DE3134189A1 - Bilderzeugungselement fuer elektrophotographische zwecke - Google Patents
Bilderzeugungselement fuer elektrophotographische zweckeInfo
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Description
Bilderzeugurigselement für elektrophotographische Zwecke
Die Erfindung betrifft ein Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke, das zur Erzeugung
25 von Bildern unter Anwendung von elektromagnetischen Wellen wie Ultraviolettstrahlen, sichtbaren Strahlen
bzw. sichtbarem Licht, Infrarotstrahlen und Röntgenstrahlen
eingesetzt wird.
30 Seit neuerer Zeit ist - beispielsweise aus den US-PSS 4 225 222 und 4 265 991 und der japanischen
Offenlegungsschrift 55-69149 - ein Bilderzeugungselement
für elektrophotographische Zwecke bekannt, dessen photoleitfähige Schicht aus einem nachstehend kurz
35 mit "a-Si" bezeichneten, amorphen Material mit
XI/13
Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070 Dresdner Bank (München) Kto. 3939
Postscheck (München) KIo. 670-43-804
- 5 - DE 1503
Siliciumatomen als am Aufbau der Matrix beteiligten
Atomen aufgebaut ist. Dieses Bilderzeugungselement .weist verschiedene Vorteile auf, die beispielsweise
darin bestehen, daß das Bilderzeugungselement keine
Umweltverschmutzung verursacht und eine gute Hitzebeständigkeit, eine hohe Empfindlichkeit und eine
hohe Haltbarkeit hat.
Amorphes Silicium (a-Si) ist bisher hauptsächlich vom Gesichtspunkt der Verwendung als photoleitfähiges
Material für Solarzellen aus untersucht worden, während Untersuchungen und Forschungen hinsichtlich seiner
Verwendung als am Aufbau von photoleitfähigen Schichten von Bilderzeugungselementen für elektrophotographisehe
Zwecke beteiligtes Material erst begonnen haben, weshalb auf diesem Gebiet in praktischer Hinsicht
noch einige zu lösende Probleme bestehen.
Erstens weisen durch Abscheiden erhaltene a-Si-Filme
große (mechanische) Spannungen auf, was dazu führt, daß diese Filme leicht von einem Grundelement
oder Träger abblättern. Diese Erscheinung des Abblätterns oder Abschälens tritt insbesondere dann in einem
beträchtlichem Ausmaß auf, wenn die abgeschiedene a-Si-Schicht auf der gekrümmten Oberfläche eines walzenförmigen,
beispielsweise aus Aluminium hergestellten Trägers für elektrr-photographische Zwecke ausgebildet werden
soll.
Zweitens ist bisher für: den Träger kaum ein
Material erhältlich oder zugänglich gewesen, das zur Erzeugung eines vorbestimmten, guten elektrischen
Kontakts mit einer abgeschiedenen a-Si-Schicht befähigt war, was zu dem Problem führte, daß während
des Vorgangs der Erzeugung von Ladungsbildern die Bewegung elektrischer Ladungen durch die Grenzfläche
- 6 - DE 1503
zwir.chi'ti dem Tracer und dem abgeschiedenen u-Si-Film
nicht glatt erfolgen konnte.
Drittens ist die Empfindlichkeit der abgeschiedenen
a-Si-Schicht für Licht im langwelligen Bereich in der Nähe des nahen Infrarotbereichs des sichtbaren
Lichts beträchtlich niedriger als für Licht im kurzwelligen Bereich des sichtbaren Lichts.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Bilderzeugungselement
für elektrophotographische Zwecke gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zur Verfügung zu'
stellen, das als am Aufbau der photoleitfähigen Schicht beteiligte Schicht eine amorphe a-Si-Schicht aufweist
und dessen photoleitfähige Schicht hinsichtlich ihres Anhaftens an und ihres elektrischen Kontaktes mit
dem Träger ausgezeichnete Eigenschaften hat und eine sehr hohe Empfindlichkeit für Licht im langwelligen
Bereiche des sichtbaren Lichts und ausgezeichnete elektrophotographische
Eigenschaften aufweist.
Diese Aufgabe wird durch das im Patentanspruch 1 gekennzeichnete Bilderzeugungselement gelöst.
Die kristalline Siliciumschicht wird nachstehend kurz mit "c-Si-Schicht" bezeichnet. Das amorphe
Material der amorphen Schicht, das Siliciumatome als am Aufbau der Matrix beteiligte Atome sowie Wasserstoff
atome und/oder Halogenätoriie enthält, wird nach-. stehend kurz mit "a-Si(H,X)" bezeichnet, worin X das
Halogenatom bedeutet.
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen näher erläutert.
-T- DE 1503
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung, die
zur Erläuterung der Schichtstruktur einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Bilderzeugungselements für elektrophotographische Zwecke dient.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung, die
zur Erläuterung der Schichtstruktur einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Bilderzeugungselements für elektro-
photographische Zwecke dient.
Fig. 3 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Vorrichtung für
die Herstellung des erfindungsgemäßen
Bilderzeugungselements für elektirophotographische
Zwecke.
Das in Fig. 1 dargestellte Bilderzeugungselement 100 für elektrophotographische Zwecke ist aus einem
Träger 101 und einer auf dem Träger 101 ausgebildeten, photoleitfähigen Schicht 102 aufgebaut. Die photol'eitfähige
Schicht 102 besteht - von der Seite des Trägers 101 ausgehend - aus einer laminierten c-Si-Schicht
. 103 und einer laminierten, aus a-Si(H,X) bestehenden
amorphen Schicht 104.
Die c-Si-Schicht 103 kann durch das sogenannte chemische Aufdampfverfahren gebildet werden. Bei diesem
3" Verfahren wird polykristallines oder mikrokristallines
Silicium gebildet, indem man den Träger in einem Reaktionsbehälter auf einer Temperatur von 600° bis
1200 C hält, während gasförmiges Silan in den Reaktionsbehälter
hineinströmen gelassen wird. Die c-Si-
OJ Schicht 103 kann auf dem Träger 101 auch durch das
sogenannte Niedrigtemperatur-Plasmazersetzungsverfah-
- 8 - DE 1503
ren ausgebildet werden. Bei diesem Verfahren wird
das Substrat in einem Plasma-Reaktionsbehälter auf einer Temperatur von 600 C oder darüber gehalten,
und in gasförmigem Silan (133 jubar bis einige" Millibar)
wird eine Glimmentladung durchgeführt, wodurch mikrokristallines oder polykristallines Silicium gezüchtet
wird.
