JPS58171040A - レーザー光用の光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関するＯ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感屓で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が＾く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を南す
ること、光応谷性が速く、所望の晰抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、史に
は固体連像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することがでさること等の弊性が賛求される◎殊に
、拳ＩＩＩＩ機としてオフィスて使用される電子写真俟
置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上
記の使用時における無公害性Ｆｉ東豐な点である。

この様な点に立脚して最近性ｌされている光導電材料に
アモルファスシリコン（以１ｉａ−８４と表記す）があ
り、例えに１独国公闘第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開＄　２９３３４１１号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されている。

内生ら、従来のａ−８４で構成され友光導電鳩を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性勢の使用環境特性
の点、史には経時的安定性の点において、結合的な特性
向上【針る必要があるという爽に改良される町き点か存
するのが実情でろる〇 例えは、電子写真用像形成部材に適用した場合に、尚光
感良化、ｌＩｂ暗抵抗化を一時に計ろうとすると、独米
においては、その使用時において残留電位が残る場合が
巌々−＃ｊされ、この柚の九尋電琳材ｒｉ長時閲謙９返
し便用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起っ
て、残儂が生ずる所鯖ゴースト埃象を発する様になる或
いは、ｉｉｈ連で繰返し便用すると応答性が次第に低下
する、等の不都合な点が生ずる一合が少なくなかり九＠ 史には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長餉に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、埃在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているノ・ロゲンランプ
や蛍光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用
し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地か
残っている。

又、別には、照射される光が光導電鳩中に於いて、充分
吸収されＴに、支持体に到達する光の量か多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して米る光に対する反射率
が向い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起りて、画像の「ボケ」が生ずる一豐因となるＯこ
Ｏ影＊は、解像度を上ける為に、照射スポラ）ｋ小さく
する根太きくな９、殊に半導体レーザ會光源とする場合
には大きな問題となっている。

従って５ｄｉ４４科そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記し九様な問題の総て
が解決される徐に工夫される必費がある・ 本発明は上記の諸点に−み成された−ので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体畿愉装置、読取装置Ｉ
ＩＱｌ！に使用される光導電部材としての適用性とその
応用性という観点から総括的に鋭意研梵検討を続けた結
果、シリコン原子を母体とし、水素原子−又はＩ・ロゲ
ン原子囚のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、ＦｇｒＩ１１水木化アモルファスシリコン、
ノーロゲン化アモルファスシリコン、或いはノ１０ゲン
含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ勢の総称的
表記としてｒ　ａ−８４（Ｈ，Ｘ）　Ｊ　　を＊用する
〕から構成逼れ、光尋電性【示す非ｉ質漸。

を有する光導電部材の層構成を以後に説明される様な特
定化の下に設計されて作成された光導電部材は実用上着
しく優れた特性を示すはかりでなく、従来の光導電部材
と較べてφて４１あらゆる点において便駕していること
、殊に電子写真用の光導電部材として看しく優れ′ｆＩ
−特性を有していること及び長波長Ｎ　ｖｃ於ける吸収
スペクトル特性に優れていることｔ見出した点に基いて
いる＠ 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に劃＠を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現ａｔ−起さず、残
留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供
することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が＾く
、殊に光尋体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材ｔａ！供することである・ 本発明の他０Ｉ１１的は、電子写真用の像４ｇ部材とし
て適用させた場合、通常の電子写真法が穢めて有効に適
用され得る程直に、静電像形成の為の帯電処通の除の電
荷保持能か充分ある光導電部材′ｉｒ提供することであ
るＯ 本発明の更に他の目的は、績縦が高く、ノ・−７トーン
が鮮明に出て且つ解１＃度の＾い、＾品′ｌｔ画像虻得
る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材【提供する
ことであるｅ 本発明の更Ｋ　４５１つの１的は、高光感度性、高８Ｎ
比特性を有する光導電部材ｋＩＩ供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
ロン原子とゲルマ二つ五淳子とを含む非−質材料で構成
され丸、１ｋｌｏＮＩＩｉＩｉＩ域とシリコン腺子虻含
む非晶質材料で構成式れ、光導電性を示す第２０層領域
とが前記支持体側よｐ駒に設けられ九層構成の非晶質層
とｒ有し、−配凧ｌの層−域中Ｖこ於けるゲルマニウム
原子０分布状−が層厚方向に不均一でるる事を％壷とす
る。

上記した様な層構成ｔ−取る様にして設計され九本発明
の光導電部材は、前記した諸問題の総て虻解決し得、極
めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び
使用環境特性を示す〇殊に、電子与真用像形ｇ、部材と
して適用させｆ＃：、場合には、画像形成への残留電位
の影畳が全くなく、その電気的特性が安定してお９高感
度で、＾８Ｎ比を有するものであって、耐光鋏労、繰返
し便用特性に長け、＠度が簡く、ノ・−７トーンが鮮明
に出て、且つ解像度の−い、＾品質の−ｇＩＩｔ安定し
て繰返し得ることができる。

史に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマ、チングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、１向に憾って、本発明の光導ｔｉｍ材に就て詳細
に説明する。

第１１１ｉ！Ｊｒｉ、本発明の第１の実施絵様例Ｏ光導
電部材の層４１１１１ｆｔ′ｆｔ説明するために襖式釣
に示し九模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、非晶質層１０２　ｋ有し、販非
−質層１０２は自由六由１０５虻一方の端面に有してい
る・ 非晶質層１０２は、支持体１０１側よｐゲルマニウム原
子を富有する蟲−出（ｉ（、Ｘ）（以後「畠−８ｉＧｅ
（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され九謳１０層愉域（
Ｇ）１０３とａ−８４（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導電性
を有する第２０層領域（８）１０４とがＩＩＫ積層され
九盾栴造を有するＯ 第１の層領域（Ｇ）ｌｏａ中に富有されるゲルマニウム
原子は、鋏第１０層領域（Ｇ）１０３の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体１０１の設けられである−
とは反対の＠（非晶質層１０２０表面１０５儒）　ｏ７
ｊＫ絢して前記支持体１０１儒の方に多く分布し良状態
となるｌｌに前記第１の層領域（（ｊ）１０３中Ｋｔ有
される。

