DE3119481A1 - Verfahren zum herstellen einer p-leitfaehigen halbleiterlegierung - Google Patents
Verfahren zum herstellen einer p-leitfaehigen halbleiterlegierungInfo
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 83
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 109
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 98
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 98
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 76
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 34
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 33
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims description 9
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- -1 galliu Chemical compound 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 241000208140 Acer Species 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000669 Chrome steel Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
Claims (1)
- Patentansprüche1/ Verfahren zum Herstellen einer p-leitfähigen Halbleiterlegierung,wobei auf ein Substrat ein wenigstens Silizium aufweisendes M-aterial durch Glimmentladung einer wenigstens Silizium enthaltenden Verbindung in einem Teilvakuum niedergeschlagen wird,
dadurch gekennzeichnet,- daß während der Glimmentladungs-Abscheidung des Materialsein p-»dotierendes verdampftes Metall in die Glimmentladungszone eingeleitet wird, das zusammen mit dem durch Glimmentladung niedergeschlagenen Silizium aufgebracht wird zur Bildung einer p-leitfähigen Legierung.2. Verfahren zum Herstellen einer p-leitfähigen Legierung, wobei auf einem Substrat, das auf eine Temperatur von wenigstens 450 0C erwärmt ist, ein wenigstens Silizium enthaltendes Material aufgebracht wird durch Glimmentladung einer wenigstens Silizium enthaltenden Verbindung in einem Teilvakuum,
dadurch gekennzeichnet,- daß während der Glimmentladungs-Abscheidung des Materialseine p-dotierende gasförmige Verbindung in die Glimmentladungszone eingeleitet wird, wobei diese p-dotierende gasförmige Verbindung wenigstens ein p-dotierendes130064/0865Element und einen nicht-p-dotierenden Substituenten enthält und in das p-dotierende Element und den nicht-p-dotierenden Substituenten bei der Substrattemperatur von wenigstens ca. 450 C zerfällt, woraufhin sich das p-dotierende Element mit dem niedergeschlagenen Siliziummaterial verbindet zur Erzeugung einer p-leitfähigen Legierung.3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Z, dadurch gekennzeichnet,- daß das p-dotierende Element wenigstens eines der Elemente Aluminium, Gallium, Indium, Zink oder Thallium ist.4. Verfahren nach Anspruch Z,
dadurch gekennzeichnet,- daß das p-dotierende Element Bor ist.5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet,- daß es eine Stufe in einem Mehrstufenprozeß zur Bildung aufeinanderfolgend abgeschiedener siliziumhaltiger Legierungen von entgegengesetzter (p- und n-) Leitfähigkeit ist,-•daß die n-leitfähige siliziumhaltige Legierung in Anwesenheit wenigstens eines die Zustandsdichte reduzierenden Elements gebildet wird, das sich mit der abgeschiedenen siliziumhaltigen Legierung am wirkungsvollsten bei einer relativ weit unter 450 0C liegenden Temperatur verbindet, wobei die n-leitfähige siliziumhaltige Legierung auf die p-leitfähige siliziuiÄhaltige Legierung aufgebracht wird, während das Substrat auf einer erheblich unter 450 C liegenden Temperatur gehalten wird.13 00 64/08656. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet,- daß jede dotierte siliziumhaltige Legierung eine im wesentlichen amorphe Legierung ist.7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet,- daß wenigstens eine der siliziumhaltigen Legierungen eine im wesentlichen amorphe Legierung ist,- daß die jede solche Legierung bildende Siliziumverbindung ein die Zustandsdichte reduzierendes Element enthält, und- daß wenigstens ein gesondertes, die Zustandsdichte reduzierendes Element, das nicht von der Verbindung abgeleitet ist, in die Glimmentladungszone eingeführt wird,so daß diese Elemente in jeder auf dem Substrat niedergeschlagenen, im wesentlichen amorphen siliziumhaltigen Legierung enthalten sind, um die elektronischen Konfigurationen zu ändern