JPS60112047A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS60112047A JPS60112047A JP58220435A JP22043583A JPS60112047A JP S60112047 A JPS60112047 A JP S60112047A JP 58220435 A JP58220435 A JP 58220435A JP 22043583 A JP22043583 A JP 22043583A JP S60112047 A JPS60112047 A JP S60112047A
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- sccm
- photoconductive
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光(紫外から可視、赤外、X線、γ線などの電
磁波)に感受性をもつ光導電部材に関する。
磁波)に感受性をもつ光導電部材に関する。
固体撮像素子、電子写真感光体等の光導電性層を構成す
る光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での比抵
抗が高く(通常10 Ωm以上)、かつ光照射によシ比
抵抗が小さくなる性質を有することが必要である。
る光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での比抵
抗が高く(通常10 Ωm以上)、かつ光照射によシ比
抵抗が小さくなる性質を有することが必要である。
電子写真を例にしてその原理を説明すると、まず感光体
表面にコロナ放電によシミ荷を付与して帯電させる。つ
づいて、感光体に光を照射すると電子と正孔の対ができ
、そのいずれか一方によシ表面の電荷が中和される。例
えば、正に帯電させた場合は光照射によシ生じた対のう
ち電子によって中和され、感光体表面に正電荷の潜像が
形成される。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電
したトナーを感光体表面にクーロン力によって吸引させ
ることによシ可視化がなされる。この時、電荷がなくと
も、トナーの電荷で感光体に引きつけられるのを回避す
るだめに、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方
向の電場が生じるように現像器の電位を高くする。いわ
ゆる現像バイアスの処理がなされる。
表面にコロナ放電によシミ荷を付与して帯電させる。つ
づいて、感光体に光を照射すると電子と正孔の対ができ
、そのいずれか一方によシ表面の電荷が中和される。例
えば、正に帯電させた場合は光照射によシ生じた対のう
ち電子によって中和され、感光体表面に正電荷の潜像が
形成される。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電
したトナーを感光体表面にクーロン力によって吸引させ
ることによシ可視化がなされる。この時、電荷がなくと
も、トナーの電荷で感光体に引きつけられるのを回避す
るだめに、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方
向の電場が生じるように現像器の電位を高くする。いわ
ゆる現像バイアスの処理がなされる。
上述した電子写真においては、その感光体として次のよ
うな条件を満足することが要求される。即ち、第1にコ
ロナ放電によシ帯電した電荷が光照射まで保持されるこ
と、第2に光照射によシ生成した電子と正孔の対が再結
合することなく、一方が表面の電荷を中和し、更に他方
が感光体の支持体まで瞬時に達すること、等が要求され
る。
うな条件を満足することが要求される。即ち、第1にコ
ロナ放電によシ帯電した電荷が光照射まで保持されるこ
と、第2に光照射によシ生成した電子と正孔の対が再結
合することなく、一方が表面の電荷を中和し、更に他方
が感光体の支持体まで瞬時に達すること、等が要求され
る。
ところで、従来、光導電性材料としては非晶質力ルコダ
ナイド系のものが用いられている。
ナイド系のものが用いられている。
非晶質カルコゲナイドは大面積化が容易であシ、かつ光
導電性が優れる等の特徴を有する。しかしながら、かか
る非晶質カルコゲナイドは光の吸収帯が可視から紫外に
近い所にあシ、実用上、可視域の先に対する感度が低く
、シかも硬度が低く、電子写真に応用した場合、寿命が
