JPS58187942A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のス４ク
トル特性にマツチングした吸収ス（クトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮偉装置においては、残漬を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓ％ト表記す）があ
シ、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報圧は光電変換読取装置
への応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値５光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用し次場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる。或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する１等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーデとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

父、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「デケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、Ｍ傷度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

或いは又、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電１中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成（７た層の電気的或いは
光導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙圧転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現像による
と思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、グレ
ードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ノ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したり、哉いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像の〆ケが
生ずる場合が少なくなかった。

従ってａ−３ｔ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又は・・ロク′ン
原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファ表材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ノーロ
グン化アモルファスシリコン、或いは・・ロダン含有水
素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記と
してｒ　ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構
成され、光導電性を示す非晶質層を有する光導電部材の
層構成を以後に説明される様な特定化の下に設計されて
作成された光導電部材は実用上著しく優れ九特性を示す
ばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆ
る点において凌駕していること、殊に電子写真用の光導
を部材として著しく優れ九特性を有していること及び長
波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを
見出した点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時　　□安
定していて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型
であり、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労
に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず
、残留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、靜電儂形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分である光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いてｉＩ＃ｊ
（衆欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得
ることが容易にできる電子写真用の光導電部材を提供す
ることである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持
体側より順に設けられた層構成の第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された
第二の非晶質層とを有し、前記第１の層領域中に伝導性
を支配する物質が含有されている事を％徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画１′象を安定して繰返し得ることができる°。　
　　更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて
光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ
、且つ光応答が速い。

以下、図面に従−）て、本発明の光導電部材に就て詳細
に６９明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様列の光導電部材の層
構成を説明するために模式的にボした模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００Ｖｉ、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、第一の非晶質層（１）１０２
．第二ノ非晶’を層（ＩＩ）１０５とを有し、該非晶質
＃（Ｉｔ）１０５は自由表面１０６を一方の端面に有し
ている。

第一の非晶質層１０２は、支持体１０１側よりゲルマニ
ウム原子を含有するａ　−Ｓｔ　（Ｈ，Ｘ）　（以後ｒ
　ａ　−ＳＩＧ＊　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略言ピする）で構
成され次第１の層領域（Ｇ）　１０３とａ　−Ｓｉ　（
ＨｌＸ）で構成され、光導電性を有する第２の層領域（
Ｓ）　１０４とが順に積層された１−構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０３の層厚方向及
び支持体１０１０表面と平行な面内方向に連続的で均一
に分布し良状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）　１
０３中に含有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）１０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）
が含有されており、第１０層領域（Ｇ）１０３に所望の
伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）１０３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層領域（
Ｇ）　１０３の全層領域に万逼なく均一圧含有されても
良く、第１の層領域（Ｇ）　１０３の一部の層領域に偏
在する様に含有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層領域（Ｇ）の一部の層領域に遍在する様に第１の層領
域（Ｇ）中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）は、第１の１領域（Ｇ）の端部
層領域として設けられるのが望ましいものである。殊に
、第１の層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域として前
記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、核層領域（Ｐ
Ｎ）中に含有される前記物′Ｒ（Ｃ）の種類及びその含
有量を所望に応じて適宜選択することによって支持体か
ら第一の非晶質層（１）中へ、の特定の極性の電荷の注
入を効堅的に阻止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、第一の非晶質層（１）の一部
を構成する第１の層領域（Ｇ）中に、前記した様に該層
領域（Ｇ）の全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在す
る様に含有させるものであるが、更には、第１の層領域
（Ｇ）上に設けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物
質（Ｃ）を含有させて良いものである。

第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域（Ｇ）中に含有される前記物質（
Ｃ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、
第２の要領Ｍ　（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類
やその含有量、及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（
Ｃ）を含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層領域（Ｓ
）の全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含有させても良いものである
。

第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が
含有されている層領域とが、互いに接触する様に設ける
のが望ましい。

又、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とに含有
される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であっても良
く、又、その含有量は各１！領域に於いて、同じでも異
っていても良い。

百年ら、本発明に於いては、各層領域に含有される前記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１
の層領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を、所望の各層領域
に、夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも第一の非晶質層（１）を
構成する第１の層領域（Ｇ）中に、伝導特性を支配する
物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（Ｃ）の含
有される層領域〔第１の層領域（Ｇ）の一部又は全部の
層領域のいずれでも良い〕の伝導特性を所望に従って任
意に制御することが出来るものであるが、この様な物質
（Ｃ）としては、所謂、半導体分野で云われる不純物を
挙げることが出来、本発明に於いては、形成される非晶
質層を構成するａ　−ＳＩＧ＠　（Ｈ，Ｘ）やａ　−Ｓ
ｉ　（Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不
純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げること
が出来る。

