JP2001040478A - 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 - Google Patents
堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高速堆積が可能なＶＨＦ周波数のプラズマＣＶ
Ｄ法を導入するに際して、放電電極として表面積の少な
い棒状電極を用いた場合においても、大面積に膜厚方向
に膜特性のムラの少ない半導体堆積膜を高速で形成する
ようにする。 【解決手段】シリコン系非単結晶半導体を堆積する堆積
膜形成装置または堆積膜形成方法において、前記高周波
電力放射手段がＶＨＦ周波数の高周波電源が接続された
棒状電極であり、該棒状電極の長手方向が前記基板移動
方向と交わるように配置され、かつ、前記成膜室の前記
基板移動方向に対する長さが、前記成膜室内に導入され
る高周波の波長の１／１６乃至１／２の長さに構成す
る。
Ｄ法を導入するに際して、放電電極として表面積の少な
い棒状電極を用いた場合においても、大面積に膜厚方向
に膜特性のムラの少ない半導体堆積膜を高速で形成する
ようにする。 【解決手段】シリコン系非単結晶半導体を堆積する堆積
膜形成装置または堆積膜形成方法において、前記高周波
電力放射手段がＶＨＦ周波数の高周波電源が接続された
棒状電極であり、該棒状電極の長手方向が前記基板移動
方向と交わるように配置され、かつ、前記成膜室の前記
基板移動方向に対する長さが、前記成膜室内に導入され
る高周波の波長の１／１６乃至１／２の長さに構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に半導体を
形成する装置及び方法に関し、例えば薄膜太陽電池に用
いるアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲル
マニウム、アモルファス炭化シリコン、微結晶シリコン
等のシリコン系非単結晶半導体をプラズマＣＶＤ法によ
って形成する装置及び方法に関する。
形成する装置及び方法に関し、例えば薄膜太陽電池に用
いるアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲル
マニウム、アモルファス炭化シリコン、微結晶シリコン
等のシリコン系非単結晶半導体をプラズマＣＶＤ法によ
って形成する装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコンは、プラズマＣＶ
Ｄ法によって大面積の半導体膜を形成する事が出来、結
晶シリコンや多結晶シリコンと比較して大面積の半導体
デバイスを比較的容易に形成する事が出来る。そのた
め、アモルファスシリコン膜は、大きな面積を必要とす
る半導体デバイス、具体的には、太陽電池、複写機の感
光ドラム、ファクシミリのイメージセンサー、薄膜トラ
ンジスタを有する液晶ディスプレー等に多く用いられて
いる。これらのデバイスは、ＬＳＩやＣＣＤ等の結晶半
導体からなるデバイスと比較し、１つのデバイスの長さ
あるいは面積が大きい。例えば、太陽電池の場合、変換
効率を１０％とすると、一般家庭の電力を賄う約３ｋＷ
の出力を得るには１家庭当り約３０平方メートルもの面
積を必要とし、したがって１つの太陽電池素子もかなり
大きな面積になる。アモルファスシリコン膜は、一般に
ＳｉＨ4やＳｉ2Ｈ6等のＳｉを含有する原料ガスを高周
波放電によって分解してプラズマ状態にし、該プラズマ
中に置かれた基板上に成膜するプラズマＣＶＤ法によっ
て形成されている。
Ｄ法によって大面積の半導体膜を形成する事が出来、結
晶シリコンや多結晶シリコンと比較して大面積の半導体
デバイスを比較的容易に形成する事が出来る。そのた
め、アモルファスシリコン膜は、大きな面積を必要とす
る半導体デバイス、具体的には、太陽電池、複写機の感
光ドラム、ファクシミリのイメージセンサー、薄膜トラ
ンジスタを有する液晶ディスプレー等に多く用いられて
いる。これらのデバイスは、ＬＳＩやＣＣＤ等の結晶半
導体からなるデバイスと比較し、１つのデバイスの長さ
あるいは面積が大きい。例えば、太陽電池の場合、変換
効率を１０％とすると、一般家庭の電力を賄う約３ｋＷ
の出力を得るには１家庭当り約３０平方メートルもの面
積を必要とし、したがって１つの太陽電池素子もかなり
大きな面積になる。アモルファスシリコン膜は、一般に
ＳｉＨ4やＳｉ2Ｈ6等のＳｉを含有する原料ガスを高周
波放電によって分解してプラズマ状態にし、該プラズマ
中に置かれた基板上に成膜するプラズマＣＶＤ法によっ
て形成されている。
【０００３】プラズマＣＶＤ法によってアモルファスシ
リコン膜を成膜する場合、従来のＲＦ周波数（１３．５
６ＭＨｚ近傍）の高周波が一般的に用いられてきた。し
かし、近年、ＶＨＦ周波数を用いたプラズマＣＶＤが注
目されている。例えば、Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １９９２ｐ１５〜ｐ２
６（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｓｏｃｉ
ｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
Ｖｏｌｕｍｅ ２５８）には放電周波数を１３．５６
ＭＨｚのＲＦからＶＨＦ周波数にすることによって、成
膜速度を格段に高めることができ、高速で良好な堆積膜
を形成可能になると報告されている。
リコン膜を成膜する場合、従来のＲＦ周波数（１３．５
６ＭＨｚ近傍）の高周波が一般的に用いられてきた。し
かし、近年、ＶＨＦ周波数を用いたプラズマＣＶＤが注
目されている。例えば、Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １９９２ｐ１５〜ｐ２
６（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｓｏｃｉ
ｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
Ｖｏｌｕｍｅ ２５８）には放電周波数を１３．５６
ＭＨｚのＲＦからＶＨＦ周波数にすることによって、成
膜速度を格段に高めることができ、高速で良好な堆積膜
を形成可能になると報告されている。
【０００４】また、従来、アモルファスシリコン系半導
体デバイスの連続製造装置として、米国特許第４，４０
０，４０９号明細書等にロール・ツー・ロール（Ｒｏｌ
ｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）方式を採用した連続プラズマＣＶ
Ｄ装置が開示されている。この装置は、複数のグロー放
電室を有している。前記各グロー放電室を所望の幅の十
分に長い帯状の基板が順次貫通する経路に沿って配置
し、前記各グロー放電室において必要とされる導電型の
半導体膜を堆積形成しつつ、前記基板をその長手方向に
連続的に搬送させることによって、半導体接合を有する
大面積のデバイスを連続的に形成することができる。こ
のようにロール・ツー・ロール方式の連続プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いれば、製造装置を止めることなく長時間連
続してデバイスを製造することができるので、高い生産
性を得ることができる。
体デバイスの連続製造装置として、米国特許第４，４０
０，４０９号明細書等にロール・ツー・ロール（Ｒｏｌ
ｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）方式を採用した連続プラズマＣＶ
Ｄ装置が開示されている。この装置は、複数のグロー放
電室を有している。前記各グロー放電室を所望の幅の十
分に長い帯状の基板が順次貫通する経路に沿って配置
し、前記各グロー放電室において必要とされる導電型の
半導体膜を堆積形成しつつ、前記基板をその長手方向に
連続的に搬送させることによって、半導体接合を有する
大面積のデバイスを連続的に形成することができる。こ
のようにロール・ツー・ロール方式の連続プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いれば、製造装置を止めることなく長時間連
続してデバイスを製造することができるので、高い生産
性を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、プラズマＣ
ＶＤ方式の装置に、高速堆積が可能なＶＨＦ周波数プラ
ズマＣＶＤ法を採用しようとすると、以下の様な点を考
慮する必要がある。すなわち、大面積にわたって均一な
放電を生起するために、ＲＦ周波数で一般的に用いられ
る大面積の平板の放電電極を用いると、ＶＨＦ周波数で
はインピーダンスがあわずに電極から効率良く電力を投
入する事ができない。そのため、大面積の基板に堆積膜
を形成するためのプラズマ放電室のＶＨＦ周波数の放電
電極としては、表面積の少ない棒状や放射状のアンテナ
を用いる必要がある。しかしながら、このような電極を
用いた場合には平板電極と比較して大面積にわたって均
一なプラズマ強度分布を得る事が難しく、成膜室内で大
面積に均一な半導体膜を堆積することが難しい。また、
ＶＨＦ周波数の高周波の波長は、従来のＲＦ周波数の波
長に比較して短く、例えば３００ＭＨｚでは１００ｃｍ
であるので、放射される波長が膜堆積を行なう成膜室の
サイズに近くなり、成膜室内部で定在波ができるとＲＦ
に比べてプラズマの強度分布ができやすい。さらに、ロ
ール・ツー・ロール方式のように、基板を連続的に移動
させながら膜堆積を行なう場合、成膜室内部で基板移動
方向にプラズマが不均一でも、基板が移動することによ
って不均一性が均されるため、膜厚分布等の膜厚の不均
一性としてはあらわれない。しかし、基板移動方向にお
けるプラズマの不均一により、堆積膜の膜厚方向に異な
るプラズマ条件で膜堆積を行うことになるので、膜厚方
向に不均一な膜特性をもつようになり、膜厚方向には必
ずしも膜特性の均質な膜が堆積できない。
ＶＤ方式の装置に、高速堆積が可能なＶＨＦ周波数プラ
ズマＣＶＤ法を採用しようとすると、以下の様な点を考
慮する必要がある。すなわち、大面積にわたって均一な
放電を生起するために、ＲＦ周波数で一般的に用いられ
る大面積の平板の放電電極を用いると、ＶＨＦ周波数で
はインピーダンスがあわずに電極から効率良く電力を投
入する事ができない。そのため、大面積の基板に堆積膜
を形成するためのプラズマ放電室のＶＨＦ周波数の放電
電極としては、表面積の少ない棒状や放射状のアンテナ
を用いる必要がある。しかしながら、このような電極を
用いた場合には平板電極と比較して大面積にわたって均
一なプラズマ強度分布を得る事が難しく、成膜室内で大
面積に均一な半導体膜を堆積することが難しい。また、
ＶＨＦ周波数の高周波の波長は、従来のＲＦ周波数の波
長に比較して短く、例えば３００ＭＨｚでは１００ｃｍ
であるので、放射される波長が膜堆積を行なう成膜室の
サイズに近くなり、成膜室内部で定在波ができるとＲＦ
に比べてプラズマの強度分布ができやすい。さらに、ロ
ール・ツー・ロール方式のように、基板を連続的に移動
させながら膜堆積を行なう場合、成膜室内部で基板移動
方向にプラズマが不均一でも、基板が移動することによ
って不均一性が均されるため、膜厚分布等の膜厚の不均
一性としてはあらわれない。しかし、基板移動方向にお
けるプラズマの不均一により、堆積膜の膜厚方向に異な
るプラズマ条件で膜堆積を行うことになるので、膜厚方
向に不均一な膜特性をもつようになり、膜厚方向には必
ずしも膜特性の均質な膜が堆積できない。
【０００６】そこで、本発明は、上記した課題を解決
し、高速堆積が可能なＶＨＦ周波数のプラズマＣＶＤ法
を導入するに際して、ＶＨＦ周波数の放電電極として表
面積の少ない棒状電極を用いた場合においても、大面積
に膜厚方向に膜特性のムラの少ない半導体膜を高速で形
成することができる堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
を提供することを目的とするものである。
し、高速堆積が可能なＶＨＦ周波数のプラズマＣＶＤ法
を導入するに際して、ＶＨＦ周波数の放電電極として表
面積の少ない棒状電極を用いた場合においても、大面積
に膜厚方向に膜特性のムラの少ない半導体膜を高速で形
成することができる堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、つぎの（１）〜（１０）のように構成し
た堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供するもので
