DE3243928C2

DE3243928C2 - Fotoleitfähiges Element

Info

Publication number: DE3243928C2
Application number: DE3243928A
Authority: DE
Inventors: Kyosuke Ogawa; Shigeru Shirai; Junichiro Kanbe; Keishi Saitoh; Yoichi Osato
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1981-11-26
Filing date: 1982-11-26
Publication date: 1996-04-18
Anticipated expiration: 2002-11-27
Also published as: GB2111707B; DE3243928A1; US4460670A; GB2111707A

Description

Die Erfindung betrifft ein fotoleitfähiges Element mit einem Träger und einer amorphen, fotoleitfähigen Schicht, die aus einem amorphen Material gebildet ist, das Siliciumatome als Matrix und mindestens eine aus Sauerstoffatomen, Kohlenstoffatomen und Stickstoffatomen ausgewählte Atomart und Atome eines zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Elements als am Aufbau beteiligte Atome enthält.

Ein derartiges fotoleitfähiges Element ist aus der DE-OS 30 40 031 bekannt.

Ein derartiges fotoleitfähiges Element ist auf elektromagnetische Wellen wie Licht, worunter in weitestem Sinne UV-Strahlen, sichtbares Licht, IR-Strahlen, Röntgenstrahlen und γ-Strahlen usw. zu verstehen sind, bzw. gegenüber elektro magnetischen Wellen empfindlich.

Das fotoleitfähige Element gemäß der DE-OS 30 40 031 enthält ein Substrat und eine fotoleitfähige Schicht, wobei die fotoleitfähige Schicht aus hydriertem, amorphem Silicium besteht, in der Kohlenstoffatome enthalten sind. Ferner kann die fotoleitfähige Schicht Atome der Gruppe III des Periodensystems enthalten.

Aus der DE-OS 30 46 509 ist ein elektrofotografisches Bilderzeugungsmaterial mit einer fotoleitfähigen Schicht aus einem amorphen Material bekannt, in dem Siliciumatome als Matrix und Halogenatome enthalten sind. Die fotoleitfähige Schicht kann aus zwei Schichtbereichen von unterschiedlichem Leitfähig keitstyp aufgebaut sein, wobei ein Schichtbereich undotiert und der andere Schichtbereich vom p- oder n-Typ ist. In dem Schichtbereich vom p-Typ liegen die Atome der Gruppe III des Periodensystems in Richtung der Schichtdicke in gleichförmiger Verteilung vor.

Fotoleitfähige Materialien, aus denen Festkörper-Bild abtastvorrichtungen oder Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke und Manuskript-Lesevorrich tungen auf dem Gebiet der Bilderzeugung gebildet werden, müssen eine hohe Empfindlichkeit, einen hohen Störab stand (Fotostrom (I_p)/Dunkelstrom (I_d)), Spektraleigen schaften, die an die Spektraleigenschaften der elektro magnetischen Wellen, mit denen sie bestrahlt werden sollen, angepaßt sind, ein schnelles Ansprechen auf Licht und einen gewünschten Dunkelwiderstandswert haben und dürfen während der Anwendung nicht gesund heitsschädlich sein. Außerdem ist es bei einer Fest körper-Bildabtastvorrichtung auch notwendig, daß das Restbild innerhalb einer vorbestimmten Zeit leicht behandelt bzw. beseitigt werden kann. Im Fall eines Bilderzeugungselements für elektrofotografische Zwecke, das in eine für die Anwendung in einem Büro als Büro maschine vorgesehene, elektrofotografische Vorrichtung eingebaut werden soll, ist es besonders wichtig, daß das Bilderzeugungselement nicht gesundheitsschädlich ist.

Die fotoleitfähigen Elemente mit aus dem bekannten a-Si (amorphen Silicium) gebildeten, fotoleitfähigen Schichten müssen jedoch unter den gegenwärtigen Umständen hinsichtlich der Erzielung eines Ausgleichs der Gesamteigenschaften, wozu verschiedene elektrische, optische und Fotoleit fähigkeitseigenschaften wie der Dunkelwiderstandswert, die Fotoempfindlichkeit und das Ansprechen auf Licht sowie Eigenschaften bezüglich der wiederholten Anwendung in einer heißen Umgebung und außerdem die Stabilität im Verlauf der Zeit gehören, verbessert werden.

Beispielsweise wird bei der Anwendung des fotoleitfähigen a-Si-Elements für ein Bilderzeugungselement für elektro fotografische Zwecke oft beobachtet, daß während seiner Verwendung ein Restpotential verbleibt, wenn gleichzeitig Verbesserungen in bezug auf die Erzielung einer höheren Fotoempfindlichkeit und eines höheren Dunkelwiderstandes beabsichtigt sind. Wenn ein solches fotoleitfähiges Element über eine lange Zeit wiederholt verwendet wird, werden verschiedene Schwierigkeiten, beispielsweise eine Anhäufung von Ermüdungserscheinungen durch wieder holte Anwendung, die sogenannte Geisterbild-Erscheinung, die auf der Anhäufung von Ermüdungserscheinungen beruht, wobei Restbilder erzeugt werden, hervorgerufen.

Die Erfinder haben zwar durch eine Anzahl von Versuchen festgestellt, daß ein a-Si-Material, das die fotoleit fähige Schicht eines Bilderzeugungselements für elektro fotografische Zwecke bildet, im Vergleich mit bekannten anorganischen, fotoleitfähigen Materialien wie Se, CdS und ZnO oder mit bekannten organischen, fotoleitfähi gen Materialien wie Polyvinylcarbazol und Trinitro fluorenon eine Anzahl von Vorteilen hat, sie haben jedoch auch gefunden, daß bei dem a-Si-Material verschie dene Probleme gelöst werden müssen. Wenn die fotoleit fähige Schicht eines Bilderzeugungselements für elektro fotografische Zwecke mit einem aus einer a-Si-Monoschicht gebildeten, fotoleitfähigen Element, dem Eigenschaften verliehen worden sind, die es für die Verwendung in einer bekannten Solarzelle geeignet machen, einer Ladungsbehandlung zur Erzeugung von elektrostatischen Ladungsbildern unterzogen wird, ist nämlich die Dunkel abschwächung bemerkenswert schnell, weshalb die Anwendung eines üblichen Elektrofotografieverfahrens schwierig ist.

In dem Fall, daß eine fotoleitfähige Schicht aus a-Si gebildet ist, können die a-Si-Materialien außerdem als am Aufbau beteiligte Atome Wasserstoffatome oder Halogenatome wie Fluor- oder Chloratome zur Verbesserung ihrer elektrischen und Fotoleitfähigkeitseigenschaften, Atome wie Bor- oder Phosphoratome zur Regulierung des Typs der elektrischen Leitung und andere Atome zur Verbesserung anderer Eigenschaften enthalten. In Abhängigkeit von der Art und Weise, in der diese am Aufbau beteiligten Atome enthalten sind, können manchmal Probleme bezüglich der elektrischen, optischen oder Fotoleitfähigkeitseigenschaften der gebildeten Schicht verursacht, werden.

Beispielsweise ist in vielen Fällen die Lebensdauer der in der gebildeten, fotoleitfähigen Schicht durch Belichtung erzeugten Fototräger ungenügend, oder die von der Trägerseite her injizierten Ladungen können in dem dunklen Bereich nicht in ausreichendem Maße behindert bzw. gehemmt werden.

Bei der Gestaltung eines fotoleitfähigen Materials muß infolgedessen zusammen mit der Verbesserung der a-Si-Materialien für sich die Erzielung gewünschter elektrischer, optischer und Fotoleitfähigkeitseigenschaf ten, wie sie vorstehend erwähnt wurden, angestrebt werden.

Im Hinblick auf die Lösung der vorstehend erwähnten Probleme wurden ausgedehnte Untersuchun gen hinsichtlich der Anwendbarkeit und Brauchbarkeit von a-Si als fotoleitfähiges Element für elektrofoto grafische Bilderzeugungselemente, Festkörper-Bildabtast vorrichtungen, Lesevorrichtungen usw. durchgeführt. Es wurde nun überraschenderweise gefunden, daß ein fotoleitfähiges Element mit einer fotoleitfähigen Schicht aus einer amorphen Schicht, die Fotoleitfähig keit zeigt und aus a-Si und vorzugsweise aus sogenanntem hydriertem, amorphem Silicium, halogeniertem, amorphem Silicium oder halogen haltigem, hydriertem, amorphem Silicium, einem amorphen Material, das in einer Matrix von Siliciumatomen, Wasserstoffatome (H) und/oder Halogen atome (X) enthält, [nachstehend als a-Si(H,X) bezeichnet] gebildet ist, nicht nur für die praktische Verwendung außerordentlich gute Eigenschaften zeigt, sondern auch den bekannten, fotoleitfähigen Elementen im wesent lichen in jeder Hinsicht überlegen ist und insbesondere hervorragende Eigenschaften als fotoleitfähiges Element für elektrofotografische Zwecke zeigt, wenn dieses fotoleitfähige Element bei seiner Herstellung so gestal tet wird, daß es eine besondere Schichtstruktur hat.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein fotoleitfähiges Element zur Verfügung zu stellen, das in konstanter Weise stabile elektrische, optische und Fotoleitfähig keitseigenschaften aufweist, eine besonders gute Bestän digkeit gegenüber der Licht-Ermüdung zeigt, eine ausge zeichnete Haltbarkeit hat, ohne daß nach wiederholter Verwendung irgendwelche Verschlechterungserscheinungen hervorgerufen werden, und vollkommen oder im wesent lichen frei von beobachteten Restpotentialen ist.

Zudem soll es einen guten elektrischen Kontakt mit dem Träger haben.

Weiterhin soll durch die Erfindung ein fotoleitfähiges Element für elektrofotografische Zwecke zur Verfügung gestellt werden, mit dem leicht Bilder hoher Qualität, die eine hohe Dichte, einen klaren Halbton und eine hohe Auflösung haben, hergestellt werden können.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch das im Patentan spruch 1 gekennzeichnete, fotoleitfähige Element gelöst.

Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeich nungen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht, die zur Erläuterung des Schichtaufbaus der bevorzug ten Ausführungsform des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Elements dient.

Fig. 2 bis 7 zeigen schematische Schnittansichten, die zur Erläuterung des Schichtaufbaus der amorphen Schicht, die das erfindungsgemäße, fotoleitfähige Element bildet, dienen.

Fig. 8 ist ein Flußschema, das zur Erläuterung einer Vorrichtung dient, die zur Herstellung der erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Elemente angewandt wird.

Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht, in der ein typischer Schichtaufbau des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Elements erläutert wird.

Das in Fig. 1 gezeigte, fotoleitfähige Element 100 weist einen Träger 101 für das fotoleitfähige Element und eine auf dem Träger vorgesehene, amorphe Schicht 102, die a-Si, vorzugsweise a-Si(H,X), enthält und Fotoleitfähigkeit zeigt, auf. Die amorphe Schicht 102 hat eine Schichtstruktur, die aus einem ersten Schichtbereich (O, N, C) 103, der mindestens eine aus Sauerstoffatomen, Stickstoffatomen und Kohlenstoff atomen ausgewählte Atomart enthält, einem zweiten Schichtbereich (III) 104, der Atome eines zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Elements als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem auf dem zweiten Schichtbereich (III) 104 vorgesehenen Ober flächenschichtbereich 105, der kein Atom eines zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Elements enthält, gebildet ist.

Jedes der aus Sauerstoffatomen, Kohlenstoffatomen und Stickstoffatomen ausgewählten Atome, die in dem ersten Schichtbereich (O, N, C) 103 enthalten sind, ist in dem Schichtbereich (O, N, C) 103 in der Richtung der Schichtdicke kontinuierlich und ungleichmäßig verteilt, ist jedoch in der Richtung, die zu der Ober fläche des Trägers 101 im wesentlichen parallel ist, vorzugsweise in einer kontinuierlichen und gleichmäßigen Verteilung enthalten.

In dem in Fig. 1 gezeigten, fotoleitfähigen Element 100 ist am Oberflächenteil der amorphen Schicht 102 ein Schichtbereich 105 vorgesehen, der kein Atom eines zu der Gruppe III gehörenden Elements enthält. Dieser Schichtbereich 105 ist im Rahmen der Erfindung nicht erforderlich, kann jedoch gegebenenfalls vorgesehen sein. Das heißt, daß beispielsweise der erste Schicht bereich (O, N, C) 103 mit dem Schichtbereich (III) 104 identisch sein kann oder daß der zweite Schicht bereich (III) 104 bei einer alternativen Ausführungs form innerhalb des ersten Schichtbereichs 103 vorgesehen sein kann. Die in dem zweiten Schichtbereich (III) 104 enthaltenen Atome der Gruppe III sind in dem zweiten Schichtbereich (III) 104 in der Richtung der Schicht dicke kontinuierlich und ungleichmäßig verteilt, sie sind jedoch in der Richtung, die der Oberfläche des Trägers 101 im wesentlichen parallel ist, vorzugsweise in einer kontinuierlichen und gleichmäßigen Verteilung enthalten.