に体重には、ｐ型不純物としては周期律表第■戎に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｔ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔｔ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ　＊　Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族（で属する原子（
第■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、、Ａｓ（砒素）、５
ｂ（７ンチモン）　、　Ｂｌ　（ビスマスＬＩであり、
殊に、好適に用いられるのは、ＰｔＡｌ＋である。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは、該層領域（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝１特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、通常の場合
、０．０１〜５Ｘ１０　　ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ、好適
には、０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｔｃ　ｐｐｌ
Ｊ最適には、１〜５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍとさ
れるのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支持する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
通常は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適には５０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には、１００　ａｔ
ｏｍｌｅ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該含
有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、第
二の非晶質層（［Ｉ）の自由表面が■極性に帯電処理を
受けた際に支持体側からの第一の非晶質／１１（１）中
への電子の注入を効果的に阻止することが出来、又、前
記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には
、第二の非晶質層（ＩＩ）の自由表面がＱ極性番で帯電
処理を受けた際に、支持体側から第一の非晶′ｇｔ層（
１）中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る
。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の極
性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ
）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有
する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ）
　Ｋ含有させる実際の量よりも一段と少ないｔＫして含
有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、通常
の場合、０．００１〜１０００　ａ’ｔｏｍｉｅｐｐｍ
ｚ　好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、最極にはＯ１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましいも
のでおる。

本発明に於いては、第一の非晶質層（１）中に、一方の
極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有させ
次層領域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配
する物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設け
て、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、第一の非晶質層（１）中に、前記のｐ型
不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する
層領域とを直に接触する様に設けて所Ｆｌｌ　ｐ　−ｎ
接合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

本発明罠於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に第一の非晶質＃（１）を
形成することによって、比較的可視光領域を含む、短波
長から比較的長波長迄の全領域の波長の光に対して光感
度が優れている光導電部材とし得るものである。

父、第１０層領域（Ｇ）中しこ於けるゲルマニウム原子
の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布しているので、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域
（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーデ等を
使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し
切れない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて、
実質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反
射による干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成され
ている。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜状められるが、通
常は１〜９．５Ｘ１０　　ａｔｏｍｉｅｐｐｍ、好まし
くはｉｏｏ〜５ｘｔｏ　　ａｔｏｍｉｅｐｐｍ、最適に
は、５００〜７　Ｘ　１０５ａｔｏＩＴＩｌｃ　ｐｐｍ
とされるのが望埜しｌ／）ものである。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の′−領域（
Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為
の重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に
所望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔｌは、通
常の場合、３０Ｘ〜５０μ、好ましくは、４０１〜４０
μ、最適には、５０久〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場合、０．
５〜９０μ、好１しくに１〜８０μ、最適には２〜５０
μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の
１厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と第一の非晶質層（＋）全体に要求される特性と
の相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計
の際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＩｌ＋Ｔ）
の数値範囲としては、通常の場合１〜１００μ、好適に
は１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望まし
い。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴ＊／Ｔ≦１なる関
係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ１及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｍ、々≦０．９、最適には
Ｔｍ／Ｔ≦０８なる関係が満足される様に層厚Ｔ１及び
層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量がｌＸｌ０　　ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｎ１以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ１
１としては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましく
は３０μ以下、より好ましくは２５μ以下、最適には２
０μ以下とされるのが望オしいものである。

本発明において、必要に応じて、第一の非晶質層（１）
を構成する第１の層領域（Ｇ）及び第２０層領域（Ｓ）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的に
はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素
、塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、’ａ−８ｉＧ・（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スノ母ツタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−３ＩＧｏ（Ｈ，
Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには、
基本的にはシリコン原子（Ｓ＋）を供給し得るＳ１供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇ・）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
Ｋａ−８ｉＧ・（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。

父、ス・？ツタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ＋Ｈ・等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｌで構成されたターｒ２ト、
或いは、核ターグ、）とＧ・で構成されたターゲットの
二枚を使用して、又は、ＳｌとＧ・の混合されたターケ
°ットを使用して、必要に応じてＨｅ　＋　Ａｒ等の稀
釈ガスで稀釈されｆＰ：、Ｇ・供給用の原料ガスを、必
゛要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをス・ンツタリング用の堆積室に導
入し、所望のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のター
ゲットをスノ４　ツタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶グル１ニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着メートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はヌ・＋、
ツタリング場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＢＳ供給用の原料がスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ，、５１２Ｈ６、５ｉ５Ｈ８
゜５１４Ｈ，Ｑ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊Ｋ、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｌ供給効率の
良さ等の点で５ＩＨ４、５ｉ２Ｈ６が好ましいものとし
て挙げられる。

Ｇ・供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇ５Ｈ
４、Ｇｅ２Ｈ４、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇ５４Ｈ１ｏ　＊　
Ｇｅ５Ｈ＋２＋　Ｇｅ６Ｈ１４゜Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇ５６
ＨＩＢ　＋　Ｇｅ９Ｈ２ｏ　等のガス状態の又はガス化
し得る水素化ｒルマニウムが有効に使用される本のとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供
給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４＊Ｇｅ２Ｈ６、Ｇ・５
Ｈ８が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロダン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化珪素が挙げられ
、例えばハロダンガス、ハロダン化物、ハロｒン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るノ・ロダン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ノ・ロダン原子を
含む水素化珪素化合物も有効な本のとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロダン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロダンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　ｒ　Ｃｌ
Ｆ５　、　ＢｒＦ５ＢｒＦ５　、　ＩＦ５　、　ＩＦ７
　、　ＩＣｔ、ＩＢｒ等のハＯｒン関化合物を挙げるこ
とが出来る。

ハロダン原子を含む珪素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、異体的には例えばＳ
ｉＦ４　、５Ｉ２Ｆ６．５ＩＣ１４、５ＩＢｒ４等のハ
ロゲン化珪素が好ましいものとして挙げることが出来る
。