ある。 （１）少なくとも成膜室と高周波電力放射手段と原料ガ
ス導入手段とを有し、前記成膜室内に高周波及び原料ガ
スを導入して該成膜室内の基板上にシリコン系非単結晶
半導体を堆積する堆積膜形成装置において、前記高周波
電力放射手段がＶＨＦ周波数の高周波電源が接続された
棒状電極であり、該棒状電極の長手方向が前記基板移動
方向と交わるように配置され、かつ、前記成膜室の前記
基板移動方向に対する長さが、前記成膜室内に導入され
る高周波の波長の１／１６乃至１／２の長さであること
を特徴とする堆積膜形成装置。 （２）前記基板が長尺の帯状基板であることを特徴とす
る上記（１）に記載の堆積膜形成装置。 （３）前記棒状電極が、該棒状電極の長手方向が前記基
板移動方向と略垂直な方向となるように配置されている
ことを特徴とする上記（１）または上記（２）に記載の
堆積膜形成装置。 （４）前記棒状電極が、前記成膜室内における前記基板
移動方向の略中央に配置されていることを特徴とする上
記（１）〜（３）のいずれかに記載の堆積膜形成装置。 （５）前記堆積膜形成装置が、長尺の帯状基板を連続的
に移動させながら複数の成膜室間を通過させ、該帯状基
板上に複数のシリコン系非単結晶半導体を連続的に形成
する堆積膜形成装置であることを特徴とする上記（１）
〜（４）のいずれかに記載の堆積膜形成装置。 （６）成膜室内にＶＨＦ高周波電力を放射し、原料ガス
を導入して該成膜室内の基板上にシリコン系非単結晶半
導体を堆積する堆積膜形成方法において、前記ＶＨＦ高
周波電力を棒状電極により放射し、該棒状電極の長手方
向が前記基板移動方向と交わるように配置され、かつ、
前記成膜室の前記基板移動方向に対する長さが、前記成
膜室内に導入する前記高周波の波長の１／１６乃至１／
２の長さであることを特徴とする堆積膜形成方法。 （７）前記基板が長尺の帯状基板であることを特徴とす
る上記（６）に記載の堆積膜形成方法。 （８）前記棒状電極が、該棒状電極の長手方向が前記基
板移動方向と略垂直な方向となるように配置されている
ことを特徴とする上記（６）または上記（７）に記載の
堆積膜形成方法。 （９）前記棒状電極が、前記成膜室内における前記基板
移動方向の略中央に配置されていることを特徴とする上
記（６）〜（８）のいずれかに記載の堆積膜形成方法。 （１０）長尺の帯状基板を連続的に移動させながら複数
の成膜室間を通過させ、該帯状基板上に複数のシリコン
系非単結晶半導体を連続的に形成することを特徴とする
上記（６）〜（９）のいずれかに記載の堆積膜形成方
法。
成するために、つぎの（１）〜（１０）のように構成し
た堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供するもので
ある。 （１）少なくとも成膜室と高周波電力放射手段と原料ガ
ス導入手段とを有し、前記成膜室内に高周波及び原料ガ
スを導入して該成膜室内の基板上にシリコン系非単結晶
半導体を堆積する堆積膜形成装置において、前記高周波
電力放射手段がＶＨＦ周波数の高周波電源が接続された
棒状電極であり、該棒状電極の長手方向が前記基板移動
方向と交わるように配置され、かつ、前記成膜室の前記
基板移動方向に対する長さが、前記成膜室内に導入され
る高周波の波長の１／１６乃至１／２の長さであること
を特徴とする堆積膜形成装置。 （２）前記基板が長尺の帯状基板であることを特徴とす
る上記（１）に記載の堆積膜形成装置。 （３）前記棒状電極が、該棒状電極の長手方向が前記基
板移動方向と略垂直な方向となるように配置されている
ことを特徴とする上記（１）または上記（２）に記載の
堆積膜形成装置。 （４）前記棒状電極が、前記成膜室内における前記基板
移動方向の略中央に配置されていることを特徴とする上
記（１）〜（３）のいずれかに記載の堆積膜形成装置。 （５）前記堆積膜形成装置が、長尺の帯状基板を連続的
に移動させながら複数の成膜室間を通過させ、該帯状基
板上に複数のシリコン系非単結晶半導体を連続的に形成
する堆積膜形成装置であることを特徴とする上記（１）
〜（４）のいずれかに記載の堆積膜形成装置。 （６）成膜室内にＶＨＦ高周波電力を放射し、原料ガス
を導入して該成膜室内の基板上にシリコン系非単結晶半
導体を堆積する堆積膜形成方法において、前記ＶＨＦ高
周波電力を棒状電極により放射し、該棒状電極の長手方
向が前記基板移動方向と交わるように配置され、かつ、
前記成膜室の前記基板移動方向に対する長さが、前記成
膜室内に導入する前記高周波の波長の１／１６乃至１／
２の長さであることを特徴とする堆積膜形成方法。 （７）前記基板が長尺の帯状基板であることを特徴とす
る上記（６）に記載の堆積膜形成方法。 （８）前記棒状電極が、該棒状電極の長手方向が前記基
板移動方向と略垂直な方向となるように配置されている
ことを特徴とする上記（６）または上記（７）に記載の
堆積膜形成方法。 （９）前記棒状電極が、前記成膜室内における前記基板
移動方向の略中央に配置されていることを特徴とする上
記（６）〜（８）のいずれかに記載の堆積膜形成方法。 （１０）長尺の帯状基板を連続的に移動させながら複数
の成膜室間を通過させ、該帯状基板上に複数のシリコン
系非単結晶半導体を連続的に形成することを特徴とする
上記（６）〜（９）のいずれかに記載の堆積膜形成方
法。
【０００８】
【発明の実施の形態】大面積に堆積膜を形成する方式の
半導体膜の形成装置において、高速堆積が可能なＶＨＦ
周波数のプラズマＣＶＤ法を導入するに際し、表面積の
少ない棒状や放射状のアンテナを用いる必要がある。し
かし、その場合には平板電極を用いた場合と比較して大
面積にわたって均一なプラズマ強度分布を得る事が難し
く、膜厚方向に膜特性が不均一になり易い。本発明の実
施の形態においては、上記構成を適用することにより、
上述した問題点を解決し、大面積にわたって膜厚方向の
膜特性のムラの少ない半導体膜を高速で形成する堆積膜
形成装置及び堆積膜形成方法を実現することができ、と
りわけ、太陽電池素子の製造に好適な方法及び装置を提
供することが可能となる。
半導体膜の形成装置において、高速堆積が可能なＶＨＦ
周波数のプラズマＣＶＤ法を導入するに際し、表面積の
少ない棒状や放射状のアンテナを用いる必要がある。し
かし、その場合には平板電極を用いた場合と比較して大
面積にわたって均一なプラズマ強度分布を得る事が難し
く、膜厚方向に膜特性が不均一になり易い。本発明の実
施の形態においては、上記構成を適用することにより、
上述した問題点を解決し、大面積にわたって膜厚方向の
膜特性のムラの少ない半導体膜を高速で形成する堆積膜
形成装置及び堆積膜形成方法を実現することができ、と
りわけ、太陽電池素子の製造に好適な方法及び装置を提
供することが可能となる。
【０００９】以下、図面を参照しながら発明の実施の形
態について詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）に本発
明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例の模
式図を示す。図１（Ａ）で、真空容器１０１内部に成膜
室１０２が設けられ、成膜室１０２には堆積膜の原料ガ
スを導入するガス導入管１０３と、不図示の排気装置に
接続された排気管１０４と、ＶＨＦ周波数の高周波電源
１０５に接続された高周波電力放射手段である棒状電極
１０６、基板１０７と、基板を加熱するヒーター１０９
とが設けられ、基板上にプラズマＣＶＤ法により堆積膜
を形成する。ここで、高周波電力放射手段である棒状電
極１０６は図１（Ａ）における紙面と垂直な方向に長
く、その長手方向は基板移動方向１０８とはほぼ垂直に
配置されている。また、成膜室１０２の基板移動方向１
０８に対する長さ１１０は、ＶＨＦ周波数の高周波電源
１０５から供給される高周波の波長の１／１６乃至１／
２の範囲の長さに設定されている。基板１０７を間欠的
に搬送して、静止している基板１０７上に半導体膜を堆
積してもよい。また、基板１０７を連続的に搬送して、
移動している基板１０７上に半導体膜を堆積してもよ
い。なお、１１２は真空容器の対向する内壁間の長さ、
１１３、１１３’は真空容器の内壁、１１４は内チャン
バー、１１５、１１５’は内チャンバーの内壁である。
態について詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）に本発
明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例の模
式図を示す。図１（Ａ）で、真空容器１０１内部に成膜
室１０２が設けられ、成膜室１０２には堆積膜の原料ガ
スを導入するガス導入管１０３と、不図示の排気装置に
接続された排気管１０４と、ＶＨＦ周波数の高周波電源
１０５に接続された高周波電力放射手段である棒状電極
１０６、基板１０７と、基板を加熱するヒーター１０９
とが設けられ、基板上にプラズマＣＶＤ法により堆積膜
を形成する。ここで、高周波電力放射手段である棒状電
極１０６は図１（Ａ）における紙面と垂直な方向に長
く、その長手方向は基板移動方向１０８とはほぼ垂直に
配置されている。また、成膜室１０２の基板移動方向１
０８に対する長さ１１０は、ＶＨＦ周波数の高周波電源
１０５から供給される高周波の波長の１／１６乃至１／
２の範囲の長さに設定されている。基板１０７を間欠的
に搬送して、静止している基板１０７上に半導体膜を堆
積してもよい。また、基板１０７を連続的に搬送して、
移動している基板１０７上に半導体膜を堆積してもよ
い。なお、１１２は真空容器の対向する内壁間の長さ、
１１３、１１３’は真空容器の内壁、１１４は内チャン
バー、１１５、１１５’は内チャンバーの内壁である。
【００１０】本発明の装置においては、成膜室内の基板
に対し、ＶＨＦ周波数による高周波プラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜の形成を行うにあたり、先ず、基板移動方向
に垂直な方向に対しては、高周波電力放射手段を棒状電
極形状として長手方向を基板移動方向と交わるようにす
ることで均一な高周波電力密度を得、さらに、基板移動
方向に対しては、成膜室の基板移動方向に対する長さを
供給される高周波の波長の１／１６乃至１／２の範囲の
長さに設定することで高周波電力密度の均一性と成膜面
積の大面積化との両立を図る。成膜室とは、放電空間を
いい、チャンバー中に放電を生じさせた場合において放
電している領域をいう。例えば、図１（Ａ）において
は、放電空間は内チャンバー１１４の内側となることか
ら、成膜室１０２は内チャンバー１１４の内側である。
したがって、内チャンバー１１４の内壁１１５、１１
５’の間の距離が成膜室の基板移動方向に対する長さ１
１０である。また、例えば、図３においては、放電空間
は内チャンバー３２３の内側となることから、成膜室３
１７は内チャンバー３２３の内側である。したがって、
内チャンバー３２３の内壁３２４、３２４’の間の距離
が成膜室の基板移動方向に対する長さ３１８である。ま
た、図１（Ｂ）に示される堆積膜形成装置のように、内
チャンバーがないような構成においては、放電空間は真
空容器１０１の内側となることから、成膜室１０２’は
真空容器１０１の内側である。したがって、真空容器１
０１の内壁１１３、１１３’の間の距離が成膜室の基板
移動方向に対する長さ１１１である。なお、図１（Ａ）
において、内チャンバー１１４が絶縁体であるような場
合には、放電空間は内チャンバー１１４の外側にも広が
ることから、内チャンバー１１４の外側も成膜室に含ま
れることとなる。したがって、真空容器１０１の内壁１
１３、１１３’の間の距離１１２が成膜室の基板移動方
向に対する長さである。成膜室内に高周波電力が放射さ
れた場合、プラズマの生成がなく、成膜室内が真空で、
成膜室の基板移動方向の両内壁面が平行であるならば、
成膜室の基板移動方向の両内壁面間にできる定在波の腹
と節の間隔は、放射される高周波の波長の１／４とな
る。また、成膜室の基板移動方向の長さ１１０、３１８
を波長の１／２とし、高周波放射手段を棒状としてその
長手方向を基板移動方向とほぼ垂直とし、成膜室の基板
移動方向のほぼ中央に配置すると、棒状電極と成膜室の
基板移動方向の両内壁面との距離は１／４波長となる。
に対し、ＶＨＦ周波数による高周波プラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜の形成を行うにあたり、先ず、基板移動方向
に垂直な方向に対しては、高周波電力放射手段を棒状電
極形状として長手方向を基板移動方向と交わるようにす