und in deren Bandabstand eine reduzierte Dichte von örtlichen Zuständen zu erzeugen.8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet,- daß das Substrat als im wesentlichen fortlaufendes Band gebildet wird, und- daß jede Siliziumlegierung in einer gesonderten Glimmentladungszone aufgebracht wird, an der das Band vorbeiläuft, so daß ein im wesentlichen kontinuierlicher Abscheidungsprozeß durchgeführt wird.9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet,- daß die den p-Dotierungsstoff enthaltende Legierung mit einer Dicke von weniger als 1000 A niedergeschlagen•wird.130064/086510. Verfahren nach einem der Ansprüche 5-9, dadurch gekennzeichnet,- daß jede Halbleiterlegierung in einem kontinuierlichen Prozeß gebildet wird.11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-10, dadurch gekennzeichnet,- daß wenigstens eines der siliziumhaltigen Materialien ein im wesentlichen amorphes Material ist, und- daß in der Glimmentladungszone zur Bildung jedes solchen Materials wenigstens ein die Zustandsdiehte reduzierendes Element enthalten ist, so daß das Element in jedem auf dem Substrat niedergeschlagenen im wesentlichen amorphen Siliziummaterial enthalten ist und dessen elektronische Konfigurationen ändert, so daß in dessen Bandabstand eine reduzierte Dichte örtlicher Zustände erzeugt wird.12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung Wasserstoff enthält.13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-12, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung fluor enthält.14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung ein Gemisch aus wenigstens"und H2 ist.130064/086515. Halbleiterlegierung,die ein Material enthält, das wenigstens ein siliziumhaltiges Element aufweist,wobei dieses Material durch Glimmentladung wenigstens einer siliziumhaltigen Verbindung in einem Teilvakuum auf ein Substrat aufgebracht wird, gekennzeichnet durch- wenigstens ein p-dotierendes Metall, das während der Glimmentladungs-Abscheidung des Materials aus einer Dampfphase des Metalls mit diesem vermischt wird zur Bildung einer p-leitfähigen Legierung (24, 28, 34, 36, 46, 48, 50).16. Halbleiterlegierung,die ein Material enthält, das wenigstens ein siliziumhaltiges Element aufweist,wobei dieses Material durch Glimmentladung wenigstens einer siliziumhaltigen Verbindung auf ein Substrat, das auf eine Temperatur von wenigstens ca. 450 C erwärmt ist, niedergeschlagen ist,
gekennzeichnet durch- wenigstens ein in das Material aus einer p-dotierenden Gasverbindung eingemischtes p-dotierendes Element, wobei die p-dotierende Gasverbindung wenigstens das p-dotierende Element und einen nicht-p-dotierenden Substituenten enthält unddie Gasverbindung sich bei der Substrattemperatur von wenigstens ca. 450 C während ihrer Glimmentladungs-Abscheidung in das p-dotierende Element und den nicht-p-dotierenden Substituenten zersetzt zur Bildung einer p-leitfähigen Legierung (24, 28, 34, 36, 46, 48, 50).130064/086517. Legierung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet,- daß das p-dotierende Element wenigstens eines der Elemente Aluminium, Gallium, Indium, Zink oder Thallium ist.18. Legierung nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet,- daß das p-dotierende Element Bor ist.19. Legierung nach einem der Ansprüche 15-18, dadurch gekennzeichnet,- daß die Legierung aus einer Mehrzahl Legierungen (20, 22, 24, 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52, 54, 56) besteht, die aufeinanderfolgend mit jeweils entgegengesetzter Leitfähigkeit (p und n) aufeinander gebildet sind,wobei die n-leitfähige siliziumhaltige Legierung (20, 32, 38, 40, 42, 44, 54, 56) durch Glimmentladung wenigstens einer wenigstens Silizium enthaltenden Verbindung in einem Teilvakuum niedergeschlagen ist und während der Glimmentladungs-Niederschlagung des Materials wenigstens ein n-Dotierungselement beigemischt wird zur Bildung einer n-leitfähigen Legierung.20. Legierung nach einem der Ansprüche 15-19, dadurch gekennzeichnet,- daß wenigstens eine der siliziumhaltigen Legierungen eine im wesentlichen amorphe Legierung ist, und- daß in der jede der Legierungen (20, 22, 24, 