短い等の種々の問題があった。
導電性が優れる等の特徴を有する。しかしながら、かか
る非晶質カルコゲナイドは光の吸収帯が可視から紫外に
近い所にあシ、実用上、可視域の先に対する感度が低く
、シかも硬度が低く、電子写真に応用した場合、寿命が
短い等の種々の問題があった。
このようなことから、最近、光導電性材料としてアモル
ファスシリコン(以下、a−3tと称す)を用いること
が注目されている。l’−3iは吸収波長域が広く、パ
ンクロマティックであり、感度も高い。また、硬度も高
く、電子写真感光体に応用した場合は従来のものよ#)
10倍以上の寿命をもつことが期待されている。更に、
人体に無害であシ、単結晶シリコンと比較した場合、安
価で容易に大面積のものが得られる等多くの利点を有す
る。しかしながら、a−8iは暗所での比抵抗(以下、
暗抵抗と称す)が低く、通常108Ωcrn〜1010
b程度で、電子写真感光体のような静電潜像を形成する
ものでは、表面に帯電させた電荷を保持することができ
ない。
ファスシリコン(以下、a−3tと称す)を用いること
が注目されている。l’−3iは吸収波長域が広く、パ
ンクロマティックであり、感度も高い。また、硬度も高
く、電子写真感光体に応用した場合は従来のものよ#)
10倍以上の寿命をもつことが期待されている。更に、
人体に無害であシ、単結晶シリコンと比較した場合、安
価で容易に大面積のものが得られる等多くの利点を有す
る。しかしながら、a−8iは暗所での比抵抗(以下、
暗抵抗と称す)が低く、通常108Ωcrn〜1010
b程度で、電子写真感光体のような静電潜像を形成する
ものでは、表面に帯電させた電荷を保持することができ
ない。
そこで、a−8iを電子写真に応用した例では、感光層
と支持体との間にN、C,Oなどを添加した比抵抗の高
いa−31層或いはp型、n型のa−8i層を設け、支
持体からのキャリアの注入を阻止することが試みられて
いる。但し、後者のa−8i層を用いる際は、正帯電の
場合には電子をブロックし、正孔を通過させうるp型の
a−−8i層を、負帯電の場合にはnmのa−8tR4
を、使用する。こうした構造の感光体では帯電能力を高
くすることが可能である。しかしながら、前者の構造で
はN、C,Oを添加したa−8i層を厚くすると、感光
層から支持体へ流れるキャリアの通過をも阻止し、その
結果、残留電位が高くなるという問題が生じる。一方、
該a−8t層を薄くすると、現像バイアスによる絶縁破
壊を招く。後者の構造ではp型、n型のa−8i層を厚
くしても前者のような問題を生じないが、帯電能がかな
らずしも十分に満足するものでなかった。
と支持体との間にN、C,Oなどを添加した比抵抗の高
いa−31層或いはp型、n型のa−8i層を設け、支
持体からのキャリアの注入を阻止することが試みられて
いる。但し、後者のa−8i層を用いる際は、正帯電の
場合には電子をブロックし、正孔を通過させうるp型の
a−−8i層を、負帯電の場合にはnmのa−8tR4
を、使用する。こうした構造の感光体では帯電能力を高
くすることが可能である。しかしながら、前者の構造で
はN、C,Oを添加したa−8i層を厚くすると、感光
層から支持体へ流れるキャリアの通過をも阻止し、その
結果、残留電位が高くなるという問題が生じる。一方、
該a−8t層を薄くすると、現像バイアスによる絶縁破
壊を招く。後者の構造ではp型、n型のa−8i層を厚
くしても前者のような問題を生じないが、帯電能がかな
らずしも十分に満足するものでなかった。
更に、上述したa’−8i層の両方を組合せた構造の光
導電部材も提案されている。即ち、この光導電部材は支
持体上にp型又はn型のa−8i層(第1ブロッキング
層)及びN、C,Oなどを添加した絶縁性のa −si
層(第27゛口、キング層)を順次積層し、更にその上
に感光層を績層したものである。しかしながら、かかる
光導電部材にあっては、第2ブロッキング層により感光
層から支持体へ流れるキャリアが阻止され、やはシ残留
電位が高くなるという問題が生じる。
導電部材も提案されている。即ち、この光導電部材は支
持体上にp型又はn型のa−8i層(第1ブロッキング
層)及びN、C,Oなどを添加した絶縁性のa −si
層(第27゛口、キング層)を順次積層し、更にその上
に感光層を績層したものである。しかしながら、かかる
光導電部材にあっては、第2ブロッキング層により感光
層から支持体へ流れるキャリアが阻止され、やはシ残留
電位が高くなるという問題が生じる。
本発明は光照射後の残留電位を解消すると共に帯電能の