Mit dem Einbau mindestens einer aus Sauerstoffatomen, Kohlenstoffatomen und Stickstoffatomen ausgewählten Atomart in den ersten Schichtbereich (O, N, C) des erfindungsgemäßen, fotoleitfähigen Elements sind haupt sächlich Verbesserungen in bezug auf einen höheren Dunkelwiderstand und eine bessere Haftung zwischen der amorphen Schicht und dem Träger, auf dem die amorphe Schicht direkt vorgesehen ist, beabsichtigt.

Insbesondere im Fall von Schicht strukturen, wie sie in dem fotoleitfähigen Element 100 von Fig. 1 gezeigt werden, wo die amorphe Schicht 102 einen ersten Schichtbereich (O, N, C) 103, der mindestens eine aus Sauerstoffatomen, Kohlenstoffatomen und Stickstoffatomen ausgewählte Atomart enthält, einen zweiten Schichtbereich (III) 104, der die Atome der Gruppe III enthält, und einen Oberflächenschicht bereich 105, der kein Atom der Gruppe III enthält, aufweist, wobei sich der erste Schichtbereich (O, N, C) 103 und der zweite Schichtbereich (III) 104 in einen gemeinsamen Schichtbereich teilen, können bessere Ergebnisse erzielt werden.

Bei dem fotoleitfähigen Element wird die Verteilung aller aus Sauerstoffatomen, Kohlen stoffatomen und Stickstoffatomen ausgewählten Atomarten, die in den ersten Schichtbereich (O, N, C) 103 einge baut sind, so durchgeführt, daß ihre Konzentration in Richtung auf den Träger 101 höher ist, um eine gute Haftung und einen guten Kontakt mit dem Träger 101 zu gewähr leisten. Zweitens wird es bevorzugt, daß die drei vorstehend erwähnten Atomarten so in den ersten Schicht bereich (O, N, C) 103 eingebaut werden, daß ihre Vertei lungskonzentration in Richtung auf die freie Oberflächen seite 106 allmählich abnimmt, bis die Verteilungskon zentration an der freien Oberfläche 106 im wesentlichen den Wert 0 erreicht, um den Oberflächenschichtbereich 105 gegenüber der von der freien Oberflächenseite 106 der amorphen Schicht 102 her erfolgenden Belichtung empfindlicher zu machen. Was die in den zweiten Schicht bereich (III) 104 einzubauenden Atome der Gruppe III anbetrifft, so wird es im Fall eines Beispiels, bei dem in den Oberflächenschichtbereich 105 der amorphen Schicht 102 kein Atom der Gruppe III eingebaut wird, bevorzugt, daß die Atome der Gruppe III derart verteilt werden, daß die Verteilungskonzentration der Atome der Gruppe III innerhalb des zweiten Schichtbereichs (III) 104 in Richtung auf die mit dem Oberflächenschicht bereich 105 verbundene Oberfläche allmählich abnimmt, bis sie an der mit dem Oberflächenschichtbereich 105 verbundenen Oberfläche im wesentlichen den Wert 0 erreicht, um einen glatten, elektrischen Kontakt zwischen dem zweiten Schichtbereich (III) 104 und dem Oberflächen schichtbereich 105 herzustellen.

Als Beispiele für die zu der Gruppe III des Perioden systems gehörenden Atome, die erfindungsgemäß in den die amorphe Schicht bildenden, zweiten Schichtbereich (III) einzubauen sind, können B (Bor), Al (Aluminium), Ga (Gallium), In (Indium) und Tl (Thallium) erwähnt werden. Von diesen werden B und Ga besonders bevor zugt.

Der Gehalt der Atome dem Gruppe III kann in dem zweiten Schichtbereich (III), der nach Wunsch in geeigneter Weise so festgelegt werden kann, daß die Aufgabe der Erfindung in wirksamer Weise gelöst wird, im allgemeinen 0,01 bis 5×10⁴ Atom-ppm, geeigne terweise 1 bis 100 Atom-ppm, vorzugsweise 2 bis 50 Atom-ppm und insbesondere 3 bis 20 Atom-ppm, jeweils auf die Siliciumatome bezogen, betragen. Der Gehalt der Sauerstoffatome, Stickstoffatome und Kohlenstoff atome in dem ersten Schichtbereich (O, N, C) kann ebenfalls in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den erforderlichen Eigenschaften des gebildeten, foto leitfähigen Elements festgelegt werden, beträgt jedoch im allgemeinen 0,001 bis 30 Atom-%, geeigneterweise 0,01 bis 20 Atom-%, vorzugsweise 0,02 bis 10 Atom-% und insbesondere 0,03 bis 5 Atom-%. Wenn im Rahmen der Erfindung in dem ersten Schichtbereich (O, N, C) zwei oder drei aus Sauerstoffatomen, Stickstoffatomen und Kohlenstoffatomen ausgewählte Atomarten enthalten sind, wird der Gesamtgehalt der enthaltenen Atome so festgelegt, daß er innerhalb des vorstehend erwähnten, numerischen Bereichs liegt.

Die Fig. 2 bis 7 zeigen jeweils typische Beispiele für die Verteilung der Sauerstoffatome, Stickstoffatome und Kohlenstoffatome und der Atome der Gruppe III, die in der amorphen Schicht des fotoleitfähigen Elements enthalten sind, in der Richtung der Schichtdicke.

In den Fig. 2 bis 7 zeigt die Abszissenachse den Gehalt C der drei vorstehend erwähnten, in dem ersten Schicht bereich (O, N, C) enthaltenen Atomarten und der Atome der Gruppe III, während die Ordinatenachse die Richtung der Schichtdicke der Fotoleitfähigkeit zeigenden, amorphen Schicht zeigt. t_B zeigt die Lage der Oberfläche an der Trägerseite, während t_s die Lage der Oberfläche an der Seite, die der Trägerseite entgegengesetzt ist, zeigt. D. h., daß das Wachstum der amorphen Schicht, die die mindestens eine der drei vorstehend erwähnten Atomarten und die Atome der Gruppe III enthält, von der t_B-Seite ausgehend in Richtung auf die t_s-Seite fortschreitet.

Der Maßstab der Abszissenachse für die drei vorstehend erwähnten Atomarten ist von dem Maßstab für die Atome der Gruppe III verschieden. In den Fig. 2 bis 7 stellen die durchgehenden Linien A2 bis A4 und A7 bis A9 und die durchgehenden Linien B2 bis B4 und B7 bis B9 die Linien der Verteilungskonzentration der drei vorstehend erwähnten Atomarten bzw. der Atome der Gruppe III dar.

In Fig. 2 wird eine erste typische Ausführungsform der Verteilung der drei vorstehend erwähnten Atomarten und der Atome der Gruppe III, die in der amorphen Schicht enthalten sind, in der Richtung der Schicht dicke gezeigt.

Gemäß der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform weist die amorphe Schicht (t_s, t_B) (der gesamte Schichtbereich von t_s bis t_B), die a-Si, vorzugsweise a-Si(H,X) enthält und Fotoleitfähigkeit zeigt, einen Schichtbereich (t₁, t_B) (den Schichtbereich zwischen t₁ und t_B), in dem die aus Sauerstoffatomen, Stickstoffatomen und Kohlenstoffatomen ausgewählten Atome (M) mit der Vertei lungskonzentration C₁ und die Atome der Gruppe III mit der Verteilungskonzentration C_(III)1 von der Träger seite ausgehend in der Richtung der Schichtdicke im wesentlichen gleichmäßig verteilt sind, und einen Schichtbereich (t_s, t₁), In dem die Verteilungskonzentra tion der vorstehend erwähnten Atome (M) von C₁ bis zu einem Wert von im wesentlichen 0 allmählich linear abnimmt und die Verteilungskonzentration der Atome der Gruppe III von C_(III)1 bis zu einem Wert von im wesentlichen 0 linear abnimmt, auf.

Im Fall der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform, bei der die amorphe Schicht (t_s, t_B) auf der Trägerseite vorgesehen ist, eine Berührungsfläche mit dem Träger oder einer anderen Schicht, die mit der amorphen Schicht t_B gemeinsam hat, aufweist und einen Schichtbereich (t₁, t_B) enthält, in dem die Atome (M) und die Atome der Gruppe III gleichmäßig verteilt sind, können die Verteilungskonzentrationen C_(III)1 und C₁ nach Wunsch in geeigneter Weise in bezug auf den Träger oder andere Schichten festgelegt werden, wobei C_(III)1 0,1 bis 8×10⁴ Atom-ppm, geeigneterweise 0,1 bis 1000 Atom-ppm, vorzugsweise 1 bis 400 Atom-ppm und insbesondere 2 bis 200 Atom-ppm, jeweils auf Siliciumatome bezogen, beträgt, während C₁ 0,01 bis 35 Atom-%, geeigneterweise 0,01 bis 30 Atom-%, vorzugsweise 0,02 bis 20 Atom-% und insbesondere 0,03 bis 10 Atom-% beträgt.

Der Schichtbereich (t_s, t₁) ist hauptsächlich zum Zweck der Sensibilisierung unter Erzielung einer höheren Fotoempfindlichkeit vorgesehen, und die Schichtdicke des Schichtbereichs (t_s, t₁) sollte nach Wunsch in geeigneter Weise in bezug auf die Verteilungskonzentra tion C₁ der Atome (M) und die Verteilungskonzentration C_(III)1 der Atome der Gruppe III, insbesondere in bezug auf die Verteilungskonzentration C₁, festgelegt werden.

Im Rahmen der Erfindung hat der an dem Oberflächen schichtbereich der amorphen Schicht vorgesehene Schicht bereich (t_s, t₁) geeigneterweise eine Dicke von im allgemeinen 10,0 nm bis 10 µm, vorzugsweise 20,0 nm bis 5 µm und insbesondere 50,0 nm bis 3 µm.

Bei einem fotoleitfähigen Element mit der in Fig. 2 gezeigten Verteilung der Atome (M) und der Atome der Gruppe III wird es bevorzugt, an dem an der Oberfläche der Trägerseite (entsprechend der Lage t_B) befindlichen Teil in der amorphen Schicht einen Schichtbereich (t₂ t_B) auszubilden, in dem der Verteilungskonzentration der Atome (M) ein Wert gegeben wird, der höher ist als die Verteilungskonzentration C₁, wie es durch die Strichpunktlinie a in Fig. 2 gezeigt wird, um die Haftung an dem Träger oder einer anderen Schicht zu verbessern sowie um eine Injektion von Ladungen von der Trägerseite in die amorphe Schicht zu inhibieren, während auch Verbesserungen in bezug auf die Erzielung einer höheren Fotoempfindlichkeit und eines höheren Dunkelwiderstandes angestrebt werden.

Die Verteilungskonzentration C₂ der Atome (M) in dem Schichtbereich (t₂, t_B), in dem die Atome (M) mit einer hohen Konzentration verteilt sind, kann im allge meinen 70 Atom-% oder weniger, vorzugsweise 50 Atom-% oder weniger und insbesondere 30 Atom-% oder weniger betragen. Die Verteilung der Atome (M) in dem Schicht bereich, in dem die Atome (M) mit höheren Konzentrationen verteilt sind, kann in der Richtung der Schichtdicke in konstanter Weise gleichmäßig ausgebildet werden, wie es in Fig. 2 durch die Strichpunktlinie a gezeigt wird, oder die Verteilungskonzentration der Atome (M), kann alternativ zwecks Erzielung eines guten, elektrischen Kontaktes mit einem benachbarten, direkt verbundenen Schichtbereich so ausgebildet werden, daß sie von der Trägerseite ausgehend bis zu einer bestimmten Dicke einen konstanten Wert C₂ hat und danach kontinuierlich und allmählich bis zu einem Wert C₁ abnimmt, wie es in Fig. 2 durch die Strich punktlinie b gezeigt wird.

