JPS5895876A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外元締、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する・ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材中原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）、ｌが高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングし九吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、ＪＩ！
には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易
に処理することができること尋の特性が賛求される・殊
に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内
に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の
使用時における無公害性は重壁な点である〇 この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと懺記す）があり
、例えば、独国公闘第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている・ 両生ら、従来のａ−８ｉで構成され九光導電層を有する
光導電部材は暗抵抗値、光感腋、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性、及び−一返し特性の点、更には
経時的安定性の点において、総合柄な特性向上を計る必
要があるという更に改良さｎる町き点が存するのが実情
である・ 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この棺の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。

叉σ例えは、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８ｉｉｊ、従来のＳｅ　、　ＯｄＳ　、　ＺｎＯ等の無
機光導電材料域いはＰＶＯｚやＴＮＦ　％の有機光導電
材料に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電
池用として使用するだめの特性が付与されｆｃａ−８ｉ
から成る単層構成の光導電層を有する電子写真用像形成
部材の上記光導電層に静電像形成のための帯電処理を施
しても暗減衰（ｄａｒｘ　ｄｅｃａｙ）が著しく速く、
通常の電子写真法が仲々適用され難いこと等、解決され
得るａＪき点か存在していることが判明している０史に
、ａ−８４材料で光導電層を構成する場合には、その電
気的、光導電的特性の改良を計る九めに、水素原子或い
は弗素原子中塩素原子郷のハロゲン原子、及び電気伝導
型の制御のために１素原子中燐原子等が或いはその他の
特性教員のために他の原子が、各々構成原子として光導
電層中に含有されるが、これ等の構成原子の富有の仕方
如何によりては、形成した層の電気的、光学的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。

坤ち、例えば形成し九光導電層中に光照射によって発生
したフォトキャリアの該層中での崎命が充分でないこと
、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の電気
的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫される
必要がある・本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので
、ａ−８ｉに就て電子写真用像形成部材中固体撮倫装置
、読取装置等に使用される光導電部材としての適用性と
その応用性という観点から総括的に鋭意研究検討を続け
た結果、シリコン原子を母体とし、水素原子（）Ｉ）又
はノ・ロゲン鳳子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含
有するアモルファス材料、所謂水素化アモルファスシリ
コン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲ
ン含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称
的表記としてｒａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から
構成される光導電層を有する光導電部材の層構成を特定
化する様に設計されて作成され次光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばか９でなく、従来の光導電部材
と較べてみてもあらゆる点において凌駕していること、
殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れ丸物性を
有していることを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が実質的に常時
安定しており、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際
しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く
又は殆んど観測されない光導電部材を提供することを主
たる目的とする。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させ九場合、静電像形成のための帯電処理の際の電荷保
持能が充分めｐ％通常の電子写真法が極めて有効に適用
され得る優れ九電子写真臀性會有する光導電部材を提供
することである。

本発明の更に他の目的は、凝度が＾く、ノ・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質−偉を得ること
が容易にできる電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気釣機触性を有する光
導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有
する非晶質材料〔鳳−８ｉ（Ｈ，Ｘ））で構成された、
光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材におい
て、前記非晶質層か構成原子として、層厚方向に不均一
で連続的な分布状態で炭素原子が含有されているη−′
１″遅枕１１’］な号亜迭慶で周期−声厘欣ｙｔ勇する
原子が含有されている第二の層領域とを有する◆ｔ−特
徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総て′ｋｐｓ決し得、
極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性及び使用環
境特性を示すＯ殊に、電子写真用像形成部材として適用
させた場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的特性が
安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するものであって
耐光疲労、繰返し使用特性に長け、＃［が高く、）・−
フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の可
視画像を得ることができる０ 以下、図面に従りて本発明の光導電部材に就て１細に睨
明する・ 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る０ 悪１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成る
光導電性を有する非晶質層１０２を有する。非晶質層１
０２　ｔｉｔ、構成原子として炭素原子１０４及び第二
の層領域１０４上に、第璽族原子が含有されてない表面
層領域１０５とから成る鳩構造を有する。第一の層領域
１０３に含有される炭素原子は該層領域１０３に於いて
層厚方向には連続的に分布し、その分布状態は不均一と
されるが、支持体１０１の表面に実質的に平行な方向に
は連続的に且つ実質的に均一に分布されるのか好ましい
ものである０ 第１図に示す光導電部材１００　ｔ′ｉ非晶質層１０２
０表面部分には第■族原子が含有されない層領域１０５
が設けであるが、該層領域１０５は必懺に応じて設けら
れるもので、本発明に於いては必須要件ではない。即ち
、例えば絽１図に於いて第１の層領域１０３と第二の層
領域１０４とが同じ層領域であっても良いし、又、第一
の層餉域１０３の中に第二の層領域１０４が設けられて
も良いものである０第二の層領域１０４中に含有される
纂１ｍ原子は、該層領域１０４に於いて層厚方向には連
続的に分布し、その分布状態は不均一であり、且つ支持
体１０１０表面に実質的に平行な方向には連続的に且つ
実質的に均一に分布されるのが好ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一０層領域には炭素
原子の含有によって高暗抵抗化と、非晶質層が直接設け
られる支持体との間の密着性の向上か重点的に計られて
いる。殊に、第１閣に示す光導電部材１００の様に非晶
質層１０２が炭素原子を含有する第一の層領域１０３、
菖■族篇子を含有する第二０層領域１０４、第■族原子
の含有されていない表面層領域１０５とを有し、纂−の
層領域１０３と第二０層領域１０４とが共有する層領域
を有する層構造の場合によ）良好な結果が得られる。

又、本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域１０
３に含有される炭素原子の骸層慣域１０３に於ける層厚
方向の分布状態Ｆｉ第１Ｋは級第−の層領域１０３の設
けられる支持体１０１又は他の層との密着性及び接触性
を良くする為に支持体１０１又は他の層との接合面仙の
方に分布績度が＾くなる様にされる。第２には、上記第
一の層領域１０３中に含有される炭素原子は、非晶質層
１０２の自由表１１１０６　＠からの光照射に対して、
表面層領域１０５の高感度化を計る為に自由表面１０６
側に於いて分布繊度が次第に減少され、自由表面１０６
に於いては分布一度が実質的に零となる様に第一の層領
域１０３中に含有されるのが好ましいものである・第二
の層領域１０４中に含有される第■族原子にありては、
非晶質層１０２の表面層領域１０５に該第■族腺子が含
有されない例の場合には、第二０層領域１０４と表面層
領域１０５との間の接合面での電気的接触性を滑らかに
する為に該表面層領域１０５肯に於いて、第二の層領域
１０４中の第■族原子の分布一度は表面層領域１０５と
の接合面方向に次第に減少され、販接合向に於いて実質
的に零となる様に第厘族原子の分布状態が形成されるの
が好ましいものである・ 本発明において、非ｇｉ層を構成する第二〇盾層領域中
官有される周期律表第■族に層する原子として使用され
″るのは、Ｂ　（、［）　、　Ａｔ　（アルミニウム）
　、　Ｇａ　（ガリウム）　、　Ｉｎ　（インジウム）
。

Ｔｊ　（タリウム）等であり、殊に好適に用いられるの
はＢ　、　Ｇａである。

本発明において、第二の層領域中に含有される第厘族原
子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、非晶質層を構成
するシリコン原子の量に対して、通常Ｆｉ　１〜１００
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは２＃５０　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には３〜２０ａｔａｎｉｃ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましいものである＠第一〇層領域中
に官有される枳１ｇ原子の量に就ても形成場れる光導電
部材に要求される特性に応じて所望に従りて適宜法めら
れるが、通常の場合、０．０１〜２９　ａｔｏｍｉｃｑ
ｋ　、好ましくは９．０２〜１０畠ｔｏｍｉｃｌＧ、敵
適には０．０３＃５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが埴ま
しいものである。