Die c-Si-Schicht 103 kann auch unter Anwendung eines Trägers 101 mit der Eigenschaft des epitaxialen
Wachstums, auf dem kristallines Silicium epitaxial gezüchtet wird, gebildet werden. Bei einem weiteren
Verfahren kann die c-Si-Schicht 103 gebildet werden, indem man ein gasförmiges Silan wie SiH4 in einen
Reaktionsbehälter einführt, dessen Druck vermindert werden kann, und indem . man das gasförmige Silan durch
Bestrahlen mit einem Laserstrahl, der beispielsweise von einem COp-Laser ausgeht, photolysiert, wodurch
auf dem Träger 101 die c-Si-Schicht 103 ausgebildet wird. Im Falle der Anwendung eines Halbleiterlasers
im langwelligen Bereich, beispielsweise eines GaAs-, Ga(As1 P )-, (In Ga1 )As-, InAs-, InP- oder InSb-Lasers,
kann der c-Si-Schicht 103 die Eigenschaft einer "Ladungserzeugungsschicht", d. h. einer Schicht,
die durch Absorbieren des Laserstrahls Phototräger erzeugt, verliehen werden. Deshalb sollte der c-Si-Schicht
103 eine Schichtdicke gegeben werden, die ■bei oder über einem bestimmten Wert liegt, damit sie
den Laserstrahl, mit dem sie:bestrahlt wird, in wirksamer
Weise absorbieren kann.
Bezüglich der Reihenfolge, in der die Schichten laminiert werden, ist es erwünscht, daß die c-Si-Schicht
103 an der Seite vorgesehen wird, die der Bestrahlung mit dem Laserstrahl näher ist.'
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Die amorphe Schicht 104 kann mit den drei nachstehend
angegebenen Typen vona-Si(H,X) gebildet werden.
(1) n-Typi Dieser Yyp der Schicht enthält nur
einen Donator oder sowohl einen Donator als auch einen Akzeptor, wobei
die Donatorkonzentration (Nd) hoher als die Akzeptorkonzentration ist.
(2) p-Typ: Dieser Typ der Schicht enthält nur
einen Akzeptor oder sowohl einen Donator als auch einen Akzeptor, wobei
die Akzeptorkonzentration (Na) höher als die Donatorkonzentration ist.
(3) i-Typ: Bei diesem Typ der Schicht gilt für
die Beziehung zwischen der Donatorkonzentration und der Akzeptorkonzentrat
ion Na <v Nd ~ 0 oder Na ^ Nd.
Für den erfindungsgemäßen Zweck* geeignete Halogenatome
(X), die in der amorphen Schicht 104 enthalten sein können, sind Fluor, Chlor, Brom und Jod, wobei
Fluor und Chlor besonders bevorzugt werden.
Die aus a-Si(H,X) besteifende, amorph« Schicht
104 kamt durch Waschledern -Verfahren zur Ausbildung
von abgeschiedenen Schicfeteri, die üblicherweise zur
Bildung der a-Si-Schicht angewendet werden, gebildet werden. Beispiele für solche Verfahren sind das Glimmentladungsverfahren,
das Zerstäubungsverfahren, das Ionenplattierverfahren und das Verfahren des photolytisehen
Abbaus durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl.
O 104 I
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Für die Bildung der amorphen Schicht 104 durch das Glimmentladungsverfahren kann es beispielsweise
ausreichen, daß ein gasförmiges Rohmaterial für die Zuführung von Silicium, bei dem es sich um eine Zuführungsquelle
für Siliciumatome (Si) handelt, und ein anderes, zur Einführung von Halogenatomen und/oder
Wasserstoff atomen dienendes, gasförmiges Rohmaterial in eine Abscheidungskammer eingeführt werden, deren Innendruck
vermindert werden kann, und daß dann innerhalb der Abscheidungskammer eine Glimmentladung durchgeführt
wird, um auf der Oberfläche des Trägers, der in der Abscheidungskammer in eine vorbestimmte Lage gebracht
worden ist, eine aus a-Si(H, X) bestehende Schicht auszubilden.
Wenn die amorphe Schicht durch das Zerstäubungsverfahren gebildet werden soll, kann es in dem Fall,
daß ein aus Silicium hergestelltes Target in einer Atmosphäre aus einem Inertgas wie Argon oder Helium
oder aus einer Gasmischung mit diesem Inertgas als Grundbestandteil zerstäubt wird, ausreichen, daß ein
gasförmiges Rohmaterial für die Einführung von Wasserstoff atomen und/oder Halogenatomen in die Abscheidungskammer
eingeführt wird.
Bei dem gasförmigen Rohmaterial für die Zuführung von Silicium, das im Rahmen der Erfindung bei der
Bildung der amorphen Schicht 104 eingesetzt wird, handelt es sich um ein gasförmiges oder vergasbares
Siliciumhydrid (Silan) wie SiH., Si0H-, Si0H0 oder
4 i b oo
Si4H10, die alle in wirksamer Weise eingesetzt werden
können. Aufgrund der leichten Handhabung bei dem Verfahren zur Bildung der Schicht und des Wirkungsgrades
bezüglich der Zuführung von Silicium werden SiH. und OJ ^-"-p^fi besonders bevorzugt.
- 11 - DE 1503
Beispiele wirksamer, gasförmiger Rohmaterialien für die Einführung von Halogenatomen, die für die
Bildung der amorphen Schicht 104 des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements eingesetzt werden können, sind
verschiedene Halogenverbindungen wie gasförmige Halogene, Halogenide, Interhalogenverbindungen, halogensubstituierte
Silanderivate (halogeniertes Silicium) und andere gasförmige oder vergasbare Halogenverbindungen.
Erfindungsgemäß können in wirksamer Weise auch halogenhaltige Siliciumverbindungen, die gasförmig
oder vergastiar sind und Siliciumatome und Halogenatome
als am Aufbau beteiligte Elemente enthalten, eingesetzt werden.
Beispiele für Halogenverbindungen, die erfindungsgemäß geeigneterweise eingesetzt werden können, sind
gasförmige Halogene wie Fluor, Chlor, Brom und Jod/
Interhalogenverbindungen wie BrF, ClF, ClF,,, BrF1-,
BrF3, JF7, JF5, JCl und JBr und fluorierte Schwefel-.
Verbindungen wie SF. und SF-.
