JPS58171043A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線ＳＯＴ視
光線，赤外光線，Ｘ線，γ線等を示す）の様な電磁波に
感受性のある光導電部材Ｋ関する。

固体撮像装薫、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導＠Ｉ−を形成する
光導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ
）／晰電流（Ｉｄ）］が高く、照射する竃磁波のスペク
トル特性にマッチングした吸収スペクトル特性金有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、ｔ！Ｋ
は固体撮像装置においては、残儂を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内Ｋ
組込まれる電子写真用儂形成部材の場合κは、上記の使
用時Ｋおける無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して鍛近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ｍ−８ｉと表記す）があり
、例えば、践ｔｉ会開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号会報Ｋは電子写真用債形成部材として、
独国会開嬉２９３３４１１号公報には光電変換鱈取鋏置
への応用が記載されている。

而乍ら、従来のａ−Ｓｉで構成され九光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値，光感度．光応答性等の電気的
．光学的，光導電的特性，及び耐湿性尋の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点におりて、結合的な特性
向上を図る必要があるという更に改良される町き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用僧形成部材κ適用した場合に、嵩光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残ｗ電位が残る場合が度々
観測され、この種の光専竃部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残僧が
生ずる＝副ゴースト現象を発する様になる或いは、一連
で繰返し使用すると応答性が次第に低ドする等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

史には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半４体レーザとのマッ
チングに於いて、通′縁使用されているハロゲンランプ
や螢光灯を光源とする場合、長波長側の″Ｌヶ有効に使
用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地
が残っている。

又、別には、照射される元が亀導′屯ｊ一中に於い−Ｃ
１允分吸収されずに、支持体に到達する光の竃が多くな
ると、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する
反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射κ
よる干渉が起って、ｉｉｉ儂の「ボケ」が生ずる一要因
となる。

この影響は、解ｇＩＩｌを上げる為に、照射スポットを
小さくする根大きくなり、殊Ｋ＃Ｐ導体レーザを光源と
する場合Ｋは大きな問題となっている。

匿に、ａ−８ｉ材科で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的，元導電的特性の改良を図るためＫ１水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御の丸めに硼素原子中燐原子等が或いはその
他の特性改良のためκ他の原子が、各々構成原子として
党導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成し九層の電気的或いは光４１
Ｋ的特性κ問題が生ずる場合がある０ 即ち、Ｈえば、形成し九光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部Ｋおいて、支持体偵よりの１荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる１合が少なくない。

従ってａ−Ｓｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導竃部材を設計する際に、１記し九様な問題の飴て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点Ｋ鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て竃子写真用像形成部材や固体撮倫装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（｝ｌ）又はハロゲン原
子（Ｘ”）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファス材科、所祷水素化アモルファスシリコン、ハロゲ
ン化アモルファスシリコン、或いはハロゲンＪ有水素化
アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
［ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され、光
導成性を示す非晶質層を有する光導竃部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成された
光導竃部材は実用上著しく優れた特性を示すぱかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、殊κ竃子写真用の光導電部材とし
て着しく優れた特性を有していること及び長波長側κ於
ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出し九点
に基いている。

本発明は邂気的，光学的，光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感ｆ特性κ優れると共に耐光疲労に着し
く兼け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んどｌｌＩｉ＃Ｉされない光導竃部材
を提供することを主九る目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域κ於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且つ光応答
の速い先導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の倫形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度Ｋ１靜電惨形成の為の帯竃処理の際の竃荷保
持能が充分ある先導電部材を提供することである。

本発明の史に他の目的は、ｓ度が＾く、ハーフトーンが
鮮明に出て珪っ解像度の高い、高品質＠ｉｌｋを得る事
が容易に出来る亀子写真用の先導竃部材を提供すること
である。

本発明のくにもう１つの目的は、＾光感度性，，４８Ｎ
比特性を有する光４１ｊ１部材を提供することでもある
。

本発明の光導竃部材は、元導電部材用の支持体と、シリ
コン涼子とゲルマニウム原子とを含む非晶實材科で構成
された、ｇｌの１−領域とシリコン原子を含む非晶實材
科で構成され、光導竃性を示す８ｇ２のノー領域とが前
記支持体側よりＮＡｖｃ設けられた層構成の非晶質Ｊ一
とを有し、前記第１の層領域中ＶＣ伝尋性會支配する物
質が含有されている＃を特徴とする。