９２図乃至第９図の夫々には、本発明における光導電部
材の非晶質層中に含有される炭素原子及び嬉璽族原子の
層厚方向の分布状態の典型第２図乃至第ト毎図において
、横軸は炭素腺子又Ｆｉｇｌ族原子の含有績度Ｃを、縦
軸は光導電性を示す非晶質層の層厚方向を示し、指は支
持体側の表面の位置を、ｔ８は支持体仙とは反対側の表
面の位置を示す。結９、炭素原子及び第厘族原子の含有
される非晶質層はｔ、１ｌｉｌよりｔｓ備に向って層の
成長がなされる。

尚、横軸のスケールは、炭素原子と第１族鳳子とでは異
なっている。又、第２図乃至第９図に於イテ、実＠Ａ２
〜Ａ９、実＠Ｂ２〜Ｂ９　ｔｌｅＡＩ炭素原子の分布濃
度線、第■族原子の分布ａｌｌ＆−を示す。

第２図には、非晶質層中に含有される炭素原子及び第鳳
族原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第２１ｊＡＫ示す例では、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成り
先導電性を示す非晶質層（１，１Ｂ）　（１，からｔ、
までの全層領域）は、支持体側よ如炭素原子が分布＃ｆ
：０４ｑ、で、第璽族原子が分布濃度へ、で、層厚方向
に実質的に均一に分布している層領域（１１１，）（１
，とｔ、εの間の層領域）と、炭素原子の分布一度が分
布濃度へ〉１から実質的に零になるまで１型的に次第に
減少し且つ第厘族鳳子の分布凝！が分布論度Ｃ（２）□
から実質的に零になる筐で線型的に次第に減少している
層領域（１８も）とを有している。

第２図に示す例の様に非晶質層（１，１Ｂ）が支持体側
、設けら。、支４体８．ｉ他。、よ。接触−（１，に相
互）を有し、炭ｌＡ原子及び第１族原子の分布が均一で
める層領域（１１１Ｂ）を有する場合には、分布一度０
（至）１及び０，９□は、支持体或いは他の層との関係
に於いて所望に従って適宜法められるものであるが、０
（１）１の場合シリコン原子に対して通常の場合０．１
〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　。

好適には１〜４００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適に
は２〜２００ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）ｌ）ｍ　　とされ、０
（＠、の場合、シリ＝＋ｙｊ［子に対して通常は０．０
１〜３０ａｔｏｍｉｃチ、好適には０．０２＃２０　ａ
ｔｏｍｉｃｌＧ　、最適には０．０３−１０　ａｔｏｍ
ｉｃ９Ｇとされるのが望ましいものでめる。

層領域（”ｓ　ｔｌ　）　ｔｒｉ、主に高光感度化を計
る為に設けられるものであり、核層領域（１，１，）の
層厚は、炭素原子の分布濃度ＣｔＱ１及び第■族鳳子の
分布談度０（至）１．殊に分布濃度Ｃ（財）１との関係
に於いて適宜所望に従って決められる必要がある・ 本発明に於いて、非晶質層の表面層領域に設けられる層
領域（１８１１）の層厚としては、：Ａ？１１００Ｘ〜
１０μ、好適には２００Ｘ〜５声、最適には子の分布状
態を有する光導電部材に於いては高光感度化及び高暗抵
抗化を計り乍ら、支持体又は他の層との間の密着性と支
持体側よりの非晶質層中への電荷の阻止性をより向上さ
せるには、第２図に於いて一点鎖線員で示す様に非晶質
層の支持体＠光面（１Ｂの位置に相当）部分に於いて、
炭素原子の分布濃度を分布濃度０（ｑｌより、災に＾く
した層領域（１，１Ｂ）を設けるのが良いものである。

炭素原子が高濃度で分布している層領域（１２１１Ｉ）
に於ける炭素原子の分布濃度Ｃ陸としてはシリコン原子
に対して通常は、７０　ａｔｏｍｉｃ−以下。

好適には５０　ａｔｏｍｉｃ＄以下、最適には３０ａｔ
ｏｍｉｃ＊以−下とされるのが望ましいものである。炭
素原、子が高濃度で分布式れる層領域に於ける炭素原子
の分布状態は、第２図に一点鎖線鳳で示す様に層厚方向
に一定均一とされても良いし、直接接合される隣接層領
域との間の電気的接触を良好にする為に一点鎖ｆｆ１ｌ
ｂで示す様に、支持体側より、ある厚さまで一定値０ゆ
で、その後は、０＠１になるまで連続的に次第に減少す
る様にされても良い。

第二の層領域に含有される第厘族原子の該層領域に於け
る分布状態は、支持体側に於いて、分布濃度へ□て一定
値を維持した層領域〔層領域（ｔ、ｔＢ）に相互〕を有
する様にされるのが通常であるが、支持体側より非晶質
層への電荷の注入をより効率良く阻止する為には支持体
側に第２図に１点鎖線Ｃで示す様に第■族原子が＾ｔう 繊度で分布する層領域”（＼１．）を設けるのが望まし
いものである。

本発明に於いては、層領域（１，１，）は位置１１より
５ｉ以内に設けられるのが好ましい。層領域（１，１，
）は、位置ｔＢよ）５μ厚までの全層領域ＬＴとされて
も良いし、又、層領域ＬＴの一部として設けられても良
い・ 層領域（１ｓ１．　）を層領域Ｌ１の一部とするが又は
全部とするかは、形成される非晶質層に要求される電性
に従って適宜法められる０ 層領域（’ｓ　４ｍ）はその中に含有される第厘族原子
の層厚方向の分布状態として第璽族原子の含有量分布値
（分布濃度１１）の最大Ｏｍａｘがシリコン原子に対し
て通常はｓｏ　ａｔｏｍｔｃ　ｐｐｍ以上、好適には８
０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、最適には１００　ｍｔａｎ
ｎｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となシ得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、第■族原子の含有される第二
の層領域は、支持体側からの層厚で５μ以内（１Ｂから
５μ厚の層領域）に含有量分布の最大値Ｇｎａｘが存在
する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、炭素原子が高ａ度に分布している層領
域（１，１Ｂ）の層厚及び第■族原子が高一度に分布し
ている層領域（１，１Ｂ）の層厚は、これ等の層領域に
含有される炭素原子或いは第１族原子の含有量及び含有
分布状態に応じて所望に従って適宜決定され、通常の場
合、５０Ａ〜ｓ　ｐｇ　、　好１ｉｓｃｕ　ｔｏｏｌ　
〜２μ、最適ニＦｉ２ｏｏＸ〜５０００人とされるのが
望ましいものである・纂３図に示される例は、基本的に
は第２図に示し九例と同様であるが、異なる点は、第２
図の例の場合にはｔ、の位置よシ炭素原子の分布濃度も
第鳳族原子の分布濃度も共に減少が始−一。

位ｇｔ、に到９て実質的に零になっているのに対して、
第３図の係りの場合には、実［Ａ３で示す様に炭素原子
の分布１１１度はｔ、の位置より、実１１ｉ１８３で示
す様に第Ｉ族原子の分布８度にｔｌの位置よシ、夫々減
少が始まり、ｔ、の位置に於いて、両者共に実質的に零
ｖＣなっていることであるＯ 坤ち、炭素原子の含有されている第一〇層領域（１，１
，）は分布濃度Ｃ，）、で実質的に均一に分布されてい
る層領域（１，１，）と位置ｔ、より分布績［０（２）
１から実質的に零に到るまで線型的に次第に減少してい
る層領域（１，１，）とで構成されている。