4 D
Als halogenhaltige Siliciumverbindungen, d. h. als sogenannte halogensubstituierte Silanderivate,
können Verbindungen in Form von halogeniertem Silicium wie SiF., Si0F-, SiCl. und SiBr. erwähnt werden.
A . c. Ό 4 4
Wenn die zweite photoleitfähige Schicht durch das Glimmentladungsverfahren unter Anwendung solcher
^" halogenhaltiger Siliciumverbindungen gebildet wird,
kann die aus a-Si:X bestehende, amorphe Schicht 104 auf einem vorbestimmten Träger gebildet werden, ohne
daß ein gasförmiges Siliciumhydrid als zur Zuführung von Siliciumatomen befähigtes, gasförmiges Rohmaterial
° eingesetzt wird.
ο ι ο 4 ι ο α
- 12 - DE 1503
Wenn eine Halogenatome enthaltende, amorphe Schicht 104 nach dem Glimmentladungsverfahren hergestellt
wird, kann es grundsätzlich ausreichen, daß ein gasförmiges Siliciumhalogenid als gasförmiges
Rohmaterial für die Zuführung von Silicium und ein Gas wie Argon, Helium oder Wasserstoff in einem vorbestimmten
Mischungsverhältnis vermischt und mit einer vorbestimmten Gas-Strömungsgeschwindigkeit in die
Abscheidungskammer eingeführt werden, in der die amorphe Schicht 104 gebildet werden soll, und daß
dann zur Erzeugung einer Plasmaatmosphäre aus diesen Gasen innerhalb der Abscheidungskammer eine Glimmentladung
hervorgerufen wird, wodurch die amorphe Schicht 104 auf einem vorbestimmten Träger ausgebildet wird.
in diesem Fall kann außerdem mit diesen Gasen eine vorbestimmte Menge einer wasserstoffhaltigen Siliciumverbindung
vermischt werden, um bei der Bildung der Schicht eine Einführung von Wasserstoffatomen in die
Schicht ^ zu fördern. Es ist auch ein Verfahren durchführbar, bei dem alle Gase nicht als einzelne Gase,
sondern als Mischung einer Vielzahl von Gasen in einem vorbestimmten Mischungsverhältnis eingesetzt werden.
Für die Bildung der aus a-Si(H, X) bestehenden, amorphen Schicht 104 auf der c-Si-Schicht 103 durch
das reaktive Zerstäubungsverfahren oder das Ionenplattierverfahren kann das nachstehend beschriebene
Verfahren angewendet werden.
Im Falle des Zerstäubungsverfahrens wird ein aus Silicium hergestelltes Target für die Zerstäubung
in einer vorbestimmten Gasplasmaatmosphäre eingesetzt. Im Falle des Ionenplattierverfahrens wird als Quelle
für das Aufdampfen polykristallines Silicium oder
OJ Einkristall-Silicium auf ein Verdampfungsschiffchen
- 13 - DE 1503
gebracht, worauf die Siliciumquelle durch Erhitzen
nach dem Wi derstands-Heizverfahren oder dem Elektronenstrahlverfahren verdampft wird und die verdampfte
Substanz durch die vorbestimmte Gasplasmaatmosphäre hindurchgehen gelassen wird. In diesem Fall
können als Quelle für die Halogenatome, die in die entweder durch das Zerstäubungsverfahren oder das
Ionenplattierverfahren gebildete Schicht eingeführt werden sollen, die vorstehend erwähnten Halogenide
oder halogenhaltigen Siliciumverbindungen im gasförmigen Zustand zur Bildung der Gasplasmaatmosphäre in die
Abscheidungskammer eingeführt werden.
Wenn in die zu bildende Schicht Wasserstoffatome
eingeführt werden, kann das gasförmige Rohmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen (beispielsweise
gasförmiger Wasserstoff oder gasförmige Silane) zur Bildung der Gasplasmaatmosphäre in die Zerstäubungs-Abscheidungskammer
eingeführt werden.
Erfindungsgemäß werden die vorstehend erwähnten Halogenide oder halogenhaltigen Siliciumverbindungen
als wirksames, gasförmiges Rohmaterial für die Einführung
von Halogenatomen, das während der Bildung der amorphen Schicht 104 einzusetzen ist, angewendet. Als
Ausgangsmaterial für die Bildung der amorphen Schicht 104 können außer diesen Materialien Halogenwasser-.
stoffe wie HF, HCl, HBr und HJ, halogensubstituierte
Siliciumhydride wie SiH0F0, 'SiH0Cl0, SiHCl„, SiH0Br0
und SiHBr„ und verschiedene andere gasförmige oder vergasbare Halogenide, die ein Wasserstoffatom als
eines der am Aufbau beteiligten Elemente aufweisen, erwähnt werden.
Durch die wasserstoffhaltigen Halogenide können
- 14 - DE 1503
während der Bildung der amorphen Schicht 104 nicht nur Halogenatome, sondern auch Wasserstoffatome in die
amorphe Schicht 104 eingeführt werden. Dies ist für die Regulierung der elektrischen oder photoelektrisehen
Eigenschaften der Schicht außerordentlich wirksam, weshalb solche Halogenide für den erfindungsgemäßen"
Zweck als Rohmaterial für die Einführung von Halogen bevorzugt werden.
Für die Einführung von Wasserstoffatomen in die
Struktur der amorphen Schicht 104 ist außer dem vorstehend beschriebenen Verfahren auch'ein Verfahren
durchführbar, bei dem innerhalb der Abscheidungskammer eine elektrische Entladung hervorgerufen wird, während
in der Abscheidungskammer gleichzeitig Wasserstoff oder gasförmige Siliciumhydride wie SiH4, SipHfi, Si„HR
oder Si4H1n und eine zur Einführung von Silicium in
die Schicht dienende Siliciumverbindung vorhanden sind.
Beispielsweise wird im Falle des reaktiven Zerstäubungsverfahrens ein Silicium-Target eingesetzt,
und ein zur Einführung von Halogenatomen dienendes Gas und gasförmiger Wasserstoff werden, zusammen mit einem
Inertgas wie Helium oder Argon, falls dies notwendig ist, in die Abscheidungskammer eingeführt, um eine
Plasmaatmosphäre zu erzeugen. Danach wird das Silicium-Target für die Zerstäubung eingesetzt,
. wodurch dia zweite, aus a-Si(H, X) bestehende, photoleitfähige Schicht mit vorbestimmten Eigenschaften
gebildet wird. Außerdem können Gase wie BOHC, PH„ oder
PF3 eingeführt werden, und solche Gase können auch zum Dotieren dienen.
