JPS60112047A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS60112047A JPS60112047A JP58220435A JP22043583A JPS60112047A JP S60112047 A JPS60112047 A JP S60112047A JP 58220435 A JP58220435 A JP 58220435A JP 22043583 A JP22043583 A JP 22043583A JP S60112047 A JPS60112047 A JP S60112047A
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- sccm
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光（紫外から可視、赤外、Ｘ線、γ線などの電
磁波）に感受性をもつ光導電部材に関する。
磁波）に感受性をもつ光導電部材に関する。
固体撮像素子、電子写真感光体等の光導電性層を構成す
る光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での比抵
抗が高く（通常１０ Ωｍ以上）、かつ光照射によシ比
抵抗が小さくなる性質を有することが必要である。
る光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での比抵
抗が高く（通常１０ Ωｍ以上）、かつ光照射によシ比
抵抗が小さくなる性質を有することが必要である。
電子写真を例にしてその原理を説明すると、まず感光体
表面にコロナ放電によシミ荷を付与して帯電させる。つ
づいて、感光体に光を照射すると電子と正孔の対ができ
、そのいずれか一方によシ表面の電荷が中和される。例
えば、正に帯電させた場合は光照射によシ生じた対のう
ち電子によって中和され、感光体表面に正電荷の潜像が
形成される。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電
したトナーを感光体表面にクーロン力によって吸引させ
ることによシ可視化がなされる。この時、電荷がなくと
も、トナーの電荷で感光体に引きつけられるのを回避す
るだめに、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方
向の電場が生じるように現像器の電位を高くする。いわ
ゆる現像バイアスの処理がなされる。
表面にコロナ放電によシミ荷を付与して帯電させる。つ
づいて、感光体に光を照射すると電子と正孔の対ができ
、そのいずれか一方によシ表面の電荷が中和される。例
えば、正に帯電させた場合は光照射によシ生じた対のう
ち電子によって中和され、感光体表面に正電荷の潜像が
形成される。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電
したトナーを感光体表面にクーロン力によって吸引させ
ることによシ可視化がなされる。この時、電荷がなくと
も、トナーの電荷で感光体に引きつけられるのを回避す
るだめに、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方
向の電場が生じるように現像器の電位を高くする。いわ
ゆる現像バイアスの処理がなされる。
上述した電子写真においては、その感光体として次のよ
うな条件を満足することが要求される。即ち、第１にコ
ロナ放電によシ帯電した電荷が光照射まで保持されるこ
と、第２に光照射によシ生成した電子と正孔の対が再結
合することなく、一方が表面の電荷を中和し、更に他方
が感光体の支持体まで瞬時に達すること、等が要求され
る。
うな条件を満足することが要求される。即ち、第１にコ
ロナ放電によシ帯電した電荷が光照射まで保持されるこ
と、第２に光照射によシ生成した電子と正孔の対が再結
合することなく、一方が表面の電荷を中和し、更に他方
が感光体の支持体まで瞬時に達すること、等が要求され
る。
ところで、従来、光導電性材料としては非晶質力ルコダ
ナイド系のものが用いられている。
ナイド系のものが用いられている。
非晶質カルコゲナイドは大面積化が容易であシ、かつ光
導電性が優れる等の特徴を有する。しかしながら、かか
る非晶質カルコゲナイドは光の吸収帯が可視から紫外に
近い所にあシ、実用上、可視域の先に対する感度が低く
、シかも硬度が低く、電子写真に応用した場合、寿命が
短い等の種々の問題があった。
導電性が優れる等の特徴を有する。しかしながら、かか
る非晶質カルコゲナイドは光の吸収帯が可視から紫外に
近い所にあシ、実用上、可視域の先に対する感度が低く
、シかも硬度が低く、電子写真に応用した場合、寿命が
短い等の種々の問題があった。
このようなことから、最近、光導電性材料としてアモル
ファスシリコン（以下、ａ−３ｔと称す）を用いること
が注目されている。ｌ’−３ｉは吸収波長域が広く、パ
ンクロマティックであり、感度も高い。また、硬度も高
く、電子写真感光体に応用した場合は従来のものよ＃）
１０倍以上の寿命をもつことが期待されている。更に、
人体に無害であシ、単結晶シリコンと比較した場合、安
価で容易に大面積のものが得られる等多くの利点を有す
る。しかしながら、ａ−８ｉは暗所での比抵抗（以下、
暗抵抗と称す）が低く、通常１０８Ωｃｒｎ〜１０１０
ｂ程度で、電子写真感光体のような静電潜像を形成する
ものでは、表面に帯電させた電荷を保持することができ
ない。
ファスシリコン（以下、ａ−３ｔと称す）を用いること
が注目されている。ｌ’−３ｉは吸収波長域が広く、パ
ンクロマティックであり、感度も高い。また、硬度も高
く、電子写真感光体に応用した場合は従来のものよ＃）
１０倍以上の寿命をもつことが期待されている。更に、
人体に無害であシ、単結晶シリコンと比較した場合、安
価で容易に大面積のものが得られる等多くの利点を有す
る。しかしながら、ａ−８ｉは暗所での比抵抗（以下、
暗抵抗と称す）が低く、通常１０８Ωｃｒｎ〜１０１０
ｂ程度で、電子写真感光体のような静電潜像を形成する
ものでは、表面に帯電させた電荷を保持することができ
ない。
そこで、ａ−８ｉを電子写真に応用した例では、感光層
と支持体との間にＮ、Ｃ，Ｏなどを添加した比抵抗の高
いａ−３１層或いはｐ型、ｎ型のａ−８ｉ層を設け、支
持体からのキャリアの注入を阻止することが試みられて
いる。但し、後者のａ−８ｉ層を用いる際は、正帯電の
場合には電子をブロックし、正孔を通過させうるｐ型の
ａ−−８ｉ層を、負帯電の場合にはｎｍのａ−８ｔＲ４
を、使用する。こうした構造の感光体では帯電能力を高
くすることが可能である。しかしながら、前者の構造で
はＮ、Ｃ，Ｏを添加したａ−８ｉ層を厚くすると、感光
層から支持体へ流れるキャリアの通過をも阻止し、その
結果、残留電位が高くなるという問題が生じる。一方、
該ａ−８ｔ層を薄くすると、現像バイアスによる絶縁破
壊を招く。後者の構造ではｐ型、ｎ型のａ−８ｉ層を厚
くしても前者のような問題を生じないが、帯電能がかな
らずしも十分に満足するものでなかった。
と支持体との間にＮ、Ｃ，Ｏなどを添加した比抵抗の高
いａ−３１層或いはｐ型、ｎ型のａ−８ｉ層を設け、支
持体からのキャリアの注入を阻止することが試みられて
いる。但し、後者のａ−８ｉ層を用いる際は、正帯電の
場合には電子をブロックし、正孔を通過させうるｐ型の
ａ−−８ｉ層を、負帯電の場合にはｎｍのａ−８ｔＲ４
を、使用する。こうした構造の感光体では帯電能力を高
くすることが可能である。しかしながら、前者の構造で
はＮ、Ｃ，Ｏを添加したａ−８ｉ層を厚くすると、感光
層から支持体へ流れるキャリアの通過をも阻止し、その
結果、残留電位が高くなるという問題が生じる。一方、
該ａ−８ｔ層を薄くすると、現像バイアスによる絶縁破
壊を招く。後者の構造ではｐ型、ｎ型のａ−８ｉ層を厚
くしても前者のような問題を生じないが、帯電能がかな
らずしも十分に満足するものでなかった。
更に、上述したａ’−８ｉ層の両方を組合せた構造の光
導電部材も提案されている。即ち、この光導電部材は支
持体上にｐ型又はｎ型のａ−８ｉ層（第１ブロッキング
層）及びＮ、Ｃ，Ｏなどを添加した絶縁性のａ −ｓｉ
層（第２７゛口、キング層）を順次積層し、更にその上
に感光層を績層したものである。しかしながら、かかる
光導電部材にあっては、第２ブロッキング層により感光
層から支持体へ流れるキャリアが阻止され、やはシ残留
電位が高くなるという問題が生じる。
導電部材も提案されている。即ち、この光導電部材は支
持体上にｐ型又はｎ型のａ−８ｉ層（第１ブロッキング
層）及びＮ、Ｃ，Ｏなどを添加した絶縁性のａ −ｓｉ
層（第２７゛口、キング層）を順次積層し、更にその上
に感光層を績層したものである。しかしながら、かかる
光導電部材にあっては、第２ブロッキング層により感光
層から支持体へ流れるキャリアが阻止され、やはシ残留
電位が高くなるという問題が生じる。
本発明は光照射後の残留電位を解消すると共に帯電能の
優れた長寿命の光導電部材を提供しようとするものであ
る。
優れた長寿命の光導電部材を提供しようとするものであ
る。
本発明は支持体上にアモルファスシリコンからなる第１
ブロツキング層、第２ブロッキング層、光導電性層及び
表面被覆層を順次有する光導電部材において、前記第２
ブロッキング層が光導電性を有することを特徴とするも
のである。
ブロツキング層、第２ブロッキング層、光導電性層及び
表面被覆層を順次有する光導電部材において、前記第２
ブロッキング層が光導電性を有することを特徴とするも
のである。
こうした本発明によれば第２ブロッキング層として比抵
抗が高いものの光導電−性を持たせることによシ、光照
射時に光導電性層から支持体にキャリアを通過でき、同
時に第１ブロッキング層と共に支持体からのキャリアの
注入を防止でき、ひいては既述の如く残留電位がなく帯
電能の優れた長寿命の光導電部材を得ることができる。
抗が高いものの光導電−性を持たせることによシ、光照
射時に光導電性層から支持体にキャリアを通過でき、同
時に第１ブロッキング層と共に支持体からのキャリアの
注入を防止でき、ひいては既述の如く残留電位がなく帯
電能の優れた長寿命の光導電部材を得ることができる。
なお、光導電性とは暗抵抗と光抵抗の差が１０以上のも
のである。
のである。
次に、本発明の光導電部材の一製造方法を第１図のＣＶ
Ｄ装置を参照して説明する。
Ｄ装置を参照して説明する。
まず、真空反応容器１内の固定部材２上に導電性の支持
体３を設置した後、バルブ４を介装した排気管５に取付
けたメカニカルブースターポンプと油拡散ポンプ（いず
れも図示せず）を作動して反応容器１内を１０〜１０
ｔｏｒｒの真空にする。同時に、固定部材２に取付けた
ヒータ６によシ支持体３を１００〜４００℃の温度に昇
温する。つづいて、ガス供給装置ヱよりＳｉ原子を含む
ガス（例えば５ＩＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ＩＦ４等のガス
）、第１１ａ族又は第Ｖａ族を含むドーピングガス、Ｃ
を含むガス（例えばＣＨ４，Ｃ，２Ｈ６゜Ｃ５Ｈ８等の
ガス）、Ｎを含むガス（例えばＮＨ５゜Ｎ２等のガス）
、０を含むガス（例えば０２．Ｎ２０等のガス）等を、
目的とする混合比率でバルブ８が介装されたガス導入管
９から反応容器１内に導入し、０１〜１ ｔｏｒｒ程度
の圧力になるように排気系の排気速度を調整し、定常状
態になる１で待つ。ひきつづき、反応容器１内の電極１
０と支持体３の間に高周波電源１１から１、３．５６
ＭＩ（ｚの高周波電力を印加して支持体上に第１プロ、
ギング層を成膜する。
体３を設置した後、バルブ４を介装した排気管５に取付
けたメカニカルブースターポンプと油拡散ポンプ（いず
れも図示せず）を作動して反応容器１内を１０〜１０
ｔｏｒｒの真空にする。同時に、固定部材２に取付けた
ヒータ６によシ支持体３を１００〜４００℃の温度に昇
温する。つづいて、ガス供給装置ヱよりＳｉ原子を含む
ガス（例えば５ＩＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ＩＦ４等のガス
）、第１１ａ族又は第Ｖａ族を含むドーピングガス、Ｃ
を含むガス（例えばＣＨ４，Ｃ，２Ｈ６゜Ｃ５Ｈ８等の
ガス）、Ｎを含むガス（例えばＮＨ５゜Ｎ２等のガス）
、０を含むガス（例えば０２．Ｎ２０等のガス）等を、
目的とする混合比率でバルブ８が介装されたガス導入管
９から反応容器１内に導入し、０１〜１ ｔｏｒｒ程度
の圧力になるように排気系の排気速度を調整し、定常状
態になる１で待つ。ひきつづき、反応容器１内の電極１
０と支持体３の間に高周波電源１１から１、３．５６
ＭＩ（ｚの高周波電力を印加して支持体上に第１プロ、
ギング層を成膜する。
次いで、一旦高周波電力の印加を停止し、ガス供給装置
Ｉより前述したガスから選ばれた所定のガスを反応容器
１内に導入し、再度、高周波電力を印加して第１ブロッ
キング層上に第２ブロッキング層を成膜する。
Ｉより前述したガスから選ばれた所定のガスを反応容器
１内に導入し、再度、高周波電力を印加して第１ブロッ
キング層上に第２ブロッキング層を成膜する。
次いで、以下、同様な操作により第２ブロッキング層上
に光導電性層、更にその上に表面被覆層を成膜すること
によシ第２図に示す光導電部材を造る。なお、第２図中
の２１は導電性の支持体、２２は第１ブロッキング層、
２３は光導電性を有する第２ブロッキング層、２４は光
導電性層、２５は表面被覆層である。なお、ドーピング
ガスをマイクロ波等の電磁波で予め励起することによシ
ト−ピング効率の向上、成膜速度の向上を達成できる。
に光導電性層、更にその上に表面被覆層を成膜すること
によシ第２図に示す光導電部材を造る。なお、第２図中
の２１は導電性の支持体、２２は第１ブロッキング層、
２３は光導電性を有する第２ブロッキング層、２４は光
導電性層、２５は表面被覆層である。なお、ドーピング
ガスをマイクロ波等の電磁波で予め励起することによシ
ト−ピング効率の向上、成膜速度の向上を達成できる。
次に、本発明の詳細な説明する。
実施例１
まず、Ａｔ製の導電性支持体を真空反応容器に入れ、反
応容器内をメカニカルブースターポンプ０と油回転ポン
プによシ１０−６〜１０” ｔｏｒｒの真空にすると共
に、支持体をヒータによシ３００℃に昇温した。つづい
て、反応容器にＳ＋Ｈ４を１５０ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２
Ｈ６をＢ２Ｈ６／５ＩＨ４−ｔ Ｘ １０−３の割合で
、ＣＨ４を１５ ＳＣＣＭとなるように６人し、反応圧
が０．５ ｔｏｒｒとなるように排気系の排気速度を調
整した。ひきつづき、反応圧が定常状態になったら、反
応容器の電極と支持体間に１３、５６ Ｍ）Ｉｚの高周
波電力１００Ｗを投入し、この状態を２０分間保持して
支持体上に厚さ１．５μｍの第１ブロッキング層を成膜
した。
応容器内をメカニカルブースターポンプ０と油回転ポン
プによシ１０−６〜１０” ｔｏｒｒの真空にすると共
に、支持体をヒータによシ３００℃に昇温した。つづい
て、反応容器にＳ＋Ｈ４を１５０ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２
Ｈ６をＢ２Ｈ６／５ＩＨ４−ｔ Ｘ １０−３の割合で
、ＣＨ４を１５ ＳＣＣＭとなるように６人し、反応圧
が０．５ ｔｏｒｒとなるように排気系の排気速度を調
整した。ひきつづき、反応圧が定常状態になったら、反
応容器の電極と支持体間に１３、５６ Ｍ）Ｉｚの高周
波電力１００Ｗを投入し、この状態を２０分間保持して
支持体上に厚さ１．５μｍの第１ブロッキング層を成膜
した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態でＳｉＨ４
を１５０ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２Ｈ６をＢ２Ｈ６／５ｉＨ
４−ＩＸＩＯ−６の割合で、ＣＪ（４を１５ ＳＣＣＭ
、 ２００ＳＣＣＭ 、 ５００ ＳＣＣＭ 、 ６
００ ＳＣＣＭに設定して３０分間保持し、第１ゾロツ
キング層上に厚さ３μｍの第２ブロツキング晃を夫々成
膜した。
を１５０ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２Ｈ６をＢ２Ｈ６／５ｉＨ
４−ＩＸＩＯ−６の割合で、ＣＪ（４を１５ ＳＣＣＭ
、 ２００ＳＣＣＭ 、 ５００ ＳＣＣＭ 、 ６
００ ＳＣＣＭに設定して３０分間保持し、第１ゾロツ
キング層上に厚さ３μｍの第２ブロツキング晃を夫々成
膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態でＳ＋Ｈ４
を１５０ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２Ｈ６をＢ２Ｈ６／５ｌＨ
４−ＩＸｌ、０−６の割合に設定して４時間保持し、４
つの第２ブロツギング層上に厚さ１５μｍの光導電性層
を夫々成膜した。
を１５０ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２Ｈ６をＢ２Ｈ６／５ｌＨ
４−ＩＸｌ、０−６の割合に設定して４時間保持し、４
つの第２ブロツギング層上に厚さ１５μｍの光導電性層
を夫々成膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態でＳｉＨ４
を１５０ ＳＣＣＭ 、ＣＨ４を４５０ ＳＣＣＭに設
定して１分間保持し、各光導電性層上に厚さ○、１μｍ
の表面被覆層を成膜して４種の感光体を製造した。
を１５０ ＳＣＣＭ 、ＣＨ４を４５０ ＳＣＣＭに設
定して１分間保持し、各光導電性層上に厚さ○、１μｍ
の表面被覆層を成膜して４種の感光体を製造した。
得られた４種の感光体はコロナ放電によるチャージャー
からドラム（支持体）への流入電流０．４μＣ／ｃｒｎ
２の条件ではいずれにおいても帯電能が５００Ｖ以上で
あった。
からドラム（支持体）への流入電流０．４μＣ／ｃｒｎ
２の条件ではいずれにおいても帯電能が５００Ｖ以上で
あった。
また、各感光体について１万回の繰り返し使用による残
留電位を調べたところ、第３図に示す特性図とｋつだ。
留電位を調べたところ、第３図に示す特性図とｋつだ。
なお、第３図中のＡは第２ブロッキング層の成膜時にお
けるＣＨ４の流量が１５８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｂ
は同ｃＨ４の流量が２００８ＣＣＭの感光体の特性線、
Ｃは同ＣＨ４の流量が５００３ＣＣＭの感光体の特性線
、Ｄは同ｃＨ４の流量が６００８ＣＣＭの特性線である
。この第３図から明らかなように第２ブロツキンダ層の
成膜時におけるＣＨ４の流量が５００ＳＣＣＭ、６００
ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合は使用
初期の残留電位が高いばかシか、繰り返しの使用によシ
残留電位が著しく増加する。これに対し、第２ブロッキ
ング層の成膜時におけるＣＨ４の流量が１５ ＳＣＣＭ
、 ２００ ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ａ、Ｂ
）の場合は使用初期での残留電位が著しく低く、シかも
繰り返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一
定であった。こうしたことから、ガラス基板上に第２ブ
ロッキング層を前述した条件で夫々成膜し、更にＮｉ−
Ｃｒの電極を蒸着して各第２ブロッキング層の暗抵抗と
光抵抗を測定したところ、ＣＨ４流量が１５８ＣＣＭの
第２ブロッキング層は夫々５Ｘ１０９ΩｃｎＩ、 ８
Ｘ １０”８ｃｍ 、 ＣＨ４流量が２００８ＣＣＭの
第２プロツキ／グ層は夫々７ Ｘ １０ Ｑｃｒｎ。
けるＣＨ４の流量が１５８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｂ
は同ｃＨ４の流量が２００８ＣＣＭの感光体の特性線、
Ｃは同ＣＨ４の流量が５００３ＣＣＭの感光体の特性線
、Ｄは同ｃＨ４の流量が６００８ＣＣＭの特性線である
。この第３図から明らかなように第２ブロツキンダ層の
成膜時におけるＣＨ４の流量が５００ＳＣＣＭ、６００
ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合は使用
初期の残留電位が高いばかシか、繰り返しの使用によシ
残留電位が著しく増加する。これに対し、第２ブロッキ
ング層の成膜時におけるＣＨ４の流量が１５ ＳＣＣＭ
、 ２００ ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ａ、Ｂ
）の場合は使用初期での残留電位が著しく低く、シかも
繰り返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一
定であった。こうしたことから、ガラス基板上に第２ブ
ロッキング層を前述した条件で夫々成膜し、更にＮｉ−
Ｃｒの電極を蒸着して各第２ブロッキング層の暗抵抗と
光抵抗を測定したところ、ＣＨ４流量が１５８ＣＣＭの
第２ブロッキング層は夫々５Ｘ１０９ΩｃｎＩ、 ８
Ｘ １０”８ｃｍ 、 ＣＨ４流量が２００８ＣＣＭの
第２プロツキ／グ層は夫々７ Ｘ １０ Ｑｃｒｎ。
４×１０１３Ωｃｍ 、 ＣＨ４流量が５００ ＳＣＣ
Ｍの第２ブロッキング層は夫々３×１０ Ωｍ、６Ｘ１
０１４０ｃｍ ＋ ＣＨ４流量が６００８ＣＣＭの第２
ブロツギング層は夫々５ Ｘ １０”Ｑｃｍ 、 ８
Ｘ １０”Ω−であり、ＣＨ４流量が１５ 、２００
ＳＣＣＭの第２ブロッキング層は暗抵抗、光抵抗の差が
１０３以上と、光導電性を示すことがわかった。
Ｍの第２ブロッキング層は夫々３×１０ Ωｍ、６Ｘ１
０１４０ｃｍ ＋ ＣＨ４流量が６００８ＣＣＭの第２
ブロツギング層は夫々５ Ｘ １０”Ｑｃｍ 、 ８
Ｘ １０”Ω−であり、ＣＨ４流量が１５ 、２００
ＳＣＣＭの第２ブロッキング層は暗抵抗、光抵抗の差が
１０３以上と、光導電性を示すことがわかった。
更に、各感光体の１万回繰シ返し使用による帯電能を調
べた。−その結果、第２ブロツギング層の成膜時におけ
るＣＨ４流量が５００ ＳＣＣＭ 。
べた。−その結果、第２ブロツギング層の成膜時におけ
るＣＨ４流量が５００ ＳＣＣＭ 。
６００ ＳＣＣＭノ感光体では初期値（５００Ｖ）よシ
１５０〜２００ｖ上昇した。これに対し、第２ブロッキ
ング層が光導電性を有する感光体では（５００Ｖ）とほ
ぼ変化せずに繰り返し使用できた。
１５０〜２００ｖ上昇した。これに対し、第２ブロッキ
ング層が光導電性を有する感光体では（５００Ｖ）とほ
ぼ変化せずに繰り返し使用できた。
実施例２
実施例１の第２ブロツキング層、光導電性層の成膜時に
Ｂ２Ｈ６のドーピングを行なわずに４種の感光体を製造
した。
Ｂ２Ｈ６のドーピングを行なわずに４種の感光体を製造
した。
得られた４種の感光体は実施例とほぼ同様な結果となっ
た。
た。
実施例３
第１ブロッキング層２表面被覆層の成膜に際し、ＣＩ■
４の代シにＮＨ５を用い、かつ第２ブロッキング層の成
膜に際し、ＣＨ４の代シにＮｌ−Ｉ４を１５ ＳＣＣＭ
、 ７５ ＳＣＣＭ 、 ５００・ＳＣＣＭ 、６０
０ ＳＣＣＭに設定した以外、実施例１と同様な方法に
よシ４種の感光体を製造した。
４の代シにＮＨ５を用い、かつ第２ブロッキング層の成
膜に際し、ＣＨ４の代シにＮｌ−Ｉ４を１５ ＳＣＣＭ
、 ７５ ＳＣＣＭ 、 ５００・ＳＣＣＭ 、６０
０ ＳＣＣＭに設定した以外、実施例１と同様な方法に
よシ４種の感光体を製造した。
得られた各感光体について１万回の繰シ返し使用による
残留電位を調べたところ、第４図に示す特性図となった
。なお、第４図中のＡは第２ブロッキング層の成膜時に
おけるＮＨ３流量が１５ ＳＣＣＭの感光体の特性線、
Ｂは同ＮＨ３流量が７５８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｃ
は同ＮＨ３流量が５００８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｄ
は同ＮＴ（３流量が６００８ＣＣＭの感光体の特性線、
である。この第４図から明らかなように第２ブロッキン
グ層の成膜時におけるＮ１（３流量が５００ＳＣＣＭ、
６００ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合
は使用初期の残留電位が高いばかりか繰り返しの使用に
よシ残留電位が著しく増加する。これに対し、第２ブロ
ッキング層の成膜時におけるＮＨ３流量が１５ ＳＣＣ
Ｍ 、 ７５ ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ａ、Ｂ
）の場合は使用初期の残留電位が著しく低く、シかも繰
シ返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一定
であった。
残留電位を調べたところ、第４図に示す特性図となった
。なお、第４図中のＡは第２ブロッキング層の成膜時に
おけるＮＨ３流量が１５ ＳＣＣＭの感光体の特性線、
Ｂは同ＮＨ３流量が７５８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｃ
は同ＮＨ３流量が５００８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｄ
は同ＮＴ（３流量が６００８ＣＣＭの感光体の特性線、
である。この第４図から明らかなように第２ブロッキン
グ層の成膜時におけるＮ１（３流量が５００ＳＣＣＭ、
６００ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合
は使用初期の残留電位が高いばかりか繰り返しの使用に
よシ残留電位が著しく増加する。これに対し、第２ブロ
ッキング層の成膜時におけるＮＨ３流量が１５ ＳＣＣ
Ｍ 、 ７５ ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ａ、Ｂ
）の場合は使用初期の残留電位が著しく低く、シかも繰
シ返しの使用においても残留電位は増加せず、はぼ一定
であった。
こうしたことから、実施例１と同様な方法によシ各第２
ブロッキング層の暗抵抗と光抵抗を測、定しだところ、
ＮＨ３流量が１５８ＣＣＭの第２ブロッキング層は夫々
８×１０Ωω、 ５ Ｘ １０ Ｑｔｙｎ。
ブロッキング層の暗抵抗と光抵抗を測、定しだところ、
ＮＨ３流量が１５８ＣＣＭの第２ブロッキング層は夫々
８×１０Ωω、 ５ Ｘ １０ Ｑｔｙｎ。
ＮＨ３流量が７５３ＣＣＭの第２ブロッキング層は夫々
ｉ Ｘ １０１０ΩｃＹｎ、３×１０１３Ωｃｍ ＋
ＮＨ３流量が５００８ＣＣＭの第２ブロッキング層は夫
々５Ｘ１０”０ｃｍ 、 ９ Ｘ １０”Ωａｎ 、
ＮＨ３流量が６００ ＳＣＣＭの第２ブロッキング層は
夫々５×１０ ΩＣＴｎ ＋８×１０１４Ωｍであり、
ＮＩ（３流量が１５ ＳＣＣＭ 。
ｉ Ｘ １０１０ΩｃＹｎ、３×１０１３Ωｃｍ ＋
ＮＨ３流量が５００８ＣＣＭの第２ブロッキング層は夫
々５Ｘ１０”０ｃｍ 、 ９ Ｘ １０”Ωａｎ 、
ＮＨ３流量が６００ ＳＣＣＭの第２ブロッキング層は
夫々５×１０ ΩＣＴｎ ＋８×１０１４Ωｍであり、
ＮＩ（３流量が１５ ＳＣＣＭ 。
７５ ＳＣＣＭの第２ブロッキング層は光導電性を示す
ことがわかった。
ことがわかった。
また、各感光体の１万回繰り返し使用による？Ｉ￥電能
を調べたところ、第２ブロッキング層の成膜時における
Ｎ１３３流量が５００ ＳＣＣＭ 、 ６００ＳＣＣＭ
の感光体では初期値（５００Ｖ以上）より１５０〜２０
０ｖ上昇したのに対し、ＮＨ３流量が１．５８ＣＣＭ
、 ７５ ＳＣＣＭの感光体では初期値（５００Ｖ以上
）とほぼ変化せずに繰り返し使用できた。
を調べたところ、第２ブロッキング層の成膜時における
Ｎ１３３流量が５００ ＳＣＣＭ 、 ６００ＳＣＣＭ
の感光体では初期値（５００Ｖ以上）より１５０〜２０
０ｖ上昇したのに対し、ＮＨ３流量が１．５８ＣＣＭ
、 ７５ ＳＣＣＭの感光体では初期値（５００Ｖ以上
）とほぼ変化せずに繰り返し使用できた。
実施例４
第１ブロッキング層の成膜に際し、ＣＨ４の代りに０２
を１０ ＳＣＣＭに設定し、かつ第２ブロッキング層の
成膜に際し、ＣＩ（４の代シに０２を１１０５ＣＣ，４
０ＳＣＣＭ、 １８０ ＳＣＣＭ、 ２２０ ＳＣＣＭ
に設定した以外、実施例１と同様な方法により４種の感
光体を製造した。
を１０ ＳＣＣＭに設定し、かつ第２ブロッキング層の
成膜に際し、ＣＩ（４の代シに０２を１１０５ＣＣ，４
０ＳＣＣＭ、 １８０ ＳＣＣＭ、 ２２０ ＳＣＣＭ
に設定した以外、実施例１と同様な方法により４種の感
光体を製造した。
得られた各感光体について１万回の繰り返し使用による
残留電位を調べたところ、第５図に示す特性図となった
。なお、第５図中のＡは第２ブロッキング層の成膜時に
おける０２流量が１０８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｂは
同０２流量〃二２０ ＳＣＣＭの感光体の特性線、Ｃは
同０２流量が１８０８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｄは同
０２流量が２２０３ＣＣＭの感光体の特性線、である。
残留電位を調べたところ、第５図に示す特性図となった
。なお、第５図中のＡは第２ブロッキング層の成膜時に
おける０２流量が１０８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｂは
同０２流量〃二２０ ＳＣＣＭの感光体の特性線、Ｃは
同０２流量が１８０８ＣＣＭの感光体の特性線、Ｄは同
０２流量が２２０３ＣＣＭの感光体の特性線、である。
この第５図から明らかなように、第２ブロッキング層の
成膜時における０２流量が１８０ ＳＣＣＭ 。
成膜時における０２流量が１８０ ＳＣＣＭ 。
２２０ ＳＣＣＭの感光体（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場
合は、使用初期での残留電位が高いはかり７５−１繰り
返しの使用により残留電位が著しく増加する。これに対
し、第２ブロッキング層の成膜時における０２流量が１
０ ＳＣＣＭ 、 ４０ ＳＣＣＭの感光体（図中の特
性線Ａ、Ｂ）の場合は使用初期での残留電位が著しく低
く、しかも繰シ返しの使用においても残留電位は増加せ
ず、はぼ一定であった。こうしたことから、実施例１と
同様な方法によシ各第２ブロッキング層の暗抵抗と光抵
抗を測定したところ、０゜流量が１０８ＣＣＭの第２ブ
ロツギング層は夫々６×１０Ωｍ、７Ｘ１０１３Ω−１
０２流量が４０３ＣＣＭの第２ブロッキング層は夫々５
Ｘ１０’Ωα、８×１０１３Ωｍ、０２流量が１８０
ＳＣＣＭの第２ブロッキング層は夫々４×１０Ωσ。
合は、使用初期での残留電位が高いはかり７５−１繰り
返しの使用により残留電位が著しく増加する。これに対
し、第２ブロッキング層の成膜時における０２流量が１
０ ＳＣＣＭ 、 ４０ ＳＣＣＭの感光体（図中の特
性線Ａ、Ｂ）の場合は使用初期での残留電位が著しく低
く、しかも繰シ返しの使用においても残留電位は増加せ
ず、はぼ一定であった。こうしたことから、実施例１と
同様な方法によシ各第２ブロッキング層の暗抵抗と光抵
抗を測定したところ、０゜流量が１０８ＣＣＭの第２ブ
ロツギング層は夫々６×１０Ωｍ、７Ｘ１０１３Ω−１
０２流量が４０３ＣＣＭの第２ブロッキング層は夫々５
Ｘ１０’Ωα、８×１０１３Ωｍ、０２流量が１８０
ＳＣＣＭの第２ブロッキング層は夫々４×１０Ωσ。
７×１０１４Ωα、０２流量が２２０８ＣＣＭの第２ブ
ロッキング層は夫々５×１０ Ωα、８Ｘ１０１４Ωα
であり、０□流量が１０ ＳＣＣＭ 、 ４０ ＳＣＣ
Ｍの第２プロ、キング層は光導電性を示すことがわかっ
た。
ロッキング層は夫々５×１０ Ωα、８Ｘ１０１４Ωα
であり、０□流量が１０ ＳＣＣＭ 、 ４０ ＳＣＣ
Ｍの第２プロ、キング層は光導電性を示すことがわかっ
た。
また、各感光体の１万回繰り返し使用による帯電能を調
べたところ、第２ブロッキング層の成膜時における０２
流量が１８０ ＳＣＣＭ 、 ２２０ＳＣＣＭの感光体
では初期値（５００Ｖ以上）より１５０〜２００ｖ上昇
したのに対し、０２流量が１０ ＳＣＣＭ 、 ４０
ＳＣＣＭの感光体では初期値（５００Ｖ以上）とほぼ変
化せず、繰り返し使用できた。
べたところ、第２ブロッキング層の成膜時における０２
流量が１８０ ＳＣＣＭ 、 ２２０ＳＣＣＭの感光体
では初期値（５００Ｖ以上）より１５０〜２００ｖ上昇
したのに対し、０２流量が１０ ＳＣＣＭ 、 ４０
ＳＣＣＭの感光体では初期値（５００Ｖ以上）とほぼ変
化せず、繰り返し使用できた。
以上詳述した如く、本発明によれば光照射後の残留電位
の発生を防止できると共に帯電能の優れた電子写真感光
体等に好適な長寿命の光導電部材を提供できる。
の発生を防止できると共に帯電能の優れた電子写真感光
体等に好適な長寿命の光導電部材を提供できる。
第１図は本発明の光導電部材の製造に用いられるＣＶＤ
装置の概略図、第２図は本発明の光導電部材を示す概略
断面図、第３図は本発明の実施例１における各感光体の
繰り返し使用回数と残留電位との関係を示す特性図、第
４図は本発明の実施例３における各感光体の繰シ返し使
用回数と残留電位との関係を示す特性図、第５図は本発
明の実施例４における各感光体の繰り返し使用回数と残
留電位との関係を示す特性図である。 １・・・真空反応容器、３・・・支持体、６・・・ヒー
タ、ヱ・・・ガス供給装置、１０・・・電極、１１・・
・高周波電源。
装置の概略図、第２図は本発明の光導電部材を示す概略
断面図、第３図は本発明の実施例１における各感光体の
繰り返し使用回数と残留電位との関係を示す特性図、第
４図は本発明の実施例３における各感光体の繰シ返し使
用回数と残留電位との関係を示す特性図、第５図は本発
明の実施例４における各感光体の繰り返し使用回数と残
留電位との関係を示す特性図である。 １・・・真空反応容器、３・・・支持体、６・・・ヒー
タ、ヱ・・・ガス供給装置、１０・・・電極、１１・・
・高周波電源。
Claims (6)
- （１）支持体上にアモルファスシリコンからなる第１ブ
ロツキング層、第２ブロッキング層。 光導電性層及び表面被覆層を順次重する光導電部材にお
いて、前記第２ブロッキング層が光導電性を有すること
を特徴とする光導電部材。 - （２）第１ブロッキング層がｐ型又はｎ型の半導体であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導電
部材。 - （３）第１ブロッキング層中には第１ｅａ族又は第■ａ
族の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の光導電部材。 - （４）第１ブロッキング層中にはＮ、Ｃ，Ｏの元素のう
ち少なくとも１種以上を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第１項乃至第３項いずれか記載の光導電部材。 - （５）第２ブロッキング層中には第１ｅａ族又は第■ａ
族の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光導電部材。 - （６）第２ブロッキング層中にはＮ、Ｃ，Ｏの元素のう
ちの少なくとも１種以上を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第１項又は第５項記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220435A JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220435A JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112047A true JPS60112047A (ja) | 1985-06-18 |
| JPH0554673B2 JPH0554673B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=16751062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58220435A Granted JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112047A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS5891684A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
| GB2111707A (en) * | 1981-11-26 | 1983-07-06 | Canon Kk | Photoconductive member |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58220435A patent/JPS60112047A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS5891684A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
| GB2111707A (en) * | 1981-11-26 | 1983-07-06 | Canon Kk | Photoconductive member |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0554953B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1993-08-13 | Shindengen Electric Mfg |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554673B2 (ja) | 1993-08-13 |
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