Ｌ記した様な層構成を取る峰にし７て設計された本発明
の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決（−得、
極めて優れた電気的，光学的，光導電的特性，耐圧性及
び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用ｇＩＩ形成部材として適用させた場合
には、画偉形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
＾く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解儂度の高い、
高品質の画潅を安定して繰返し得ることができる。

釘に、本発明の光導電部材は、金町夜光域κ於いて光感
度が尚＜、珠に半導体レーザとのマッチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細Ｋ
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施ａ様偽の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導竃部材１００は、光導竃部材用として
の支持体１０１の上に、非晶質層１０２を有し、該非品
質層１０２＃ｉ自由表面１０５を一方の端而に有してい
る。

非品質層１０２は、支持体１０１側よりゲルマニウム原
子を含有するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ−８ｉ（Ｊ
ｅ（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層領域
（Ｇ）１０３とａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）テ構成サレ、光導竃
性を有する第２のｆ一領域（Ｓ）１０４とが順に積層さ
れた１−４ｐ造を有する。

第ｌ＋／）ｌＩｉ！領域（＋−ｆ）１０３中に含有され
るゲルマニウム原子は、該第１の層領域（Ｇ）１０３の
層厚方向及び支持体ｌ旧の表面と平行な面内方向に連続
的で均一に分布した状態となる様に前記第１の１−領域
（Ｕ）１０３中に含有される。

本発明の光導竃部材１００に於いては、少なくとも第１
の１−領域（Ｇ）１０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ
）が含有されており、第１の一領域（Ｇ）１０３に所望
の伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の１一′＠域（Ｇ）１０３に官
有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第ｌの１−
領域（（｝）１０３の全Ｆ一領域に万壜なく均一Ｋ含有
されても良く、講Ｊの’ｄ領域（Ｇ）１０３の一部の・
一領城Ｋ偏在する様に含有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）會第ｌの
！−領域（Ｇ）の一部の層領域に遍在する様に第１の層
領域（Ｇ）中和含有させる場合κは、前記物質（Ｃ）の
含有される層領域（ＰＮ）は、第１の層領域（Ｇ）の端
部層領域として設けられるのが望ましいものである。殊
Ｋ１第１の層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域として
前記層領城（ＰＮ）が設けられる場合［＃ｉ、鍍層領域
（ＰＮ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びその
含有量を所望Ｋ応じて適宜選択することによって支持体
から非晶質層中への特定の極性の電荷の注入を効果的に
阻止することが出来る。

本発明の光導電部材Ｋ於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、非品質層の一部を構成する第
１の層領域（Ｇ）中Ｋ１前記した様に該層領域（Ｇ）の
全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含肴さ
せるものであるが、更には、第１の層領城（Ｇ）上κ設
けられる第２の層領域（８）中にも前記物質（Ｃ）を含
有させても良いものである。

！ｇ２の１領埴（８）中に前記物質（Ｃ）を含有させる
場合には、第１の層領域（Ｇ）中に含有される前記物質
（Ｃ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて
、第２の層領域（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の櫨類
やその含有量、及びその含有の仕方が適宜決められる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前ｍｌ物質
（Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質
を含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、前記物ｉＩ（Ｃ）は＠２の層領域（
Ｓ）の全Ｊ一債域に万遍なく言有させても良いし、或い
は、その一部のノー頭域に均一に含有させても良いもの
である。

第１の１一領域（Ｕ）と第２の層領域（８）の両方に伝
導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の
層領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
一一領域と、第２の１−領域（Ｓ）に於ける前記物質（
Ｃ）が含有されている層領域とが、互いに接触する様Ｋ
設けるのが望ましい。

父、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８）とに含有
される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域ＣＢ’）とＫ於いて同種類でも異種類であっても
良く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも異
っていても良い。

