkristall- oder polykristalline Si-Scheibe oder Si02-Scheibe oder eine Scheibe, in der eine Mischung von Si und SiO2 enthalten ist, eingesetzt werden, und eine Zerstäubung dieser Scheiben kann in verschiedenen Gasatmosphären durchgeführt werden.
  • Wenn beispielsweise eine Si-Scheibe als Target eingesetzt wird, kann ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen, das gegebenenfalls mit einem verdünnenden Gas verdünnt sein kann, gegebenenfalls zusammen mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen und/oder Halogenatomen zur Bildung eines Gasplasmas aus diesen Gasen in eine zur Zerstäubung dienende Abscheidungskammer, in der mit der vorstehend erwähnten Si-Scheibe eine Zerstäubung durchgeführt werden kann, eingeleitet werden.
  • Die Zerstäubung kann alternativ unter Verwendung von getrennten Targets aus Si und Si02 oder unter Verwendung eines plattenförmigen Targets, in dem eine Mischung von Si und SiO2 enthalten ist, in einer Atmosphäre eines verdünnenden Gases als Gas für die Zerstäubung oder in einer Gasatmosphäre, die als am Aufbau beteiligte Atome mindestens Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) enthält, durchgeführt werden.
  • Als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen können auch im Fall der Zerstäubung die gasförmigen Ausgangsmaterialien, die im Zusammenhang mit dem vorstehend beschriebenen Glimmentladungsverfahren als Beispiele erwähnt wurden, in wirksamer Weise eingesetzt werden.
  • Wenn im Rahmen der Erfindung während der Bildung der amorphen Schicht ein Sauerstoffatome enthaltender Schichtbereich (0) gebildet wird, kann der Schichtbereich (0), der einen gewünschten Verteilungszustand (ein gewünschtes Tiefenprofil) der Sauerstoffatome in der Richtung der Schichtdicke aufweist, der (das) durch Veränderung der Verteilungskonzentration C (O) der in dem Schichtbereich (0) enthaltenen Sauerstoffatome ausgebildet wurde, im Fall der Glimmentladung gebildet werden, indem man ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen in eine Abscheidungskammer einleitet, während die Gasdurchflußgeschwindigkeit dieses gasförmigen Ausgangsmaterials gemäß einer gewünschten Kurve der Anderungsgeschwindigkeit in geeigneter Weise verändert wird.
  • Beispielsweise kann die Öffnung eines bestimmten Nadelventils, das im Verlauf des Gasdurchflußkanalsystems vorgesehen ist, durch ein manuelles Verfahren oder durch ein anderes üblicherweise angewandtes Verfahren, beispielsweise durch ein Verfahren unter Anwendung eines Motors mit Außenantrieb, usw. allmählich verändert werden. Während dieser Verfahrensweise muß die Änderungsgeschwindigkeit der Gas du rchflußgeschwindigkeit nicht notwendigerweise linear sein, sondern die Gasdurchflußgeschwindigkeit kann in Übereinstimmung mit einer Kurve der Änderungsgeschwindigkeit, die zuvor beispielsweise mittels eines Mikrocomputers entworfen wurde, reguliert werden, damit eine gewünschte Gehaltskurve erhalten wird.
  • Wenn der Schichtbereich (0) nach dem Zerstäubungsverfahren gebildet wird, kann ein erstes Verfahren für die Ausbildung eines gewünschten Verteilungszustands (Tiefenprofils) der Sauerstoffatome in der Richtung der Schichtdicke durch Veränderung der Verteilungskonzentration C (0) der Sauerstoffatome in der Richtung der Schichtdicke ähnlich wie im Fall des Glimmentladungsverfahrens durchgeführt werden, indem man ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen im gasförmigen Zustand einsetzt und die Gasdurchflußgeschwindigkeit dieses Gases in geeigneter Weise nach Wunsch verändert, wenn es in die Abscheidungskammer eingeleitet wird.
  • Zweitens kann ein solches Tiefenprofil auch ausgebildet werden, indem zuvor die Zusammensetzung des zur Zerstäubung dienenden Targets verändert wird. Wenn beispielsweise ein Target, das aus einer Mischung von Si und SiO2 besteht, eingesetzt werden soll, kann das Mischungsverhältnis von Si zu Si02 in der Richtung der Schichtdicke des Targets verändert werden.
  • Der erfindungsgemäß zu verwendende Träger kann entweder elektrisch leitend oder isolierend sein. Als elektrisch leitendes Material können Metalle wie NiCr, rostfreier Stahl, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt und Pd oder Legierungen davon erwähnt werden.
  • Als isolierende Träger können im allgemeinen Folien oder Platten aus Kunstharzen, wozu Polyester, Polyethylen, Polycarbonat, Celluloseacetat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol und Polyamid gehören, Gläser, keramische Stoffe, Papiere und andere Materialien verwendet werden.
  • Diese isolierenden Träger sollten vorzugsweise mindestens eine Oberfläche aufweisen, die einer Behandlung unterzogen wurde, durch die sie elektrisch leitend gemacht worden ist, und andere Schichten werden geeigneterweise auf der Seite vorgesehen, die durch eine solche Behandlung elektrisch leitend gemacht worden ist.
  • Ein Glas kann beispielsweise elektrisch leitend gemacht werden, indem auf dem Glas ein dünner Film aus NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In203, SnO2 oder ITO (In203+SnO2) gebildet wird. Alternativ kann die Oberfläche einer Kunstharzfolie wie einer Polyesterfolie durch Vakuumaufdampfung, Elektronenstrahl-Abscheidung oder Zerstäubung eines Metalls wie NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti oder Pt oder durch Laminieren mit einem solchen Metall elektrisch leitend gemacht werden.
  • Der Träger kann in irgendeiner Form ausgebildet werden, beispielsweise in Form eines Zylinders, eines Bandes oder einer Platte oder in anderen Formen, und seine Form kann in gewünschter Weise festgelegt werden.
  • Wenn das in Fig. 1 gezeigte, fotoleitfähige Aufzeich- nungselement 100 beispielsweise als Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke eingesetzt werden soll, kann es für die Verwendung in einem kontinuierlichen, mit hoher Geschwindigkeit durchgeführten Kopierverfahren geeigneterweise in Form eines endlosen Bandes oder eines Zylinders gestaltet werden.
  • Der Träger kann eine Dicke haben, die in geeigneter Weise so festgelegt wird, daß ein gewünschtes fotoleitfähiges Aufzeichnungselement gebildet werden kann.
  • Wenn das fotoleitfähige Aufzeichnungselement flexibel sein muß, wird der Träger mit der Einschränkung, daß er seine Funktion als Träger ausüben können muß, so dnn wie möglich hergestellt. In einem solchen Fall hat der Träger jedoch im allgemeinen unter Berücksichtigung seiner Herstellung und Handhabung sowie seiner mechanischen Festigkeit eine Dicke von 10 pm oder eine größere Dicke.
  • Fig. 28 ist eine schematische Darstellung des Schichtaufbaus einer anderen bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements.
  • Das in Fig. 28 gezeigte, fotoleitfähige Aufzeichnungselement 2800 weist auf einem Träger 2801 für das fotoleitfähige Aufzeichnungselement eine erste amorphe Schicht (I) 2802 und eine zweite amorphe Schicht (II) 2805 mit einer freien Oberfläche 2806 als einer der End-Oberflächen auf.
  • Das in Fig. 28 gezeigte, fotoleitfähige Aufzeichnungselement 2800 hat den gleichen Schichtaufbau wie das in Fig. 1 gezeigte, fotoleitfähige Aufzeichnungselement, jedoch mit dem Unterschied, daß auf einer ersten amorphen Schicht (I) 2802 eine zweite amorphe Schicht (II) 2805 vorgesehen ist.
  • D. h., daß das fotoleitfähige Aufzeichnungselement 2800 eine erste amorphe Schicht 2802 aufweist, die den gleichen Aufbau hat wie die amorphe Schicht 102 in dem in Fig. 1 gezeigten, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement 100.
  • Die zweite amorphe Schicht (II) 2805, die bei dem in Fig. 28 gezeigten, fotoleitfähigen Aufzeichnungselement 2800 auf der ersten amorphen Schicht (I) 2802 ausgebildet ist, hat eine freie Oberfläche und ist hauptsächlich vorgesehen, um die Aufgabe der Erfindung im Hinblick auf die Feuchtigkeitsbeständigkeit, die Eigenschaften bei der kontinuierlichen und wiederholten Verwendung, die Durchschlagsfestigkeit, die Eigenschaften bezüglich des Einflusses von Umgebungsbedingungen während der Anwendung und die Haltbarkeit zu lösen.
  • Im Rahmen der Erfindung haben die amorphen Materialien, die die erste amorphe Schicht (I) 2802 und die zweite amorphe Schicht (II) 2805 bilden, Siliciumatome als gemeinsamen Bestandteil, wodurch an der Grenzfläche dieser amorphen Schichten eine ausreichende chemische Stabilität gewährleistet ist.
  • Die zweite amorphe Schicht (II) besteht aus einem amorphen Material, das Siliciumatome (Si), Kohlenstoffatome (C) und gegebenenfalls Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) enthält, Enachstehend als "a-(SixCl X)y(H,X)1 y", worin O<x, y< 1, bezeichnet.
  • Die aus a-(SixC1-x)y(H,X)1-y bestehende, zweite amorphe Schicht (II) kann nach dem Glimmentladungsverfahren, dem Zerstäubungsverfahren, dem Ionenimplantationsver- fahren, dem Ionenplattierverfahren, dem Elektronenstrahlverfahren und anderen Verfahren gebildet werden.
  • Diese Herstellungsverfahren können in geeigneter Weise in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren wie den Fertigungsbedingungen, dem Ausmaß der Belastung durch die Kapitalanlage für Einrichtungen, dem Fertigungsmaßstab, den gewünschten Eigenschaften, die für das herzustellende, fotoleitfähige Aufzeichnungselement erforderlich sind, usw. ausgewählt werden.
  • Das Glimmentladungsverfahren oder das Zerstäubungsverfahren kann vorzugsweise angewandt werden, weil in diesem Fall die Vorteile erzielt werden, daß die Herstellungsbedingungen für die Herstellung von fotoleitfähigen Aufzeichnungselementen mit erwünschten Eigenschaften vergleichsweise leicht reguliert werden können und in die herzustellende zweite amorphe Schicht (II) Siliciumatome und Kohlenstoffatome, gegebenenfalls zusammen mit Wasserstoffatomen oder Halogenatomen, auf einfache Weise eingeführt werden können.
  • Außerdem kann die zweite amorphe Schicht (II) im Rahmen der Erfindung gebildet werden, indem das Glimmentladungsverfahren und das Zerstäubungsverfahren in Kombination in dem gleichen Vorrichtungssystem angewandt werden.
  • Für die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) nach dem Glimmentladungsverfahren können in eine zur Vakuumbedampfung dienende Abscheidungskammer, in die ein Träger hineingebracht wurde, gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung von a-(Si Cl-x y (H , X) die die gegebenenfalls in einem vorbestimmten Mischungsverhältnis mit einem verdünnenden Gas vermischt sind eingeleitet werden, und es wird eine Glimmentladung angeregt, um aus dem eingeleiteten Gas ein Gasplasma zu bilden und dadurch auf der ersten amorphen Schicht (1), die bereits auf dem vorstehend erwähnten Träger gebildet wurde, a-(Si xC X)y(H,X)l y abzuscheiden.
  • Im Rahmen der Erfindung können als gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung von a-(Si :Cl~x )y(H,X) y die meisten Substanzen eingesetzt werden, die als am Aufbau beteiligte Atome mindestens eine aus Si, C, H und X ausgewählte Atomart enthalten und bei denen es sich um gasförmige Substanzen oder um vergasbare Substanzen in vergaster Form handelt.
  • Wenn ein gasförmiges Ausgangsmaterial, das als am Aufbau beteiligte Atome, d. h. als eine aus Si, C, H und X ausgewählte Atomart, Si-Atome enthält, verwendet wird, kann beispielsweise eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Si-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das C-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und gegebenenfalls einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das H-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das X-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden, oder es kann auch eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Si-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das C- und H-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und/oder einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das C- und X-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, ebenfalls in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden. Es ist auch möglich, eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Si-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem Gas, das Si-, C- und H-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, oder einem Gas, das Si-, C- und X-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einzusetzen.
  • Alternativ ist auch der Einsatz einer Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Si- und H-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das C-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, oder einer Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Si- und X-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das C-Atome als am Aufbau beteiligte Atome enthält, möglich.
  • Bevorzugte Halogenatome (X), die im Rahmen der Erfindung in der zweiten amorphen Schicht (II) enthalten sein sollen, sind F, C1, Br und J, wobei F und C1 besonders bevorzugt werden.
  • Als Verbindungen, die im Rahmen der Erfindung in wirksamer Weise als gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) eingesetzt werden können, können die Verbindungen erwähnt werden, die bei Normaltemperatur und Normaldruck gasförmig sind oder leicht vergast werden können.
  • Als gasförmige Ausgangsmaterialien, die im Rahmen der Erfindung in wirksamer Weise für die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) eingesetzt werden, können z. B. gasförmige Siliciumhydride, die als am Aufbau beteiligte Atome Si und H enthalten, beispielsweise Silane wie SiH4, Si2H6, 5i3H8 und Si4H1o, Verbindungen, die als am Aufbau beteiligte Atome C und H enthalten, beispielsweise gesättigte Kohlen- wasserstoffe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, ethylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 5 Kohlenstoffatomen und acetylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 4 Kohlenstoffatomen, einfache Halogensubstanzen, Halogenwasserstoffe, Interhalogenverbindungen, Siliciumhalogenide und halogensubstituierte Siliciumhydride erwähnt werden.
  • Im einzelnen können als gesättigte Kohlenwasserstoffe Methan (CH4), Ethan (C2H6), Propan (C3H8), n-Butan (n-C4H1O) und Pentan (C5H12), als ethylenische Kohlenwasserstoffe Ethylen (C2H4), Propylen (C3H6), Buten-l (C4H8), Buten-2 (C4H8), Isobutlyen (C4H8) und Penten (C5H10), als acetylenische Kohlenwasserstoffe Acetylen (C2H2), Methylacetylen (C3H4) und Butin (C4H6), als einfache Halogensubstanzen gasförmige Halogene wie Fluor, Chlor, Brom und Jod, als Halogenwasserstoffe HF, HJ, HC1 und HBr, als Interhalogenverbindungen BrF, C1F, ClF3, ClF5, BrF5, BrF3, JF7, JF5, JC1 und JBr, als Siliciumhalogenide SiF4, Si2F6, SiCl4, SiC13Br, SiC12Br2, SiClBr3, SiC13J und SiBr4, als halogensubstituierte Siliciumhydride SiH2F2, SiH2Cl2, SiHCl3, SiH3Cl, SiH3Br, SiH2Br2 und SiHBr3 und als Siliciumhydride Silane wie SiH4, Si2H6 und Si4H10 erwähnt werden.
  • Zusätzlich zu diesen Materialien können als wirksame Materialien auch halogensubstituierte, paraffinische Kohlenwasserstoffe wie CF4, CCl4, CBr4, CHF3, CH2F2, CH3F, CH3C1, CH3Br, CH3J und C2H5C1, fluorierte Schwefelverbindungen wie 5F4 und 5F6, Alkylsilane wie Si(CH3)4 und Si(C2H5)4 und halogenhaltige Alkylsilane wie SiCl(CH3)3, SiC12(CH3)2 und SiC13CH3 eingesetzt werden.
  • Diese Materialien für die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) können in der gewünschten Weise gewählt und während der Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) eingesetzt werden, so daß in der zu bildenden, zweiten amorphen Schicht (II) Siliciumatome, Kohlenstoffatome und Halogenatome und gegebenenfalls Wasserstoffatome in einem gewünschten Zusammensetzungsverhältnis enthalten sein können.
  • Beispielsweise kann Si(CH3)4, mit dem auf einfache Weise Siliciumatome, Kohlenstoffatome und Wasserstoffatome eingebaut werden können und eine Schicht mit gewünschten Eigenschaften gebildet werden kann, zusammen mit einem Material für den Einbau von Halogenatomen wie SiHGl3, SiH2Cl2, SiC14 oder SiH3Cl in einem bestimmten Mischungsverhältnis im gasförmigen Zustand in eine zur Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) dienende Vorrichtung, in der eine Glimmentladung angeregt wird, eingeleitet werden, wodurch eine aus a-(Si Cl-x y(C1+H) l-y bestehende, zweite amorphe Schicht (II) gebildet wird.
  • Für die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) nach dem Zerstäubungsverfahren wird als Target eine Einkristall- oder polykristalline Si-Scheibe oder C-Scheibe oder eine Scheibe, in der eine Mischung von Si und C enthalten ist, eingesetzt und in einer Atomsphäre aus verschiedenen Gasen, die, falls erwünscht, als am Aufbau beteiligte Atome Halogenatome und/oder Wasserstoffatome enthalten, einer Zerstäubung unterzogen.
  • Wenn beispielsweise eine Si-Scheibe als Target eingesetzt wird, kann ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von C und H und/oder X, das, falls erwünscht, mit einem verdünnenden Gas verdünnt sein kann, in eine zur Zerstäubung dienende Abscheidungskammer eingeleitet werden, um in der Abscheidungskammer ein Gasplasma zu erzeugen und eine Zerstäubung mit der Si-Scheibe durchzuführen.
  • Alternativ können Si und C als getrennte Targets oder kann ein plattenförmiges Target aus einer Mischung von Si und C eingesetzt werden, und die Zerstäubung wird in einer Gasatmosphäre durchgeführt, die, falls notwendig, Wasserstoffatome und/oder Halogenatome enthält. Als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von C, H und X können auch im Fall der Zerstäubung die Materialien für die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II), die im Zusammenhang mit dem vorstehend beschriebenen Glimmentladungsverfahren als wirksame Gase erwähnt wurden, eingesetztSwerden.
  • Als verdünnendes Gas, das erfindungsgemäß bei der Bildung der zweiten amorphen Schicht (11) nach dem Glimmentladungsverfahren oder dem Zerstäubungsverfahren einzusetzen ist, können vorzugsweise Edelgase wie He, Ne oder Ar erwähnt werden.
  • Die zweite amorphe Schicht (II) des erfindungsgemäßen Aufzeichnungselements sollte sorgfältig gebildet werden, so daß ihr die erforderlichen Eigenschaften genau in der gewünschten Weise verliehen werden können.
  • D. h., daß eine Substanz, die als am Aufbau beteiligte Atome Si, C und, falls erforderlich, H und/oder X enthält, in Abhängigkeit von den Herstellungsbedingungen verschiedene Formen von kristallinen bis amorphen Formen annehmen kann, elektrische Eigenschaften annehmen kann, die von den Eigenschaften eines Leiters über die Eigenschaften eines Halbleiters bis zu den Eigenschaften eines Isolators reichen, und Fotoleitfähigkeitseigenschaften annehmen kann, die von den Eigenschaften einer fotoleitfähigen bis zu den Eigenschaften einer nichtfotoleitfähigen Substanz reichen.
  • Die Herstellungsbedingungen werden erfindungsgemäß infolgedessen in der gewünschten Weise genau ausgewählt, damit a-(SixC1-x)y(H,X)1-y, das die gewünschten, von dem Anwendungszweck abhängigen Eigenschaften hat, gebildet werden kann. Wenn die zweite amorphe Schicht (II) beispielsweise hauptsächlich zur Verbesserung der Durchschlagsfestigkeit vorgesehen ist, wird a-(SiXcl~x)y(Htx)l-y als amorphes Material hergestellt, das unter den Anwendungsbedingungen ausgeprägte elektrische Isoliereigenschaften zeigt.
  • Wenn die zweite amorphe Schicht (II) andererseits hauptsächlich zur Verbesserung der Eigenschaften bei der kontinuierlichen, wiederholten Anwendung oder der Eigenschaften bezüglich des Einflusses von Umgebungsbedingungen während der Anwendung vorgesehen ist, kann das Ausmaß der vorstehend erwähnten, elektrischen Isoliereigenschaften in einem bestimmten Maße vermindert werden, und a-(Si CY(H,X)l-y kann x l-x y l-y als amorphes Material hergestellt werden, das in einem bestimmten Ausmaß gegenüber dem Licht, mit dem bestrahlt wird, empfindlich ist.
  • Bei der Bildung der aus a-(SixC1~x)y(H,X)l~y bestehenden, zweiten amorphen Schicht (II) auf der Oberfläche der ersten amorphen Schicht (I) ist die Trägertemperatur während der Schichtbildung ein wichtiger Faktor, der die Struktur und die Eigenschaften der zu bildenden Schicht beeinflußt, und die Trägertemperatur während der Schichtbildung wird erfindungsgemäß geeigne- terweise genau reguliert, damit in der gewünschten Weise a-(SixC1-x)y(H,X)1-y, das die angestrebten Eigenschaften hat, hergestellt werden kann.
  • Für eine wirksame Lösung der Aufgabe der Erfindung kann die Trägertemperatur bei der Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) geeigneterweise in einem optimalen Temperaturbereich gemäß dem zur Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) angewandten Verfahren gewählt werden. Die Trägertemperatur kann jedoch geeigneterweise 20 bis 4000C, vorzugsweise 50 bis 3500C und insbesondere 100 bis 3000C betragen. Für die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) kann vorteilhafterweise das Zerstäubungsverfahren oder das Glimmentladungsverfahren angewandt werden, weil in diesem Fall eine genaue Regulierung des Zusammensetzungsverhältnisses der die Schicht bildenden Atome oder eine Regulierung der Schichtdicke auf relativ einfache Weise im Vergleich mit anderen Verfahren durchgeführt werden kann. Wenn die zweite amorphe Schicht (II) nach diesen Schichtbildungsverfahren gebildet wird, sind die Entladungsleistung und der Gasdruck während der Schichtbildung ähnlich wie die vorstehend erwähnte Trägertemperatur wichtige Faktoren, die die Eigenschaften des herzustellenden a-(SixC1-x)y(H,X)1-y beeinflussen.
  • Für eine wirksame Herstellung von a-(Si C l-x (H,X) x y l-y das die für die Lösung der Aufp,abe der Erfindung erforderlichen Eigenschaften hat, mit einer guten Produktivität kann die Entladungsleistung geeigneterweise 10 bis 300 W, vorzugsweise 20 bis 250 W und insbesondere 50 bis 200 W betragen.
  • Der Gasdruck in einer Abscheidungskammer kann vorzugsweise 0,013 bis 1,3 mbar und insbesondere 0,13 bis 0,67 mbar betragen.
  • Die vorstehend erwähnten, numerischen Bereiche können im Rahmen der Erfindung als bevorzugte numerische Bereiche für die Trägertemperatur und die Entladungsleistung usw. erwähnt werden. Diese Faktoren für die Schichtbildung werden jedoch nicht unabhängig voneinander getrennt festgelegt, sondern die optimalen Werte der einzelnen Faktoren für die Schichtbildung werden geeigneterweise auf der Grundlage einer organischen Beziehung zueinander festgelegt, damit eine zweite amorphe Schicht gebildet werden kann, die aus a-(SixCl X)y(H,X)1 y mit erwünschten Eigenschaften besteht.
  • Der Gehalt der Kohlenstoffatome in der zweiten amorphen Schicht (II) des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements ist ähnlich wie die Bedingungen fur die Herstellung der zweiten amorphen Schicht (II) ein wichtiger Faktor für die Erzielung der gewünschten Eigenschaften, mit denen die Aufgabe der Erfindung gelöst wird.
  • Der Gehalt der Kohlenstoffatome in der zweiten amorphen Schicht (II) kann in geeigneter Weise in Abhängigkeit von der Art und den Eigenschaften des zur Bildung dieser Schicht dienenden, amorphen Materials festgelegt werden.
  • D. h., daß das amorphe Material, das durch die vorstehende Formel a-(siXcl-x)y(Hsx)l-y wiedergegeben wird, allgemein in ein amorphes Material, das aus Siliciumatomen und Kohlenstoffatomen besteht, (nach- stehend als "a-SiaC1-a", worin 0 < a < 1, bezeichnet), ein amorphes Material, das aus Siliciumatomen, Kohlenstoffatomen und Wasserstoffatomen besteht, [nachstehend als "a-(SibC1-b)c H1-c", worin 0 < b, c z 1, bezeichnet7 und ein amorphes Material, das aus Siliciumatomen, Kohlenstoffatomen und Halogenatomen und gegebenenfalls Wasserstoffatomen besteht, finachstehend als "a-(sidC1-d)e(H,X)1-e", worin 0 < d, ex 1, bezeichnet eingeteilt werden kann.
  • Wenn die zweite amorphe Schicht (II) des erfindungsgemäßen Aufzeichnungselements aus a-SiaC1-a besteht, kann der Gehalt der in der zweiten amorphen Schicht (II) enthaltenen Kohlenstoffatome im allgemeinen 1 x 10 3 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 80 Atom-% und insbesondere 10 bis 75 Atom-% betragen. D. h., daß a in der Formel a-SiaC1 im allgemeinen 0,1 bis 0,99999, vorzugsweise 0,2 bis 0,99 und insbesondere 0,25 bis 0,9 betragen kann.
  • Wenn die zweite amorphe Schicht (11) im Rahmen der Erfindung aus a-(SibC1~b)cHl-c besteht, kann der Gehalt der in der zweiten amorphen Schicht (II) enthaltenen Kohlenstoffatome im allgemeinen 1 x 10 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 90 Atom-% und insbesondere 10 bis 80 Atom-% betragen, während der Gehalt der Wasserstoffatome im allgemeinen 1 bis 40 Atom-%, vorzugsweise 2 bis 35 Atom-% und insbesondere 5 bis 30 Atom-% betragen kann. Ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement, das so gebildet ist, daß es einen innerhalb dieser Bereiche liegenden Wasserstoffatomgehalt hat, ist für praktische Anwendungen in hervorragender Weise geeignet.
  • In der Formel a-(Si b C b)clil 1-@ kann demnach b im allgemeinen 0,1 bis 0,99999, vorzugsweise 0,1 bis 0,99 und insbesondere 0,15 bis 0,9 betragen, während c im allgemeinen 0,6 bis 0,99, vorzugsweise 0,65 bis 0,98 und insbesondere 0,7 bis 0,95 betragen kann.
  • Wenn die zweite amorphe Schicht (II) aus a-(Si C ) d l-d e (H,X)1 e besteht, kann der Gehalt der in der zweiten amorphen Schicht (II) enthaltenen Kohlenstoffatome im allgemeinen 1 x 10 3 bis 90 Atomen%, vorzugsweise bis 90 Atom-oo und insbesondere 10 bis 80 Atom-% betragen. Der Gehalt der Halogenatome kann im allgemeinen 1 bis 20 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 18 Atom-% und insbesondere 2 bis 15 Atom-% betragen. Ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement, das so gebildet ist, daß es einen innerhalb dieser Bereiche liegenden Elalogenatomgehalt hat, ist für praktische Anwendungen in hervorragender Weise geeignet. Die Menge der gegebenenfalls enthaltenen Wasserstoffatome kann im allgemeinen 19 Atom-% oder weniger und vorzugsweise 13 Atom-% oder weniger betragen.
  • In der Formel a-(SidC1-d)e(H,X)1-e kann d im allgemeinen 0,1 bis 0,99999, vorzugsweise 0,1 bis 0,99 unü insbesondere 0,15 bis 0,9 betragen, während e im allgemeinen 0,8 bis 0,99, vorzugsweise 0,82 bis 0,99 und insbesondere 0,85 bis 0,98 betragen kann.