Bei der Bildung der amorphen Schicht 104 im
UJ Rahmen der Erfindung wird das Substrat 101 auf einer
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Temperatur von 200° bis 300°C gehalten. Um der amorphen Schicht die gewünschten elektrophotographischen
Eigenschaften und insbesondere die gewünschten
photoelektrischen Eigenschaften zu verleihen, wird die Menge, in der die Wasserstoffatome oder die Halogenatome
oder die Wasserstoffatome und die Halogenatome in der amorphen Schicht 104 enthalten sind, im allgemeinen
so festgelegt, daß diese Menge im Normalfall 1 bis 40 Atom-% und vorzugsweise 5 bis 30 Atom-% beträgt.
Wenn man beabsichtigt, den Dunkelwiderstand und die Phötoempfindlichkeit, bei denen es sich um wichtige
elektrophotographische Eigenschaften der amorphen Schicht handelt, zu erhöhen, wird die amorphe Schicht
104 geeigneterweise mit Atomen wie Sauerstoff atomen., Stickstoffatomen oder Kohlenstoffatomen dotiert, und
zwar bei Sauerstoff- und Stickstoffatomen in einer Menge von 0,01 bis 30 Atom-% im Normalfall und von
0,1 bis ^15 Atom-% im bevorzugten Fall und bei Kohlenstoffatomen
in einer Menge von 0,1 bis 50 Atom-%.
Im Rahmen der Erfindung können Kohlenstoffatome
durch die nachstehend beschriebenen Verfahren chemisch in die amorphe Schicht 104 eingebaut werden. Wenn
zur Bildung der amorphen Schicht 104 ein Glimmentladungsverfahren
angewendet wird, wird beispielsweise ein gasförmiges oder leicht vergasbares Ausgangsmaterial
für die Einführung von Kohlenstoffatomen, das als am Aufbau beteiligte' Atome Kohlenstoff und
ov/ . Wasserstoff oder Silicium, Kohlenstoff und Wasserstoff
enthält, während der Bildung der amorphen Schicht 104 im gasförmigen Zustand in die Vakuum-Abscheidungskammer
eingeführt und durch Glimmentladung zersetzt bzw. abgebaut. Als Beispiele für zur Einführung von
qc ·
Kohlenstoffatomen dienende Ausgangsmaterialien könen
- 16 - DE 1503
gesättigte Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 5 Kohlenstoff-. atomen pro Molekül, Kohlenwasserstoffe vom Äthylentyp
mit 2 bis 5 Kohlenstoffatomen pro Molekül, Kohlenwasserstoffe vom Acetylerityp mit 2 bis 4 Kohlenstoffatomen
pro Molekül und Alkylsilane erwähnt werden. Beispiele für die gesättigten Kohlenwasserstoffe sind
Methan (CH.), Äthan (C„HC), Propan (C0H0), n-Butan
4 d Ό O ö
(n-C H10) und Pentan (C H); Beispiele für Kohlenwasserstoffe
vom Äthylentyp sind Äthylen (C0H4), Propylen
(C„HC), Buten-1 (C.H0), Buten-2 (C.H0), Isobutylen
ob 4 ο 4 ο
(C-H0) und Penten (C1-H1n); Beispiele für die Kohlen-
4 ο b IU
Wasserstoffe vom Acetylentyp sind Acetylen (C?Hp),
Methylacetylen (C3H4) und Butin (C4H6), und bei den
Alkylsilanen kann es sich um Si(CH0). und Si(C0H1.) .
handeln.
Als wirksame Ausgangsmaterialien für die.Einführung
von Kohlenstoffatomen können außer den vorstehend" erwähnten Materialien halogensubstituierte
Kohlenwasserstoffe vom Paraffintyp wie CCl4, CHF3, CH2F2, CH3F, CH3Cl, CH3Br, CH3J und C3H5Cl und
Derivate von Silanen wie Alkylhalogerisilane, beispielsweise
SiCl(CH3)3, SiCl2(CH3)2 und SiCl3CH3, angeführt
werden.
Für den chemischen Einbau von Stickstoff- oder Sauerstoffatomen in die amorphe Schicht.104 kann es
■ in dem Fall, daß wie bei der vorstehend erwähnten Einführung von Kohlenstoffatomen ein Glimmentladungsverfahren
angewendet wird, ausreichen, daß ein gasförmiges Rohmaterial für die Einführung von Stickstoffoder
Sauerstoffatomen in die zur Bildung der amorphen Schicht 104 dienende Vakuum-Abscheidungskammer einge-
OJ führt und durch Glimmentladung zersetzt bzw. abgebaut
- 17 - DE 1503 wird.
Als Ausgangsmaterialien, die in wirksamer Weise
als gasförmiges Rohmaterial für die Einführung von Stickstoffatomen eingesetzt werden können, können
verschiedene gasförmige oder vergasbare Stickstoffverbindungen wie Stickstoff, Nitride und Azide, beispielsweise
Stickstoff (Np), Ammoniak (NH_), Hydrazin (H0NNH0), Stickstoffwasserstoffsäure (HN ) oder
Ammoniumazid (NH.N„), in denen Stickstoff oder Stickstoff
und Wasserstoff die am Aufbau beteiligten Atome sind, erwähnt werden. Außer den vorstehend erwähnten
Stickstoffverbindungen können auch Stickstoffhalogenide wie Stickstofftrifluorid (NF„) oder Distick-
stofftetrafluorid (N?F.) erwähnt werden, die zusätzlich
zur Einführung von Stickstoffatomen auch zur Einführung von Halogenatomen befähigt sind.
Als wirksame, gasförmige Rohmaterialien für die Einführung von Sauerstoffatomen können die meisten
gasförmigen Materialien, die als am Aufbau beteiligte Atome mindestens Sauerstoffatome enthalten, oder vergaste
Produkte aus vergasbaren Materialien, die mindestens Sauerstoffatome als am Aufbau beteiligte Atome
enthalten, eingesetzt werden.