Die Verteilung der in dem zweiten Schichtbereich (III) enthaltenen Atome der Gruppe III kann im allgemeinen so ausgebildet werden, daß man an der Trägerseite einen Schichtbereich [entsprechend dem Schichtbereich (t₁, t_B)] erhält, in dem ein konstanter Wert der Vertei lungskonzentration C_(III)1 aufrechterhalten wird, jedoch wird geeigneterweise zum Zweck einer wirksamen Inhibierung der Injektion von Ladungen von der Träger seite in die amorphe Schicht ein Schichtbereich (t₃ t_B) vorgesehen, in dem die Atome der Gruppe III mit einer hohen Konzentration verteilt sind, wie es in Fig. 2 durch die Strichpunktlinie c gezeigt wird.

Der Schichtbereich (t₃, t_B) kann vorzugs weise so vorgesehen sein, daß dieser Schichtbereich nicht mehr als 5 µm von der Lage t_B entfernt ist. Der Schichtbereich (t₃, t_B) kann so ausgebildet werden, daß er den gesamten Schichtbereich (L_T), der sich von der Lage t_B ausgehend bis zu einer Dicke von 5 µm erstreckt, einnimmt, oder er kann als Teil des Schichtbereichs (L_T) vorgesehen werden.

Es kann in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den erforderlichen Eigenschaften der gebildeten, amorphen Schicht festgelegt werden, ob der Schichtbereich (t₃, t_B) als Teil des Schichtbereichs (L_T) ausgebildet werden oder den gesamten Schichtbereich (L_T) einnehmen soll.

Der Schichtbereich (t₃, t_B) kann geeigneterweise so gebildet werden, daß die Atome der Gruppe III in der Richtung der Schichtdicke in der Weise verteilt sind, daß der Höchstwert der Verteilungskonzentration C_max im allgemeinen 50 Atom-ppm oder mehr, vorzugsweise 80 Atom-ppm oder mehr und insbesondere 100 Atom-ppm oder mehr, auf die Siliciumatome bezogen, beträgt.

Das heißt, daß der zweite Schichtbereich (III), der die Atome der Gruppe III enthält, erfindungsgemäß vorzugsweise so ausgebildet werden kann, daß der Höchst wert C_max der Verteilungskonzentration innerhalb einer nicht mehr als 5 µm von der Trägerseite entfernten Schichtdicke (innerhalb eines Schichtbereichs, dessen von t_B aus gerechnete Dicke 5 µm beträgt) vorliegt.

Der Schichtbereich (t₂, t_B), in dem die Atome (M) mit einer höheren Konzentration verteilt sind und der Schichtbereich (t₃, t_B), in dem die Atome der Gruppe III mit einer höheren Konzentration verteilt sind, können erfindungsgemäß Dicken haben, die in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den Gehalten und den Vertei lungszuständen der Atome (M) oder der Atome der Gruppe III festgelegt werden können und geeigneterweise im allgemeinen 5,0 nm bis 5 µm, vorzugsweise 10,0 nm bis 2 µm und insbesondere 20,0 nm bis 500,0 nm betragen.

Die in Fig. 3 gezeigte Ausführungsform ist der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform grundsätzlich ähnlich, unterscheidet sich jedoch in dem folgenden Merkmal: Bei der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform beginnt die Verminderung der Verteilungskonzentrationen sowohl der Atome (M) als auch der Atome der Gruppe (III) in der Lage t₁, bis diese Verteilungskonzentrationen in der Lage t_s im wesentlichen den Wert 0 erreichen. Im Gegensatz dazu beginnt im Fall der Ausführungsform von Fig. 3 die Verminderung der Verteilungskonzentration der Atome (M) in der Lage t₂, wie es durch die durch gehende Linie A3 gezeiget wird, während die Verminderung der Verteilungskonzentration der Atome der Gruppe III in der Lage t₁ beginnt, wie es durch die durchgehende Linie B3 gezeigt wird, und beide Verteilungskonzentrationen erhalten in der Lage t_s einen Wert von im wesentlichen 0.

Das heißt, daß der erste Schichtbereich (t_s, t_B), der die Atome (M) enthält, aus einem Schichtbereich (t₂, t_B), in dem die Atome (M) im wesentlichen gleichmäßig mit einer Verteilungskonzentration C₁ enthalten sind, und einem Schichtbereich (t_s, t₂), in dem die Verteilungs konzentration von C₁ bis zu einem Wert von im wesent lichen 0 linear abnimmt, besteht.

Der zweite Schichtbereich (t_s, t_B), der die Atome der Gruppe III enthält, besteht aus einem Schichtbereich (t₁, t_B), in dem die Atome der Gruppe III im wesentlichen gleichmäßig mit einer Verteilungskonzentration C_(III)1 enthalten sind, und einem Schichtbereich (t_s, t₁), in dem die Verteilungskonzentration von C_(III)1 bis zu einem Wert von im wesentlichen 0 linear abnimmt.

Die in Fig. 4 gezeigte Ausführungsform ist eine Abwand lung der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform und hat den gleichen Aufbau wie in Fig. 3, jedoch mit dem Unterschied, daß innerhalb eines Schichtbereichs (t₁, t_B), in dem die Atome (M) mit einer Verteilungskonzentration C₁ gleichmäßig verteilt sind, ein Schichtbereich (t₂, t_B) vorgesehen ist, in dem die Atome der Gruppe III in einer gleichmäßigen Verteilung mit einer Verteilungskon zentration C_(III)1 enthalten sind.

Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform, bei der die Atome der Gruppe III in dem gesamten Bereich der amorphen Schicht [Schichtbereich (t_s, t_B)] enthalten sind, wobei die Atome der Gruppe III auch an der Oberflächenlage t_s mit einer Verteilungskonzentration C_(III)3 enthalten sind.

Der Schichtbereich (t_s, t_B), der die Atome (M) enthält, wie es durch die durchgehende Linie A7 gezeigt wird, weist einen Schichtbereich (t₂, t_B), in dem die Atome (M) im wesentlichen gleichmäßig mit einer Verteilungs konzentration C₁ enthalten sind, und einen Schichtbereich (t_s, t₂), in dem die Verteilungskonzentration von C₁ bis zu einem Wert von im wesentlichen 0 allmählich abnimmt, auf.

Die Verteilung der Atome der Gruppe III in der amorphen Schicht wird durch die durchgehende Linie B7 gezeigt. Das heißt, daß der Schichtbereich (t_s, t_B), der die Atome der Gruppe III enthält, einen Schichtbereich (t₁, t_B), in dem die Atome der Gruppe III im wesentlichen gleichmäßig mit einer Verteilungskonzentration C_(III)1 enthalten sind, und einen Schichtbereich (t_s, t₁), in dem die Atome der Gruppe III in einer Verteilung enthal ten sind, die sich zwischen der Verteilungskonzentration C_(III)1 und der Verteilungskonzentration C_(III)3 in kontinuierlicher Weise linear ändert, um die Änderung der Verteilung der Atome der Gruppe III zwischen diesen Verteilungskonzentrationen kontinuierlich zu machen, aufweist.

Fig. 6 zeigt eine Abwandlung der in Fig. 5 gezeigten Ausführungsform.

Überall in dem gesamten Bereich der amorphen Schicht sind die Atome (M) und die Atome der Gruppe III enthal ten, wie es durch die durchgehende Linie A8 bzw. die durchgehende Linde B8 gezeigt wird. In dem Schichtbereich (t₂, t_B) sind die Atome (M) mit einer Verteilungskon zentration C₁ und die Atome der Gruppe III mit einer Verteilungskonzentration C_(III)1 jeweils in einer gleichmäßigen Verteilung enthalten, während in dem Schichtbereich (t_s, t₁) die Atome der Gruppe III mit einer Verteilungskonzentration C_(III)3 gleichmäßig enthalten sind.

Die Atome (M) sind in dem Schichtbereich (t_s, t₂) in einer Verteilungskonzentration enthalten, die von dem Wert C₁ an der dem Träger zugewandten Seite bis zu einem Wert von im wesentlichen 0 in der Lage t_s allmählich linear abnimmt, wie es durch die durchgehende Linie A8 gezeigt wird.

In dem Schichtbereich (t₁, t₂) sind die Atome der Gruppe III in einer Verteilung enthalten, die von der Vertei lungskonzentration C_(III)1 bis zu der Verteilungskon zentration C_(III)3) allmählich abnimmt.

Bei der in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform sind sowohl die Atome (M) als auch die Atome der Gruppe III in dem Schichtbereich in einer ungleichmäßigen, kontinuier lichen Verteilung enthalten, und innerhalb des Schicht bereichs (t_s, t_B), der die Atome (M) enthält, ist ein Schichtbereich (t₁, t_B) vorgesehen, der die Atome der Gruppe III enthält.

In dem Schichtbereich (t₂, t_B) sind die Atome (M) im wesentlichen gleichmäßig mit einer konstanten Vertei lungskonzentration C₁ und die Atome der Gruppe III mit einer konstanten Verteilungskonzentration C_(III)1) enthalten, und in dem Schichtbereich (t₁, t₂) sind die Atome (M) und die Atome der Gruppe III mit Vertei lungskonzentrationen enthalten, die mit dem Wachstum der einzelnen Schichten allmählich abnehmen, wobei die Verteilungskonzentration im Fall der Atome der Gruppe III in der Lage t₁ im wesentlichen 0 beträgt.

Die Atome (M) sind in der Weise enthalten, daß sie in der Schicht, die kein Atom der Gruppe III enthält, d. h. in dem Schichtbereich (t_s, t₁), eine linear ab nehmende Verteilungskonzentration bilden, die bei t_S einen Wert von im wesentlichen 0 erhält.

Vorstehend sind unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 7 einige typische Ausführungsformen der Verteilungen der Sauerstoffatome, Stickstoffatome und Kohlenstoff atome und der Atome der Gruppe III, die in der amorphen Schicht enthalten sind, in der Richtung der Schicht dicke beschrieben worden. Im Fall der Fig. 3 bis 7 ist es auch möglich, ähnlich wie im Fall von Fig. 2 beschrieben einen Schichtbereich mit einer Verteilung vorzusehen, die an der Trägerseite einen Anteil mit einer höheren Konzentration C der Atome (M) oder der Atome der Gruppe III und an der der Oberfläche t_s zugewandten Seite einen Anteil, bei dem die Konzentration C im Vergleich mit der Konzentration an der Trägerseite relativ vermindert ist, aufweist.

Wenn die amorphe Schicht aus a-Si(H,X) gebildet ist, können als typische Beispiele für Halogenatome (X), die in die amorphe Schicht einzubauen sind, Fluor, Chlor, Brom und Jod erwähnt werden, wobei Fluor und Chlor besonders bevorzugt werden.

Die Bildung einer aus a-Si(H,X) gebildeten, amorphen Schicht kann erfindungsgemäß nach einem Vakuumbe dampfungsverfahren unter Anwendung der Entladungser scheinung, beispielsweise nach dem Glimmentladungs verfahren, dem Zerstäubungsverfahren oder dem Ionen plattierverfahren, durchgeführt werden. Für die Bildung einer aus a-Si(H,X) bestehenden, amorphen Schicht nach dem Glimmentladungsverfahren wird beispielsweise ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen (H) und/oder Halogenatomen (X) zusammen mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial für die Zuführung von Siliciumatomen (Si) in eine Abschei dungskammer eingeleitet, deren Innenraum auf einen verminderten Druck gebracht werden kann und in der zur Bildung einer Schicht aus a-Si(H,X) auf der Ober fläche eines Trägers, der in der Kammer in eine vorbe stimmte Lage gebracht worden ist, eine Glimmentladung erzeugt wird. Wenn die amorphe Schicht nach dem Zerstäu bungsverfahren gebildet werden soll, kann ein gasförmi ges Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoff atomen (H) und/oder Halogenatomen (X) in eine zur Zerstäubung dienende Kammer eingeleitet werden, wenn die Zerstäubung unter Anwendung eines aus Silicium (Si) gebildeten Targets in einer Atmosphäre aus einem Inertgas wie Ar oder He oder einer Gasmischung auf Basis dieser Gase bewirkt wird.

Zu dem für die Zuführung von Si einzu setzenden, gasförmigen Ausgangsmaterial können als wirksame Materialien gasförmige oder vergasbare Silicium hydride (Silane) wie SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ und Si₄H₁₀ gehören. SiH₄ und Si₂H₆ werden im Hinblick auf ihre einfache Handhabung während der Schichtbildung und auf den Wirkungsgrad hinsichtlich der Zuführung von Si besonders bevorzugt.

Als wirksames, gasförmiges Ausgangsmaterial für den Einbau von Halogenatomen, das erfindungsgemäß einzusetzen ist, kann vorzugsweise eine Anzahl von Halogenverbindungen wie gasförmige Halogene, Halogenide, Interhalogenverbindungen und halogensubstituierte Silanderivate, die gasförmig oder vergasbar sind, erwähnt werden.