優れた長寿命の光導電部材を提供しようとするものであ
る。
優れた長寿命の光導電部材を提供しようとするものであ
る。
本発明は支持体上にアモルファスシリコンからなる第1
ブロツキング層、第2ブロッキング層、光導電性層及び
表面被覆層を順次有する光導電部材において、前記第2
ブロッキング層が光導電性を有することを特徴とするも
のである。
ブロツキング層、第2ブロッキング層、光導電性層及び
表面被覆層を順次有する光導電部材において、前記第2
ブロッキング層が光導電性を有することを特徴とするも
のである。
こうした本発明によれば第2ブロッキング層として比抵
抗が高いものの光導電−性を持たせることによシ、光照
射時に光導電性層から支持体にキャリアを通過でき、同
時に第1ブロッキング層と共に支持体からのキャリアの
注入を防止でき、ひいては既述の如く残留電位がなく帯
電能の優れた長寿命の光導電部材を得ることができる。
抗が高いものの光導電−性を持たせることによシ、光照
射時に光導電性層から支持体にキャリアを通過でき、同
時に第1ブロッキング層と共に支持体からのキャリアの
注入を防止でき、ひいては既述の如く残留電位がなく帯
電能の優れた長寿命の光導電部材を得ることができる。
なお、光導電性とは暗抵抗と光抵抗の差が10以上のも
のである。
のである。
次に、本発明の光導電部材の一製造方法を第1図のCV
D装置を参照して説明する。
D装置を参照して説明する。
まず、真空反応容器1内の固定部材2上に導電性の支持
体3を設置した後、バルブ4を介装した排気管5に取付
けたメカニカルブースターポンプと油拡散ポンプ(いず
れも図示せず)を作動して反応容器1内を10〜10
torrの真空にする。同時に、固定部材2に取付けた
ヒータ6によシ支持体3を100〜400℃の温度に昇
温する。つづいて、ガス供給装置ヱよりSi原子を含む
ガス(例えば5IH4、Si2H6,5IF4等のガス
)、第11a族又は第Va族を含むドーピングガス、C
を含むガス(例えばCH4,C,2H6゜C5H8等の
ガス)、Nを含むガス(例えばNH5゜N2等のガス)
、0を含むガス(例えば02.N20等のガス)等を、
目的とする混合比率でバルブ8が介装されたガス導入管
9から反応容器1内に導入し、01〜1 torr程度
の圧力になるように排気系の排気速度を調整し、定常状
態になる1で待つ。ひきつづき、反応容器1内の電極1
0と支持体3の間に高周波電源11から1、3.56
MI(zの高周波電力を印加して支持体上に第1プロ、
ギング層を成膜する。
体3を設置した後、バルブ4を介装した排気管5に取付
けたメカニカルブースターポンプと油拡散ポンプ(いず
れも図示せず)を作動して反応容器1内を10〜10
torrの真空にする。同時に、固定部材2に取付けた
ヒータ6によシ支持体3を100〜400℃の温度に昇
温する。つづいて、ガス供給装置ヱよりSi原子を含む
ガス(例えば5IH4、Si2H6,5IF4等のガス
)、第11a族又は第Va族を含むドーピングガス、C
を含むガス(例えばCH4,C,2H6゜C5H8等の
ガス)、Nを含むガス(例えばNH5゜N2等のガス)
、0を含むガス(例えば02.N20等のガス)等を、
目的とする混合比率でバルブ8が介装されたガス導入管
9から反応容器1内に導入し、01〜1 torr程度
の圧力になるように排気系の排気速度を調整し、定常状
態になる1で待つ。ひきつづき、反応容器1内の電極1
0と支持体3の間に高周波電源11から1、3.56
MI(zの高周波電力を印加して支持体上に第1プロ、
ギング層を成膜する。
次いで、一旦高周波電力の印加を停止し、ガス供給装置
Iより前述したガスから選ばれた所定のガスを反応容器
1内に導入し、再度、高周波電力を印加して第1ブロッ
キング層上に第2ブロッキング層を成膜する。
Iより前述したガスから選ばれた所定のガスを反応容器
1内に導入し、再度、高周波電力を印加して第1ブロッ
キング層上に第2ブロッキング層を成膜する。
次いで、以下、同様な操作により第2ブロッキング層上
に光導電性層、更にその上に表面被覆層を成膜すること
によシ第2図に示す光導電部材を造る。なお、第2図中
の21は導電性の支持体、22は第1ブロッキング層、
23は光導電性を有する第2ブロッキング層、24は光
導電性層、25は表面被覆層である。なお、ドーピング
ガスをマイクロ波等の電磁波で予め励起することによシ
ト−ピング効率の向上、成膜速度の向上を達成できる。
に光導電性層、更にその上に表面被覆層を成膜すること
によシ第2図に示す光導電部材を造る。なお、第2図中