Wenn ein Siliciumatome als am Aufbau beteiligte Atome enthaltendes, gasförmiges Rohmaterial eingesetzt
wird, kann beispielsweise di:e nachstehend angegebene, kombinierte Verwendung von gasförmigen Rohmaterialien
. in Betracht gezogen werden: (1) Ein gasförmiges Rohmaterial mit Siliciumatomen als am Aufbau beteiligten
Atomen, ein gasförmiges Rohmaterial mit Sauerstoffatomen als am Aufbau beteiligten Atomen und, falls
notwendig, ein gasförmiges Rohmaterial mit Wasserstoff-
C-I C--4 I C-CJ .;
- 18 - DE 1503
und/oder Halogenatomen als am Aufbau beteiligten Atomen werden in einem gewünschten Mischungsverhältnis vermischt;
(2) ein gasförmiges Rohmaterial mit Siliciumatomen als am Aufbau beteiligten Atomen und ein gasförmiges
Rohmaterial mit Sauerstoff- und Wasserstoffatomen als am Aufbau beteiligten Atomen werden in
einem gewünschten Mischungsverhältnis vermischt, oder (3) ein gasförmiges Rohmaterial mit Siliciumatomen
als am Aufbau beteiligten Atomen und ein gasförmiges Rohmaterial mit Silicium-, Sauerstoff- und Wasserstoffatomen
als am Aufbau beteiligten Atomen werden in einem' gewünschten Mischungsverhältnis vermischt. Außer
diesen Kombinationen können ein gasförmiges Rohmaterial mit Silicium- und Wasserstoffatomen als am Aufbau
beteiligten Atomen und ein gasförmiges Rohmaterial mit Sauerstoffatomen als am Aufbau beteiligten Atomen,
die beide in einem gewünschten Mischungsverhältnis vermischt werden, eingesetzt werden.
Spezielle Beispiele für die zur Einführung von Sauerstoffatomen dienenden Ausgangsmaterialien sind
Sauerstoff (O2), Ozon (O3), Kohlenmonoxid (CO), Kohlendioxid
(CO2), Stickstoffmonoxid (NO), Stickstoffdioxid
(NO2), Distickstoffoxid (N2O), Distickstofftrioxid
(N2O3), Distickstofftetroxid (N2O4), Distickstoffpentoxid
(N2O5), Stickstofftrioxid (NO ) und niedere
Siloxane mit Silicium-, Sauerstoff- und Wasserstoffatomen ais am Aufbau beteiligten Atomen wie Disiloxan
H„SiOSiHQ und Trisiloxan H 'SiOSiH-OSiH-.
d ei ado
Für den chemischen Einbau von Kohlenstoffatomen in die amorphe Schicht 104 bei der Bildung der amorphen
Schicht durch Zerstäuben wird eine Kohlenstoffscheibe o.der eine Silicium und Kohlenstoff enthaltende Scheibe
als Target für die Einführung von Kohlenstoffatomen
- 19 - DE' 1503
eingesetzt und in verschiedenen Gasatmosphären der Zerstäubung unterzogen.
Für den chemischen Einbau von Stickstoffatomen
in die amorphe Schicht 104 bei der Bildung der amorphen Schicht durch Zerstäuben wird eine Si„N.-Scheibe oder
eine Si und Si„N. enthaltende Scheibe als Target für
die Einführung von Stickstoffatomen eingesetzt und in verschiedenen Gasatmosphären der Zerstäubung unterzogen.
Für den chemischen Einbau von Sauerstoffatomen
in die amorp)he Schicht 104 bei der BiLdunf/, der amorphen
Schicht durch Zerstäuben wird eine SiO2-Scheibe oder
eine Si und SiO? enthaltende Scheibe als Target für
die Einführung von Sauerstoffatomen eingesetzt und in verschiedenen Gasatmosphären der Zerstäubung unterzogen.
Das erfindungsgemäße Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke weist zwischen seinem
Träger 101 und der amorphen Schicht 104 eine o-Si-Schicht
auf. Die e-Si-Schicht wird in fester,
stabiler Form auf dem Träger 101 ausgebildet, indem
der Träger auf einer hohen Temperatur gehalten wird.
Die c-Si-Schicht dient als eine Art Puffer für die Lockerung der inneren Spannungen, was dazu führt,
daß zwischen den Schichten kein Abblättern auftritt und daß zwischen diesen Schichten ein ausgezeichneter
elektrischer Kontakt aufrechterhalten werden kann, und zwar auch in dem Fall, daß das Bilderzeugungselement
wiederholt verwendet oder unter Bedingungen verwendet wird, bei denen sich die Temperatur und
die Feuchtigkeit beträchtlich verändern. 35
- 20 - DE 1503
Um der c-Si-Schicht 103 oder der amorphen Schicht 104 Leitfähigkeit vom η-Typ oder p-Typ zu verleihen,
wird bei der Bildung der Schicht zum Dotieren ein den Leitfähigkeitstyp festlegender Fremdstoff, d.
h. ein Fremdstoff vom η-Typ oder vom p-Typ oder Fremdstoffe von beiden Typen, in die Schicht eingebaut,
wobei dio Mongo des zum Dolieren eingesetzten Fremdstoffs
reguliert wird.
Bei diesem Dotieren kann durch Einstellung der Fremdstoffkonzentration in der amorphen Schicht in
15 19 —3 einem Bereich von 10 bis 10 cm eine Schicht erhalten werden, deren Leitfähigkeitstyp von einem
stärkeren η-Typ (n -Typ) bis zu einem schwächeren η-Typ (n~-Typ) [oder von einem stärkeren p-Typ (p+-Typ)
bis zu einem schwächeren p-Typ (p~-Typ)J reicht, und
es kann eine Schicht vom i-Typ erhalten werden.
Als Dotiermittel für die amorphe Schicht 104 oder die c-Si-Schicht 103 geeignete Fremdstoffe sind
beispielsweise die Elemente der III. Hauptgruppe des Periodensystems, B, Al, Ga, In und Tl, die diesen
Schichten Leitfähigkeit vom p-Typ verleihen, und die Elemente der V. Hauptgruppe des Periodensystems, N,
P, As, Sb und Bi, die diesen Schichten Leitfähigkeit vom η-Typ verleihen.
In der amorphen Schicht 104 zeigt a-Si(H, X), das mit keinem den Leitfähigkeitstyp festlegenden
Fremdstoff dotiert ist [nicht dotiertes a-Si(H, X)] eine geringfügige Neigung zur Leitfähigkeit vom n-Typ
(n~-Typ). Deshalb kann in die amorphe Schicht 104 eine geringe Menge des vorstehend erwähnten Fremdstoffs
vom p-Typ eingebaut werden, um der amorphen Schicht 104 Leitfähigkeit vom i-Typ zu verleihen.