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40, 42, 44, 46, 48, 50, 52, 54, 56) bildenden Siliziumverbindung ein die Zustandsdichte reduzie-130064/086 5rendes Änderungselement enthalten ist und- daß wenigstens ein gesondertes, die Zustandsdichte reduzierendes, nicht von der Verbindung abgeleitetes Element in die Glimmentladungszone eingeleitet wird, so daß diese Elemente jeder der im wesentlichen amorphen siliziumhaltigen niedergeschlagenen Legierungen beigemischt werden zur Bildung geänderter elektronischer Konfigurationen und Erzielung einer reduzierten Dichte örtlicher Zustände in deren Bandabständen .21. Legierung nach einem der Ansprüche 15-20, dadurch gekennzeichnet,- daß die p-dotierte siliziumhaltige niedergeschlagene Legierung mit einer Dicke von weniger als 1000 K niedergeschlagen ist.22. Legierung nach einem der Ansprüche 15-21, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung Wasserstoff enthält.23. Legierung nach einem der Ansprüche 15-22, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung Fluor enthält.24·. Legierung nach einem der Ansprüche 15-21, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung ein Gemisch aus wenigstensund H2 ist.25. Legierung nach einem oder mehreren der Ansprüche 15-21, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung wenigstens ein Gemisch aus SiF. und H2 im Verhältnis 4:1 bis 10:1 ist.130064/086526. pn- oder pin-Übergangs-Bauelementmit einem eine Metallelektrode aufweisenden Substrat, mit einem auf der Elektrode durch sequentielle Glimmentladungs-Abscheidung von wenigstens zwei Legierungen mit entgegengesetztem Leitungstyp (p und n) niedergeschlagenen Material, das wenigstens ein siliziumhaltiges Element aufweist,
dadurch gekennzeichnet,- daß der p-leitfähigen siliziumhaltigei Legierung (24, 28, 34, 36, 46, 48, 50) während ihrer Abscheidung wenigstens ein p-dotierendes verdampftes Metall beigemischt wird zur Bildung einer p-leitfähigen Siliziumlegierung, und- daß der n-leitfähigen siliziumhaltigen Legierung (20, 32, 38, 40, 42, 44, 54, 56) während ihrer Glimmentladungs-Abscheidung wenigstens ein"η-dotierendes Element beigemischt wird zur Bildung einer n-leitfähigen Legierung.27. pn- oder pin-Übergangs-Bauelementmit einem eine Metallelektrode aufweisenden Substrat, mit einem auf der Elektrode, die auf eine Temperatur von wenigstens ca. 450 C erwärmt ist, durch sequentielle Glimmentladungs-Abscheidung von wenigstens zwei Legierungen mit entgegengesetztem Leitungstyp (p und n) niedergeschlagenen Material, das wenigstens ein siliziumhaltiges Element aufweist,
dadurch gekennzeichnet,- daß der p-leitfähigen siliziumhaltigen Legierung (24, 28, 34, 36, 46, 48, 50) während ihrer Glimmentladungs-Abscheidung aus einer p-dotierenden Gasverbindung wenigstens ein p-dotierendes Element beigemischt wird,wobei die p-dotierende Gasverbindung das wenigstens eine p-dotierende Element und einen nicht-p-dotierenden Substituenten enthält und130064/0865die Gasverbindung bei der Substrattemperatur von
wenigstens ca. 450 C in das p-dotierende Element und den nicht-p-dotierenden Substituenten aufgetrennt
wird zur Bildung einer p-leitfähigen Siliziumlegierung, und- daß der n-leitfähigen siliziumhaltigen Legierung (20, 32, 38, 40, 42, 44, 54, 56) während ihrer Glimmentladungs-Abscheidung wenigstens ein n-dotierendes
Element beigemischt wird zur Bildung einer n-leitfähigen Legierung.28. Bauelement nach Anspruch 26 oder 27,
dadurch gekennzeichnet,- daß das p-Dotierungselement wenigstens eines der
Elemente Aluminium, Gallium, Indium, Zink oder
Thallium ist.29. Bauelement nach Anspruch 27,
dadurch gekennzeichnet,- daß das p-Dotierungselement Bor ist.30. Bauelement nach einem der Ansprüche 26-29,
dadurch gekennzeichnet,- wenigstens eine der siliziumhaltigen Legierungen eine im wesentlichen amorphe Legierung ist,- daß die jede solche Legierung bildende Verbindung
ein die Zustandsdichte reduzierendes Element enthält, und- daß in die Glimmentladungszone wenigstens ein gesondertes, die Zustandsdichte reduzierendes, nicht von
der Verbindung abgeleitetes Element eingeleitet wird, so daß diese Elemente jeder im wesentlichen amorphen