の21は導電性の支持体、22は第1ブロッキング層、
23は光導電性を有する第2ブロッキング層、24は光
導電性層、25は表面被覆層である。なお、ドーピング
ガスをマイクロ波等の電磁波で予め励起することによシ
ト−ピング効率の向上、成膜速度の向上を達成できる。
次に、本発明の詳細な説明する。
実施例1
まず、At製の導電性支持体を真空反応容器に入れ、反
応容器内をメカニカルブースターポンプ0と油回転ポン
プによシ10−6〜10” torrの真空にすると共
に、支持体をヒータによシ300℃に昇温した。つづい
て、反応容器にS+H4を150 SCCM 、 B2
H6をB2H6/5IH4−t X 10−3の割合で
、CH4を15 SCCMとなるように6人し、反応圧
が0.5 torrとなるように排気系の排気速度を調
整した。ひきつづき、反応圧が定常状態になったら、反
応容器の電極と支持体間に13、56 M)Izの高周
波電力100Wを投入し、この状態を20分間保持して
支持体上に厚さ1.5μmの第1ブロッキング層を成膜
した。
応容器内をメカニカルブースターポンプ0と油回転ポン
プによシ10−6〜10” torrの真空にすると共
に、支持体をヒータによシ300℃に昇温した。つづい
て、反応容器にS+H4を150 SCCM 、 B2
H6をB2H6/5IH4−t X 10−3の割合で
、CH4を15 SCCMとなるように6人し、反応圧
が0.5 torrとなるように排気系の排気速度を調
整した。ひきつづき、反応圧が定常状態になったら、反
応容器の電極と支持体間に13、56 M)Izの高周
波電力100Wを投入し、この状態を20分間保持して
支持体上に厚さ1.5μmの第1ブロッキング層を成膜
した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態でSiH4
を150 SCCM 、 B2H6をB2H6/5iH
4−IXIO−6の割合で、CJ(4を15 SCCM
、 200SCCM 、 500 SCCM 、 6
00 SCCMに設定して30分間保持し、第1ゾロツ
キング層上に厚さ3μmの第2ブロツキング晃を夫々成
膜した。
を150 SCCM 、 B2H6をB2H6/5iH
4−IXIO−6の割合で、CJ(4を15 SCCM
、 200SCCM 、 500 SCCM 、 6
00 SCCMに設定して30分間保持し、第1ゾロツ
キング層上に厚さ3μmの第2ブロツキング晃を夫々成
膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態でS+H4
を150 SCCM 、 B2H6をB2H6/5lH
4−IXl、0−6の割合に設定して4時間保持し、4
つの第2ブロツギング層上に厚さ15μmの光導電性層
を夫々成膜した。
を150 SCCM 、 B2H6をB2H6/5lH
4−IXl、0−6の割合に設定して4時間保持し、4
つの第2ブロツギング層上に厚さ15μmの光導電性層
を夫々成膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態でSiH4
を150 SCCM 、CH4を450 SCCMに設
定して1分間保持し、各光導電性層上に厚さ○、1μm
の表面被覆層を成膜して4種の感光体を製造した。
を150 SCCM 、CH4を450 SCCMに設
定して1分間保持し、各光導電性層上に厚さ○、1μm
の表面被覆層を成膜して4種の感光体を製造した。
得られた4種の感光体はコロナ放電によるチャージャー
からドラム(支持体)への流入電流0.4μC/crn
2の条件ではいずれにおいても帯電能が500V以上で
あった。
からドラム(支持体)への流入電流0.4μC/crn
2の条件ではいずれにおいても帯電能が500V以上で
あった。
また、各感光体について1万回の繰り返し使用による残
留電位を調べたところ、第3図に示す特性図とkつだ。
留電位を調べたところ、第3図に示す特性図とkつだ。
なお、第3図中のAは第2ブロッキング層の成膜時にお
けるCH4の流量が158CCMの感光体の特性線、B
は同cH4の流量が2008CCMの感光体の特性線、
Cは同CH4の流量が5003CCMの感光体の特性線
、Dは同cH4の流量が6008CCMの特性線である
。この第3図から明らかなように第2ブロツキンダ層の
成膜時におけるCH4の流量が500SCCM、600
SCCMの感光体(図中の特性線C,D)の場合は使用
初期の残留電位が高いばかシか、繰り返しの使用によシ