ることで均一な高周波電力密度を得、さらに、基板移動
方向に対しては、成膜室の基板移動方向に対する長さを
供給される高周波の波長の１／１６乃至１／２の範囲の
長さに設定することで高周波電力密度の均一性と成膜面
積の大面積化との両立を図る。成膜室とは、放電空間を
いい、チャンバー中に放電を生じさせた場合において放
電している領域をいう。例えば、図１（Ａ）において
は、放電空間は内チャンバー１１４の内側となることか
ら、成膜室１０２は内チャンバー１１４の内側である。
したがって、内チャンバー１１４の内壁１１５、１１
５’の間の距離が成膜室の基板移動方向に対する長さ１
１０である。また、例えば、図３においては、放電空間
は内チャンバー３２３の内側となることから、成膜室３
１７は内チャンバー３２３の内側である。したがって、
内チャンバー３２３の内壁３２４、３２４’の間の距離
が成膜室の基板移動方向に対する長さ３１８である。ま
た、図１（Ｂ）に示される堆積膜形成装置のように、内
チャンバーがないような構成においては、放電空間は真
空容器１０１の内側となることから、成膜室１０２’は
真空容器１０１の内側である。したがって、真空容器１
０１の内壁１１３、１１３’の間の距離が成膜室の基板
移動方向に対する長さ１１１である。なお、図１（Ａ）
において、内チャンバー１１４が絶縁体であるような場
合には、放電空間は内チャンバー１１４の外側にも広が
ることから、内チャンバー１１４の外側も成膜室に含ま
れることとなる。したがって、真空容器１０１の内壁１
１３、１１３’の間の距離１１２が成膜室の基板移動方
向に対する長さである。成膜室内に高周波電力が放射さ
れた場合、プラズマの生成がなく、成膜室内が真空で、
成膜室の基板移動方向の両内壁面が平行であるならば、
成膜室の基板移動方向の両内壁面間にできる定在波の腹
と節の間隔は、放射される高周波の波長の１／４とな
る。また、成膜室の基板移動方向の長さ１１０、３１８
を波長の１／２とし、高周波放射手段を棒状としてその
長手方向を基板移動方向とほぼ垂直とし、成膜室の基板
移動方向のほぼ中央に配置すると、棒状電極と成膜室の
基板移動方向の両内壁面との距離は１／４波長となる。
【００１１】そのため、成膜室の基板移動方向長さ１１
０を波長の１／２以下にすることで、成膜室１０２内に
定在波が生じても腹と節を同時に生じなくなり、ＶＨＦ
周波数の高周波電力を棒状電極から放射しても定在波の
振幅が抑制され、電界強度分布のムラが抑制される。
０を波長の１／２以下にすることで、成膜室１０２内に
定在波が生じても腹と節を同時に生じなくなり、ＶＨＦ
周波数の高周波電力を棒状電極から放射しても定在波の
振幅が抑制され、電界強度分布のムラが抑制される。
【００１２】また逆に、成膜室の基板移動方向の両内壁
面間の長さが、高周波の波長に比較して短くなりすぎて
も、成膜室内壁と棒状電極との距離が近くなり、成膜室
内壁面に僅かな突起があってもその部分に放電が集中し
易くなり、放電が不均一になる。このため、成膜室の基
板移動方向の長さ１１０が、あまりに短すぎても均一な
放電を得ることはできない。
面間の長さが、高周波の波長に比較して短くなりすぎて
も、成膜室内壁と棒状電極との距離が近くなり、成膜室
内壁面に僅かな突起があってもその部分に放電が集中し
易くなり、放電が不均一になる。このため、成膜室の基
板移動方向の長さ１１０が、あまりに短すぎても均一な
放電を得ることはできない。
【００１３】本発明者が図１（Ａ）に示す構造の装置を
用いて、高周波の波長と成膜室の基板移動方向の長さ１
１０を変えて成膜室内部のプラズマ強度分布を測定した
結果の一部を図２に示す。
用いて、高周波の波長と成膜室の基板移動方向の長さ１
１０を変えて成膜室内部のプラズマ強度分布を測定した
結果の一部を図２に示す。
【００１４】図２のグラフは放電周波数を１００ＭＨｚ
とし、成膜室の基板移動方向の長さ１１０を波長（３０
０ｃｍ）の１／３２（９．３７５ｃｍ）から３／４（２
２５ｃｍ）まで変化させた時のもので、横軸は成膜室の
基板移動方向の長さ１１０を、縦軸は成膜室内部の基板
移動方向のプラズマ強度の均一性を示す指標で、基板移
動方向に対してプラズマ強度の分布をみたときの、プラ
ズマ強度の最小値をプラズマ強度の最大値で割った値を
表している。尚、プラズマ強度は成膜室内をＨｅ雰囲気
として高周波電力を投入し、Ｈｅプラズマを生起して、
公知のプラズマプローブを成膜室内部に差し込んで基板
移動方向に動かしながら測定したものである。これか
ら、放電電極が棒状であっても、成膜室の基板移動方向
の長さ１１０を波長の約１／１６から約１／２の範囲と
することで高い均一性が得られることが分かった。周波
数を３０ＭＨｚ、３００ＭＨｚと変化させて同様に調べ
たが、波長に対するこの傾向は同様であった。
とし、成膜室の基板移動方向の長さ１１０を波長（３０
０ｃｍ）の１／３２（９．３７５ｃｍ）から３／４（２
２５ｃｍ）まで変化させた時のもので、横軸は成膜室の
基板移動方向の長さ１１０を、縦軸は成膜室内部の基板
移動方向のプラズマ強度の均一性を示す指標で、基板移
動方向に対してプラズマ強度の分布をみたときの、プラ
ズマ強度の最小値をプラズマ強度の最大値で割った値を
表している。尚、プラズマ強度は成膜室内をＨｅ雰囲気
として高周波電力を投入し、Ｈｅプラズマを生起して、
公知のプラズマプローブを成膜室内部に差し込んで基板
移動方向に動かしながら測定したものである。これか
ら、放電電極が棒状であっても、成膜室の基板移動方向
の長さ１１０を波長の約１／１６から約１／２の範囲と
することで高い均一性が得られることが分かった。周波
数を３０ＭＨｚ、３００ＭＨｚと変化させて同様に調べ
たが、波長に対するこの傾向は同様であった。
【００１５】以上の本発明の実施の形態における説明を
含め、本発明において用いられる高周波電力は、ＶＨＦ
周波数の高周波電力である。
含め、本発明において用いられる高周波電力は、ＶＨＦ
周波数の高周波電力である。
【００１６】ここで、ＶＨＦ周波数とは、従来、一般的
に用いられている１３．５６ＭＨｚ等のＲＦ周波数より
も高く、２．４５ＧＨｚ等のマイクロ波周波数よりも低
い周波数範囲を指し、凡そ２０ＭＨｚ乃至５００ＭＨｚ
の周波数範囲である。その範囲の中でも、プラズマ密度
を高め、堆積速度の向上を望む場合には比較的高い周波
数領城を選択し、大面積にわたるプラズマの均一性を望
む場合には、より波長が長く大面積での均一性が高い、
比較的低い周波数領域を選択することが好ましい。
に用いられている１３．５６ＭＨｚ等のＲＦ周波数より
も高く、２．４５ＧＨｚ等のマイクロ波周波数よりも低
い周波数範囲を指し、凡そ２０ＭＨｚ乃至５００ＭＨｚ
の周波数範囲である。その範囲の中でも、プラズマ密度
を高め、堆積速度の向上を望む場合には比較的高い周波
数領城を選択し、大面積にわたるプラズマの均一性を望
む場合には、より波長が長く大面積での均一性が高い、
比較的低い周波数領域を選択することが好ましい。
【００１７】また、以上において用いられる高周波電力
放射手段は棒状電極であり、この棒状電極とはＲＦ放電
電極に一般的に用いられる平板状電極とは異なり、表面
積が小さい棒形状をした電極のことを指す。ここで、棒
の断面形状は丸形状でも角形状でも構わないし、太さが
途中で変化していても構わない。また、棒の長手方向の
形状は直線状でもクランク状、曲線状でも構わない。た
だし、基板移動方向に対してはその長手方向が交わるよ
うに、より好ましくはほぼ直交するように配置される。
また、その高周波電力放射長さは、基板移動方向に垂直
方向に対して、好ましくは１／２波長以下、より好まし
くは１／４波長以下の長さとする。棒状電極の成膜室内
での位置は、基板移動方向により均一なプラズマが得ら
れるように、１箇所から電力を導入する場合、成膜室の
基板移動方向中央近傍に配置することが望ましい。ま
た、その位置の成膜室内における高さとしては、ＲＦ用
の平板電極で一般的に行われているように成膜室の壁面
近傍に接近させて配置するのではなく、成膜空間内に壁
面から一定の距離をおくように宙に浮いた状態で配置さ
れることが望ましい。棒状電極の材質としては、高い放
電電力を導入して高密度プラズマが形成されても熔けた
り曲がったりすることなく形状を維持し、導電性を保つ
様なものから選択される。このような特性のためには金
属が好適であり、具体的にはステンレス鋼、ニッケル、
炭素棒等が適している。
放射手段は棒状電極であり、この棒状電極とはＲＦ放電
電極に一般的に用いられる平板状電極とは異なり、表面
積が小さい棒形状をした電極のことを指す。ここで、棒
の断面形状は丸形状でも角形状でも構わないし、太さが
途中で変化していても構わない。また、棒の長手方向の
形状は直線状でもクランク状、曲線状でも構わない。た
だし、基板移動方向に対してはその長手方向が交わるよ
うに、より好ましくはほぼ直交するように配置される。
また、その高周波電力放射長さは、基板移動方向に垂直
方向に対して、好ましくは１／２波長以下、より好まし
くは１／４波長以下の長さとする。棒状電極の成膜室内
での位置は、基板移動方向により均一なプラズマが得ら
れるように、１箇所から電力を導入する場合、成膜室の
基板移動方向中央近傍に配置することが望ましい。ま
た、その位置の成膜室内における高さとしては、ＲＦ用
の平板電極で一般的に行われているように成膜室の壁面
近傍に接近させて配置するのではなく、成膜空間内に壁
面から一定の距離をおくように宙に浮いた状態で配置さ
れることが望ましい。棒状電極の材質としては、高い放
電電力を導入して高密度プラズマが形成されても熔けた
り曲がったりすることなく形状を維持し、導電性を保つ
様なものから選択される。このような特性のためには金
属が好適であり、具体的にはステンレス鋼、ニッケル、
炭素棒等が適している。
【００１８】また、以上において用いられるシリコン系
非単結晶半導体を形成するための原料ガスやシリコン原
子を含有するガス化し得る化合物としては、鎖状または
環状シラン化合物が用いられる。具体的には例えば、Ｓ
ｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＦ4、ＳｉＦＨ3、ＳｉＦ2Ｈ2、
ＳｉＦ3Ｈ 、Ｓｉ3Ｈ8、ＳｉＤ4、ＳｉＨＤ3、ＳｉＨ2Ｄ
2、ＳｉＨ3Ｄ、ＳｉＦＤ3、ＳｉＦ2Ｄ2、Ｓｉ2Ｄ3Ｈ3、
（ＳｉＦ2）5、（ＳｉＦ2）6、（ＳｉＦ2）4、Ｓｉ
2Ｆ6、Ｓｉ3Ｆ8、Ｓｉ2Ｈ2Ｆ4、Ｓｉ2Ｈ3Ｆ3、ＳｉＣｌ
4、（ＳｉＣｌ2）5、ＳｉＢｒ4、（ＳｉＢｒ2）5、Ｓｉ
2Ｃｌ6、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｂｒ2、ＳｉＨ 2Ｃｌ2、
Ｓｉ2Ｃｌ3Ｆ3などのガス状態のまたは容易にガス化し
得るものが挙げられる。尚、ここで、Ｄは重水素を表
す。
非単結晶半導体を形成するための原料ガスやシリコン原
子を含有するガス化し得る化合物としては、鎖状または
環状シラン化合物が用いられる。具体的には例えば、Ｓ
ｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＦ4、ＳｉＦＨ3、ＳｉＦ2Ｈ2、
ＳｉＦ3Ｈ 、Ｓｉ3Ｈ8、ＳｉＤ4、ＳｉＨＤ3、ＳｉＨ2Ｄ
2、ＳｉＨ3Ｄ、ＳｉＦＤ3、ＳｉＦ2Ｄ2、Ｓｉ2Ｄ3Ｈ3、
（ＳｉＦ2）5、（ＳｉＦ2）6、（ＳｉＦ2）4、Ｓｉ
2Ｆ6、Ｓｉ3Ｆ8、Ｓｉ2Ｈ2Ｆ4、Ｓｉ2Ｈ3Ｆ3、ＳｉＣｌ
4、（ＳｉＣｌ2）5、ＳｉＢｒ4、（ＳｉＢｒ2）5、Ｓｉ
2Ｃｌ6、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｂｒ2、ＳｉＨ 2Ｃｌ2、
Ｓｉ2Ｃｌ3Ｆ3などのガス状態のまたは容易にガス化し
得るものが挙げられる。尚、ここで、Ｄは重水素を表
す。
【００１９】また、非単結晶シリコンゲルマニウムを堆
積する場合に導入する原料ガスやゲルマニウム原子を含
有するガス化し得る化合物としてはＧｅＨ4、ＧｅＤ4、
ＧｅＦ4、ＧｅＦＨ3、ＧｅＦ2Ｈ2、ＧｅＦ3Ｈ、ＧｅＨ
Ｄ3、ＧｅＨ2Ｄ2、ＧｅＨ3Ｄ、Ｇｅ2Ｈ6、Ｇｅ2Ｄ6等が
挙げられる。また、非単結晶炭化シリコンを堆積する場
合に導入する原料ガスや炭素原子を含有するガス化し得
る化合物としてはＣＨ4、ＣＤ4、ＣｎＨ 2n+2（ｎは整
数）、ＣｎＨ2n（ｎは整数）、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6Ｈ6、Ｃ
Ｏ2、ＣＯ等が挙げられる。
積する場合に導入する原料ガスやゲルマニウム原子を含
有するガス化し得る化合物としてはＧｅＨ4、ＧｅＤ4、
ＧｅＦ4、ＧｅＦＨ3、ＧｅＦ2Ｈ2、ＧｅＦ3Ｈ、ＧｅＨ