この様なハロゲン原子を含む珪素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８１を供給し
得る原料ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ＩＧ・か
ら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的にはミ例えばＳｌ供給
用の原料ガスとなるハロダン化珪素とＧｅ供給用の原料
ガスとなる水素化ダルマニウムとＡｒ　＊　Ｈ２＊　Ｈ
・等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして
第１の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー
放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることによって、所１の支持体上に第１の層領域（Ｇ）
を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更に水素
ガス又は水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンフレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロダン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン化物を含む珪
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成し、てやれは良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をス・やツタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロダン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロダン化合物或いはハロゲンを含む珪素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　＋　ＨＣｌ　＋　ＨＢｒ＋ＨＩ等のハロ
ゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、５ＩＨ２Ｉ２　。

５ＩＨ２Ｃｔ２　、５ｉＨＣ６５、５ＩＨ２Ｂｒ２　、
５ｉＨＢｒ３等のハＯｒン置換水素化珪素、及びＧｅＢ
ｒ３　、　ＧｅＨ２Ｆ２　。

ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣ６３、ＧｅＨ２Ｃ６２、Ｇｅ
Ｈ２Ｃ６２Ｇ＠ＨＢｒ５　。

ＧｅＨ２Ｃ６２、ＧｅＨ５Ｂｒ　、　Ｇ＠ＨＩ３　、　
Ｇ５Ｈ１ｏ　、　Ｇ＠Ｈ３Ｉ等の水素化ハロダン化ｒル
マつウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物、ＧａＦ２　。

ＧｅＣｌ４　、　ＧｅＢｒ４　、　ＧｅＩ４　、　Ｇ＠
Ｆ２　、　ＧｅＣ１２、ＧｅＢｒ２゜Ｃｅ１２　等のハ
ロダン化ケ９ルマニウム、等々のがス状態の或いはガス
化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロダン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
０ダン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域ＣＧ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ２、或いは５ｉＨ４４５ｔ２Ｈ６，。

５ｔ５Ｈ６、５Ｉ４ＨｊＱ等の水素化珪素をＧ・を供給
する為のｒルマニウム又はダルマニウム化合物と、或い
￥ｉｓ　ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ４、Ｇ５５Ｈ６、Ｇ１１４
Ｈ１０、Ｇｅ５Ｈ１２ｒＧ＊６Ｈｕ　＊　Ｇｅ７Ｈ１６
＊　ＧｅＱＨＩＢ　、　Ｇ＊９Ｈ２ｏ等の水素化ｒルマ
ニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも
行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の１領域（Ｃ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロダン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）　Ｆｉ通常の場合０．０１〜４
０　ａｔｏｒｎｉｅ　％、好適には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｌｅ　’４、最適には０．１〜２５　ａｔｏｒｎ
ｉｅ　％とされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。

本発明に於いて、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中よυ、Ｇ・供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領
域（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ）　）を使用して、第
１の層領域（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−Ｓ　ｌ　（Ｈ、Ｘ　）　
テ’！！１１　成すれる第２の層領域（Ｓ）を形成する
には、例えばグロー放電法、スフ９ツタリング法、或い
はイオングレーティング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によって成される。例えば、グロー放電法にょっ
て、ａ−ｓｉ（ＨｌＸ）で構成される第２の層領域（Ｓ
）を形成するＫＦｉ、基本的ＫＪｄ前記し之シリコン原
子（Ｓｌ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスと共に、
必要に応じて水素原子（）Ｉ）導入用の又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上にａ−８１（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い
。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｔ　＊　Ｈ・等の不活性ガス又はこれ等のガスをベース
とした混合ガスの雰囲気中で８１で構成されたターゲッ
トをス・母ツタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される第一の非晶質層（１）を構
成する第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常の場合、１〜４０
　ａｔｏｍｉｅチ、好適には５〜３゜ａｔｏｍｌｅ　％
、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｅ　％とされるのが望
ましい。

第一の非晶質層（１）を構成する層領域中に、伝導特性
を制御する物質（Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或いは第Ｖ
族原子を構造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有された
層領域（ＰＮ）を形成するには、層形成の際に、第ｍ族
原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物
質をガス状態で堆積室中に、第一の非晶質層（１）を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい
。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的に
は硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｉ（６、Ｂ４Ｈ１０゜
Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１１Ｂ６Ｈ１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６
Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３　、　ＢＣｌ２　、　Ｂ
Ｂｒ３等の／％Ｏグン化硼素等が挙げられる。この他、
ｋＬｃＬ５　、　ＧａＣ４３、Ｇａ（ＣＨ３）３゜Ｉｎ
Ｃ６３＊　ＴｔＣｔ３等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ５、
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ５　。

ＰＦ５　、　ＰＣｌ５　、　ＰＣｌ５　、　ＰＢｒ３　
、ＰＢｒ３　、　ＰＩ３等のハロダン化燐が挙げられる
。この他、ＡｓＨ３＊　ＡｓＦ３　、　ＡｓＣＺ３＋Ａ
ｓＢｒ３　、　ＡｓＦ５　、５ｂＨ５、ＳｂＦ３　、　
ＳｂＦ５　、８ｂＣ１５，５ｂＣ１５゜５ＩＨ５、５ｉ
ＣＬ５　、　Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることが出来る。