而乍ら、本発明に於いては、各層領域Ｋ含有される前記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１
の１領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を、所望の各層領域
−に、夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも非品質層を構成する第１
の層領域（Ｇ）中に、伝導特性を支配する物質（Ｃ）を
含有させることにより、該物質（Ｃ）の含有される１一
領域〔＠ｌの層領域（Ｇ）の一部又は全部の−領域のい
ずれでも良いｊの伝導特性を所望に従って任意に制御す
ることが出来るものであるが、この様な物質としては、
所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される非晶質（一を構成する
ａ−ＳｉＧｅ（｝｛，Ｘ）に対して、Ｐ型伝４特性を与
えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を
皐げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族’ＩＣ
属する原子（第１１族原子）、例えば、Ｂ（硼素），Ａ
ｔ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム），ｉｎ（インジ
ウム）ｓＴｌｌｌ！（タリウム）等があり、殊に好適に
用いられるのは、Ｈ，Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律衣ＡＶ族に属する原子（硝
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ，Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を山１［御する物質が言何さ
れる１一一域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層頑域
（ｔ’Ｎ）Ｆｎ反ボされる伝導特性、或いは、該ノー領
穢（ＰＮ）が支持体に直に接触して設けられる」一合に
は、その支持体との接触界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性κ於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）Ｋ直Ｋ接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明Ｋ於いて、層領域（ＰＮ）中κ含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、通常の場合
、０．０１〜５ＸｌＯ’ａｔｏｍｉｃｆＩＰ，好適には
、０．５〜ｌＸ１０’ａｔｏｍｉｃｐＰ，最適には、１
〜５ＸＩＯ”ａｔｏｍｉｃＰとされるのが望ましい本の
である。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）Ｋ於ける該物質（Ｃ）の含有皺を
通常は３０ａｔｏｍｉｃｐｐ＋以上、好適には５０ａｔ
ｏｍｉｃｇｍ以上、最適には、１００暑ｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ以上とすることによって、例えば該含有させる物質（
Ｃ）が前記のＰｆｉ不純物の場合には、非晶質層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けたｆｌＡＫ支持体側から
の非晶質層中への電子の注入を効果的に阻止することが
出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純
物の場合には、非品質層の自由表面がｅ檜性に帯鑞処理
を受けた際に、支持体側から非晶實層中への正孔の注入
を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の１一領埴（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の＼ 伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させても良いし、
或いは、同極性の伝導型を有すあ伝導特性を支配する物
質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量より
も一段と少ない量κして含有させても良いものである。

この罎な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物實（Ｃ）の含有量としては、１一領
域（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量
に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、通
常の場合、ｏ．ｏｏｔ〜１０００ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、
好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃー、最適にはＯ
．ｌ−２００ａｔｏｍｉｃｐｙａとされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）＆び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、
３０ａｔｏｍｉｃ岬以下とするのが望ましいものである
。

本発明に於いては、非晶質轡中に、一方の極性の伝導型
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領琥と、
他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含
有させ九層領埴とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所關空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、非品質層中に、前記のＰ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所一Ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上Ｋ設けられる
第２の層領域（８’）中には、ゲルマニウム原子はキ有
されてち・らず、この様な１一構造に非晶實層を形成す
ることによって、比較的可視元領域を含む、短波長から
比較的長波長迄の全領域の波長の光に対【７て光感庇が
優れている光４竃部材とし得るものである。

父、４ｌのｉ一領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
の分布状標は、全１−＠域にゲルマニウム原子が連続的
に分布しているので、第１の−領域（Ｕ）と４ＩＪ２の
層狽域（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、半導体レー
ザ等を使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を第ｌの１−領域（Ｇ）に
於蒐ハて、実質的に完全に吸収することが出来、支持体
面からの反射による干渉を防止することが出来る。

父、本発明の元導成部材に於いては、第１のノー煩域（
Ｇ）と第２のＪ一領域（Ｓ）とｆｒ＃Ｉｉ成する非晶質
材料の夫々がシリコン原子という共通の構成豐素を有し
ているので、積層界而に於いて化学的な安定性の確保が
充分成されている。

本発明において、弟ｌの／ｍ領域（Ｇ）中冫ζ含有され
るゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が
効果的κ達成される様Ｋ所望Ｋ従って適宜決められるが
、通常はｌ〜９．５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃｐＩｍ１好ま
しくは１００〜８Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃｐｐＩ，最適に
は、５００〜７×ｌＯ易１ｔｏｍｉｃ−とされるのが望
ましいものである。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる１へ光導電部材の設計の際に
充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の１領域（Ｇ）の噛厚Ｔ．は、４
Ｎの場合、３０Ａ〜５０μ、好ましくは、４０五〜４０
μ、最適には、５０人〜３０μとされるのが望ましい。

父、第２の層領ｄ（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場合、０．
５〜９０μ、好ましくは１〜８０μ、蛾適には２〜５０
μとされるのが望ましい。

第ｌの１一頻埴（（｝）の−厚Ｔ■と第２の層領綾（Ｓ
）の噛厚Ｔの和（Ｔｍ＋’ｌ’）としては、両層領塘Ｋ
景求される特性と非品質１一全体Ｋｍ求される特性との
相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材のｆ一設計
の際１／！：ＦｆＴ望Ｑこ従って、適宜決定される。