Alternativ ist auch der Einsatz einer gasförmigen oder vergasbaren, Halogenatome enthaltenden Siliciumverbindung, die aus Siliciumatomen und Halogen atomen gebildet ist, wirksam.

Zu typischen Beispielen für Halogenverbindungen, die vorzugsweise eingesetzt werden, können gasförmige Halogene wie Fluor, Chlor, Brom oder Jod und Interhalogenverbindungen wie BrF, ClF, ClF₃, BrF₅, BrF₃, JF₃, JF₇, JCl und JBr gehören.

Als Halogenatome enthaltende Siliciumverbindung, d. h. als mit Halogenatomen substituiertes Silanderivat, werden Siliciumhalogenide wie SiF₄, Si₂F₆, SiCl₄ und SiBr₄ bevorzugt.

Wenn das fotoleitfähige Element nach dem Glimmentladungsverfahren unter Anwendung einer solchen Halogenatome enthaltenden Siliciumverbin dung gebildet wird, kann auf einem gegebenen Träger eine aus a-Si, das Halogenatome (X) enthält, bestehende, amorphe Schicht gebildet werden, ohne daß als zur Zuführung von Si befähigtes, gasförmiges Ausgangsmaterial ein gasförmiges Siliciumhydrid eingesetzt wird.

Das grundlegende Verfahren zur Bildung der Halogenatome enthaltenden, amorphen Schicht nach dem Glimmentladungs verfahren besteht darin, daß ein zur Zuführung von Si dienendes, gasförmiges Ausgangsmaterial, nämlich ein gasförmiges Siliciumhalogenid, und ein Gas wie Ar, H₂ oder He in einem vorbestimmten Verhältnis in einer geeigneten Menge in die zur Bildung einer amorphen Schicht dienende Abscheidungskammer eingeleitet werden, worauf eine Glimmentladung angeregt wird, um eine Plasmaatmosphäre aus diesen Gasen zu bilden und dadurch auf einem Träger eine amorphe Schicht zu bilden. Zum Einbau von Wasserstoffatomen in die amorphe Schicht kann die Schicht auch gebildet werden, indem man eine Wasserstoffatome enthaltende, gasförmige Siliciumverbin dung in einem geeigneten Verhältnis mit diesen Gasen vermischt.

Alle Gase, die zur Einführung der einzelnen Atomarten dienen, können entweder als einzelne Spezies oder in Form einer Mischung von mehr als einer Spezies in einem vorbestimmten Verhältnis eingesetzt werden.

Zur Bildung einer aus a-Si(H,X) bestehenden, amorphen Schicht nach dem reaktiven Zerstäubungsverfahren oder dem Ionenplattierverfahren wird beispielsweise im Fall des Zerstäubungsverfahrens die Zerstäubung unter Anwendung eines Targets aus Si in einer geeigneten Gasplasmaatmosphäre bewirkt. Alternativ wird im Fall des Ionenplattierverfahrens polykristallines Silicium oder Einkristall-Silicium als Verdampfungsquelle in ein Aufdampfschiffchen hineingebracht, und die Silicium- Verdampfungsquelle wird durch Erhitzen, beispielsweise nach dem Widerstandsheizverfahren oder dem Elektronen strahlverfahren, verdampft, wobei den verdampften, fliegenden Substanzen ein Durchtritt durch eine geeig nete Gasplasmaatmosphäre ermöglicht wird.

Während dieser Verfahrensweisen kann zur Einführung von Halogenatomen in die gebildete Schicht beim Zerstäu bungsverfahren oder beim Ionenplattierverfahren eine gasförmige Halogenverbindung, wie sie vorstehend erwähnt wurde, oder eine halogenhaltige Siliciumverbindung, wie sie vorstehend erwähnt wurde, in die Abscheidungs kammer eingeleitet werden, um darin eine Plasmaatmos phäre aus diesem Gas zu bilden.

Wenn Wasserstoffatome eingeführt werden, können ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen wie H₂ und ein Gas wie die vorstehend erwähnten Silane in die zur Zerstäubung dienende Abschei dungskammer eingeleitet werden, worauf eine Plasma atmosphäre aus diesen Gasen gebildet wird.

Als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Halogenatomen können Halogenverbin dungen oder die halogenhaltigen Siliciumverbindungen, die vorstehend erwähnt wurden, in wirksamer Weise eingesetzt werden. Außerdem ist es auch möglich, ein gasförmiges oder vergasbares Halogenid, das Wasserstoff atome als eine der am Aufbau beteiligten Atomarten enthält, beispielsweise einen Halogenwasserstoff wie HF, HCl, HBr oder HJ oder ein halogensubstituiertes Siliciumhydrid wie SiH₂F₂, SiH₂J₂, SiH₂Cl₂, SiHCl₃, SiH₂Br₂ oder SiHBr₃ als wirksames Ausgangsmaterial für die Bildung einer amorphen Schicht einzusetzen.

Diese Halogenide, die Wasserstoffatome enthalten und dazu befähigt sind, während der Bildung der amorphen Schicht gleichzeitig mit der Einführung von Halogen atomen in die Schicht Wasserstoffatome einzuführen, die hinsichtlich der Regulierung der elektrischen oder fotoelektrischen Eigenschaften sehr wirksam sind, können vorzugsweise als Ausgangsmaterial für die Einführung von Halogenatomen eingesetzt werden.

Für den Einbau von Wasserstoffatomen in die Struktur der amorphen Schicht kann dafür gesorgt werden, daß in einer Abscheidungskammer, in der die Entladung ange regt wird, zusammen mit einer zur Zuführung von Si dienenden Siliciumverbindung H₂ oder ein gasförmiges Siliciumhydrid wie SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ oder Si₄H₁₀ vor liegt.

Im Fall des reaktiven Zerstäubungsverfahrens wird bei spielsweise ein Si-Target eingesetzt, und ein zur Ein führung von Halogenatomen dienendes Gas und H₂-Gas werden, zusammen mit einem Inertgas wie He oder Ar, falls dies notwendig ist, in eine Abscheidungskammer eingeleitet, in der eine Plasmaatmosphäre gebildet wird, um eine Zerstäubung unter Anwendung des Si-Targets zu bewirken und dadurch auf dem Träger eine aus a-Si(H,X) bestehende, amorphe Schicht zu bilden.

Außerdem kann auch ein Gas wie B₂H₆ oder ein anderes Gas als Dotiermittel eingeleitet werden.

Die Menge der Wasserstoffatome (H) oder der Halogenatome (X) oder die Gesamtmenge dieser beiden Atomarten, die in die amorphe Schicht des fotoleit fähigen Elements eingebaut werden, kann vorzugsweise 1 bis 40 Atom-% und insbesondere 5 bis 30 Atom-% betra gen.

Zur Regulierung der Mengen der Wasserstoffatome (H) und/oder der Halogenatome (X) in der amorphen Schicht können die Trägertemperatur während der Abscheidung und/oder die Mengen der zum Einbau von Wasserstoffatomen (H) oder Halogenatomen (X) eingesetzten, in die Abschei dungsvorrichtung einzuleitenden Ausgangsmaterialien, die Entladungsleistung usw. reguliert werden.

Als verdünnendes Gas, das bei der Bildung einer amorphen Schicht nach dem Glimmentla dungsverfahren oder dem Zerstäubungsverfahren einge setzt wird, können vorzugsweise Edelgase wie He, Ne oder Ar erwähnt werden.

Für die Bildung eines ersten Schichtbereichs (O, N, C) durch Einführung mindestens einer aus Sauerstoffatomen, Stickstoffatomen und Kohlenstoffatomen ausgewählten Atomart (M) in eine amorphe Schicht oder für die Bildung eines zweiten Schichtbereichs (III) durch Einführung der Atome eines zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Elements in die amorphe Schicht kann ein Ausgangsmaterial für die Einführung der Atome der Gruppe III oder für die Einführung der Atome (M) oder können beide Ausgangsmaterialien zusammen mit einem Ausgangs material für die Bildung einer amorphen Schicht einge setzt werden, während ihre in die gebildete Schicht einzubauenden Mengen reguliert werden.

Wenn zur Bildung eines die amorphe Schicht bildenden, ersten Schichtbereichs (O, N, C) das Glimmentladungs verfahren angewandt wird, kann das Ausgangsmaterial für die Bildung des ersten Schichtbereichs in gewünschter Weise aus den vorstehend beschriebenen Ausgangsmateria lien für die Bildung der amorphen Schicht ausgewählt werden, und dazu wird mindestens eines der Ausgangs materialien für die Einführung der Atome (M) zugegeben. Als Ausgangsmaterial für die Einführung der Atome (M) können die meisten gasförmigen Substanzen oder vergas baren Substanzen in vergaster Form, die Atome (M) als am Aufbau beteiligte Atome enthalten, eingesetzt werden.

Als Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoff atomen als Atome (M) kann beispielsweise eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Silicium atome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Sauerstoffatome (O) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und, falls notwendig, einem Gas, das Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden. Alternativ kann auch eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Sauerstoffatome (O) und Wasser stoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden. Des weiteren ist es auch möglich, eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Silicium atome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si), Sauerstoffatome (O) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einzusetzen.

Es ist auch ein anderes Verfahren möglich, bei dem eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Sauerstoffatome (O) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, eingesetzt wird.

Als Ausgangsmaterial für die Einführung von Stickstoff atomen als Atome (M) kann eine Mischung aus einem gas förmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Stickstoffatome (N) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und, falls notwendig, einem Gas, das Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden. Alternativ kann auch eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangs material, das Stickstoffatome (N) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden. Des weiteren ist es auch möglich, eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si), Stickstoffatome (N) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis einzusetzen. Es ist auch ein anderes Verfahren möglich, bei dem eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Stickstoffatome (N) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, eingesetzt wird.

Als Ausgangsmaterial für die Einführung von Kohlenstoffatomen als Atome (M) kann eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einem gasförmigen Ausgangs material, das Kohlenstoffatome (C) als am Aufbau betei ligte Atome enthält, und, falls notwendig, einem Gas, das Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem ge wünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden. Alterna tiv kann auch eine Mischung aus einem gasförmigen Aus gangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangs material, das Kohlenstoffatome (C) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt werden. Des weiteren ist es auch möglich, eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si), Kohlenstoffatome (C) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, einzusetzen.

Es ist auch ein anderes Verfahren möglich, bei dem eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Siliciumatome (Si) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, und einem gasförmi gen Ausgangsmaterial, das Kohlenstoffatome (C) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, eingesetzt wird.

Als Ausgangsmaterialien für die Einführung der Atome (M) zur Bildung des ersten Schichtbereichs (O, N, C) können in wirksamer Weise z. B. Sauerstoff (O₂), Ozon (O₃), Stickstoffmonoxid (NO), Stickstoffdioxid (NO₂), Distickstoffoxid (N₂O), Distickstofftrioxid (N₂O₃), Distickstofftetraoxid (N₂O₄), Distickstoffpentoxid (N₂O₅), Stickstofftrioxid (NO₃), niedere Siloxane, die Silicium atome (Si), Sauerstoffatome (O) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau beteiligte Atome enthalten, wie Di siloxan (H₃SiOSiH₃) und Trisiloxan (H₃SiOSiH₂OSiH₃), gasförmige oder vergasbare Stickstoffverbindungen, die aus Stickstoffatomen (N) oder aus Stickstoffatomen (N) und Wasserstoffatomen (H) bestehen, wie Stickstoff, Nitride und Azide, wozu beispielsweise Stickstoff (N₂), Ammoniak (NH₃), Hydrazin (H₂NNH₂), Stickstoffwasser stoffsäure (HN₃) und Ammoniumazid (NH₄N₃) gehören, gesättigte Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 5 Kohlenstoff atomen wie Methan (CH₄), Ethan (C₂H₆), Propan (C₃H₈), n-Butan (n-C₄H₁₀) und Pentan (C₅H₁₂), ethylenische Kohlenwasser stoffe mit 2 bis 5 Kohlenstoffatomen wie Ethylen (C₂H₄), Propylen (C₃H₆), Buten-1 (C₄H₈), Buten-2 (C₄H₈), Iso butylen (C₄H₈) und Penten (C₅H₁₀) und acetylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 4 Kohlenstoffatomen wie Acetylen (C₂H₂), Methylacetylen (C₃H₄) und Butin (C₄H₆) und Alkylsilane, die Siliciumatome (Si), Kohlenstoff atome (C) und Wasserstoffatome (H) als am Aufbau betei ligte Atome enthalten, wie Si(CH₃)₄ und Si(C₂H₅)₄, einge setzt werden.