残留電位が著しく増加する。これに対し、第2ブロッキ
ング層の成膜時におけるCH4の流量が15 SCCM
、 200 SCCMの感光体(図中の特性線A、B
)の場合は使用初期での残留電位が著しく低く、シかも
繰り返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一
定であった。こうしたことから、ガラス基板上に第2ブ
ロッキング層を前述した条件で夫々成膜し、更にNi−
Crの電極を蒸着して各第2ブロッキング層の暗抵抗と
光抵抗を測定したところ、CH4流量が158CCMの
第2ブロッキング層は夫々5X109ΩcnI、 8
X 10”8cm 、 CH4流量が2008CCMの
第2プロツキ/グ層は夫々7 X 10 Qcrn。
けるCH4の流量が158CCMの感光体の特性線、B
は同cH4の流量が2008CCMの感光体の特性線、
Cは同CH4の流量が5003CCMの感光体の特性線
、Dは同cH4の流量が6008CCMの特性線である
。この第3図から明らかなように第2ブロツキンダ層の
成膜時におけるCH4の流量が500SCCM、600
SCCMの感光体(図中の特性線C,D)の場合は使用
初期の残留電位が高いばかシか、繰り返しの使用によシ
残留電位が著しく増加する。これに対し、第2ブロッキ
ング層の成膜時におけるCH4の流量が15 SCCM
、 200 SCCMの感光体(図中の特性線A、B
)の場合は使用初期での残留電位が著しく低く、シかも
繰り返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一
定であった。こうしたことから、ガラス基板上に第2ブ
ロッキング層を前述した条件で夫々成膜し、更にNi−
Crの電極を蒸着して各第2ブロッキング層の暗抵抗と
光抵抗を測定したところ、CH4流量が158CCMの
第2ブロッキング層は夫々5X109ΩcnI、 8
X 10”8cm 、 CH4流量が2008CCMの
第2プロツキ/グ層は夫々7 X 10 Qcrn。
4×1013Ωcm 、 CH4流量が500 SCC
Mの第2ブロッキング層は夫々3×10 Ωm、6X1
0140cm + CH4流量が6008CCMの第2
ブロツギング層は夫々5 X 10”Qcm 、 8
X 10”Ω−であり、CH4流量が15 、200
SCCMの第2ブロッキング層は暗抵抗、光抵抗の差が
103以上と、光導電性を示すことがわかった。
Mの第2ブロッキング層は夫々3×10 Ωm、6X1
0140cm + CH4流量が6008CCMの第2
ブロツギング層は夫々5 X 10”Qcm 、 8
X 10”Ω−であり、CH4流量が15 、200
SCCMの第2ブロッキング層は暗抵抗、光抵抗の差が
103以上と、光導電性を示すことがわかった。
更に、各感光体の1万回繰シ返し使用による帯電能を調
べた。−その結果、第2ブロツギング層の成膜時におけ
るCH4流量が500 SCCM 。
べた。−その結果、第2ブロツギング層の成膜時におけ
るCH4流量が500 SCCM 。
600 SCCMノ感光体では初期値(500V)よシ
150〜200v上昇した。これに対し、第2ブロッキ
ング層が光導電性を有する感光体では(500V)とほ
ぼ変化せずに繰り返し使用できた。
150〜200v上昇した。これに対し、第2ブロッキ
ング層が光導電性を有する感光体では(500V)とほ
ぼ変化せずに繰り返し使用できた。
実施例2
実施例1の第2ブロツキング層、光導電性層の成膜時に
B2H6のドーピングを行なわずに4種の感光体を製造
した。
B2H6のドーピングを行なわずに4種の感光体を製造
した。
得られた4種の感光体は実施例とほぼ同様な結果となっ
た。
た。
実施例3
第1ブロッキング層2表面被覆層の成膜に際し、CI■
4の代シにNH5を用い、かつ第2ブロッキング層の成
膜に際し、CH4の代シにNl−I4を15 SCCM
、 75 SCCM 、 500・SCCM 、60
0 SCCMに設定した以外、実施例1と同様な方法に
よシ4種の感光体を製造した。
4の代シにNH5を用い、かつ第2ブロッキング層の成
膜に際し、CH4の代シにNl−I4を15 SCCM
、 75 SCCM 、 500・SCCM 、60
0 SCCMに設定した以外、実施例1と同様な方法に
よシ4種の感光体を製造した。
得られた各感光体について1万回の繰シ返し使用による
残留電位を調べたところ、第4図に示す特性図となった
。なお、第4図中のAは第2ブロッキング層の成膜時に
おけるNH3流量が15 SCCMの感光体の特性線、