Ｄ3、ＧｅＨ2Ｄ2、ＧｅＨ3Ｄ、Ｇｅ2Ｈ6、Ｇｅ2Ｄ6等が
挙げられる。また、非単結晶炭化シリコンを堆積する場
合に導入する原料ガスや炭素原子を含有するガス化し得
る化合物としてはＣＨ4、ＣＤ4、ＣｎＨ 2n+2（ｎは整
数）、ＣｎＨ2n（ｎは整数）、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6Ｈ6、Ｃ
Ｏ2、ＣＯ等が挙げられる。
【００２０】また、価電子制御するためにｐ型層または
ｎ型層に導入される物質としては周期率表第III族原及
び第Ｖ族原子が挙げられる。第III族原子導入用の出発
物質として有効に使用されるものとして、特にホウ素原
子導入用としては、Ｂ2Ｈ6等の水素化ホウ素、ＢＦ3、
ＢＣｌ3等のハロゲン化ホウ素等を挙げられる。第Ｖ族
原子導入用の出発物質として有効に使用されるものとし
ては、特に燐原子導入用としては、ＰＨ3等の水素化
燐、ＰＦ3等のハロゲン化燐が挙げられる。このほかＡ
ｓＨ3等も挙げられる。また前記ガス化し得る化合物を
Ｈ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ等のガスで適宜希
釈して成膜室に導入しても良い。
ｎ型層に導入される物質としては周期率表第III族原及
び第Ｖ族原子が挙げられる。第III族原子導入用の出発
物質として有効に使用されるものとして、特にホウ素原
子導入用としては、Ｂ2Ｈ6等の水素化ホウ素、ＢＦ3、
ＢＣｌ3等のハロゲン化ホウ素等を挙げられる。第Ｖ族
原子導入用の出発物質として有効に使用されるものとし
ては、特に燐原子導入用としては、ＰＨ3等の水素化
燐、ＰＦ3等のハロゲン化燐が挙げられる。このほかＡ
ｓＨ3等も挙げられる。また前記ガス化し得る化合物を
Ｈ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ等のガスで適宜希
釈して成膜室に導入しても良い。
【００２１】成膜室内を移動する基板の表面に半導体膜
を形成する場合において、好適に用いられる基板の材質
としては、半導体膜形成時に必要とされる温度において
変形、歪みが少なく、所望の強度を有し、また、導電性
を有するものが好ましい。具体的には、ステンレス、ア
ルミニウム、鉄等の金属薄板、あるいはポリイミド、テ
フロン（登録商標）等の耐熱性樹脂の表面に導電処理を
施したもの等が挙げられる。
を形成する場合において、好適に用いられる基板の材質
としては、半導体膜形成時に必要とされる温度において
変形、歪みが少なく、所望の強度を有し、また、導電性
を有するものが好ましい。具体的には、ステンレス、ア
ルミニウム、鉄等の金属薄板、あるいはポリイミド、テ
フロン（登録商標）等の耐熱性樹脂の表面に導電処理を
施したもの等が挙げられる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の堆積膜形成装置の実施例を示
すが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。 ［実施例１Ａ］実施例１Ａでは、図３に示した構成の半
導体膜の製造装置を用いて、ステンレス基板上に３層の
シリコン系非単結晶膜からなるｎｉｐ構造の太陽電池素
子を製造した。図３は、図１（Ａ）に示した本発明の堆
積膜形成装置を含む堆積膜形成装置の一例の模式的断面
図を示す。図３に示した装置では、帯状基板を連続的に
移動させながら３つのチャンバーを通過させ、基板上に
例えば太陽電池素子用の３層のシリコン系非単結晶半導
体膜を連続的に製造することができる。なお、基板を間
欠的に搬送して、静止している基板上に半導体膜を堆積
してもよい。
すが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。 ［実施例１Ａ］実施例１Ａでは、図３に示した構成の半
導体膜の製造装置を用いて、ステンレス基板上に３層の
シリコン系非単結晶膜からなるｎｉｐ構造の太陽電池素
子を製造した。図３は、図１（Ａ）に示した本発明の堆
積膜形成装置を含む堆積膜形成装置の一例の模式的断面
図を示す。図３に示した装置では、帯状基板を連続的に
移動させながら３つのチャンバーを通過させ、基板上に
例えば太陽電池素子用の３層のシリコン系非単結晶半導
体膜を連続的に製造することができる。なお、基板を間
欠的に搬送して、静止している基板上に半導体膜を堆積
してもよい。
【００２３】図３において、長尺の帯状基板３０１は巻
き出し室３０２でコイル状に巻かれた状態から引き出さ
れ、チャンバー３０３、３０４、３０５を順次通過し
て、不図示の巻き取り機構を備えた巻き取り室３０６で
コイル状に巻き取られる。巻き出し室３０２、チャンバ
ー３０３〜３０５、巻き取り室３０６は各々ガスゲート
３０７によって接続されている。帯状基板３０１を通過
させるガスゲート３０７には、それぞれガスゲート３０
７の基板搬送方向の中央部近傍にゲートガス導入管３０
８が設けられ、Ｈ2，Ｈｅ等のガスが導入されること
で、ガスゲート３０７中央から隣合うチャンバーヘのガ
スの流れが形成され、隣合うチャンバーの原料ガスの混
入を防いで、隣り合うチャンバーの原料ガスを分離す
る。各チャンバー３０３〜３０５には、原料ガス導入管
３０９、排気管３１０、放電電極３１１（平板状）、３
１２（棒状）、基板加熱ヒータ３１３が設けられ、移動
する帯状基板３０１の表面に半導体膜が堆積される。３
１９はＲＦ周波数の高周波電源である。
き出し室３０２でコイル状に巻かれた状態から引き出さ
れ、チャンバー３０３、３０４、３０５を順次通過し
て、不図示の巻き取り機構を備えた巻き取り室３０６で
コイル状に巻き取られる。巻き出し室３０２、チャンバ
ー３０３〜３０５、巻き取り室３０６は各々ガスゲート
３０７によって接続されている。帯状基板３０１を通過
させるガスゲート３０７には、それぞれガスゲート３０
７の基板搬送方向の中央部近傍にゲートガス導入管３０
８が設けられ、Ｈ2，Ｈｅ等のガスが導入されること
で、ガスゲート３０７中央から隣合うチャンバーヘのガ
スの流れが形成され、隣合うチャンバーの原料ガスの混
入を防いで、隣り合うチャンバーの原料ガスを分離す
る。各チャンバー３０３〜３０５には、原料ガス導入管
３０９、排気管３１０、放電電極３１１（平板状）、３
１２（棒状）、基板加熱ヒータ３１３が設けられ、移動
する帯状基板３０１の表面に半導体膜が堆積される。３
１９はＲＦ周波数の高周波電源である。
【００２４】図３の本発明の装置において、チャンバー
３０３〜３０５のうち、チャンバー３０４の高周波放電
周波数は１００ＭＨｚで、その他のチャンバー３０３、
３０５の高周波放電周波数は１３．５６ＭＨｚである。
また、放電周波数が１００ＭＨｚのチャンバー３０４に
おいて、高周波電力は成膜室内に設けた棒状電極３１２
から放射される。また、棒状電極３１２にはＶＨＦ電源
３１４とともに直流電源３１５がチョークコイルを介し
て接続されており、棒状電極３１２にはＶＨＦ高周波電
力とともに直流電圧が印加される。尚、図中、棒状電極
３１２は帯状基板３０１の幅方向に長い丸棒状で、基板
移動方向３１６と棒状電極３１２の長手方向は直交して
いる。また、ＶＨＦ周波数の高周波成膜を行なうチャン
バー３０４において、成膜室（ＶＨＦ成膜室）３１７の
基板移動方向３１６に対する長さ３１８は、ＶＨＦ周波
数の高周波電源３１４の発振波長の１／１６乃至１／２
の長さに設定されている。本実施例においては、成膜室
３１７の基板移動方向３１６に対する長さ３１８を、波
長の１／４の長さとした。
３０３〜３０５のうち、チャンバー３０４の高周波放電
周波数は１００ＭＨｚで、その他のチャンバー３０３、
３０５の高周波放電周波数は１３．５６ＭＨｚである。
また、放電周波数が１００ＭＨｚのチャンバー３０４に
おいて、高周波電力は成膜室内に設けた棒状電極３１２
から放射される。また、棒状電極３１２にはＶＨＦ電源
３１４とともに直流電源３１５がチョークコイルを介し
て接続されており、棒状電極３１２にはＶＨＦ高周波電
力とともに直流電圧が印加される。尚、図中、棒状電極
３１２は帯状基板３０１の幅方向に長い丸棒状で、基板
移動方向３１６と棒状電極３１２の長手方向は直交して
いる。また、ＶＨＦ周波数の高周波成膜を行なうチャン
バー３０４において、成膜室（ＶＨＦ成膜室）３１７の
基板移動方向３１６に対する長さ３１８は、ＶＨＦ周波
数の高周波電源３１４の発振波長の１／１６乃至１／２
の長さに設定されている。本実施例においては、成膜室
３１７の基板移動方向３１６に対する長さ３１８を、波
長の１／４の長さとした。
【００２５】図３に示した装置において、先ず、長さ５
００ｍ、幅３５６ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍのステンレス
基板３０１（ＳＵＳ４３０−ＢＡ）を、巻き出し室３０
２のコイル状に巻かれたボビン３２１からガスゲート３
０７を介してチャンバー３０３、３０４、３０５を通
し、巻き取り室３０６のボビン３２２にコイル状に巻き
取られるようにセットし、基板３０１が不図示の張力印
加機構により弛みなく張られるようにした。
００ｍ、幅３５６ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍのステンレス
基板３０１（ＳＵＳ４３０−ＢＡ）を、巻き出し室３０
２のコイル状に巻かれたボビン３２１からガスゲート３
０７を介してチャンバー３０３、３０４、３０５を通
し、巻き取り室３０６のボビン３２２にコイル状に巻き
取られるようにセットし、基板３０１が不図示の張力印
加機構により弛みなく張られるようにした。
【００２６】次に、各チャンバー３０２乃至３０６内を
各室の排気管３１０等の排気手段により１Ｐａ以下に一
度真空排気した。引き続き排気を行いながら、各チャン
バーの不図示のガス供給手段に接続されたガス導入管３
０９からＨｅガスを各１００ｓｃｃｍ導入し、排気管３
１０の不図示の排気弁の開度を調整することで各真空容
器の内圧を１００Ｐａに維持した。
各室の排気管３１０等の排気手段により１Ｐａ以下に一
度真空排気した。引き続き排気を行いながら、各チャン
バーの不図示のガス供給手段に接続されたガス導入管３
０９からＨｅガスを各１００ｓｃｃｍ導入し、排気管３
１０の不図示の排気弁の開度を調整することで各真空容
器の内圧を１００Ｐａに維持した。
【００２７】この状態で、巻き取り室３０６のボビン３
２２に接続された不図示の基板搬送機構により、帯状基
板３０１が毎分１２００ｍｍの移動速度で連続的に移動
するようにした。次いで、各チャンバー３０３、３０
４、３０５に設けた基板加熱ヒータ３１３および不図示
の基板温度モニタにより、各チャンバー内で移動する帯
状基板３０１が所定の温度になるように加熱制御した。
各チャンバー内で基板３０１が均一に加熱されたら、引
き続き加熱しつつ、Ｈｅガスの導入を停止し、ガス導入
管３０９へのガスをＳｉＨ4を含む原料ガスに切り替え
た。また、各ガスゲート３０７には、不図示のガス供給
手段に接続されたゲートガス導入管３０８から原料ガス
分離用のガスとしてＨ2を各１０００ｓｃｃｍ導入し
た。
２２に接続された不図示の基板搬送機構により、帯状基
板３０１が毎分１２００ｍｍの移動速度で連続的に移動
するようにした。次いで、各チャンバー３０３、３０
４、３０５に設けた基板加熱ヒータ３１３および不図示
の基板温度モニタにより、各チャンバー内で移動する帯
状基板３０１が所定の温度になるように加熱制御した。
各チャンバー内で基板３０１が均一に加熱されたら、引
き続き加熱しつつ、Ｈｅガスの導入を停止し、ガス導入
管３０９へのガスをＳｉＨ4を含む原料ガスに切り替え
た。また、各ガスゲート３０７には、不図示のガス供給
手段に接続されたゲートガス導入管３０８から原料ガス
分離用のガスとしてＨ2を各１０００ｓｃｃｍ導入し
た。
【００２８】次に、各チャンバーの平板電極３１１およ
び棒状電極３１２に高周波電源から高周波電力を供給
し、各チャンバー内に高周波放電を発生させた。そし
て、原料ガスをプラズマ分解して、連続的に移動する帯
状基板３０１上にシリコン系非単結晶膜の積層膜を堆積
させ、シリコン系非単結晶半導体からなる太陽電池素子
の半導体膜を形成した。尚、チャンバー３０４の放電周
波数は１００ＭＨｚで放電電極は棒状３１２、チャンバ
ー３０２、３０５の放電周波数は１３．５６ＭＨｚで放
電電極３１１は平板状であった。更に、チャンバー３０
４の放電電極（棒状）３１２にはアース電位の帯状基板
に対し正の向きに直流電圧１００Ｖを印加した。各チャ
ンバーの成膜条件を表１に示す。なお、チャンバー３０