本発明の光導電部材においては、第１０層領域（ｑ中に
富有さｊＬるケ鳴マニクム腺子の分布状−は、層厚方向
においては、前記の様な分布状總４を取り、支持体の衣
ｌと半行な面内方向ｙｃは均一な分布状總とされるのが
望ましいものである。

本発明に於いては、第一の層領域ｔ（Ｊ上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子に富有６
れて２ら丁、この様な鳩榊愈に非晶質層ｒ形成すること
によって、ｐＪ’視光領域領域む、比較的翅波長から比
較的長波長足の全領域の波長の光に対して光感度が優れ
ている光導電部材とし得るものである。

又、第２０層領域ｉ中に於けるゲルマニウム原子の分布
状ｌＩハ全層憤域にゲルマニウム原子が連続的に分布し
、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布貞度Ｃが支持体側
より第２の層領域（８１に向って減少する変化が与えら
れているので、第１０層領域Ｉと第１０層領域１８１と
の間に於ける層相性に優れ、且つ後述する様に、支持体
制端部ｖＣ於いてゲルマニウム原子の分布一度Ｏを極端
に大さくすることにより、半導体レーザ等′に使用し九
場合の、第２０層領域（８）ては殆んど＠収し切れない
長波長匈の光を弗ｌの層領域０に於いて、実質的に完全
にＶ＆収することが出来、支持体向からの反射による干
＃Ｉ忙防止することが出来る拳 又、本発明の光導電部材に於いては、Ｊ１１０層領域層
領域２０層領域（Ｓ）とｒａｇする非蟲貿材料の夫々が
シリコン原子という共通の構成資本を有しているので、
積層外向に於いて化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

第２図乃至第１０図には１本発明における光導電部材の
第１の層領域０中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状崖の典型的例が示される。

第２図乃至第１θ図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布績ＩｆＯを、縦軸は、畠ｌの層領域−の層厚を示
し、ｔｌは支持体側のｗ４１の層領域（ｑの端面の位ｔ
ｌ１１を、ｔ７は支持体側とは反対憫の１ｇｌの層領域
（ｑの趨向の位置【示す・ルら、ゲルマニウム原子の含
有される＃１１の層領域１Ｕｔｉ＋輪よりｔ７貴に向っ
て層形成がなされる。

第２園には、第１の鳩愉域−中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第２図に乃く纏れるψりでは、ゲルマニウム原子の含有
されるｘｉの層−城（ｑが形成される表向と咳第１の層
埃域Ｉの表向とが嵌する界面位置ｔＢよＣｔ＋の位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の
稙を収り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層領
域−に含有され、位置ｔ、よりは濃度Ｃ２より界面位置
ｔ７に至るまで修々に連続的に減少されている・界面位
置ｔ７ｖ（おいてはゲルマニウム原子の分布１１度Ｃは
Ｃ，とされる。

第３図に示δれる例においては、含有されるして位置を
丁において濃度０１となる様な分布状態を形成している
。

第４図の一台には、位置１．より位置ｔ、壕ではゲルマ
ニウム原子の分布績度ａＦｉ員度Ｃ６と一定値とされ、
位置ｔ、と位置ｔ７との関において、検事とは検出限界
量未満の場合である）０第５図の場合には、ゲルマニウ
ム原子の分布＃１度Ｃは位置輸より位置ｔｙに至るまで
、ｉｌｌ＆Ｏｓより連続的に徐々に減少され、位１１ｔ
Ｔにおいて実質的に零とされている・ 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布１
１［０は、位置ＩＩＩと位置１．間においては、濃度０
．と一定値でＴｏ〉、位置１丁においてはヒ ＩＩ　１１０１＠される。位置ｔ、と位置ＩＴとの間で
は、分ハ 布繰度ＣＦｉ−次関数的に位置ｔ、よｐ位置ｔＴＫ至る
まで減少されている・ 第７図に示される例においては、分布績ｆＯは位置ｔ、
より位ｆｔ４までは＊ｆＯｓ＊の一定値【取シ、位置ｔ
４よ９位１１１１７まで＃ｉ１１度０３．よｐ濃度０．
。

まで−次間数的に減少する分布状態とされているＯ 第８図に示す例においては、位ｌｆｔ１Ｉより位置１丁
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布ＩＩＩｆＣは繊度
０１］実質的に苓に至る株に一次関数的に減少している
。

第９図においては、位置ｔＢより位置ｔ１に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ，ｓより＃ｆ
Ｏ＋ｓまで一次関数的に減少され、位置１、と位［ｔ７
との間においては、＊　＃　Ｏｔｓの一定値とされた例
が示されている。

第１θ図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布ａ１度Ｃは位置１．において毅度”Ｉｆであり、位
置ｔ・に至るまではこの濃度０１．より初めはゆつくυ
と減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ、ては績ｆ　Ｏ＋ａとされる。

位置ｔ、と位１ｉｉｔ、との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ
、で濃度Ｃ１，とな）、位置ｔ、と位置ｔ、との間では
、極めてゆっくりと保々に減少されて位＊ｔｍｖｃおい
て、一度Ｃ３に至へる＠位置ｔ、と位置１Ｔの間におい
ては、＃に度０．より実質的に零になる様に図に示す如
き形状の一縁にｌｔ、て減少されている。