Bは同NH3流量が758CCMの感光体の特性線、C
は同NH3流量が5008CCMの感光体の特性線、D
は同NT(3流量が6008CCMの感光体の特性線、
である。この第4図から明らかなように第2ブロッキン
グ層の成膜時におけるN1(3流量が500SCCM、
600SCCMの感光体(図中の特性線C,D)の場合
は使用初期の残留電位が高いばかりか繰り返しの使用に
よシ残留電位が著しく増加する。これに対し、第2ブロ
ッキング層の成膜時におけるNH3流量が15 SCC
M 、 75 SCCMの感光体(図中の特性線A、B
)の場合は使用初期の残留電位が著しく低く、シかも繰
シ返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一定
であった。
残留電位を調べたところ、第4図に示す特性図となった
。なお、第4図中のAは第2ブロッキング層の成膜時に
おけるNH3流量が15 SCCMの感光体の特性線、
Bは同NH3流量が758CCMの感光体の特性線、C
は同NH3流量が5008CCMの感光体の特性線、D
は同NT(3流量が6008CCMの感光体の特性線、
である。この第4図から明らかなように第2ブロッキン
グ層の成膜時におけるN1(3流量が500SCCM、
600SCCMの感光体(図中の特性線C,D)の場合
は使用初期の残留電位が高いばかりか繰り返しの使用に
よシ残留電位が著しく増加する。これに対し、第2ブロ
ッキング層の成膜時におけるNH3流量が15 SCC
M 、 75 SCCMの感光体(図中の特性線A、B
)の場合は使用初期の残留電位が著しく低く、シかも繰
シ返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一定
であった。
こうしたことから、実施例1と同様な方法によシ各第2
ブロッキング層の暗抵抗と光抵抗を測、定しだところ、
NH3流量が158CCMの第2ブロッキング層は夫々
8×10Ωω、 5 X 10 Qtyn。
ブロッキング層の暗抵抗と光抵抗を測、定しだところ、
NH3流量が158CCMの第2ブロッキング層は夫々
8×10Ωω、 5 X 10 Qtyn。
NH3流量が753CCMの第2ブロッキング層は夫々
i X 1010ΩcYn、3×1013Ωcm +
NH3流量が5008CCMの第2ブロッキング層は夫
々5X10”0cm 、 9 X 10”Ωan 、
NH3流量が600 SCCMの第2ブロッキング層は
夫々5×10 ΩCTn +8×1014Ωmであり、
NI(3流量が15 SCCM 。
i X 1010ΩcYn、3×1013Ωcm +
NH3流量が5008CCMの第2ブロッキング層は夫
々5X10”0cm 、 9 X 10”Ωan 、
NH3流量が600 SCCMの第2ブロッキング層は
夫々5×10 ΩCTn +8×1014Ωmであり、
NI(3流量が15 SCCM 。
75 SCCMの第2ブロッキング層は光導電性を示す
ことがわかった。
ことがわかった。
また、各感光体の1万回繰り返し使用による?I¥電能
を調べたところ、第2ブロッキング層の成膜時における
N133流量が500 SCCM 、 600SCCM
の感光体では初期値(500V以上)より150〜20
0v上昇したのに対し、NH3流量が1.58CCM
、 75 SCCMの感光体では初期値(500V以上
)とほぼ変化せずに繰り返し使用できた。
を調べたところ、第2ブロッキング層の成膜時における
N133流量が500 SCCM 、 600SCCM
の感光体では初期値(500V以上)より150〜20
0v上昇したのに対し、NH3流量が1.58CCM
、 75 SCCMの感光体では初期値(500V以上
)とほぼ変化せずに繰り返し使用できた。
実施例4
第1ブロッキング層の成膜に際し、CH4の代りに02
を10 SCCMに設定し、かつ第2ブロッキング層の
成膜に際し、CI(4の代シに02を1105CC,4
0SCCM、 180 SCCM、 220 SCCM
に設定した以外、実施例1と同様な方法により4種の感
光体を製造した。
を10 SCCMに設定し、かつ第2ブロッキング層の
成膜に際し、CI(4の代シに02を1105CC,4
0SCCM、 180 SCCM、 220 SCCM
に設定した以外、実施例1と同様な方法により4種の感
光体を製造した。
得られた各感光体について1万回の繰り返し使用による
残留電位を調べたところ、第5図に示す特性図となった
。なお、第5図中のAは第2ブロッキング層の成膜時に