３、３０４、３０５では、それぞれａ−Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）（ｎ型）、ａ−ＳｉＧｅ（ｉ型）、微結
晶Ｓｉ（ｐ型）を基板に堆積した。成膜室３１７の基板
移動方向３１６に対する長さ３１８は、波長の１／４の
長さである。このため、成膜室３１７内に高周波の腹と
節が同時には存在し得ず、成膜室３１７内のプラズマは
略均一であると考えられる。
び棒状電極３１２に高周波電源から高周波電力を供給
し、各チャンバー内に高周波放電を発生させた。そし
て、原料ガスをプラズマ分解して、連続的に移動する帯
状基板３０１上にシリコン系非単結晶膜の積層膜を堆積
させ、シリコン系非単結晶半導体からなる太陽電池素子
の半導体膜を形成した。尚、チャンバー３０４の放電周
波数は１００ＭＨｚで放電電極は棒状３１２、チャンバ
ー３０２、３０５の放電周波数は１３．５６ＭＨｚで放
電電極３１１は平板状であった。更に、チャンバー３０
４の放電電極（棒状）３１２にはアース電位の帯状基板
に対し正の向きに直流電圧１００Ｖを印加した。各チャ
ンバーの成膜条件を表１に示す。なお、チャンバー３０
３、３０４、３０５では、それぞれａ−Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）（ｎ型）、ａ−ＳｉＧｅ（ｉ型）、微結
晶Ｓｉ（ｐ型）を基板に堆積した。成膜室３１７の基板
移動方向３１６に対する長さ３１８は、波長の１／４の
長さである。このため、成膜室３１７内に高周波の腹と
節が同時には存在し得ず、成膜室３１７内のプラズマは
略均一であると考えられる。
【００２９】このような膜堆積を帯状基板の長さ４００
ｍにわたって連続的に行った後、各チャンバーヘの放電
電力の供給と、原料ガスの導入と、帯状基板の加熱とを
停止し、各室内を十分にパージし、帯状基板と装置内部
を充分冷却した後、装置を大気開放し、半導体膜が形成
されて巻き取り室３０６のボビン３２２に巻きとられた
帯状基板を取り出した。
ｍにわたって連続的に行った後、各チャンバーヘの放電
電力の供給と、原料ガスの導入と、帯状基板の加熱とを
停止し、各室内を十分にパージし、帯状基板と装置内部
を充分冷却した後、装置を大気開放し、半導体膜が形成
されて巻き取り室３０６のボビン３２２に巻きとられた
帯状基板を取り出した。
【００３０】更に、取り出した帯状基板を連続モジュー
ル化装置によって連続的に加工することにより、本発明
の装置で形成した半導体膜の上に、透明電極として全面
に６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成し、集電電極として一定
間隔に細線状のＡｇ電極を形成し、幅３５ｃｍ、基板移
動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池素子
を連続的に作成した。そして、作成した太陽電池素子に
ついて、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽
光照射下にて平均光電変換効率を測定し、特性評価を行
った。
ル化装置によって連続的に加工することにより、本発明
の装置で形成した半導体膜の上に、透明電極として全面
に６０ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成し、集電電極として一定
間隔に細線状のＡｇ電極を形成し、幅３５ｃｍ、基板移
動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池素子
を連続的に作成した。そして、作成した太陽電池素子に
ついて、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽
光照射下にて平均光電変換効率を測定し、特性評価を行
った。
【００３１】［実施例１Ｂ］基板の移動を止めた状態で
成膜室３１７における堆積膜形成を行った以外は実施例
１Ａと同様にして太陽電池素子を作成した。このため、
本実施例においても、高周波の腹と節は同時に存在し得
ないものと考えられる。本実施例において作成した太陽
電池素子の特性評価の結果と、実施例１Ａの太陽電池素
子の特性評価の結果とを比較した。本実施例において作
成した太陽電池素子の平均光電変換効率は、実施例１Ａ
の太陽電池素子の平均光電変換効率を１とすると、その
１．０倍であった。
成膜室３１７における堆積膜形成を行った以外は実施例
１Ａと同様にして太陽電池素子を作成した。このため、
本実施例においても、高周波の腹と節は同時に存在し得
ないものと考えられる。本実施例において作成した太陽
電池素子の特性評価の結果と、実施例１Ａの太陽電池素
子の特性評価の結果とを比較した。本実施例において作
成した太陽電池素子の平均光電変換効率は、実施例１Ａ
の太陽電池素子の平均光電変換効率を１とすると、その
１．０倍であった。
【００３２】本実施例においても、基板を連続的に移動
させて大面積の基板に膜堆積を行なって作成した実施例
１Ａの太陽電池素子と同様の平均光電変換効率、すなわ
ち、良好な特性を有する太陽電池素子を作成することが
できた。なお、実施例１Ａにおいては、連続的に移動す
る基板に半導体膜を堆積する方式を採用していることか
ら、本実施例よりも生産性が高かった。
させて大面積の基板に膜堆積を行なって作成した実施例
１Ａの太陽電池素子と同様の平均光電変換効率、すなわ
ち、良好な特性を有する太陽電池素子を作成することが
できた。なお、実施例１Ａにおいては、連続的に移動す
る基板に半導体膜を堆積する方式を採用していることか
ら、本実施例よりも生産性が高かった。
【００３３】（比較例１Ａ）成膜室３１７の基板移動方
向の長さ３１８を、１／２波長より長い３／５波長（１
８０ｃｍ）とした以外は実施例１Ａと同様にして、ステ
ンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からなるｎ
ｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室３１
７において堆積する半導体膜の膜厚が実施例１Ａにおけ
るものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力
を調整した。
向の長さ３１８を、１／２波長より長い３／５波長（１
８０ｃｍ）とした以外は実施例１Ａと同様にして、ステ
ンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からなるｎ
ｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室３１
７において堆積する半導体膜の膜厚が実施例１Ａにおけ
るものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力
を調整した。
【００３４】実施例１Ａと同様にして、幅３５ｃｍ、基
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。
【００３５】本比較例において作成した太陽電池素子Ａ
の特性評価の結果と、実施例１Ａの太陽電池素子の特性
評価の結果とを比較した。太陽電池素子Ａの平均光電変
換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子の平均光電変換効
率を１とすると、その０．６５倍であった。太陽電池素
子Ａの平均光電変換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子
の平均光電変換効率よりも低下していることが認められ
た。本比較例においては、成膜室３１７の基板移動方向
の長さ３１８を１／２波長より長い３／５波長としてい
ることから、成膜室内に腹と節が同時に生じ得る状態に
あり、プラズマ強度の分布にムラが生じているものと考
えられる。このため、成膜室３１７内を基板が連続的に
通過する間に、質の良いプラズマにより半導体膜が形成
される一方で、質の悪いプラズマによっても半導体膜が
形成される。このように、強度分布にムラのあるＶＨＦ
プラズマにより堆積される半導体膜には、膜厚方向に膜
特性のムラが生じているものと考えられる。以上から、
太陽電池素子Ａの平均光電変換効率は、半導体膜の膜厚
方向における膜特性のムラのため、実施例１Ａの太陽電
池素子の平均光電変換効率よりも低下しているものと考
えられる。
の特性評価の結果と、実施例１Ａの太陽電池素子の特性
評価の結果とを比較した。太陽電池素子Ａの平均光電変
換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子の平均光電変換効
率を１とすると、その０．６５倍であった。太陽電池素
子Ａの平均光電変換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子
の平均光電変換効率よりも低下していることが認められ
た。本比較例においては、成膜室３１７の基板移動方向
の長さ３１８を１／２波長より長い３／５波長としてい
ることから、成膜室内に腹と節が同時に生じ得る状態に
あり、プラズマ強度の分布にムラが生じているものと考
えられる。このため、成膜室３１７内を基板が連続的に
通過する間に、質の良いプラズマにより半導体膜が形成
される一方で、質の悪いプラズマによっても半導体膜が
形成される。このように、強度分布にムラのあるＶＨＦ
プラズマにより堆積される半導体膜には、膜厚方向に膜
特性のムラが生じているものと考えられる。以上から、
太陽電池素子Ａの平均光電変換効率は、半導体膜の膜厚
方向における膜特性のムラのため、実施例１Ａの太陽電
池素子の平均光電変換効率よりも低下しているものと考
えられる。
【００３６】（比較例１Ｂ）成膜室３１７の基板移動方
向の長さ３１８を、１／２波長より長い３／５波長（１
８０ｃｍ）とした以外は実施例１Ｂと同様にして、ステ
ンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からなるｎ
ｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室３１
７において堆積する半導体膜の膜厚が実施例１Ｂにおけ
るものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力
を調整した。
向の長さ３１８を、１／２波長より長い３／５波長（１
８０ｃｍ）とした以外は実施例１Ｂと同様にして、ステ
ンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からなるｎ
ｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室３１
７において堆積する半導体膜の膜厚が実施例１Ｂにおけ
るものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力
を調整した。
【００３７】実施例１Ｂと同様にして、幅３５ｃｍ、基
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。なお、成膜室３１７の基板
移動方向に対する長さ３１８が１／２波長より長いこと
から、成膜室３１７内にはＶＨＦの腹と節が同時に存在
し得る状態となっている。このため、プラズマは均一で
はなく、その強度に分布が生じており、大面積の基板に
わたって膜質が均一な半導体膜は形成できない。そこ
で、本比較例においては、基板のうち、質の良いプラズ
マ（ここでは、基板移動方向の中央部分のプラズマ）に
より半導体膜が堆積された部分を用いて太陽電池素子Ｂ
を作成した。また、基板のこれ以外の部分を用いて太陽
電池Ｃを作成した。
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。なお、成膜室３１７の基板
移動方向に対する長さ３１８が１／２波長より長いこと
から、成膜室３１７内にはＶＨＦの腹と節が同時に存在
し得る状態となっている。このため、プラズマは均一で
はなく、その強度に分布が生じており、大面積の基板に
わたって膜質が均一な半導体膜は形成できない。そこ
で、本比較例においては、基板のうち、質の良いプラズ
マ（ここでは、基板移動方向の中央部分のプラズマ）に
より半導体膜が堆積された部分を用いて太陽電池素子Ｂ
を作成した。また、基板のこれ以外の部分を用いて太陽
電池Ｃを作成した。
【００３８】本比較例において作成した太陽電池素子
Ｂ、Ｃの特性評価の結果と、実施例１Ｂの太陽電池素子
の特性評価の結果とを比較した。太陽電池素子Ｂの平均