本発明の尤導４部材に於いては、Ｆ記の（Ｔｍ十゛Ｖ）
の数値範囲としては、應常の場合１−１００μ、好適に
は１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望まし
い。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、−ヒｄ己
の１＠厚Ｔａ及び１一厚Ｔとしでは、通常は’Ｉ’ｍ／
Ｉｌｌ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して』宜
適切な数値が選択されるのが！ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｉｌｌ，及び層厚Ｔの数値の選
択に於いて、より好ましくは、Ｔ，／Ｔ≦０．９，鍛適
にはＴ，／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層１ｖ
Ｔ，及び１４厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第ｌのｌｌｉ領域（Ｇ）中に含有さｔ
］るゲルマニウム原子の含有Ｖが１ｘ］０６ａｔｏｍｉ
ｃ一以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ．と
じては、町成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０μ以下、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ
以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて非晶質層を構成する第１
の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（８）中に含有される
ノ・ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素，塩
素，臭素．ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素，塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ（ｆ｛，Ｘ）で構成され
る第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンプレーテイング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グＱ一放竃法によって、ａ−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）テ構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには、基
本的ＫＦｉシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る８ｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
（自）供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（［
｛）導入用の庫科ガ−ス又は／及びハロゲ／ＷＬ子（Ｘ
）導入用の原科ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
所望のガス圧状趨で導入して、該堆積室内にグロー放イ
を生起させ、予め所定位置に設置されてある所定の支持
体表面．ｌ：にａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる１−を
形成させれば良い。父、スパッタリング法で形成する場
合には、列えばＡｒ，Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスｔペースとした混合ガスの雰囲気中で８１で構成さ
れたターゲット、或いは、該ターゲットとｊで構成され
たターゲットの二枚を使用して、又ｔａ、８Ｍと（ト）
の混合されたターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ
，Ａｒ等の稀釈ガスで怖釈された侵供給用の原料ガスを
、必要にらじて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）４人用のガスをスパッタリング用の堆慎室に導
入し、所望のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のター
ゲットヲスパッタリングしてやれば良い。

イオンプレーテイング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートＫ収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等Ｋよって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては，８ｇ｝｛４＊８ｔ，也，ｂＬｍ搗，
８ｉ４Ｈ１。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、８！供給効率の良
さ等の点でＳｉ｝ｌ，，８ｉ晶が好ましいものとして挙
げられる。

由供給用の原科ガスと成り得る物質一としては、（｝ｅ
Ｈ４，ＧｅＪ｛，，ｕｅ，ｋ４，，Ｇａ，Ｈ，。，Ｇｅ
，Ｈ，，，Ｇｅ．Ｈ，，，Ｇｅ，Ｈ，，，（ｉｅ，Ｈ，
，，Ｇｅ，Ｈ．。等のガス状態の又はガス化し得る水素
化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、由供給効率の良さ
等の点で、（３ｅＨ４，Ｇｅ一丸，Ｇｅ一丸が好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原科ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ノ・ロゲ／化吻、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換された７ラン誘導体等のガス状噛
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子と７・ロゲ／原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し傅るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素，塩素，某木，ヨウ素ノハア
ゲンガス、ＢｒＦ，Ｃ／Ｉｌｌ”，Ｃ／Ｆ，，ＢｒＦ，
，Ｂｒｈ″，，ＩＦ．，ＩＦ，，ＩＣ／，ＩＢｒ等（Ｄ
ハｇゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば８
ｉＦ，，８ｉ，Ｆ，，８ｉＣＺ４，ＳｉＢｒ．等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放竃法によって本発明の特徴的な光導竃部材を形成す
る場合には、山供給用の原料ガスと共［８ｉを供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−ＳｉＧｅから
成る第１の鳩領域，（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放竃法に従って、ノ１ロゲン原子を含む第１の一
領域（Ｇ）を作成する場合、基本的ＫＦｉ、例えば８ｉ
供給用の原科ガスとなるノ１ロゲ／化硅素と（ト）供給
用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ，Ｆｌｇ
，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様に
して絡ｌＯ層領域（Ｇ）を形成する堆槓室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所望の支持体上κ第１の層領域（
０）を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の
卸１＃を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望
ｔ混合して；一形成しても良いＯ 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スバツタリ／グ法、イオングレーテイング法の何れの場
合にも形成される１一中に７１ロゲン原子を導入するＫ
は、前記のノ・ロゲン化合物又は前記のノ・ロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば艮いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ，、或いは前記したシラン類又は／
及び水索化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆槓室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ノ・ロゲン原子導入用の原料ガスと
してト紀されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他κ、ＨＦ，Ｈ（４，ＨＢｒ，ＨＩ等のハ０ゲン化
水素、８ｉＨｔＦ，，８ｉＨ，Ｉ，，８ｉＨ，Ｃｚ，，
ＳｉＨＣ／，，Ｓｉｔ−１，Ｂｒ，，８ｉＨｔ３ｒ，等
１７）／ＮＯゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨＰ，，Ｇ
ｅＨ，Ｆ，，ＧｅＨｓＦ，（３ｅＨＣｌ！，，Ｇｅｌ−
１，（Ｊｔ，ＧｅＨ，Ｃ／，ＧｅＨＢｒ，，ＧｅＨ，Ｂ
ｒ，，ＧｅＨ，＆，ｕｅＨＩ，，ＧｅＨ，Ｉ，，ＧｅＨ
，１等の水素化ハアゲン化ゲルマニウム、等の水素原子
を構成要素の１つとするハＯゲン化物、ＧｅＦ，，（ｋ
ｃｌ，，ＧｅＢｒ４，（｝ｅＩ４，ＧｅＦ！ｔＧｅｅ／
！ｔＧｅＢｒ，ｔＧｅＩ，等のハアゲン化ゲルマニウム
、等々のガス状簡の或いはガス化し得る物質も有効な第
１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として挙ける事が出
来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物をよ、
＠ｌのＪ一憤埴（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の
導入と同時に藏気的或いは光竃的特性の制ｕＩ４１ｖｃ
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明におい
ては好適なハロゲン導入用の１京料として使用される。