以上、第２図乃至４１０図により、１３１の層領域Ｉ中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかｔ説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布＊＊０の為い
部分１虻有し、界ＦｋＪｔ、＠においては、前記分布濃
度ｏＦｉ支持支持体験べて可成り低くされ九部分を有す
るゲルマニウム原子の分布状態が第１の層領域０に設け
られている。

本発明に於ける光導電部材を構成する非蟲質層を構成す
る第１の層領域０は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子か比較的１ｉｆｉ＆で含有されて
いる局在領域（Ａ）ｋ有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）Ｆｉ、累２図乃至第１
０図に示す記号を用いて説明すれに、界面位置１１Ｋよ
り５μ以内に設けられるのがｉｌましいも本発明におい
ては、上記局在領域（５）に、界面位置１．より５μ厚
までの全層領域（ＬＴ　）とされる場合もあるし、又、
層領域（Ｌ、Ｔ）の一部とされる場合もある。

局在領域内を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される非晶質層に費求される特性に従
って適宜決められる。

局在領域（５）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布１
ｉｉｌＪｆの最大値Ｏｍａｘがシリコン原子に対して、
通常Ｕ　１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適に
は５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩ　
Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子のｊ有され
る非晶質層に、支持体側からの層厚１゛で５μ以内（１
Ｂから５μ厚の層領域）に分布員度の最大値Ｏｍａｘが
存在する様に形成されるのが好ｌしいものである。

本発明に於いて、形成される非晶質層を構成する第２の
層領域＜Ｓ＞中に含有される水素原子（Ｈ）の皺又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の蓋又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（ｉ−ｉ＋ｘ　）は、通常の場合、１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、好適には５〜６０ａｔｏｍｉｃ　％、最適
には５〜２５　ａｔｏｍｉＣ−とされるのが望ましい。

本％明において、第１のｍ領域中に富有されるゲルマニ
ウム原子の官有蓋としては、本発明の目的が効果的に達
成される禄に所望に従って適宜決められるが、通常Ｕ　
ｌ　−９，５ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、好まし
くは１００−に３　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適には５００　％７　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第ｌの層領域（（ｊｌと第２の層領域（
Ｓ）との層厚μ、本＠明の目的を効果的に達成させる為
の＊賛な因子の１つであるので形成される光導電部材に
所望の特性が光分再見られる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（（ｉｔの層厚Ｉｌｌ。

μ、通常の場合、３０Ａ〜５０μ、好ましくは４０Ａ〜
４０μ、最適にｔｌｉ５０Ａ〜３０μとされるのが望ま
しいＯ 父、第２の層領域（８１の層厚Ｔは、通常の場合、０．
５〜９０μ、好ましくは１〜８０μ、ｊｌ１通に＃′ｉ
２〜５０μとでれるのが望ましい。

ｊＩｌの層領域０の層厚′ｒｌと第２０層領域（Ｓ）０
層厚Ｔの和（Ｔ、　＋Ｔ　）としては、崗層餉域Ｋｌ！
求される特性と非晶質層全体に豊求される％性との相互
間の有機的関連性に轟いて、光都電ｓ１Ｎの増設置（Ｄ
際１ｃ所望に従って、適宜医定δれる。

本発明の光導電部材に於いては、上記０（Ｔ。

＋Ｔ）の数Ｖｉ軛咄としては、通常の場合１〜１００μ
、好適には１〜８０μ、最適には２〜５０ｓとされるの
が望ましい。

本発明のより好筐し都実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｉｌｌ、及び層厚Ｔとしては、通常はｒＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい・上記の場合に於ける層厚Ｔ、
及び層厚Ｔの数値の選択に於めて、より好ましくは、′
ム゛、／Ｔ≦０．９、最適にはＴ、／　Ｉｌｌ≦０．８
なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚′ｒｏｗＬ
が決定されるのが望筐しいものである〇 本発明に於いて、纂ｌの層領域日中に含有されるゲルマ
ニウム原子Ｏｆ肩童がｌＸｌ０　ａｔ（２）ｉＣｐｙｎ
以上の場合には、′１ｐ１１の層領域Ｉの層厚′らとし
ては、可ａ９薄くされるのが望ましく、好ましくＦｉａ
ｏμ以下、より好ましくは２５μ以下、最適ｌ／ＣＦ１
２０μ以下とされるのが望１し′いものである・ 本発明において、必要に応じて非晶質層を構成する第１
の層領域０及び第２の層領域（８）中に含有さｎるハロ
ゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素か挙けられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙けることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ（ト）（）（、Ｘ）で構成す
れる第１の層領域−を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオングレーディング法等
の放電埃象を利用する真空堆積法によって成される０例
えは、グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成芒れるｗ、１の層領域（０４に形成するには、基
本的にはシリコン原子（８ｉ）を供給し侍るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（（ｊｅ）ｋ供給し侍る
［有］供給用Ｏ原料ガスと、必要に応じて水素原子０４
入用の原料〃ス又Ｆｉ／及びノーログン原子９Ｑ尋入用
のＭＡ科ガスｔ１内部か減圧にし得るＪＩ［横室内に所
望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体
表面上に富有されるゲルマニウム原子の分布＊にを所望
の寂化率曲−に従って劃−し乍ら畠−８ｉＧｅ（）ｌ、
Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不
活性ガス又はこれ等のガスｔペースとし九混合ガスの雰
囲気中で８１でｌｌｌ１成されたターゲットと伽で構成
され九ターゲットの二枚を使用して、又はＳｉと伽の混
合され九ターゲット１＊用してスパッタリングする際、
必要に応じて水素原子（ハ）又扛／及びハロゲン原子囚
導入用のガス【スパッタリング用の堆積室ｖｃ尋大して
やれば嵐い・ 本発明において使用される８ｉ供艙用のｊＩ料ガスと成
り得る物質としては、８ｔｋ４４　、８輸）１．、ｄ輸
Ｈ１゜Ｓｉ４川０等のガス状態の又はガス化し得る水嵩
化硅素（シラン＃Ａ）が有効ＶＣ徳用辿れるものとして
ｅｒｒられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ｄｉ供
給効率の良逼等の点でＳｉ鴇、　ｄｉ、Ｈ，が好ましい
−のとして挙けられる。　　　　　　−２−由供給用の
原料ガスと胞９侍る物質としては、（ｊｃＨ，−に１１
　Ｈ＠　＊　ｕｅ、Ｈ，、（）ｅ、）１１０　、　Ｇｅ
５　ＨＨｌ　、　（ｊｅｓＨＨ、ＧＣ？Ｈ１＠＋Ｇｅ、
Ｈ，、、ｕｅ、ｒｉｇ、　　等のガス状態の又はガス化
し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙けられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、（ｊｅ
供給効率の良さ等の点で、（ｊｅｔ、、　Ｇｅ、ｔ−１
，。