- 21 - DE 1503
In Übereinstimmung mit den gewünschten elektrischen und optischen Eigenschaften kann die Menge des Fremdstoffs, mit dem die Schichten zu dotieren sind, in
gewünschter Weise festgelegt werden. Im Falle der
Elemente der III. Hauptgruppe entspricht diese Menge im allgemeinen geeigneterweise einem Atomverhältnis
—6 —3
von 10 bis 10 oder vorzugsweise einem Atomverhält-
von 10 bis 10 oder vorzugsweise einem Atomverhält-
— 5 —4
nis von 10 bis 10 , jeweils auf ein Siliciumatom
nis von 10 bis 10 , jeweils auf ein Siliciumatom
bezogen. Im Falle der Elemente der V. Hauptgruppe TO entspricht die zum Dotieren eingesetzte Menge im allge-
meinen geeigneterweise einem Atomverhältnis von 10
bis 10~ oder vorzugsweise einem Atomverhältnis von
—8 —4
10 bis 10 , jeweils auf ein Siliciumatom bezogen.
10 bis 10 , jeweils auf ein Siliciumatom bezogen.
Fur den Träger 101 können alle Materialien eingesetzt
werden, die entweder elektrisch leitend oder elektrisch isolierend sind. Beispiele für die
elektrisch leitenden Träger sind NiCr, rostfreier Stahl, Aluminium, Chrom, Molybdän, Gold, Niob, Tantal,
Vanadium, Titan, Platin, Palladium und andere Metalle und Legierungen dieser Metalle. Beispiele für die
elektrisch isolierenden Träger sind Polyester, Polyäthylen, Polycarbonat, Celluloseacetat, Polypropylen,
Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol, Polyamid und andere Kunstharze in Form von Folien
oder Platten sowie Glas, keramische Werkstoffe, Kunstpapier und synthetincnes Papier. Diene elektrisch
isolierenden Träger werden geeigneterweise auf mindestens einer ihrer Oberflächen einer Behandlung unter-
zogen, durch die sie elektrisch leitend gemacht werden,
und die anderen Schichten werden auf dieser Oberfläche vorgesehen.
Wenn als Träger Glas eingesetzt wird, wird die Oberfläche des Glases elektrisch leitend gemacht,
- 22 - DE 1503
indem auf der Oberfläche ein dünner Film aus einem Material wie NiCr, Al1 Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti,
Pt, Pd, In2O3, SnO2 oder ITO(In2O3 + SnO3) gebildet
wird. Wenn als Träger eine Kunstharzfolie, beispielsweise eine Polyesterfolie, eingesetzt wird, wird die
Folie elektrisch leitend gemacht, indem auf ihrer Oberfläche durch Abscheidung im Vakuum, durch Abscheidung
mittels eines Elektronenstrahls oder durch Zerstäuben usw. ein dünner Film aus einem Metall wie
NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Nb, Ta, V, Ti oder Pt gebildet wird oder indem die Oberfläche des
Trägers durch Laminieren mit den vorstehend erwähnten Metallen behandelt wird.
Die Form des Trägers kann in geeigneter Weise nach Wunsch festgelegt werden, und der Träger kann
beispielsweise eine zylindrische Form, die Form eines Bandes oder eine ebene Form haben. Zum Zwecke eines
kontinuierlichen und mit hoher Geschwindigkeit durchgeführten Reproduktions- bzw. Kopiervorgangs hat der
Träger geeigneterweise die Form eines endlosen Bandes oder eines Zylinders.
Die Dicke des Trägers kann nach Wunsch so festgelegt
werden, daß ein gewünschtes Bilderzeugungselernent
für elektrophotographische Zwecke gebildet werden kann. Wenn das Bilderzeugungselement flexibel sein
soll, kann der Träger in dem Maße, in dem er noch in zufriedenstellender V/eise als Träger dienen kann,
so dünn wie möglich gemacht werden. Auch in einem
solchen Fall wird jedoch für die Dicke des Trägers vom Gesichtspunkt seiner Herstellung, Handhabung und
mechanischen Festigkeit im allgemeinen ein Wert von
10 /am und darüber gewählt.
"
"
- 23 - DE 1503
Fig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements mit einer
anderen Schichtstruktur. Die Schichtstruktur des Bilderzeugungselements
200 entspricht mit der Ausnahme, daß auf der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht
202 eine Oberflächen-Deckschicht 205 vorgesehen ist, der Schichtstruktur des in Fig. 1 gezeigten Bilderzeugungselements
100. Demnach weist das Bilderzeugungselement 200 von Fig. 2 eine photoleitfähige Schicht
202 auf, die aus einer c-Si-Schicht 203 und einer aus a-Si(H, X) bestehenden amorphen Schicht 204, die'
beide in der erwähnten Reihenfolge auf einen Träger 201 laminiert sind, aufgebaut ist, wobei auf der oberen
Oberfläche der photoleitfähigen Schicht 202 außerdem eine Oberflächen-Deckschicht 205 vorgesehen ist. Bei
der c-Si-Schicht 203 und der amorphen Schicht 204 gilt für die Materialien zur Ausbildung der Schichten,
für die Herstellungsbedingungen und für die Schichtdicke usw. das gleiche wie bei den Schichten 103 und
104 von Fig. 1. Bei der Ausbildung der Oberflächen-Deckschicht 205 wird berücksichtigt, daß diese Schicht
den gewünschten elektrischen Eigenschaften genügen muß und außerdem die photoleitfähige Schicht 202 weder
chemisch noch physikalisch beeinträchtigen darf, einen guten elektrischen Kontakt mit der photoleitfähigen
Schicht 202 haben sollte und gut an der photoleitfähigen Schicht 202 anhaften sollte sowie eine gute Feuchtigkeitsbeständigkeit
und Abriebbeständigkeit und
gute Reinigungseigenschaften usw. haben sollte.
30
Beispiele für Materialien, die in wirksamer Weise für die Bildung der Oberflächen-Deckschicht 205 eingesetzt
werden können, sind Polyäthylenterephthalat, Polycarbonat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, PoIyvinylidenchlorid,
Polyvinylalkohol, Polystyrol, Poly-
- 24 - DE 1503
amid, Polytetrafluorethylen, Polytrifluorchloräthylen;
Polyvinylfluorid, Polyvinylidenfluorid, Copolymere von Hexafluorpropylen und Tetrafluoräthylen, Copolymere
von Trifluoräthylen und Vinylidenfluorid, PoIybuten, Polyvinylbutyral, Polyurethan, Polyparaxylylen
und andere organische isolierende Materialien sowie Siliciumnitride, Siliciumoxide und andere anorganische
isolierende Materialien.