第１図に示される光導［部材１００に於いては第一の非
晶質層（１）　１０２上に形成される第二の非晶質層（
ｉｌ）　１０５は自由表面１０６を有し、主に耐湿性、
連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に
於いて本発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の非晶質層（１）１０２と
第二の非晶質層（ＩＩ）　１０５とを構成する非晶質材
料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有して
いるので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充
分酸されている。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）はシリコン原子
（Ｓｌ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（
Ｈ）又は／及びハロデフ原子（ｘ）とを含む非晶質材料
（以後、ｒ　ａ−（ＳｉｚＣｌ−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）＋　
−ｙ　Ｊ、但し、０（ｘ、ｙ（Ｌ　と記す）で構成され
る。

ａ−（ＳｉｚＣｔ−１）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−７で構成され
る第二の非晶質層（■）の形成はグロー放電法、スパッ
タリング法、イオングランチージョン法、イオングレー
ティング法、エレクトロンビーム法等によって成される
。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び
ハロダン原子を、作製する第二の非晶質層（Ｉｔ）中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法或
はヌ・！ツターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（Ｉ
Ｉ）を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層（ＩＩ）を形成す
るには、ａ−（ＳＩｘＣＩ−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）１−ｙ形
成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆
積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起さ
することでがスプラズマ化して、前記支持体上に既に形
成されである第一の非晶質層（１）上Ｋ　ａ−（Ｓｌｘ
Ｃｌ−ｘ）ｙ（Ｈ８Ｘ）＋−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ＩＬ−（Ｓ　ｔｘＣｌ−ｘ）ｙ（Ｈｌ
Ｘ）１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（
ＳＳ）　、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ノ・ロダ
ン原子（Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガ
ス状の物質又はがス化し得る物質をガス化したものの中
の大概のものが使用され得る。

Ｓｌ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてＳｌを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｌを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと、
８１　、　Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又
は、Ｓｌ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。

又、別には、ｓｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）中に含有され
るハロダン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、Ｃｔ。

Ｂｒ　＋　Ｉであり、殊にＦ　、　ＣＬが望ましいもの
である。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常
温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る
物質を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）形成用の原料ガ
スとして有効に使用されるのは、ＳＩとＨとを構成原子
とするＳｉＨ４、５１２Ｈ６、５ｉ３Ｈ６ｒ　５ｉ４Ｈ
１（１等の７ラン（５ｌｌａｎ・）類等の水素化珪素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、・
・ログン化水素、ハロｒン間化合物。

ハロゲン化珪素、ハロゲン置換水素化珪素、水素化珪素
等を挙げる事が出来る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）。

ブタ７　（Ｃ２Ｈ６）　、プｏ　ノ！　７　（Ｃ３Ｈ６
）　、ｎ−ブタｙ（ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）　＊ペンタン（Ｃ
５Ｈ＋２）　＊エチレン系炭化水素としては、エチレン
（Ｃ２Ｈ４）　、　７″ロピレン（Ｃ５Ｈ６）。

！テンー１　（Ｃ４Ｈ８）・ブテン−２（Ｃ４Ｈ６）　
、イソブチｖ　ン（Ｃ４Ｈ８）　、ペンテン（ＣｓＨｌ
ｏ）　、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（
Ｃ２Ｈ２）−メチルアセチレン（Ｃ５Ｈ４）　、ブチン
（Ｃ４ＨＡ）　、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素
、臭素、ヨウ素のハロダンガス。ハロゲン化水素として
は、ＦＨ，Ｈｌ。

Ｈｅ４．　ＨＲｒ　＊　”ロダン間化合物としては、Ｂ
ｒＦ　＋Ｃ１Ｆ　、　Ｃ４Ｆ６　、　ＣｊＦ５　、　Ｂ
ｒＦ５　、　ＢｒＦ５　、　ＩＦ７　、　ＩＦ５゜ＩＣ
ｔｒ　ＩＢｒ　”ログン化珪素としては５ＩＦ４　＊　
５ｔ２Ｆ６゜５ＩＣｔ４　＊　５ｉＣｔ３Ｂｒ　、　５
ｉＣ１２Ｂｒ２　、５ＩＣｔＢｒ３　、５ＩＣｔ３Ｉ。

８１Ｂｒ４　＊　’・ロダン置換水素化珪素としてはＮ
　ＳｉＨ２Ｆ２　＋５ｉＨ２Ｃ４２、５ＩＨＣｔ３　、
５ｉＨ３Ｃ４，５ＩＨ３Ｂｒ　、　５ＩＨ２Ｂｒ２゜５
ｉＨＢｒ５　、水素化珪素としては、５ｉＨｓ　、　５
１２Ｈａ　。

５ｉ４Ｈ，Ｏ等のシラン（５ｌｌａｎ・）類、等々を挙
げることが出来る。

これ等の他に、Ｃ：Ｆ４　、　ＣＣｌ２　、　ＣＢｒ４
　、ＣＨＦ３゜ＣＨ２Ｆ２　、　ＣＨ３Ｆ　、　ＣＨ２
Ｃｌ　、　ＣＨ３Ｂｒ　＊　ＣＨ３Ｉ、　Ｃ２Ｈ３ｃｔ
等のハロダン置換・母ラフイン系炭化水素、ＳＦ４　ｒ
ＳＦ６等のフッ素化硫黄化合物、　Ｓｉ（ＣＨ３）４，
５Ｌ（Ｃ２Ｈ５）４゜等のケイ化アルキルやＳ　１ｃｔ
（ＣＨ３）３　、　Ｓ　１ｃｔ２（ＣＨ５）２　。

５ｉＣ４５ＣＨｓ等のノーロダン含有ケイ化アルキル等
のシラン誘導体も有効なものとして挙げることが出来る
０ これ等の第二の非晶質層（ｎ）形成物質は、形成される
第二の非晶質層（ｎ）中に、所定の組成比でシリコン原
子、炭素原子及び２１０ｒン原子と必要に応じて水素原
子とが含有される様に、第二の非晶質層（１１）の形成
の際に所望に従って選択さｉｔ′で使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｔ
（ｃＨ３）ｎと、ハロダン原子を含有させるものとして
の５ＩＨＣｔ３　、５ｔＨ２ｃｚ２　、５ＩＣ４４、或
いは５ＩＨ５Ｃ４等を所定の混合比にしてガス状態で第
二の非晶質層（ＩＩ）形成用の装置内に導入してグロー
放電を生起させることによって ａ−（ＳｌｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｃ４＋Ｈ）＋−ｙから成る
第二の非晶質層（ＩＩ）を形成することが出来る。

ス・ｅ、ターリング法によって第二の非晶質層（１０を
形成するＫは、単結晶又は多結晶のＳＳウェーハー又は
Ｃウェーハー又はＳｌとＣが混合されて含有されている
ウェーハーをターゲットとして、これ等を必要に応じて
ハロゲン単体又は／及び水素原子を構成要素として含、
む種々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによ
って行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記
８１ウエーハーをス・やツタ−リングすれば良い。

一又、別には、ＳＩとＣとは別々のターケ°、トとして
、又はＳｉとＣの混合し次一枚のターゲットを使用する
ことによって、必要に応じて水素原子又Ｖｉ／及びハロ
ダン原子を含有するガス雰囲気中でス・９ツタ−リング
することによって成される。Ｃ０Ｈ及びＸの導入用の原
料ガスとなる物質としては先述したグロー放電の例で示
した第二の非晶質層（ＩＩ）形成用の物質がスパッター
リング法の場合にも有効な物質として使用さ、れ得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）をグロー放電
法又はヌパッターリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばＨｅ　＋Ｎａ　
ｈ　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の非晶質層（ｎ）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、ｓｉ、ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取炊電気物性的には、導
電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電
的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示す
ので本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有す
るａ−（ＳＩｘＣ＋−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）＋　−ｙ　カ形
ｆｊＬＪレル１ＮＫ、所望１ｃ従ってその作成条件の選
択が厳密に成される。例えば、第二の非晶質層（ｎ）を
耐圧性の向上を主な目的として設けるにはａ−（Ｓｉｘ
Ｃ１−３ｃ）ｙ（ＨｌＸ）＋−ｙは使用環境に於いて電
気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（ＩＩ）が設けられる場合に
は上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を有する非晶質材料とし
てａ−（ＳｉｚＣ＋−１）、（Ｈ，Ｘ）１−ｙが作成さ
れる。

；■−の非晶質層（Ｉ）の表面Ｋ　ａ−（ＳＩｚＣｌ−
ｘ）ｙ（ＨｌＸ）ｔ−ｙから成る第二の非晶質層（ＩＩ
）を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であって、本発
明に於いては、目的とする特性を有する １！−（ＳＩＸＣＩ−ｘ）ｙ（ＨｏＸ）１−ｙが所望通
りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制
御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（ｎ）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第二の非晶質層（ｎ）の形成が実行される
が、通常の場合、２０〜４００℃。

好適にｆｄ５０〜３５０℃、最適には１００〜３００℃
とされるのが望ましいものである。第二の非晶質層（Ｉ
ｔ）の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制
御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等の為に、グロー放電法やス・ＰワタＩＪング法の採用
が有利であるが、これ等の層形成法で第二の非晶質層（
ｎ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電・ンワーが作成されるａ−（ｓｔｘｃ＋
−ｘ）ｙ（）ｌｚＱ＞ッの特性を左右する重要な因子の
１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ−
（ＳｌｘＣｌ−ｘ））Ｊｌ＋’）＋ブが生産性良く効果
的に作成される為の放電・ンワー条件としては通常１０
〜３００Ｗ。

好適には２０〜２５０Ｗ、最適には５ｃｗ〜２ｏｏｗと
されるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧は通常は０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ　＋
好適には、０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされるのが
望ましい。

本発明に於いては第二の非晶質層（ＩＩ）を作成する為
の支持体温度、放電・やワーの望ましい数値範囲として
前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性の ａ−（ＳｉｚＣ＋−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）１−ｙから成る第
二の非晶質層（ＩＩ）が形成される様に相互的有機的関
連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められ
るのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（Ｉｔ）に
含有される炭素原子の量は、第二の非晶質層（Ｉｔ）の
作成条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が
得られる第二の非晶質層（ＩＩ）が形成される重要な因
子である。

本発明に於ける第二〇非晶質層（Ｕ）　Ｋ含有される炭
素原子の量は、第二の非晶質１１（ｎ）を構成する非晶
質材料の種類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決
められるものである。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉｚＣｌ−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）
＋−ｙで示される非晶質材料は大別すると、シリコン原
子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、［ａ−
８１１ｃ１−ａ　ｊ　　と記す。但し、０（ａ（１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒ　ａ−（ＳｌｂＣ＋−ｂ）ｅＨ＋−ｅ
　Ｊと記す。但し、０〈ｂ、ｃく１）、シリコン原子と
炭素原子とハロヶ。

ン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質材
料（以後、ｒ　ａ−（８１ｄＣ１−ｄ）＠（Ｈ９Ｘ）ｉ
−６」と記す。

但し、Ｏ（ｄ　、　ｅ（１）に分類される。

本発明に於すて第二の非晶質層（ＩＩ）がａ−８１１Ｃ
１−＠で構成される場合、第二の非晶質層（Ｉｔ）に含
有される炭素原子の量は通常としては、ｌ×１０−３〜
９゜ａｔｏｍｉｃ　％、好適には１〜８　Ｑ　ａｔｏｍ
ｉｃ　Ｌ最適にはｌＯ〜７５　ａｔｏｒｎｌｅ　％とさ
れるのが望ましいものである。即ち、先のａ−８１１Ｃ
１−＠のａの表示で行えば、１が通常は０１〜０．９９
９９９、好適には０．２〜０，９９、最適には０．２５
〜０．９である。

本発明に於いて第二の非晶質層（ＩＩ）がｍ−（Ｓｉｂ
Ｃ＋−ｂ）ｃＨｌ−ｅで構成される場合、第二の非晶質
層（ＩＩ）に含有される炭素原子の量は、通常ｌＸｌ０
’〜９０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、好ましくは１〜９０
　ａｔｏｍｉｃチ、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ
　％とされるのが望ましいものである。水素原子の含有
量としては、通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｅ％、好
ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｅ％、最適には５〜３０　
ａｔｏｍｉｅ　９６とされるのが望ましく、これ等の範
囲に水素含有量がある場合に形成される光導電部材は、
実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得るもの
である。

即ち、先のａ−（ＳｌｂＣ＋−ｂ）ｅＨ＋−ｅの表示で
行えばｂが通常は０．１〜０．９９９９９、好適には０
．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、Ｃが通常
０．６〜０．９９、好適には０６５〜０．９８、最適に
は０７〜０．９５であるのが望ましい・ 第二の非晶質層（ＩＩ）が、”−（Ｓ１ｄＣｔ−ｄ）＊
（Ｈ９Ｘ）１−Ｉで構成される場合には第二の非晶質層
（Ｕ）中に含有される炭素原子の含有量としては、通常
、１×１０４〜９　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、好適には１〜
９０　ａｔｏｍｌｅ　％　＊最適には１０〜８０　ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロゲン
原子の含有量としては、通常の場合、１〜２０　ａｔｏ
ｍｉｅ　％好適には１〜１８ａｔｏｍｌｅ　ｆ６　＊最
適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ　＠とされるのが望まし
く、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作
成される光導電部材を実際面に充分適用させ得るもので
ある。必要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、通常の場合１９ａｔｏｍｌｅ−以下、好適には１３
　ａｔｏｍｌｃ−以下とされるのが望ましいものである
。

即ち、先の１−（ＳｉａＣｌ−ａ）＋（Ｈ８Ｘ）ｔ−１
のｄ、・の表示で行えば、ｄが通常、０．１〜０．９９
９９９．好適には０．１〜０．９９．最適ＫＦ′ｉ０．
１５〜０．９．・が通常０．８〜０．９９．好適には０
．８２〜０９９．最適には０．８５〜０．９８であるの
が望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（Ｉｔ）の層厚の数範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の
１つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚は、該層（ＩＦ）中
に含有される炭素原子の量や第一の非晶質層（１）の層
厚との関係に於いても、各々の層領域に要求される特性
に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定さ
れる必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味し念経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ｎ）の層厚としては、
通常０００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０μ、
最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましいもの
である。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えばＮｌＣｒ　、ステンレス、’　Ａｔ、　Ｃｒ。

Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔ
Ｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、Ｉリエチレ
ン、ポリカーゲネート、セルロースア七テート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、？リ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ　。

Ａｔ、Ｃｒ　＋　Ｍｏ　、Ａｕ　、Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔ
ａ　、Ｖ　＋　Ｔｌ　＊Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ
３、’５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０５＋５ｎ０２）
等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与され
、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムで
あれば、ＮｒＣｒ　、Ａｔ、Ａｇ　＊　’ｐｂ　ｌ　Ｚ
ｎ　。

Ｎｌ　＊　Ａｕ　ｒ　Ｃｒ　、　Ｍｏ　−＋’　Ｉｒ’
　＋　Ｎｂ　＋Ｔａ　＊　Ｖ　＋　ＴＬ、Ｐｔ等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・そツタリング
等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネ
ート処理して、その表面に導電性が付与される。支持体
の形状としでは、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状
とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１００を電子写真用傷形成部材
として使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚
さは、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決定
されるが、光導電部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれ
ば可能な限シ薄くされる。百年ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発明の光導
電部材を形成するための原料ガスが密封されており、そ
の１例としてたとえば２０２は、Ｈｅで稀釈されたＳｉ
Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以下５ＩＨ４／Ｈｅと
略す。）ぎンベ、２０３はＨｅで希釈され九Ｇ＠Ｈ４ガ
ス（純度９９．９９９％、以下Ｇ　＠Ｈ４／）（ｅと略
す。）ボンベ、２０４はＨ・で希釈された５ＩＦ４がス
（純度９９．９９チ、以下５ｓＦ４／Ｈ・と略す。）ボ
ンベ、２０５はＨ＠で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９
９．９９９％、以下Ｂ　２　Ｈ６／）Ｉｅと略す。）ボ
ンベ、２０６はＣ２Ｈ４ガス（純度９９．９９９ｑｂ）
ボンベである。

これらのガスを反応室−２０１に流入させるにはガスボ
ンベ２０２〜２０６のノ々ルグ２２２〜２２６、リーク
パルプ２３５が閉じられていることを確認し、又、流入
パルプ２１２〜２１６、流出ノ々ルグ２１７〜２２１、
補助パルプ２３２．２３３が開かれていることを確認し
て、先ずメイン・ぐルプ２３４を開いて反応室２０１、
及び各ガス配管内を排気する。次に真空計２３６の読み
が約５Ｘ１０　　ｔｏｒｒになった時点で補助・々ルプ
２３２．２３３、流出ノぐルグ２１７〜２２１を閉じる
。

次にシリンダー状基体２３７上に第一の非晶質層（１）
を形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ２０２よ
り５ｔ）１４／）１・ガス、ガスボンベ２０３よｊ）　
Ｇ５Ｈ４７’）（ｅガス、ガスボンベ２０５よりＢ２　
Ｈ６Ａｌ　ｅガスをパルプ２２２，２２３．２２５を夫
々間いて出口圧ゲージ２２７，２２８，２３０の圧を１
略偏２に調整し、流入パルプ２１２，２１３，２１５を
除徐に開けて、マス７０コントローラ２０７．２０８，
２１０内に夫々を流入させる。引き続いて流出パルプ２
１７．２１８，２２０、補助パルプ２３２を除徐に開い
て夫々のガスを反応室２０１に流入させる。このときの
ＳｉＨ４／Ｈ＠ガス流量とＧ　ｅ　Ｈ４／）Ｉｓガス流
量と８２Ｈ６／）ｌ・ガス流量との比が所望の値になる
ように流出パルプ２１７　、２９８　、２２０を調整し
、又、反応室２０１内の圧力が所望の値になるように真
空計２３６の読゛みを見ながらメインパルプ２３４の開
口を調整する。そして基体２３７の温度が加熱ヒーター
２３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定されて
いることを確認された後、電源２４０を所望の電力に設
定して反応室２０１内にグロー放電を生起させて基体２
３７上に第１の層領域（Ｇ）を形成する。所望の層厚に
第１の層領域（Ｇ）が形成された時点に於いて、流出パ
ルプ２１８を完全に閉じること及び必要に応じて放電条
件を変えること以外は、同様な条件と手順に従って、所
望時間グロー放電を維持することで、前記の第１の層領
域（Ｇ）上にダルマニウム原子が実質的に含有されてな
い第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来る。

第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に、
例えばＢ２Ｈ６、ＰＨ３等のガスを堆積室２０１の中に
導入する他のガスに加えてやれば良い。

この様にして、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）とで構成された第一の非晶質層（１）が基体２３７上
に形成される。

第一の非晶質層（１）中にノ・ロダン原子を含有させる
場合には、上記のガスに、例えばＳｉＦ４ガスを更に付
加して、グロー放電を生起させれば良い。

又、第一の非晶質層（１）中に水素原子を含有させずに
ハロダン原子を含有さ、せる場合には、先の５ＩＨ４／
）（＠ガス及びＧ　ｅ　Ｈ４／Ｔ（＊ガスの代りに、Ｓ
　Ｉ　Ｆ４／’Ｈｅガス及びＧｅＦ４／Ｈｅガスを使用
すれば良い。

上記の様に、して所望層厚に形成された第一の非晶質層
（１）上に第二の非晶質層（■）を形成するには、第一
の非晶質層（１）の形成の際と同様なパルプ操作によっ
て、例えばＳｉＨ４がス、Ｃ２Ｈ４ガスの友々を必要に
応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の条件に従っ
てグロー放電を生起させることによって成される。

第二の非晶質層（７７）中にハロダン原子を含有させる
ＫＶｉ、例えばＳｉＦ４カスとＣ２Ｈ４，ｆス、或イハ
、これに５ＩＨ４ガスを加えて上記と同様にして第二の
非晶質層（ｎ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用し九〃スが反応室
２０１内、流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１
内に至るガス配管内に残留することを避けるために、流
出パルプ２１７〜２２１を閉じ、補助パルプ２３２．２
３３を開いてメインパルプ２３４を全開して系内を一旦
高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

第二の非晶、質層（Ｉｆ）中に含有される炭素原子の蔭
は例えば、グロー放電による場合ａｓＩＨａガスと、Ｃ
２Ｈ４ガスの反応室２０１内に導入される流量比を所望
に従って変えるか、或いは、ス・母ツタ−ＩＪ　７グで
層形成する場合には、ターダ、トを形成する際シリコン
ウェハとグラファイトウェハのス・や。

夕面積比率を変えるか、又はシリコン粉末とグラファイ
ト粉末の混合比率を変えてターｒ７トを成型することに
よって所望に応じて制御することが出来る。第二の非晶
質ＩＩ（ＩＩ）中に含有されるハロダン原子（Ｘ）の量
は、ハロダ導入子導入用の原料ガス、例えばＳ　ｉＦ４
ガスが反応室２０１内に導入される際の流量を調整する
ことによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体２３２Ｖｉモータ２３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のｋｌ基
体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンラング光源
を用い、２ｔｕｘ・口Ｃの光量を透過型のテストチャー
トを通して照射させた。

その後直ちに、Ｏ荷電性の現俸剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、僧形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解儂力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第２図に示した製造装ＲＫよシ、第２表に示す条件圧し
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成゛部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性と現儂剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にし穴以外は実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第２図に示した製造装置により、第３表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得念。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び千頴で転写紙上Ｋ　ＷｉＢｉｌｌを形成した
ところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例４ 実施例１に於いて、Ｇ＠Ｈ４／Ｉ（ｅガスと５ＩＩ（ａ
ハｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるケ
。

ルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以外
は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を夫々
作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５ 実施例１に於いて第１層の層厚を第５表に示す様に変え
る以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形成部
材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第６表に示す条件で第一の非晶質層（１）の形
成を行った以外は実施例１と同様にして電子写真用像形
成部材を得た。

こうして得られた傷形成部材を、帯電露光実験袋ＷＩＶ
Ｃ設置し■５．　ＯｋＶで０．３＋＋＠ｅ間コロナ帯電
を行い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラン
プ光源を用い、２　ｔｕｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、Ｏ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解ｔカに優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第７表に示す条件で第一の非晶質層（１）の形
成を行った以外は実施例１と同様にして電子写真用像形
成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．ＯｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源を
用い、２Ｌｕｘ・■ｃの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させた。

その後直ちに、Ｏ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例８ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第８表に示す条件で第一の非晶質層（１）の層
形成を行った以外は実施例１と同様にして電子写真用像
形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．ＯｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源を
用い、２　ｔｕｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテストチャ
ートを通、して照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０　ｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例９ 第２図に示した製造装置により、第９表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にしで、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１０ 第２図に示した製造装置により、第１０表に示す条件に
し次以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られ次像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 実施例１に於いて光源をタングステンランゾの代りに８
１０　ｎｎｍ０ＧａＡ系半導体レーザ（１０ｍｖ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作
成し良電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったとこへ解像力に優れ、階調再現性の良
い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１２ 非晶質層（ＩＩ）の作成条件を第１１表に示す各条件に
した以外は、実施例２，３．６〜１０の各実施例と同様
の条件と手順１／Ｕ従って電子写真用像形成部材の夫々
（試料４１２−２０１〜１２−２０８　。

１２−３０１〜１２−３０８．１２−６０１〜１２−６
０８　。

−＝＝＝　、１２−１００１〜１２−１００８の７２個
の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、■５　ｋＶで０．２　ｓ＠ｅ間コ
ロナ帯電を行い、光量を照射した。光源はタングステン
ラングを用い、光量は１．　ＯＬｕｘ−ｓ＠ｅとした。

潜像は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）に
よって現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、
極めて良好なものであった。

転写されないで電子写真用傷形成部材上に残ったトナー
は、ゴムグレードによってクリーニングされた。このよ
うな工程を繰り返し１０万回以上行っても、いずれの場
合も両′像の劣化は見られなかった。

各、試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第１２表に示す・ 実施例１３ 非晶質層（ＩＩ）の形成時、ス・母ツターリング法を採
用し、シリコンウェハとグラファイトのターゲット面積
比を変えて、非晶質層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と
炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。こ
うして得られた像形成部材の夫々につき、実施例１に述
べた如き、作儂、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後画儂評価を行ったところ第１３表の如き結
果を得た。

実施例１４ 非晶質層（Ｉｔ）の層の形成時、５ＬＨ４ガスとＣ２Ｈ
４ガスの流量比を変えて、非晶質層（Ｂ）に於けるシリ
コン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施
例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成
した。こうして得られた各像形成部材につき、実施例Ｉ
Ｖｃ述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返
した後、画像評価を行っ念ところ、第１４表の如き結果
を得度。

実施例１５ 非晶質層（ＩＩ）の層の形成時、５ＩＨ４ガス、８ｔＦ
４ガス、Ｃ２）（４ガスの流量比を変えて、非晶質層（
Ｉｔ）　Ｋ於けるシリコン原子と炭素原子の・含有量比
を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によっ
て像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた各像
形成部材につき実施例１に述べた如き作偉、現像、クリ
ーニングの工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行
ったところ第１５表の如き結果を得た。

実施例１６ 非晶質層（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成し念。実
施例１に述べた如き、作儂、現像、クリーニングの工程
を繰り返し第１６表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：グルマニウム原子（Ｇ・）含有層・・・約２
００℃ゲルマニウム原子（Ｇ・）非含有層・・・約２５
０℃放電周波数：１３．５６■ｈ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて本発明の光
導電部材を作製する為に使用された装置の模式的説明図
である。 ｌＯＯ・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
−・第一の非晶質層（１） １０５・・・第二の非晶質層（ｆｌ） 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコン原子
   とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された、
   第１の層領域°とシリコン原子を含む非晶質材料で構成
   され、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体側よ
   り順に設けられた層構成の第一の非晶質層と、シリコン
   原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の
   非晶質層とを有し、前記第１の層領域に伝導性を支配す
   る物質が含有されている事を特徴とする光導電部材。