  • Der Bereich des numerischen Wertes der Schichtdicke der zweiten amorphen Schicht (II) ist einer der wichtigen Faktoren für eine wirksame Lösung der Aufgabe der Erfindung und kann geeigneterweise in Abhängigkeit von dem beabsichtigten Zweck so festgelegt werden, dan die Aufgabe der Erfindung in wirksamer Weise gelöst wird.
  • Es ist erforderlich, daß die Schichtdicke der zweiten amorphen Schicht (II) in geeigneter Weise unter gebührender Berücksichtigung der Beziehungen zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome, der Schichtdicke der ersten amorphen Schicht (I) sowie anderer organischer Beziehungen zu den für die einzelnen Schichtbereiche erforderlichen Eigenschaften festgelegt wird. Außerdem werden geeigneterweise auch wirtschaftliche Gesichtspunkte wie die Produktivität oder die Möglichkeit einer Massenfertigung berücksichtigt.
  • Im Rahmen der Erfindung beträgt die Schichtdicke der zweiten amorphen Schicht (II) geeigneterweise 0,003 bis 30 vo vorzugsweise 0,004 bis 20 ,um und insbesondere 0,005 bis 10 µm.
  • Als nächstes wird ein Beispiel des Verfahrens zur Herstellung des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Aufzeichnungselements erläutert.
  • Fig. 11 zeigt ein Beispiel der Vorrichtung für r die Herstellung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungselements.
  • In den Gasbomben 1102 bis 1106 sind luftdicht abgeschlossene, gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung des erfindungsgemäßen, fotoleitfähiz,en Aufzeichnungselements enthalten. Zum Beispiel ist 1102 eine Bombe, die mit He verdünntes SiH4-Gas (Reinheit: 99,999 %) enthält (nachstehend kurz mit SiH4/He bezeichnet), ist 1103 eine Bombe, die mit He verdünntes GeH4-Gas (Reinheit: 99,999 %) enthält (nachstehend kurz mit GeH4/He bezeichnet), ist 1104 eine Bombe die mit He verdünntes SiF4-Gas (Reinheit: 99,99 %) enthält (nachstehend kurz mit SiF4/He bezeichnet), ist 1105 eine He-Gasbombe (Reinheit: 99,999 %) und ist 1106 eine H2-Gasbombe (Reinheit: 99,999 %).
  • Um diese Gase in die Reaktionskammer 1101 hineinströmen zu lassen, wird zuerst das Hauptventil 1134 geöffnet, um die Reaktionskammer 1101 und die Gas-Rohrleitungen zu evakuieren, nachdem bestätigt wurde, daß die Ventile 1122 bis 1126 der Gasbomben 1102 bis 1106 und das Belüftungsventil 1135 geschlossen und die Einströmventile 1112 bis 1116, die Ausströmventile 1117 bis 1121 und die Hilfsventile 1132 und 1133 geöffnet sind. Als nächster Schritt werden die Hilfsventile 1132 und 1133 und die Ausströmventile 1117 bis 1121 geschlossen, wenn der an der Vakuummeßvorrichtung 1136 abgelesene Druck etwa 6,7 nbar erreicht hat.
  • Nachstehend wird ein Beispiel für die Bildung einer amorphen Schicht auf einem zylindrischen Schichtträger 1137 beschrieben. SiH4/He-Gas aus der Gasbombe 1102 und GeH4/He-Gas aus der Gasbombe 1103 werden in die Durchflußreguliervorrichtungen 1107 bzw. 1108 hineinströmen gelassen, indem die Ventile 1122 und 1123 geöffnet werden, um die Drücke an den Auslaßmanometern 1127 und 1128 auf einen Wert von jeweils 0,98 bar einzuregulieren, und indem die Einströmventile 1112 und 1113 allmählich geöffnet werden. Anschließend werden die Ausströmventile 1117 und 1118 und das Hilfsventil 1132 allmählich geöffnet, um die einzelnen Gase in die Reaktionskammer 1101 hineinströmen zu lassen. Die Ausströmventile 1117 und 1118 werden so reguliert, daß das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4/He zu GeH4/He einen gewünschten Wert erreicht, und auch die Öffnung des Hauptventils 1134 wird unter Beobachtung des an der Vakuummeßvorrichtung 1136 abgelesenen Druckes reguliert, und zwar so, daß der Druck in der Reaktionskammer 1101 einen gewünschten Wert erreicht. Nachdem bestätigt wurde, daß die Temperatur des zylindrischen Schichtträgers 1137 durch die Heizvorrichtung 1138 auf 50 bis 400 C eingestellt wurde, wird die Stromquelle 1140 auf eine gewünschte Leistung eingestellt, um in der Reaktionskammer 1101 eine Glimmentladung anzuregen, wodurch in die gebildete Schicht Germaniumatome eingebaut werden.
  • Wie vorstehend beschrieben wurde, wird die Glimmentladung für eine gewünschte Zeitdauer aufrechterhalten, bis auf dem Schichtträger 1137 ein erster Schichtbereich (G) gebildet worden ist. Wenn der erste Schichtbereich (G) in einer gewünschten Schichtdicke gebildet worden ist, wird die Glimmentladung unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie bei der Bildung des ersten Schichtbereichs (C), wobei das Ausströmventil 1118 jedoch vollständig geschlossen wird und die Entladungsbedingungen verändert werden, falls dies erwünscht ist, für eine gewünschte Zeitdauer aufrechterhalten, wodurch auf dem ersten Schichtbereich (G) ein zweiter Schichtbereich (S), der im wesentlichen keine Germaniumatome enthält, gebildet werden kann.
  • Um den Verteilungszustand der Germaniumatome, die in dem ersten Schichtbereich (G) enthalten sein sollen, ungleichmäßig zu machen, kann die Glimmentladung in einer Stufe, in der vorausgehende Arbeitsgänge gemäß einer vorbestimmten Verfahrensweise beendet worden sind, angeregt werden, während gleichzeitig ein Verfahren durchgeführt wird, bei dem die Durchflußgeschwindigkeit des GeH4/He-Gases in Übereinstimmung mit einer vorher entworfenen Kurve der Ånderungsgeschwindigkeit durch allmähliche Veränderung der Öffnung des Ventils 1118 nach einem manuellen Verfahren oder mittels eines Motors mit Außenantrieb verändert wird, wodurch die Verteilungskonzentration der in der gebildeten Schicht enthaltenen Germaniumatome reguliert werden kann.
  • Für den Einbau von Sauerstoffatomen in die Struktur des ersten Schichtbereichs (C) und/oder des zweiten Schichtbereichs (S) kann während der Bildung der einzelnen Schichtbereiche zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Gasen ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen, beispielsweise NO, eingeleitet werden.
  • Das Verfahren, das vorstehend im Zusammenhang mit den Germani umatomen beschrieben wurde, kann in der gleichen Weise auch angewandt werden, um den Verteilungszustand der Sauerstoffatome in dem Schichtbereich in der Richtung der Schichtdicke ungleichmäßig zu gestalten.
  • Für den Einbau einer zur Regulierung der Leitungseigenschaften dienenden Substanz in den ersten Schichtbereich (G) und/oder den zweiten Schichtbereich (S) kann während der Bildung der einzelnen Schichtbereiche in die Gase, die in die Abscheidungskammer 1101 einzuleiten sind, ein Gas wie B2H6 oder PH3 usw. hineingegeben werden.
  • Im Verlauf der Schichtbildung kann der Schichtträger 1137 p,eeigneterweise durch einen Motor 1139 mit einer konstanten Geschwindigkeit gedreht werden, um eine gleichmäßige Schichtbildung zu bewirken.
  • 3311835 Für die Herstellung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungselements mit dem gleichen Schichtaufbau, wie er in Fig. 28 gezeigt wird, kann auf der ersten amorphen Schicht (I), die ähnlich wie bei der Bildung der vorstehend erwähnten, amorphen Schicht in einer gewünschten Schichtdicke gebildet worden ist, eine zweite amorphe Schicht (II) gebildet werden.
  • D. h., daß die Bildung der zweiten amorphen Schicht (II) mittels der gleichen Ventilbetätigung wie im Fall der Bildung der ersten amorphen Schicht (I) durchgeführt werden kann, indem man beispielsweise SiH4-Gas und G 2H4 -Gas, die gegebenenfalls mit einem verdünnenden Gas wie He verdünnt sind, in die Reaktionskammer einströmen läßt und in der Kammer unter den gewünschten Bedingungen eine Glimmentladung anregt.
  • Für den Einbau von Halogenatomen in die zweite amorphe Schicht (II) können beispielsweise SiF4-Gas und C2H4-Gas oder kann eine Mischung dieser Gase mit SiH4-Gas eingesetzt werden, und die zweite amorphe Schicht (II) kann in ähnlicher Weise wie vorstehend beschrieben gebildet werden.
  • Der Gehalt der Kohlenstoffatome, die in der zweiten amorphen Schicht (II) enthalten sein sollen, kann in der gewünschten Weise reguliert werden, indem man beispielsweise das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C2H4 -Gas, die in die Reaktionskammer 1101 einzuleiten sind, verändert, wenn die Schichtbildung durch Glimmentladung erfolgt, oder indem man d as das Zerstäubungsflächenverhältnis der Silicium-Scheibe zu der Graphit-Scheibe bei der Bildung eines Targets verändert, wenn die Schichtbildung durch Zerstäubung erfolgt, oder indem man beim Formen eines Targets das Mischungsverhältnis von Siliciumpulver zu Graphitpulver verändert. Der Gehalt der Halogenatome (X), die in der zweiten amorphen Schicht (II) enthalten sein sollen, kann reguliert werden, indem man die Durchflußgeschwindigkeit eines gasförmigen Ausgangsmaterials (beispielsweise SiF4-Gas) fiir die Einführung von Halogenatomen in die Reaktionskammer 1101 reguliert.
  • Das erfindungsgemäße, fotoleitfähige Aufzeichnungselement, das so gestaltet ist, daß es einen Schichtaufbau hat, wie er vorstehend beschrieben wurde, kann alle Probleme überwinden, die vorstehend erwähnt wurden, und zeigt hervorragende elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigenschaften, eine hervorragende Durchschlagsfestigkeit und gute Eigenschaften bezüglich der Beeinflussung durch Umgebungsbedingungen bei der Verwendung.
  • Das erfindungsgemäße, fotoleitfähige Aufzeichnungselement zeigt besonders in dem Fall, daß es als Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke eingesetzt wird, keinerlei Beeinflussung der Bilderzeugung durch Restpotentiale und hat stabile elektrische Eigenschaften mit einer hohen Empfindlichkeit und einem hohen S/N-Verhältnis sowie eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber der Licht-Ermüdung und hat bei wiederholter Verwendung ausgezeichnete Eigenschaften, wodurch es ermöglicht wird, in stabiler Weise wiederholt Bilder mit einer hohen Qualität zu erhalten, die eine hohe Dichte, einen klaren Halbton und eine hohe Auflösung zeigen.
  • Außerdem hat das erfindungsgemäße, fotoleitfähige Aufzeichnungselement in dem gesamten Bereich des sichtbaren Lichts eine hohe Fotoempfindlichkeit, ist hinsichtlich der Anpassung an einen Halbleiterlaser besonders hervorragend und zeigt ein schnelles Ansprechen auf Licht.
  • Beispiel 1 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1A angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 2 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 1 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 2A gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1, jedoch mit positiver Polarität der Koronaladung und mit einem negativ geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 3 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 1 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 3A gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke.erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 4 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 1 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durch flußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle 4A gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 4A gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 5 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 1 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde die Schichtdicke der ersten Schicht wie in Tabelle 5A gezeigt verändert. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfang,smaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 5A gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 6 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtunlz wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 6 A angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 7 Mittels eines wie in Beispiel 1 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 1 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Flalbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine .ute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 8 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1B angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in IJbereinstimmung mit der in Fig. 12 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 9 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 2B angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im ZeitveF lauf der Schichtbildung in Übereinstimniung mit der in Fig. 13 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 10 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 3 B angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkei tsverhältn i sses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein 13ilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Hildempfanp,smaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 11 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 4B angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeSI4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 15 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 12 Mittels der in Fig. 11 gezeigten ierstellungsvorrichtunp. wurden unter den in Tabelle 5B angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4IHe-C7as im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 16 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverheiltnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 1B Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 6B angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindig keitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 17 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 14 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 7B angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 18 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 angewandt wurden. Au f diese Weise wurde ein 13ilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 15 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si2H6/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 8B gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 16 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas SiF4/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 9B gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke enthalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugtungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 17 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8, wobei jedoch anstelle von SiH4 /He-Gas (SiH4/He+SiF4/He)-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 108 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel R Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde. neispiel 18 r n den Beis;)ielen R bis 17 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle 11B gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt. lJnter Verwendung der hergeste 11 ten Di lderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 12B gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 19 In den Beis.zielen 8 bis 17 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle 13B gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurderl nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8 Milder erzeugt, wobei die in Tibelle 14f3 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 20 Mittels eines wie in Beispiel 8 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerhi ld-Erzeupungsbedingungen wie in Beispiel 8 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle ftir die Erzeugung elektrostatischer Ladungsh i lder anstelle der \\tol f ramlampe ein idalbleiterlaser (10 rnW) des CeAs-Systeìns bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausp.ezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 21 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Fierstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1C angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungs- element befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 22 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 21 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 2C gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 21,jedoch mit negativer Polarität der Koronaladung und mit einem positiv geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 23 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 21 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 3C gezeigten Weise abp,eåndert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmateri'alien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 21 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 2/1 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 21 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von CeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle 4C gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugurlgselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 21 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 4C gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 25 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 21 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde die Schichtdicke der ersten Schicht wie in Tabelle 5C gezeigt verändert. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Esildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungerl wie in Beispiel 21 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 5C gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 2G Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 6C angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 27 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Sch ichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 7C angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugunp,selement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 2P Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 8C angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiw geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 29 Mittels der in Fig. 11 syezeigaten Herstellungsvorricztung wurden wie in Beispiel 21 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 9C p,ezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 21 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 30 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 21 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 100 gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfanfzsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen BedinszunlXen wie in Beispiel 21 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 31 Mittels eines wie in Beispiel 21 beschrieben hergestellten Bilderzeuguns"elements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeu;'ungsbedingungen wie in Beispiel 21 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 32 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1D angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkei tsverhältnisses verändert wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertra- gen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 33 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 2D angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 20 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 34 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 3D angegebenen Bedingunpen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/1-!e-Gas im Zeit'verlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter \lerwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 35 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 4D angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Ubereinstimmung mit der in Fig. 21 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem $71eichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 36 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 5D angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH;/F+e-Gas im Zeitver lauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 22 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeup,ungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 37 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 6D angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während. das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmurlg mit der in Fig. 23 gezeigten Kurve der Änderunp,srieschwindip,keit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach den gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 38 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 7D angegehenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeIl4/He-Gas zu Si He-Gas irn Zweiterlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 24 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflungeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildernpfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 3q Unter den gleichen Bedingur'gen wie in Beispiel 32, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si2H6/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 8D gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen E3ilderzeugungselements wurden auf B B ildempfangsmate rial ien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 40 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas SiF4/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 9D gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 41 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas (SiH4/He+SiF4/He)-Cas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 10D gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 42 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 110 angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von CeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in iibereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Ånderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Ieispiel 43 In Beispiel 42 wurde während der Herstellung der ersten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von D 2H6 zu (SiH4+GeH4) und während der Herstellung der zweiten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von B 2H6 zu SiH4 in der in Tabelle e 12D angegebenen Weise verändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Peispiel 42 angewandt wurden. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 42 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 12D gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 44 In den Beispielen 32 bis 41 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle 13D gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 14D gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 45 In den Beispielen 32 bis 41 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle 15D gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 32 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 15D gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 46 Mittels eines wie in Beispiel 32 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungs- bedingungen wie in Beispiel 32 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 47 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Sierstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1E angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 48 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 47 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 2E gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselernents wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 47 jedoch mit positiver Polarität der Koronaladung und mit einem negativ geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 49 Mittels der in Fig. 11 gezeigten i-ierstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 47 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 3E gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 47 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 50 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 47 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle 4E gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 47 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 4E gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 51 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 47 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde die Schichtdicke der ersten Schicht wie in Tabelle 5E gezeigt verändert. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendunz, der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildelnpfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 17 Dilder erzeugt, wobei die in Tabelle 5E gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel '> Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle ßE angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bild- erzeugung-selement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 53 Mittels eines wie in Beispiel 47 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 47 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des CaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 54 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflungeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 12 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-VersuchSvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberflache des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 55 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 2F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverh ältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 13 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 56 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 3F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 57 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 4F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fip,. 21 gezeigten Kurve der Anderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 58 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 5F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 22 gezeigten Kurve der Anderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendunp des erhaltenen Bilderzeup,ungselements wurden auf L3ildenlpfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 59 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 6F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 25 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 60 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 7F angegebenen BedingunP>en Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 ZHe-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 18 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Au f diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach den gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 61 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si 2H6 /He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 8F gezeigten Weise abge ändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Biltiempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 62 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Cas SiF /He-Gas verwendet 4 wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 9F gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 64 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 63 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas (SiH4/He+SiF4/He)-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle iOF gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 64 In den Beispielen 54 bis 63 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle 11F gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten ns pns ten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen nedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 12F gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 65 In den Beispielen 54 bis 63 wurden die Bedingungen fir die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle 13F gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten dip gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 14F gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 66 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 15F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas und das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von NO-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung, mit der in Fig. 26 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurden und ansonsten die gleichen Beding,ungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeup,ungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 67 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 16F angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas und das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von NO-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 27 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gas4urchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurden und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsrnaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 54 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 68 Mittels eines wie in den Beispielen 54 bis 63 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 54 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 69 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorffichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1G angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, , wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 70 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 69 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 2G gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement fur elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 69 jedoch mit negativer Polarität der Koronaladung und mit einem positiv geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 71 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 69 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle 3G gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 69 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 72 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 69 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle 4G gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 69 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 4G gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 73 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 69 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde die Schichtdicke der ersten Schicht wie- in Tabelle 5G gezeigt verändert. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 69 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 5G gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 74 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in den Tabellen 6G bis 8G angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. G601, G602 bzw. G603) erhalten.
  • Die erhaltenen Pilderzeugungselemente wurden jeweils in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 5 lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kVauf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 75 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 69 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in den Tabellen 9G und lOG gezeigten Weise abgeändert, wobei Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. G701 bzw.
  • G702) erhalten wurden.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 69 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 76 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 69 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in den Tabellen llC bis 15G gezeigten Weise abgeändert, wobei Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. G801 bis G805) erhalten wurden.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 69 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 77 Mittels eines wie in Beispiel 69 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 69 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolfram- lampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 78 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle 1H angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonertrciger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 79 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 2H angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 20 gezeigten Kurve der Anderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungr wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel BO Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 3H angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 7B angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein 13ilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 81 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 4H angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 21 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem p,leichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 82 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 5H angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitve lauf der Schichtbildung in Übereinstimmur0g mit der in Fig. 22 gezeigten Kurve der Anderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildenlpfarlgsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 83 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrictltun, wurden unter den in Tabelle 6H angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdtrchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 23 gezeigten Kurve der Änderunposr,eschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 84 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle 7H angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das GasdurchfluB;eschwindip,-keitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 24 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gas durch flußgeschwindigkeitsverhältn isses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein 13ilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 85 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si 2H6 /He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 8H gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 86 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas SiF4/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle 9H gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 87 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas (SiH4/He+S iF4/He)-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle lOH gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Dilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 88 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle llH angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von Geii4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Toner- bild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 89 In Beispiel 88 wurde während der tierstellung der ersten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von B2H6 zu (SiH4+GeH4) und während der Herstellung der zweiten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von B 2H6 zu SiH4 in der in Tabelle 12H angegebenen Weise verändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 88 angewandt wurden. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 88 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle 12H gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 90 In den Beispielen 78 bis 87 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in den Tabellen 13H und 15H gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. H1301 bis H 1310 bzw. H 1401 bis H 1410) hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeup,ungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 78 Bilder erzeugt, wobei die in den Tabellen 14H und 16H gezeigten Ergebrs e erhalten wurden.
  • Beispiel 91 Mittels eines wie in Beispiel 78 besctrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugunposbedingungen wie in Beispiel 78 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaSvs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, dan klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 92 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorr'chtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle A1 angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 93 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 92 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle A2 gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 92 jedoch mit positiver Polarität der Koronaladung und mit einem negativ geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel ,94 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 92 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle A3 gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 92 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 95 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 92 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle A4 gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 92 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle A4 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 96 Bilderzeugungselemente wurden jeweils wie in Beispiel 92 hergestellt, jedoch wurde die Schichtdicke der am Aufbau der amorphen Schicht (I) beteiligten, ersten Schicht in der in Tabelle AS gezeigten Weise verändert.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 92 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle A5 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 97 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle A6 angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kVauf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 98 Mittels eines wie in Beispiel 92 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 92 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems wbei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 99 Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (24 Proben; Proben Nr. 8-201A bis 8-208A, 8-301A bis 8-308A und 8-601A bis 8-608A) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 93, 94 bzw. 96 hergestellt, jedoch wurden die Bedingungen für die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle A7 gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden einzeln in eine Kopiervorrichtung hineingebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde mit 1,0 lx.s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem positiv geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewohnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das übertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht übertragenen Toners, der auf dem Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke zurückgeblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgefiíFlrt. Diese Schritte wurden 100.000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle A8 aufgeführt.
  • Beispiel 100 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 92 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis ties Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Flächrenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 92 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle A9 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 101 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 92 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. nei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 92 beschriebenen Schritte bis zur Übertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle A10 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 102 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 92 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas:SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 92 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle All.gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 103 Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 92 hergestellt, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 92 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle A12 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 104 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle B1 gezeigten Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 105 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 104 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle B2 gezeigten Weise abgeändert.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 104, jedoch mit positiver Polarität der Koronaladung und mit einem negativ geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 106 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 104, wobei die Bedingungen jedoch in der in Tabelle B3 gezeigten Weise abgeändert wurden, ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 104 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 107 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 104 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle B4 gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 104 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle B4 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 108 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 104 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde die Schichtdicke der ersten Schicht wie in Tabelle B5 gezeigt verändert. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiell04 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle B5 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 109 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium wie in Beispiel 104 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, wobei jedoch die erste amorphe Schicht (I) unter den in Tabelle B6 gezeigten Bedingungen gebildet wurde.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonertrager enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild ernalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 110 Mittels eines wie in Beispiel 104 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 104 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 111 Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (24 Proben; Proben Nr. 12 -201B bis 12 -208B, 12-301B bis 12-308B und 12-601B bis 12-608B) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 105, 106bzw.108 nergestellt, jedoch wurden die Bedingungen für die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle B7 gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselenlerlte wurden einzeln in eine F(opiervorrichtung hineinP,ebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzopen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde mit 1,0 lx.s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem positiv geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewötlnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das übertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht iibertrap,enen Toners, der auf dem Bilderzeugungselement fiir elektrofotografische Zwecke zurückgeblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgeführt. Diese Schritte wurden 100 .000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle B8 aufgeführt.
  • Beispiel 112 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 104 hergestellt, jedoch wurde das Zerstäubungsverfahren angewandt und wurde das Verhältnis de; Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Flächenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verandert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 104 beschriebenen Dilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle B9 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 113 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 104 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 104 beschriebenen Schritte bis zur Übertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle B10 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 114 Rilderzeug ungse lemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 104 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas'SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 104 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle B11 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 115 Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen :er fahren wie in Beispiel 104 hergestellt, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 104 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle B12 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 116 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle C1 gezeigten Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 117 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 116 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle C2 gezeigten Weise abgeändert.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 116 jedoch mit negativer Polarität der Koronaladung und mit einem positiv geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 118 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 116, wobei die Bedingungen jedoch in der in Tabelle C3 gezeigten Weise abgeändert wurden, ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 116 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 119 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 116 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle C4 gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente fiir elektrofotografische Zwecke (Proben Nr.
  • 401C bis 408C) hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 116 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle C4 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 120 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 116 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde die Schichtdicke der ersten Schicht wie in Tabelle C5 gezeigt verändert. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente fur elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. 501C bis 508C) hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 116 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle C5 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 121 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in den Tabellen C6 bis C8 angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. 601C, 602Gbzw.603G ) erhalten.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden jeweils in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung h ineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit t5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 122 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 116, wobei die Bedingungen jedoch in der in den Tabellen C9 und C10 gezeigten Weise abgeändert wurden, Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. 701C und 702C) gebildet.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden jeweils auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 116 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 123 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 116, wobei die Bedingungen jedoch in der in den Tabellen Cll bis C15 gezeigten Weise abgeändert wurden, Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. 801C bis 805C) gebildet.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden jeweils auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 116 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 124 Mittels eines wie in Beispiel 116 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 116übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 125 Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (16 Proben; Proben Nr. 12-201C bis 12-208C und 12-301C bis 12-308C) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 117 bzw. 118 hergestellt, jedoch wurden die Bedingungen für die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle C16 gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden einzeln in eine Kopiervorrichtung hineingebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde mit 1,0 lx.s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem negativ geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewöhnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das übertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht übertragenen Toners, der auf dem Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke zurückgeblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgeführt. Diese Schritte wurden 100.000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle Cl6A aufgeführt.
  • Beispiel 126 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 116 hergestellt, jedoch wurde das Zerstäubungsverfahren angewandt und wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Flächenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 116 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle C17 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 127 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 116 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Si,liciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungseleflente wurden die in Beispiel 116 beschriebenen Schritte bis zur Übertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle C18 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 128 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 116 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas'SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 116 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle C19 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 129 Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 116 hergestellt, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 116 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle C20 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 130 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde auf einem zylindrischen Bchichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle D1 anpegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Ubereinstimmung mit der in Fig. 12 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde, und dann wurde auf der ersten amorphen Schicht (I) unter den in Tabelle D1 angegebenen Bedingungen eine zweite amorphe Schicht (II) gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 131 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle D2 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das %Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiF4/He-Gasim Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 13 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 angewandt wurden, und dann wurde ähnlich wie in Beispiel 130 eine zweite amorphe Schicht (II) gebildet. Au f diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfanp,smaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 132 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle D3 angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der .n Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedtngungen wie in Beispiel 130 angewandt t wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 133 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden unter den in Tabelle D4 angegebenen Bedingungen Schichten gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 15 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 angewandt wurden. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiell30 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 134 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle D5 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH /He-Gas zu SiH /He-Gas im Zeitver-4 4. lauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 16 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindi gkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 135 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle D6 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 17 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 136 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle D7 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4 /He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Z,eitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 18 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gas du rchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterial ien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 137 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si2H6/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle D8 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 138 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas SiF4/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle D9 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 139 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130, wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas (SiH4/He+SiF4/He)-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle D10 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 140 In den Beispielen 130 bis 139 wurden die Bedingungen für die Herstellung der am Aufbau der ersten amorphen Schicht (I) beteiligten, zweiten Schicht in der in Tabelle D11 gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle DllA gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 141 In den Beispielen 130 bis 139 wurden die Bedingungen für die Herstellung der am Aufbau der ersten amorphen Schicht (I) beteiligten, zweiten Schicht in der in Tabelle D12 gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 130 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle D12A gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 142 Mittels eines wie in Beispiell30 beschrieben herp,estellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 130 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 143 Bilderzeugungselemente fiir elektrofotografische Zwecke (72 Proben; Proben Nr. 12-?OlD bis 12-208D, 12-301D bis 12-308D, .. . , 12-lOOlD bis 12-1009D) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 131 bis 139 hergestellt, jedoch wurden die Bedingungen für die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle D13 gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden einzeln in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde mit 1,0 lx. s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem positiv geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewöhnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das übertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht übertragenen Toners, der auf dem Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke zurticlcgeblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgeführt. Diese Schritte wurden 100.000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung, der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle D13A aufgeführt.