siliziumhaltigen abgeschiedenen Legierung beigemischt sind zur Änderung von deren elektronischer Konfiguration und Erzeugung einer reduzierten Dichte örtlicher Zustände in deren Bandabstand.130064/086531. Bauelement nach einem der Ansprüche 26-30, dadurch gekennzeichnet,- daß die p-dotierte siliziumhaltige abgeschiedene Legierung mit einer Dicke von weniger als 1000 niedergeschlagen ist.32. Bauelement nach einem der Ansprüche 26-31, dadurch gekennzeichnet,- daß das Material Fluor enthält.33. Bauelement nach einem der Ansprüche 26-31r dadurch gekennzeichnet,- daß das Material aus wenigstens einem Gemisch vonund H2 gebildet ist.3A-. Bauelement nach einem der Ansprüche 26-31, dadurch gekennzeichnet,- daß das Material aus wenigstens einem Gemisch vonSiF^. und H- im Verhältnis von 4:1 bis 10:1 gebildet ist,35. Verfahren zum Herstellen einer Sperrschicht-Tafel, gekennzeichnet durch- Ausbilden einer Rolle bzw. eines Bands eines biegsamen Substrats mit einer oder mehreren Elektrodenbereichen,- im wesentlichen kontinuierliches Abwickeln des Substratbands in einen teilevakuierten Raum mit wenigstens einer Silizium-Abscheidungszone, in der auf wenigstens einige der einen oder mehreren Elektrodenbereiche wenigstens zwei dünne biegsame Siliziumlegierungen von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp (p und n) abgeschieden werden, wobei eine oder mehrere dieser Legierungen eine Sperrschicht-Verarmungszone bilden, und130064/0865- anschließendes Aufbringen einer dünnen biegsamen elektrodenbildenden Schicht auf die Siliziumschichten, und zwar auf jeden Elektrodenbereich gesondert.36. Verfahren nach Anspruch 35,
dadurch gekennzeichnet,- daß die Abscheidung der p-leitfähigen Legierung die Abscheidung eines wenigstens Silizium enthaltenden Materials durch Glimmentladung einer wenigstens Silizium enthaltenden Verbindung in dem Teilvakuum umfaßt, und- daß während der Glimmentladungs-Abscheidung der Legierung ein verdampftes p-dotierendes Metall in die Siliziumabscheidungs-Glimmentladungszone eingeführt wird,wobei das Metall zusammen mit der durch Glimmentladung abgeschiedenen Siliziumlegierung aufgebracht wird zur Bildung einer p-leitfähigen Legierung.37. Verfahren nach Anspruch 35,
dadurch gekennzeichnet,- daß die Abscheidung der p-leitfähigen Legierung die Abscheidung eines wenigstens Silizium enthaltenden Materials auf dem auf eine Temperatur von wenigstens ca. 450 0C erwärmten Substrat durch Glimmentladung einer wenigstens Silizium enthaltenden Verbindung in dem Teilvakuumund die Einleitung einer p-dotierenden Gasverbindung während der Glimmentladungs-Abscheidung der Legierung in die Glimmentladungs-Zone umfaßt, wobei die p-dotierende Gasverbindung wenigstens ein p.Dotierungselement und einen nicht-p-dotierenden Substituenten umfaßt unddie Gasverbindung bei der Substrattemperatur von wenigstens ca. 450 C in das p-Dotierungselement und den130064/0865nicht-p-dotierenden Substituenten aufgetrennt wird, woraufhin sich das p-Dotierungselement mit dem abgeschiedenen Siliziummaterial verbindet zur Bildung der p-leitfähigen Legierung.38. Verfahren nach einem der Ansprüche 35-37, dadurch gekennzeichnet,- daß das p-Dotierungselement wenigstens eines der Elemente Aluminium, Galliu, Indium, Zink oder Thallium ist.39. Verfahren nach Anspruch 37,
dadurch gekennzeichnet,- daß das p-Dotierungselement Bor ist.A-O. Verfahren nach einem der Ansprüche 35-39, dadurch gekennzeichnet,- daß wenigstens eine der siliziumhaltigen Legierungen eine im wesentlichen amorphe Legierung ist,- daß die jede solche' Legierung bildende Siliziumverbindung ein die Zustandsdichte reduzierendes Element enthält, und- daß in den Glimmentladungsbereich wenigstens ein gesondertes, die Zustandsdichte reduzierendes, nicht von der Verbindung abgeleitetes Element eingeführt wird,so daß diese Elemente in jeder der auf dem Substrat abgeschiedenen, im wesentlichen amorphen, siliziumhaltigen Legierungen enthalten sind und deren elektronische Konfigurationen ändern und in deren Bandabstand eine reduzierte Dichte örtlicher Zustände erzeugen.130064/086B'■■"-" ' 31194;A-I. Verfahren nach einem der Ansprüche 35-40, dadurch gekennzeichnet,- daß das Substrat als im wesentlichen kontinuierliches Band gebildet