光電変換効率は、実施例１Ｂの太陽電池素子の平均光電
変換効率とほぼ同等であった。一方、太陽電池素子Ｃの
平均光電変換効率は、実施例１Ｂの０．６５倍であっ
た。太陽電池素子Ｃの平均光電変換効率は、実施例１Ｂ
の太陽電池素子の平均光電変換効率よりも低下している
ことが認められた。
Ｂ、Ｃの特性評価の結果と、実施例１Ｂの太陽電池素子
の特性評価の結果とを比較した。太陽電池素子Ｂの平均
光電変換効率は、実施例１Ｂの太陽電池素子の平均光電
変換効率とほぼ同等であった。一方、太陽電池素子Ｃの
平均光電変換効率は、実施例１Ｂの０．６５倍であっ
た。太陽電池素子Ｃの平均光電変換効率は、実施例１Ｂ
の太陽電池素子の平均光電変換効率よりも低下している
ことが認められた。
【００３９】太陽電池素子Ｂと実施例１Ｂの太陽電池素
子の平均光電変換効率が同等であるのは、太陽電池素子
Ｂの半導体膜の膜厚方向の膜質が、実施例１Ｂのものと
同様に均質であるためであると考えられる。一方、太陽
電池素子Ｃの平均光電変換効率が実施例１Ｂの太陽電池
素子のそれよりも低下しているのは、太陽電池素子Ｃの
半導体膜の膜厚方向の膜質が均質でないためであると考
えられる。
子の平均光電変換効率が同等であるのは、太陽電池素子
Ｂの半導体膜の膜厚方向の膜質が、実施例１Ｂのものと
同様に均質であるためであると考えられる。一方、太陽
電池素子Ｃの平均光電変換効率が実施例１Ｂの太陽電池
素子のそれよりも低下しているのは、太陽電池素子Ｃの
半導体膜の膜厚方向の膜質が均質でないためであると考
えられる。
【００４０】以上から、本比較例では、基板の一部にお
いては膜厚方向に均質な半導体膜を堆積できるものの、
成膜室３１７内のプラズマの分布にムラがあることか
ら、大面積の基板の広い範囲にわたって均質な半導体膜
を堆積することはできない。一方実施例１Ｂでは大面積
の基板の広い範囲にわたって均質な半導体膜を堆積する
ことができた。
いては膜厚方向に均質な半導体膜を堆積できるものの、
成膜室３１７内のプラズマの分布にムラがあることか
ら、大面積の基板の広い範囲にわたって均質な半導体膜
を堆積することはできない。一方実施例１Ｂでは大面積
の基板の広い範囲にわたって均質な半導体膜を堆積する
ことができた。
【００４１】（比較例２Ａ）成膜室３１７の基板移動方
向の長さ３１８を、１／１６波長より短い１／３２波長
（９．３７５ｃｍ）とした以外は実施例１Ａと同様にし
て、ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜か
らなるｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成
膜室３１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ａにおける
ものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を
調整した。
向の長さ３１８を、１／１６波長より短い１／３２波長
（９．３７５ｃｍ）とした以外は実施例１Ａと同様にし
て、ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜か
らなるｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成
膜室３１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ａにおける
ものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を
調整した。
【００４２】実施例１Ａと同様にして、幅３５ｃｍ、基
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。
【００４３】本比較例において作成した太陽電池素子Ｄ
の特性評価の結果と、実施例１Ａの太陽電池素子の特性
評価の結果とを比較した。太陽電池素子Ｄの平均光電変
換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子の平均光電変換効
率を１とすると、その０．７倍であった。太陽電池素子
Ｄの平均光電変換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子の
平均光電変換効率よりも低下していることが認められ
た。これは、成膜室３１７の基板移動方向の長さ３１８
が波長の１／３２と短いため、成膜室内壁と棒状電極３
１２との距離が非常に近く、このため、成膜室内壁面に
僅かな突起等があってもその部分に放電が集中し易くな
り、放電が不均一になるためであると考えられる。
の特性評価の結果と、実施例１Ａの太陽電池素子の特性
評価の結果とを比較した。太陽電池素子Ｄの平均光電変
換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子の平均光電変換効
率を１とすると、その０．７倍であった。太陽電池素子
Ｄの平均光電変換効率は、実施例１Ａの太陽電池素子の
平均光電変換効率よりも低下していることが認められ
た。これは、成膜室３１７の基板移動方向の長さ３１８
が波長の１／３２と短いため、成膜室内壁と棒状電極３
１２との距離が非常に近く、このため、成膜室内壁面に
僅かな突起等があってもその部分に放電が集中し易くな
り、放電が不均一になるためであると考えられる。
【００４４】（比較例２Ｂ）成膜室３１７の基板移動方
向の長さ３１８を、１／１６波長より短い１／３２波長
（９．３７５ｃｍ）とした以外は実施例１Ｂと同様にし
て、ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜か
らなるｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成
膜室３１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ｂにおける
ものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を
調整した。
向の長さ３１８を、１／１６波長より短い１／３２波長
（９．３７５ｃｍ）とした以外は実施例１Ｂと同様にし
て、ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜か
らなるｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成
膜室３１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ｂにおける
ものと同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を
調整した。
【００４５】実施例１Ｂと同様にして、幅３５ｃｍ、基
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。本比較例において作成した
太陽電池素子Ｅの特性評価の結果と、実施例１Ｂの太陽
電池素子の特性評価の結果とを比較した。太陽電池素子
Ｅの平均光電変換効率は、実施例１Ｂの太陽電池素子の
平均光電変換効率を１とすると、その０．７倍であっ
た。太陽電池素子Ｅの平均光電変換効率は、実施例１Ｂ
の太陽電池素子の平均光電変換効率よりも低下している
ことが認められた。これは、比較例２Ａの太陽電池素子
Ｄの平均光電変換効率が低下した上記理由と、同様の理
由によるものと考えられる。
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。本比較例において作成した
太陽電池素子Ｅの特性評価の結果と、実施例１Ｂの太陽
電池素子の特性評価の結果とを比較した。太陽電池素子
Ｅの平均光電変換効率は、実施例１Ｂの太陽電池素子の
平均光電変換効率を１とすると、その０．７倍であっ
た。太陽電池素子Ｅの平均光電変換効率は、実施例１Ｂ
の太陽電池素子の平均光電変換効率よりも低下している
ことが認められた。これは、比較例２Ａの太陽電池素子
Ｄの平均光電変換効率が低下した上記理由と、同様の理
由によるものと考えられる。
【００４６】［実施例２］成膜室３１７の基板移動方向
の長さ３１８を、１／１６波長（１８．７５ｃｍ）とし
た以外は実施例１Ａと同様にして、ステンレス基板上に
３層のシリコン系非単結晶膜からなるｎｉｐ構造の太陽
電池素子を製造した。但し、成膜室３１７における堆積
膜の膜厚が実施例１Ａにおけるものと同じになるよう
に、原料ガス流量とＶＨＦ電力を調整した。
の長さ３１８を、１／１６波長（１８．７５ｃｍ）とし
た以外は実施例１Ａと同様にして、ステンレス基板上に
３層のシリコン系非単結晶膜からなるｎｉｐ構造の太陽
電池素子を製造した。但し、成膜室３１７における堆積
膜の膜厚が実施例１Ａにおけるものと同じになるよう
に、原料ガス流量とＶＨＦ電力を調整した。
【００４７】実施例１Ａと同様にして、幅３５ｃｍ、基
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。本実施例において作成した
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例１Ａにより作
成した太陽電池素子の特性評価の結果とを比較した。本
実施例の太陽電池素子の平均光電変換効率は、実施例１
Ａの太陽電池素子の平均光電変換効率を１とすると、そ
の０．９倍であった。実施例１Ａの太陽電池素子よりは
若干劣るものの、本実施例により、良好な特性を有する
太陽電池素子を提供することができた。
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。本実施例において作成した
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例１Ａにより作
成した太陽電池素子の特性評価の結果とを比較した。本
実施例の太陽電池素子の平均光電変換効率は、実施例１
Ａの太陽電池素子の平均光電変換効率を１とすると、そ
の０．９倍であった。実施例１Ａの太陽電池素子よりは
若干劣るものの、本実施例により、良好な特性を有する
太陽電池素子を提供することができた。
【００４８】［実施例３］成膜室３１７の基板移動方向
の長さ３１８を、１／２波長（１５０ｃｍ）とした以外
は実施例１Ａと同様にして、ステンレス基板上に３層の
シリコン系非単結晶膜からなるｎｉｐ構造の太陽電池素
子を製造した。但し、成膜室３１７における堆積膜の膜
厚が実施例１Ａにおけるものと同じになるように、原料
ガス流量とＶＨＦ電力を調整した。
の長さ３１８を、１／２波長（１５０ｃｍ）とした以外
は実施例１Ａと同様にして、ステンレス基板上に３層の
シリコン系非単結晶膜からなるｎｉｐ構造の太陽電池素
子を製造した。但し、成膜室３１７における堆積膜の膜
厚が実施例１Ａにおけるものと同じになるように、原料
ガス流量とＶＨＦ電力を調整した。
【００４９】実施例１Ａと同様にして、幅３５ｃｍ、基
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。本実施例において作成した
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例１Ａにより作
成した太陽電池素子の特性評価の結果とを比較した。本
実施例の太陽電池素子の平均光電変換効率は、実施例１
Ａの太陽電池素子の平均光電変換効率を１とすると、そ
の０．９倍であった。実施例１Ａの太陽電池変換素子よ
りは若干劣るものの、本実施例により、良好な特性を有
する太陽電池素子を提供することができた。
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。本実施例において作成した
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例１Ａにより作
成した太陽電池素子の特性評価の結果とを比較した。本
実施例の太陽電池素子の平均光電変換効率は、実施例１
Ａの太陽電池素子の平均光電変換効率を１とすると、そ
の０．９倍であった。実施例１Ａの太陽電池変換素子よ
りは若干劣るものの、本実施例により、良好な特性を有
する太陽電池素子を提供することができた。
【００５０】［実施例４Ａ］成膜室３１７の放電周波数
を５０ＭＨｚにした以外は実施例１Ａと同様にして、ス
テンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からなる
ｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室３
１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ａにおけるものと
同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を調整し
た。成膜室３１７の基板移動方向に対する長さ３１８は
１／４波長（１５０ｃｍ）とした。実施例１Ａと同様に
して、幅３５ｃｍ、基板移動方向長さ５ｃｍの長方形の
ｎｉｐ構造の太陽電池素子を連続的に作成し、作成した
太陽電池素子について、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ
2）の擬似太陽光照射下にて特性評価を行った。大面積
の基板を用いて、良好な特性を有する太陽電池素子を提
供することができた。
を５０ＭＨｚにした以外は実施例１Ａと同様にして、ス
テンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からなる
ｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室３
１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ａにおけるものと
同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を調整し
た。成膜室３１７の基板移動方向に対する長さ３１８は
１／４波長（１５０ｃｍ）とした。実施例１Ａと同様に
して、幅３５ｃｍ、基板移動方向長さ５ｃｍの長方形の
ｎｉｐ構造の太陽電池素子を連続的に作成し、作成した
太陽電池素子について、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ
2）の擬似太陽光照射下にて特性評価を行った。大面積
の基板を用いて、良好な特性を有する太陽電池素子を提
供することができた。
【００５１】［実施例４Ｂ］基板の移動を止めた状態で
成膜室３１７の基板移動方向中央部分において堆積膜形
成を行った以外は実施例４Ａと同様にして太陽電池素子
を作成した。本実施例の太陽電池素子の特性評価の結果
と、実施例４Ａの太陽電池素子の特性評価の結果とを比
較した。本実施例の太陽電池素子の平均光電変換効率を
１とすると、実施例４Ａの太陽電池素子の平均光電変換
効率は、その０．９５倍であった。このことから、基板
を連続的に移動させて大面積に膜堆積を行ったことによ
る光電変換効率の低下はほとんどなかった。なお、実施
例４Ａにおいては、連続的に移動する基板に半導体膜を
堆積する方式を採用していることから、本実施例よりも
生産性が高かった。
成膜室３１７の基板移動方向中央部分において堆積膜形
成を行った以外は実施例４Ａと同様にして太陽電池素子
を作成した。本実施例の太陽電池素子の特性評価の結果
と、実施例４Ａの太陽電池素子の特性評価の結果とを比
較した。本実施例の太陽電池素子の平均光電変換効率を
１とすると、実施例４Ａの太陽電池素子の平均光電変換
効率は、その０．９５倍であった。このことから、基板
を連続的に移動させて大面積に膜堆積を行ったことによ
る光電変換効率の低下はほとんどなかった。なお、実施
例４Ａにおいては、連続的に移動する基板に半導体膜を
堆積する方式を採用していることから、本実施例よりも
生産性が高かった。
【００５２】［実施例５Ａ］成膜室３１７の放電周波数
を３００ＭＨｚにした以外は実施例１Ａと同様にして、
ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からな
るｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室
３１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ａにおけるもの
と同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を調整
した。成膜室３１７の基板移動方向に対する長さ３１８
は１／４波長（２５ｃｍ）とした。
を３００ＭＨｚにした以外は実施例１Ａと同様にして、
ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶膜からな
るｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。但し、成膜室
３１７における堆積膜の膜厚が実施例１Ａにおけるもの
と同じになるように、原料ガス流量とＶＨＦ電力を調整
した。成膜室３１７の基板移動方向に対する長さ３１８
は１／４波長（２５ｃｍ）とした。
【００５３】実施例１Ａと同様にして、幅３５ｃｍ、基
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。大面積の基板を用いて、良
好な特性を有する太陽電池素子を提供することができ
た。
板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構造の太陽電池
素子を連続的に作成し、作成した太陽電池素子につい
て、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬似太陽光照
射下にて特性評価を行った。大面積の基板を用いて、良
好な特性を有する太陽電池素子を提供することができ
た。
【００５４】［実施例５Ｂ］基板の移動を止めた状態で
成膜室３１７における堆積膜形成を行った以外は実施例
５Ａと同様にして太陽電池素子を作成した。本実施例の
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例５Ａの太陽電
池素子の特性評価の結果とを比較した。本実施例の太陽
電池素子の平均光電変換効率を１とすると、実施例５Ａ
の太陽電池素子の平均光電変換効率は、その１．０倍で
あった。このことから、基板を連続的に移動させて大面
積に膜堆積を行ったことによる光電変換効率の低下はほ
とんどなかった。なお、実施例５Ａにおいては、連続的
に移動する基板に半導体膜を堆積する方式を採用してい
ることから、本実施例よりも生産性が高かった。
成膜室３１７における堆積膜形成を行った以外は実施例
５Ａと同様にして太陽電池素子を作成した。本実施例の
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例５Ａの太陽電
池素子の特性評価の結果とを比較した。本実施例の太陽
電池素子の平均光電変換効率を１とすると、実施例５Ａ
の太陽電池素子の平均光電変換効率は、その１．０倍で
あった。このことから、基板を連続的に移動させて大面
積に膜堆積を行ったことによる光電変換効率の低下はほ
とんどなかった。なお、実施例５Ａにおいては、連続的
に移動する基板に半導体膜を堆積する方式を採用してい
ることから、本実施例よりも生産性が高かった。
【００５５】［実施例６Ａ］成膜室３１７で堆積する膜
をアモルファスシリコンにした以外は実施例１Ａと同様
にして、ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶
膜からなるｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。各チ
ャンバーの成膜条件を表２に示す。なお、チャンバー３
０３、３０４、３０５では、それぞれａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）（ｎ型）、ａ−Ｓｉ（ｉ型）、微結晶
Ｓｉ（ｐ型）を基板に堆積した。成膜室３１７の基板移
動方向３１６に対する長さ３１８は、波長の１／４の長
さである。このため、成膜室３１７内に高周波の腹と節
が同時には存在し得ず、成膜室３１７内のプラズマは略
均一であると考えられる。実施例１Ａと同様にして、幅
３５ｃｍ、基板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構
造の太陽電池素子を連続的に作成し、作成した太陽電池
素子について、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬
似太陽光照射下にて特性評価を行った。大面積の基板を
用いて、良好な特性を有する太陽電池素子を提供するこ
とができた。
をアモルファスシリコンにした以外は実施例１Ａと同様
にして、ステンレス基板上に３層のシリコン系非単結晶
膜からなるｎｉｐ構造の太陽電池素子を製造した。各チ
ャンバーの成膜条件を表２に示す。なお、チャンバー３
０３、３０４、３０５では、それぞれａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）（ｎ型）、ａ−Ｓｉ（ｉ型）、微結晶
Ｓｉ（ｐ型）を基板に堆積した。成膜室３１７の基板移
動方向３１６に対する長さ３１８は、波長の１／４の長
さである。このため、成膜室３１７内に高周波の腹と節
が同時には存在し得ず、成膜室３１７内のプラズマは略
均一であると考えられる。実施例１Ａと同様にして、幅
３５ｃｍ、基板移動方向長さ５ｃｍの長方形のｎｉｐ構
造の太陽電池素子を連続的に作成し、作成した太陽電池
素子について、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の擬
似太陽光照射下にて特性評価を行った。大面積の基板を
用いて、良好な特性を有する太陽電池素子を提供するこ
とができた。
【００５６】［実施例６Ｂ］基板の移動を止めた状態で
成膜室３１７における堆積膜形成を行った以外は実施例
６Ａと同様にして太陽電池素子を作成した。本実施例の
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例６Ａの太陽電
池素子の特性評価の結果とを比較した。
成膜室３１７における堆積膜形成を行った以外は実施例
６Ａと同様にして太陽電池素子を作成した。本実施例の
太陽電池素子の特性評価の結果と、実施例６Ａの太陽電
池素子の特性評価の結果とを比較した。
【００５７】本実施例の太陽電池素子の平均光電変換効
率を１とすると、実施例６Ａの太陽電池素子の平均光電
変換効率は、その１．０倍であった。このことから、基
板を連続的に移動させて大面積に膜堆積を行ったことに
よる光電変換効率の低下はほとんどなかった。本実施例
でも、大面積の基板を用いて、良好な特性を有する太陽
電池素子を提供することができた。なお、実施例６Ａに
おいては、連続的に移動する基板に半導体膜を堆積する
方式を採用していることから、本実施例よりも生産性が
高かった。
率を１とすると、実施例６Ａの太陽電池素子の平均光電
変換効率は、その１．０倍であった。このことから、基
板を連続的に移動させて大面積に膜堆積を行ったことに
よる光電変換効率の低下はほとんどなかった。本実施例
でも、大面積の基板を用いて、良好な特性を有する太陽
電池素子を提供することができた。なお、実施例６Ａに
おいては、連続的に移動する基板に半導体膜を堆積する
方式を採用していることから、本実施例よりも生産性が
高かった。
【００５８】なお、ここでは、ｎｉｐ構造の太陽電池素
子を用いて説明したが、ｐｉｎ構造、ｎ+ｎ-ｐ+構造、
ｎ+ｐ-ｐ+構造、ｐ+ｐ-ｎ+構造、ｐ+ｎ-ｎ+構造、その
他の構造の太陽電池素子にも、本発明が適用できること
は、言うまでもない。
子を用いて説明したが、ｐｉｎ構造、ｎ+ｎ-ｐ+構造、
ｎ+ｐ-ｐ+構造、ｐ+ｐ-ｎ+構造、ｐ+ｎ-ｎ+構造、その
他の構造の太陽電池素子にも、本発明が適用できること
は、言うまでもない。
【００５９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、大面積の基板に堆積膜を形成する方式の半導体膜等
の堆積膜形成装置または堆積膜形成方法において、高速
堆積が可能なＶＨＦ周波数のプラズマＣＶＤ法を導入す
るに際し、ＶＨＦ周波数の放電電極として表面積の少な
い棒状電極を用いた場合においても、大面積にわたり均
一なプラズマ強度分布を得ることができ、大面積の基板
にわたって膜厚方向に膜特性のムラの少ない半導体膜を
高速で形成することが可能となる。
ば、大面積の基板に堆積膜を形成する方式の半導体膜等
の堆積膜形成装置または堆積膜形成方法において、高速
堆積が可能なＶＨＦ周波数のプラズマＣＶＤ法を導入す
るに際し、ＶＨＦ周波数の放電電極として表面積の少な
い棒状電極を用いた場合においても、大面積にわたり均
一なプラズマ強度分布を得ることができ、大面積の基板
にわたって膜厚方向に膜特性のムラの少ない半導体膜を