  • Beispiel 144 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 130 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Flächenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 130 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle D14 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 145 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 130 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (I1) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (11) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 130 beschriebenen Schritte bis zur Ubertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle D15 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 04f> Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 130 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (11) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas:SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeueungselemente wurden die in Beispiel 130 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeftihrt wurde, bei der die in Tabelle D16 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 147 Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 130 hergestellt, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 130 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle D17 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 148 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle El angegebenen Bedingungen Schichten gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender ntwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 149 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 148 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle E2 gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 148 jedoch mit negativer Polarität der Koronaladung und mit einem positiv geladenen Entwickler, Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 150 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorricht'ung wurden wie in Beispiel 148 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle E3 gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 148 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 151 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel 148 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde der Gehalt der Germaniumatome in der ersten Schicht verändert, indem das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Cas zu SiH4/He-Gas wie in Tabelle E4 gezeigt verändert wurde. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 14S Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle E4 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 152 In genau der gleichen Weise wie in Beispiel148 wurden Schichten gebildet, jedoch wurde die Schichtdicke der ersten Schicht wie in Tabelle E5 gezeigt verändert. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 148 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle ES gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 153 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium wie in Beispiel 148 Schichten gebildet, wobei jedoch die erste amorphe Schicht (I) unter den in Tabelle E6 gezeigten Bedingungen gebildet wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtonen zeigte.
  • Beispiel 154 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium wie in Beispiel 148 Schichten gebildet, wobei jedoch die erste amorphe Schicht (I) unter den in Tabelle E7 gezeigten Bedingungen gebildet wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 155 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium wie in Beispiel 148 Schichten gebildet, wobei jedoch die erste amorphe Schicht (I) unter den in Tabelle E8 gezeigten Bedingungen gebildet wurde. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 156 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 148 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle E9 gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 148 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 157 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden wie in Beispiel 148 Schichten gebildet, jedoch wurden die Bedingungen in der in Tabelle E10 gezeigten Weise abgeändert, wobei ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten wurde.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 148 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 158 Mittels eines wie in Beispiell48 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für r elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 148 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der iibertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 159 Bilderzeugungselemente fur elektrofotografische Zwecke (72 Proben; Proben Nr. 12-201E bis 12-208E, 12-301E bis 12-308E, 12-601E bis 12-608E, . . . , und 12-lOOlE bis 12-1008E) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 149, 150 und 153 bis 157 hergestellt, jedoch wurden die Bedingungen für die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle Ell gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeup,ungselemente wurden einzeln in eine Kopiervorrichtung hineingebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde mit 1,0 lx.s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem negativ geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewöhnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das übertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht übertragenen Toners, der auf dem Bilderzeugungse lemen t fii r e lek trofo togrof sche Zwecke zurtickReblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgeführt. Diese Schritte wurden 100.000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle E12 aufgeführt.
  • Beispiel 160 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 148 hergestellt, jedoch wurde das Zerstäubungsverfahren angewandt und wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Fl.ichenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 148 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs-und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle E13 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 161 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 148 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 148 beschriebenen Schritte bis zur Übertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle E14 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 162 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 148 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchfluí3geschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas:SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 148 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle EIS gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 163 Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 148 hergestellt, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 148 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle E16 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 164 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde auf ei nein zyl indri schen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle F1 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 12 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurct0flußgeschwindig- keitsverhältnisses verändert wurde, und dann wurde unter den in Tabelle F1 angegebenen Bedingungen eine zweite amorphe Schicht (II) gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein positiv geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit -5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 165 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 164 ein Bilderzeugungselement für elektrofotop,rafische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle F2 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflungeschwirdigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 13 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindig- keit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verandert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungoselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 1hh Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 164 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle F3 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderunpwsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 167 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 164 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle F4 angegebenen Bedingunp,en eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußge- schwindigkeitsverhältnis von GeH4/je-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 15 gezeigten Kurve der Änderunpsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden aud Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 168 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 164 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle F5 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 22 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 69 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 164 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle F6 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Casdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas in Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 25 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 170 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 164 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle F7 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Casdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas in Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 18 gezeigten Kurve der An(ierunssgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 171 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si2H6/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle F8 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 172 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 wobei jedoch anstelle von SiH4 /He-Gas SiF4/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle F9 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 173 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 wobei jedoch anstelle von SiH /He-Gas (SiH4/He+SiF4/He)-4 4 4 Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle FlOgezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 174 In den Beispielen 164 bis 173 wurden die Bedingungen flir die Herstellung der dritten Schicht in der in Tabelle F11 gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Reispiell64 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle FllA gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 175 In den Beispielen 164 bis 173 wurden die Bedingungen für die Herstellung der dritten Schicht in der in Tabelle F12 gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiell64 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle F12A gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 176 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle F13 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas und das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von NO-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 26 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurden und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 177 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle F14 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas und das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von NO-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. . 27 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasurchfluflgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurden und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugselements wurde auf I i ldempfargsmater'ial en aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 164 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 178 Mittels wie in den Beispielen 164 bis 173 beschrieben hergestellter Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 164 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der '^lolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 179 Bilderzeugungselemente fiir elektrofotografische Zwecke (72 Proben; Proben Nr. 12-201F bis 12-20FF, 12-301F bis 12-308F , 12-lOOlF bis 12-1009F ) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 165 bis 173 hergestellt, jedoch wurden die Bedingungen für die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle F15 gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden einzeln in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung'wurde mit 1,0 lx.s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem positiv geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewöhnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das Ubertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht übertragenen Toners, der auf dem Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke zurückgeblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgeführt. Diese Schritte wurden 100.000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle kl5.. aufgeführt.
  • Beispiel 180 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 164 hergestellt, jedoch wurde das Zerstäubungsverfahren angewandt und wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Flächenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 164 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs-und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle F16 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 181 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 164 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (11) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 164 beschriebenen Schritte bis zur Ubertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle F17 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 182 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 164 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindip,-keitsverhältnis von SiH4-Gas:SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 164 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle F18 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 183 Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Werfahren wie in Beispiel 164 hergestellt, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 164 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle F19 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 184 Mittels der in Fie. 11 gezeigten Her:,tellungsvorrichtung wurde auf einem zylindri'schen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle G1 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/l-le-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde, und dann wurde unter den in Tabelle G1 angegebenen Bedingungen eine zweite amorphe Schicht (II) gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit t5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 185 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 184 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle G2 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 20 gezeigten Kurve der Änderunpnsgeschwindigkeit des Gasdurchflußpeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 186 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 184 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle G3 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf B i ldempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 1a7 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 184 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle G4 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 21 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bil(lempfarlgsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 188 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 184 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle G5 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Cas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 22 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeup,ungselements wurden auf Bildempfanp,smaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Dilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 189 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 184 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle G6 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhciltnis von GeH4/Fie-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 23 gezeigten Kurve der Äncierungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bi ldempfangsmaterial ien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 190 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde wie in Beispiel 184 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde unter den in Tabelle G7 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-(8,as zu SiH /He-Gas im 4 Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 24 gezeigten Kurve der Änderunpwsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 191 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si 2H6 /He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle OB gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 192 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas SiF4/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle G9 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 193 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 wobei jedoch anstelle von SiH /He-Gas (SiHq/He+SiF /He)-4 4 4 Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle C10 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 194 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorricht'ung wurde wie in Beispiel 184 ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, jedoch wurde auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle G11 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 195 In Beispiel 194 wurde während der Herstellung der ersten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von B 2H6 zu (SiH4+GeH4) und während der Herstellung der zweiten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von B2H6 zu SiH4 in der in Tabelle G12 angegebenen Weise verändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 194 angewandt wurden. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. 1201G bis 1208G) erhalten.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 194 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle G12 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 196 In den Beispielen 184 bis 193 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in den Tabellen G13 und Gl4 gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (Proben Nr. 1301C bis 1310G bzw. 1401C bjs 1410G ) hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 184 Bilder erzeugt, wobei die in den Tabellen C13A und G14A gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 197 Mittels eines wie in Beispiell84 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 184 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel 198 Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (72 Proben; Proben Nr. 12-201G bis 12-208G, 12-301G bis 12.308G, ..., 12-1001G bis 12-1009G) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 185 bis 193 hergestellt, jedoch wurden die Bedingungen für die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle G15 gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden einzeln in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde mit 1,0 lx.s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem negativ geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewöhnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das übertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht übertragenen Toners, der auf dem Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke zurückgeblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgeführt. Diese Schritte wurden 100.000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle G15 aufgeführt.
  • Beispiel laQ Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 184 hergestellt, jedoch wurde das Zerstäubungsverfahren angewandt und wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Flächenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 184 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs-und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle G16 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 200 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 184 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 184 beschriebenen Schritte bis zur Übertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle G17 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 201 Esilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 184 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas:SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 184 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle G18 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 202 Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 184 hergestellt, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 184 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle G19 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 203 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle H1 angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Ubereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde, und dann wurde unter den in Tabelle H1 angegebenen Bedingungen eine zweite amorphe Schicht (II) gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit +5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonertrager enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberflache ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 204 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter deri in Tabelle H2 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 20 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 205 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle Ha angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 14 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 206 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle H4 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im 7£itverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 21 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 2C? Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle H5 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement fur elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 22 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 208 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herste Ilungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle H6 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 23 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gasdurchflußp,esctlwindigkeitsverhaltnisses verändert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmate:rialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 209 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde unter den in Tabelle H7 angegebenen Bedingungen ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiH4 /He-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 24 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindigkeit des Gas du rchfl ußgeschwindigkei tsverhältnisses verandert wurde und ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 angewandt wurden.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfan3smaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 210 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas Si 2H6 /He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle H8 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmateri al ien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 211 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 wobei jedoch anstelle von SiH4/He-Gas SiF4/He-Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle Ftl3 gezeigten Weise abgeändert wurden, wurden ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel 212 Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 wobei jedoch anstelle von SiH /He-Gas (SiHq/He+SiF4/He)-4 4 4 Gas verwendet wurde und die Bedingungen in der in Tabelle Hlö gezeigten Weise abgeändert wurden, wurde ein Bilderzeugungselement hergestellt.
  • Unter Verwendung des erhaltenen Bilderzeugungselements wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei eine sehr klare Bildqualität erhalten wurde.
  • Beispiel ,213 Mittels der in Fig. 11 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurde auf einem zylindrischen Schichtträger aus Aluminium unter den in Tabelle Hll angegebenen Bedingungen eine erste amorphe Schicht (I) gebildet, während das Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnis von GeH4/He-Gas zu SiHq/le-Gas im Zeitverlauf der Schichtbildung in Übereinstimmung mit der in Fig. 19 gezeigten Kurve der Änderungsgeschwindikeit des Gasdurchflußgeschwindigkeitsverhältnisses verändert wurde, und dann wurde unter den in Tabelle Fi11 angegebenen Bedingungen eine zweite amorphe Schicht (II) gebildet. Auf diese Weise wurde ein Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung hineingebracht, 0,3 s lang einer Koronaladung mit *5,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde unter Verwendung einer lichtdurchlässigen Testkarte mit 2 lx.s durchgeführt.
  • Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener, Toner und Tonerträger enthaltender Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche des Bilderzeugungselements auftreffen gelassen, wobei auf dieser Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit +5,0 kV auf ein Bildempfangsmaterial aus Papier übertragen wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigte.
  • Beispiel 214 In Beispiel 213 wurde während der Herstellung der ersten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von B2H6 zu (SiH4+GeH4) und während der Herstellung der zweiten Schicht das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von B2H6 zu SiH4 in der in Tabelle H12 angegebenen Weise verändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 213 angewandt wurden. Auf diese Weise wurden jeweils Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke erhalten.
  • Unter Verwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden auf Bildempfangsmaterialien aus Papier nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 213 Bilder erzeugt, wobei gute Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 215 In den Beispielen 203 bis 212 wurden die Bedingungen für die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle H13 gezeigten Weise abgecirldert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente fur elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der herplestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeugt, wobei die in Tabelle i13A gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 216 In den Beispielen 203 bis 212 wurden die Bedingungen'für die Herstellung der zweiten Schicht in der in Tabelle lfl4 gezeigten Weise abgeändert, wobei ansonsten die gleichen Bedingungen wie in diesen Beispielen angewandt wurden. Auf diese Weise wurden Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke hergestellt.
  • Unter Verwendung der hergestellten Bilderzeugungselemente wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 203 Bilder erzeup,t, wobei die in Tabelle H14 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel ,217 Mittels eines wie in Beispiel203 beschrieben hergestellten Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke wurden unter den gleichen Tonerbild-Erzeugungsbedingungen wie in Beispiel 203 übertragene Tonerbilder erzeugt, wobei jedoch als Lichtquelle für die Erzeugung elektrostatischer Ladungsbilder anstelle der Wolframlampe ein Halbleiterlaser (10 mW) des GaAs-Systems bei 810 nm verwendet wurde. Die Bildqualität der übertragenen Tonerbilder wurde bewertet, wobei sich ergab, daß klare Bilder hoher Qualität, die eine ausgezeichnete Auflösung und eine gute Reproduzierbarkeit der Wiedergabe von Halbtönen zeigten, erhalten werden konnten.
  • Beispiel :218 Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke (72 Proben; Proben Nr. 12-201H bis 12-208H, 12-301H bis 12-308H, .. . , 12-lOOlH bis 12-100011) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen 204 bis 212 hergestellt, jedoch wurden die Bedingungen fur die Herstellung der amorphen Schicht (II) in der in Tabelle H15 gezeigten Weise abgeändert.
  • Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden einzeln in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung h ineingebracht, 0,2 s lang einer Koronaladung mit 45,0 kV unterzogen und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Als Lichtquelle wurde eine Wolframlampe verwendet, und die Belichtung wurde mit 1,0 lx.s durchgeführt. Das latente Ladungsbild wurde mit einem negativ geladenen, Toner und Tonerträger enthaltenden Entwickler entwickelt und auf gewöhnliches bzw. unbeschichtetes Papier übertragen. Es wurde festgestellt, daß das übertragene Bild sehr gut war. Zur Entfernung des nicht übertragenen Toners, der auf dem Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke zurückgeblieben war, wurde eine Reinigung mit einer Kautschukklinge durchgeführt. Diese Schritte wurden 100.000mal oder öfter wiederholt, jedoch wurde in keinem Fall eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
  • Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit bei der wiederholten, kontinuierlichen Verwendung sind in Tabelle tUG aufgeführt.
  • Beispiel 21') Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 203 hergestellt, jedoch wurde das Zerstäubungsverfahren angewandt und wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Flächenverhältnis von Silicium-Scheibe zu Graphit verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 203 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs-und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeftShrt wurde, bei der die in Tabelle ifl7 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 220 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 203 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der arnorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von H4 Gas zu C 2H4 -Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 203 beschriebenen Schritte bis zur Übertragung etwa 50.000mal wiederholt, worauf eine Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle H18 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 221 Bilderzeugungselemente wurden jeweils nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 203 hergestellt, jedoch wurde das Verhältnis des Gehalts der Siliciumatome zu dem Gehalt der Kohlenstoffatome in der amorphen Schicht (II) verändert, indem das während der Bildung der amorphen Schicht (II) angewandte Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH4-Gas:SiF4-Gas:C2H4-Gas verändert wurde. Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Bilderzeugungselemente wurden die in Beispiel 203 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte etwa 50.000mal wiederholt, worauf die Bewertung der Bildqualität durchgeführt wurde, bei der die in Tabelle H19 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Beispiel 222 Bilderzeugungselemente wurden nach dern gleichen Verfahren wie in Beispiel 203 hergestell t, wobei jedoch die Schichtdicke der amorphen Schicht (II) verändert wurde. Bei jeder Probe wurden die in Beispiel 203 beschriebenen Bilderzeugungs-, Entwicklungs- und Reinigungsschritte wiederholt, wobei die in Tabelle H20 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
  • Die in den vorstehenden Beispielen der Erfindung angewandten, allgemeinen Schichtbildungsbedingungen sind nachstehend angegeben: Temperatur des Schichtträgers: für die Germaniumatome (Ge) enthaltenden Schichten ... etwa 200°C; für die Schichten, in denen keine Germaniumatome (Ge) enthaltenden sind ... etwa 200°C; Entladungsfrequenz: 13,56 MHz; Innendruck in der Reaktionskammer während der Reaktion: 0,4 mbar TABELLE 1A
    Schichtbil-
    Schicht-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindihkeits- Entladungs- dungsge-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    GeH4/SiH4=1
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0
    Erste 0,18 0,5 3
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    Zweite
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht 1,5 15
    0,18
    TABELLE 2A
    Schichtbil-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits Entladungs-
    Schicht-
    dungsge-
    schwindigkeit
    leistung
    aufbau Gase leistung
    verhältnis dicke
    schwinding-
    (Norm-cm³/min)
    (W/cm²)
    keit (nm/s) (µm)
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 0 , 1
    Erste
    0 , 1 8 0 , 5 20
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht
    0,18 1,5 5
    TABELLE 3A
    Schichtbil-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs-
    Schicht-
    dungsge-
    schwindigkeit
    leistung dicke
    aufbau Gase verhältnis schwindig
    (Norm-cm³ /min) (W/cm²)
    keit (nm/s) (µm)
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 0 , 4
    Erste 0 , 1 8 0 , 5 2
    Schicht GeH4 /He = 0,05
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht 0 , 1 8 1 , 5 20
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 2x10-5
    TABELLE 4A
    Probe A401 A402 A403 A404 A405 A406 A407
    Nr.
    Ge-
    Gehalt
    (Atcm-%) 1 3 5 10 40 6 0 90
    Bewer-
    tung # | O 0
    ausge- ausreichend für zeich gut die praktische net Verwendung TABELLE 5A
    Probe A 501 | A 502 | A 503 | A 504 | A 505
    Nr. A 601 A 502 A 503 A 5O A505
    Schicht-
    dicke (µm 0,1 0,5 1 2 5
    Bewer-
    tung
    ausgezeichnet gut TABELLE 6A
    Schichtbild-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- dungsge- Schicht-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 1
    Erste 0 , 1 8 0 , 5 2
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    1 , 5
    Schicht PH3/SiH4 = 1x10-7 0 , 1 8 20
    PH3/He = 10-3
    Tabelle 1B
    Schichtbil-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge- Schicht-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 1 ~ 0
    Erste
    0 , 18 0,5 10
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    1 , 5
    Schicht 0 , 1 8 10
    TABELLE 2B
    Schichtbild-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- dungsge- Schicht-
    schwindigkeit schwindig-
    aufoau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 1/0~0
    Erste
    0 , 1 8 0 , 5 8
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    Schicht 1 , 5 10
    0 , 1 8
    TABELLE 3B
    Schichtbild-
    Schicht-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs dungsge-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He=0,05 SiH4+GeH4= 5 0 GeH4/SiH4= 4/10~2/1000
    Erste
    0,18
    0,5 2,0
    Schicht
    GeH4 /He=0,05
    SiH4 /He=0,5 SiH4= 2 0 0
    Zweite
    1,5
    Schicht 0,18 20
    TABELLE 4B
    Schichtbil-
    Schicht-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He= 0,05 SiH4+GeH4= 5 0 GeH4/SiH4= 1~0
    Erste 0,18 0,5 2,0
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He= 0,5 SiH4= 2 0 0
    Zweite
    1,5
    Schicht 0,18 15
    TABELLE 5B
    Schichtbil-
    Schicht-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase leistung
    verhältnis dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 +GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 8/10~0
    Erste
    0 , 18 0 , 5 0,8
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4= 2 0 0
    Zweite
    Schicht 1 , 5
    0 , 1 8 20
    TABELLE 6B
    Schichtbil-
    Schicht-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge-
    schwindigkeit schwindig-
    leistung dicke
    aufbau Gase verhältnis
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    GeH4/SiH4 = 1~ 0
    SiH4 /He= 0,05 SiH4+GeH4= 5 0
    Erste
    0 , 1 8 0 , 5 8
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    1 , 5
    Schicht
    0 , 1 8 15
    TABELLE 7B
    Schichtbil-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge- Schicht-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 +GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 1/10~0 0 , 1 8 0 , 5 8
    Erste
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    1 , 5
    Schicht 0 , 1 8 10
    TABELLE 8B
    Schichtbil-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge- Schicht-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    Si2H6/He = 0,05 Si2H6 + GeH4 = 5 0 GeH4/Si2H6= 1~0 0 , 1 8 0 , 5 10
    Erste
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    1,5
    Schicht 0 , 1 8 10
    TABELLE 9B
    Schichtbil-
    Schicht-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs
    dungsge-
    schwindigkeit schwindig-
    aufbau Gase verhältnis leistung dicke
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiF4 /He = 0,05 SiF4 +GeH4 = 5 0 GeH4/SiF4 = 1~0
    Erste
    0 , 1 8 0 , 5 10
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    1 , 5
    Schicht 0 , 1 8 10
    TABELLE 10B
    Schichtbild-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge- Schicht-
    schwindigkeit schwindig-
    leistung dicke
    aufbau Gase verhältnis
    (Norm-cm³/min) keit (nm/s)
    (W/cm²) (µm)
    SiH4 /He=0,05
    Erste
    SiH4+SiF4+GeH4 0 , 1 8 0 , 5 10
    Schicht
    SiF4 /He=0,05
    =50 GeH4/(SiH4+SiF4)=1~0
    GeH4 /He=0,05
    SiH4/He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    1 , 5
    Schicht 0 , 1 8 10
    TABELLE 11B
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete Durchflußgeschwindig-
    schwindigkeit dungs- bildungs-
    aufbau Gase keitsverhältnis
    leistung geschwin-
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He=0,05 SiH4=200 Be2H6/SiH4= 2x10-5
    Zweite
    Schicht
    B2H6/He=10-3
    0,18 1,5
    TABELLE 12B
    Probe Nr. B1101 B1102 B1103 B1104 B1105 B1106 B1107 B1108 B1109 B1110
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
    Schicht-
    dicke der
    zweiten 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    Schicht
    (µm)
    Bewertung
    ausgezeichnet gut TABELLE 13B
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete Durchflußgeschwindig-
    schwindigkeit dungs- bildungs-
    aufbau Gase keitsverhältnis
    leistunggeschwin-
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH2/SiH4=1x10-7
    Zweite
    Schicht
    PH3/He=10-3
    0,18 1,5
    TABELLE 14B
    Probe Nr. B1201 B1202 B1203 B1204 B1205 B1206 B1207 B1208 B1209 B1210
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
    Schicht-
    dicke der
    zweiten 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    Schicht
    (µm)
    Bewertung
    ausgezeichnet gut TABELLE 1C
    Schichtbil-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge- Schicht-
    schwindigkeit schwindig-
    leistung dicke
    aufbau Gase verhältnis
    (Norm-cm³/min) (W/cm²) keit (nm/s)
    (µm)
    SiH4/He=0,05
    SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 3/10
    Erste 0 , 1 8 0 , 5 1
    Schicht GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4)=3x10-3
    B2H6/He=10-3
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    Schicht 0 , 1 8 1 , 5 2 0
    TABELLE 2C
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs-Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geshwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4= 1/10
    Erste
    Schicht GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0 , 1 8 0,5 1
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 3x10-3
    SiH4 /He=0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 1/10 0 , 1 8 0,5 1 9
    Zweite
    Schicht GeH4 /He=0,05
    Dritte SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 0 , 1 8 1,5 5
    Schicht
    TABELLE 3C
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /He = 3/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0 , 1 8 0,5 2
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 5x10-3
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    Schicht 0 , 1 8 1,5 2 0
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 2 x 10-4 0 , 1 8 1,5 2 0
    TABELLE 4C
    Probe Nr. C401 C402 C403 C404 C405 C406 C407 C408
    GeH4/SiH4
    Durchflußge- 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1
    schwindigkeits-
    verhältnis
    Ge-Gehalt 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6
    (Atom-%)
    Bewertung
    ausgezeichnet gut TABELLE 5C
    Probe
    C501 C502 C503 C504 C505 C506 C507 C508
    Nr.