ｕｅ、）ｉ、が好ましいものとして挙けられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙けられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、−・ロゲン間化
合物、−・ログンでＷ換されたシラン誘導体等のガス状
態の又はガス化し得る・・ロゲン化付物が好ましく挙け
られる〇又、史には、シリコン原子とハロゲン原子と金
構Ｉｆｔ、ＪＩ！素とするガス状態の又はガス化し得る
、ハロゲン原子ｔ−ｉ′む水素化は素化合物も有効なも
のとして本発明においては挙げることが出来る口 本発明において好適に使用し祷るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ嵩のハロゲ
ン原子、ＨｒＦ　、　Ｏｌｋ”　、　０１１１ｇ　。

Ｂｒｋ’＠　、　ＢｒＦ、　、　ＩＦ、　、　ＩＰ、　
、　ＩＯｊ　、　ＩＢｒ等のハロゲン関化合物を挙ける
ことが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所劇、ハロゲン原子で
置換されたシラン自導体としては、具体的に社例えｉｊ
　ｄｉＦ、　、　８ｉ、Ｆ、　、　８１０１４　、８ｊ
Ｂｒ、等のハロゲン化硅素が好ましいものとして亭ける
ことが出来る。

この様なハロゲン原子虻含む硅素化合物【採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、−供給用の原料ガスと共にＳｉｔ供給し侍
る原料ガスとしての水本化姓嵩ガス【使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉ（ｊｅか
ら成ゐ亀１の層領域（（Ｊ　ｔ−形成する事が出来る。

グロー放電性ｖｃ使って、ハロゲン原子を含む馬ｌの層
執域ｇＪ４を作成する揚台、基本的には、ψりえばＳｉ
供給用の原料ガスとなるハロゲン化合資と由供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、　Ｈ，、Ｈｅ
等のガス等ｔＩ５ｒ定の混合比とガス＆ｆｉｒｃなる様
にして第１の虐懺域Ｉτ形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ勢のカスのプラズマ雰囲気を形成
すること１よって、所望の支持体上に第１の層餉域ｌｔ
−形一し優るものであるが、水素原子の導入割合の制−
を一層容易になる様に計る為にこれ等のカスに史に水素
カス又は水′１ｇ原子を台む硅素化合物のガスも１５を
鎧型混合して層形成しても良い〇又、各ガスは単独徨の
与でなく次定の混合比で複数種混合して使用しても差支
えないものであるＯ 反応スパッタリング法或いはイオングレーティング法に
依りてａ−８ｉ（Ｊｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層領域
（（Ｊ　ｋ形成するｔこは、例えはスパッタリング法の
場合にはＳｉから成るターゲットと（Ｊｅから成るター
ゲットの二枚τ、或はｄｉとｕｅがら成るターケラトτ
使用して、これｔＰｋ望のガスプラズマｌｌｌ−気中で
スパッタリングし、イオンブレーティング法の場合には
、例えは多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲ
ルマニウム又は単結蟲ゲルマニウムとｔ夫々蒸発練とし
て蒸着ボートに収容し、このｌｋ発ｍｅ抵抗加熱法、或
いはエレクトロンと一ムｆｆ１（ｋＡＢＩ＆）等によっ
て加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ芥曲気
中ｔ−通過させる拳で行う◆が出来る。

この際、スパッタリング法、イオングレーティング法の
倒れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を尋人す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
Ｃ含む硅素化合物のガスを輌横室中に導入して該ガスの
グツズ１ｇ囲気′に杉戚してやれは良いものである・又
、水車ぷ子ｔ−尋人°する場合には、水嵩犀子導入用の
原料カス、例えは、Ｈ２、或いはｓＩｒ配したシラン類
又は／及び水嵩化ゲルマニウム等のガスｆＡ虻スパッタ
リング用の堆積家中に尋人して該ガス類のプラズマ雰囲
気（ル成してやれは良い。

本発明においては、ハロゲン僚＋噂六弗寺原子尋人用の
原料ガスとして上記されたハロゲン化合資或いは・・ロ
ケンを冨む硅素化合物が有効なものとして使用されるも
のであるが、その他に、Ｈｉ’　、　Ｈｏｌ　−州ｒ　
、　Ｈｌ等のハロゲン化合資、５ｔＨ２ｋ”２　、５ｉ
）Ｉ、　ｉ、　、　８１に４１０１２　、８ｉＨＬ３／
、　、　５ｔ）ｉｌＢｒｌ　。

５ＩＦｉＢｒ３等のハロゲン［換水素化硅素、及びｕｅ
掛゛１゜ＧｅＨｌに’ｌ　、　Ｇｅｔ４Ｂｋ’　、　（
ｊｅ則／、　、　ＵｅＨ２０４、ｃｍｔｉ、ｏｌ。

ｌｊｅ聞ｒｌ　、　ＧｅＨＩＨｒ、　、　（ｊｅ）ｉ、
Ｂｒ　、　（ｊｅＨＩ、　、　ＧｅＨ，■、　、　（ｊ
ａＨ，Ｉ→の水素化ハロケン化ゲルマニウム、等の水素
原子を構成費嵩の１つとする〕・ロゲン化物、Ｕｅｉ１
′４．　Ｇｅ０１４．　ＣＪｅｅｒ、　、　ＧｅＩ４．
　ＧｅＦ、　、　Ｇｅ０１□（ｊｅＢｒ、　。

（ｊｅＩ、％のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状
態の或いはガス化し得る物質も有効な第１０層積載（Ｌ
Ｊ形地用の出＠物質として挙ける事が出来る０ これ等の物質の中水素原子τ言むハロゲン比重μ、第ｌ
の層狽城−形成のｖｌＡに層中にハロゲン腺子の尋人と
同時に電気的或いは光電的特性の劃ｌ１４１に極めて有
効な水嵩原子も導入されるので、本発明においては好適
なＩ・ロゲン尋入用の原料として使用される。

水３に原子を第１の層領域０中に構造的に尋人ｔ　ルｒ
ｃ　ｒｔ、上記ｔＤ　他Ｋ　ｄ、、戚イＦ’１８ｉｋ４
４．８１１１（＠　。

Ｓｉ、Ｈ，、８１，Ｈ１＠等の水嵩化硅素を［有］を供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、戚
いは、Ｇｔｉ−ｉ、　爪ｈＨ＠　、　ＧｅＢＨ＠　、　
（ｌｅ４ｕ、　、　（ｊｅ、Ｈ６、（ｊｅ、）ｉ、　。

ｕｅ、Ｈｌ、　、　（）ｅ、Ｈ，、、（ｊｅ、Ｈ＠等の
水嵩化ゲルｖ　＝ラムとＳｉ　ｋ供給する為のシリコン
又はシリコン化合物と、１に堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも竹う◆が出来る◎ 本発明の好ましい例において、形成される非晶質層【構
成する第１の層領域（ｑ中にオ有される水１ｇ腺子ｌの
菫又は〕・ロゲン隷子囚の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（）１＋Ｘ　）は通常の場合０．０１　？　
４０　ａｔｏｍｉ　ｃ％　、好適には０．０５−０５−
３０ａｔｏ＊　ｓ　最適にＵ　Ｏ，１−２５ａｔｏｍｉ
ｃ−とサレルのが望ましい。

第１の層領域Ｉ中にざ有δ扛る水嵩原子に）又は／及び
ハロゲン原子内のｋｔ　ｆｆｉ　１ｔｉｌｌ−するｒ（
−＆よ、例えば支持体温度又は／及び水嵩原子に）、戚
いにハロケン原子囚τ言有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ尋人する量、放電増力等を制御して
やれは良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成δれる第２
の層領域（８）　を形成するＶＣは、前記した票１の層
領域（＜Ｊ４形成用の出兄吻實山の中より、Ｇｅ供帖用
の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２０層
領域（８１形成用の出発物質（ＩＩＪｔ−使用して、第
１（Ｄ層領域（（Ｊｌτ形成する場合と、同様の方法と
条件Ｖｃ便って竹う挙が出来る・即ち、本発明にνいて
、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成ちれる第２の層領域（Ｓｌ
　ｋ形成するには例えはグロー放電法、スパッタリング
法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象τ利用
する真全Ｊｔｈ積法によって成される。例えば、グロー
放電法によって、ａ−８４（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層−城ｔｓｌ　ｆｆｉ形成するｖｃ　ｒｘ　、基本的
１ｃは１紀し九シリコン腺子（８ｉ）ｋ供給し得る８ｉ
供給用の原料ガスと共Ｋ、必費に応じて水嵩原子Ｈ４人
用の又は／及びハロゲン原子囚導入用のＪＩＬ科ガスガ
ス内部が減圧にし得る堆積室内に尋人して、咳堆積室内
にグロー放電會生起させ、予め所定位置に設置されであ
る所定の支持体表向上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形ｇ−ａせれは良い◎又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、ｔ′ｆｅ％の不活性ガス又は
これ等のβスｔベースとし友混合ガスの雰囲気中で８１
で構成され友ターゲットをスパッタリングする際、水嵩
原子に）又は／及びハロゲン原子囚導入用のガスｔスパ
ッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本＠明の光４（部材に於いては、ゲルマニウム原子のｊ
有される第１の層、置載０の上ｒｃ　＊けられ、ゲルマ
ニウム原子の富有されない第２０層積載（８１には、伝
４特性を制御する画質虻含有もせることｙｃより、該層
領域（８）の伝導特性を所望に従って任麓に劃−するこ
とが出来る。

この様な物質としては、次組、半導体分野で賃われる不
純物ｋｊｒｉけることが出来、本＠明に於いては、形成
される第２の層領域（８）　Ｊｔ構成するａ−ｄｉ（Ｈ
，Ｘ）に対して、Ｐ型体４％性を与えるＰ型小軸物、及
びｎ型伝尋峙性ｒ与えるｎ型不純＊ｔ”＊けることが田
米る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第扉裏に属す
る原子（第履族原子）、例えば、Ｂ（＃ｊｌ嵩）、Ａｒ
　（アルｉニウム）　、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ　（
インジウム）、Ｔ／　（タリウム）勢があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｈ、Ｇａでめる。