第厘族原子の含有される第二０層領域（１，１，）は、
分布績［Ｃ，，１で実質的に均一に分布されている層領
域（１１１Ｂ）と、位置ｔ１よシ分布纜直０（至）１か
ら実質的に零に到るまで線型的に次＾に減少、している
層領域（１，１１）とで構成されている・ 第４図に示す？１１は、第３図に示す例の変形例でるっ
て、炭素原子が分布濃度０４Ｇ＞１　テ均−分布で貧有
されている層領域（１，１Ｂ）中に、第麗族庫子か分布
ｍｌ　ｆ　Ｏ（１，で均一分布で含有されていｂ層領域
（１，１Ｂ）が設けら杆である点を除けば、８１３図に
示す場合と同様である０ １ｓ５図に示す例は、第１族原子が一定の分布濃度が均
一分布で含有されている層領域を２つ有する場合である
。

第５図に示す例の非晶質層は、支持体側より炭素原子と
第菖族原子との両方が含有されている層領域（１，１Ｂ
）と、該層領域（１２１Ｂ）上に第１族鳳子は含有され
ているが炭素原子は含有されてない層領域（１，１，）
とで構成されている。

そして、炭素原子の含有されている層領域（１゜ｔＢ）
は、分布＊１０（１）、で層厚方向に実質的に均一に分
布されている層領域（１４１Ｂ）と、分布濃度０＠、よ
り次第にｆｍ製的に減少されて実質的に零に到っている
層領域（１，１４）とで構成されてｉる。

層領域（ｔ、　ｔ、）　Ｆｉ、支持体側から第厘族原子
が分布＃ｌｔＬＯ１ｘ１ｍで実質的に均一分布している
層領域（ｔｌｔｌ）、分布績［０４ＸＪ、から分布濃度
Ｃ（至）。

まで＊型的に連続減少して分布している層領域（ｔｓ　
ｔｌ）　＊分布濃度０（Ｉｌ）、で実質的に均一分布し
ている層領域（１に１．）　＠及び分布濃度Ｃ都から線
型的に連続減少して分布している層領域（１゜１１）と
が積層された層構成を有している０第６図は、第５図に
示す例の変形例が示される・ 第６図に示す例の場合には、炭素原子と第■族原子とが
夫々、分布ａｍＯ，８，Ｏ（至）、で均一分布している
層領域（ｔ４Ｓ、）と、炭素原子が分布濃度Ｏ４ｃ、１
から線型的に次第に減少されて実質的に零に到っている
層領域（１，１４）中に、ＩｉＩ型的に減少する分布状
態で第鳳族原子が含有されている層領域（１，１，）と
分布１１１度Ｃ（２）、で実質的に均一分布状態で第■
族原子が含有されている層領域（１，１，）とが設けら
れている６層領域（１，１，）の上には、炭素原子が実
質的に含有されてない層領域（１，１，）が設けられ、
層領域（１，１２）は、第鳳族原子が分布濃度０（ＩＤ
で均一に含有されている層領域（１，１２）と、分布一
度０（至）、から次第に減少する状態で第璽族原子が含
有されている層領域（１，１，）とで構成されている。

第７図には、非晶質層〔層領域（１，１，）　）の全領
域に第■族原子が含有され、表面位置１．に於いても分
布濃度０（至）、で第１族原子が含有されている例が示
されるＯ 炭素原子の含有される層領域（１，１，）は、実線λ７
で示す様に、分布濃度０゜１で均一分布状態で炭ｌＡ原
子が含有されている層領域（１，１Ｂ）と、分布１１度
ＯＱ、から次第に減少されて零に到る分布状態で炭素原
子が含有されている層領域（１，１，）とを有する。

非晶質層中に於ける第菖族原子の分布は、実、＠８７で
示される０即ち、第１ｙｃ原子の含有される層領域（１
，１，）は、分布１１１１度０（至）１で均一に纂膳族
原子が分布されている層領域（１，１，）と、分布績［
０（至）１と分布ａｇｏ、）、との間の第鳳族原子の分
布変化を連続させる為に、これ等の分布濃度間で線型的
に連続的に変化している分布状態で第■族摩子が含有さ
れている層領域（１，１，）とを有する。

第８図には、第７図に示す、例の変形例が示される。

非晶質層の全領域には、実線へ８及び実、１ｉＢ８で示
す様に、夫々、炭素原子及び第鳳族原子が含有されてお
り、層領域（１，１，）に於いては、１ｉ！、素原子が
分布濃度０ム、で、第１族原子が分布濃度０．１で夫々
、均一な分布状態で含有されており、層領域（１，１１
）に於いては、第鳳族原子が分布濃度０゜、の均一な分
布状態で含有されている。

炭素原子は、実線Ａ８で示される弾に層領域（１，１，
）に於いて、支持体餉より分布一度Ｃｔｄｌから線型的
に次第に減少されて位置ｔ１に於いて実質的に零になる
様に含有されている０層領域（１，１，）では、第鳳族
原子が分布１ｉＩｔＬ０（至）１から分布濃度０゜、に
到るまで徐々に減少する分布状態で含有されている◎ 纂９図に示す例に於いては、炭素原子、第１族腺子のい
ずれもが、連続的に分布する層ψ域に於いて不均一な分
布状態で含有され、炭素原子の含有されている層領域（
１，１，）中に第■族腺子が含有されている層領域（１
１１Ｂ）が設けられている。

そして、層領域（１，１，）に於いては、炭素原子が分
布績ｇｏ、１で、第１Ｔｉｃ原子か分布濃度０（至）１
で、夫々一定の分布酸度で実質的に均一に含有されて２
９、層領域（１，１，）では炭素原子及び第鳳族鳳子が
夫々層の成長に併せて次第に分布一度を減少する様に含
有され、第璽族鳳子ρ場合には、位置ｔ１に於いて分布
皺度が実質上塔とされている。

炭素原子は、第厘族原子の含有されてない層領域（１，
１１）に於いて線型的な減少分布状態を形成する様に含
有され、ｔ８に於いてその分布状ＩＩＡが実質的に零と
されている６ 以上、第２図乃至第９図により、非晶質層中に含有され
る炭素原子及び第菖族原子の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明し友が、第３図乃至第９図の場合にお
いても、ＷＪ２図の場合に説明したのと同様に支持体−
に、炭１ｇ腺子又は第１族原子の含有１１１度Ｃの高い
部分を、表面ｔ、側には、含有濃度０が支持体側に較べ
て可成り低くされた部分を有する分布状態が形成され九
層領域を設けても良いものである。

本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙けられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙けることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオングレーティング法等の放電現象を利
用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー放
電法によって、ａ−８ｉ（）ｌ、Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、基本的にはシリコン原子（８ｉ）
を供給し得る８ｉ供給用の原料ガスと共に、水素原子（
Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置
されである所定の支持体表向上にａ−８１（Ｈ，Ｘ）か
らなる層を形成させれば良い・又、スパッタリング法で
形成する場合には、例えはムｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとじ九混合ガスの零囲気中で８
ｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際、水
嵩原子（Ｈ）又Ｆｉ／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれは良い
。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスとして
は、８ｉＨ，，８ｉ１Ｈ，、８ｉ、Ｈ，、Ｓｉ’４Ｈ，
６等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙けられ、殊に、層
作成作業の扱い易さ、８ｉ供給効率の良さ等の点でＳｉ
Ｈ４，８ｉ１Ｈ，が好ましいものとして挙けられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なの社、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙けられる
◎又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成豊
木とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む硅素化合物も有効なものとして本発明においては挙
げることが出来る・本発明において好適に使用し得るハ
ロゲン化合物としては、具体的には、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のへ〇ゲンガス、ＢｒＦ　、　ＯＩＦ　、　
ＯＩＦ、。

ＢｒＦｌ　、　ＢｒＦ、　、　ＩＰ、　、　ＩＦ、　、
　ＩＯｊ　、　ＩＢｒ　％の／１１　Ｃ１７７間化合物
を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所騙、ハロゲン原子で
置換さ扛たシラン誘導体としては、具体的には例えば”
％Ｆ４　＊　ｉｔ　ｔ　Ｆ＠　、　８　ｋ　Ｏｊ４　＊
　８１Ｂｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして
挙けることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、８ｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−ｓｉ
：ｘから成る非晶質電層を形成する事が出来る・ グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層を
製造する場合、基本的には、８ｉ供給用の原料ガスであ
るハロゲン化硅素ガスとＡｒ。

Ｈｌ　、　Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによつて、所定の支持体上に非晶質層を形成し
得るものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等の
ガスに更に水嵩原子を含む硅素化合物のガスも所定蓋混
合して層形成しても良い。

又、各ガスは単一種のみでなく所定の混合比で複数槽混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依りてａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層を形成す
るには、例えはスパッタリング法の場合にｕ　Ｓ　ｉか
ら成るターゲラ）１−使用して、これを所定のガスプラ
ズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティン
グ法の場合には、を抵抗加熱法、或いはエレクトロンと
一ム法（ＢＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を
所定のガスプラズマ１＃１気中を通過させる事で行う拳
が出来る。

コノ際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲンぷ子
を含む妓嵩化合物ノカスヲ堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである・又、
水素原子を導入する場合には、水嵩原子導入用の原料ガ
ス、例えば、Ｈｌ、或いは前記し九シラン類等のガスを
スパッタリング用の層積意中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良い＠ 本発明においては、−ハロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、　ｍ”　、　Ｈｏｔ　。

ＨＢｒ　、　Ｈｌ等のへ〇ゲン化水−素、８ｉＨ１Ｆ１
　、　ＳｉＨ，Ｉ、　。

８！Ｈ，Ｏｔｌ　、　８１ｋｉＤ！、　、　８ｉＨ，Ｂ
ｒｌ　、　８ｉＨＢｒ、等のハロゲン置換水嵩化硅素、
等々のガス状態の或いはガス化し得る、水ｌＡ原子を構
成−１２素の１つとするハロゲン化物も有効な非晶質層
形成用の出発物質として挙ける事が出来る・ これ勢の水嵩原子を含むクロゲン化物は、非晶質層形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは
光電的特性の制御に極めて有効な水嵩原子も導入される
ので、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料と
して使用される。

水素原子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記の
他にＨ３、或いは８ｉＨ４，８ｉ１Ｈ，、８４，Ｈ，。

５ｉ４Ｈ，勢の水素化硅素のガスをＳｉを供給する為の
シリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う拳が出来る◎ 例えば、反応スパッタリング法の場合には、８ｉターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ零囲気を形成し、前記Ｓｔメタ
−ットをスパッタリングする事によって、基板上にａ−
８ｉ’（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢｔＨｓ等のガス
を導入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
貧有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）
の菫又は水嵩原子とハロゲン原子の量の和は通常の場合
１〜４０　ａｔｏｍｉｃｌｇ、好適には５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃＩｓとされるのが望ましい・非晶質層中に含有
される水嵩原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の
菫を制御するには、例えば支持体温度又Ｆｉ／及び水ｌ
Ａ原子（ｉ（）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させ
る為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量
、放電七力勢を制御してやれば良い。

本発明に於て、非晶質層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所關稀ガス、例えはＨｅ　、Ｎｅ　。

Ａｒ等が好適なものとして挙けることが出来る・非晶質
層中に炭素原子及び周期律表第璽族原子を導入して、第
一の層領域及び第二の層領域を形成するには、グロー放
電法や反応スパッタ或いは両出発物質を前記した非晶質
層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
そＯＪｉを制御し乍ら含有してやる事によって成される
・ 非晶質層を構成する第一の層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、第１０層領域形成用の原料ガ
スとなる出発物質としては、前記し九非晶質層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択された４のに炭素原
子導入用の出発物質が加えられる。その様な炭素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも炭素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガン化し得る物質をガス化し
た奄のの中の大概のものが使用され得る。

例えはシリコン原子（８ｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必１
１’に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子＜Ｘ
＞を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、炭素原子（０）及び水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ　）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、　炭素
原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することが出来る◎又、別に
は、シリコン原子（８ｉ　）と水素原子（１１）とを構
成原子とする原料ガスに炭素原子（０）を構成原子とす
る原材ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に
使用される出発物質としては０とＨとを構成原子とする
、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５の
エチレ／系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化
水素等が挙げられる。

異体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＯＨ４）、
　−Ｃタフ　（ＯｔＨｓ）、プロパン（ＣｍＨａ）、　
　ｎ　−ブタン（ｎ−０４Ｈ，。）、べブタン（０，Ｈ
□）、′エチレン系炭化水素としては、エチレン（ＯＪ
Ｌ　）＋　　プロピレン（０，Ｈ，）、　　ブテン−１
（ＯｔＨａ）、　　ブチ／−２（ＯａＨａ）−イソブチ
レン（０４Ｈａ　）−ペンテン（０＊Ｈ１ａ）。

アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（０ｔＨｔ
　）＝　　メチルアセチレン（０，Ｈ，）、ブチン（ｏ
、ｉ−ｔ、）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＯＨｎ）ａ　−Ｓｊ　（０ｘＨｓ）ａ等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る。

スパッターリング法によって、炭素原子を含有する第一
の層領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８ｉウエ
ーハー又はＣウェーハー、又は８ｉとＣが混合されて含
有されているウェーノー−をターゲットとして、これ等
を種々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによ
って行えば良い。

例えば％ａｉＳｉウェーハーーゲットとして使用すれば
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズ々を形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
は８ｉと００混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、スパッター用のガスとしての稀釈ガスの雰ｄ
気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパッターリングすることによって成される。炭素原子
導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で
示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガスが、ス
パッターリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。

本発明に於いて、非晶質層を構成する第一〇属領埴中に
は、前述し皮様に炭素原子が含有されるものであるが、
更に炭素原子と同様の目的で炭１ｇ原子と同様の含有手
法に従って酸素原子又は窒素原子の少なくとも１つを含
有させても喪い。

酸素原子或込は窒素原子導入用の原料ガスに成り得るも
のとして有効に使用される出発物質として異体的には、
例えば、酸素（偽）、オゾン（Ｏｓ　）、−酸化炭素（
００）、二酸化炭素（Ｃｏｔ）、　−酸化窒素（ＮＯ）
、二酸化窒素（ＮＯ，）、−二酸化窒素（ＮヨＯ）、三
二酸化窒素（Ｎｍ９ｍ）−四二酸化窒素（Ｎ＊Ｏａ）、
三二酸化窒素（Ｎ、０．）、三酸化窒素（ＮＯ，）。

８ｉとＯとＨとを構成原子とする１例えばジシロキ？　
：／　Ｈ１Ｓｉ０８ｉＨ３、）　’）　Ｖ　ａ　＊　？
　ｙＨ，８；０８ｉＨ，０８ｉＨ。

等の低級シロキサン、Ｎを構成原子とする例えば窒素（
Ｎｆ）　、或いはＮとＨとを構成原子とするガス状の又
はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合
物２等を挙げることが出来るＯ 又、非晶質層を構成する第一〇層領域をスパッターリン
グ法で形成する場合には、Ｓｉｎ、、　Ｓｉ、Ｎ。

のいずれか又はこれ等の混合されたものをターゲットと
して使用するか、又は８ｉとＳｉｎ、、又は８　ｉ　、
Ｎ、の混合され九もの、或いは８ｉと８ｉ０．と８ｉ、
Ｎ。

とが混合されたものをターゲットとして使用することに
よって、第二の層領域中に酸素原子。

窒素原子のいずれか一方を少なくとも含有させることが
出来る。

謎に、ターゲットとしては、０と８ｉ０．、又は８ｉ、
Ｎ、　との混合されたもの・、或いは０とＳｉＯシ８３
、Ｎ、とが混合され九ものに使用することが出来る０ 非晶質層を構成する第二の層領域を形成す５るには、前
述した非晶質層の形成の際に前記した非晶質層形成用と
なる原料ガスと共に、第厘族原子導入用となるガス状態
の又はガス化し得る出発物質をガス状態で非晶質層作成
の為の真空堆積室中に導入してやれば良い本のである。

第二の層領域に導入される第璽族原子の含有量は、堆積
室中に流入される第履族原子導入用の出発物質のガス流
量、ガス流量比、放電パワー等を制御することによって
任意に制御され得るＯ 第菖族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、Ｂ、Ｈ
６，Ｂ、Ｈ，、、ＢＰ、　、　Ｂ、Ｈ，、、Ｂ６Ｈ，。

。 Ｂ＠Ｈｓｔ　−ＢＪ（＋４等の水素化硼素、ＢＰ、、　
ＢＯ／、、　ＢＢｒ。

等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ１０／
ｓ、　Ｇａｐ？、、　Ｇａ（ＯＨ，）１　、　Ｉｎｋ／
、　、　Ｔｌ０Ｉ、等４挙げることが出来る。

本発明に於いて遷移層領域（炭素原子又は第履族原子の
いずれかの分布濃度が層厚方向に変化している層領域）
の形成は分布濃度を変化させるべき成分を含有するガス
の流量を適宜変化させることによ秒達成される。例えば
手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかＯ方法により、ガス流路系の途中に設けられた所定
のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を哲えは
良い。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく
、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変
化率曲線に従りて流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。

非晶質層作成の際遷移層領域と他の層領域との境界にお
いてプラズマ状態は維持されても、中断されても膜の特
性上には何ら影響を及ぼさないが、連続的に行うのが管
理上も好ましい〇非晶質層の層厚は、非層質層中で発生
されるフォトキャリアが効率良く輸送される様に所望に
従りて適宜法められ、通常は′％　３〜１００／Ｊ　＊
好適には％　５〜５０４とされる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎｉ０ｒ、ステンレス。

Ａｊ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、　
Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属又はこれらの合金が挙げられる○
　　　゛電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーｌネート、セルローズアセテート
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ピ尊すデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、諌導電逃理された表面側に他の層が設けられ
るの゛が望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ０ｒ。

Ａｊ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ。

Ｉｎ、０３　、　ＳｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ、０．＋　８
ｎＯ，）等からなる薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、　Ｎｉ０ｒ、Ａｊ、Ａｇ、Ｐｂ、　Ｚ
ｎ、Ｎｉ　、Ａｕ。

Ｏｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｉ等の金
属の薄膜を真９！蒸着、電子ビーム蒸着、スバ、タリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表ｌｍをラ
ミネート処理して、その表面に導電性が付与される。支
持体の形状としては円筒状、ベルト状、板状等任意の形
状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例
えば、第１図の光電導部材１００を電子写真用像形成部
１材として使用するのであれば連続高速複写の場合にＦ
ｉ、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さ＃−ｊ％所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての横能が充分発揮され兎範
囲内であれば可能な限り薄くされる。両年ら、この様な
場合支持体の製造上及び堆扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、１０μ以上とされるう 本ｌｉ明の光導電部材においては、非晶質層上に、＃非
晶質層中への自由表面側からの電荷の注入を阻止する働
きのある、所謂障檀層といわれる表面層を設けるのが好
ましい。非晶質層上に設けらｎる上部層は、シリコン原
子を母体とし、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）の中か
ら選択される原子の少なくとも一種と、必要に応じて水
素原子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを
含む非晶質材料〈これらを総称してａ　（８ｔ　１（Ｃ
ｅ　Ｎ）、−ｘ　）　（Ｈｅ　Ｘ）ｒｙ　と表記する（
但し。

０く菫＜１．０＜ｙ＜１）＞又は、電気絶縁性の金属酸
化物或は電気絶縁性の有機化合物で構成される。

本発明において、上部１−中に含有されるノ・ロゲン原
子（Ｘ）として好適なのはＦ　、Ｃ４，Ｂｙ、　１であ
り、殊にＦ、Ｃｄ、が望ましいものである０上記表面層
を構成する非晶質材料として有効に使用されるものとし
て具体的には、例えば。

炭素系の非晶質材料としてａ−８輸Ｃ）−１゜’　−（
ＳｌｂＣｒｂ）ＣＨｌ−Ｃｅ　　”　　（８１ｄＣ＋−
ｄ）ｅＸｔ　　ｅ　　。

ａ　（８１ｆＣ，−ｆ）ｇ（Ｈ＋Ｘ）＋　−ｇ　ｅ　　
窒素系の非晶質材料としてａ　８１ｈＨｉ−ｈ　ｅ　ａ
　（８ｊｉＮｔ−ｉ）ｊＨｔ−ｊ　ｅａ−（８１ｈＮ１
−ｈ）ＪＸｒ４　　、　　ａ−（８１ｍＮＩ−ｆｆＩ）
ｎ（Ｈ＋Ｘ）、−！１゜等、更には、上記の非晶質材料
において、Ｃ及びＮの２種の原子を構成原子として含む
非晶質材料を挙げることが出来る（但しｓｏ＜”ｅｂｐ
’　ｅ　’　＊　”　９　’　Ｉ　’　Ｉ　ｂｔム＊　
ｊ　＊　ｋ−ｊ−□、。く１）。

これらの非晶質材料は層構成の最適化設計に依る表面層
に要求される特性及び該表面層と接触して設けられる非
晶質層との連続的作成の容品さ等によりて適宜鍛適なも
のが選択されるＯ殊に特性面からすれば、炭素系の非晶
質材料を選択するのがより好ましいものである。

表面ｍ’を上記の非晶質材料で構成する場合の層形成法
としてはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイ
ンプランテーション法、イオンブレーティング法、エレ
クトロンビーム法等によって成される。

表面層を前記の非晶質材料で構成する場合には、その要
求される特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。

即ち、　８ｉと、Ｃ，Ｎの中の少なくとも１つ及び必要
に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする物質社その作
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形ａｔ−取り、電気物性的には導電性から半導電性、絶
縁性までの間の性質を、父、光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を、各々示すので、本発明におい
ては、少なくとも可視光領域において非光導電性であっ
て暗抵抗の高いところの非晶質材料が形成される様に、
その作成条件の選択が厳密に成される。

表面層に含有さｎる炭素原子、窒素原子及び水素原子、
ハロゲン原子の量は、表面層の作成条件と同様、所望の
特性が得られる上部層が形成される重要な因子である。

表面層をａ−８ｊ　＠Ｃ１−ａで構成する場合にＦｉ炭
素原子の含有量は、シリコン原子に対して通常は６０〜
９０　ｍｔｏｍｌｃ　％　、好適にＶ１６５〜８０　ａ
　ｔｏｍｉｃ　％　。

蛾適には７０〜７５　ａｔｏｍｉｃ　％　、　　ａの表
示で＃ｉ０．１〜０，４．好適には０．２〜０．３５．
最適には０．２５〜０．３とされ、　　ａ−（５ＨｂＣ
，−ｂ、）ｃＨｚ−ｃで構成する場食合には、炭素原子
の含有量は、通常３０〜９０ｉｔｏｍｌｃ　％　、好適
Ｋ　ｒｊ４０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　、　最Ｊ　Ｋ
　１ｊ５０〜８０ａｔｏｍｉｃ％、　　水素原子の含有
量としては、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ嗟、　　好適
には２〜３５ａｔｏｍｉｃ　’４　、最適には５〜３０
　ａｔｏｍｉｃ　％　、　ｂ　、　ｃの表示で示せば、
ｂが通常は０．１〜０．５．好適には０．１〜０．３５
　、最適には０．１５〜０．３　、　Ｃ−＃通常は０．
６０〜０．９９　、好適には０．６５〜Ｇ、９５　、最
適には０．７〜０．９５とされ、ａ　−（８ｉｄ０１−
ｄ　）ｅＸｌ−ｅ　　又は、ａ−（５ｉｆＯｔ−ｆ　）
ｇ　（Ｈ＋Ｘ　）ｔ−ｇで構成される場合には、縦索原
子の含有量は通常は４０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　−。

好適には５０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　　、　鰻適に
は６０〜８０　ａｔｏｍｉｃ　％　、ハロゲン原子又は
ハロゲン原子と水素原子とを併せ死金有量は通常は１〜
２０ａｔｏｒｎｉｃ　％　、好適には１〜１８　ａｔｏ
ｍｉｃ　％　、最適には２〜ｌ　５　ａｔｏｍｉｃ　％
とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場
合の水素原子の含有量は通常は１９　ａｔｏｍｉｃ’ｌ
ｌ以下、好適には１３ａｔｏｍｉｃ　％以下とさｔ’Ｌ
　＠　ｄ　ｐ　ｅ−ｐ　ｆ　ｐ　ｇ　Ｑ　表示テは、ｄ
、ｆが通常は０．１〜０．４７．好適に社０．１〜０．
３５．最適には０．１５〜０．３　、　ｅ　、　ｇが通
常線０．８〜０．９９．好適には０．８５〜０．９９゜
最適には０．８５〜０．９８とされる。

表面層を窒素系の非晶質材料で構成する場合、はシリコ
ン原子に対して通常は４３−６０　ａｔｏｍｉｃ　％。

好適には４３〜５０　ａｔｏｍｉｃ９Ｇ　、　ｈの表示
では通常は０．４３〜Ｏ，ＳＯ，好適には０，４３〜０
．５０とされる。

ａ　　（ＳｉｉＮｌ−ｉ　）ｊＨｔ−ｊで構成する場合
には、１素原子含有量としては、通常線２５〜５５　ａ
ｔｏｍｉｃ　−。

好適には３５〜５５　ａｔ（２）ｔｃ　＊　ｅ水素原子
の含有量としては、通常２〜３５　ａｔｏｍｉｃ　％　
、好適には５〜３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｓとされ、’ｅ
Ｊで表示すれば１１としては通常０．４３〜０，６．好
適には０．４３’〜０．５．ｊとしては通常０．６５〜
０．９８．好適には０．７〜０．９５とされ、ａ　−（
８ｉｋＮｘ−ｋＭＸｌ−ｊ又はａ　−（５１ｍＮ１−ｍ
　）　ｎ（Ｈ十Ｘ　）　１−ｎで構成する場合には窒素
原子の含有量は、通常３０〜６　Ｑ　ａｔｏｍｉｃチ、
好適には４０〜６０ａｔｏｍｉＣ９ｇ　、ハロゲン原子
又は、ハロゲン原子と水素原子とを併せた含有量は、通
常１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％　、好適には２〜１５ａｔ
ｏｍｉｃ−とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含
有される場合の水素原子の含有量は通常はｌ　９　ａｔ
ｏｍｉｃ％以下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ＄以下と
され、ｋ　、　ｊ　、　ｍ　、　ｎの表示でＩｄ、に、
１が通常は０．４３〜０．６０．好適には０．４３〜０
．４９゜ＩＩＩ　、　ｆｌが通常は０．８〜０．９９．
好適には０．８５〜０．９８とされるワ 表面層を構成する電気絶縁性の金属酸化物とＭｇＯ、等
が好ましいものとして挙げることが出来る０これ等は２
種以上を併用して表面層を形成しても良いものである。

電気絶縁性の金属酸化物で構成される表面層の形成は、
真空蒸着法、ＣＶＤ　（ａｈｅｍｉｃ履Ｊ、ｖａｐｏｕ
ｒｄ＠ｐｏｓ口ｉ・口）法、グロー放電分鱗法、スパッ
ターン リング法、イオンイプランテーシ璽ン法、イオハ ンプレーティング法、エレクトロンビーム法等によりて
成されるっ 表面層の厚層の数値範１Ｌその目的を効果的に達成する
為の重要な因子の１つであろう表面層の１厚が充分過ぎ
る程に薄いと１表面層の表面の側からの非晶質層中の電
荷の流入を阻市する働きが充分果し得なくなり、又、充
分過ぎる種以上に軍いと、光照射によって非晶質層中に
おいて生ずるフォトキャリアと表面層表面にある電荷と
の結合の確率が極めて小さくなり、従って、いずれの場
合にも１表面ｌＩヲ設ける目的を効果的に達成され得な
くなる。

上記の点に鑑みて表面層を設ける目的を効果的に達成す
る為の表面層の層厚としては、通常の場合、３０五〜５
μ、好適には５０五〜１μとされるのが望ましい本ので
ある。

次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法について説明する。

第１０図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示す。

図中の１００２，１００３，１００４　のガスボンベに
は、稀釈された８ｉＨ，ガス（純度９９．９９９　＊　
、以下８　ｔ　Ｈ４／　Ｈｅと略す０）ボンベ、　１０
０３はＨｅで稀釈さｎ九Ｂ、Ｈ，ガス（純［’９９．９
９９　％　、以下Ｂｘｉｓ　／　Ｈａと略す。　）ボン
ベ、　　１００４．１００５はＣＨ，ガス（純［９９，
９９％）ボンへｈ　　１００６　ｉｊ　Ｈｅで稀釈さｎ
た８＋Ｆ、ガス（純度９９．９９９　％　、以下８ｉＦ
、／Ｈａと略す。）ボンベである。

これらのガスを反応室１００１に流入させるにはガスボ
ンベ１００２〜１００６のパルプ１０２２〜１０２６　
、リークパルプ１０３５が夫々閉じらｎていることを確
認し、又、流入パルプ１０１２〜１０１６　、流出パル
プ１０１７〜１０２１、補助パルプ１０３２　、１０３
３が開かれていることを確認して先ずメインパルプ１０
３４　　？開いて反応室１００１　、及びガス配管内を
排気する。

た時点で補助バルブ１０３２　、１０３３　、流出パル
プ場合の一例を挙げると、ガスボンベ１００２　より８
ｉＨ番／）ｋガス、ガスボンベ１００３よりＢｔＨｓ／
　Ｈｅガスを、ガスボンベ１００５よりＣＨ，ガスを夫
々パルプ１０２２　、１０２３　、１０２５を開いて出
口圧ゲージて、マスフロコントローラ１００７　、１０
０８　、１０１０夫々のガスを反応室１００１に流入さ
せる。このときの８　ｉ　ＨｊＨｅガス流量とＢ、Ｈ・
／Ｈ４！　　ガス流量とＣＨ４ガス流量との比が所望の
値になるように流出パルプ１０１７　、１０１８　、１
０２０　を調整し、又、反応室内の圧力が所望の値にな
るように真空計１０３６が加熱ヒーター１０３８により
５０〜４００℃　の温度に設定されていることが確認さ
ｆＬ喪後、電源１０４０　ｋ所望の電力に設定して反応
室１００１内びＣＨ４ガスの流量を夫々手動あるいは外
部駆動モータ等の方法によってパルプ１０１８及び１０
２０會漸次変化させる操作を行なって形成さｎる層中に
含有されるＢ等の第１族原子及び炭素原子の含有濃度音
制御°する。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプ社
会て閉じることは言うまでもなく、父、夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室１００１内
、流出パルプ１０１７〜１０２１から反応室１００１内
に至る配管内に残留することを避けるために、流出バル
ブ１０１７′〜１０２１を閉じ、補助バルブ１０３２　
、１０３３を開いてメインパルプ１０３４を全開して系
内金一旦高真空に排気する操作を必要に戯じて行なう。

父１層形成を行なっている間紘層計成の均一化を計るた
め基体シリンダー１０３７　ｉｆモータ１０３９　Ｋよ
り一定速蜜で回転させる０以下実施例について説明する
。

実権例１ 第１０図に示した製造装置を用い硼素（Ｂ）及び炭素（
Ｃ）の層中の含有量をノくラメータとしてＡＩフシリン
ダ上第２図に示す一構成を有する非晶質層の形成を行な
って電子４真用１象形成部材を作製した。このときの共
通の作製条件は、第素の含有量Ｃ（α）、とを夫々示し
得られた各試料の評価結果を示す。

作製した電子写真用像形成部材は、帯電−儂露光一　現
像−転写までの一連の電子写真プロセスを経て転写紙上
に顕ｆ象化されたＩｉｉ偉の〔濃度〕〔解儂力〕〔階調
再現性〕等の優劣をもって４合的に評価した。

第　　１　　表 実施例２ 第１０図に示した製造装置を用い、硼＊（Ｂ）及び炭素
（０）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｊフシリ
ンダ上第３図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
なって、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶質
層を構成する各層領域の作成条件を下記第３表に示した
。

得られた電子写真用像形成部材を用いて％実施例１と同
様に鬼子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像
を繰返し形成し友ところ。

安定して高品質のトナー転写画像を得ることが出来た。

第　　３１１ 放電層ＩＩ−：ＩＬ５ａＭＨｚ 実施例３ 第１０図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び畿＊
（０）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｊクシリ
ンダ上第４図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
なって、電子写真用像形成部材を得た０この際の非晶質
層を構成する各層領域の作成条件を下記第４表に示した
Ｏ得られ良電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と
同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画
像を繰返し形成したとζろ、安定して高品質のトナー転
写画像を得ることが出来九〇 ＄４表 款電馬皺徽：１龜５１１ＭＨ露 実施例４ ｔ１１４１０図に示した糾造装置を用い、硼＊　（Ｂ）
及び炭素（０）の層中の含有量をパラメータとして、　
ｋｌシリンダ上に第５図に示す層構成を有する非晶質層
の形成を行なって、電子写真用像形成部材を得た０ この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第５表に示した０ 得られ良電子写真用像形成部材の夫々を用いて実施例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にドナー
画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を得
ることが出来た。

但し、第５表中のＸ（４）は次の通シである。

５４−１・・・・・・ｌＸｌ０−’　　８４−２・・・
・・・５　Ｘ　ｉ　Ｏ−’５４−３・・・・・・１×Ｉ
Ｏ″″’　　８４−４・・・・・・５Ｘ１０−’ｌｌｌ
５　　　表 放電周ｌｌ１１黴：ｌ龜６−ＭＨｚ 東論例５ 第１０図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び炭素
（０）の層中の含有量をパラメータとして、　Ａ／クシ
リンダ上第６図に示す層構成を有する非晶質層の形成を
行なって、電子写真用像形成部材を得た０この際の非晶
質層を構成する各層領域の作成条件を下記第７表に示し
友。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を
得ることが出来た。

但し、第７表中のＸ（５）は次の通シである０８５−１
・・・・・・１×ｌＯ″″’８５−２・・・・・・５×
１０″″７Ｓ５−３・・・・・・１×１０″″’８５−
４・・曲５Ｘ１０″″′８５−５−−−−−−ＩＸＩＯ
−’　　８５−６−−−・−２Ｘ１０−″５ｓ−ｒ−；
−−−−１ｘ１ｏ−”　　８５−８−−−−−・８Ｘ１
０−”８５−９・・・・・・ＩＸＩＧ”’ 第　　７　　表　　　・ 放電周波機：　ＩＬＳａＭＨｚ 実施例６ 第１０図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ汲ひ炭素（
０）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｊクシリン
ダ上第７図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行な
って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
４８表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す評価を得る
ことが出来た。

但し、第８表中のＸ（６）は次の通シである。

８６−１−−−−−−ＩＸＩＯ−’　　８６−２−■−
５Ｘ１０−’８６−３−−−−−−Ｉ　ＸＩ　Ｏ″’　
　８６−４−曲５Ｘ１０−’８６−５−−−・−ＩＸＩ
Ｏ”　　８６−６−曲２Ｘ１０−’＃１８１！ 放電肩波款、Ｉｌｌ＠ＭＨｚ 実−例７ ｍｌＯ図に示した製造！１置を用い、硼素（Ｂ）及び炭
素（０）の層中の含有量をパラメータとして、　Ａｊク
シリンダ上第８図に示す層構成を有する非晶質層の形成
を行なって、電子写真用像形成部材を得た０ この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第９表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用しそ転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したとζろ１８６表に示す様な評価
を得ることが出来た。

但し、第９表中のＸ（７）は次の通シである。

８７−１・・・・・・ｌＸｌ０−’　　８７−２・・・
・・・５Ｘ１０−’８１−３・−−−−−ＩＸＩＯ−’
　　８７−４・・・・・・５Ｘ１’０−’１−５・−・
・・−ＩＸＩＧ−″　Ｓ　７−６−−−−−−２　Ｘ　
１０−’８７−７・・・・・・４Ｘ１０−’　　８７−
８・曲・８Ｘ　１０−”８７−９・・・・・・１ｘ１０
−’ 第　　９　　表 欺電馬鋏倣：　１３．５１１ＭＩｈ 実施例８ 第１０ａｉＩＫ示し丸製造装置を用い、Ａ４シリンダ上
に第９図に示す層構成を有する非晶質層の形成を層領域
（ｔＰｔ、）１層領域（”１ｔ＊　）の夫々の層厚をパ
ラメータとして行なって、電子写真用像形成部材を得た
。この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を、
下記篇１０表に示し九〇 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ、第１１表に示す評価を
得ることが出来た。

第　　１０　　　表 １ｋ　ｔ　ｊｌｌ　ｍ　Ｉｌｌ　：　１３４６　Ｍｌｈ
第１１表 実施例９ 第１０図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び炭素
（０）の層中の含有量をパラメータとし成部材を得た０
この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を、下
記第１２表に示した０得られ九電子写真用偉形成部材を
用いて、実施例１と一様に電子写真プロセスを適用して
転写紙上にトナー画像を繰返し形成したところ、安定し
て高品質のトナー転写画像を得ることが出来九〇 第　　１２　　表 放電周旋款：　１３．５６Ｍ七 実施例１０ 実施例２と同様の条件と作製手順に従って、Ａｊフシリ
ンダ上第３図に示す層構成を有する非晶質層を形成し先
後に、該非晶質層上に以下の条件に従って、炭化シリコ
ン系の表面障壁層を形成した。この様にして得られた試
料に就いて実施例１と同様に繰返し電子写真プロセスを
　□適用し、トナー転写画像を得たところ１００万枚目
のトナー転写画像も極めて高品質であって、一枚目の転
写画像と較べても何部遜色ないものであった。

使用ガス・・・０）１４ ＳｉＨ４／Ｈｅ＝　１０　：　２５０ 流　　　薫・・−８ｉＨ４＝＝　１０５００Ｍ流量比・
・・ＯＨ４／５ｉＨ４＝　３０層形成速度・・・ｆ８４
Ａ／ｓｅｃ 放電電力・・・０．１８町句 基板温度・−・２５０℃ 反応時圧・・・Ｑ、５　ｔｏｒｒ 実施例１１ 実施例４〜７に於ける試料／＋６８４−１〜８４−４゜
８５−１〜８５−９．８６−１〜８６−６．８７−１〜
５７−９の夫々と同様の条件と手順によって、Ａｊフシ
リンダ上非晶質層を形成した後、各非晶質層上に実施例
１０と同様の条件と手順によ−って炭化シリコン系の表
面障壁層を形成して２８ケの試料（試料Ａ　８１１−１
〜５ｌｌ−２８’）を得た０各試料に就で、実施例１と
同様に電子写真プロセスを適用して所定の各転写紙上に
トナー画像を繰返し形成し九ところいずれの転写紙上に
も高品質。

高解ｇＩ１度のトナー画像が得られた０実施例１２ 第１０図に示した製造装置を用い、ａ索（Ｂ）及び縦索
（０）の層中の含有量をパラメータとして、Ａ−ｊシリ
ンダ上Ｋｍａ図に示す層構成を有する非晶質層の形成を
行なって、電子写真用做得られた電子写真用像形成部材
を用いて、実施例１とｒｉｓＪ様に゛電子写真プロセス
を適用して転写紙上にトナーｉｊ＊を繰返し形成したと
ころ、安定して高品質のトナー転写画像１に得ることが
出来た。

第　　１３　　表 放電周鹸欽：　１８．５１Ｍ）ｂ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例の１つ
を説明する為の模式的説明図＊ｔｌｃ２図乃至ａ！９図
は、夫々、本発明の光導電部材を構成する非晶質層の層
構成を説明する模式的説明図、第１０図は本発明の光導
電部材を作製する為に使用された装置の模式的説明図で
ある０１００・・・光導電部材　　１０１・・・支持体
１０２・・・非晶質層　　　１０３・・・第一の層領域
１０４・・・第二のＩＩＩ領域　１０５・・・層領域１
０６・・・上部層領域　　１０７・・・自由表面ヒ値− 手続補正書（自発） 昭和５６年１２ＪＬ２１日 特許庁長官　島　　１）　春　樹　殿 昭和５６年１２月１日付で提出した特許願（４）後記号
なし２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１０
０）　　キャノン株式会社代表者　　賀　来　姥三部 ５、　補正の対象　　　　　　　　　　　９゛°１（１
）明細書の［発明の詳細な説明」の欄６　補正の内容 の通り補正、する。 （ｂ）　　明細書第２３頁の第１行乃至第６行にある文
を削除する。 （２）図面の第５図及び第６図を別紙の通り補正する。 ７、　添付書類の目録 Ｘ≧ ・・・各−通。 （２）第５図及び第６図を夫々記載した図面・・・各−
通。 第４図に示す例は、第３図に示す例の変形例であって、
炭素原子が分布濃度Ｃ（ｅ）１で均一分布で含有されて
いる層領域（ｔ＋ｔＢ）中に、第１１１’１ｌｊ１原子
が分布濃度Ｃ（至）１で均−分動含有されている層領域
（ｔ２ｔＢ）が設けられである点を除けば、第３図に示
す場合と同様である。 第５図に示す例は、表面ｉｓ　に於いても第■族原子が
分布濃度Ｃａｌｌ５で含有されている層領域を有する場
合である。 第５図に示す例の非晶質層は、支持体側より炭素原子と
第■族呼子との両方が層厚方向に均一に含有されている
層領域（ｔｚ　ｔＢ）と、該層領域（ｔｚｔｎ）上に第
■族原子は均一に含有されているが炭素原子は不均一に
含有されている層領域（ｔｌｔ２）と、炭素原ｆ−も第
■族原子も共に不均一に含有されている層領域（ｔＢｔ
ｔ）とで構成されている。 即ち、炭素原子の含有されている層領域（ｔ２ｔＢ）は
、分布濃度Ｃ呻ｌで層厚方向に実質的に均一に分布され
ている層領域（ｔｚＬｓ）と、分布濃度Ｑｃ）１より次
第に８型的に減少されて実質的に零に到っている層領域
（’５ｊ２）とで構成されている。 又、層領域（ｔｓｔＢ）は、支持体側から第■族原子が
分布濃度Ｃ■ｌで実質的に均一分布している層領域（ｔ
ａｊｕ）、分布濃度Ｃ（ト）ｌから分布濃度Ｃｃｉ＠３
まで線型的に連続減少して分布している層領域（’ｔｓ
　ｔ＋　）とが積層されだ層構成を有している。 第６図は、第５図に示す例の変形例が示される。 第６図に示す例の場合には、炭素原子と第■族原ｒとが
夫々、分布濃度ＣＱｊｔ、Ｃ■監で均一分布している属
領１ｔ（ｔｚｔｎ）と、炭素原子が分布濃度Ｃ（Ｃ）１
から線型的に次第に減少されて実質的に零に到っている
層領域（ｔｓｔ２）と、該層領域（ｔ８ｔ２）中に、線
型的に減少する分布状態で第■族原子が含有されている
層領域（ｔｌｔ２）と実質的に第■族原子が含有されて
ない層領域（ｔｓｔｌ）とが設けられている。 第　　　５　　　表 放電周波数７１３．５６Ｆ１１Ｈｚ 、　　　　　　　　第　　　７　　　表放電周波数＋ｔ
３．５６■ｈ 手　　続　　補　　正　　書（１釦 １．事件の表示 昭和５６年特許願第１９４２９３号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）キャノン株式会社 代表者　賀　　来　　龍　三　部 礁０代理人 居所　〒１４１３東京都大田区下丸子３−３０−２５、
補正の対象 Ｎ）明細書の「発明の詳細な説明」の欄］書の「図面の
簡単な説明」の欄 υ、靜正の内容 （１）■明細書の第１３頁第１３行目の「−一一一通常
は１〜１００−一−−好」を「−−ｍ−通常は、　０．
０１〜５　Ｘ　ｔｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好まし
くは、１〜１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好」と補
正する。 ■　同第１３頁第１９行目の「場合、−一一一好ましく
は−−−−」を「場合、０．００１〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、好ましくは、０．０１〜−一一一％、より好まし
くは一−−−−−Ｊ　と補正する。 ■　同第１５頁第１９行乃至同第２０行目の「−−ｍ−
通常の場合−−−−１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
好適には一一一一」とあるのを「−一一一通常の場合、
０．１〜８　Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、好まし
くは、０．１−１０００ａｔｏｉｉｃ　ｐｐｍ、より好
適には−−−−」補正する。 同第１６頁第２行目の「−−ｍ−通常は−−−−１適に
は」とあるのを「−一一一通常は、０．０１〜３５　ａ
ｔｏｍｉｃ％、好ましくは、０．０１〜３０ａｔｏｍｉ
ｃ％、より好適には」と補正する。 ■　同第４７頁第４行目のｒ−−−−０，６５〜０．９
５、−−−−Ｊをｒ−−−−０，６５〜０．８８、−−
−−Ｊと補正する。 ■　同第４７頁第１８行目のｒ−−−−０，８５〜０．
８８−−−−Ｊをｒ−−−−０，８２〜０．８８、−−
−＝Ｊと補正する。 ■　同第４８頁第４行目のｒ−−−０，４３〜０．８０
−−−０．４３〜０．５０Ｊをｒ−０，４０〜０．５７
−−−−０．５３〜０．５７Ｊと補正する。 （２）明細書第８０頁第１Ｏ行乃至同第１１行目のｒ１
０５−−−一層領域Ｊ　、　ｒｌＯＥｉ　−一−−上部
層領域」を各々ｒ１０５−−−一上部層領域Ｊ　　、　
　ｒｌｏ１３−−−一自由表面」と補正し、　　ｒ１０
７−−−−自由表面」を削除する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 口）　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
   し、構成原子として水素原子又はノ・ロゲン原子のいず
   れか一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され、
   光導電性を示す非晶質層とを有する光導電部材において
   、前記非晶質層が、構成原子として、層厚方向に不均一
   で連続的な不均一分布状態で炭素原子が含有されている
   第一０層領域と、構成原子として、層厚方向に不均一で
   連続的な分布状態で周期律表ｉｌｌ族に属する原子が含
   有されている第二０層領域とを有する事を特徴とする光
   導電部材・ （２）　　第一の層領域と第二の層領域とは、少なくと
   もその一部を共有している特許請求の範囲［１項に記載
   の光導電部材０ （３）第一の層領域と第二の層領域とが実質的に同一層
   領域である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材＠ （４）第二の層領域が第一の層領域中に内在している特
   許請求の範凹＠１項に記載の光導電部材Ｑ （５）　　ＩＩ−の層領域が実質的に非晶質層の全層領
   域を構成している特許請求の範囲第１項に記載の光導電
   部材＠ （６）第二０層領域が実質的に非晶質層の全領域を構成
   している特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材◎ （７）第一０層領域中に於ける炭素原子の分布状態は支
   持体の設けである側とは反対側に於いて減少分布を形成
   している特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材＠ （８）　　第一０層領域中に於ける縦索原子の分布状ｌ
   ｉ／Ｉｉ支持体側に於いて高＃度に分布を形成している
   特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材・