    Schicht
    dicke 3,0 nm 50,0nm 0,1 µm 0,3 µm 0,8 µm 3 µm 4 µm 5 µm
    Bewer-
    tung # #
    ausgezeichnet gut # für die praktiche Verwendung ausreichend
    TABELLE 6C
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs-Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geshwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsvernältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 5/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0 , 1 8 0,5 2
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 5x10-3
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    Schicht
    PH3/He = 10-3 PH3 /SiH4 = 9 x 10-5 0 , 1 8 1,5 2 0
    TABELLE 7C
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geshwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /He = 5/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0 , 1 8 0,5 1 5
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 8x10-4
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht 0 , 1 8 1,5 5
    PH3/He = 10-3 PH3 /SiH4 = 1 x 10-5
    TABELLE 8C
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geshwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0 , 1 8 0,5 1
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 9 x 10-4
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 9 x 10-4 0 , 1 8 1,5 1 5
    TABELLE 9C
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geshwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 1/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0 , 1 8 0,5 1 5
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 9 x 10-4
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht 0 , 1 8 1,5 5
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 9 x 10-4
    TABELLE 10C
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geshwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0 , 1 8 0,5 2
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 2 x 10-4
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    Schicht 0 , 1 8 1,5 2 0
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 2 x 10-4
    TABELLE 1D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht-
    auf- Verwendete schwindigkeit
    dungs- bildungs- dicke
    keitsvernältnis
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=4/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 0,18 0,5 1
    B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite SiH4/He=0,5
    SiH4= 2 0 0
    Schicht 0,18 1,5 19
    TABELLE 2D
    Schicht- Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht-
    auf- Verwendete schwindigkeit
    keitsverhältnis dungs bildungs- dicke
    bau Gase
    geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min) leistung
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0
    Schicht 0,18 0,5 2
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    B2H6/(GeH4+SiH4) = 1x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite 0,18 1,5 15
    SiH4/He=0,5
    SiH4 = 200
    Schicht
    TABELLE 3D
    Schicht Durchflußge- Entla- Schicht- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    auf- Verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- dicke
    keitsverhältnis
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=4/10~2/1000
    Schicht 0,18 0,5 2
    GeH4/He=0,05
    B2H6/(GeH4+SiH4) = 1x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite SiH4/He=0,5
    SiH4 = 200
    Schicht 0,18 1,5 15
    TABELLE 4D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht-
    auf- Verwendete schwindigkeit
    keitsverhältnis dungs- bildungs- dicke
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05
    GeH4/SiH4=15/100~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite
    SiH4/He=0,5
    Schicht SiH4 = 200 0,18 1,5 15
    TABELLE 5D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht-
    auf- Verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- dicke
    keitsverhältnis
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=1~5/100
    Schicht 0,18 0,5 1
    GeH4/He=0,05
    B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-4
    B2H6/He=10-3
    Zweite SiH4/He=0,5
    SiH4 = 200 15
    Schicht 0,18 1,5
    TABELLE 6D
    Schicht- Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht
    auf- Verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- dicke
    keitsverhältnis
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05
    GeH4/SiH4 = 2/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    B2H6/ (GeH4+SiH4) = 3x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite
    SiH4/He=0,5
    Schicht SiH4 = 200 0,18 1,5 15
    TABELLE 7D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht
    auf- Verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- dicke
    keitsverhältnis
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=1/10~0
    Schicht 0,18 0,5 1
    GeH4/He=0,05
    B2H6/ (GeH4+SiH4) = 1x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite SiH4/He=0,5
    SiH4 = 200 15
    Schicht 0,18 1,5
    TABELLE 8D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht
    auf- Verwendete schwindigkeit dungs-
    keitsverhältnis bildungs- dicke
    bau Gase leistung
    geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste Si2H6/He=0,05
    GeH4/Si2H6 = 4/10~0
    Schicht 1
    GeH4/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 0,18 0,5
    B2H6/ (GeH4+Si2H6) = 3x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite
    Si2H6/He=0,5 19
    Si2H6=200 0,18 1,5
    Schicht
    TABELLE 9D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht
    auf- Verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- dicke
    keitsverhältnis
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiF4/He=0,05 SiF4+GeH4=50
    GeH4/SiF4=4/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 0,18 0,5 1
    B2H6/(GeH4+SiF4) = 1x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite SiF4/He=0,5
    SiF4 = 200
    Schicht 0,18 1,5 19
    TABELLE 10D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht
    auf- Verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- dicke
    keitsverhältnis
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05
    GeH4/(SiH4+SiF4)=4/10~0
    Schicht SiH4/He=0,05
    SiH4+SiF4+GeH4 0,18 0,5 1
    GeH4/He=0,05
    B2H6/(GeH4+SiH4+SiF4)
    =50
    B2H6/He=10-3
    =3x10-3
    Zweite
    SiH4/He=0,5
    SiH4+SiF4 0,18 1,5 19
    Schicht
    SiF4/He=0,5
    =200
    TABELLE 11D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwindig- Entla- Schicht- Schicht
    auf- Verwendete schwindigkeit
    keitsverhältnis dungs- bildungs- dicke
    bau Gase leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=4/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 0,18 0,5 1
    B2H6/(GeH4+SiH4)=5x10-4
    B2H6/He=10-3
    Zweite SiH4/He=0,5
    B2H6/SiH4=5x10-4
    SiH4= 200 15
    Schicht B2H6/He=10-3 0,18 1,5
    TABELLE 12D
    Schicht Durchflußge-
    Durchflußgeschwinding- Entla- Schicht- Schicht
    auf- Verwendete schwindigkeit
    keitsverhälnis dungs- bidungs- dicke
    bau Gase
    (Norm-cm³/min) leistung geschwin- (µm)
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05
    GeH4/SiH4=4/10~0
    Schicht
    0,18 0,5 1
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    B2H6/(GeH4+SiH4)= 3x10-3
    B2H6/He=10-3
    Zweite
    SiH4/He=0,5
    Schicht SiH4 = 200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 15
    B2H6/He=10-3
    TABELLE 13D
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwinding- Entla- Schicht-
    auf- Verwendete schwindigkeit keitsverhältnis dungs- bidungs-
    bau Gase leistung geschwin-
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Zweite SiH4/He=0,5
    Schicht SiH4=200 B2H6/SiH4=1x10-4 0,18 1,5
    B2H6/He=10-3
    TABELLE 14D
    Probe Nr. D1301 D1302 D1303 D1304 D1305 D1306 D1307 D1308 D1309 D1310
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41
    Schicht-
    dicke der
    19 15 15 15 15 15 15 19 19 19
    zwiten
    Schicht(µm)
    Bewertung
    ausgezeichnet gut TABELLE 15D
    Schicht- Durchflußge- Durchflußgeschwindig Entla- Schicht-
    auf- Verwendete schwindigkeit keitsverhältnis dungs- bildunds-
    bau Gase leistung geschwin-
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Zweite SiH4/He=0,5
    Schicht SiH4=200 0,18 1,5
    PH3/He=10-3
    PH3/SiH4= 9 x 10-5
    TABELLE 16D
    Probe Nr. D1401 D1402 D1403 D1404 D1405 D1406 D1407 D1408 D1409 D1410
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41
    Schicht-
    dicke der
    19 15 15 15 15 15 15 19 19 19
    Zweiten
    Schicht(µm)
    Bewertung
    ausgezeichnet gut TABELLE 1E
    Schicht Durchflußge- Entla- Schicht- Schicht
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit Durchflußgeschwindigkeits- dungs- bildungs- dicke
    verhältnis leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/1
    Schicht GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    NO/(GeH4+SiH4) = 2/100 0,18 0,5 3
    NO
    Zweite SiH4/He=0,5 SiH4=200
    Schicht 0,18 1,5 15
    TABELLE 2E
    Schicht- Durchflußge- Entla- Schicht- Schicht-
    Verwendete Gase schwindigkeit Durchflußgeschwindigkeits dungs- bildungs- dicke
    verhältnis leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10
    Schicht GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    NO/(GeH4+SiH4) = 3/100~0 0,18 0,5 5
    NO
    (lineare Abnahme)
    Zweite SiH4/He=0,05
    GeH4/SiH4= 1/10
    Schicht GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    Dritte
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TAB
    Schicht- Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindikeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    (W/cm²) digkeit
    (nm/s)
    Erste
    SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10
    Schicht
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) = 2/100 0,18 0,5 2
    NO
    Zweite SiH4/He=0,5 NO/SiH= 2/100
    Schicht
    NO SiH4=200 B2H6/SiH4= 1x10-5 0,18 1,5 2
    B2H6/He=10-3
    Dritte SiH4/He=0,5
    Schicht SiH4=200 B2H6/SiH4= 1x10-5
    B2H6/He=10-3 0,18 1,5 15
    TABELLE 4E
    Probe Nr|.D401 D402 D403 D404 D405 D406 D407
    Ge-Gehalt
    Atcm-%) 1 3 5 10 40 60 90
    Bewertung # # # # # # #
    # ausgezeichnet # gut # : für die praktishe Verwendung ausreichend TABELLE SE
    Probe Nr. D501 D502 D503 D504 D505
    Schicht 0 1 0 5 1 2 5
    dicke(µm) 0,1 0,5 1 2 5
    |Bewertung | | | | |
    ausgezeichnet gut Tabelle 6E
    Schicht- Durchflußge-
    Durchflubßgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    auf Verwendete Gase schwindigkeit
    verhältnis dungs bildungs- dicke
    bau
    leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 = 4/10
    Schicht
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) = 2/100
    0,18 0,5 2
    NO
    Zweite
    SiH4/He =0,5
    Schicht
    SiH4 = 200
    PH3/He= 10-3 PH3/SiH4 = 1x10-7 0,18 1,5 20
    TABELLE 1F
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindingkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4SiH4=4/10~3/100
    Schicht SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2
    GeH4/He=0,05 NO/(GeH4+SiH4)= 3/100
    NO
    Zweite SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=3/100~0 0,18 0,5 8
    Schicht
    GeH4/He=0,05
    Dritte
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10
    Schicht
    TABELLE 2F
    Schicht- Durchflußge- Schicht-
    Durchflußgeschwindigkeits Entla- Schicht-
    auf- Verwendete Gase schwindigkeit dicke
    verhältnis dungs- bildungs-
    bau (µm)
    (Norm-cm³/min) leistung geschwin-
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 =1/10 ~ 4/100
    Schicht 0,18 0,5 5
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) = 3/100
    NO
    Zweite SiH4/He=0,05
    Schicht SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4 = 4/100 0 0,18 0,5 3
    GeH4/He=0,05
    Dritte 0,18 1,5 10
    SiH4/He=0,5 SiH4=200
    Schicht
    TABELLE 3F
    Schicht- Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~4/100
    Schicht SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    GeH4/He=0,05 NO/(GeH4+SiH4)= 3/100
    NO
    Zweite SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=4/100 0,18 0,5 1
    Schicht
    GeH4/He=0,05
    Dritte
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TABELLE 4F
    Schicht- Durchflußge- Schicht-
    Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht-
    auf- Verwendete Gase schwindigkeit dicke
    verhältnis dungs bildungs-
    bau (µm)
    (Norm-cm³/min) leistung geschwin-
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 = 15/100 ~ 1/100
    Schicht 0,18 0,5 0,4
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) = 3/100
    NO
    Zweite SiH4/He=0,05
    Schicht SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4 = 1/100~0 0,18 0,5 0,6
    Dritte 0,18 1,5 20
    SiH4/He=0,5 SiH4=200
    Schicht
    TABELLE 5F
    Schicht- Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    leitung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 1/1 ~ 14/100
    Schicht SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,2
    GeH4/He=0,05 NO/(GeH4+SiH4)= 3/100
    NO
    Zweite SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4= 14/100 ~ 0 0,18 0,5 0,8
    Schicht
    GeH4/He=0,05
    Dritte
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20
    Schicht
    TABELLE 6F
    Schicht Durchflußge- Schicht-
    Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht-
    auf- Verwendete Gase schwindigkeit dicke
    verhältnis dungs- bildungs-
    bau (µm)
    (Norm-cm³/min) leistung geschwin-
    digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 =2/10 ~ 45/1000
    Schicht 0,18 0,5 2
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) = 1/100
    NO
    Zweite SiH4/He=0,05
    Schicht SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4 = 45/1000 ~ 0 0,18 0,5 6
    GeH4/He=0,05
    Dritte 0,18 1,5 10
    SiH4/He=0,5 SiH4=200
    Schicht
    TABELLE 7F
    Schicht- Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 ~ 45/1000
    Schicht SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 4
    GeH4/He=0,05 NO/(GeH4+SiH4) = 1/100
    NO
    Zweite SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50
    GeH4/SiH4=45/1000 ~ 0 0,18 0,5 4
    Schicht
    GeH4/He=0,05
    Dritte
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10
    Schicht
    TABELLE 8F
    Schicht- Durchflußge- Schicht-
    Durchflußgeschwindigigkeits- Entla- Schicht-
    auf- Verwendete Gase schwindigkeit dicke
    verhältnis dungs- bildungs-
    bau (µm)
    (Norm-cm³/min) leistung geschwin-
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    Erste Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10 ~ 3/100
    Schicht 0,18 0,5 2
    GeH4/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 NO/(GeH4+Si2H6)= 3/100
    NO
    Zweite
    Si2H6/He=0,05
    Schicht Si2H6+GeH4=50
    GeH4/Si2H6= 3/100 ~ 0 0,18 0,5 8
    GeH4/He=0,05
    Dritte
    Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 10
    Schicht
    TABELLE 9F
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiF4 /He = 0,05 GeH4 /SiF4 = 4/10 ~ 3/100
    Erste
    Schicht GeH4 /He = 0,05 SiF4+GeH4 = 5 0 NO /(GeH4+SiF4) = 3/100 0 , 1 8 0,5 2
    NO
    Zweite SiF4 /He = 0,05 SiF4+GeH4 = 5 0 GeH4/SiF4 = 3/100~0 0 , 1 8 0,5 8
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    Dritte
    SiF4 /He = 0,5 SiF4 = 2 0 0 0 , 1 8 1,5 1 0
    Schicht
    TABELLE 10F
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /( SiH4 + SiF4 )
    Erste SiF4 /He = 0,05 SiH4 + SiF4 + GeH4 = 4/10 ~ 3/100 0 , 1 8 0,5 2
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05 = 5 0 NO /( GeH4 + SiH4 + SiF4 )
    NO = 3/100
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + SiF4 + GeH4 GeH4/( SiH4 + SiF4 )
    Zweite
    SiF4 /He = 0,05 = 5 0 = 3/100~ 0 0 , 1 8 0,5 8
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    Dritte SiH4 /He = 0,5 SiH4 + SiF4 0 , 1 8 1,5 1 0
    Schicht SiF4 /He = 0,5 = 2 0 0
    11
    Durchfluß- Entla- Schich-
    Schicht- verwendete geschwindig- Durchflußgeschwindig- dungs- bildungs-
    aufbau Gase keit keitsverhältnis lei- geschwin-
    (Norm-cm³/ stung digkeit
    min) (W/cm²) (nm/s)
    Dritte SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=4x10-4
    Schicht
    B2H6/He=10-3 0,18 1,5
    TABELLE 12F
    Probe Nr. F1101 F1102 F1103 F1104 F1105 F1106 F1107 F1108 F1109 F1110
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63
    Schichtdicke
    der dritten 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    ausgezeichnet gut TABELLE 13F
    Durchfluß- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete geschwindig- Durchflußgeschwindig- dungs- bildungs-
    aufbau Gase keit keitsverhältnis lei- geschwin-
    (Norm-cm3/ stung digkeit
    min) (W/cm²) (nm/s)
    Dritte SiH4/He=0,5 SiH4=200
    PH3/SiH4=2x10-5
    Schicht
    PH3/He=10-3 0,18 1,5
    TABELLE 14F
    Probe Nr. F1201 F1202 F1203 F1204 F1205 F1026 F1207 F1208 F1209 F1210
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63
    Schichtdicke
    der dritten 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    ausgeze@chnet gut
    TABELLE 15F
    Entla- Schicht-
    Durchflußge-
    dungs- bildungs-
    Schicht- Verwendete schwindigkeit Durchflußgeschwindig- Schicht-
    aufbau lei- geschwin-
    Gase keitsverhältnis dicke
    (Norm-cm³/min) stung digkeit
    (µm)
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10 ~ 0
    Schicht GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 NO /SiH4 = 4/10 ~ 2/100 0 , 1 8 0,5 2
    NO
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 NO/SiH4 = 2/100~0 0 , 1 8 1,5 2
    Schicht NO
    Dritte
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 0, 1 8 1,5 1 5
    Schicht
    TABELLE 16F
    Entla- Schicht
    Durchflußge-
    dungs- bildungs-
    Schicht Verwendete schwindigkeit Durchflußgeschwindig- Schicht-
    lei- geschwin-
    aufbau Gase keitsverhältnis dicke
    (Norm-cm³/min) stung digkeit
    (µm)
    (W/cm²) (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10 ~ 0
    Erste
    GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 NO /SiH4 = 1/10 ~ 5/100 0, 1 8 0,5 1
    Schicht
    NO
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 No/SiH4 = 5/100~0 0 , 1 8 1,5 1
    Schicht NO
    Dritte
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 0, 1 8 1,5 1 8
    Schicht
    TABELLE 1G
    Schichtbil-
    Schicht-
    Schicht- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- dungsge-
    schwindigkeit leistung schwindig- dicke
    aufbau Gase verhätnis
    (Norm-cm³/min) (W/cm²) keit (nm/s) (µm)
    SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10
    Erste 1
    GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0 , 1 8 0 , 5
    Schicht B2H6/(GeH4+SiH4)=3x10-3
    B2H6/He=10-3
    NO/(GeH4+SiH4)=3/100
    NO
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    Schicht 0 , 1 8 1 , 5 20
    TABELLE 2G
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 1/10
    Erste
    GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1
    Schicht
    B2H6 /H6 = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 3/10-3
    NO NO /(GeH4+SiH4) = 3/100
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 1/10 0, 1 8 0,5 1 9
    Zweite
    Schicht GeH4 /He = 0,05
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 0, 1 8 1,5 5
    Dritte
    Schicht
    TABELLE 3G
    Durchflußge- Entla- Schicht
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 2
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 5 x 10-3
    NO NO /(GeH4+SiH4) = 1/100
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht
    0 , 1 8 1,5 2 0
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /SiH4 = 2 x 10-4
    Tabelle 4G
    Probe Nr. G401 G402 G403 G404 G405 G406 G407 G408
    GeH4/SiH4(Durch-
    flußgeschwindig-
    5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1
    keitsverhältnis)
    Ge-Gehalt
    (Atom-%)
    4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6
    Bewertung
    ausgezeichnet gut Tabelle 5G
    Probe
    Nr. G501 G502 G503 G504 G505 G506 G507 G508
    Schicht-
    dicke 3,0 nm 50,0 nm 0,1 µm 0,3 µm 0,8 µm 3 µm 4 µm 5 µm
    Bewer-
    tung
    ausreichend für ausgezeichnet gut die praktische Verwendung TABELLE 6G
    Entla- Schicht-
    Durchflußge-
    dungs- bildungs Schicht-
    schwindigkeit
    Schicht- verwendete Durchflußgeschwindig-
    leitsung geschwin- dicke
    aufbau Gase keitsverhältnis
    (Norm-cm³/min) digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 5 /10
    GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 2
    Erste B2H6/(GeH4+SiH4)=5x10-3
    Schicht B2H6/He=10-3
    NO/(GeH4+SiH4)=1/100
    NO
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Zweite
    PH3/SiH4=9x10-5 0, 1 8 1,5 20
    Schicht PH3/He=10-3
    (Probe Nr. G601) TABELLE 7G
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    schwindickeit dungs- bildungs- Schicht-
    Schicht- verwendete Durchflußgeschwindig-
    leitsung geschwin- dicke
    aufbau Gase keitsverhältnis
    (Norm-cm³/min) digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 1/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1 5
    B2H8 /(GeH4+SiH4) = 8 x 10-4
    Schicht
    B2H6/He=10-3
    NO/(GeH4+SiH4)=1/100
    NO
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht PH3/SiH4=1x10-5 0, 1 8 1,5 5
    PH3/He=10-3
    (Probe Nr. G602) Tabelle 8G
    Schicht- Durchflußge-
    Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    auf- Verwendete Gase schwindigkeit
    verhältnis dungs- bildungs- dicke
    bau
    (Norm-cm³/min) leitstung geschwin- (µm)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 3 x 10-3
    NO NO /(GeH4+SiH4) = 3/100
    Zweite SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Schicht
    0, 1 8 1,5 2 0
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /SiH4 = 3x10-4
    (Probe Nr. G603)
    Tabelle 9G
    Schicht- Durchflußge-
    Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    auf- Verwendete Gase schwindigkeit
    verhältnis dungs- bildungs- dicke
    bau
    (Norm-cm³/min) leistung geschwin- (µm)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 1/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4 + SiH4) = 1 x 10-5
    NO NO /(GeH4+SiH4) = 3/100
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 1/10
    Zweite
    GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1 9
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 1 x 10-5
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0
    Dritte
    Schicht 0, 1 8 1,5 5
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 3 x 10-4
    (Probe Nr. G701) Tabelle 10G
    Durchflußge-
    Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    Schicht- Verwendete Gase schwindigkeit
    verhältnis dungs- bildungs- dicke
    aufbau leistung geschwin- (µm)
    (Norm-cm3/min)
    digkeit
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1
    Erste
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 1x10-5
    NO NO /SiH4 = 3/100
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Zweite
    Schicht GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 NO /SiH4 = 3/100 0, 1 8 0,5 1
    NO
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 NO/SiH4 = 3/100
    Dritte NO 0, 1 8 1,5 1
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 1 x 10-4
    SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 B2H6/SiH = 1 x 10-4
    Vierte
    Schicht 0, 1 8 1,5 1 5
    B2H6 /He = 10-3
    (Probe Nr. G702) TABELLE 11G
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Erste
    Schicht GeH4 /He = 0,05 SiH4 + Ge = 5 0 0, 1 8 0,5 1
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(Ge+SiH4) = 3 x 10-3
    NO NO /(GeH4+SiH4)
    = 3/100 ~2,83/100
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4/SiH4 = 3/10 0, 1 8 0,5 1
    Zweite
    Schicht GeH4 /He = 0,05 NO /(GeH4+SiH4) = 2,83/100~0
    NO
    Dritte SiH4 /He = 0,5 SiH4 = 2 0 0 0, 1 8 1,5 19
    Schicht
    (Probe Nr. G801) Anmerkung: NO/(GeH4 + SiH4) nahm ] linear ab TABELLE 12G
    Schicht- Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    auf- Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    bau
    leitstung geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    (W/cm²) digkeit
    (nm/s)
    Erste SiH4 /H4 = 0,05 GeH4 /SiH4 = 1/10
    Schicht
    GeH4 /He = 0,05
    SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,5
    B2H6 /He=10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 3 x 10-3
    NO NO /(GeH4+SiH4) = 3/100~0
    Zweite
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 1/10
    Schicht
    GeH4 /He=0,05
    SiH4 + GeH4 = 5 0 0,18 0,5 0,5
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 3 x 10-3
    Dritte
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0
    Schicht GeH4/SiH4 = 1/10
    GeH4 /He = 0,05 0,18 0,5 19
    Vierte
    SiH4 = 2 0 0 0,18 1,5 5
    SiH4 /He = 0,5
    Schicht
    (Probe Nr. G802) TABELLE 13G
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgescwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Erste
    Schich GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1
    B2H6 /He = 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 5 x 10-3
    NO NO /(GeH4+SiH4) = 1/100~0
    SiH4 /He = 0,05
    SiH4 + GeH4 = 5 0 GeH4 /SiH4 = 3/10 0, 1 8 0,5 1
    Zweite
    GeH4 /He = 0,05
    Schicht
    B2H6 /(GeH4+SiH4) = 5 x 10-3
    B2H6 /He = 10-3
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 = 2 0 0
    Dritte 0, 1 8 1,5 20
    Schicht
    B2H6 /He = 10-3 B2H8/SiH4 = 2 x 10-4
    (Probe Nr. G803) TABELLE 14G
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhältnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He = 0,05 GeH4 /SiH4 = 3/10
    Erste GeH4 /He = 0,05 SiH4 + GeH4 = 5 0 0, 1 8 0,5 1
    Schicht
    B2H6 /SiH4 = 3 x 10-3
    B2H6 /He = 10-3
    NO NO /SiH4 = 3/100~2,83/100
    SiH4 /He = 0,05 SiH4 = 2 0 0 NO / SiH4 = 2,83/100~0
    Zweite NO
    Schicht 0, 1 8 1,5 20
    B2H6 /He = 10-3 B2H6/SiH4 = 3 x 10-4
    (Probe Nr. G804) Anmerkung: NO/SiH4 nahm linear ab TABELLE 15G
    Durchflußge- Entla- Schicht-
    Schicht- verwendete schwindigkeit dungs- bildungs- Schicht-
    Durchflußgeschwindig-
    aufbau Gase leistung geschwin- dicke
    (Norm-cm³/min) keitsverhaltnis
    digkeit (µm)
    (W/cm²)
    (nm/s)
    SiH4 /He=0,05 GeH4 /SiH4= 1/10
    Erste
    Schich GeH4 /He=0,05 SiH4+GeH4= 5 0 0, 18 0,5 1
    B2H6 /He= 10-3 B2H6 /(GeH4+SiH4) = 1x10 -5
    NO NO /(GeH4+SiH4) = 3/100~0
    SiH4 /He=0,05
    SiH4+GeH4=5 0 GeH4 /SiH4= 1/10 0, 18 0,5 19
    Zweite
    GeH4 /He=0,05
    Schicht
    B2H6 /(GeH4+SiH4) = 1x10-5
    B2H6 /He= 10-3
    SiH4 /He=0,5 SiH4=2 0 0
    Dritte 0 , 18 1,5 5
    Schicht
    B2H6 /He=10-3 B2H6/SiH4= 3x10-4
    (Probe Nr. G805) Anmerkung: NO/(GeH4+SiH4) nahm linear ab TABELLE 1H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm3/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4)= 3x10-3
    SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 3/100
    NO
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 19
    Schicht
    TABELLE 2H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 = 1/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) = 1x10-3 0,18 0,5 2
    SiH4+GeH4=50
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 1/100
    NO
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TABELLE 3H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10~2/1000
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4)= 1x10-3
    SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 1/100
    NO
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    2 w c tl w m E
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 = 15/100~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-3 0,18 0,5 1
    SiH4+GeH4=50
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 2/100
    NO
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TABELLE 5H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 = 1/1~5/100
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-3
    SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 2/100
    NO
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TABELLE 6H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 = 2/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-3 0,18 0,5 1
    SiH4+GeH4=50
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 2/100
    NO
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TABELLE 7H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4 = 1/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-3
    SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 2/100
    NO
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TABELLE 8H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6 = 4/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+Si2H6)= 3x10-3 0,18 0,5 1
    Si2H6+GeH4=50
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+Si2H6) = 2/100
    NO
    Zweite
    Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 15
    Schicht
    TABELLE 9H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4 = 4/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiF4) = 3x10-3
    SiF4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiF4) = 1/100
    NO
    Zweite
    SiF4/He=0,5 SiF4=200 0,18 1,5 19
    Schicht
    TABELLE 10H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/(SiH4+SiF4)=4/10~0
    Schicht SiF4/He=0,05
    GeH4/He=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 B2H6/(GeH4+SiH4+SiF4)=3x10-3 0,18 0,5 1
    B2H6/He=10-3 NO/GeH4+SiH4+SiF4)=1/100
    =50
    NO
    Zweite SiH4/He = 0,5
    SiH4+SiF4=200
    Schicht SiF4/He = 0,5 0,18 0,5 19
    TABELLE 11H
    Schicht Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entla- Schicht- Schicht-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit verhältnis dungs- bildungs- dicke
    lei- geschwin- (µm)
    (Norm-cm³/min)
    stung digkeit
    (W/cm²) (nm/s)
    Erste SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10~0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) = 3x10-3
    SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1
    B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) = 3/100
    NO
    Zweite SiH4/He = 0,5
    SiH4=200 B2H6/SiH4 = 3 x 10-3 0,18 1,5 19
    Schicht B2H6/He = 10-3
    TABELLE 12H
    Probe Nr. H1201 H1202 H1203 H1204 H1205 H1206 H1207 H1208
    B2H6/SiH4(Durchfluß-
    1x10-2 5x10-3 2x10-3 1x10-3 8x10-4 5x10-4 3x10-4 1x104
    geschwindigkeits-
    verhältnis)
    B-Gehalt
    (Atom-ppm) 1x104 6x103 25x103 1x103 800 500 300 100
    Bewertung
    auspezeicnnet gut
    TABELLE 13H
    Schicht Durchflußge- Entla- Schichtbil-
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit Durchflußgeschwindigkeits- dungs- dungsge-
    verhältnis lei- schwindig-
    (Norm-cm³/min) stung keit
    (W/cm²) (nm/s)
    Zweite SiH4/He = 0,5
    Schicht SiH4 = 200 B2H6/SiH4 = 8x10-5 0,18 1,5
    B2H6/He = 10-3
    TABELLE 14H
    Probe Nr. H1301 H1302 H1303 H1304 H1305 H1306 H1307 H1308 H1309 H1310
    Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Erste Schicht
    78 79 80 81 82 83 84 85 86 87
    Schichtdicke
    der zweiten 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    ausgezeichnet gut
    TABELLE 15H
    Schicht Durchflußge- Entla- Schichtbil
    aufbau Verwendete Gase schwindigkeit Durchflußgeschwindigkeits- dungs- dungsge-
    verhältnis lei- schwindig-
    (Norm-cm³/min)
    stung keit
    (W/cm²) (nm/s)
    Zweite SiH4/He = 0,5
    Schicht SiH4 = 200 PH3/SiH4 = 1x10-5 0,18 1,5
    PH3/He = 10-3
    TABELLE 16H
    Probe Nr. H1401 H1402 H1403 H1404 H1405 H1406 H1407 H1408 H1409 H1410
    Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Erste Schicht 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87
    Schichtdicke
    der zweiten 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    auspezeichnet gut
    Tabelle A1
    ccr E Durchflußge- o
    S U e Gase schwindigkeit Durchflußgeschwindiq- | r S õ
    I cza leistungfn X ,
    (W/cm ) eit (m)
    (nm/s)
    S Erste
    vo SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=l 0,18 0,5
    rn
    o
    Zweite
    Cnr
    f SiH4/He=O,5 SiH4=200 0,18 1,5 15
    (d o U rc rc
    H rn \ v
    C <11) SiH4/He=O,5 5i144 =100 SiH4/C2H4=3/7 0,18 3 o o o
    c
    ¢ rn
    s ,i
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    B u R en 11 en tn
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    O O rn rn
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    v o o c: o
    O 11 11 11 11
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    C :n :c 3:
    3 0 v xr v v v
    o fa ev -l d tN
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    S O S H
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    4 rX S O S 0 4
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    u a X en ts n z u
    qQ z H
    Su D ( I) lQDT4DS Q Su
    tn rt aqdloultd tn
    U
    Tabelle A2
    I
    4
    =
    OcE
    r( SC rn
    0
    cu
    rn
    I I
    C1 n
    u
    0
    53 a(u c(~
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    I
    cn
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    3Cru
    E m oo
    mcr u ci
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    UC Verwendete urchflußge ntladungs- s: H
    Q)rc O
    o H o
    eit 3 II
    C s v
    D z =
    < o ti
    min ) (nm/s)
    Uc, 9
    Z
    H Erste Q)
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    0 I
    c t m o
    =1 SiH4/He=0,5 SiH4=20O H g a, o
    Ht u o fs
    W f- I ~ + 11
    s ^ E v v
    u 3 v sW - o l-
    z S F O F F rn -4
    D u o z E en 11 Xn
    n rn X~
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    o v v
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    O 11 11 11
    r o s o
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    o a o F
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    u fa X tn s tn
    el n
    Su D I) ;DT0DS
    rn ffJ ax{dlourV
    2
    Tabelle A3
    UQ)E
    cu O
    L:U' cJ
    U cl
    rnrl
    I I
    ".Ei J
    rn v
    V in
    Schicht- Verwendete Dc 2 o æ 0 n
    aufbau Gase M Durchflußqeschwindig- eistung bildungs- S O r
    eit 3 keitsverhältnis (W/cm2) geschwin- icke
    en
    c
    c r
    a 3 E aJ
    cdcr U rc
    c( cn 4
    u ri 3 o o
    3 o o
    tr
    r
    c
    -ri In
    3 B2H6/SiH 4=2xl05 0,18 20
    s H o
    U C sr ~
    rn v K X
    X ~ o fN
    r :a ll ll
    a s v v
    D v ~
    H o oPx -1
    W > n an
    S tn X X
    O V v xD
    z qol 2 =
    3 o o fs
    a x a m
    l
    r I s sr
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    ; rF ,1 0 -/ ,1 tn ,4
    :: u o Z E fn 11 (n
    2 Wy
    ur ur fn
    o o ur l
    o v - K o
    v o o o H
    C 11 11 ìì 11
    r O o tS o
    3 ,:: X tn m
    z os
    S 3 s g
    u 3 I) aqDIqDS
    ~ uz ra aq ourv '
    Tabelle A4
    Probe Nr. | 401A | 402A | 403A | 404A | 405A | 406A | 407A
    Ge-Gehalt
    (Atom-%) 1 3 5 10 40 60 90
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut : für die praktische Verwendung ausreichend Tabelle A5
    Probe Nr. 501A 502A 503A 504A 505A
    Schichtdicke
    (µm) 0,1 0,5 1 2 5
    Bewertung
    # : ausgezeichnet # : gut Tabelle A6
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Entladungs- Schicht- Schicht-
    aufbau Gase geschwin- Durchflußgeschwindig- leistung bildungs- dicke
    digkeit keitsverhältnis geschwin- (µm)
    (W/cm²)
    digkeit
    (Norm-cm³/
    (nm/s)
    min )
    Erste
    Schicht SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=1 0,18 2
    0,5
    GeH4/He=0,05
    Zweite
    Schicht SiH4/He=0,5 SiH4=200
    =50 1,5
    PH3/He=10-3 PH3/SiH4=1x10-7 0,18 20
    Tabelle A7
    Durchflußge-
    Be- Verwendete Entladungs- Schicht-
    schwindigkeit Durchflußgeschwindigkeitsver-
    dingung Gase leistung dicke
    hältnis oder Flächenverhältnis
    (Norm-cm³/min)
    (W/cm²) (µm)
    12-1 Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2 Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    12-3 Ar 200 Si-Scheibe : Graphit = 6 : 4 0,3 1,0
    12-4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6 SiH4/He=0,5 SIH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3:3:4 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    Tabelle A8
    Herstellungsbedingungen
    der amorphen Schicht (II) Probe Nr. / Bewertung
    8-201A 8-301A 8-601A
    8-1A
    8-202A 8-302A 8-602A
    8-2A
    8-203A 8-303A 8-603A
    8-3A
    8-204A 8-304A 8-604A
    8-4A
    8-205A 8-305A 8-605A
    8-5A
    8-206A 8-306A 8-606A
    8-6A
    8-207A 8-307A 8-607A
    8-7A
    8-208A 8-308A 8-608A
    8-8A
    Probe Nr.
    Gesamtbewertung Bewertung
    der Bildquali- der Haltbar-
    tät keit
    Bewertungsmaßstab: ... ausgezeichnet ... gut Tabelle A9
    Probe Nr. 901A 902A 903A 904A 905A 906A 907A
    Si : C Target
    9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8
    (Flächenverhältnis)
    Si : C 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild- # X
    qualität
    : sehr gut : gut #: fär die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tablle A10
    Probe Nr. 1001A 1002A 1003A 1004A 1005A 1006A 1007A 1008A
    SiH4:C2H4
    9 : 1 6 : 4 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8
    (Durchflußgesenwindigkeits-
    verhältnis)
    Si : C 9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2:8,8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild-
    qualität # # X
    : sehr gut : gut #: für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle A11
    Probe Nr. 1101A 1102A 1103A 1104A 1105A 1106A 1107A 1108A
    SiH4:SiF4:C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchflußgeschwin-
    digkeitsverhältnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    Bewertung der # # X
    Bildqualität
    : sehr gut : gut #: für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle A12
    Dicke der
    Probe amorphen
    Nr. Schicht (11) Ergebnisse
    (m)
    Neigung zur Erzeugung
    1201A 0,001 von Bildfehlern
    keine Bildfehler während
    1202A 0,02 20.000 Wiederholungen
    stabil während 50.000 oder
    1203A 0,05 mehr Wiederholungen
    stabil während 200.000 oder
    1204A 1 mehr Wiederholungen
    Tabelle B1
    I
    c ~c I rn
    oa-
    ccr E tn o
    U -(V rc
    c Verwendete C1rl ntladunqs ci Schicht-
    aufbau Gase geschwin- Durchflußgeschwindig-leistung bildungs dicke
    u D-c t m S S o
    digkeit keitsverhältnis X geschwin \ v v
    3 -1 cn digkeit
    u -H
    (Norm-cm / 5)
    min ) nm
    C:o\
    2
    a SiH4/He=(),05 SiH4+GeH4 CeH4/SiH4=l/1 18 3
    0,5
    H u7 u ~ ~ co NO/(GeH4+SiH4)=2/l00
    c a, 3 o o o
    nl o o o
    -a = 0,18 1,5 15
    -c Schicht SiH 5i1I4=l00 SiH4 : C2H4 3 : 7 -x ll 0,5
    (1 r: c( =
    II V)
    e: S t + N
    u v v sr
    J z o
    cX I ro
    D c E , o õ
    ,C C rJ g + 11 11
    u u X C tv o = ~£
    r Z E un ur uz
    rD o o o o
    rJ r wei Cl ° v r
    I l
    v W s
    -c G -c u
    O u fi U oH
    v H 6 s
    mS au c u
    z u 3 u u)
    Pc 2 X m N m @ H
    U ra .. C~
    H n m
    u D ( I ) 4QDIQDS O
    uz U aqd sourV Q l
    Tabelle B2
    I
    ua-
    rcx E
    CU n Ln
    U ' rc
    cna
    v r v u) un un
    C C 3 ri -
    07CQ(n n Ln In
    c( aor
    criuioE o o
    Erste
    rd SiH4/He=0,05 SiI!4+GeH4 GeH4/SiH4=l/10 0,18 5
    Rad =50 NO/(GeH4 +5 iH4)= 0,5
    r 11
    3 II - - o
    ,UH Zweite
    m:T Ta l o i lls
    0
    na) Ge!!4/lIe=0,05 =50 0,5
    c3 C 3:
    U SiH4/He=0,5 SiI!4=200 fi v 115 cr
    a x O z n ~ O
    I \ er v
    z C E :s v o
    W4'3.D IU z O N
    C = r,) E v v v
    u u X z c o o
    ;, m m 0 9 4 tn ,1 U) ,1
    r Z E tn 11 ul 11 uz
    n u) un n
    o o o o u)
    v
    lD o o o o o
    v o a) o a) EJ
    r 3: sr T' =
    CD er er v sr sr
    z u] e o H Q +9
    > U ul O z en O xn
    C rJ C rD ,C
    rJ U 4 U v U
    4 H * v H
    c D 3 c a (n
    H 6n
    c 44 ( I ) )DIQDS a4dl°R
    u: U b
    Tabelle B3
    l -
    E
    Urc Y cJ N n
    cß rc
    I I
    Iinc
    ci 0r( cr
    C C 3 r(- Ln Y, In
    U 7 C v, c
    clr(3UE O -
    rn 0E
    U ri a,rc C
    t) H rJ H C
    c
    I
    aN
    rd L) E 03 CO
    rc rn U c c(
    H u) u H ~ ~
    v H OS =50 v
    t C, 3 o o o
    I
    0
    0
    tq SiH4/He=0, 5 In ut
    3 rß II I I
    s < o o o
    uc c(9 o - c(
    nL, \ I o X X
    CH v < H 9 H
    Oc( Cra 11 U) \ 11 lí
    V) II II
    H rJ H = v 6 -~;
    k r 11 5:
    S Schicht Si[14/iIe=0,5 % o z 1,5 15
    Oci V o ro
    v 3: X X br ~
    D B2H6/SiH aO O N N
    ax O z z m m
    'm X | -
    tt r = o o
    :: C EU O N o
    W 3 I ~ + 11 11
    J C E :: o :2 ~t
    z W 9 o H wH S oH >H
    2 O C Z E C 11 m m
    « n mM
    S un X rn
    o o u) l u)
    v v - o - o
    rJ o o o ~ o H
    JJ t |
    rj aJ Kr,) aJ sr,) O ro
    rJ or sr sr Q v O
    z X ,1 Q O H O N ,0 N
    aJ rJ U] O Z V] Z m u) m
    > U
    l l
    JJ J 4
    c a) s rJ S
    O u Q u v U
    W H S v H
    l r Os ds
    fi ; u 3 u v u
    s 2 X m cs (n a uz
    u U
    ú ( D I q D S @ q d l ow
    (n U
    Tabelle B4
    Probe Nr. | 401B | 402B | 403B | 404B | 405B | 406B | 407B
    Ge-Gehalt
    (Atom-%) 1 3 5 10 40 60 90
    Bewertung | # | | | | | | #
    : ausgezeichnet : gut ausreichend Tabelle B5
    Probe Nr. 501B 502B 503B 504B 505B
    Schichtdicke
    0,1 0,5 1 2 5
    Bewertung
    @ :ausgezeichnet 0: gut Tabelle B6
    v
    UQI-
    r E ru o
    I=Ui
    U Y
    v mH v
    IcnC
    L) t U
    ~c Verwendete Durchfluß- ntladungs Schicht- Schicht
    O H tD H Gase r:
    Cß~a a--
    ur
    c r
    min
    U v Erste
    4 4
    Schicht SiH4/He=0,05 X +GeH4 GeH4/SiII4=4/10 0,18
    C: (D 3 O O
    S Pm NO/(GeH4 +Si H4)=2/l00 0,5 2
    NO
    r( SiH4, SiH4 =200 0,18
    0 Schicht /He=05
    D84 PH3/Sii!4=lxl07 bzw 20
    clM C- -N
    . eD O C
    2 C nÈ rD Õ
    W 3 + N
    u o X C - o -
    (D Z E u] 11 uz
    u) un
    o o u) m
    o o o o o
    v | ll H
    t (D tD (D
    C X X X -
    3 (D 8 tD O --4 ~
    D U] O Z U) o
    < tD J
    (D U fi O
    v [L1 U) tD C
    S 2 4 -
    UQ
    o D ( I )
    uz ns 40DI0DS aqdJot
    Tabelle B7
    Be- Verwendete Durchfluß-
    Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- Schicht-
    dingung Gase geschwindig-
    verhältnis oder Flächenver- leistung dicke
    keit
    hältnis (µm)
    (W/cm²)
    (Norm-cm³/
    min )
    12-1B Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2B Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    12-3B Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =6:4 0,3 1,0
    12-4B SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5B SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6B SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7B SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8B SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3 : 3 : 4 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    Tabelle Be
    Herstellungsbedingungen
    der amorphen Schicht (II) Probe Nr. / Bewertung
    12-201B 12-301B 12-601B
    12-1B
    12-202B 12-302B 12-602B
    12-2B
    12-203B 12-303B 12-603B
    12-3B
    12-204B 12-304B 12-604B
    12-4B
    12-205B 12-305B 12-605B
    12-5B
    12-2-6B 12-306B 12-606B
    12-6B
    12-207B 12-307B 12-607B
    12-7B
    12-208B 12-308B 12-608B
    12-8B
    Probe Nr.
    Gesamtbewertung Bewertung
    der Bildquali- der Haltbar-
    tät keit
    Bewertunpsmaßs tab ... ausgezeichnet ... gut Tabelle B9
    Probe Nr. 901B 902B 903B 904B 905B 906B 907B
    Si : C Target
    9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8
    (Flächenverhältnis)
    Si : C 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild- # # X
    qualität
    : sehr gut : gut #: für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle B10
    Probe Nr. 1001B 1002B 1003B 1004B 1005B 1006B 1007B 1008B
    SiH4:C2H4 9 : 1 6 : 4 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8
    (Durchflußgeschwindigkeits-
    verhältnis)
    Si : C 9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2:8,8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild-
    # # X
    qualität
    : sehr gut : gut #: für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle B11
    Probe Nr. 1101B 1102B 1103B 1104B 1105B 1106B 1107B 1108B
    SiH4:SiF4:C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchflußgeschwin-
    digkeitsverhaltnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    (Gehältsverhältnis)
    Bewertung der
    Bildqualität # # X
    sehr gut gut # für die praktische Verwen- X Erzeugung von Bildfehlern dung ausreichend Tabelle B12
    Dicke der amorphen Schicht
    Probe Nr. (II) (µm) Ergebnisse
    1201B 0,001 Neigung zur Erzeugung von Bildfehlem
    1202B 0,02 keine Bildfehler während 20.000 Wiederholungen
    1203B 0,05 stabil während 50.000 oder mehr Wiederholungen
    1204B 1 stabil während 200.000 oder mehr Wiederholungen
    Tabelle C1
    1
    cr
    rn
    I in iL.
    E o o
    Schicht- Verwendete urchfluß- tladungs- Schicht- Schicht
    ,il X Gase geschwin- Durchflußgeschwin- leistung bildungs dicke
    S H rn > E o ~ ~
    u-r digkeitsverhältnis <W/cm2) geschwin r iu
    ub R / digkeit
    min ) (nm/s)
    cTJ L1 \ r( rl
    e SiH4/He=0,05 5iH4+GeH4 GeH4/SiH4=3/10 0'l,,8 0,5 ,
    .fiH .
    I xn o >
    II
    m
    3 4 sr 11 n
    0
    NO NO/<GeH4 3t iH4)=3/00
    tn z \ cn z
    a)k TCI + -c(
    ¢ O l v in =
    w ~~~~~~~~~~
    rn e a) o U
    c( c, C3
    <u SiH4/He=0,5 , |-ri V) vom 1,5 20
    I C3
    0 O Y
    2 C
    c Q) ru X O -c(
    aa m m z
    I
    QI m o o
    S E o o o
    ,u i u O Fi H
    W 3-, l + ll ll
    rS @ E v v v
    u u x z :: :n o 5:
    v {n O o ~i ~l en ~i ~i
    J a) ox Z E u) 11 en v.
    n moc, -
    tn tn n
    o o I tn en
    o v X o - v
    fi o o ,v o o
    O 11 | ll 11
    t Q O Q
    v tn : Cr: v =
    X e, @H @ N o rSi B
    > i;O uz, U ,r, z its in U
    = O z
    SD U 4J U H
    w,. § i iH
    en Pc o S
    l z u 3 u
    s -, ,s (li b s s
    u U mu
    ,i Pi h Si
    tSn ti ( I ) 4qDI0DS aqdlow <
    Tabelle C2
    oD c
    -lr E cr v,
    CU =i 1
    O -r - rc
    rßa
    Icnc
    , Verwendete urchfluß- tladungs- Schicht- é
    0 -r( ar Gase c i
    en. RXt
    igkeit digkeitsverhältnis 2 oa- 1
    I
    min ) (nm/s)
    (Norm-cm3 / (W/cm) digkeit (m)
    Erste
    fi SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 Gefl4/SiH4=l/l0 0,18 0,5 1
    I sn o
    < B2H6/(GeH4+SiH4 )=
    3L) C'
    Crc o C C5 0
    s H o x o
    O :a -r( zr c(
    u,C rß
    Qc r( c(
    NO o 11 v tn ll
    e: > v ~ + sr
    3u,
    ,H fi -i Ci ,s
    Zweite (I i GeH4/SiH4=l/l0 0,18 au n
    U iC D O Y 9)
    Lc I 1 X 3C
    Li m X 5 i O
    afa cn m n z C
    mmz
    I SiiI4/He=0,5 SiH4 =200 0,18 1,5 5
    a l n :S :: o
    z C E ¢i ai O
    ,-i--i fi o t, i Fi
    W 3 ,,i l ^ + + ll
    S S O E v sr sr
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    PwJ zD - i Z e u) 11 rn 11 uz
    G mr -
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    O 11 ß 11 tl 1*
    'c O ¢t o ¢t @ ¢a
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    o gt ,x o N o rwi ¢t ,o
    > r) rn r) lr, Z rn rv > rn
    w v v
    s o z ai s
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    w ,x , W ,x
    , i th SU ¢3t SO Li O
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    o tti
    Hi Q
    o ^ ( I ) 44DIQDS aqdlow
    te e
    Tabelle C3
    I
    cl
    c
    UXE Si o
    c( C E
    s: U cu o
    0 -1' N
    cna
    1
    Icnc
    U3CQ)VI In In
    r( aor\ c
    6 rc rn t E o
    U c( Q) r( C
    I
    5 Gase 'T\(V
    E,G, <Normcmmin 3/ o [1;:$a{S d<igSkeh}t (m)
    o
    I tn et
    c 14? H e <4/SiH4=3/10 0,18 ll 2
    C H mr
    3 v v ll
    tH o x n I
    E o
    rc
    O Ll m + -c( cJ
    tTl' a, a a rn a
    Q 2 I +
    rn Q) 9
    H w r ~ ,4
    u F rn ~ n O n
    NO aJ <GeH4+SiH4> =1/100
    U 9 \o o \o
    kO\
    -i-H Q to x o es
    a Q) N X O N
    aa Zu SiH4=200 0,18 1,5 20
    I
    e I rn m O
    ^ i~ E aD o
    9 H D U r) A
    W 3 F l + ag
    SS o E v v
    U U X h C O X
    Li tn m o ~i ,4 to ~
    -J O wI z E rn 11 rn
    iS ¢ t
    u) un n n
    o o l ur l
    aJ - - o - o
    D o o H o i
    C) 11 11 11 11 11
    r ¢i aw tli a ce
    3 0 s D v k0
    h en X X X X X
    @ e e i o wH N
    > r) rn r m Z rn m
    1
    @ o fi o
    4J H -i -i
    s Hi r¢ rn t3 rsn
    u e,
    n
    o , ( I ) 4qDIqDS aqdlot
    Tabelle C4
    Probe nr. 401C 402C 403C 404C 405C 406C 407C 408C
    GeH4/SiH4 (Durchfluß-
    geschwindigkeits- 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1
    verhältnis)
    Ge-Gehalt
    4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6
    (Atom-%)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut Tabelle C5
    Probe Nr. 501C 502C 503C 504C 505C 506C 507C 508C
    Schichtdicke 3,0 nm 50,0nm 0,1µm 0,3µm 0,8µm 3µm 4µm 5µm
    Bewertung # #
    : ausgezeichnet : gut # : für die praktische Verwendung ausreichend Tabelle C6
    c, 1
    c
    u N
    -ri 21 E o
    CU h(
    I rn C:
    C: r- 3 Hio u) u)
    u rchfluß- 5^ s Q n v
    aufbau Gase o Dghflß5h stung bildungs dicke
    cccmE
    0 r( Q) c( C
    rn R i X ~
    v,, (m)
    min ) <nm/s)
    Erste
    Schicht SiH4/fle=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=5/10 T > 3 2
    Tot =50
    1 B2H6/(GeH4+5iH4)=
    3 fi v ll un
    o 3: A I
    U :rd r( s o
    - cn C
    NO Li (GeH4+Si}!4) in + ~i X
    ¢ Q1 11 v rn rm
    ci + II
    m Q)
    Zweite C3 r
    iu SjH4/fle=0,5 SiH4=200
    I C
    ur \O O Y
    tt PH3/SiH4=9xl05 0,18 20
    3 Q) NX O C
    La C3 v)Z P
    I
    (Probe Nr. o
    Hi fi o r~i N
    W 3 H l + ll
    S,C O E v v
    O O X L"~ X o :::
    h iU} tD O Hi e -,1
    ~i o -t i Z e n 11 rn
    En ln n o
    O O I ur rn <0
    ai ~ ~ o ^ I
    ;) O o 4 O O h
    @ 11 GI li 1 ~ Z
    X Ç O tF
    3 iO s o v \ O
    hin :n x x :: n z
    ,v ,r *H X iN o x n
    > O vz U m z v) X
    4 u 4J u
    S 2 &,so 3tá
    iD ta ~
    n
    su (I) ) DS aqdlo
    u) e
    l i
    Tabelle C7
    c>
    U Q) c
    E Ln n
    L:U -i
    U ri ~
    rna
    IcnC
    cl t-1 c,
    n m
    UQ)VI
    r(3US(\ O r
    : s: tn O E
    U r( Q) - C
    rn PIY
    I
    (nA
    cr,
    r( SiH4/He=0,05 SiH4+Ge}i4 GeH4/SiH4=i/10 - oHo o
    o =50
    -3'C t II'
    8xlO
    U :a r( 9 o
    NO Li (GeH4+SiM4) cn j
    d o + II
    i n I iO v v
    -cl C3 = Je
    u H n Sik<4 =200
    ur 9' u, O V
    Lt Lcc\ m
    a, PH3/SiH4=lxl05 0,18 X
    a X V Q a:) z iN
    I \ sr
    D c E o°
    H-,t sfi U O N
    v 3 4 l + ll
    S < o E t v
    U U V Li C X O ~
    4 ft i o 9 wF n *
    : o 4 Z E tn u n
    a mr ~ ~
    ,n in n
    o o l ur o
    o v o - l
    v o o H o o
    @ bI 11 11 11 ~
    t o o O O ll
    C 3 z ~ r~ al
    o \ X X \ :r
    3 0 v er K0 sr \
    S4 in 3: :2 ~ r~ o
    o X oF Q N o x
    > O ,X iJ m Z (n ffi
    4
    JJ3 W3
    l iks 3s
    s :s X u] s u)
    u ,r, 0
    q Q
    o H ( I) 443l4DS a4dJow
    (Probe nr. 602C) Tabelle C8
    rJ
    U 1}
    E o
    Cu i
    U r( n)
    u) a
    ; urchfluß- ladungs- Schicht- C 3 -1 in sn
    U3C Q) rn
    aufbau Gase x \ o ~
    C r( v, 0i E
    U-r4 iO-F Q) - C
    (Norm-cm 1 digkeit
    inwN - X
    Erste
    rg SiH4/He=0,05 SiH4+GeI4 GeH4/SiH4=3/l0 in 0,5 1
    c( =50
    oo
    I v,
    3 c, II I
    NO NO/<GeH4+Si ~ - ~r X
    m m 15
    W-,4 SiH4/He=0'5 L) -r( C3 -c(
    0 -4
    so H /IIe=iO3 t 6/51H4=3x10 o s 20
    Lttr\ =-I\ u
    2 c E o o
    H H fi u P N
    W 3 ,x l + ll
    S S o E v sr
    u ux v c x o x
    S n m 0-tj .r n -,4
    q z E vn 11 iOn
    s c -
    in uo in <'
    o o o H o- lo
    O 11 11 11
    fa = Cf X X iO
    o3 @ o \ \ £
    L, ln :;: x x x
    O e 9 o @~
    > u ifn v m z ifn X
    s is s
    X Ui JJ U
    s : X su 3 U
    UQ
    u D ( I } 443 S 84dJow
    fn e
    (Probe Nr. 603C) Tabelle C9
    O o ~ H | H | In
    u ,s
    rß Verwendete urchfluß- t -t------ . ,
    +1 Gase tT\-rl Dgh1fl5ßSh1W5 leistung bildungs dicke
    UL: Q) cn
    r( aor\ n r/i Ln
    u ::s s O fn
    ,4 fa o X \ ,n n rn
    S H rn tr E v v
    min ) r( (nm/s)
    Erste SiH/!e=005 SiH +GeH GeH /SiH =1/10 0,18 0,5
    tncy
    fi g o 0 rn
    15 3 6/!e=l0 B2H õ õ
    o
    ) o
    Iro nc
    NO N0/ (GeH4+SiH4> =3/100
    5 ci ri I
    I= o h O o
    u :rrd H t H
    cn r: rß e u, x
    Q z + H < + rn
    t SiH4/e=0, OS 11 v rn 4 GeH4/5i114=l/l0 11 mr 19
    C > v @ + v v
    rn Q, a,
    ,-1 ßJ -,1 rK l =50
    iu ri rn Y In ar cn V In
    ca,
    U X H vo o ;r @ o ND
    rJI = T c(
    =1 r( Q N X O a, N X m
    oa L3-(Z'3 mrc
    1
    Dritte m
    Schicht
    U t C3
    iu 3 -( I - + + i 1
    B2I6/IIe=l03
    U U v h C O X O ~
    bk tn cr] 0 ^ ., * tn .ee rN -{
    D o ox Z E m 11 rn ll m
    rn ,n r-) n un rn rn
    o o I o o I In
    o - - o - X o v o
    D o o o o ,q
    O 11 11 ll 11 11 ll t
    X Q O o O o o rD O
    3 o Q v v Q v Q
    : rn rJ m z rn U m rn Q
    r
    fi 4J v
    S o C G) C
    O u fi u w u
    4s 44 Pl 4
    l X s o s F z
    ~C z U 3 U h O
    U ra ..
    s u ( r) 44DFQDS aqdJor
    rS e
    (Probe Nr. 701C) Tabelle C10
    . = F ~
    ri x E c( c( y
    v] Verwendete u rchfluß- ladungs- Schicht- Schicht-
    aufbau Gase cm v
    C r: 3 r(-
    igei digkeitsverhaltnls D s o uz n In In Lt)
    a u r\
    C r( cn E o o
    o nw H c a, c
    in Sa m t C--
    Erste
    z SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=3/l0 0,18 m E .
    t Dc 'D rS 0 0 0
    GeH4/He=0,05 D o
    B2H 6/He=l03 B2 H 6/(GeH4+51H4)
    =1x10
    NO No/SiH4=3/l00 ~~~~~~
    o ta ~4 ,1 0 H O 0 o1 ~I
    en,c SiH4/He=O,05 5i114+GeH4 GeH4/SiH4=3/l0 ar k ° \ O m
    O h rn + H ~ o4 ~ 1
    1a5' GeH4/He=0,05 0 NO/Si!14=3/100
    C3$ 9 m r? m
    3 rn 2 II = II II
    ~ v C rn v ,4 v v H r
    u 9 t" I 5: fn ~ x fn m
    iu ri ' I 2 V) 2 V)
    C a, o c( -c(
    h Sil!4/!Ie=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=3/100 0,18 1,5 X
    : H dW r. N ~ O NO
    a t rJ m 11 z to z z :n
    1 6/He=103 B v
    c I m s. o o
    :D SiH4/He=0, 5 Sit!4=2Q0 B21!6/SiH4=lxlO 0,18 1 o 15
    Schicht als
    U U L i C 5: 0 2 o Z
    Lx W m 0 ^ 6 In ~ L-) .,,l ,4
    z w 9 z E m 11 m 11 rS m
    n mm
    n L') In tn rn rn
    O O | O O L'') I In I
    C o X v q o o
    D o o < o o o H o <
    t 11 11 11 11 11 11 11 11 11
    X nw nw O O nW ° W O O
    C r wr r X ~ = X =
    3 , v sr xD v sr v ko v kD
    z m x x = r 2 =
    O a ,, nW to O ,4 Nw O ~# o N 4 3
    > z rn ti: m Z cm U z rJz Z m uz m
    o u 4Z o fi u v u
    WH -l*-4 v z 6
    rS S ak s -1 s nw c
    ßJ h U 3 0 )s1 0 ~I o
    s 2 X rn N m a rS > n
    u rts «
    H n
    c u ( I ) 4qDF0DS aqdIoE
    rn ta
    zu
    o
    r
    h
    z
    o
    Tabelle C11
    c, lr
    vl a
    ImC
    igkeit 0r( c,
    c C 3 H~ In S In
    (Norm-cm v v v
    min H (nm/s)
    Erste
    Schicht SiH4/He=0, Os rw-H GeH4/SiH4=3/l0 c
    cu
    U g Ú co 0,18
    (d ci \
    L)r(, n 3 ~ o o
    1 B2H6/He=103 3x10 e41 4
    NO NO/(GeH4 cn
    u
    3 3/100% 2,83/100
    r:rc o 1 c 0 0
    u :rd -ri - a
    rS L X tS S X X
    rW z rn + SiH4/He--0,05 a, II rn rn H
    c d + L. 91 +
    c2 > sr + ^ v + (
    :5 rn T O v N ~ q O
    E
    GeH4/He--0,05 uz NO/<GeH4 +SiH4 rn
    NO 319 \o o - o rr - m
    I r( 1
    v m s ~ X \ 0
    2 ~i nw N Q, O
    aro SiH4/He=0,5 SiH4=200 rss Z 19
    e l m X o
    D c E nw nW °
    H 9 v u s rsa tlN
    u 3- I ~ + + 11
    U U P C ~p ~ O :
    h fn m o H tn H In ,4
    D @ H Z E 11 11 m
    a mr ~
    un X Lr
    o o l o o u)
    n v W O ~
    | o o H o o o
    rD 11 11 11 11 11 11
    X O wl wz (w n I n x
    3 0 ~f v vD v v v
    ; rS = s X s
    ^ -1 w rN O .,+ rV ° -4
    nl Ir] r; m Z rn z Z rn
    I
    S nW C O C
    nW U fi U v U
    W ol x JJ-,
    l tn S w S H S
    W z u 3 o z u
    S 2 X rm N ts a rn
    u fa .
    H n
    s W ( I ) )DIQDS arqdlor
    n ra
    (Probe Nr. 801C) Anmerkung: NO/ (GeH4+SiH4) nahm linear ab.
  • Tabelle C12
    U Q) A I
    rir E o r rn
    U rl 1 <
    V1 a
    - Gase - DuhflßSh15 - bildungs dicke
    Irnr= In
    clrc
    s c (W/cm C a, vr In
    min ) (nm/s)
    1 V] t E , o
    Erste SiH rC5 fa ,
    rn,
    r" =50
    B g °
    26 u 3x103
    r( cn 3 4
    ci -ri O4 o
    zu Zweite C
    3c,
    s H o 3 =50
    rnC v) E vi
    Qk + r( + rl
    B 2H6 11 s 11 et ll
    C1 > +
    rn ~I Q) a, r
    I C ocr t3 r(
    W H rn n rw e u] ~ e xn
    C O \ \ SiH <U SiH4+Ge!14 GeH4/SiH4=l/l0 0,18 0,5 19
    r:a, \I C3 o \I
    Schicht -
    GeH4/He=0,05 zzx a=50
    c t O m n z n cn 3 n O
    Vierte 1,5
    1 SiH4/He=0,5 SiH4=200 \ :r t v
    D c E r= (v ~ oo
    ~ 4s 0 z rs r) N
    W 3 l + + + ll
    .C.C GV E sr sr v :r
    O U Z h C =: O NC O O ~
    h rn tr O H un - LO H L') ~I
    D nw H Z E rn 11 rn 11 m 11 uz
    n mn
    tn ,n m rn zn rs LF to
    o o l o o | o o u)
    G v o o v v
    fi o o < o o H o o o
    @ ls 11 | 11 ll 11
    X rD O Q rV aJ tJ r,D tü O
    c 3: : 2
    3 @ v sr vo s o t mr v
    X rd .~{ Q r.> O ,,4 Q N Pi rB ,*
    > rO uz z uz U m vz O uz
    fi 4Z fi w
    S U S r:J S O S
    ev u +J u 4 u fi u
    td @ 4 d 24
    rn J: U S ' = rD fC
    l h U 3 U h U -d U
    r 2 X rn e4 uz CE uz > ran
    u e
    n
    < W ( I ) l S at{d '°Und
    rn rd
    a
    (Probe Nr. 802C) Tabelle C13
    c, I
    c
    u H
    ccx E r( o
    U r(' N
    rß a 5
    IcnC
    J ir( cl
    C C 3 r(-
    U=ICQ)UI u n vr
    Erste
    In, I
    W 51H4/He=0,0 GeH4/SiH4=3/lO tun
    3 a ° +GeH Ov 18
    -3 BH/(GeH+SiH)=
    H B2H6/He=1O =50 5x2l60344
    NO -{ ll ll
    < c v
    3 c, II I
    r:rc o o o
    ri a < e t ~ ~s H
    rn SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 Gefl4/Si!!4=3/10 ¢ \ ru \ rn X0,5
    a,k m + m + N
    GeH4/He=0,05 zu =50 0,18
    c3$ + 2
    3 cn r O) e L: Q, Z
    B c, r( C3 B2H6/(GeH4+SiIJ4)=
    w ri v, Ym O, v] -m v)
    C Q, \I C3 o \ I
    U X 9 \0 O Y O cD O u)
    2
    D -r IV N X O \ 0 c9 X N
    a3 SiH4/IIe=O,5 51114=200 m 1,5
    B H /He=l03 B2H6/SiH4=2x10 0,18 Q
    I s v sr
    e l n z o
    D c £ O o o
    9$ u O N
    W 3 H 4 ~ + + 11
    tz o g v v v
    o o X sW C = o s o
    z X r 0 -1 ~1 S H n .H
    : O Z EE rn ll rn 11 rn
    S un x S ur x n
    o o I o o I en I
    U v o v v o v o
    4 o o H o o < o H
    rD 11 11 11 11 11 11 11 11
    t o o o o at rD O O
    3 0 v sr Q v v tD s
    ; tn :: x :n :: s v s :S
    X r H u N o sH O N *H N
    > U Q) U az z sn U Q rn m
    + w fi
    6 u Nc X <
    @ u fi u 4Z o
    ,C 2 . rs r:n O
    u e
    H n
    c u ( I ) )l{ Dl q DS aqdJourV .
  • (Probe Nr. 803C) Tabelle C14
    Y, rn
    u) ro
    08 U) U}
    aufbau Gase schwin- Durchflußgeschwin - ladungs- Schicht- r
    rchfluß- leti
    u u et stung bildungs dicke
    n n " ~
    (mN 3 geschwin
    in ) aJ 03
    Erste
    Schicht ol o o
    a u o o
    o
    I m o
    B2H 6/He=l03 B2H6/Si}i4=3x10 m
    u
    NO cr I hl O I
    mC X O m X
    e u s x o x
    £: Zweite a) Sill .. 1,5
    oo Schicht | 4=200 s 1
    cl cl -rl
    H 4 ,= ,X 1
    W-d tU] tvz :C 3: U]
    UX 9 IDV] U] rD
    U X B2H6/SjH4=3x10 \0
    h tr} ~ SC ò 0 N
    c] t O sc z z m
    I s et
    X l tm o
    z C E @ o
    d 4» u O to
    S S U É + sr
    o u A: ss c := o =:
    h en b o I .e tLn ,1
    z u d z E u ll m
    n 08
    r
    to tn
    o o l to
    @ v - o o
    v o o H o H
    u | ll ll ll
    X a) tv a) tf Q
    3 X v v @ v @
    @ en = : :n =
    ts 4 * tf zo o o «
    :> U uz O m z u z m
    4J fi
    s @ s
    a) u fi u
    4
    S D 'n s 3 u
    u fa . ~
    F .Q
    s ut ( I ) 4 S aNdJouw
    u] tt
    (Probe Nr. 804C) Anmerkung: NO/SiH4 nahm linear ab.
  • Tabelle C15
    e3- 1
    r Verwendete urchfluß- t ladungs- Schicht- .
    4 Gase c, n Ln rn
    c C, 3 cr -
    ocav, o =
    (Norm-cm3 o u x o
    c H tn lt
    min ) c C
    rß a ta -
    vr,
    0, 4/He=0,05 SiH +GeH GeH44 0,5
    a5u m co E 0,18
    r rn 3 4 4 0
    lxlO5
    I v,
    3c, II I
    5 ri o C o o
    u SiH4/He=0,05 SIH +GeH GeH
    rn cn s: rn x
    o k 9 + 9 H + =50
    ai a, rn II cr II
    QS csZf 92
    D rn S tv v = tv =
    ci c, j -I C1 C3
    w Y
    C a> o \I
    o x v to o o v Q o £
    v m 2 =: H o ~ s :z: ~ =:
    D98 u N x o \ tv t, SiH N
    bzw 6/He=10 m 6/SiH4=3x10
    l \ v v
    C l n s r o
    D C E O tV O
    f r<,> O ts N
    W 3-H 4 ~ + + 11
    C S O E v er v
    u uX v c s o = o s
    z tn r 0 -4 -t ,n ,1 to H
    2 tv-9 Z EE n 11 tS 11 tz
    n
    S un m en In C1 n
    o o l o o l n l
    4 O O 9 O O H O H
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    O rt
    H a
    . m U ( I ) lt,lD5QDS aL{ti.lOtU\2'
    (Probe Nr. 805C) Anmerkung: NO/ (GeH4+SiH4) nahm linear ab.
  • Tabelle C16
    Be- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- Schicht-
    dingung Gase schwindig- verhältnis oder Flächenver- leistung dicke
    keit (Norm- hältnis (W/cm²) (µm)
    cm³/min )
    12-1C Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2C Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    12-3C Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =6:4 0,3 1,0
    12-4C SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5C SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6C SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7C SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8C SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3:3:4 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    Tabelle C 16A
    Herstellungsbedingungen
    der amorphe Schicht (II) Probe Nr. / Bewertung
    12-201C 12-301C
    12-1C
    12-202C 12-302C
    12-2C
    12-203C 12-303C
    12-3C
    12-204C 12-304C
    12-4C
    12-205C 12-305C
    12-5C
    12-206C 12-306C
    12-6C
    12-207C 12-307C
    12-7C
    12-208C 12-308C
    12-8C
    Probe Nr.
    Gesamtbewertung Bewertung
    der Bildquali- der Haltbar-
    tät keit
    Bewertungsmaßstab: ... ausgezeichnet ... gut Tabelle C17
    Probe Nr. 1701C 1702C 1703C 1704C 1705C 1706C 1707C
    Si : C Target
    9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8
    (Flächenverhältnis)
    Si : C 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild- # # X
    qualität
    : sehr gut o: gut : für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle C18
    Probe Nr. 1801C 1802C 1803C 1804C 1805C 1806C 1807C 1808C
    SiH4:C2H4
    9 : 1 6 : 4 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8
    (Durchflußgeschwindigkeits-
    verhältnis)
    Si : C 9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2:8,8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild-
    x
    qualität
    : sehr gut : gut #: für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle C19
    Probe Nr. 1901C 1902C 1903C 1904C 1905C 1906C 1907C 1908C
    SiH4:SiF4:C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchflußgeschwin-
    digkeitsverhältnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2: 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der
    X
    Bildqualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle C20
    Dicke der
    Probe | amorphen
    Nr. Schicht (II) Ergebnisse
    (µm)
    Neigung zur Erzeugung
    2001C 0,001 von Bildfehlern
    keine Bildfehler während
    2002C 0,02 20.000 Wiederholungen
    stabil während 50.000 oder
    2003C 0,05 mehr Wiederholungen
    stabil während 200.000 oder
    2004C 1 mehr Wiederholungen
    Tabelle D1
    I
    cl n
    c 4
    Schicht verwendet urchfluß- Durchflußge- Entladungs- b S
    - Gase eschwin- schwindigkeits- leistung bildungs- dicke
    cr t-rc c, qeschwin-
    digkeit zuv va, m
    min u (nm/s
    r e
    CrlrntE
    Schicht a 4 4
    I =50
    cn 1,5 10
    D C CD aD O)
    X DN 0 0
    Amorphe SiH4/He=0,5 SiH4=100 5i1I4/C2H4=3/7 c, E 1,0 0,5
    fi (11) C2H4
    C @ 3
    X H
    W o \
    a) X 9 n
    ts \ N
    h S h CD er
    D e Ow o o
    s s e I o :1: 5
    z @ Hz E m ll m X
    .n mfn~ .
    o o u) Ln
    @ o o^ o o-
    X5 illl :K :;:
    3 @ v v v v v
    h U} 3 x z =
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    s O z
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    fi Od ¢ H
    u} s O s H
    l h U 3 U ~
    fi rw u) eq cn
    s D @W
    u e ss
    s W (I) ffi u
    U D )4DI4DS o S
    uz e aqdlow Q u
    Tabelle D2
    1
    I
    cl
    U(Uc q, o
    -rcX E
    4 OW
    I I
    CIr( L,
    C3c(- n n
    U 3 C Q) a
    -r( auro
    CcnbB
    cn a acr -;
    I
    m
    tT
    7C c
    07u ao <x>
    rd U E c(
    -I V1 O s
    CI c(\ 0 0
    r:a, 3
    Wrc
    I
    Schicht Verwendete urchfluß- Durchflußqe- Entladungs- U) II
    2
    iu r:rc 3 o
    (Norm-cm 1 digkeit
    n
    Erste SiH /He=0,05 SiH +GeH
    I 4 4 4 GeH4/SiH4= 0,18 0,5 8
    olm too o
    Zweite 1,5 10
    Schicht a, E 9
    h 01 > O '9 H u=) ~4
    z o -H Z E X 11 m
    n te~
    ur tn
    o o tn
    fi o o o
    O 11 ll 11
    3ul x,X, \.r
    > c) -0 O u]
    4Z
    s o z
    o u fi u
    JJ H --
    r
    4 h U 3 U
    s 2 Mm Nm
    un -
    s W
    u ( I ) l4DIqDS
    . ~ aqdJouw
    Tabelle D3
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußge- Entladungs- Schicht- Schicht-
    aufbau Gase geschwin- schwindigkeits- leistung bildungs- dicke
    digkeit, verhältnis geschwin (µm)
    (W/cm²)
    (Norm-cm³/ digkeit
    min ) (nm/s)
    Erste 0,5
    SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=4/10~ 0,18 2,0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 =50 2/1000
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20
    Schicht
    Tabelle D4
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußge- Entladungs- Schicht-
    Schicht-
    aufbau Gase geschwin- schwindigkeits- leistung bildungs-
    dicke
    digkeit, verhältnis geschwin-
    (W/cm²) (µm)
    (Norm-cm³/ digkeit
    min ) (nm/s)
    Erste
    SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4= 0,18 0,5 2,0
    Schicht
    GeH4/He=0,05 =50 3/10~0
    Zweite 1,5
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 15
    Schicht
    Tabelle D5
    I
    cr
    ua, 03
    cuE o o
    rnOl
    I
    3 2 geschwin- (m)
    c olc( c, (W/cm
    1= 1 iqkeit
    min c soo u)
    -r( aox\
    z H to ¢ E
    u aJ c
    mQ Schicht SiH4/He=0,05 SiH4 +GeH4 GeH4/SiH4=8/l00 f 0,5 C
    I
    a7N Si?14/He=0,5 SiH =200
    <W e ~ H
    < u) u c) o
    l e
    oxX 0
    s 93 s X
    h S h O
    u U ~ o o
    s
    In Ur
    O o'o- o'
    30 t- \D
    . O Õ v U
    fi ,1 o
    < : X ° oq r
    u e
    H n
    tu D (I) ) DS
    u] U atldJouw
    Tabelle D6
    I
    u] X
    C
    Ua,
    r( iC c
    r:UE Qi In
    s S u] ¢ c
    u ^ o ^
    I I
    IU)C
    +r tc( CI, rn In
    0 3 C Q)
    - u x E
    L1 2
    aufbau Gase geschwin- schwindigkeits- leistung biungs- dicke
    zC 3 verhältnis (W/cm2) geschwin- rs
    (Norm-cm / digkeit
    min Ccc
    h Schicht SiH4/He=0, S SiH O
    Schicht SiH4/He=0,5 c E ~ õ
    S 3' E+ N
    a ° fi Z É uz
    ur ur
    o o tn
    fi o o o
    o | ll
    X o o o
    s i ~
    :> O u] O u]
    d
    D 4
    s o s
    o u 4J u
    l u} s o s
    S h U s r
    s uW
    u D ( D F q D S
    Tabelle D7
    I
    =
    6
    ua,
    rna- c(
    1 I
    C C 3 ri -u S S
    H t u x v v
    min X nm 5
    u Erste SiH 0,18 0,5 c
    Q) R CX X
    ll
    U
    U c
    g =N 0 SiH4/He=0'5 ru
    e W E H 5 ~
    H u}
    fi 3 o o
    e
    4) o
    > X
    su 3 se \
    a u, > ~e
    2 C E O o
    n Õ Z E r °
    tn tn
    zo O =-
    - s oc
    Q u fi u
    S Ul S 3 S
    H R
    u D ( I ) )NDFQDS
    en e atldlouw
    Tabelle D8
    I 1
    I
    ß -- -
    oa,
    -r)X c 0 0
    CUE ri
    0 -rl
    via-
    I I rn rn
    lu)C ~
    C e -
    L) 2
    aufbau Gase geschwin- schwindigkeits- leistung biungs- dicke
    3 2 \o
    digkeit verhältnis x en vD
    (Norm-cm /
    ci a L) c(
    min ) (nm/s
    rste
    $4 5i2H6/!Ie=0,05 5i2H6+ GeH4/Si2H6=l%0 0,18 S 10
    -roa, a,
    au>> ~ O
    <CI I
    H weite
    W 3-,l + un N
    zur zu Sill4=200 s O e - ,, 10
    U U X h C = v t
    h Ul ¢ 0 o4 > = ~
    : X H Z E H O H
    a mM uz O Q]
    w ur -
    o ur
    o oo o'
    3 0 = r \
    h Ul to ~
    > rO uz O V]
    o u 4Z u
    l W H -
    u ra ,41 rn 3 U
    s W
    u z (I) RQDTQDS
    aqdJowe
    Tabelle D9
    I
    c, o o
    ua,
    cuE rl
    U -r( Gase geschwin- schwindigkeits- leistung bildungs- dicke
    JJ C)
    I geschwin- I
    IcnCr
    min ) (nm/s)
    Erste SiF/He=005 SiF 3 G eH/SiF=l0 0,18 0,5
    U3C Q, oi
    x o
    Schicht tr 4 4 44
    u H o H C
    uz Weite - 1,5
    v, SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 10
    c CS
    a 4 E rxz .
    fH u u o o
    l. o
    r. :r O
    au> rt o
    ~ - U tD r°s
    S S õ E [4 o =:
    D o Z E rn 11 m
    S
    ur tn
    a) oc o
    O 11 11 11
    30 oo r
    z (n N v t
    @ U ¢H o oH
    > O u] O u]
    4Z
    osu os
    v 9 ,1 ,4
    S D h U O S .
    u e
    H n
    s W I ) ) q D ,T q D S
    , v] < aqdJouw
    Tabelle D10
    I
    u<e H ~
    r( A
    CuE o o
    U cr
    S C 3 H tn ul
    I I
    IV)C
    C r: 3 ri v, In In
    U 3 C a,\
    - 7! u r E o
    C,-( rn t C
    U ri a> c(-
    a tra
    vl
    ca\
    aru ao
    A
    rß Gase geschwin- schwindigkeits- leistung bil,ungs- dicke
    cl
    I ri +
    omx u) xt
    min 1 -{
    Erste SiH4/He=0' Os SiH4+SiF4 GeH4/(SiH4+SiF4) 0,18 v 10
    H Schicht Sii'4/He=0,05 +GeH4 =50 \mro
    U3 Z
    3 U a, Os
    | s er
    Zweite SiH4=200 0,18 I n L o o
    D C E H S o
    W 3,< IU~ + v rs
    ss @ E £r v
    U U X h C 2 0 X
    h {n ¢ o -H H z H
    D o H Z E en + rn
    a crt
    n ur ur
    o o o tn
    Q v
    W o o o o
    au | t1
    t o o o a)
    c x 3 7« x
    3 0 v sr v v
    h Ul X C4 3: X
    o ra o -s
    > O u] uh
    s o s
    o u v u
    l v 6 r
    W en S o s
    Su na h U 3 U
    s n
    u D ( I ) 4 TQDS
    Tabelle D11
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußge- Entladungs- Schicht-
    aufbau Gase geschwin- schwindigkeitsver- leistung bildungsge-
    digkeit hältnis schwindigkeit
    (W/cm²)
    (Norm-cm³/min) (nm/s)
    Zweite 1,5
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-5 0,18
    Schicht
    B2H6/He=10-3
    Tabelle D11A
    Probe Nr. 1101D 1102D 1103D 1104D 1105D 1106D 1107D 1108D 1109D 1110D
    Erste Schicht Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    130 131 132 134 135 136 137 138 139
    Schichtdicke der
    zweiten Schicht
    10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    (µm)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut
    Tabelle D12
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußge- Entladungs- Schicht-
    aufbau Gase geschwin- schwindigkeitsver- leistung bildungsge-
    digkeit hältnis schwindigkeit
    (W/cm²)
    (Norm-cm³/min) (nm/s)
    Zweite 1,5
    Schicht SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-7 0,18
    PH3/He=10-3
    Tabelle D12A
    Probe Nr. 1201D 1202D 1203D 1204D 1205D 1206D 1207D 1208D 1209D 1210D
    Erste Schicht Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    130 131 132 133 134 135 136 137 138 139
    Schichtdicke der
    zweiten Schicht
    10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    (µm)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut Tabelle D13
    Be- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- Schicht-
    dingung Gase schwindig- verhältnis oder Flächenver- leistung dicke
    keit (Norm- hältnis (W/cm²) (µm)
    cm³/min)
    12-1D Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2D Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    12-3D Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =6 : 4 0,3 1,0
    12-4D SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5D SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6D SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiH4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7D SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8D SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3 : 3 : 4 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    Tabelle D13A
    I I I
    - 3 0 C IL( I
    ,oH oorod S o D - c,o~
    gungen der Probe Nr. / Bewertung
    Schicht (11)
    o a a a (rZ, l2-30lD zztffi a o a 12zD o l2-701D 12-801D 12-901D l2-1001D
    ONOmO o
    0 0 O C, O 0 0 3
    ~s , o1 ~ ~ 4 -1 ~ . H
    o N o N o C,co, N r:o; c: o r: o
    r( r( r' rl
    ro O 0 0 zz 0 0 0 0 0 0 0 0 Ja o o 0 0
    r-1 r( rSt 12-504D ~4 ~ ~
    a o a Cp' @) o Co @ o a (õp m (òs 2 OG g C0i o å o
    0 0 O C O Q
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    l2-206D , 12-4060 (fi) c O a o
    tU vD D vD Qa) vC QD XD | xD ~
    R tN O tN O tN O tN 12-407D tun N (i ,: tN O N O
    Q) (U /N N O
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    F1 O tN O rJ O <N rb tN ta rN tB rN O rN O
    ,H ,v otq tq bd ,- ,k
    a o a o a o a (b a 9 : qó, a o a o
    o o ~ o . cD . cD a o ~ o ~
    tN O tEl O tN O tN t ÒJ tN íO) N %N q O tN O
    H H ~H ~H 9 ~ ~ H
    a o a o a o a (E} a o, Dz WÒJ C) O a o
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    p X O ~I ~4 ~ I I rl rl i
    t HE
    X DD(2
    Probe Nr. / Bewertung
    Gesamtbewertung der Bild- Bewertung der
    qualität Haltbarkeit
    Bewertungsmaßstab: : ausgezeich- : gut net Tabelle D14
    Probe Nr. 1301D 1302D 1303D 1304D 1305D 1306D 1307D
    Si : C Target
    9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8
    (Flächenverhältnis)
    Si : C 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild- X
    oualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Ver- X: Erzeungung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle D15
    Probe Nr. 1401D 1402D 1403D 1404D 1405D 1406D 1407D 1408D
    SiH4:C2H4
    9 : 1 6 : 4 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8
    (Durchflußgeschwindigkeits-
    verhältnis)
    Si : C 9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2:8,8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild-
    X
    qualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle D16
    Probe Nr. 1501D 1502D 1503D 1504D 1505D 1506D 1507D 1508D
    SiH4:SiF4:C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchflußgeschwin-
    digkeitsverhältnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der
    Bildqualität
    X
    sehr gut gut für die praktische Verwen- X Erzeugung von Bildfehlern dung ausreichend Tabelle D17
    Dicke der amorphen Schicht
    Probe Nr. (II) (µm) Ergebnisse
    1601D 0,001 Neigung zur Erzeugung von Bildfehlern
    1602D 0,02 keine Bildfehler während 20.000 Wiederholungen
    1603D 0,05 stabil während 50.000 oder mehr Wiederholungen
    1604D 1 stabil während 200.000 oder mehr Wiederholungen
    s O -
    s x E H
    u to
    tn v
    IVIC
    4
    C 3 ri - rr, o
    ri Verwendete urchfluß- tladungs- Schicht- Schicht
    aufbau Gas 1Sh1' U'urchflußgeschwin- leistung bildungs dicke
    tnn oL5~ ~ ~
    rn
    Ho min
    0 03 a3
    Erste SiH4/He=0,05 SiH cl GeH4/SiH4=3/10 rc
    Es- o o o
    I m 6/(GeH4+SiH4)=
    xlO o t
    r( c m
    3c,
    Crc o
    U :rd rc r( II
    U) L: V1
    3m SiH =100 3: C U
    rl C3
    iu r( V] Ym ..
    W C a, \I
    ~ S -4 Q to x *
    n I s sr
    Eq cl 8 ts := o o
    D < E O o o
    P u O tlM H
    W4 3-4 l ^ + ll ll
    S J: O E v v v
    u o X v c 3: o v :s
    W rn ts 0 ^ ,1 tn .,4 ,4
    D o F z E tn 11 tn n
    L
    o o l u) u)
    fi o o H o o
    D | ll ll
    eSV @ @ D X @
    3 @ v sr tD sr v v
    24 rn =: C :x: :
    ID e F @ tN .H . to
    :> O (n O az tn tn cD
    a)O Ns H
    ì z SU d = H
    S :s W1 rn N tn s s
    u e - oWu
    .a h d
    u 2 ( I ) ltlaltlaS o zu
    tn e aqdJouw Q r,n
    Tabelle E2
    Schicht Verwendete urchfluß- Entladungs- Schicht- O O r
    aufbau Gase Q c
    rn digkeitsverhältnis erz geschwin
    3
    I / digkeit (m)
    C OE tN
    Erste
    Schicht ZuY r( SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=l/l0 3 r o
    GeH4/He=0 OS =50 0,18
    U B2H6/( GeH4 +S iH4)=
    sH o v o
    o
    U SiH4/He=0' Os SiH4+GeH4 GeH4/5iH4=l/l0 0l8 015 19
    GeH4/He=0,05 n rn
    0
    Dritte OX SiH4=200 0,18 1,5
    t SiH/He=05
    O I s er sr
    n D c E x x õ
    W 3 H 1 ~ + + 11
    ScSc O E v v v
    U U V h C r o , O ~
    z rn G 0'-/ - U1 ,i Ln -¢
    : Z E rn 11 en {1 tn
    u) ur n ur S
    X o- o l o o S-
    v o o ~ o o o
    O 11 11 11 11 11 11
    n O Q Q @ Q Q
    C : X = X
    3 aJ sr v £ v v v
    z X = v = r
    O n5 H (D sS ~ ,{
    > z tn r: m en rs en .
    C r I O I >
    (D U V U V U
    v > 4 H
    vC 5 X rSn 3 U D U]
    UQ
    r tu ( I ) 4 q D I q D S oN d ] ow
    Tabelle E3
    I c,
    u -
    rcX E
    C U N O
    tn Mv
    rna
    r 1
    c P-r( c, y)
    Schicht- rn o Verwendete v
    aufbau GaseX s
    C r v, t E
    cn,
    C tCJ
    eIn ~
    C O) tN
    D c E e
    ta SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 (;ejI4/SiH D u co r4
    ft- s
    AH - - -
    B Ii /He=10 - B2H6/(GeH4+SiH4)=
    26
    u
    5xlO3
    vc SiH SiH 0,18 1,5 20
    vl C X
    Schicht 4/He=0,5 4=200 x
    Or' Q) II II
    ¢ @ ll v ll
    C > tr v
    H; r ~4
    W-H tn ~ ,t, tn
    u X v u o vo
    id Q N X tN
    azv W m S m
    l s v
    e I rn :n O
    D .c fi Su O N
    W 3- l + ll
    Sc s @ E v v
    o vX z c = o x
    L en vY 0 H .,» ,
    Z ER tn 11 tn
    n mr -
    un n
    o o l M í
    v o o o4 o ~
    tD 1l 11 D 11 11
    frs tu @ (U tu tu
    3 X v v W v Q
    al trs . 4 ,4 ] N
    > O qn O m rn m
    @ Q W u
    DH -
    l 0 < @ =
    v k Q 3 u
    c :s X tn s tn
    u trs
    d n
    oC W4
    u D ( I ) lMalMaS aqdlow
    rn tts ~
    Tabelle E4
    Probe Nr. 401E 402E 403E 404E 405E 406E 407E 408E
    GeH4/SiH4(Durch-
    flußgeschwindig 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1
    keitsverhältnis)
    Ge-Gehalt
    (Atom-%) 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6
    Bewertung
    :ausgezeichnet : gut Tabelle E5
    Probe Nr. 501E 502E 503E 504E 505E 505E 506E 507E 508E
    Schichtdicke 3,0nm 50,0nm 0,1µm 0,3µm 0,8µm 3µm 4µm 5µ
    Bewertung
    :ausgezeichnet :gut :für die praktische Verwendung ausreichend Tabelle E6
    Ic' I
    c
    oa, Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- N Schicht- I 0
    S Gase geschwin- digkeitsverhä.ltnis dungs- bildungs- dicke
    U r( N
    tn t~
    I I
    I rn C
    cr I c,
    Erste H rn
    0 3C 9) u)
    -4 X a o r Zuu 09: s
    sH 0 O E
    u-d =50 B2H6/(GeH4+5jH4)= 0,18 2
    0 - Q) r( C
    vl trY
    C-
    I SiH4/He=05 I 34 0,18 20
    rr5 tn 4 EE H H
    H m0 u X v
    » c-s o o
    c Q) 3
    3= oSw go
    H-3 V U v o
    o o l u) m
    W - - o o lo
    t tl tu tu au 11
    c z x @
    3 tu tn O m x
    v W
    s tu s
    (u U 4 u
    rn S (U C
    l k u 3 u
    4 X1 rn s rn
    Sc D -
    H n
    u 2 ( I ) QiNiaFQiaS
    uz aqdJouw
    Tabelle E7
    Tcl I
    oa,
    cX-
    COE n y,
    0 - 1
    l 0ic
    I I
    Irnc
    J tF
    O1Q)tn
    -ci a o r \ o
    rrctrE
    U r( g) rl C
    <n a rro -
    C I
    H H * u o o
    I I rCV ao cO
    acnmE r( r(
    cl t' VO OI 0
    a 1
    0 Gase eschwin- keitsverhältnis Ln bildungs- dicke
    I lei':s5ung geschwin- (m)
    (W/cm ) digkeit
    min ) (nm/s)
    Erste Sii4/}Ie=0,05 v ~ ~
    ri Schicht GeI!4/He=0, 05 =50 B2H6/ <GeH4+SiH4) = 0,18 15
    rwS B2H6/He=l03 tn YCP 1,5
    \ SiH4 =200 0,18 5
    Qlm a ,, E o Ob
    ur
    cc o'sO
    v H -
    0= O <
    h O 3 U
    v L n N rn
    UQ
    tu D (I) QiMaFMas
    , rn < aydJouw
    Tabelle E8
    - <
    oa,
    u @
    S Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- u Schicht- E H u
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis dungs- bildungs- dicke
    cna- diakeit
    l0c ' l
    min ) (nm/s)
    U3I=Q)cn
    -r( SiH4/Ie=005 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=3/l0 0,5
    U ci Q) =50 B2H6/(GeH4+SiH4)= (u-F c
    n n ¢
    Os
    c -
    l í > co
    -4 ¢ Ú ~ B2H6/SiH4=9x104 0,18
    c Dc (u 3 o o
    X t <
    I rn
    3C O: 10
    {i0uisq ~ . X
    r > lì q- llet
    n rn s o s
    H v 9 O -4
    S (U rn v X
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    i
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    u 3-H 1 ~ + 11
    S S u E er v
    u u X iC H s o s
    i4 0 m o 8 F ut oX
    :3 IU-H Z Ei rn 11 rn
    ur rn
    o o I tn I
    fi o o < o H
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    ra Q (u (u
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    Q W
    s 'u s
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    rn S U S
    l h U 3 U
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    u U
    ,c W ( I ) qi qj D F q D S
    n e axqdJoury
    Tabelle E9
    V
    e
    OQ)
    rcX-
    ruE u, U1
    0 r(
    rna-
    I I
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    rn n
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    r( aor\
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    0 c( a, I c:
    (0 P"C1
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    51:
    arvlE
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    I
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    c ll
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    aufbau Gase o
    UM geschwin- zum
    (Wjcm a ar
    min ll v ll
    c3 C
    L( I Q) C
    H (u H O oj
    Schicht SiH4/He=0105 SiH4+GeH4 GeH4/SiJ4=l/l0 0,5
    cv, \I
    ucr a von B2H6/(GeH4+SiH4)= 0,18 so
    a X iD m a N hl
    C3 m a\ m
    o v
    m 'J SiH4He-, l n s 5
    ricr+lg 3 v ú o
    WX 3 -{ l ^ + le
    S«C IU E X o ~£
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    a
    ur tn
    o o l ur l
    (u o- o < o- Ho
    v @ u u @ (u
    X s X *
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    (u u (u u
    vF 4 d
    0 s F#c
    í v U a) u
    v X n e4 rn
    s D
    u e
    s W ( I ) lM3FQDS
    u z aqdlo=
    Tabelle E10
    < Ev - ,
    rcx E N O
    CO N
    J
    rna
    IviC
    C C 3 - -
    OC Q) vl y, u)
    -rcaOY
    rn E o c
    Erste
    fi.s 3 o
    Cm =50 0,18 2
    u 2 6/He=l03 B2H/(GeH4+SiH4)=
    B H
    Icn
    o:e @ SiH =200 1,5
    cu 4' 4 0,18 20
    D 2!! 6/Ile=l03 O N 6/Sj!14=2x10 =
    | s' W
    : C E = (ON
    C C O E . Io =
    n mfa -
    t m
    o o l un l
    v - v o oX Ho
    3 n õ o o ~ ~N
    v sud .@ SHU
    W D X 3 3 U
    u (I) ltlaFtlas aqdlourV
    n <
    Tabelle E11
    Be- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- Schicht-
    dingung Gase schwindig- verhältnis oder Flächenver- leistung dicke
    keit (Norm- hältnis (W/cm²) (µm
    cm³/min)
    12-1E Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2E Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    12-3E Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =6 : 4 0,3 1,0
    12-4E SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5E SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6E SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7E SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8E SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3:3:4 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    X X c X X S X X
    ° ° No ° ° ° @ ° @ ° @ ° ° ° °
    o z o Do - o oo o
    b1 O b1 O N O (9 (Q) (N @ N @ N O N O
    X o - o X o X @ X @ XbS o X o
    o o o o o o o o
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    o o o o o o o o
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    o ~t O n I O At O ~ @0 ) ~ (a) H | r t O rQ O
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    Ct X X M X X [4
    tlOut rd I O1 ttl er trt vo r
    in1 1 1 1 l l l l | l
    r-t I n I rN N 1 tN tNt CS At
    ot C I rH I ~s rQ ~l ~4 ~s ~s ~l
    E
    :'t1 1
    Tabelle E12
    Probe Nr. / Bewertung
    Gesamtbewertung der Bild- Bewertung der
    qualität Haltbarkeit
    Bewertungsmaßstab: : ausgezeich- : gut net .
  • Tabelle E13
    Probe Nr. 1301E 1302E 1303E 1304E 1305E 1306E 1307E
    Si : C Target
    9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8
    (Flächenverhältnis)
    Si : C 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild X
    qualität
    : sehr gur : gut : für die praktische Ver- #: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle E14
    Probe Nr. 1401E 1402E 1403E 1404E 1405E 1406E 1407E 1408E
    SiH4:C2H4
    9 : 1 6 : 4 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8
    (Durchflußgeschwindigkeits-
    verhältnis)
    Si : C 9 :1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2:8,8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild-
    X
    qualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle E15
    Probe Nr. 1501E 1502E 1503E 1504E 1505E 1506E 1507E 1508E
    SiH4:SiF4C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchgeschwin-
    digkeitsverhältnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der
    Bildqualität X
    sehr gut gut für die praktische Verwen- X Erzeugung von Bildfehlern dung ausreichend Tabelle E16
    Dicke der amorphen Schicht
    Probe Nr. (II) (µm) Ergebnisse
    1601E 0,001 Neigung zur Erzeugung von Bildfehlern
    1602E 0,02 keine Bildfehler während 20.000 Wiederholungen
    1603E 0,05 stabil während 50.000 oder mehr Wiederholungen
    1604E 1 stabil während 200.000 oder mehr Wiederholungen
    Tabelle F1
    s=~ Xu° E rs | | o | õ .
    s¢3-v~ . tn o
    U3C Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entla- Schicht- Schicht
    aufbau Gase E
    U -r iakeit
    (W/cm n - eschwin .
    ct
    carnE aJ a,
    Schicht Si}[4/He=0'05 SiH4+Ge!14 GeH 4
    E3Q)3 o o o o
    - -o NO/(GeH4+SiH4)=3/l00 0,lB 2
    fi NO
    C o 0,5
    -r C m m 2
    Schicht Si!!4/He=0 Q SiH4+GeH4 eii4/i4=3/l600 õ li o 8
    C rc O h .O
    Alk m 5 H
    II (I] II 2
    ts Dritte 1,5
    ri SiH4/He=0,5 Sill =200
    Ic cr cn a, v, ..
    ca, \ c
    D o o tv 1,0
    as (11) SiH4/He=0'5 cD =100 SiH z U 3 Z C3 CI)
    I a
    Qlm o o
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    H H fi u U tO to
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    u u X hE z :: o -- o - -D
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    D Z E tn 11 en 11 en tLn
    a mxs ,
    en tn sn tn
    o o o o 'n
    W O O O O O O
    tv o tv s - tv tv
    @ \ \ \ \ \ v v
    2 w . O X:n en U:l U
    S W S W S ~
    O U 4 U fi U H
    v H -/-d 4JF
    l h U 3 50 h U ^V -
    = D Sm sm aW s s
    U t ohz 3
    c=) D (t s i w Q tu
    Tabelle F2
    rY I
    C
    UQ)
    -cl L ^
    C O E rn m o
    Schicht- InJJ U1 In 1S)
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverha"ltnis dungs- ildungs dicke
    5: t,A, O E
    U 4 «^V H C iakeit
    gv
    ob
    CA
    <a rn c, E a, ai
    r( Zurn tn U ~ H ~
    C1 C -rl\ ' 4 r
    C D W 3 O O O
    X GeH4/He=0,05 =50 NO/(GeH4+SiH4)=3/100 d 0,5
    oo
    o o
    Zweite
    r( SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=4/1OO'0 C er e
    3 c, 2 II o
    0 ^ 0
    O :IC rc e rc
    t,A. S 0,18 3
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    II V) II
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    Schicht SiH =200
    Dritte 5 4 0,18 H
    t1 ~I U) W U]
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    I s et sr
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    m ,n tn n
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    s :1 n S 3 3 U
    u wAa
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    u: ( I ) l4DF4DS aqdJow
    Tabelle F3
    ub,
    ri X A
    L:UE rc ci
    U r( =i
    r: Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- C Schicht- Schicht
    U30)v) digkeitsverhältnis In X \ 'n dicke
    - a u x \
    ,ccrrßoE o o
    U c( (U r( r:
    vi A t a -
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    Schicht 5lH4/He=0,05 oE en J .~ ~ ~
    -rHw3 O NO/(GeH4+SiH4) =3/100 0,181
    oo
    NO
    u Schicht \ \
    3 c, c' II o
    s 44
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    rns: S ~ v
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    n tn x sr X
    eQ SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 rs
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    1,5
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    v m x \ x
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    D c E w ,xV °
    Hv u O O tlN
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    24 tn 05 0 H ,4 ur ., ur -,{
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    o o o ~ tn
    X oo ll o -
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    en en tJ z tn O v)
    v Q v
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    JJ H ,1,4 V,/
    tn s w S d S
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    S :5 X rn N tn a tn
    u ta ~
    n
    u D ( S @MdJouv
    tn AO
    Tabelle F4
    s
    oa, o
    -ri Y1 4
    COE o o o
    IvlC.
    CC3r(-
    t4 fa U x eschwin tn
    S tn o o r
    min '9 r( t:
    tn A ta -
    o
    Erste
    Schicht SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=l5/l00'1/10 0,1,8 oo co
    H GeH4/He=O,05 w3 NO/(GeH4+Si O O O
    so
    I Zweite
    c- -ci SiI4/He=0,O5 Si4+GeH4 GdH4/SiH4=l/100%0 0,18 o 0,6
    3 » o lí o
    so H 'O
    O :IF ol c(
    w h ~I Dritte
    O Schicht SiH4/He=0'5 SiH4=200 w 11 1,5 20
    3 v) E
    9 x Pl
    W4 , tn AV tn
    S W \ O \
    tJ X X s X
    1:5 H tD O s
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    H ti fi u tO ts to
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    o o o o 'n
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    U n J .
    u D ( I ) lM3FM3S aqdlow
    tn tt
    Tabelle F5
    I' I
    OQ,
    N CO
    1= OE O 0 LO
    C erwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- C Schicht- Schicht
    U 2 S tD Gase geschwin- digkeitsverhältnis In ildungs dicke
    rlaOe\
    c n iakeit
    tn .n m -.
    o
    mcrE a, ao
    r( SiH/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=l/l"l4/l00 0,18 r( r(
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    oo
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    s Schicht SiH4/He=0,05 SiH e SiH <r) 0,18 O 0,8
    Ccl 2 ri
    U :C c(
    t: Schicht SiH4/He=0,5 SiH4 i
    -l fi .3: xt :=
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    J z ( S aqdJot
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    Tabelle F6
    Ir
    C
    OQ)
    rlXI
    CoE N \o o
    O rl
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    I-1
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- c 3-d~ v v v
    U : t~ t rn o o
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis dungs- ildungs dicke
    S ~ tn tt E
    U --I ID (W/cm C eschwin (m)
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    1 cc.
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    GeH4/He=O,O5 =50
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    u D (I) l43F43S aqdJoE
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    Tabelle F7
    u tD
    c U E v v o
    U rl ~1 ~{
    tn r ~
    W c
    W t rt V
    S C ? F~
    U erwendete Durchfluß- Durchflußgeschin- Entla- Schicht- Schicht
    aufbau Gase geschwin digkeitsverhältnis dungs- ildungs dicke
    digkeit 3 leistna eschwin o o .
    U rX
    tn,4 cna- ,.- ,
    Co
    Erste «) tZ 0
    rd en fi EE H r~ ~1
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    z °3 45/1000
    o- o
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    c ot o ~ o
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    u e
    H n
    u z ( I ) l S aMtilOt
    n 4
    Tabelle F8
    Schicht- erwendete Durchfluß- Durchflußqeschwin- Entla- Schicht- Schicht
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhä.ltnis dungs- ildungs dicke
    digkeit o leistna, eschwin o r
    (Norm-cm / (W/cm ) iakeit
    min ) (nm/s)
    Erste
    cr 5i2H6/J[e=O,05 Si2H6+GeI!4 Ge!4/Si2H6=4/l0% 0,18 0,5 2
    3/100
    GeH4/He=0,05 =50 NO/ (GeH4+Si:2H6) =3/100
    NO
    0 11 o
    3c, 5i2H6+GeH4 GeH4/Si2H6=3/1O00 0,18 0,5 8
    U) Schicht
    0
    Mm =50
    QS Dritt
    w N Si2H6/He=0,5 5i2H6=200 0,18 1,5 10
    Tabelle F9
    oa,
    ccX
    cu 03 o
    H ,Y ~
    cna-
    6
    IV111:
    rJ tc +J
    5- C
    O D 5' @ Durchfluß- Durchflußgeschwin- X 0 S Schicht
    aufbau Gase v
    z 6 U) U E O o
    digkeit 3 leistna eschwin c
    viA.ta- . (,/cm ~ iakeit
    I I =nr
    cnlncE co as
    I I >
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    ~ tD U] Ú e H H
    Schicht Zu SiF4+GeH4 GeH4/SiF4--4/l0%3/lOO C Ho v 2
    r:3a)3, O o o
    X t < ~
    r
    v
    Zweite
    m Schicht SiF44Ie=0'05 SiF4+CeH4 GeH4/SiF=3/lO00 0,18 0,5 8
    u
    0) GeH4/He=0,05 =50
    Dritte
    m Schicht SiF4/Ije=0,5 SiF4=200 0,18 1,5 10
    an O Z O
    I s t v
    C I m ~ :Z: o
    D C E O X o
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    W 3 9 1 ~ + + 11
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    U C L O M o N
    z n D O H o 9 UN ,4
    U Z E m 11 m 11
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    O U fi U V U
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    D L U 3 U 4 U
    = 2 Mm sm am
    q n
    u z ( D<DS aqdJousY
    Tabelle F10
    Ir 1
    C
    ua,
    rl L c
    CU N cr, o
    U
    v m H v tn In Ln
    Iinc
    Schicht- O O r
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis dungs- ildungs dicke
    C-crnE
    digkeit 3 C
    ,çn; ms~, , . -----
    C^
    I I nr
    -1 rn U cr
    L) SiH4/He=0,05 SiH4+SiF4 GeH4/(SiH4+SiF4) C C( 2
    2n~3 +GeH4=50 =4/l0%3/l00 0,18 O O
    | NO/(GeH4+S iH4 sir
    C H N
    r( A
    3c, 9 rn
    II-I C +
    U :s ., 4 4 8
    cn SiH4/!le=0,05 SiH +SiF v
    O v +GeH4 + +0rl +
    C? a> O
    3 v, r( OS
    c( c, 1ß m f: V1 c>
    & V V) tq C1
    Dritte S'HHe=0
    5- o X 14 o 5 SiH4+SiF4 0,18 10
    U X v ~ v ~
    Lc mr 1,5
    a r O 11 Z 11 (O 11
    I X v v v
    C I n N o N o N
    2: E S < S .
    < H V U U] 11 U) 11 o
    5C 5: 0 E v v v
    U UR v C = O = Q O
    ; m O m ~ O H O H U)
    2 C F Z E m + m + m 11
    amoa- ~
    un n ur
    o o o o o o 2 S
    J O o s o o O o o
    O 11 11 11 11 11 11 11 11
    t o Q O X Q @ Q o
    3 O v v t v v v v v
    X U ,4 O H H o .e H
    > s u) Z t uz (n
    V $ V
    5C o S as ,C
    O U v U V U
    jJ H ,4 ,¢ 4 9
    l u7 5C X 5C H C
    V h U 3 U h U
    5C 2 SM DM
    On
    5 u ( I ) lqDwqDS aMdJourV
    Tabelle F11
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entladungs- Schichtbildungs-
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis leistung geschwindigkeit
    digkeit (W/cm²) (nm/s)
    (Norm-cm³/min)
    Dritte 1,5
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=4x10-4 0,18
    Schicht
    B2H6/He=10-3
    Tabelle F11A
    Probe Nr. 1101F 1102F 1103F 1104F 1105F 1106F 1107F 1108F 1109F 1110F
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173
    Schichtdicke
    der dritten
    10 10 15 20 20 10 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut Tabelle F 12
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entladungs- Schichtbildungs
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis leistung geschwindigkeit
    digkeit (W/cm²) (nm/s)
    (Norm-cm³/min)
    Dritte 1,5
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH=2x10-5 0,18
    Schicht
    PH3/He=10-3
    Tabelle F 12A
    Probe Nr. 1201F 1202F 1203F 1204F 1205F 1206F 1207F 1208F 1209F 1210F
    Erste Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Schicht 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173
    Schichtdicke
    der dritten
    10 10 15 20 20 10 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut Tabelle F13
    .yc cu c yr
    S U E tN eN re
    Schicht Verwendet Durchflußge- t)urchflußgeschwin- Entladungs- In Ln I
    aufbau Gase schwindig- iiqkeitsverhältnis leistung bildungs- dicke
    Wert (Non (W/cm2) 1gSifl ()
    cm /min
    l
    Erste
    Schicht SiH4/!e=0,05 D N~ ~ H
    fi O 3 O o o NO/SiH4=4/l0'2/l00
    NO
    u
    o c(
    3 SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=2/l000 0,18 1,5 2
    NO
    Dritte
    Schicht Zu SiH4 =200 0,18 1,5 15
    S ~x o o
    S 3=rh =x o v
    O o Ov n o^
    3 -1v0v0 U\] ZO
    S OS Oz
    O U 4J U V U
    4JF .,- V d
    l uxS ass 95:
    4J ) U 3 U )« U
    S R1 m
    u D ( I ) Xt{D4NDS aqdJouw
    Tabelle F14
    I
    cr
    ---- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwin- Entladungs- Schicht Schicht-
    aufbau Gase schwindig- digkeitsverhältnis leistung bildungs- dicke
    Wert (Nonr (W/cm2) qeschwin- c,
    cm /min ) digkeit
    m å , n n
    Erste
    50
    2 C ~ SiH4+GeH4 GeH4/5iH4=3/10%0 0,18 , 1
    X0 D<Ne Õ o õ
    NO
    ci
    o Zweite
    2 Si!I /He=O,5 SiH =200 NO/SiH4=5/100%0 0,18 1,5 1
    4 4
    NO
    U Dritte
    0 Schicht II '°
    4/He=O,5
    X 3 X e o N O
    UZ rn
    O O 0 rn
    a) o o o o
    V lí lí í l
    3@ : ~<r ~
    v Pn ' a.J O o ,*
    :> O U] O Z }z Z v]
    S @ S aJ S
    X U 4J U 4 U
    l U} S @ S --4 S
    v v U 3 U z U
    s: X cn > u) a cn
    FUQ
    v] te (I) 44DvqDS aqdJoqr
    Tabelle F15
    Be- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- Schicht-
    dingung Gase schwindig- verhältnis oder Flächenver- leistung dicke
    keit (Norm- hältnis (W/cm²) (µm)
    cm³/min )
    12-1F Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2F Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    13-3F Ar 200 Si-Scheibe : Graphit = 6 : 4 0,3 1,0
    12-4F SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5F SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6F SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7F SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8F SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3:3:4 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    Tabelle F15A
    Ic 1
    Her:,te1lri6'sbedin-
    101
    gungen der O N § Probe Nr. O Bewertunp
    Schicht (11)
    < 12-301F - 12-SOlE l2-601F 12-701F 12-801F l2-901F l2-lOOlF
    X " X O X CL O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
    - 2 s C -402K 12-502K 12- ol o -702K 12-802K 12-902 rr a en
    l O t O tl 0 0 4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
    NONONON
    rl 3 1-(( I-L 3
    14 - CL Li
    CL IL EL( CL
    Ot O r(l to O tot (B) ,4 , (-) , o
    - -304 ~ ~ K 12-504F ~ - ~ 2-704F 12-804 H 4 2-
    Qo, O t t O rf O Õ @ rr zu JO O
    rs > r 5 2- r 12-6 2-705 l805 rs OS r
    12-5K Co, @ (@ o l 6 @ l (eß l N Qo @, O l o oo@ @ @
    31L1 12-306K C4 12-506K 61. 12-706K 12-806K If 2-1006K
    12-6K coi O @ @ Qo; zuCo, @ t @) Co Oo Qo Co; cc O
    o o c o o( c o c
    iUIO \0 vD 12-507K < 12-707K 12-807K ~ \01 7K 12-1007
    rD c( ° ot O A O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 cl 0
    C" C" cc o C41 G;rF Cr
    M o Nt 8F a o M16 rk 12-408K O 12-508K 12-608K 12-708K 12-808K 12-908K 2-1008K
    . o o c o C ol o o
    0 O C Oj O( C O C
    6 r,ll In In O 0 0 0 i I ß (i yr 0 0
    rXD ~ ~ e -4-1 -ft -4 ~
    o o O o O F o v v F r O ;u O
    srol O t s O < ;3i gN| «| 6 i 0 N O
    ~ O m1 0 8 o a (Q) Ll t92 k r o w o
    o ol ol ol ol ol o ol
    ot (n fs o. m1 t1 rs - so1
    1' o 4 o ,,41 o (OJ ,,, '1< ,.} o tN o
    19 -1 o1 -I 91 91 H -11
    W H° 18 ° WHW' x ° F
    ttNt ~ X L t ~ | ~ N «rat
    f o 4 o 14 o 4 $v) s X «| %°} N O mW
    161 - r o1 -'I ~ ~
    e l
    2 Eri
    n l I
    B N I X X X X X M I
    H N I n v rN xD > «3
    X :: z I N CS I N N (N N XN N
    h g z 1 H I H H ~ H <
    I
    Probe Nr. /Bewertung
    Gesamtbewertung der Bild- Bewertung der
    qualität Haltbarkeit
    Bewertungsmaßstab: : ausgezeich- : gut net Tabelle F16
    Probe Nr. 1601F 1602F 1603F 1604F 1605F 1606F 1607F
    Si : C Target
    9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8
    (Flächenverhältnis)
    Si : C 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild- X
    qualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle F17
    Probe Nr. 1701F 1702F 1703F 1704F 1705F 1706F 1707F 1708F
    SiH4:C2H4
    9 : 1 6 : 4 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8
    (Durchflußgeschwindigkeits-
    verhältnis)
    Si : C 9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2:8,8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der Bild-
    qualität X
    : sehr gut : gut : für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle F18
    Probe Nr. 1801F 1802F 1803F 1804F 1805F 1806F 1807F 1808F
    SiH4:SiF4:C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchflußgeschwin-
    digkeitsverhältnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    (Gehaltsver-
    hältnis)
    Bewertung der X
    Bildqualität
    sehr gut gut für die praktische Verwen- X Erzeugung von Bildfehlern dung ausreichend Tabelle F19
    Dicke der amorphen Schicht
    Probe Nr. (II) (µm) Ergebnisse
    1901F 0,001 Neigung zur Erzeugung von Bildfehlern
    1902F 0,02 keine Bildfehler während 20.000 Wiederholungen
    1903F 0,05 stabil während 50.000 oder mehr Wiederholungen
    1904F 1 stabil während 200.000 oder mehr Wiederholungen
    Tabelle G1
    1 c,
    ua, u,
    r(X^ QI 0
    +J Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entla- Schicht- c,
    In In o
    aufbau Gase
    -rlauu\l o
    C--4 U) ty E
    U -c( q r( r:
    min ) (nm/s)
    o
    Erste
    I Schicht SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=4/l0%0 in0,18 0,5 1
    carnE cl cl
    t rß U 4
    fi C-e o o 2!!6/(GeI4+SiH4)=
    ca3
    3xl03
    0 B Ii e-
    26
    NO NO/(Ge}14+Si H4)=3/l00 o
    II
    C o
    3c, 2 r n
    0 Schicht SiH /He=0,5 SiH =200 0,18 1,5 A
    U :1t 4
    rn c
    O)Lc r + -c(
    0 1 s vi
    c, + cu
    u (11) Si!!4/fe=0,5 SiH 4=100 Si!I4 S 2 H mr C3 =
    uu i V) -m Q)
    c ii
    Ur O O Y
    a X C = rl z
    I \ v
    C I rn S O O
    2 C E a) o o
    ,-4--4 JJ U C rJ ,-4
    W 3 4 1 ^ + ll ll
    fC C aJ E S s S ~
    L O ~4 , en ,4 ,
    2 4 Z £ tn gl cn ez
    ur
    O O I UN In
    @ O O ,-4 O O
    JJ ll ll 11 11 §1
    X a) o a; t) o
    c a) z H
    av u JJ u 4
    S 2 h u s r: S
    -4 R . J h ,4
    tu D O C
    . (I) l4DF4DS atldl°Und ,% u
    Tabelle G2
    U9E- N 104
    ua,
    rcX- N A
    CUE cr
    U r(
    rna-
    U z C o tt] Z
    Schicht- verwendet urchfluß- Durchflußgeschwindiq' Entla- Schicht- Schicht
    n E
    aufbau Gase eschwin- keitsverhältnis dunqs- bildungs' C
    igkeit ~ lei-sung geschwin' (im)
    O'
    C
    D
    I I +N 03
    rrJcnnE c(
    tr I U 5
    V o SiH4/He=0'05 SiH4+GeH4 GeH4/SiH4=l/100 0,18 C 4 O O
    r7a3
    rO 4 ~
    Wprl-
    u
    a cr
    c Ir
    -cr o A
    3 rn 2 II
    C r( 0 c
    C} SiH4/He=0,5 SiH O
    D o U mt-X °
    llm ~t O
    h CJE O -4 ., U)
    n mU~ ~
    ur
    O O I U)
    O O O , O
    fi | ll
    O O @ @ @
    @ v v o tr
    3 @ S :: ~
    h u) ,4 0 oJ O wr4
    > O u] O m z ul
    s @ z
    @ u W u
    l X C ZD,C
    V h U 3 U
    tC 2 X cn cs cn
    O e
    e4 wa
    C W
    uz r ( I ) ll4DwMDS aqdJourV
    Tabelle G3
    ua,
    s:UE Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- N Schicht- In
    <na-
    l l ~
    I U) z
    V ¢,4 W
    S C 3 .4~
    (.) D S O 0 S 0
    Erste Q) rn In Ln
    Schicht o E o
    0 r( Q, -c( C
    u Geil °' t =50
    u
    I I =FI
    arnE: a3
    -( cn O rl
    Zweite 5i114 =200 0,18 1,5 15
    W3rl-
    O
    O O
    O O
    I U1 ~ ,-4
    o4 L >1 ^ t-4
    3 v p
    U :rG 9
    U} S X U]
    O h v +
    r X 11 v tl]
    C > sr ~ +
    W,4 U) w
    U ~s v tD O
    ~ -,4 OJ N X O
    a ç U C1 ,« z
    I s mr
    ^ I n ~ o
    D C E t o
    ,4 W V U z 31
    3 -4 j ~ + 1t
    ~ s O E sr sr
    U UX z C ~ o ~
    h U] O --4 -,4 u) ffir4
    n O --4 Z E m 11 m
    a mU~
    ur
    o o I ur
    aJ ~ o v
    V O O ,-4 O
    G) 11 11 ìl 11
    U X g Q O
    3 tJ s 0 v
    h U1 n ~
    4, U < (D N O Sr4
    :> u uz u m z ur
    4J 4J
    s Q s
    @ u W u
    fi -,4 ,4 ,4
    UX ¢ OwC
    h U 3 U
    V [ Ci
    ,U4 Q
    S W
    u D (I) ltlDRDS a{dlouV
    Tabelle G4
    Ic,
    oQ,
    oU E In
    -4 X
    ca-
    I I I
    I+r V) t:
    C tr\--l L)
    I C
    In cn
    C a U C \
    0 r( cn o, E O
    ra
    S -4 U) O E O
    C
    I U\I 03
    rdrnrnEi ri c(
    F(U
    L) C r( C O
    r:aS
    Lla c
    I
    F o
    c
    a o c(
    E: II
    ,4 O ~ N
    r( Verwendete urchfluß- Durchflußgeschwindiq- ntla- chicht- Schicht
    S -,4 Gase geschwin- keitsverhältnis ungs- ildungs- dicke
    U C t4 v
    U) ci rn V U)
    0D,-4 ,-4 + --4
    II s y)
    min z '-s= +
    3k 3= cU
    Erste Sii1/lIe=0,05 SiH4 +Gei!4 Gell4/SiH4=15/l000 0,5
    cn -m a,
    C GeH4/He=0,05 In B2H6/( Gell4 +5 ill4) 0,18 U
    Uc, Do -
    A-, : t -3
    z Q) Q) cJ X O
    OX C3 m m e
    I NO/ mr
    Q(m t: o'
    3C 5iil4/ile=0,5 5i1l4=200' E U o
    ,« Schicht
    W 3-r4 1 ~ + 11
    Ú U X v C o ~
    h U] r O t4 -,4 u-\ ~4
    2 0 o4 Z E m 11 W
    a crz U ~
    ur
    o o I ur
    V O O ,-4 O
    aJ O Q O
    3 O v v s v
    :> O tn u m z cn
    v v
    s @ z
    O u fi u
    S z h U 3 U
    C W4
    u D I ) ltlDwqDS aqdJouw
    Tabelle G5
    r:uE
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis dungs- bildungs- dicke
    I I leistng geschwin- (m)
    V ,4 V cr
    min ) (nm/s)
    u :r s @ uX n n
    Erste aur /Hc=0,05 x +GeH4 GeH 4/SiH4=1/l%5/lOO
    C rn O E o c
    U -r QI -r( C:
    uz a
    o
    I I 3V
    cdrncrE a,
    r( tn U c<
    4
    V C -o4 s -
    Weite 03 o o
    S - , ~ .
    o
    O o
    I ul o H
    C ,4 -4 11 \
    t4 C X tol
    3 v tn mr 11
    U Cft ~ ,1 v
    O s \ tn x
    tD a) 11 v u]
    s tn :
    W4 -H U] O
    sau \ \ I U
    U A: v \0 0
    D -,1 Q N X O
    a- u sn z
    I \ sr
    e | n ~ o
    :: C E O O
    , 4 fi U U N
    u >- l ^ + ll
    U U X h C - O ~t
    h n m 0 t4 --4 tn ,1
    5 o--4 Z E U) li U]
    a Cy
    n tn rn
    o o I tn
    O ~ v o o
    O QJ O l
    C ~ ~ rr
    3 0 , O N zO :z:
    S O S
    QJ U fi U
    4 ,4 ,4
    U] S O C
    V wh U 3 1)
    S tW
    u 2 ( I ) 4RDADS a4dz
    Tabelle G6
    I
    oa,
    u ,i ,q
    CUE rn
    rnO-
    I 1
    Imt:
    CC3-r,
    U C (U v] In
    cr a u r \ c
    C cn E o
    0 r( a,-rl c
    A aa-
    C)r
    C
    =1LI
    I I c 03 m
    amvrE c(
    cclU
    Schicht- Verwendete urchfluß- Durchflußgeschwindig- Õ 9 11
    U C Gase geschwin- keitsverhältnis ,« ildungs- dicke
    ei-s5ung cn(m)
    (W/cm v igkeit
    min = Q)
    Erste > /He=0,05 Si}I4+GeH4 -n o
    \\I 4 44 0,5
    U W v vo O H6/(GeH4+SiH4)= 0,18 1
    a C3 H /He=l03 « x zo
    26
    NO I m .o
    3C SiH /He=0,5 SiH4 =200 o
    Schicht 4 0,18 1 15
    n tn n
    o o I~ tn
    n MÒX>Z 2
    I
    S Q S
    @,Ux w U
    u},C Q z
    z xu] 30)
    c ;4
    um e I)48:ytMaS avidlourV
    Tabelle G7
    I
    oa,
    CUE
    U r( Durchfluß- Durchflußgeschwin- U uE r-n4
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis dungs- bildungs- dicke
    I I I
    I ux C
    4 4 4
    C3r(-
    U n S ) us tn tn
    cccnOE o
    5t-4 u] U E O
    U-,i SiH4/He=0, OS dJ-,4 GeIf4/SiH4=l/10%0 -ri
    uz n mro ~
    v) =50 B2H6/(GeH4+SiH4)= 0,18 1
    o.
    I I :N
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    oL1 Zu V B2H6/(GeH4+5i2H6)= 0,18 0
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    1 ns (GeH4+Si2H6) =2/100
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    Tabelle G9
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    Tabelle G10
    I
    cl
    c
    ua,
    . * ~~
    crY
    aufbau Gase schwindig- di9keitsverhältnis leistung bildungs- dicke
    u Q &t (W/cm2) geschwin- E o
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    Tabelle G11
    I I
    cl
    c
    Schicht- tn Durchflußge- Durchflußgeschwin- Entladungs- S Schicht-
    aufbau Gase O schwindig- diqkeitsverhältnis leistung bildungs- dicke
    U»8orOU 1
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    (n e ( I ) RtlDFqDS aMdJourV
    Tabelle G12
    Probe Nr. 1201G 1202G 1203G 1204G 1205G 1206G 1207G 1208G
    B2H6/(SiH4+GeH4)
    (Durchflußgeschwin-
    1x10-2 5x10-3 2x10-3 1x10-3 8x10-4 5x10-4 3x10-4 1x10-4
    digkeitsver-
    hältnis)
    B-Gehalt
    (Atom-ppm)
    1x104 6x10³ 2,5x10³ 1x10³ 800 500 300 100
    Bewertung
    :ausgezeichnet : gut Tabelle G13
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entladungs- Schichtbil-
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis leistung dungsgeschwin-
    digkeit (W/cm²) digkeit
    (Norm-cm³/min) (nm/s)
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH=200 1,5
    Schicht 0,18
    B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=8x10-5
    Tabelle G13A
    Probe Nr. 1301G 1302G 1303G 1304G 1305G 1306G 1307G 1308G 1309G 1310G
    Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Erste Schicht
    184 185 186 187 188 189 190 191 192 193
    Schichtdicke
    der zweiten
    10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut Tabelle G14
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entladungs- Schichtbil-
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis leistung dungsgeschwin-
    digkeit (W/cm²) digkeit
    (Norm-cm³/min) (nm/s)
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 1,5
    Schicht 0,18
    PH3/He=10-3 PH3/SiH4=1x10-5
    Tabelle G14A
    Probe Nr. 1401G 1402G 1403G 1404G 1405G 1406G 1407G 1408G 1409G 1410G
    Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Erste Schicht
    184 185 186 187 188 189 190 191 192 193
    Schichtdicke
    der zweiten
    10 10 20 15 20 15 10 10 10 10
    Schicht (µm)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut Tabelle G15
    Be- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- Schicht-
    dingung Gase schwindig- verhältnis oder Flächenver- leistung dicke
    keit (Norm- hältnis (W/cm²) (µm)
    cm³/min)
    12-1G Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2G Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    12-3G Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =6 : 4 0,3 1,0
    12-4G SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5G SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6G SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7G SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8G SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3:3:3 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    Tabelle G15A
    õ O õ o a O t &) tn 1ç) t C) r O C O
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    12-2G O 0 0 0 0 0 0 ~~ ,k O - N/ O
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    0 0 O 0 O 00 g m '<0> tol t ol rs O ,- O
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    v > o , H -1 ~ -1 H -1 ~
    Probe Nr. / Bewertung
    Gesamtbewertung der Bild- Bewertung der
    qualitat Haltbarkeit
    Bewertungsmaßstab: : ausgezeich- : gut net Tabelle G16
    1601G 1602G 1603G 1604G 1605G 1605G 1606G 1607G
    Probe Nr.
    Si : C Target
    9 : 1 6,5:3,5 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,2:9,8
    (Flächenverhältnis)
    Si : C
    9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3 : 7 2 : 8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der
    X
    Bildqualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Verwendung ausreichend X : Erzeugung von Bildfehlern Tabelle G17
    1701G 1702G 1703G 1704G 1705G 1706G 1707G 1708G
    Probe Nr.
    SiH4 : C2H4
    9 : 1 6 : 4 4 : 6 2 : 8 1 : 9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8
    (Durchflußgeschwindig-
    keitsverhältnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2:8,8 0,8:9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der
    X
    Bildqualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Verwndung ausreichend X : Erzeugung von Bildfehlern Tabelle G18
    1081G 1082G 1083G 1084G 1085G 1086G 1087G 1088G
    Probe Nr.
    SiH4:SiF4:C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchflußgeschwin-
    digkeitsverhältnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der
    X
    Bildqualität
    : sehr gut : gut : für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle G19
    Dicke der
    Probe amorphen
    Nr. Schicht (II) Ergebnisse
    (pm)
    Neigung zur Erzeugung
    1901G 0,001 von Bildfehlern
    keine Bildfehler während
    1902G 0,02 20.000 Wiederholungen
    stabil während 50.000 oder
    1903G 0,05 mehr Wiederholungen
    stabil während 200.000 oder
    1904G 1 mehr Wiederholungen
    Tabelle H1
    Schicht Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- H Schicht- Schich
    coE Gase geschwin- digkeitsverhältnis ungs- bildungs- dicke
    tnaY
    ----- / (W/cm ) diakeit
    4J b fi
    Erste
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    GeH4/He=0,05 E B2i!6/(Ge!I4+5iH4)= o 0,5 1
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    1
    Ob 7
    r Schicht SiH4/He=0,5 4Z E 1,5 19
    H Zu SiH4=100 SiH4 : C2H4 o 3 o 7 018 10
    C3 O3
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    Tabelle H2
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    aufbau Gase eschwin- keitsverhältnis dungs- bildungs- dicke
    P) geschwin- (itm)
    (Wjcm ) digkeit
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    Tabelle H3
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    via-
    l geschwin- l
    (W/cm c diakeit
    W oF W
    min ) (nm/s)
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    Tabelle H4
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    3vi o Gase eschwin- keitsverhältnis dunqs- bildungs- dicke
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    3k
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    s Schicht GeH4/He=O,05 =50 B2H6/(GeH4+Si 0,18 1
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    Tabelle H9
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    Tabelle H11
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    Tabelle H12
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    Erste SiH4/He=0,05 5i114 r( GeH/SiH4=4/10%0 C3 -(
    s > GeI!4/J!e=0,05 X B2H6/(GeH4+5iH4)= 0,18 1
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    ax SiH4/IIe=0,5 SiII4=200 B2!!6/Si!!4=2xl04 0,18 1,5 15 m
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    Tabelle H13
    Schicht- Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entladungs- Schichtbil-
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis leistung dungsgeschwin-
    digkeit (W/cm²) digkeit
    (Norm-cm³/min) (nm/s)
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 1,5
    Schicht 0,18
    B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=1x10-4
    Tabelle H13A
    Probe Nr. 1301H 1302H 1303H 1304H 1305H 1306H 1307H 1308H 1309H 1310H
    Beips. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Erste Schicht
    203 204 205 206 207 208 209 210 211 212
    Schichtdicke
    der zweiten
    19 15 15 15 15 15 15 19 19 19
    Schicht (µm)
    Bewertung
    : ausgezeichnet : gut Tabelle H 14
    Schicht Verwendete Durchfluß- Durchflußgeschwin- Entladungs- Schichtbil-
    aufbau Gase geschwin- digkeitsverhältnis leistung dungsgeschwin-
    digkeit (W/cm²) digkeit
    (Norm-cm³/min)
    Zweite
    SiH4/He=0,5 SiH4=200 1,5
    Schicht 0,18
    PH3/He=10-3 PH3/SiH4=9x10-5
    Tabelle H 14A
    1401H 1402H 1403H 1404H 1405H 1406H 1407H 1408H 1409H 1410H
    Probe Nr.
    Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp. Beisp.
    Erste Schicht
    203 204 205 206 207 208 209 210 211 212
    Schichtdicke
    der zweiten
    19 15 15 15 15 15 15 19 19 19
    Schicht (µm)
    Bewertung
    :ausgezeichnet : gut Tabelle H15
    Be- Verwendete Durchflußge- Durchflußgeschwindigkeits- Entladungs- Schicht-
    dingung Gase schwindig- verhältnis oder Flächenver- leistung dicke
    keit (Norm- hältnis (W/cm²) (µm)
    cm³/min)
    12-1H Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =1,5:8,5 0,3 0,5
    12-2H Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =0,5:9,5 0,3 0,3
    12-3H Ar 200 Si-Scheibe : Graphit =6:4 0,3 1,0
    12-4H SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3
    C2H4
    12-5H SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5
    C2H4
    12-6H SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=1,5:1,5:7 0,18 0,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    12-7H SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=0,3:0,1:9,6 0,18 0,3
    SiF4/He=0,5 =15
    C2H4
    12-8H SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4 SiH4:SiF4:C2H4=3:3:4 0,18 1,5
    SiF4/He=0,5 =150
    C2H4
    Tabelle H16
    r I 121 r I I
    ri lungsbedin-
    gungen der amorphen Probe Nr. to O N O
    - -H - -o4 cu o
    12-201!! (05 tt) 12-501!! a) O
    cn i I a a ~ a ~ o I o lol I
    o\ ~1Chl 12-302!! 12-40211 12-502!! 12-602!! "-" " -I O
    l2-2H 0 0 ot o 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
    12-20311 ::In 12-403!! 12-503!! 191 12-703!! woX X 12-1003!!
    12-3!! oL o 0 0 0 0 ton Zo 0 0 CO Iml
    12-204!! | ° (81 o o1 ;o, N (02 tN (G N O N O
    N ON V VI N N O
    zu Co') o X (o)j O v Cd Irl (pi X @) ~ O ~ O
    o o o o o o o o 12-1005!!
    >1 Co' Qo; Q0%i CQ 61 @o; @. @ Co Co QO" @ Co N C0j @ N O l
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    C ° ° t11 ° 12-306!! zu 12-506!! bx rn ~ o
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    12-20711 12-307!! 12-407!! hl ' C cl o , o
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    12-208!! wÕ) 12-4081! > O c0 O 0
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    Gesamtbewertung der Bild- Bewertung der
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    Probe Nr. 1401H 1402H 14O3H 14O4H 1405H 14O6H 1407H 1408H
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    Probe Nr. 1501H 1502H 1503H 1504H 1505H 1506H 1507H 1508H
    SiH4:SiF4:C2H4
    5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8
    (Durchflußge-
    schwindigkeits-
    verhätnis)
    Si : C
    9 : 1 7 : 3 5,5:4,5 4 : 6 3 : 7 2 : 8 1,2 : 8,8 0,8 : 9,2
    (Gehaltsverhältnis)
    Bewertung der
    X
    Bildqualität
    : sher gut o: gut #: für die praktische Ver- X: Erzeugung von Bildfehlern wendung ausreichend Tabelle H20
    Dicke der
    Probe amorphen
    Nr. Schicht (II) Ergenbnisse
    (µm)
    Neigung zur Erzeugung
    1601H 0,001 von Bildfehlern
    keine Bildfehler während
    1602H 0,02 20.000 Wiederholungen
    stabil währed 50.000 oder
    1603H 0,05 mehr Wiederlholungen
    stabil während 200.000 oder
    1604H 1 mehr Wiederholungen
    L e e r s e i t e

Claims (57)

  1. Patentansprüche 1. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement mit einem Träger fur ein fotoleitfähiges Aufzeichnunselement und einer amorphen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht einen Schichtaufbau hat, der einen aus einem Siliciumatome und Germaniumatome enthaltenden, amorphen Material bestehenden, ersten Schichtbereich und einen aus einem Siliciumatome enthaltenden, amorphen Material bestehenden und Fotoleitfähigkeit zeigenden, zweiten Schichtbereich aufweist, wobei der erste und der zweite Schichtbereich aufeinanderfolgend von der Seite des Trägers her vorgesehen sind.
  2. 2. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in dem ersten Schichtbereich und/oder dem zweiten Schichtbereich Wasserstoffatome enthalten sind.
  3. 3. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in dem ersten Schichtbereich und/oder dem zweiten Schichtbereich Halogenatome enthalten sind.
  4. 4. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke in einem ungleichmäßigen Verteilungszustand enthalten sind.
  5. 5. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schichtbereich eine Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften enthält.
  6. 6. Fotoleitfähiges Aufzeichungselement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe III des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  7. 7. Fotoleitfahiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Atome aus B, Al, Ga, In und T1 ausgewählt sind.
  8. Ftleitfähiges Aufzeichnungselement rach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom p-Typ ist.
  9. Fotoleifähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe V des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  10. 10. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe V des Periodensystems gehörenden Atome aus P, As, Sb und ai ausgewahlt sind.
  11. 11. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom n-Typ ist.
  12. 12. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht eine Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften enthält.
  13. 13. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom p-Typ ist.
  14. 14. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Substan7. für die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom n-Typ ist.
  15. 1S. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe III des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  16. 16. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nacn Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Atome aus B, Al, Ga, In und Tl ausgewahlt sind.
  17. 17. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe V des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  18. 18. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe V des Periodensystems gehörenden Atome aus P, As, Sb und Bi ausgewählt sind.
  19. 19. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht einen Schichtbereich (P), der einen Fremdstoff von p-Typ enthält, und einen Schichtbereich (N), der einen Fremdstoff vom n-Typ enthalt, aufweist.
  20. 20. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtbereich (P) und der Schichtbereich (N) miteinander in Beruhrung sind.
  21. 21. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtbereich (P) als Endteil-Schichtbereich an der Trägerse:-te der amorphen Schicht vorgesehen ist.
  22. 2?. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht in dem Endteil-Schichtbereich an der Träger seite einen Schichtbereich, der einen Fremdstoff vom p-Typ enthalt, aufweist.
  23. 23. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke T B des ersten Schichtbereichs und die Schichtdicke T des zweiten Schichtbereichs in der folgenden Beziehung zueinander stehen: TB/T < 1.
  24. 24. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht Wasserstoffatome und/oder Halogenatome enthält.
  25. 25. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht Sauerstoffatome enthält.
  26. 26. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffatome in der Richtung der Schichtdicke in einem ungleichmäßigen Verteilungszustand enthalten sind.
  27. 27. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffatome in einem Verteilungszustand enthalten sind, bei dem sie in Richtung auf die Trägerseite starker angereichert sind.
  28. 28. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht in dem Endteil-Schichtbereich an der Träger seite Sauerstoffatome enthält.
  29. 29. Fotoleitfåhiges Aufzeichnungselement, gekennzeichnet durch einen Trager für ein fotoleitfåhiges Aufzeichnungselelnent, eine erste amorphe Schicht mit einem Schichtaufbau, der einen aus einem Siliciumatome und Germaniumatome enthaltenden, amorphen Material bestehenden, ersten Schichtbereich und einen aus einem Siliciumatome enthaltenden, amorphen Material bestehenden und Fotoleitfähigkeit zeigenden, zweiten Schichtbereich aufweist, wobei der erste und der zweite Schichtbereich aufeinanderfolgend von der Seite des Tragers her vorgesehen sind, und eine aus einem Siliciumatome und Kohlenstoffatome enthaltenden, amorphen Material bestehende, zweite amorphe Schicht.
  30. 30. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß in dem ersten Schichtbereich und/oder dem zweiten Schichtbereich Wasserstoffatome enthalten sind.
  31. 31. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29 oder 30, dadurch gekennzeichnet, daß in dem ersten Schichtbereich und/oder dem zweiten Schichtbereich Halogenatome enthalten sind.
  32. 32. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Germaniumatome in der Richtung der Schichtdicke in einem ungleichmäßigen Verteilungszustand enthalten sind.
  33. 33. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schichtbereich eine Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften enthält.
  34. 34. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz fur die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe III des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  35. 35. Fotoleltfhiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Atome aus B, Al, Ga, In und T1 ausgewählt sind.
  36. 36. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz Ü<ir die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom p-Typ ist.
  37. 37. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe V des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  38. 38. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe V des Periodensystems gehörenden Atome aus P, As, Sb und Bi ausgewählt sind.
  39. 39. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom n-Typ ist.
  40. 40. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die erste amorphe Schicht eine Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften enthält.
  41. 41. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom p-Typ ist.
  42. 42. Fotoleitfåhiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften ein Fremdstoff vom n-Typ ist.
  43. 43. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe III des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  44. 44. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Atome aus B, Al, Ga, In und T1 ausgewählt sind.
  45. 45. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Substanz für die Regulierung der Leitungseigenschaften um zu der Gruppe V des Periodensystems gehörende Atome handelt.
  46. 46. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe V des Periodensystems gehörenden Atome aus P, As, Sb und Bi ausgewählt sind.
  47. 47. Fotole1tfchhiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, daß die erste amorphe Schicht einen Schichtbereich (P), der einen Fremdstoff vom p-Typ enthält, und einen Schichtbereich (N), der einen Fremdstoff vom n-Typ enthält, aufweist.
  48. 48. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtbereich (P) und der Schichtbereich (N) miteinander in Berührung sind.
  49. 49. Fotoleitfähiges Aufzeichnunsfselement nach Anspruch 48, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtbereich (P) als Endteil-Schichtbereich an der Trägerseite der ersten amorphen Schicht vorgesehen ist.
  50. 50. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die erste amorphe Schicht in dem Endteil-Schichtbereich an der Trägerseite einen Schichtbereich, der einen Fremdstoff vom p-Typ enthält, aufweist.
  51. 51. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke T B des ersten Schichtbereichs und die Schichtdicke T des zweiten Schichtbereichs in der folgenden Beziehung zueinander stehen: TB/T fl.
  52. 52. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die erste amorphe Schicht Wasserstoffatome und/oder Halogenatome enthält.
  53. 53. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die erste amorphe Schicht Sauerstoffatome enthält.
  54. 54. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 53, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffatome in der Richtung der Schichtdicke in einem ungleichmäßigen Verteilungszustand enthalten sind.
  55. 55. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 54, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffatome n einer Verteilung enthalten sind, bei der sie in Richtung auf die Trägerseite stärker angereichert sind.
  56. 56. Fotoleitfahiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die erste amorphe Schicht in dem Endteil-Schichtbereich an der Trägerseite Sauerstoffatome enthält.
  57. 57. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite amorphe Schicht Wasserstoffatome und/oder Halogenatome enthält.
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