ｎ型不純物としてｅゴ、周期律衣＊Ｖ族に属する原子（
第Ｖ族原子）、例えば、Ｐ　（＠　）　、Ａｓ（砒１ｇ
）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｈｉ　（ビスマス）等であ
り、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ。

Ａｓである。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に富有ａれる伝尋
特性τ制岬する物質の〆有電は、該層領域１８１に費求
される伝導時性、或いは該層領域１８１に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域との縁触
界面に於ける特性と０１ｉｌＩ係等、有機的胸連性に於
いて、適宜選択することが出来る・ 本発明に於いて、第２０層領域（８）中に含有される体
４％性を制御する吻實のａ゛有量しては、通常の場合、
０．００１−１０００　ａｔｏｒｎｊｃ　ｐｐｍ、好適
には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、　　最
適Ｋ　ＦｉＯ，１−２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましいものである。

第２０層領域（８）中に伝導物性會側−する物質、例え
ｉ１′第厘族原子或いは第マ族犀子を構造的に導入する
には、層形成の際に第朧族腺子導入用の出発物質或いは
第Ｖ族原子尋入用の出発物質ｔカス状態で層積室中に、
第２０層領域を形成する為の他の出発物質と共に尋人し
てやれは良い・この嫌な第厘族腺子尋入用の出発物質と
威シ得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少な
くとも層形酸条件下で容易ｙｃガス化し侍るものが採用
されるのがＭましい。その様なＩ＠厘＆原子４入用の出
発Ｗ＊として具体的には一本庫子尋入用としては、Ｂ＠
Ｍ＠　、　Ｈ６Ｈｓ＠　、　８１Ｍ、　、　ｎ、ｎ、、
　。

Ｂ、ｉｔ、、ＢＩＨｌ１　、Ｂ＠”１４勢の水素化−索
、Ｂｋ″ａ　＊　ＢＯ２＊１３Ｂｒ、％のハロゲン化ｄ
本箇が挙けら扛る＠この他、ｋｔｏｌ＠　、　ＵａＵＩ
Ｂ　、　Ｕａ　（ＯＨＨ）Ｈ、ＩｎＬ］ｊ３　、　’に
’ｔｏｌＢ等も挙けることが出来る。

ｍＶ＆原子原子用入用発物質として、本％明において有
効ＶＣ使用されるのに、燐原子導入用としては、Ｐｉｔ
、　、　Ｐ＠ｋ１４等の水素化燐、Ｐ鴇Ｉ、Ｐｉ’、。

ＰＦ、　、　ＰＣｌ３　、　Ｐｏｔ、　、　ＰＨｒ、　
、Ｐｋ３ｒ、、Ｐｌ、　ＳツバＤゲン化燐が◆けられる
。この他、Ａｓｈ、　ｌ　ＡＳＦ　Ｍ　、　Ａｓｈ／　
＠　、　ＡｌＢｒ１　＋Ａｓｋ’＠　、　ｓｂＨ，、８
ｂＦＢ　、　８ｂｆＩ’ｇ　、　５ｂＯｊ　Ｂ　、　５
ｂ（Ｊ４　、　ＢＩＨｌ　ｅＢｉＯｊｓ、　Ｂ１Ｂｒ、
等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
けることが出来る。

本発明において使用される支狩体としては、導電性でも
電気絶縁性でめっでも艮い。導電性支持体として口、例
えは、Ｎ１（Ｊｒ　、ステンレス。

Ａ／　、　ｔＪｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、
　’ｆ’ａ　、　Ｖ　、　’ｉ’ｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐ
ｄ　％の金属又はこれ等の合金が挙けられる・ 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ボリエナレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド勢の合
成倒産のフィルム又はシート、ガラス。

竜うｉｔり１紙等が通常値用される・これ等Ｏ電気ｌｉ
！３縁性支持体は、好適には少なくと一七〇一方の表Ｉ
ｆｏｔ−尋電処理さ扛、咳尋電逃塩され次表１１ｏ１１
ｉｌに他の層が設けられるのが望ましい◎例えは、ガラ
スであれば、その表向に、Ｎｉ０ｒ。

ム１．Ｏｒ　、Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ　、Ｎｂ、’ｉ”ａ
、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ。

Ｉｎ、０．　、８ｎＯ，、ＩＴＯ（ｈｌｏ、＋８ｎＯ，
）等から威る躊ａｔ設けることによりて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフィルム−の合成ｍ麿フィルム
であれは、Ｎ１Ｕｒ　、　ｋｌ　、ムｇ　、　Ｐｂ　、
　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、ムＵ。

Ｏｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｉ等の金
属の薄躾を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
等でその表面に設け、又は前記金属でその表ｒｋｉｔラ
ミネート処場して、そのｔＲ向に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし俺、所望によって、その形状は決定されるが
、例えは、８１図の元帰電部材１００Ｉｔ電子写真用像
杉成部材として使用するのでわれは連続簡達複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい・支
持体の厚さは、所望ｉｈりの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として口」焼性が要求
δれる１ｍｆｔＶＬは、支持体としての機能が充分発揮
される組曲内でわれはａＪ能な限り薄くされる。内生ら
、この橡な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、通常ｅユ、１０μ以上とδれる・次に本
発明の光導電部材の教造力法の一例の概略について脱明
する。

！１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す０図中の
１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の光導電
部材を形成するための原料ガスが密封妊れて＆す、での
１例としてたとえは１１０２は、）１ｅで稀釈された８
ｉＨ，ガス（純度’ｊ９．９９９％、以下ｄｉ山／Ｈｅ
と略す。）ボンベ、１ｉｏａは）Ｉｅで稀釈さ［９９，
９９９１，以）　ｂｔＦ４／　）（ｅと略す＠　）ボン
ベ、１１０５ｔ　９９９９９１１）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入樋ゼるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６０バルブ１１２２−１１２６、
リークパルプ１１３５が閉じられていること′ｔ４ＩＴ
ＭＩｔし、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パ
ルプ１１１７−１１２１　、補助バ）プ１１３２　、１
１３３か開かれていることを確認して、先づメインパル
プ１１３４を開いて反応ｍ　１１０１、及び各ガス配管
白髪排気する。