Im übrigen können zur Erzielung des Vorteils der Ein führung von Halogenatomen zusätzlich zu Stickstoffatomen auch halogenhaltige Stickstoffverbindungen wie Stick stofftrifluorid (NF₃), Distickstofftetrafluorid (N₂F₄) oder Distickstoffdifluorid (N₂F₂) eingesetzt werden.

Es ist auch möglich, daß zur Bildung des ersten Schicht bereichs (O, N, C) nicht nur eine Art dieser Ausgangs materialien für die Einführung der Atome (M), sondern mehr als eine Art, die in geeigneter Weise ausgewählt wird, eingesetzt wird. Es ist auch möglich, zwei oder drei aus Sauerstoffatomen, Stickstoffatomen und Kohlen stoffatomen ausgewählte Atomarten in den ersten Schicht bereich (O, N, C), einzuführen, in dem man mindestens eine aus den Ausgangsmaterialien für die Einführung von Sauerstoffatomen, den Ausgangsmaterialien für die Einführung von Stickstoffatomen und den Ausgangsmateria lien für die Einführung von Kohlenstoffatomen ausgewähl te Art eines Ausgangsmaterials einsetzt.

Für die Bildung eines Sauerstoffatome enthaltenden Schichtbereichs (O) als erster Schichtbereich (O, N, C) nach dem Zerstäubungsverfahren kann als Target eine Einkristall- oder eine polykristalline Si-Scheibe oder SiO₂-Scheibe oder eine Scheibe, in der eine Mischung von Si und SiO₂ enthalten ist, eingesetzt werden, und die Zerstäubung kann in verschiedenen Gasatmosphären bewirkt werden.

Wenn beispielsweise eine Si-Scheibe als Target einge setzt wird, wird ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoff ggf. zusammen mit einem Ausgangsmaterial für den Einbau von Wasserstoffatomen (H) und/oder Halo genatomen (X), das, falls erwünscht, mit einem verdünnen den Gas verdünnt sein kann, in eine zur Zerstäubung dienende Abscheidungskammer eingeleitet, in der ein Gasplasma aus diesen Gasen gebildet und die Zerstäu bung der vorstehend erwähnten Si-Scheibe bewirkt wird.

Alternativ kann die Zerstäubung unter Verwendung von Si und SiO₂ als getrennten Targets oder unter Verwendung eines platten- oder folienförmigen Targets aus einer Mischung von Si und SiO₂ in einer Atmosphäre eines verdünnten Gases als Gas für die Zerstäubung oder in einer Atmosphäre eines Gases, das Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, bewirkt werden. Als Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoffatomen können auch im Fall der Zerstäubung die Ausgangsmaterialien für die Einführung von Sauerstoffatomen eingesetzt werden, die in den Beispielen für die Verwendung bei der Glimm entladung als wirksame Gase erwähnt worden sind.

Für die Bildung eines Stickstoffatome enthaltenden Schichtbereichs (N) als erster Schichtbereich (O, N, C) nach dem Zerstäubungsverfahren wird eine Einkristall- oder eine polykristalline Si-Scheibe oder Si₃N₄-Scheibe oder eine Scheibe, in der eine Mischung von Si und Si₃N₄ enthalten ist, als Target eingesetzt, und die Zerstäubung wird in einer Atmosphäre aus verschiedenen Gasen bewirkt.

Wenn beispielsweise eine Si-Scheibe als Target eingesetzt wird, werden ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Stickstoffatomen (N) und, falls notwendig, ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen (H) und/oder Halogenatomen (X), die, falls erwünscht, mit einem verdünnenden Gas verdünnt sein können, in eine zur Zerstäubung dienende Abscheidungskammer einge leitet, um darin ein Gasplasma aus diesen Gasen zu bilden und eine Zerstäubung der Si-Scheibe zu bewirken. Alternativ können Si und Si₃N₄ als getrennte Targets oder in Form eines platten- bzw. folienförmigen Targets aus einer Mischung von Si und Si₃N₄ eingesetzt werden, wobei die Zerstäubung in einer verdünnten Gasatmosphäre als Gas für die Zerstäubung oder in einer Gasatmosphäre, die Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) als am Aufbau beteiligte Atome enthält, bewirkt wird. Als Ausgangsmaterial für die Einführung von Stickstoff atomen können auch im Fall der Zerstäubung die Ausgangs materialien für die Einführung von Stickstoffatomen eingesetzt werden, die vorstehend in den Beispielen für die Verwendung bei der Glimmentladung als wirksame Gase erwähnt wurden.

Für die Bildung eines Kohlenstoffatome enthaltenden Schichtbereichs (C) als erster Schichtbereich (O, N, C) nach dem Zerstäubungsverfahren wird als Target eine Einkristall- oder eine polykristalline Si-Scheibe oder C-Scheibe oder eine Scheibe, in der eine Mischung von Si und C enthalten ist, eingesetzt, und die Zerstäu bung wird in einer Atmosphäre aus verschiedenen Gasen bewirkt.

Wenn beispielsweise eine Si-Scheibe als Target einge setzt wird, werden ein Ausgangsmaterial für die Einfüh rung von Kohlenstoffatomen (C) und, falls notwendig, ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoff atomen (H) und/oder Halogenatomen (X), die, falls er wünscht, mit einem verdünnenden Gas verdünnt sein können, in eine zur Zerstäubung dienende Abscheidungskammer eingeleitet, um darin ein Gasplasma aus diesen Gasen zu bilden und eine Zerstäubung der Si-Scheibe zu bewir ken.

Alternativ können Si und C als getrennte Targets oder in Form eines folien- bzw. plattenförmigen Targets aus einer Mischung von Si und C eingesetzt werden, wobei die Zerstäubung in einer Gasatmosphäre bewirkt wird, die mindestens Wasserstoffatome (H) und/oder Halogenatome (X) als am Aufbau beteiligte Atome enthält. Als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Kohlenstoffatomen kann auch im Fall der Zerstäubung ein Ausgangsmaterial für die Einführung von Kohlenstoff atomen eingesetzt werden, das vorstehend als Beispiel für wirksame Gase für die Verwendung bei der Glimment ladung erwähnt wurde.

Für die Einführung von zwei oder drei aus Sauerstoff atomen (O), Stickstoffatomen (N) und Kohlenstoffatomen (C) ausgewählten Atomarten in den gebildeten, ersten Schichtbereich (O, N, C) bei der Bildung des ersten Schichtbereichs (O, N, C) nach dem Zerstäubungsverfahren können als Target SiO₂, Si₃N₄ oder eine Mischung von SiO₂ und Si₃N₄ eingesetzt werden, können als Target eine Mischung von Si mit SiO₂ oder Si₃N₄ oder eine Mischung von Si, SiO₂ und Si₃N₄ eingesetzt werden oder können alternativ als Target eine Mischung von C mit SiO₂ oder Si₃N₄ oder eine Mischung von C, SiO₂ und Si₃N₄ eingesetzt werden.

Für die Bildung eines die amorphe Schicht bildenden, zweiten Schichtbereichs (III) kann ein gasförmiges oder vergasbares Ausgangsmaterial für die Einführung der Atome der Gruppe III im gasförmigen Zustand zusammen mit einem Ausgangsmaterial für die Bildung einer amorphen Schicht, wie es vorstehend erwähnt wurde, in eine zur Bildung einer amorphen Schicht dienende Vakuumbe dampfungskammer eingeleitet werden.

Der Gehalt der in den zweiten Schichtbereich einzuführen den Atome der Gruppe III kann frei reguliert werden, indem man beispielsweise die Gasdurchflußmengen, die Verhältnisse der Gasdurchflußmengen der in die Abschei dungskammer eingeleiteten Ausgangsmaterialien oder die Entladungsleistung reguliert.

Als Ausgangsmaterialien, die in wirksamer Weise zur Einführung der Atome der Gruppe III eingesetzt werden können, können für die Einführung von Boratomen Borhydride wie B₂H₆, B₄H₁₀, B₅H₉, B₅H₁₁, B₆H₁₀, B₆H₁₂ oder B₆H₁₄ und Borhalogenide wie BF₃, BCl₃ oder BBr₃ erwähnt werden. Außerdem können beispielsweise auch AlCl₃, GaCl₃, Ga(CH₃)₃, InCl₃ oder TlCl₃ eingesetzt werden.

Im Rahmen der Erfindung kann die Bildung eines Übergangs schichtbereichs (d. h. eines Schichtbereichs, in dem sich die Verteilungskonzentration entweder der Atome (M) oder der Atome der Gruppe (III) in der Richtung der Schichtdicke ändert) erzielt werden, indem man die Durchflußgeschwindigkeit des Gases, in dem der Bestandteil, dessen Verteilungskonzentration verändert werden soll, enthalten ist, in geeigneter Weise verän dert. Beispielsweise kann die Öffnung eines vorbestimm ten Nadelventils, das im Verlauf des Gasströmungs- Systems vorgesehen ist, durch ein manuelles Verfahren oder durch das üblicherweise angewandte Verfahren, bei dem ein Motor mit Außenantrieb eingesetzt wird, allmählich verändert werden. Während dieses Vorgangs muß die Geschwindigkeit, mit der die Durchflußgeschwin digkeit verändert wird, nicht linear sein, sondern die Durchflußgeschwindigkeit kann gemäß einer Änderungs geschwindigkeitskurve, die vorher beispielsweise durch einen Mikrocomputer entworfen worden ist, verändert werden, damit eine gewünschte Atomgehaltskurve erhalten wird.

Es hat keinen Einfluß auf die Eigenschaften einer gebildeten, amorphen Schicht, ob der Plasmazustand während der Bildung der amorphen Schicht aufrechterhalten wird oder an der Grenze zwischen dem Übergangsschicht bereich und anderen Schichtbereichen unterbrochen wird, jedoch wird eine kontinuierliche Durchführung des Verfahrens vom Standpunkt der Regulierung des Verfahrens aus bevorzugt.

Wenn der Übergangsschichtbereich nach dem Zerstäubungs verfahren gebildet wird, kann im Fall der Anwendung eines Targets, das einen Bestandteil enthält, dessen Verteilungskonzentration verändert werden soll, das Target vorher so hergestellt bzw. präpariert werden, daß dieser Bestandteil mit einer gewünschten Veränderung der Verteilungskonzentration verteilt werden kann.

Die amorphe Schicht kann eine Dicke haben, die in geeigneter Weise nach Wunsch so festgelegt wird, daß die in der amorphen Schicht erzeugten Fototräger in wirksamer Weise transportiert werden können, jedoch beträgt die Dicke der amorphen Schicht im allgemeinen 3 bis 100 µm und vorzugsweise 5 bis 50 µm.

Der Träger kann entweder elektrisch leitend oder isolie rend sein. Als Beispiele für elektrisch leitende Materia lien können Metalle wie NiCr, rostfreier Stahl, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt und Pd oder Legierungen davon erwähnt werden.

Als isolierende Träger können üblicherweise Folien oder Platten aus Kunstharzen, wozu Polyester, Poly ethylen, Polycarbonate, Celluloseacetat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol und Polyamide gehören, Gläser, keramische Stoffe, Papiere und andere Materialien eingesetzt werden. Diese isolierenden Träger können geeigneterweise minde stens eine Oberfläche haben, die einer Behandlung unterzogen worden ist, durch die sie elektrisch leitend gemacht worden ist, und andere Schichten werden geeigne terweise auf der Seite des Trägers vorgesehen, die durch eine solche Behandlung elektrisch leitend gemacht worden ist.

Ein Glas kann beispielsweise elektrisch leitend gemacht werden, indem auf dem Glas ein dünner Film aus NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In₂O₃, SnO₂ oder ITO(In₂O₃+SnO₂) vorgesehen wird. Alternativ kann eine Kunstharzfolie wie eine Polyesterfolie auf ihrer Oberfläche durch Vakuumaufdampfung, Elektronen strahlabscheidung oder Zerstäubung eines Metalls wie NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti oder Pt oder durch Laminieren eines solchen Metalls auf die Oberfläche elektrisch leitend gemacht werden. Der Träger kann in irgendeiner Form ausgebildet werden, beispielsweise in Form eines Zylinders, eines Bandes oder einer Platte oder in anderen Formen, und seine Form kann in gewünschter Weise festgelegt werden.