おける02流量が108CCMの感光体の特性線、Bは
同02流量〃二20 SCCMの感光体の特性線、Cは
同02流量が1808CCMの感光体の特性線、Dは同
02流量が2203CCMの感光体の特性線、である。
残留電位を調べたところ、第5図に示す特性図となった
。なお、第5図中のAは第2ブロッキング層の成膜時に
おける02流量が108CCMの感光体の特性線、Bは
同02流量〃二20 SCCMの感光体の特性線、Cは
同02流量が1808CCMの感光体の特性線、Dは同
02流量が2203CCMの感光体の特性線、である。
この第5図から明らかなように、第2ブロッキング層の
成膜時における02流量が180 SCCM 。
成膜時における02流量が180 SCCM 。
220 SCCMの感光体(図中の特性線C,D)の場
合は、使用初期での残留電位が高いはかり75−1繰り
返しの使用により残留電位が著しく増加する。これに対
し、第2ブロッキング層の成膜時における02流量が1
0 SCCM 、 40 SCCMの感光体(図中の特
性線A、B)の場合は使用初期での残留電位が著しく低
く、しかも繰シ返しの使用においても残留電位は増加せ
ず、はぼ一定であった。こうしたことから、実施例1と
同様な方法によシ各第2ブロッキング層の暗抵抗と光抵
抗を測定したところ、0゜流量が108CCMの第2ブ
ロツギング層は夫々6×10Ωm、7X1013Ω−1
02流量が403CCMの第2ブロッキング層は夫々5
X10’Ωα、8×1013Ωm、02流量が180
SCCMの第2ブロッキング層は夫々4×10Ωσ。
合は、使用初期での残留電位が高いはかり75−1繰り
返しの使用により残留電位が著しく増加する。これに対
し、第2ブロッキング層の成膜時における02流量が1
0 SCCM 、 40 SCCMの感光体(図中の特
性線A、B)の場合は使用初期での残留電位が著しく低
く、しかも繰シ返しの使用においても残留電位は増加せ
ず、はぼ一定であった。こうしたことから、実施例1と
同様な方法によシ各第2ブロッキング層の暗抵抗と光抵
抗を測定したところ、0゜流量が108CCMの第2ブ
ロツギング層は夫々6×10Ωm、7X1013Ω−1
02流量が403CCMの第2ブロッキング層は夫々5
X10’Ωα、8×1013Ωm、02流量が180
SCCMの第2ブロッキング層は夫々4×10Ωσ。
7×1014Ωα、02流量が2208CCMの第2ブ
ロッキング層は夫々5×10 Ωα、8X1014Ωα
であり、0□流量が10 SCCM 、 40 SCC
Mの第2プロ、キング層は光導電性を示すことがわかっ
た。
ロッキング層は夫々5×10 Ωα、8X1014Ωα
であり、0□流量が10 SCCM 、 40 SCC
Mの第2プロ、キング層は光導電性を示すことがわかっ
た。
また、各感光体の1万回繰り返し使用による帯電能を調
べたところ、第2ブロッキング層の成膜時における02
流量が180 SCCM 、 220SCCMの感光体
では初期値(500V以上)より150〜200v上昇
したのに対し、02流量が10 SCCM 、 40
SCCMの感光体では初期値(500V以上)とほぼ変
化せず、繰り返し使用できた。
べたところ、第2ブロッキング層の成膜時における02
流量が180 SCCM 、 220SCCMの感光体
では初期値(500V以上)より150〜200v上昇
したのに対し、02流量が10 SCCM 、 40
SCCMの感光体では初期値(500V以上)とほぼ変
化せず、繰り返し使用できた。
以上詳述した如く、本発明によれば光照射後の残留電位
の発生を防止できると共に帯電能の優れた電子写真感光
体等に好適な長寿命の光導電部材を提供できる。
の発生を防止できると共に帯電能の優れた電子写真感光
体等に好適な長寿命の光導電部材を提供できる。
第1図は本発明の光導電部材の製造に用いられるCVD
装置の概略図、第2図は本発明の光導電部材を示す概略
断面図、第3図は本発明の実施例1における各感光体の
繰り返し使用回数と残留電位との関係を示す特性図、第
4図は本発明の実施例3における各感光体の繰シ返し使
用回数と残留電位との関係を示す特性図、第5図は本発
明の実施例4における各感光体の繰り返し使用回数と残
留電位との関係を示す特性図である。 1・・・真空反応容器、3・・・支持体、6・・・ヒー
タ、ヱ・・・ガス供給装置、10・・・電極、11・・
・高周波電源。
装置の概略図、第2図は本発明の光導電部材を示す概略
断面図、第3図は本発明の実施例1における各感光体の
繰り返し使用回数と残留電位との関係を示す特性図、第
4図は本発明の実施例3における各感光体の繰シ返し使
用回数と残留電位との関係を示す特性図、第5図は本発
明の実施例4における各感光体の繰り返し使用回数と残
留電位との関係を示す特性図である。 1・・・真空反応容器、3・・・支持体、6・・・ヒー
タ、ヱ・・・ガス供給装置、10・・・電極、11・・
・高周波電源。
Claims (6)
- (1)支持体上にアモルファスシリコンからなる第1ブ
ロツキング層、第2ブロッキング層。 光導電性層及び表面被覆層を順次重する光導電部材にお
いて、前記第2ブロッキング層が光導電性を有すること
を特徴とする光導電部材。 - (2)第1ブロッキング層がp型又はn型の半導体であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光導電
部材。 - (3)第1ブロッキング層中には第1ea族又は第■a
族の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の光導電部材。 - (4)第1ブロッキング層中にはN、C,Oの元素のう
ち少なくとも1種以上を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第1項乃至第3項いずれか記載の光導電部材。 - (5)第2ブロッキング層中には第1ea族又は第■a
族の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の光導電部材。 - (6)第2ブロッキング層中にはN、C,Oの元素のう
ちの少なくとも1種以上を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第1項又は第5項記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58220435A JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58220435A JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60112047A true JPS60112047A (ja) | 1985-06-18 |
JPH0554673B2 JPH0554673B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=16751062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58220435A Granted JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60112047A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
JPS5891684A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
GB2111707A (en) * | 1981-11-26 | 1983-07-06 | Canon Kk | Photoconductive member |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58220435A patent/JPS60112047A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
JPS5891684A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
GB2111707A (en) * | 1981-11-26 | 1983-07-06 | Canon Kk | Photoconductive member |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH0554953B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1993-08-13 | Shindengen Electric Mfg |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0554673B2 (ja) | 1993-08-13 |
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