次に真空針１１３６の貌みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒ
ｒ　ｒｃ　＆　−）九時点で補助パルプ１１３２．１１
３３　、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よｊ）　５
ｔｉ（４／　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よＪ）Ｇｅ
搗／１−１ｅガｘｌパルプ１１２２，１１２３ｔ−開い
て出口圧ゲージ１１２７．１１２８の圧ｔ−１確／１冨
に一整し、流入パルプ１１１２．１１１３　ｋ＠　＊に
開けて、マスフロコントローラ１１（Ｊ７，１１０ｇ内
に天命流入させる。引１１続いて流出パルプ１１１７．
１１１Ｍ、軸動パルプ１１３２會徐々に開いて夫々のガ
スを反応室１１０１に流入させる・このときの：ｄ　１
ｆ（４／　）ｉｅガガス量とＧｅ）１．／）１ｅガス流
量との比が所望の儀になるように流出パルプ１１１７．
１１１８　ｋ調整し、父、反応室１ｉｏｉ内の圧力が／
＊ｊｉ１１の値になるように真空計１１３６の読みｔｊ
Ｌながらメインパルプ１１３４の開口倉＃ＩＩする。そ
して基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により
５０〜４００”０の範囲の温［こ設定嘔れていることを
確−された後、電＠ｉ　１１４０をＦ９ｒｇＪ１の電力
に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、
同時にわらかしめ設置ｔされ九変化率曲−に従って龜鴇
／Ｈｅガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ寺の方
法によりてパルプ１１１８の開口を漸次変化避せる操作
を行なって形成場れる層中に含有されるゲルマニウム原
子の分布−ｆ？ｉ−制御する◇ 上記の様Ｖこして、所望時間グロー放電を維持して、所
望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域１（Ｊ　ｆ形
成する□所望層厚に第１の層領域（（Ｊが形成場Ｉした
段階に於いて、流出パルプ１１１８　ｋ完全に閉じるこ
と、及び必費に応じて放電条件を変える以外は、同様な
条件と手拳に従って、所望時間グロー放電を維持するこ
とで凧１の層領域０上にゲルマニウム原子の実質的に富
有されないＪ１２の層算域（Ｓ）　ｋ形成することが出
来る。

＄２０層領域ｔＳ＋中に、伝導性を支配する物質ｔ−金
含有せるには、第２の層１ｉｉｊ＊（均の形成の際に例
えはＢ、）１．　、　Ｐ）ｌ、等のガスを堆積室１１０
１の中に導入するガスに加えてやれば良い。

層形成を行、ている間は層形成の均−化會一るため基体
１１３７ｔ′ｉモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望筐しい。

以下実施例についてｉ１１！明する。

実施例１ 第１１図に示したｌｌ！遣装−により、シリンダー状の
＾１基体上に、第１＠に示す条件で第１２図に示すガス
流量比の変化率Ｍ線に従って、ＧａＨ，／ＭｅＨｅガス
１Ｈ４／Ｈ＠１ガスのガス流量比を層作成経一時間と共
に変化させて１−形成を行って鑞ｆ写真用像形成部材を
得た。

こうして得られ光像形成部材を、帯電鑵光実積装置に設
置しθｓ、ｏｔｖで０．５−８０１１４コロナ帝−を行
い、直ちに光＊を照射した光像はタングステンラング光
源を用い、　　２１ｕｘ−ｓｅＣの光駿を、ｄ１過型の
テストチャートｔ４Ｌ、て照射させた。

その犠直ちに、■荷・電性の現像剤（トナーとキャリア
ーを含む）を像形成部材上Ｌｉ１ｌｉをカスケードｒる
ことによって、憚杉成郡材表面上に曳好なトナー１ｄＩ
ｉ儂を得た。像形成部材上のトナーｍｌ’ｉｉ！ｆｒ、
ｅｓ、ａｔＶのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解
像力に浚扛、階調再曳件のよい鮮明な爾濃度の＋７１象
が得ら４ｔた。

実施例２ 第１１図に示し友製造装置により、第２表に示す条件で
第１５図に示すガスｆｉｔＪｉ比の変化率曲縁に従って
、Ｇ・Ｈ４／Ｍｅガスとａ　ＬＨ，／Ｈ・ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、層形成を行って電子４真用１象
形成部材を得九。

こうして得られ友層形成郡材に就いて、実施例１と同様
の４＃！汗及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ
諷めて鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示し友製造装置により、第３８に示す条件で
第１４図に示すガスｆｉｔ瀘比の変化率曲線に従つ、て
、ＧｅＨ４／Ｍｅガスと８１Ｍ４／Ｈ・ガスのガス流量
比を層作成−過時１＆Ｉ！と共に変化させ、その他の条
片は実施例１と同様にして、層形成を何グて電子写真用
像形成部材を４７’ｔ。

）こうして得らｎ友像形成―材に就いて、実施例１と同
様の粂件反び手順で転写紙上ＫｄｌＪ１１１を形成した
ところムめて鮮明な画質が得られた。

実施例４ 第１１図に示した鯛Ｊｆｉ誠瀘により。、第４表に示す
条件で＠１５図に示すガス流慮比の変化重両−に従って
、Ｇｅｋ１４／ｌ（ｅガスとｓ　ｔ［４／　ｅガスのガ
ス流竣比ｔｍ乍成−過時間と共に変化させ、その他の条
件は実施例１と同様にして、−形成全行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られ友葎形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及びｆ−順で転写紙上に一１砿を形成したと−こ
ろ１−めで鮮明な幽實が得られ友。