水素原子ｆ第１の１−領域（（ｊ）中に構造的に導入す
るには、Ｌ紀の他にＨ，、或いはＳ１Ｈ４．Ｓｉ一九，
Ｓｉ３Ｈ，，Ｓｉ４Ｈ，。等の水素化硅素を畿を供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは
、（｝ｅｌＬ４，（｝ｅ２Ｈ，，（Ｊｅ，Ｈ，，Ｇｅ，
Ｈ，，，Ｕｅ，Ｈ，，，ＧｅＩｌｋｉ，，，Ｏｅ，Ｈ，
，，（｝ｅｓＨ，，，（ｋ，｝｛，。等の水素化ゲルマ
ニウムと８ｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆槓室中に共存させて放成を生起させる事でも
行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光４篭部材の
第１の１一領域（Ｇ）中に含有される水素原子（１１）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の暢合０．０１〜４０
ａｔｏｍｉｃ％、好ｔｉｉ［は０．０５〜３Ｑａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃＸとさわる
のか望ましい。

嘔１１１Ａ４％ｆ’ｉ’％（コ「沖に含有される水素原
子（ｌ１）又１１／及びハロゲン原子（Ｘ）の駿を制御
するには、例えば支持体ｍｌ＆父は／及び水素原子（Ｈ
）、或いはハロゲン原子（Ｘ）をＪ有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放竃々力等
を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の｝一領域（８）を形成するには、藺記した第１の層領
域ＣＣＵ＞形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｑ巴 へ供給用の原科ガスとなる出発書質を除いた出発物質〔
第２の層領域（８）形成用の出発物質（璽）〕を使用し
て、４１のノ−領域（Ｇ）を形成する場合と、同様の方
法と条件Ｋ従って行うことが出来るＯ 即ち、本発明において、ｍ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る嬉２の１−領域（８）を形成するＫＦｉ例えばグロー
放竃法、スパッタリング法ｓｙＲｖｕイ＊ンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放憲法によって、ａ−Ｓｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される第２のノー領域（Ｓ）を形成するＫは
、基本的には前記したシリコン原子（８ｉ）を供給し得
る８ｉ供給用の原科ガスと共に、必費κ応じて水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放蝋を生起させ、予め所定位置に設
置されてある｝９［定の支持体表面トにａ−８４（Ｈ，
Ｘ）からなる）一を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｒ，Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水木原子（１｛）父は／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してお
けば良い。

本発明に於いて、形成される非品質層を構成する第２の
ノー領域（８’）中に含有される水素原子０１）の瞳又
はハロゲン原子（Ｘ）の駿又は水素涼子とハロゲン原子
の妙の４ｔｊ（Ｈ＋Ｘ）は、通常の場合、１〜４０ａｔ
ｏｍｉｃｙ（、好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃＸ，最適
には５−２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが溢ましい。

非晶實ノーを構成する１一領ψ中に、伝導特性を制御す
る物質（Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或いは第■族原子を
構造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（
ＰＮ）を形成するには、層形成の際に、ｉｌｌ族原子導
入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガ
ス状態で堆積室中に、非品質層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第厘族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガ
ス状の又は、少なくとも層形成条件Ｆで答易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。その様な第璽族原
子導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用と
しては、ＢＩＨ４ｓＢ４１Ｈｌ（１，ＢＩＨＩ−ＢｓＨ
ｏ−ＢｓＨｓ＊．ＢＪ｛＊ｔ，Ｂ．κｍ轡の水素化硼素
、ＢＦ，，ＢＣ／，，ＢＢｒ．等のハＣｌゲン化一素等
が挙げられる。この他、Ａｚ（４ｍ，ｉＪａｃｌｍ＊Ｇ
ａ（ＣＨ，），，ＩｎＣ／，，Ｔ／Ｃ／，等も挙り゛る
ことが出来る。

第■ｊ！ｋ：原子導入用の出発愉質として、本尭明にお
いて有効に使用されるの，Ｆｉ、燐原子導入用としては
、Ｐｉ−１，，Ｐ，８４等の水素化燐、Ｐ搗Ｉ，ＰＦ畠
，ＰＦ，，ＰＣ／．，ＰＣ／，，ＰＢｒ，，ＰＢｒ，，
ＰＩ，等の八〇ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ
，，ＡｓＦ，，ＡｓＣ／，，ＡｓＨｒ，，ＡｓＦ，，Ｓ
ｂｋ４，，ＳｂＦ，，Ｓｂｈ”，，ＳｂＣ／，，ｓｂｃ
／，，ＳｊＨ，，８ｉＣＩ！３，Ｂｉｅｒ，等もＳＶ族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
竃気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎｉｃｒ，ステンレス，Ａ／，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ
，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｉ，Ｐｄ等の金属又はこれ
等の合金が挙げられる。

竃気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポリエチレ
ン，ポリヵーボネート，セルローズアセテート，ポリプ
ロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，ポリ
スチレ／，ボリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト，ガラス，セラミック，紙等が通常便用される。これ
等の′一気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導く処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｒＣｒ，Ａ／
，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐ
ｉ，Ｐｄ，Ｉｎ，０，，ＳｎＯｔ，ＩＴＯ（Ｉｎ，０，
＋ＳｔｉＯ＊）等から成る薄膜を設けることによって導
電性が付与され、或いはポリエステルフイルム等の合成
樹脂フイルムテあれば、ＮｉＣｒ，Ａ／，Ａｇ，Ｐｂ，
Ｚｎ，Ｎｉ，▲Ｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ
，Ｔｉ，Ｐｉ等の金属の薄膜を真空蒸着．１１ｃ子ビー
ム蒸着．スパッタリング等でその表面に設け、又は前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形せとしては、円筒状，ベル
ト状，板状等任意の形状とし得、所望によって、その形
状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００
を竃子写真用儂形成部材として使用するのであれば連続
＾速複写の場合κは、無趨ベルト状又は円筒状とするの
が望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として町
撓性が畳求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。而乍
ら、この様な場合支持体の製１’ｉｆＩ：及び取汲いヒ
、機械的強度等の点から、通′粛は、ｌＯμ以上とされ
る。

次に本発明の先導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２図に光導屯部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発明の光導
屯部材を形成するだめの原料ガスが密封されており、そ
の１例としてたとえば２０２は、Ｈｅで稀釈されたＳＩ
｝｛４ガス（純度９９．９９９Ｎ，以ドＳＩ｝′Ｌ４／
蚤１ｅと略す。）ボンベ、２０３は山で希釈されたＧｅ
ｌ１４ガス（純度９９．９９９Ｎ，以ＦＧａＨ４／Ｈｅ
ト略す。）ボンベ、２０４は出で希釈されたＳＩＦ，ガ
ス（純［９９．９９％，以下ＳｒＦ，／Ｈｅと略す。）
ボンベ、２０５は山で稀釈されたＢ，Ｈ，ガス（純度９
９．９９９９Ｎ，以｝，Ｈ，｝ｌｌｌ／Ｈｅと略す。）
ボ／ぺ、２０６はＩＩ，ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のバルブ２２２〜２２６、リークバル
プ２３５が閉じられていることを確認し、父、流入バル
ブ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２ｌ，補助パ
ルプ２３２，２３３が開かれていることを確一して、先
ずメインバルプ２３４を開いて反応室２０ｌ１及び各ガ
ス配管内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５Ｘ
１０ｔｏｒｒになつ九時点で補助バルプ２３２，２３３
、流出バルプ２１７〜２２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２３７上Ｋ非晶質層を形成する場
合の１例をあげると、ガスボンベ２０２より８ｉＨ４／
Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よ！）ＧｅＨ，／Ｈｅガス
、ガスポンベ２０５よりＢＩＨ．／Ｈｅガスをパルプ２
２２，２２３，２２５を夫Ａ！開いて出口圧ゲージ２２
７，２２８．２３０の圧をｌＫｔ／ｃｄＫＡ整し、流入
パルブ２１２，２１３，２１５を徐々Ｋ＃！けて、マス
フロコントローラ２０７，２０８，２１０内に夫々を流
入させる。引き続いて流出パルプ２１７，２１８，２２
０、補助バルプ２３２を徐々に開いて夫々のガスを反応
室２０１ｉＣ６ｋ人させる。こめときの８ｔＨ４／Ｈｅ
ガスａｔとＧｅ域／ｉ−１ｅガス流量とＢ，Ｈ，／Ｈｅ
ガス流量との比が所望の値になるようＫ流出パルブ２ｌ
７．２１８，２２０を凋整し、又、反応室２０１内の圧
力が所望の値になるように真空計２３６の読みを見なが
らメインバルプ２３４の開口を調整する。そして基体２
３７のｍｌｔが加熱ヒーター２３８により５０〜４００
℃の範囲の謳度に設定されていることを確認された優、
竃源２４０を所望の電力に設定し２て反応室２０１内に
グロー放電を生起させて基体２３７上にａｔの１−領域
（Ｇ）を形成する。

所望の！−厚に＠ｌの１−領域（Ｇ）が形成された時点
に於いて、流出バルプ２１８を完全に閉じること及び必
要に応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と
手順に従って、所望時間グロー放竃を維持することで、
ｆ＊記の第１の層領域（Ｇ）トにゲルマニウム原子が実
質的に含有されてない第２０ｍ領域（８）を形成するこ
とが出来るＯ 第２のノー領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ
）を含有させるには、第２のｌ一領域（８）の形成の際
に、例えばＢｔＨ，，ＰＨ，等のガスを堆積室２０１の
中に導入する他のガスに加えてやれば良い。

この様にして、弟１の層領埴（Ｇ）と第２の噛憤域（ｓ
）とで構成された非晶質ｌ＃Ｉが基一体２３７上ＶＣ形
成される。

−形成を行っている間Ｆｉ珊形成の均一化を図るため基
体２３７はモータ２３９により一定速度で回転させてや
るのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ ｌＩ２図Ｋ示した製造装置によシ、シリンダー状の▲１
基体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得九。

こうしで得られた儂形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．ＯＫＶでＪ５４１＠Ｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光儂はタングステンランプ光源を
用い、２ノｕＸ１●Ｃの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させ友。

その後直ちに、Ｏ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、儂形成部材表面上に喪好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー一儂を、■５．０κＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な嶌濃度の画儂が得られた。

実施例２ 第２図κ示した製造装置Ｋより、第２表に示す粂件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用儂形成部材を得九．こうして得られ九會形成部材κ
就いて帯電極性と現倫削の荷電極性の夫々を夷施９１１
と反対にしえ以外は夷施例１と同様の条件及び手願で転
写紙上に画倫を形成し九とζろ極めて鮮明な画質が得ら
れ友． 実施例５ 第２図Ｋ示した製造懐置Ｋより、′ｓ５１！！Ｋ示す条
件κし九以外は実施例１と同様Ｋして、層形成を行って
電子写真用ＩＩ形成部材を得え．こうして得られ友儂形
成部材κ就いて、夷論例１と同様の条件及び手順で転写
紙上κ画像を形成したところ極めて鮮＠な画質が得られ
丸．実施例４ 実施例１Ｋ於いて、Ｇ＠Ｈ４／菖●ガストｌｌｉｌν１
●ガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるゲル
マニウ五原子の含有量を第４表κ示す様κ変え九以外は
、実施例１と四様κして電子写真用儂形成部材を夫々作
成した． ζうして得られた偉形成部材Ｋ就いて、夷施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られ九。

実施例５ 実施例１に於いて第１層の層厚を第５表に示す様Ｋ変え
る以外は、実施例１と同様にして各電子写真用儂形成部
材を作成した。

こうして得られ九各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上Ｋ画像を形成し九ところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６ 第２図に示した製造装置によシ、シリンダー状の▲ｌ基
体上に、第６表Ｋ示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた儂形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■ｓ，ｏＫｖで０．５＠８（！間コロナ帯電を行い
、直ちに光偉を照射した光儂はタングステンランプ光源
を用い、２ｊｕｘ・一●Ｃの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させ九。

Ｑ その後直ちに、ら荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を儂形成部材表面をカスケードすることによっ
て、儂形成部材表面上に良好なトナー′ｒｉ儂を得た。

儂形成部材上のトナー画倫を、■５，ＯＫＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写し九所、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な嶌濃度の画儂が得られえ． 実施例７ 第２図に示した製造装置によヤ、シリンダー状の▲！基
体上Ｋ１第７表κ示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た． こうして得られた倫形威部材を、帯電露光集験装置に設
置し０５．０κ▼で（３ｓｓｅａ間コロナ帯電を行い、
直ちＫ光儂を照射し九光偉はタングステンランプ光源を
用い、２４ｕｘ１ｅａの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させえ．その後直ちに、■荷電性の現像剤
（トナーとキャリアーを含む）を倫形成部材＊＊をカス
ケードするととＫよって、ｇＩＩｓ成部材表向上ＦＣＩ
Ｌ好なトナーｌｉｉｉ（ａを得え．儂形成部材上のトナ
ー画儂を、ｏｓ，ｏｃｖのコ四ナ帯電で転写紙上に転写
した所、解偉力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃変
の画偉が得られ友． 実ｍ例８ 第２図Ｋ示し丸製造装置により、シリンダー状の▲１基
体上に、第８表に示す条件で層形成を行って電子写真用
儂形成部材を得だ。

こうして得られた儂形成部材を、帯電露光集験装置に設
置し０５．０κＶでＯｊｓｅａ間コロナ帯電を行い、直
ちに光儂を照射し九光惜はタングステンランプ光源を用
い、２ｌｕｘ１●Ｃの光量を透過型のテストチャートを
通して照射させた。

その後直ちＫ，■荷電性の現儂剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材ｆ１面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナーｍ＋象を、Ｃ）５，ＯＫＶのコロナ
帯電で転写紙上に転写した所、解像力Ｋ優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画儂が得られた。

実施例９ 第２図に示した製造装置によシ、ｉＪｔ表に示す条件に
し九以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用儂形成部材を得九。′こうして得られ九＊形成部
材Ｋ就いて、夷施例１と同様の条件及び手順で転写紙上
κ画儂を形成し九ところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例１０ 第２図に示し友製造装置κよク、第１０表κ示す条件に
した以外は実施例１と一様κして、層形成を行って電子
写真用侭形成部材を得え．こうして得られ九俸形成部材
κ就いて、ｓｍ例１と同様の条件及び手順で転写紙上に
一倫を形成し九ところ極めて鮮明な画質が得られ九．実
施例１１ 実施例１Ｋ於いて光源をタングステンランプの代りに８
１０ｎｍのＧａ▲●系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用い
て、静電儂の形成を行つ九以外は、１ 実施例と同様のトナー画儂形成条件にして、実△ 施例１と同様の条件で作成し九電子写真用ｇＩ形成部材
Ｋ就いてトナー転写画儂の画質評価を行ったところ、解
儂力に優れ、階調再現性の曳い鮮明な高品位の画偉が得
られた． −３０７− 以１，の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以
ドに示す。

基体温度：ゲルマニウム原Ｆ（Ｇｅ）含イ１層一一−一
一約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層一一一
約２５０℃放電周波数：１３．５８Ｍ｝ｌｚ 反応時反応室内圧＋０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、４２図社、夷施例に於いて本発明の光
導電１１社を作製する為κ使用され九装置の模式的説明
図であゐ。 １００・・・光導電部材 １０１・・・支持体 １０２・・・非晶質層 −３０９−

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコ
   ン原子とゲルマニウム原子とを含む非品質材料で構成さ
   れた、第１の層領賊とシリコン原子を含む非晶質材料で
   構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体
   側より順に設けられた層構成の非晶質層とを有し、前記
   第１の層領域κ伝導性を支配する物質が含有されている
   事を特徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域及び第２０層領域の少なくともいず
   れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲，
   ｉｌｌ項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層餉域及び第２の−領域の少なくともいず
   れか一方にノ・ロゲン原子が含有されている特許一求の
   範囲第１項及び同第２項Ｋ記載の光導電部材。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第厘族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記械の光導゛鑞部材
   。
5. （５）伝導性を支配する物質が）ｉ！ｉｌ期律表＠Ｖ族
   に属する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。