高速で形成することが可能となる。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【図１】（Ａ）は本発明の堆積膜形成装置の構成の一例
を示す模式的断面図であり、（Ｂ）は本発明の堆積膜形
成装置の構成の他の一例を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図であり、（Ｂ）は本発明の堆積膜形
成装置の構成の他の一例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明を説明するための実験結果を示すグラフ
である。
である。
【図３】本発明の堆積膜形成装置を組み込んだ堆積膜形
成装置の構成の一例を示す模式的断面図である。
成装置の構成の一例を示す模式的断面図である。
１０１：真空容器 １０２、１０２’：成膜室 １０３：ガス導入管 １０４：排気管 １０５：ＶＨＦ周波数の高周波電源 １０６：棒状電極 １０７：基板 １０８：基板移動方向 １０９：基板ヒーター １１０、１１１：成膜室の基板移動方向長さ １１２：真空容器の対向する内壁間の長さ １１３、１１３’：真空容器の内壁 １１４：内チャンバー １１５、１１５’：内チャンバーの内壁 ３０１：帯状基板 ３０２：巻き出し室 ３０３、３０４、３０５：チャンバー ３０６：巻き取り室 ３０７：ガスゲート ３０８：ゲートガス導入管 ３０９：原料ガス導入管 ３１０：排気管 ３１１：平板電極 ３１２：棒状電極 ３１３：基板加熱ヒーター ３１４：ＶＨＦ電源（ＶＨＦ周波数の高周波電源） ３１５：直流電源 ３１６：基板移動方向 ３１７：ＶＨＦ成膜室 ３１８：成膜室の基板移動方向長さ ３１９：ＲＦ電源 ３２０：チョークコイル ３２１、３２２：ボビン ３２３：内チャンバー ３２４、３２４’：内チャンバーの内壁
フロントページの続き (72)発明者 岡部 正太郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 幸田 勇蔵 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 澤山 忠志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 矢島 孝博 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金井 正博 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA29 BA30 BB04 CA02 CA17 FA04 GA14 JA01 JA18 KA14 KA15 LA16 5F045 AA08 AB01 AB04 AB06 AC01 AC07 BB02 CA13 DA52 DP22 EH02 EH04 5F051 AA04 AA05 BA14 BA15 CA16 CA22 CA23 CA24 GA02 GA05
Claims (10)
- 【請求項１】少なくとも成膜室と高周波電力放射手段と
原料ガス導入手段とを有し、前記成膜室内に高周波及び
原料ガスを導入して該成膜室内の基板上にシリコン系非
単結晶半導体を堆積する堆積膜形成装置において、 前記高周波電力放射手段がＶＨＦ周波数の高周波電源が
接続された棒状電極であり、該棒状電極の長手方向が前
記基板移動方向と交わるように配置され、 かつ、前記成膜室の前記基板移動方向に対する長さが、
前記成膜室内に導入される高周波の波長の１／１６乃至
１／２の長さであることを特徴とする堆積膜形成装置。 - 【請求項２】前記基板が長尺の帯状基板であることを特
徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項３】前記棒状電極が、該棒状電極の長手方向が
前記基板移動方向と略垂直な方向となるように配置され
ていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の堆積膜形成装置。 - 【請求項４】前記棒状電極が、前記成膜室内における前
記基板移動方向の略中央に配置されていることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項に記載の堆積膜形成装
置。 - 【請求項５】前記堆積膜形成装置が、長尺の帯状基板を
連続的に移動させながら複数の成膜室間を通過させ、該
帯状基板上に複数のシリコン系非単結晶半導体を連続的
に形成する堆積膜形成装置であることを特徴とする請求
項１〜４のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項６】成膜室内にＶＨＦ高周波電力を放射し、原
料ガスを導入して該成膜室内の基板上にシリコン系非単
結晶半導体を堆積する堆積膜形成方法において、前記Ｖ
ＨＦ高周波電力を棒状電極により放射し、該棒状電極の
長手方向が前記基板移動方向と交わるように配置され、
かつ、前記成膜室の前記基板移動方向に対する長さが、
前記成膜室内に導入する前記高周波の波長の１／１６乃
至１／２の長さであることを特徴とする堆積膜形成方
法。 - 【請求項７】前記基板が長尺の帯状基板であることを特
徴とする請求項６に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項８】前記棒状電極が、該棒状電極の長手方向が
前記基板移動方向と略垂直な方向となるように配置され
ていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載
の堆積膜形成方法。 - 【請求項９】前記棒状電極が、前記成膜室内における前
記基板移動方向の略中央に配置されていることを特徴と
する請求項６〜８のいずれか１項に記載の堆積膜形成方
法。 - 【請求項１０】長尺の帯状基板を連続的に移動させなが
ら複数の成膜室間を通過させ、該帯状基板上に複数のシ
リコン系非単結晶半導体を連続的に形成することを特徴
とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の堆積膜形成
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000084242A JP2001040478A (ja) | 1999-05-27 | 2000-03-24 | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
| EP00111428A EP1055747B1 (en) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | Apparatus and method for forming a film on a substrate |
| DE60015643T DE60015643T2 (de) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Films auf einem Träger |
| US09/578,906 US6436797B1 (en) | 1999-05-27 | 2000-05-26 | Apparatus and method for forming a deposited film on a substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14760099 | 1999-05-27 | ||
| JP11-147600 | 1999-05-27 | ||
| JP2000084242A JP2001040478A (ja) | 1999-05-27 | 2000-03-24 | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001040478A true JP2001040478A (ja) | 2001-02-13 |
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ID=26478090
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| EP (1) | EP1055747B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001040478A (ja) |
| DE (1) | DE60015643T2 (ja) |
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| WO2010010956A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 株式会社 アルバック | 薄膜太陽電池の製造装置および製造方法、ならびに薄膜太陽電池 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2005007927A1 (ja) * | 2003-07-16 | 2005-01-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 薄膜製造方法および形成された薄膜を有する基材 |
| US7666766B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, method for forming film, and method for manufacturing photoelectric conversion device |
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|---|---|---|---|---|
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| US4519339A (en) * | 1981-03-16 | 1985-05-28 | Sovonics Solar Systems | Continuous amorphous solar cell production system |
| CH668145A5 (fr) * | 1986-09-26 | 1988-11-30 | Inst Microtechnique De L Unive | Procede et installation de depot de silicium amorphe hydrogene sur un substrat dans une enceinte a plasma. |
| DE4421103A1 (de) * | 1994-06-16 | 1995-12-21 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmagestützten Abscheidung dünner Schichten |
| JP3238082B2 (ja) * | 1996-05-16 | 2001-12-10 | シャープ株式会社 | 電子デバイス製造装置 |
| JP3630982B2 (ja) | 1997-05-22 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
2000
- 2000-03-24 JP JP2000084242A patent/JP2001040478A/ja not_active Withdrawn
- 2000-05-26 EP EP00111428A patent/EP1055747B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-26 US US09/578,906 patent/US6436797B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-26 DE DE60015643T patent/DE60015643T2/de not_active Expired - Lifetime
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| JPWO2010010956A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-01-05 | 株式会社アルバック | 薄膜太陽電池の製造装置および製造方法、ならびに薄膜太陽電池 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060714 |