実施例５　・ 第１１図に示した製造Ｓ！？、−により、第５表に示す
一１’で第１６図に示すガス流−比の変化率曲線に従っ
て、Ｇ＠ｍ４／Ｈｅガスと８１Ｈ４／Ｈ＠ガスのガス流
着比を／ｌ１ｌｉ　ｍｕ成ｄ過時１４と共に変化させ、
その他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と＋ｇ
Ｊ儲の染汗及び手Ｉ威で転写紙とに１−像を形成したと
ころ極めて１１＃明な画）繊が得られた。

実ｗＡＮ６ 第１１図に示し友製造Ｓａｔにより、第６表に示す条件
で＃１１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、
Ｇ＠Ｈａ／／１１＠ガスと８１Ｈａ／Ｈ・４スのガス流
量比を層作成−過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形
成部材を得九。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に誦書を＄成し九ところ礁め
て鮮明な画質が得られ丸。

実施例７ 第１１図に示し友製造蝦直により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従りて、Ｇｅ
ｍ、ハ・ガスと５ＩＨ４／Ｈ・ガスのガス流慮比會層作
成−過時閣と共に直化させ、その他の条件は実施例１と
同様にして、層形成を行りて一子写真用一杉成椰材を得
九。

こうして得られ走像廖成鄭材に就−て、実施例１と１４
様の条件反び手順で転写紙上にＩＩＩＩｉ像を形成した
ところ億めて鮮明な画質が得られ丸。

実施例８ 実施例１に於いて、８ｔＨ４／Ｈａガスの代りに８ｔ％
ａ／Ｈｓ　ｎスを使用し、第８表に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の栄汗にして一杉成ｔ？Ｔ・つて電
子写真用像形成部材を得た。

こうして得られ九律形成部材に就いて、実施例１と同様
の粂件反び手順で転写紙上に一＊１−形成し友ところ極
めて鮮明なｌＩ！ＩＩ實が得られ友。

実施例９ 実施例１に於いて、ｓ　ＬＨ４／に１ｅガスの代りに５
ｔｙ４／ｎ・ガスを使用し、第９衣に示す条件にし友以
外は、実施例１と同様の乗汗にして層形成を灯うて一子
写真用律形成部材を得九。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手ｉ＠で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られ友。

実施例１０ 実施例１に焚いて、”１３１Ｈ４／ｋｌｅガスの代りに
（Ｓ　Ｌ　Ｈａ　／Ｈ１１）　Ｓ　ｉ　Ｆ４　／Ｍ　ｅ
　）ガスｌ使用し、第１０表に示−ｒ条件にした以外は
、実施例１とｌ１１１様の条件にして層形成を行って電
子写真用像形成部材を得九。

こうして得られ九像形成薄材に就いて、実施例１と同様
の条件反び手−で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 実施例１〜１０に於いて、第２鴫の作成条件を第１１表
に示す条件にした以外は、各実施−に示す条件と同様に
して一子写真用博形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び千−で転写紙上にＩｔｈｉ儂を△ 形成したところ第１１表に示す結果が得られた。

ハ 夷・施例１２ 実施例１〜１．０に於いて、第２層の作成条件を第１２
表に示す条件にした以外は、谷実施例に示す条件と同様
にして電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就匹て、実施形成したと
ころ第１２、表に示す結果が得られえ。

実施例１５ 実施例１に於いて、光＃をタングステンランプの代りに
８１０１のＧａＡａ糸牛導体レーザ（１０、ｎｗ　）倉
用いて、靜′４葎の形成を行つ友以外は、実施例１と同
様のトナー−律形成条汗にして、実施例１と同様の条件
で作成した１子写真用儂形成部材に就いてトナー転写−
律の画質評価を打つ九ところ、　％＊力に−れ、１項一
再現性の良い鮮明な高品位の一嫁が得られた。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：　ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層−一一一
一約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層−ｍ−
約２５０℃放電周波数：　　１３．５８　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導ｗＬ部材の層構成を説明する為
の僕式的層構成図、ｗＩＪ２図乃至第１０図は夫々非晶
質層中のゲルマニウム原子の分布状態ｔ−説明する為の
説明図、第１１図は、本発明で使用された装置の模式的
説明図で、第１２図乃至第１８図は夫々本％明の実施例
に於けるガス流瀘比の変化率臼−を示す説明図である。 １００・・・光４電部材 １０１・・・支持体 １０２・・非晶質階 出願人　キ′ヤノン株式会社 ゞ“ｔ：＋！ｌ！？ □Ｏ 第１づ図 力°スＩＰし上Ｌ アｒス僚！比 第１６Ｍ 男７７１Ｙ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　光導電部材用の支持体と、咳支持体上に、シ
   リコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構
   成された、第１ｏＭＳ域とシリコン原子を含む非晶質材
   料で構成され、先導電性を示す第２の層領域とが前記支
   持体側よシ順に設けられた層構成の非晶質層と【有し、
   前記第１０層領域中に於けるゲルマニウム原子の分布状
   態が層厚方向に不均一である事【％黴とする光導電部材
   ・ （２）第１の層領域及び第２０層領域の少なくともいず
   れか一方に水嵩原子が含有姑れている特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部材０（３）第１０層領域及び第２
   ０層領域の少なくともいずれか一方に・・ロゲン犀子が
   含有されている％１ＦＦ１１１求の範囲第２積に記載の
   光導電部材０ （４）第１の層領域中に於けるゲルマニウム原子の分布
   状態が前記支持体−の方に多く分布する分布状態である
   特許請求の範囲第１に記載の光導電部材。