Wenn das in Fig. 1 gezeigte, fotoleitfähige Element 100 beispielsweise als Bilderzeugungselement für elektro fotografische Zwecke eingesetzt wird, kann es für die Verwendung in einem kontinuierlichen, mit hoher Geschwindigkeit durchgeführten Kopierverfahren geeigne terweise in Form eines endlosen Bandes oder eines Zylinders gestaltet werden. Der Träger kann eine in geeigneter Weise festgelegte Dicke haben, so daß ein gewünschtes, fotoleitfähiges Element gebildet werden kann. Wenn das fotoleitfähige Element flexibel sein muß, wird der Träger mit der Einschränkung, daß er seine Funktion als Träger ausüben können muß, so dünn wie möglich hergestellt. In einem solchen Fall hat der Träger jedoch im allgemeinen unter Berücksichti gung seiner Herstellung und Handhabung und seiner mechanischen Festigkeit eine Dicke von 10 µm oder eine größere Dicke.

Auf der amorphen Schicht wird vorzugs weise eine Oberflächenschicht, eine sogenannte Sperr schicht, vorgesehen, die die Funktion hat, eine Injektion von Ladungen von der Seite der freien Oberfläche her in die amorphe Schicht zu verhindern bzw. zu hemmen.

Die auf der amorphen Schicht vorgesehene Oberflächen schicht besteht aus einem amorphen Material, das in einer Matrix von Siliciumatomen mindestens eine aus Kohlenstoffatomen (C) und Stickstoffatomen (N) ausgewähl te Atomart gegebenenfalls zusammen mit Wasserstoff atomen (H) und/oder Halogenatomen (X) enthält { kurz mit a-[Si(C,N)_1-x]_y(H,X)_1-y (worin 0<x<1; 0<y<1) bezeichnet}, einem elektrisch isolierenden Metalloxid oder einer elektrisch isolierenden, organischen Verbin dung.

Im Rahmen der Erfindung kann das Halogenatom (X), das in der Oberflächenschicht enthalten sein kann, vorzugsweise F, Cl, Br oder J und insbesondere F oder Cl sein.

Typische Beispiele für die vorstehend erwähnten, amorphen Materialien, die in wirksamer Weise für die Bildung der vorstehend erwähnten Oberflächenschicht eingesetzt werden, sind amorphe Materialien vom Kohlenstofftyp wie a-Si_aC_1-a, a-(Si_bC_1-b)_cH_1-c, a-(Si_dC_1-d)_eX_1-e und a-(Si_fC_1-f)_g(H+X)_1-g und amorphe Materialien vom Stickstofftyp wie a-Si_hN_1-h, a-(Si_iN_1-i)_jH_1-j, a-(Si_kN_1-k)_lX_1-l und a-(Si_mN_1-m)_n(H+X)_1-n; außerdem können auch amorphe Materialien erwähnt werden, die als am Aufbau beteiligte Atome in den vorstehend erwähn ten, amorphen Materialien Kohlenstoffatome (C) und Stickstoffatome (N) enthalten (worin O < a, b, c, d, e, f, g, h, i, j, k, l, m, n < 1).

Diese amorphen Materialien können in geeigneter Weise in Abhängigkeit von den erforderlichen Eigenschaften der Oberflächenschicht ausgewählt werden, damit die Schichtstruktur in der bestmöglichen Weise gestaltet wird und damit die darauffolgende Herstellung einer in Berührung mit der Oberflächenschicht auszubildenden, amorphen Schicht leicht durchgeführt werden kann. Insbesondere vom Gesichtspunkt der Eigenschaften aus können vorzugsweise amorphe Materialien vom Kohlenstoff typ gewählt werden.

Wenn die Oberflächenschicht aus dem vorstehend beschrie benen, amorphen Material besteht, können als Verfahren zur Schichtbildung beispielsweise das Glimmentladungs verfahren, das Zerstäubungsverfahren, das Ionenimplanta tionsverfahren, das Ionenplattierverfahren und das Elektronenstrahlverfahren erwähnt werden.

Wenn die Oberflächenschicht aus dem vorstehend beschrie benen, amorphen Material besteht, wird sie sorgfältig so gebildet, daß die erforderlichen Eigenschaften genau nach Wunsch erzielt werden können.

Eine aus Siliciumatomen (Si), mindestens einer aus Kohlenstoffatomen (C) und Stickstoffatomen (N) ausgewähl ten Atomart und gegebenenfalls Wasserstoffatomen (H) und/oder Halogenatomen (X) bestehende Substanz kann hinsichtlich ihrer Struktur verschiedene Formen an nehmen, die sich von einer kristallinen bis zu einer amorphen Form erstrecken, und sie kann elektrische Eigenschaften annehmen, die von den Eigenschaften eines Leiters über die Eigenschaften eines Halbleiters bis zu den Eigenschaften eines Isolators und von den Eigenschaften eines Fotoleiters bis zu den Eigenschaften einer nicht fotoleitfähigen Substanz reichen. Erfindungs gemäß werden infolgedessen die Herstellungsbedingungen genau ausgewählt, damit amorphe Materialien gebildet werden können, die mindestens in bezug auf das Licht des sichtbaren Bereichs nicht fotoleitfähig sind und einen hohen Dunkelwiderstand haben.

Ähnlich wie die Bedingungen für die Herstellung der Oberflächenschicht stellen auch die Gehalte der Kohlen stoffatome (C), der Stickstoffatome (N), der Wasserstoff atome (H) und der Halogenatome (X) in der Oberflächen schicht wichtige Faktoren für die Bildung einer Oberflächen- Schicht mit gewünschten Eigenschaften dar.

Bei der Bildung der aus a-Si_aC_1-a bestehenden Ober flächenschicht kann der Gehalt der Kohlenstoffatome im allgemeinen 60 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 65 bis 80 Atom-% und insbesondere 70 bis 75 Atom-% betragen, d. h. daß der Index a 0,1 bis 0,4, vorzugsweise 0,2 bis 0,35 und insbesondere 0,25 bis 0,3 betragen kann. Wenn die Oberflächenschicht aus a-(Si_bC_1-b)_cH_1-c besteht, beträgt der Gehalt der Kohlenstoffatome im allgemeinen 30 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 40 bis 90 Atom-% und insbesondere 50 bis 80 Atom-%, während der Gehalt der Wasserstoffatome im allgemeinen 1 bis 40 Atom-%, vorzugsweise 2 bis 35 Atom-% und insbesondere 5 bis 30 Atom-% beträgt, d. h. daß der Index b im allgemeinen 0,1 bis 0,5, vorzugsweise 0,1 bis 0,35 und insbesondere 0,15 bis 0,3 beträgt, während der Index c im allgemeinen 0,60 bis 0,99, vorzugsweise 0,65 bis 0,98 und insbeson dere 0,7 bis 0,95 beträgt. Wenn die Oberflächenschicht aus a-(Si_dC_1-d)_eX_1-e oder aus a-(Si_fC_1-f)_g(H+X)_1-g besteht, beträgt der Gehalt der Kohlenstoffatome im allgemeinen 40 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 50 bis 90 Atom-% und insbesondere 60 bis 80 Atom-% und beträgt der Gehalt der Halogenatome oder die Summe der Gehalte der Halogenatome und der Wasserstoffatome im allgemeinen 1 bis 20 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 18 Atom-% und insbesondere 2 bis 15 Atom-%, während der Gehalt der Wasserstoffatome, wenn sowohl Halogenatome als auch Wasserstoffatome enthalten sind, im allgemeinen 19 Atom-% oder weniger und vorzugsweise 13 Atom-% oder weniger beträgt, d. h., daß die Indizes d und f im allgemeinen 0,1 bis 0,47, vorzugsweise 0,1 bis 0,35 und insbesondere 0,15 bis 0,3 betragen, während die Indizes e und g im allgemeinen 0,8 bis 0,99, vorzugsweise 0,82 bis 0,99 und insbesondere 0,85 bis 0,98 betragen.

Wenn die Oberflächenschicht aus einem amorphen Material vom Stickstofftyp gebildet ist, beträgt der Gehalt der Stickstoffatome im Fall von a-Si_hN_1-h im allgemeinen 43 bis 60 Atom-% und vorzugsweise 43 bis 50 Atom-%, d. h. daß der Index h im allgemeinen 0,4 bis 0,57 und vorzugsweise 0,5 bis 0,57 beträgt.

Wenn die obere Schicht aus a-(Si_iN_1-i)_jH_1-j besteht, beträgt der Gehalt der Stickstoffatome im allgemeinen 25 bis 55 Atom-% und vorzugsweise 35 bis 55 Atom-%, während der Gehalt der Wasserstoffatome im allgemeinen 2 bis 35 Atom-% und vorzugsweise 5 bis 30 Atom-% beträgt, d. h. daß der Index i im allgemeinen 0,43 bis 0,6 und vorzugsweise 0,43 bis 0,5 beträgt, während der Index j im allgemeinen 0,65 bis 0,98 und vorzugsweise 0,7 bis 0,95 beträgt. Wenn die Oberflächenschicht aus a-(Si_kN_1-k)_lX_1-l oder aus a-(Si_mN_1-m)_n(H+X)_1-n besteht, beträgt der Gehalt der Stickstoffatome im allgemeinen 30 bis 60 Atom-% und vorzugsweise 40 bis 60 Atom-% und beträgt der Gehalt der Halogenatome oder die Summe der Gehalte der Halogenatome und der Wasserstoffatome im allgemeinen 1 bis 20 Atom-% und vorzugsweise 2 bis 15 Atom-%, während der Gehalt der Wasserstoffatome, wenn sowohl Halogenatome als auch Wasserstoffatome enthalten sind, im allgemeinen 19 Atom-% oder weniger und vorzugsweise 13 Atom-% oder weniger beträgt, d. h. daß die Indizes k und m im allgemeinen 0,43 bis 0,60 und vorzugsweise 0,43 bis 0,49 betragen, während die Indizes l und n im allgemei nen 0,8 bis 0,99 und vorzugsweise 0,85 bis 0,98 betragen.

Als elektrisch isolierende Metalloxide für die Bildung der Oberflächenschicht können vorzugsweise Metalloxide wie TiO₂, Ce₂O₃, ZrO₂, HfO₂, GeO₂, CaO, BeO, Y₂O₃, Cr₂O₃, Al₂O₃, MgO·Al₂O₃ oder SiO₂·MgO erwähnt werden. Zur Bildung der Oberflächenschicht kann auch eine Mischung aus zwei oder mehr Arten dieser Verbindungen eingesetzt werden.

Die aus einem elektrisch isolierenden Metalloxid beste hende Oberflächenschicht kann durch das Vakuumabschei dungsverfahren, das chemische Aufdampfverfahren (CVD- Verfahren), das Glimmentladungs-Zersetzungsverfahren, das Zerstäubungsverfahren, das Ionenimplantationsverfah ren, das Ionenplattierverfahren oder das Elektronen strahlverfahren oder durch andere Verfahren gebildet werden.

Der numerische Bereich der Schichtdicke der Oberflächen schicht ist ein wichtiger Faktor für die wirksame Erfüllung der vorstehend erwähnten Zwecke. Wenn die Schichtdicke zu gering ist, kann die Funktion der Verhinderung des Eindringens von Ladungen von der Seite der Oberfläche der Oberflächenschicht her in die amorphe Schicht nicht in ausreichendem Maße erfüllt werden. Andererseits ist die Wahrscheinlichkeit, daß die in der amorphen Schicht durch Belichtung erzeugten Fototräger mit den auf der Oberfläche der Oberflächen schicht vorhandenen Ladungen rekombinieren, sehr gering, wenn die obere Schicht zu dick ist. Demnach kann in diesen beiden Fällen der Zweck der Ausbildung einer Oberflächenschicht nicht in wirksamer Weise erzielt werden.

Im Hinblick auf die vorstehend erwähnten Gesichtspunkte beträgt die Dicke der Oberflächenschicht im allgemeinen 3,0 nm bis 5 µm und vorzugsweise 5,0 nm bis 1 µm, damit der Zweck der Ausbildung einer Oberflächenschicht in wirksamer Weise erfüllt wird.

Das erfindungsgemäße, fotoleitfähige Element, das so gestaltet ist, daß es den vorstehend beschriebenen Schichtaufbau hat, kann alle Probleme überwinden, die vorstehend erwähnt wurden, und zeigt hervorragende elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigenschaf ten und gute Eigenschaften bezüglich der Beeinflussung durch Umgebungsbedingungen bei der Verwendung.

Das erfindungsgemäße, fotoleitfähige Element zeigt besonders in dem Fall, daß es als Bilderzeugungselement für elektrofotografische Zwecke eingesetzt wird, eine hervorragende Befähigung zum Beibehalten der Ladung bei der Ladungsbehandlung, ohne daß irgendeine Beein flussung der Bilderzeugung durch ein Restpotential vorhanden ist, stabile, elektrische Eigenschaften mit einer hohen Empfindlichkeit und einem hohen S/N-Verhältnis sowie eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber der Licht-Ermüdung und hat bei wiederholter Verwendung ausgezeichnete Eigenschaften, wodurch es ermöglicht wird, wiederholt Bilder mit hoher Qualität zu erhalten, die eine hohe Dichte, einen klaren Halbton und eine hohe Auflösung zeigen.

Nachstehend wird das Verfahren zur Herstellung des fotoleitfähigen Elements, das nach dem Glimmentladungs- Zersetzungsverfahren gebildet wird, beschrieben.

Fig. 8 zeigt eine Vorrichtung für die Herstellung eines fotoleitfähigen Elements nach dem Glimmentladungs-Zer setzungsverfahren.

In den in Fig. 8 gezeigten Gasbomben 1002, 1003, 1004, 1005 und 1006 sind luftdicht abgeschlossene, gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung der einzelnen Schich ten im Rahmen der Erfindung enthalten. Zum Beispiel ist 1002 eine Bombe, die mit He verdünntes SiH₄-Gas (Reinheit: 99,999%) enthält (nachstehend kurz mit SiH₄/He bezeichnet ), ist 1003 eine Bombe, die mit He verdünntes B₂H₆-Gas (Reinheit: 99,999%) enthält (nach stehend kurz mit B₂H₆/He bezeichnet), ist 1004 eine Bombe, die CH₄-Gas (Reinheit: 99,999%) enthält, ist 1005 eine Bombe, die NO-Gas (Reinheit: 99,999%) enthält, und ist 1006 eine Bombe, die mit He verdünntes SiF₄-Gas (Reinheit: 99,999%) enthält (nachstehend kurz mit SiF₄/He bezeichnet).

Um diese Gase in die Reaktionskammer 1001 hineinströmen zu lassen, wird zuerst das Hauptventil 1034 geöffnet, um die Reaktionskammer 1001 und die Gas-Rohrleitungen zu evakuieren, nachdem bestätigt worden ist, daß die Ventile 1022 bis 1026 der Gasbomben 1002 bis 1006 und das Belüftungsventil 1035 geschlossen und die Einström ventile 1012 bis 1016, die Ausströmventile 1017 bis 1021 und die Hilfsventile 1032 und 1033 geöffnet sind. Als nächster Schritt werden die Hilfsventile 1032 und 1033 und die Ausströmventile 1017 bis 1021 geschlossen, wenn der an der Vakuummeßvorrichtung 1036 abgelesene Wert 6,7 nbar erreicht hat.

Nachstehend wird ein Beispiel für die Bildung einer amorphen Schicht auf einem zylindrischen Träger 1037 erläutert. SiH₄/He-Gas aus der Gasbombe 1002, B₂H₆/He- Gas aus der Gasbombe 1003 und NO-Gas aus der Gasbombe 1005 werden in die Durchflußreguliervorrichtungen 1007, 1008 und 1010 hineinströmen gelassen, indem die Ventile 1022, 1023 und 1025 so geöffnet werden, daß die Drücke an den Auslaßmanometern 1027, 1028 und 1030 jeweils auf einen Wert von 0,98 bar einreguliert werden, und indem die Einströmventile 1012, 1013 und 1015 allmählich geöffnet werden. Anschließend werden die Ausströmventile 1017, 1018 und 1020 und das Hilfsventil 1032 allmählich geöffnet, um die einzelnen Gase in die Reaktionskammer 1001 hineinströmen zu lassen. Die Ausströmventile 1017, 1018 und 1020 werden so reguliert, daß die relativen Verhältnisse der Durchflußgeschwindigkeiten der Gase SiH₄/He, B₂H₆/He, und NO gewünschte Werte haben, und auch die Öffnung des Hauptventils 1034 wird reguliert, während die Ablesung an der Vakuummeßvorrichtung 1036 beobachtet wird, und zwar so, daß der Druck in der Reaktionskammer einen gewünschten Wert erreicht. Nachdem bestätigt worden ist, daß die Temperatur des zylindri schen Trägers 1037 durch die Heizvorrichtung 1038 auf 50°C bis 400°C eingestellt wurde, wird die Stromquelle 1040 auf eine gewünschte Leistung eingestellt, um in der Reaktionskammer 1001 eine Glimmentladung anzuregen, während zur Regulierung der Gehalte der Atome der Gruppe III, beispielsweise der B-Atome, und der Sauerstoffatome in der Schicht gleichzeitig ein Vorgang der allmählichen Veränderung der Durchflußgeschwindigkeiten des B₂H₆/He- Gases und des NO-Gases in Übereinstimmung mit einer vorher entworfenen Kurve des Änderungsverhältnisses durch allmähliche Veränderung der Einstellung der Ventile 1018 und 1020 nach einem manuellen Verfahren oder mittels eines Motors mit Außenantrieb durchgeführt wird.

Bei dem vorstehend beschriebenen Verfahren können in die gebildete Schicht ähnlich wie die Sauerstoffatome Stickstoffatome oder Kohlenstoffatome eingebaut werden, wenn anstelle des NO-Gases NH₃-Gas oder CH₄-Gas einge setzt wird.

Für die zusätzliche Bildung einer Oberflächenschicht auf der amorphen Schicht kann zur Durchführung der Schichtbildung anstelle der bei der Bildung der amorphen Schicht eingesetzten Gase B₂H₆/He und NO CH₄-Gas ein gesetzt werden.

Natürlich werden alle Ausströmventile mit Ausnahme der Ausströmventile, die für die bei der Bildung der einzelnen Schichten eingesetzten Gase notwendig sind, geschlossen, und um zum verhindern, daß das bei der Bildung der vorherigen Schicht eingesetzte Gas während der Bildung der einzelnen Schichten in der Reaktions kammer 1001 und in den Rohrleitungen von den Ausström ventilen 1017 bis 1021 zu der Reaktionskammer 1001 verbleibt, kann, falls erforderlich, ein Verfahren durchgeführt werden, bei dem das System einmal bis zur Erzielung eines hohen Vakuums evakuiert wird, indem die Ausströmventile 1017 bis 1021 geschlossen werden und die Hilfsventile 1032 und 1033 bei vollständiger Öffnung des Hauptventils 1034 geöffnet werden.

Während der Bildung der Schicht kann der zylindrische Träger 1037 mittels eines Motors 1039 mit einer konstan ten Geschwindigkeit gedreht werden, um eine gleichmäßige Schichtbildung zu bewirken.

Beispiel 1

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 2 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die allgemeinen Herstellungsbedingungen werden in Tabelle, I gezeigt.

In Tabelle II werden die Ergebnisse der Bewertung der einzelnen Proben gezeigt, wobei die Verteilungskonzentra tionen des Bors C_(III)1 in der oberen Zeile und die Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁ in der linken Spalte angegeben sind.

Die hergestellten Bilderzeugungselemente für elektrofoto grafische Zwecke wurden einer Reihe von Verfahrens schritten eines Elektrofotografieverfahrens unterzogen, die aus einer Ladung, einer bildmäßigen Belichtung, einer Entwicklung und einer Übertragung bestanden, und bei den auf Bildempfangspapieren sichtbar gemachten Bildern wurde eine Gesamtbewertung der Ergebnisse bezüg lich Eigenschaften wie der Dichte, der Auflösung und der Reproduzierbarkeit der Tonwertabstufung durchgeführt.

Beispiel 2

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle III gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 3,5 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1): 80 Atom-ppm

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 1 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei in stabiler Weise übertragene Tonerbilder mit hoher Qualität erhalten werden konnten.

Beispiel 3

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 4 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle IV gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 7 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 30 Atom-ppm

Beispiel 4

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 5 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle V gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 7 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 10 Atom-ppm
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)3 siehe Tabelle VI

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 1 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei die in Tabelle VI gezeigten Bewertungen erhalten wurden.

In Tabelle V hat X(4) die folgende Bedeutung:

S4-1 . . . 1×10^-7
S4-2 . . . 5×10^-7
S4-3 . . . 1×10^-6
S4-4 . . . 5×10^-6

Tabelle VI

Beispiel 5

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 6 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle VII gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 1 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 100 Atom-ppm
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)3: siehe Tabelle VI

In Tabelle VII hat X(5) die folgende Bedeutung:

S5-1 . . . 1×10^-7
S5-2 . . . 5×10^-7
S5-3 . . . 1×10^-6
S5-4 . . . 5×10^-6
S5-5 . . . 1×10^-5
S5-6 . . . 2×10^-5
S5-7 . . . 3×10^-5
S5-8 . . . 4×10^-5
S5-9 . . . 6×10^-5

Beispiel 6

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 5 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle VIII gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 2 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 30 Atom-ppm
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)3: siehe Tabelle VI

In Tabelle VIII hat X(6) die folgende Bedeutung:

S6-1 . . . 1×10^-7
S6-2 . . . 5×10^-7
S6-3 . . . 1×10^-6
S6-4 . . . 5×10^-6
S6-5 . . . 1×10^-5
S6-6 . . . 2×10^-5

Beispiel 7

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 6 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle IX gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 2 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 200 Atom-ppm
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)3: siehe Tabelle VI

In Tabelle IX hat X(7) die folgende Bedeutung:

S7-1 . . . 1×10^-7
S7-2 . . . 5×10^-7
S7-3 . . . 1×10^-6
S7-4 . . . 5×10^-6
S7-5 . . . 1×10^-5
S7-6 . . . 2×10^-5
S7-7 . . . 4×10^-5
S7-8 . . . 8×10^-5
S7-9 . . . 1×10^-4

Beispiel 8

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 7 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Dicken des Schichtbereichs (t₁, t₂) und des Schichtbereichs (t₂, t₃) als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle X gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 7 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 100 Atom-ppm

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 1 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei die in Tabelle XI gezeigten Bewertungen erhalten wurden.

Tabelle XI

Beispiel 9

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 2 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XII gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 3,5 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 80 Atom-ppm
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)2: 500 Atom-ppm

Beispiel 10

Auf Al-Zylindern wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 2 amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schicht aufbau gebildet. Dann wurden auf den amorphen Schichten unter den nachstehend gezeigten Bedingungen Oberflächen sperrschichten des Siliciumcarbidtyps gebildet. Die auf diese Weise hergestellten Proben wurden wiederholt dem in Beispiel 1 beschriebenen Elektrofotografieverfah ren unterzogen, wobei übertragene Tonerbilder erhalten wurden. Als Ergebnis wurde gefunden, daß auch das millionste übertragene Tonerbild eine sehr hohe Qualität hatte, die mit der Qualität des ersten übertragenen Tonerbilds vergleichbar war.

Eingesetzte Gase: CH₄
SiH₄/He = 10 : 250
Durchflußgeschwindigkeit: SiH₄ = 10 Norm-cm³/min
Verhältnis der Durchflußgeschwindigkeiten: CH₄/SiH₄ = 30
Schichtbildungsgeschwindigkeit: 0,084 nm/s
Entladungsleistung: 0,18 W/cm²
Substrattemperatur: 250°C
Druck während der Reaktion: 0,67 mbar

Beispiel 11

Nach den gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie bei den Proben Nr. S4-1 bis S4-4, S5-1 bis S5-9, S6-1 bis S6-6 und S7-1 bis S7-9 der Beispiele 4 bis 7 wurden auf Al-Zylindern amorphe Schichten gebil det. Dann wurden auf den einzelnen amorphen Schichten nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 10 Oberflächensperrschichten des Siliciumcarbidtyps gebildet, wobei 28 Proben (Proben Nr. S11-1 bis S11-28) erhalten wurden. Alle Proben wurden zur wiederholten Erzeugung von Tonerbildern auf einzelnen, vorbestimmten Bildempfangspapieren dem in Beispiel 1 beschriebenen Elektrofotografieverfahren unterzogen, wobei auf allen Bildempfangspapieren Toner bilder mit einer hohen Qualität und einer hohen Auflösung erhalten werden konnten.

Beispiel 12

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Sauerstoffs (O) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XIII gezeigt.

Verteilungskonzentration des Sauerstoffs C₁: 3,5 Atom-%
Verteilungskonzentration des Bors C_(III)1: 80 Atom-ppm

Beispiel 13

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 2 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurd 26930 00070 552 001000280000000200012000285912681900040 0002003243928 00004 26811en. Die allgemeinen Herstellungsbedingungen werden in Tabelle XIV gezeigt.

In Tabelle XV werden die Ergebnisse der Bewertung der einzelnen Proben gezeigt, wobei die Verteilungskonzentra tionen des Bors C_(III)1 in der oberen Zeile und die Verteilungskonzentratioen des Stickstoffs C₁ in der linken Spalte angegeben sind.

Beispiel 14

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XVI gezeigt.

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 13 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei in stabiler Weise übertragene Tonerbilder mit hoher Qualität erhalten werden konnten.

Beispiel 15

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 4 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, Werden in Tabelle XVII gezeigt.

Beispiel 16

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 5 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XVIII gezeigt.

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 13 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei die in Tabelle XIX gezeigten Bewertungen erhalten wurden.

In Tabelle XVIII hat X(4) die folgende Bedeutung:

NS4-1 . . . 1×10^-7
NS4-2 . . . 5×10^-7
NS4-3 . . . 1×10^-6
NS4-4 . . . 5×10^-6

Tabelle XIX

Beispiel 17

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 6 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XX gezeigt.

In Tabelle XX hat X(5) die folgende Bedeutung:

NS5-1 . . . 1×10^-7
NS5-2 . . . 5×10^-7
NS5-3 . . . 1×10^-6
NS5-4 . . . 5×10^-6
NS5-5 . . . 1×10^-5
NS5-6 . . . 5×10^-5
NS5-7 . . . 3×10^-5
NS5-8 . . . 4×10^-5
NS5-9 . . . 6×10^-5

Beispiel 18

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 5 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XXI gezeigt.

In Tabelle XXI hat X(6) die folgende Bedeutung:

NS6-1 . . . 1×10^-7
NS6-2 . . . 5×10^-7
NS6-3 . . . 1×10^-6
NS6-4 . . . 5×10^-6
NS6-5 . . . 1×10^-5
NS6-6 . . . 2×10^-5

Beispiel 19

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 6 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XXII gezeigt.

In Tabelle XXII hat X(7) die folgende Bedeutung:

NS7-1 . . . 1×10^-7
NS7-2 . . . 5×10^-7
NS7-3 . . . 1×10^-6
NS7-4 . . . 5×10^-6
NS7-5 . . . 1×10^-5
NS7-6 . . . 2×10^-5
NS7-7 . . . 4×10^-5
NS7-8 . . . 8×10^-5
NS7-9 . . . 1×10^-4

Beispiel 20

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 7 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Dicken des Schichtbereichs (t₁, t₂) und des Schichtbereichs (t₂, t₃) als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXIII gezeigt.

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 13 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei die in Tabelle XXIV gezeigten Bewertungen erhalten wurden.

Tabelle XXIV

Beispiel 21

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 2 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXV gezeigt.

Beispiel 22

Auf Al-Zylindern wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 14 amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schicht aufbau gebildet. Dann wurden auf den amorphen Schichten unter den nachstehend gezeigten Bedingungen Oberflächen Sperrschichten des Siliciumcarbidtyps gebildet. Die auf diese Weise hergestellten Proben wurden wiederholt dem in Beispiel 13 beschriebenen Elektrofotografieverfah ren unterzogen, wobei übertragene Tonerbilder erhalten wurden. Als Ergebnis wurde gefunden, daß auch das millionste übertragene Tonerbild eine sehr hohe Qualität hatte, die mit der Qualität des ersten übertragenen Tonerbilds vergleichbar war.

Beispiel 23

Nach den gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie bei den Proben Nr. NS4-1 bis NS4-4, NS5-1 bis NS5-9, NS6-1 bis NS6-6 und NS7-1 bis NS7-9 der Beispiele 16 bis 19 wurden auf Al-Zylindern amorphe Schichten gebil det. Dann wurden auf den einzelnen amorphen Schichten nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 22 Oberflächensperrschichten des Siliciumcarbidtyps gebildet, wobei 28 Proben (Proben Nr. NS11-1 bis NS11-28) erhalten wurden. Alle Proben wurden zur wiederholten Erzeugung von Tonerbildern auf einzelnen, vorbestimmten Bildempfangspapieren dem in Beispiel 13 beschriebenen Elektrofotografieverfahren unterzogen, wobei auf allen Bildempfangspapieren Toner bilder mit einer hohen Qualität und einer hohen Auflösung erhalten werden konnten.

Beispiel 24

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Stickstoffs (N) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXVI gezeigt.

Beispiel 25

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 2 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die allgemeinen Herstellungsbedingungen werden in Tabelle XXVII gezeigt.

In Tabelle XXVIII werden die Ergebnisse der Bewertung der einzelnen Proben gezeigt, wobei die Verteilungskonzentra tionen des Bors C_(III)1 in der oberen Zeile und die Verteilungskonzentrationen des Kohlenstoffs C₁ in der linken Spalte angegeben sind.

Beispiel 26

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXIX gezeigt.

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 25 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei in stabiler Weise übertragene Tonerbilder mit hoher Qualität erhalten werden konnten.

Beispiel 27

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 4 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXX gezeigt.

Beispiel 28

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 5 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XXXI gezeigt.

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 25 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei die in Tabelle XXXII gezeigten Bewertungen erhalten wurden.

In Tabelle XXXII hat X(4) die folgende Bedeutung:

CS4-1 . . . 1×10^-7
CS4-2 . . . 5×10^-7
CS4-3 . . . 1×10^-6
CS4-4 . . . 5×10^-6

Tabelle XXXII

Beispiel 29

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 6 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XXXIII gezeigt.

In Tabelle XXXIII hat X(5) die folgende Bedeutung:

CS5-1 . . . 1×10^-7
CS5-2 . . . 5×10^-7
CS5-3 . . . 1×10^-6
CS5-4 . . . 5×10^-6
CS5-5 . . . 1×10^-5
CS5-6 . . . 2×10^-5
CS5-7 . . . 3×10^-5
CS5-8 . . . 4×10^-5
CS5-9 . . . 6×10^-5

Beispiel 30

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 5 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XXXIV gezeigt.

In Tabelle XXXIV hat X(6) die folgende Bedeutung:

CS6-1 . . . 1×10^-7
CS6-2 . . . 5×10^-7
CS6-3 . . . 1×10^-6
CS6-4 . . . 5×10^-6
CS6-5 . . . 1×10^-5
CS6-6 . . . 2×10^-5

Beispiel 31

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 6 gezeigten Schichtaufbau gebil det wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schichten gebil det werden, werden in Tabelle XXXV gezeigt.

In Tabelle XXXV hat X(7) die folgende Bedeutung:

CS7-1 . . . 1×10^-7
C57-2 . . . 5×10^-7
CS7-3 . . . 1×10^-6
CS7-4 . . . 5×10^-6
CS7-5 . . . 1×10^-5
CS7-6 . . . 2×10^-5
CS7-7 . . . 4×10^-5
CS7-8 . . . 8×10^-5
CS7-9 . . . 1×10^-4

Beispiel 32

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 7 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Dicken des Schichtbereichs (t_s, t₁) und des Schichtbereichs (t₁, t₂) als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXXVI gezeigt.

Unter Anwendung der erhaltenen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden auf Bildempfangs papieren durch Anwendung des gleichen Elektrofotografie verfahrens wie in Beispiel 25 wiederholt Tonerbilder erzeugt, wobei die in Tabelle XXXVII gezeigten Bewertungen erhalten wurden.

Tabelle XXXVII

Beispiel 33

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 2 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXXVIII gezeigt.

Beispiel 34

Auf Al-Zylindern wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 26 amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schicht aufbau gebildet. Dann wurden auf den amorphen Schichten unter den nachstehend gezeigten Bedingungen Oberflächen sperrschichten des Siliciumcarbidtyps gebildet. Die auf diese Weise hergestellten Proben wurden wiederholt dem in Beispiel 25 beschriebenen Elektrofotografieverfah ren unterzogen, wobei übertragene Tonerbilder erhalten wurden. Als Ergebnis wurde gefunden, daß auch das millionste übertragene Tonerbild eine sehr hohe Qualität hatte, die mit der Qualität des ersten übertragenen Tonerbilds vergleichbar war.

Eingesetzte Gase: CH₄
SiH₄/He = 10 : 250
Durchflußgeschwindigkeit: SiH₄ = 10 Norm-cm³/min
Verhältnis der Durchflußgeschwindigkeiten: CH₄/SiH₄ = 30
Schichtbildungsgeschwindigkeit: 0,084 nm/s
Entladungsleistung: 0,18 W/cm²
Substrattemperatur 250°C
Druck während der Reaktion: 0,67 mbar

Beispiel 35

Nach den gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie bei den Proben Nr. CS4-1 bis CS4-4, CS5-1 bis CS5-9, CS6-1 bis CS6-6 und CS7-1 bis CS7-9 der Beispiele 28 bis 31 wurden auf Al-Zylindern amorphe Schichten gebil det. Dann wurden auf den einzelnen amorphen Schichten nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 34 Oberflächensperrschichten des Siliciumcarbidtyps gebildet, wobei 28 Proben (Proben Nr. CS11-1 bis CS11-28) erhalten wurden. Alle Proben wurden zur wiederholten Erzeugung von Tonerbildern auf einzelnen, vorbestimmten Bildempfangspapieren dem in Beispiel 25 beschriebenen Elektrofotografieverfahren unterzogen, wobei auf allen Bildempfangspapieren Toner bilder mit einer hohen Qualität und einer hohen Auflösung erhalten werden konnten.

Beispiel 36

Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke wurden hergestellt, indem auf Al-Zylindern mittels der in Fig. 8 gezeigten Herstellungsvorrichtung amorphe Schichten mit dem in Fig. 3 gezeigten Schichtaufbau gebildet wurden, wobei die Gehalte des Bors (B) und des Kohlenstoffs (C) in den Schichten als Parameter verändert wurden. Die Herstellungsbedingungen für die einzelnen Schichtbereiche, aus denen die amorphen Schich ten gebildet werden, werden in Tabelle XXXIX gezeigt.

Claims

1. Fotoleitfähiges Element mit einem Träger und einer amor phen, fotoleitfähigen Schicht, die aus einem amorphen Material gebildet ist, das Siliciumatome als Matrix und mindestens eine aus Sauerstoffatomen, Kohlenstoffatomen und Stickstoff atomen ausgewählte Atomart und Atome eines zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Elements als am Aufbau betei ligte Atome enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht

- einen ersten Schichtbereich (103), in dem die minde stens aus Sauerstoffatomen, Kohlenstoffatomen und Stickstoff atomen ausgewählte Atomart als am Aufbau beteiligte Atome der art verteilt ist, daß ihre Konzentration in Richtung auf den Träger (101) höher ist, und
- einen zweiten Schichtbereich (104) aufweist, in dem die Atome des zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Elements als am Aufbau beteiligte Atome derart verteilt sind, daß ihre Konzentration in Richtung auf den Träger (101) höher ist.

2. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Schichtbereich (103) und der zweite Schichtbereich (104) mindestens einen Teil von sich gemeinsam haben.

3. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Schichtbereich (103) und der zweite Schichtbereich (104) im wesentlichen den gleichen Schichtbe reich bilden.

4. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der zweite Schichtbereich (104) im Inneren des ersten Schichtbereichs (103) vorliegt.

5. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Schichtbereich (103) im wesentlichen den gesamten Schichtbereich der amorphen Schicht einnimmt.

6. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der zweite Schichtbereich (104) im wesentlichen den gesamten Schichtbereich der amorphen Schicht einnimmt.

7. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß in dem ersten Schichtbereich (103) Sauerstoff atome und Stickstoffatome enthalten sind.

8. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß in dem ersten schichtbereich (103) Sauerstoff atome und Kohlenstoffatome enthalten sind.

9. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß in dem ersten Schichtbereich (103) Kohlenstoff atome und Stickstoffatome enthalten sind.

10. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß in dem ersten Schichtbereich (103) Sauer stoffatome, Stickstoffatome und Kohlenstoffatome enthalten sind.

11. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß in der amorphen Schicht Wasserstoffatome enthalten sind.

12. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß in der amorphen Schicht Halogenatome enthal ten sind.

13. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß in der amorphen Schicht Wasserstoffatome und Halogenatome enthalten sind.

14. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß es außerdem auf der amorphen Schicht eine Oberflächensperrschicht aufweist.

15. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 14, dadurch ge kennzeichnet, daß die Oberflächensperrschicht aus einem amor phen Material besteht, das Siliciumatome als Matrix sowie Koh lenstoffatome und/oder Stickstoffatome enthält.

16. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 15, dadurch ge kennzeichnet, daß die Oberflächensperrschicht zusätzlich Was serstoffatome enthält.

17. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 15, dadurch ge kennzeichnet, daß die Oberflächensperrschicht außerdem Halo genatome enthält.

18. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß es außerdem eine aus einem elektrisch iso lierenden Metalloxid gebildete weitere Oberflächenschicht auf weist.

19. Fotoleitfähiges Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß es außerdem eine aus einer elektrisch iso lierenden, organischen Verbindung gebildete weitere Oberflä chenschicht aufweist.