Von den vorstehend erwähnten Materialien kann aus den Kunstharzen oder den Cellulosederivaten eine
auf die photoleitfähige Schicht 202 aufzuklebende Folie gebildet werden, oder diese Materialien können
zum Aufbringen als Schicht auf die photoleitfähige Schicht 202 in eine flüssige Form gebracht werden.
Die Dicke der Oberflächen-Deckschicht 205 kann nach Wunsch in Abhängigkeit von den erwünschten Eigenschaften
oder von dem für das Bilderzeugungselement eingesetzten 'Material festgelegt werden. Die Dicke der
Oberflächen-Deckschicht 205 beträgt im allgemeinen 0,5 bis 70 μτη. Insbesondere beträgt die Schichtdicke
im allgemeinen 10 pm oder weniger, wenn die Oberflächen-Deckschicht
205 als Schutzschicht dienen soll, wie es vorstehend erwähnt wurde, während die Schichtdicke
im allgemeinen 10 pm oder mehr beträgt, wenn die Oberflächen-Deckschicht 205 als elektrisch isolierende
Schicht dienen soll. Es sei jedoch angemerkt, daß der vorstehend erwähnte Wert der Dicke, der den
Grenzwert für die Verwendung der Oberflächen-Deckschicht
als Schutzschicht einerseits und als elektrisch isolierende Schicht andererseits darstellt, in Abhängigkeit
von dem einzusetzenden Material, dem anzuwendenden Elektrophotographieverfahren und dem Aufbau
des herzustellenden Bilderzeugungselements veränderlich
ist.
- 25 - DE 1503
Im Rahmen der Erfindung wird die Dicke der c-Si-Schicht
und der amorphen Schicht in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den gewünschten Eigenschaften
jeder Schicht .und der gegenseitigen Beziehung zwischen
diesen Schichten festgelegt. Die Dicke der c-Si-Schicht beträgt im allgemeinen 10 nm bis 1 pm und vorzugsweise
50 nm bis 0,5 um. Die Dicke der amorphen Schicht beträgt geeigneterweise 3 bis 100 um und vorzugsweise 5 bis 50 ^tm.
Fig. 3 ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung für die Herstellung des Bilderzeugungselements
für elektrophotographische Zwecke. In Fig. 3 werden ein Reaktionsbehälter 301, dessen Druck vermindert
werden kann, ein Gaszuführungssystem 302 mit einem Zuführungssystem für Sauerstoff 302-1 und ZufUhrungssystemen
für andere Gase 302-2, ein geerdetes Trägerelement 303 und eine dem Trägerelement 303 gegenüberliegende
Elektrode 304 gezeigt. Zwischen dem Trägerelement 303 und der Elektrode 304 wird mittels
einer Stromquelle 306 eine Hochfrequenzspannung mit 13,6 MHz angelegt, wodurch das in den Reaktionsbehälter
301 eingeführte, gasförmige Rohmaterial zersetzt bzw. abgebaut und auf dem Trägerelement 303 abgeschieden
wird. Die Temperatur des Trägerelements 303 wird mit einer Heizvorrichtung 305 auf einen gewünschten
Wert eingestellt.
Bevorzugte Beispiele für die Herstellung des Bilderzeugungselements für elektrophotographische
Zwecke unter Anwendung der in Fig. 3 gezeigten Her-Stellungsvorrichtung und für die Erzeugung von
elektrostatischen Ladungsbildern auf einem solchen Bilderzeugungselement weden nachstehend näher erläutert.
- 26 - DE 1503
Die in Fig. 1 gezeigte c-Si-Schicht 103 wird als Schicht vom p-Typ mit einer Dicke von etwa 5 μτα
durch ein bei niedrigem Druck durchgeführtes Glimmentladungsverfahren auf einem Träger 101 aus Aluminium
ausgebildet, indem zuerst gasförmiges B?H_ mit einer
Gasmischung aus SiH./He vermischt wird und iiriem
—2 dann mit einer großen Menge von Boratomen (10 bis 10 Atom-%) in dem Gas dotiert wird. Die amorphe
Schicht 104 wird durch eine bei niedrigem Druck durchgeführte Glimmentladung in einer Schichtdicke von
etwa 10 pm ausgebildet, indem gasförmiges CH. in
eine Gasmischung aus SiH./He eingeführt wird, wobei dafür gesorgt wird, daß die Kohlenstoffatome darin
in einer Menge von etwa 1 bis 30 Atom-% enthalten sind.
Mit dem auf diese Weise erhaltenen Bilderzeugungselement
für elektrophotographische Zwecke wird ein Verfahren zur Erzeugung von Ladungsbildern durchgeführt.
Dabei wird zuerst über der gesamten Oberfläche des Bilderzeugungselements gleichmäßig eine positive
Koronaladung durchgeführt, worauf auf das Bilderzeugungselement mit einem GaAlAs-Laser mit einer Wellenlänge
von etwa 800 nm Informationen aufgezeichnet
werden. Der Laserstrahl geh.t durch die amorphe Schicht 104 hindurch und regt die c-'Si-Schicht 103 an, und
der mit dem Laserstrahl bestrahlte Bereich der c-Si-Schicht erzeugt freie Elektronen. Die freien Elektronen
wandern in Richtung der freien Oberfläche der a-Si-Schicht 104, wo sie unter Erzeugung eines elektrostatischen
Ladungsbildes die positiven Oberflächenladungen neutralisieren.
- 27 - DE 1503
Die in Fig. 1 gezeigte c-Si-Schicht 104 wird mit einer Schichtdicke von etwa 100 nm auf einem Träger
101 aus rostfreiem Stahl mit den Abmessungen 100 mm χ 100 mm ausgebildet, indem der Träger zuerst auf
eine Temperatur von 6000C erhitzt wird, worauf eine
Gasmischung aus SiH./He (gasförmiges, mit He bis zur
Erzielung einer Konzentration vom 50 % verdünntes SiH4) eingeführt und das Gas einer bei niedrigem Druck
durchgeführten Glimmentladung unterzogen wird, wobei der Gasdruck 0,27 mbar und die Eingangsleistung 10 W
beträgt. Als nächstes wird die amorphe Schicht 104 mit einer Schichtdicke von etwa 18 /am ausgebildet,
indem der Träger 101 auf eine Temperatur von 2500C
erhitzt wird, worauf gasförmiges B_Hfi/He (gasförmiges,
mit He bis zur Erzielung einer Konzentration von 500 Volumen-ppm verdünntes B„Hfi) mit gasförmigem SiH./He
in einem Verhältnis von 100:1, auf die Strömungsgeschwindigkeiten bezogen, vermascht und die erhaltene
Gasmischung einer bei niedrigem Druck durchgeführten Glimmentladung unterzogen wird, wobei der Gasdruck
0,27 mbar und die Eingangsleistung 10 W beträgt,
Das auf diese Weise erhaltene Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke wird in
eine Ladungs-Belichturigs-Testvorrichtung hineingebracht und 0,2 s lang einer Koronaladung mit +6 kV unterzogen
. und unmittelbar danach bildmäßig belichtet. Die bildmäßige Belichtung wird unter Anwendung einer Wolfram- :
lampe als Lichtquelle mit einem geeigneten Belichtungswert von 1,0 Ix.s durchgeführt.
Unmittelbar nach dieser bildmäßigen Belichtung wird ein negativ geladener Entwickler, der einen Toner
- 28 - DE 1503
und einen Träger enthält, kaskadenförmig auf der Oberfläche
des Bi lderzeup.un^se lements ausgebreitet, wodurch
auf der Oberfläche ein gutes Tonerbild erhalten wird. Beim Übertragen des auf dem Bilderzeugüngselement
befindlichen Tonerbildes auf ein Bildempfangspapier durch Koronaladung mit +5,0 kV kann ein deutliches,
übertragenes Bild mit einer hohen Bilddichte und einer guten Reproduzierbarkeit der Helligkeitsabstufung
erhalten werden.
10
10
Nach der gleichen Verfahrensweise wie in. Beispiel 2 wurden verschiedene photoleitfähige Elemente bzw.
15. Bilderzeugungselemente hergestellt, wobei jedoch die Bedingungen, unter denen die amorphe Schicht gebildet
wurde, variiert wurden.
Die verschiedenen Bedingungen für die Bildung der amorphen Schicht, die sich von den in Beispiel
2 beschriebenen Bedingungen unterscheiden, werden in Tabelle 1 gezeigt.
Die erhaltenen, photoleitfähigen Elemente bzw. Bilderzeugungselemente wurden zur Erzeugung von Bildern
unter Anwendung der in Beispiel 1 eingesetzten Vorrichtung verwendet, wobei gute Ergebnisse erzielt
wurden. .
DE 1503
Probe Nr. - |
Gasförmige Rohmaterialien und deren Mischungsver hältnis (als Verhältnis der Strömungsgeschwindigkei t) |
Entladungs- ieistung (W) |
Schichtdicke (Jim) |
3-1 | SiF.:SiH.:Ar 4 4 = 15:35:50 |
50 | 18 |
3-2 |
SiH4=O2=B2H6
= l:5xl0"2:10~5 |
30 | 10 |
3-3 |
SiH.:C_H =l:10~3
4 2 4 |
50 | 10 |
3-4 | SiH4:N2=I:1 | 80 | 15 |
3-5 |
SiF.:SiH.:Ar:0„
4 4 2 = 15:35:50:1 |
50 | 10 |
3-6 |
SiF.:SiH.:Ar:C0H.
4 4 2 4 = 10:40:50:10~2 |
50 | 15 |
3-7 | SiF-:SiH.:Ar:NH- 4 4 3 = 15:35:50:1 |
50 | 15 |
Die vorstehend erwähnten, photoleitfähigen Elemente bzw. Bilderzeugungselemente wurden bezüglich der
Bildentwicklung unter Anwendung der gleichen Vorrichtung wie in Beispiel 2 getestet. Es wurden in jedem
Fall gute und zufriedenstellende Ergebnisse erhalten.
ι 3°
Leerseite
Claims (14)
1. Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke mit einem Träger für die Verwendung in
einem Elektrophotographieverfahren und einer photoleitfähigen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die
photoleitfähige Schicht (102; 202) aus einer kristallinen Siliciumschicht (103; 203) und einer amorphen
Schicht (104; 204), die beide in der erwähnten Reihenfolge auf den Träger (101; 201) laminiert sind, aufgebaut
ist, wobei die amorphe Schicht im wesentlichen aus einem amorphen Material besteht, das Siliciumatome
als Matrix sowie Wasserstoffatome und/oder Halogenatome
enthält.
2. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffatome in der amorphen
Schicht (104; 204) in einer Menge von 1 bis 40 Atom-% enthalten sind.
3. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halogenatome in der amorphen Schicht (104; 204) in einer Menge von 1 bis 40 Atom-%
Deutsche Bank (Müi
incrcen) Km W61070 Dresdner Bank (München) KIo. 3939 844 Postscheck (München) Kto 670-43'804
O ! ύ
- 2 - DE 1503
enthalten sind.
4. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Wasserstoffatome und die HaIogenatome
in der amorphen Schicht (104; 204) zusammen in einer Gesamtmenge von 1 bis 40 Atom-% enthalten
sind.
5. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kristalline Siliciumschicht
(103; 203) eine Schichtdicke von 10 nm bis 1 μτη hat.
6. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht (104; 204) eine Schichtdicke von 3 bis 100 jum hat.
7. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht (102;
202) mindestens einen Vertreter der Gruppe Sauerstoffatome, Stickstoffatome und Kohlenstoffatome enthält.
8. Bilderzeugungselement nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß in der amorphen Schicht (104; 204) Sauerstoffatome in einer Menge von 0,01 bis 30
Atom-% enthalten sind.
9. Bilderzeugungselement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in der amorphen Schicht (104;
204)"Sauerstoffatome in einer Menge von 0,1 bis 15 Atom-% enthalten sind.
10. Bilderzeugungselement nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß in der amorphen Schicht (104; 204) Stickstoffatome in einer Menge von 0,01
bis 30 Atom-% enthalten sind.
31341
- 3 - DE 1503
11. Bilderzeugungselement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in der amorphen Schicht
(104; 204) Stickstoffatome in einer Menge von 0,1 bis 15 Atom-% enthalten sind.
12. Bilderzeugungselement nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß in der amorphen Schicht (104; 204) Kohlenstoffatome in einer Menge von 0,1
bis 50 Atom-% enthalten sind.
13. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich auf der Oberfläche
der photoleitfähigen Schicht (202) eine Oberflächen-Deckschicht (205) aufweist.
14. Bilderzeugungselement nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen-Deckschicht
(205) eine Schichtdicke von 0,5 bis 70 jum hat.
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