wird,- daß jede Siliziumlegierung in einer gesonderten Glimmentladungszone abgeschieden wird, an der das Band vorbeibewegt wird,so daß ein im wesentlichen kontinuierliches Abscheidungsverfahren durchgeführt wird.42. Verfahren nach einem der Ansprüche 35-4-0, dadurch gekennzeichnet,- daß die p-dotierte siliziumhaltige Legierung mit einer Dicke von weniger als 1000 S niedergeschlagen wird.43. Verfahren nach einem der Ansprüche 35-42, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung Fluor enthält.44. Verfahren nach einem der Ansprüche 35-42; dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung wenigstens ein Gemisch ausund H2 ist.45. Verfahren nach einem der Ansprüche 35-42, dadurch gekennzeichnet,- daß die Verbindung wenigstens ein Gemisch aus und H_ in einem Verhältnis von 4:1 bis 10:1 ist.0064/0865
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/151,301 US4400409A (en) | 1980-05-19 | 1980-05-19 | Method of making p-doped silicon films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3119481A1 true DE3119481A1 (de) | 1982-01-28 |
DE3119481C2 DE3119481C2 (de) | 1986-01-02 |
Family
ID=22538142
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3119481A Expired - Lifetime DE3119481C2 (de) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | Verfahren zum Herstellen von dotiertem Halbleitermaterial |
DE3153269A Expired - Lifetime DE3153269C2 (de) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von dotiertem Halbleitermaterial durch Glimmentladung |
DE3153270A Expired - Lifetime DE3153270C2 (de) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | Verfahren zum Herstellen von dotiertem Halbleitermaterial durch Glimmentladung |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3153269A Expired - Lifetime DE3153269C2 (de) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von dotiertem Halbleitermaterial durch Glimmentladung |
DE3153270A Expired - Lifetime DE3153270C2 (de) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | Verfahren zum Herstellen von dotiertem Halbleitermaterial durch Glimmentladung |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4400409A (de) |
JP (5) | JPS5743413A (de) |
KR (3) | KR840000756B1 (de) |
AU (3) | AU542845B2 (de) |
BR (1) | BR8103030A (de) |
CA (1) | CA1184096A (de) |
DE (3) | DE3119481C2 (de) |
ES (3) | ES502281A0 (de) |
FR (1) | FR2482786B1 (de) |
GB (3) | GB2076433B (de) |
IE (1) | IE52688B1 (de) |
IL (1) | IL62883A (de) |
IN (1) | IN155670B (de) |
IT (1) | IT1135827B (de) |
MX (1) | MX155307A (de) |
NL (1) | NL8102411A (de) |
PH (1) | PH18408A (de) |
SE (1) | SE456380B (de) |
ZA (1) | ZA813076B (de) |
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- 1981-05-18 AU AU70653/81A patent/AU542845B2/en not_active Ceased
- 1981-05-18 ES ES502281A patent/ES502281A0/es active Granted
- 1981-05-19 JP JP56075588A patent/JPS57122581A/ja active Granted
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- 1982-05-31 ES ES512729A patent/ES512729A0/es active Granted
- 1982-05-31 ES ES512728A patent/ES8306921A1/es not_active Expired
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- 1983-09-05 GB GB08323741A patent/GB2147316B/en not_active Expired
- 1983-09-05 GB GB08323742A patent/GB2146045B/en not_active Expired
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- 1984-07-30 KR KR1019840004525A patent/KR890003499B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1984-10-31 AU AU34874/84A patent/AU556596B2/en not_active Ceased
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: C23C 11/02 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153270 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153270 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153269 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153269 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153311 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153311 |
|
D2 | Grant after examination | ||
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 3153270 Format of ref document f/p: P |
|
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 3153269 Format of ref document f/p: P |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |