DE2638269A1 - Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem halbleitermaterial - Google Patents
Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem halbleitermaterialInfo
- Publication number
- DE2638269A1 DE2638269A1 DE19762638269 DE2638269A DE2638269A1 DE 2638269 A1 DE2638269 A1 DE 2638269A1 DE 19762638269 DE19762638269 DE 19762638269 DE 2638269 A DE2638269 A DE 2638269A DE 2638269 A1 DE2638269 A1 DE 2638269A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- silicon layer
- substrate body
- melted
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 71
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 45
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 37
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N boranylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#B LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- UYDPQDSKEDUNKV-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynetungsten Chemical compound [W]#P UYDPQDSKEDUNKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000287181 Sturnus vulgaris Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- -1 silicon hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMFRJQSDQNIYNM-UHFFFAOYSA-N trifluorophosphane tungsten Chemical group [W].FP(F)F KMFRJQSDQNIYNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/06—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting the molten zone not extending over the whole cross-section
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/025—Deposition multi-step
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/06—Gettering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/134—Remelt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/907—Continuous processing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Halbleitermaterial
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Halbleitermaterial, bei welchem
Silicium aus der Gasphase auf einem geeigneten Substratkörper niedergeschlagen wird.
Solarzellen, wie sie in der Raumfahrt bislang als Stromerzeuger eingesetzt werden, sind für eine breite terrestrische Anwendung
viel zu teuer. Eine Herstellung von Solarzellen aus hochreinen, einkristallinen Siliciumstäben, bei welcher bei der arbeits- und
sachkostenintensiven Aufarbeitung dieser Stäbe allein schon ca. 70 % des Materials verloren gehen, ist daher für die Massenprokuktion
von vorneherein auszuschließen.
Aus diesem Grunde wird seit einigen Jahren daran gearbeitet, billiger
verfügbares, weitgehend polykristallines Silicium als Grundmaterial einzusetzen, wenngleich mit der Abkehr von der Monokristallinität
auch der Wirkungsgrad von Solarzellen, die aus derartigem Material hergestellt werden, offensichtlich stark absinkt und bislang nur
bei wenigen Prozenten liegt.
Ein erster Durchbruch zu billigem, preiswertem Siliciumgrundmaterial
liegt demgegenüber in dem Verfahren gemäß der DT-OS \ 25 08 803, bei welchem Silicium unter Einwirkung eines Temperatur-
809809/0168
/2
gradienten direkt zu dünnen Platten vergossen wird. Aus diesem
Material mit größeren, einkristallinen Bereichen lassen sich bereits
Solarzellen mit Wirkungsgraden über 5 % herstellen.
Nach Untersuchungen von T.L. Chu et al gelingt es Solarzellen dadurch
herzustellen, daß auf Graphitscheibchen in einem Epireaktor Silicium aus Silan oder Trichlorsilan abgeschieden wird. Die Einstellung
hoher Substrattemperaturen, niedriger Abscheideraten und die Zusammensetzung des Abscheidegases bestimmen dabei im wesentlichen
den Wirkungsgrad der daraus hergestellten Solarzellen, der sich durch eine Wärmebehandlung der abgeschiedenen Siliciumschicht
noch steigern läßt, aber auch dann erst bei maximal 5 % liegt (Journal of Electrochem. Society, 1976, Seite 106 - 110).
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zur Herstellung von Solarzellenmaterial zu finden, bei welchem die arbeitsintensiven und kostentreibenden Verfahrensschritte,
die nach bekannten Verfahren zwischen der Herstellung des Halbleitergrundmaterials
und der einsatzfähigen Solarzelle liegen, zumindest weitgehend ausgeschaltet werden können.
Gelöst wird diese Aufgabe dadurch, daß auf einem als Substratkörper
dienendem, durch direkten Stromdurchgang beheizbarem und auf Abscheidetemperatur erhitztem Flächengebilde Silicium aus einer
gasförmigen Verbindung,die zusätzlich einen Dotierstoff enthält, bis
zu einer Dicke von etwa 10 bis 200yÄm abgeschieden wird und nachfolgend
bezüglich der Schichthöhe 80 bis 100 % dieser Siliciumschicht von der Oberfläche her aufgeschmolzen und anschließend durch geeignete
Kühlung vom Substratkörper her zum Wiedererstarren gebracht werden.
Als Substratkörper, die durch direkten Stromdurchgang beheizbar sind, eignen sich beispielsweise Flächengebilde aus Kohlenstoff,
wie etwa Glaskohle, Kohlenstofflaminate oder - gewirke, Graphitplatten, kohlebeschichtete Isolationskörper aus Keramik oder Glas
09/0168 /3
und vorzugsweise Graphitfolie. .
Derartige Graphitfolien v/erden nach Auskunft der Hersteller aus reinem, gut geordnetem Graphit hergestellt, wobei durch chemische ■
und thermische Behandlung die Abstände der Schichtebenen im Kristallgitter des Graphits auf ein Vielfaches des normalen Wertes von
3,35 Ά aufgeweitet v/erden. Das resultierende Schüttgewicht auswurmförmigen
Einzelteilen wird anschließend auf Kalandern oder Pressen zum Endprodukt verdichtet, wobei die Schichten des Graphitgitters
allein durch Anwendung von mechanischem Druck wieder fest miteinander verbunden werden.
Neben den Substratkörpern auf Basis Kohlenstoff sind auch metallische
Substratkörper sehr gut geeignet, beispielsweise Flächengebilde aus Titan oder Tantal, Stahlbänder oder -bleche und insbesondere
Bleche oder Bänder aus Molybdän, die als metallische Substratkörper bevorzugt eingesetzt werden. Molybdän hat einen Ausdehnungskoeffizienten,
der wenig von dem des Siliciums abweicht, wodurch eine gute Haftung zwischen Substratkörper und Aufvzachsschicht
bedingt wird, außerdem gibt Molybdän keine schnell diffundierenden Rekomb!nationsZentren ins angrenzende Siliciumgitter ab.
Von der eigentlichen Siliciumabscheidung kann das Aufbringen einer
dünnen, vorzugsweise 1 bis 5y&m dicken Zwischenschicht vorteilhaft
sein, um einen guten Ohmschen Kontakt zu erzielen, d.h. der Kontakt · zwischen Substratkörper und Siliciumschicht soll eine lineare polungsunabhängige
Strom-Spannungs-Charakteristik mit möglichst niedrigem Ohmschen Widerstand aufweisen. Die Zwischenschicht hat außerdem den
Vorteil, daß der Substratkörper, also beispielsweise die Graphitfolie nicht direkt mit unter den Verfahrensbedingungen besonders
reaktiven Silicium in Kontakt gerät. Daneben kommt der Zwischenschicht noch eine Getterwirkung zu, so daß sich während des Abkühlungsprozesses
schnell diffundierende Metallatome in der Zwischenschicht ansammeln.
809809/0168 /4
Als Material für eine derartige Zwischenschicht eignen sich beispielsweise
Metallboride, wie Tantalborid, Wolframborid oder insbesondere Molybdänborid im Falle einer anschließenden p-dotierten,
Siliciumschicht oder Metallphosphide, wie beispielsweise Molybdänoder
Wolframphosphid im Falle einer anschließenden η-dotierten Siliciumschicht.
Die Zwischenschicht läßt sich beispielsweise durch einfaches Aufstreichen
oder Aufsprühen entsprechender Verbindungen auf den Substratkörper oder auch durch pyrolytische Zersetzung geeigneter,- gasförmiger
Verbindungen herstellen. Die Metallboridschichten lassen sich dabei beispielsweise aus den entsprechenden Metallcarbonylen
und Diboran gewinnen, während die Phosphide durch Zersetzung der entsprechenden
Metallcarbonyle in Gegenwart von Phosphin zugänglich sind. Wolframphosphid kann außerdem beispielsweise auch durch pyrolytische
Zersetzung des Wolframtrifluorphosphinkomplexes hergestellt werden.
Zur Abscheidung der Siliciumschicht wird der Substratkörper, ob mit oder ohne Zwischenschicht, abhängig von der Art des Abscheidegases,
auf die erforderliche Abscheidetemperatur von 800 bis 1400 C und bei der bevorzugten Verwendung von Trichlorsilan/Wasserstoff auf
vorteilhaft ca. 1000 bis 1250° C aufgeheizt.
Als Abscheidegas kann allgemein beispielsweise Siliciumwasserstoff,
MonochIorsilan, Dichlorsilan, Trichlorsilan, Tetrachlorsilan, Hexachlordisilan
allein oder im Gemisch, gegebenenfalls unter Zusatz von Wasserstoff oder Inertgasen wie beispielsweise Argon oder Helium, eingesetzt
werden.
Dem Abscheidegas werden bereits während der Abscheidung Dotierstoffe zugesetzt wie beispielsweise Phosphor, Arsen oder Antimon,
die eine η-Leitung bedingen oder auch beispielsweise geeignete Bor-, Aluminium-, Gallium- oder Indiumverbindungen, die zu einer p-Leitung
führen.
809809/0168 /5
Die Abscheidung wird nach. Erreichen.der jeweils gewünschten Schichtdicke
von etwa 10 bis 200^m, vorzugsweise 50 bis 15Oy^m,abgebrochen
und 80 bis 100 % - beziehungsweise SO bis 95 % bei Vorliegen
einer Zwischenschicht - bezüglich der Schichtdicke der gebildeten Siliciumschicht von der Oberfläche her aufgeschmolzen.
Das Aufschmelzen der Silicumschicht erfolgt zweckmäßig durch
Energiezufuhr vom Substratkörper und gleichzeitig durch Strahlungswärme geeigneter, über der Oberfläche der Siliciumschicht
installierter Heizlampen.
Vorzugsweise wird die Grundlast der erforderlichen Energie durch entsprechendes Aufheizen des Substratkörpers eingebracht, svo daß
die zum Aufschmelzen der Siliciumschicht von der Oberfläche her erforderliche Energie, die durch entsprechende, oberhalb der Siliciumschicht
angebrachte Strahlungsguellen erzeugt wird, minimalisiert wird. Diese Maßnahme erlaubt den Einsatz billiger und im Handel
jederzeit erhältlicher Heizlampen. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform
wird der Substratkörper, also beispielsweise die eingesetzte Graphitfolie durch direkten Stromdurchgang so weit erhitzt,
daß die angrenzende Siliciumschicht auf eine Temperatur von .beispielsweise
1100 bis 1250° C gebracht wird. Im Falle der Verwendung
eines Molybdänbandes als Substratkörper, wird dieses auf 800 bis 1000° C erhitzt, um eine Legierungsbildung mit der angrenzenden
Siliciumschicht in größerem Ausmaß zu vermeiden. Die Restwärme, die zum Aufschmelzen der Siliciumschicht bei 1410° C erforderlich ist,
kann dann durch konventionelle Heizlampen, deren Strahlung auf die Oberfläche der Siliciumschicht einwirkt, leicht aufgebracht werden.
Eine andere Möglichkeit des Aufscnmelzens besteht darin, die Siliciumschicht
mit einer Glimmentlandung unter Normaldruck in einer Wasserstoff- oder zumindest stark wasserstoffhaltigen Inertgasatmosphäre
aufzuschmelzen, und zwar in der Art, daß der elektrisch leitende Substratkörper als Kathode geschaltet und ein als Anode
fungierender Metallbügel in geeignetem Abstand über die Siliciumflache
geführt wird. Diese Variante des Verfahrens ist jedoch nur dann einsetzbar, wenn die gesamte Siliciumschicht bis zum Substratkörper
aufgeschmolzen werden soll. Auf eine separate Substratheizung
809809/0188
/6
kann dabei natürlich verzichtet werden.
Die flüssige Siliciumschicht oder der aufgeschmolzene Teil der Siliciumschicht
wird nachfolgend durch Einstellen eines vom Substratkörper zur Oberfläche der Siliciumschicht gerichteten vertikalen
Temperaturgradienten und des dadurch beschriebenen Temperaturniveaus unter den Schmelzpunkt des Siliciums zum gerichteten Wiedererstarren
gebracht. Dies erfolgt beispielsweise in der Art, daß lediglich die elektrisch gesteuerte Substratheizung langsam heruntergeregelt wird,
wodurch ein Erstarren der Siliciumschicht vom. Substratkörper zur
freien Oberfläche bewirkt wird, wenn die Lampen allein nicht ausreichen, um die Siliciumschicht schmelzflüssig zu halten. Der Erstarrungsvorgang
kann natürlich noch verkürzt werden, indem auch die Strahlungsenergie der Heizlampen heruntergeregelt wird, allerdins
in der Art, daß sich in der flüssigen Siliciumschicht ein nach oben gerichteter vertikaler Temperaturgradient in der Größenordnung
von etwa 30 bis 100 C einstellt. Eine beschleunigte Kühlung des Substratkörpers kann auch durch Vorbeileiten eines Kühlgases, beispielsweise
Argon, bewirkt werden.
Nach der bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird in der
Oberfläche der Siliciumschicht in einem anschließenden Verfahrensschritt ein pn-übergang ausgebildet, indem die umgeschmolzene Siliciumschicht
oberflächlich erneut aufgeschmolzen und in diese aufgeschmolzene Oberflächenschicht ein Dotierstoff eingebracht wird,
welcher Silicium entgegengesetzt dotiert als die Dotierstoffe in der
angrenzenden Siliciumschicht. War die Siliciumschicht also beispielsweise p-dotiert, so würde man in die wiederaufgeschmolzene Oberfläche
beispielsweise soviel Phosphor, Arsen oder Antimon, wie zur Erzielung einer η-Leitung dieser Schicht erforderlich ist, einbringen.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Siliciumschicht lediglich
bis auf einen dünnen flüssigen Oberflächenfilm zum Wiedererstarren zu bringen und vor dem Erstarren auf dieser dünnen Oberflächenschicht
einen entsprechenden Dotierstoff einzudiffundieren.
/7
809809/0168
Statt die Oberfläche der Siliciumschicht um beispielsweise 0,3 bis
1,5 m aufzuschmelzen, um aus der Gasphase den entsprechenden Dotierstoff
einzuführen, also beispielsweise im Falle von Phosphor Phosphin überzuleiten, ist es auch möglich, die feste Siliciumoberfläche
mit einem entsprechenden Dotierstoff einzustreichen und diesen dann unter Wärmeeinwirkung oberflächlich in die Siliciumschicht
einzudiffundieren. Eine weitere Möglichkeit besteht außerdem darin, die Dotierstoffe durch Ionenimplantation in den Oberflächenbereich
der festen Siliciumschicht einzubauen.
Bevor die solcher Art hergestellte substratgebundene Halbleitervorrichtung
auf Raumtemperatur abgekühlt wird, empfiehlt es sich, den Temperaturgradienten zwischen Substrat und Schicht zumindest
weitgehend abzubauen, d.h. die Temperaturen von Substratkörper und Siliciumschicht einander anzugleichen, um dem Auftreten von Verspannungen
vorzubeugen. Die Abkühlung auf Raumtemperatur kann beispielsweise
durch Gegenstrahlblasen eines kühlenden Gases, beispielsweise Wasserstoff oder Argon, beschleunigt werden.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform wird das Verfahren kontinuierlich
durchgeführt, wie es beispielhaft anhand der schematischen
Darstellung beschrieben wird:
Von einer Vorratsrolle 1 wird ein etwa 0,01 bis 0,2 cm, vorzugsweise
0,03 bis 0,07 cm dickes, flexibles Band 2 aus vorzugsweise Graphitfolie in einer Breite, die sich nach der Dimensionierung
der Anlage richtet, also im. wesentlichen der Breite der Abscheidekammer abzüglich der Wandstärke entspricht und damit
beispielsweise 5 bis 20 cm beträgt, abgespult und zwischen eine Anordnung
von ein oder mehreren Walzenpaaren 3 und einer zweiten, am Ende der Anlage montierten Anordnung von ebenfalls ein oder mehreren
Walzenpaaren 4 aufgespannt und vermittels einer Drehbewegung der Walzen mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 15 cm/min, vorzugsweise
3 bis 7 cm/min durch die Anlage grfördert. Nach dem Passieren der ersten Walzenpaaranordnung 3 aua beispielsweise Edelstahl, tritt das
Graphitband 2 in eine mit einem Druckaalteventil versehene Gasschleuse
80980970188
5 ein, in v/elcher das Graphitband 2 von einem Inertgasstrom von
beispielsweise Argon unter einem Gasdruck, der etwa 0,1 bis 0,3 bar über den Gasdruck in der nachfolgenden ersten Abscheidekammer
6 liegt, umströmt, wodurch vermieden wird, daß reaktive Gase aus der Abscheidekammer 6 in den Außenraum entweichen können. Nach
dem Durchtritt durch die Gasschleuse 5 gelangt das Graphitband 2 in die erste Abscheidekammer 6, in welcher vermittels eines schlitzförmigen
Doppelrohres, bestehend aus dem inneren Rohr 7 und dem
Außenmantel 8, ein Gasgemisch, bestehend aus beispielsweise Molybdänhexacarbonyl
in günstig etwa 200 bis 400 Volumenteilen Wasserstoff durch das Innenrohr 7 und Diboran in günstig etwa ebenfalls
200 bis 400 Volumenteilen Wasserstoff durch den Außenmantel ζ eingeblasen
wird, wobei das molare Verhältnis bezogen auf die Komponenten Molybdänhexacarbonyl und Diboran zweckmäßig etwa 1 zu 2 bis
1 zu 4 beträgt.
Aus dem schlitzförmigen Doppelrohr, dessen Breite im wesentlichen der Breite des Graphitbandes 2 entspricht und das zweckmäßig mit
seiner Gasaustrittsöffnung bis etwa 0,5 bis 3 cm, vorzugsweise etwa
1 bis 2 cm an die Oberfläche des zu beschichtenenden Graphitbandes heranreicht, wird das Gasgemisch zweckmäßig unter einem Druck von
1 bis 2 bar, vorzugsweise 1,1 bis 1,4 bar eingeblasen, wobei der Gasdurchfluß so gewählt wird, daß sich während des Durchtritts des
Graphitbandes 2 durch die Abscheidekammer 6 auf dem vermittels des Stromkreises 9 zwischen den Kontakten 10 und 11 durch direkten Stromdurchgang
auf eine Temperatur von etwa 750 bis 1200° C, vorzugsweise 950 bis 1100° C erhitzten Graphitband 2 eine Zwischenschicht
von Molybdänborid 12 in einer Dicke von 1 bis 5 Um, vorzugsweise
1,5 bis 3 um abscheidet..Durch den Gasablaßstutzen 13 treten die
Reaktionsgase wieder aus der Abscheidekammer 6 aus.
Nach dieser ersten Abscheidekammer 6, die natürlich nur dann erforderlich
wird, wenn das Aufbringen einer Zwischenschicht zwischen Substratkörper und der abzuscheidenden Siliciumschicht beabsichtigt
ist, passiert das Graphitband 2 vor dem Eintritt in die zweite .Abscheidekammer
14 eine zwischengeschaltete und mit einem Druckhalte-
8Q98Q9/0188
ventil versehene Gasschleuse 15, in welcher ein Inertgas, wie insbesondere
Argon, unter einem Druck, der zweckmäßig 0,1 bis 0,3 bar über dem Druck der beiden angrenzenden und zweckmäßig zumindest annähernd
unter dem gleichen Gasdruck betriebenen Abscheidekammer 6 und 14 liegt, auf die Oberfläche des zwischenbeschichteten Graphitbandes
2 geblasen wird, um ein Austreten der Reaktions- und Abscheidegase aus den beiden Abscheidekammern 6 und 14 zu unterbinden, ν
Die große Abscheidekammer 14 wird über den Gaseinlaßstutzen 16 mit
dem Abscheidegas beschickt. Das Abscheidegas wird beispielweise aus etwa 80 bis 95 Volumenteilen Wasserstoff und 5 bis 20 Gewichtsteilen von beispielsweise Trichlorsilan, wobei sich die Volumenteile
zu 100 ergänzen sollen, zusammengemischt und zusätzlich mit Wasserstoff mit einem Gehalt von ca. 50 bis 100 ppm Diboran versetzt. Insgesamt
wird dabei soviel Dotierstoff zugesetzt, bis sich im Abschsidegas ein Atoraverhältnis Bor zu Silicium von 1 zu 10 bis 1 zu 10
einstellt. Die Dimensionierung des Gaseinlaßstutzens 16 ist dabei ziemlich unkritisch, sofern seine Querschnittsfläche nur den Einlaß 1,1
bis 1,4 bar in einer solchen Menge erlaubt, daß sich während des Durchtritts des Graphitbandes 2 durch die große Abscheidekarniuer 14
auf den vermittels des Stromkreises 17 zwischen den Kontakten 18 . und 19 durch direkten Stromdurchgang auf eine Temperatur von etwa
1000 bis 1250° C, vorzugsweise 1050 bis 1150° C aufgeheizten und
gegebenenfalls zwischenbeschichteten Graphitband 2 dotiertes Silicium
in einer Stärke von 10 bis 200/^m, vorzugsweise 50 bis 150//m
abscheidet. Die Reaktionsgase und nicht umgesetztes Abscheidegas verlassen durch den Gasablaßstutzen 20 die große Abscheidekammer 14.
Nach dem Austritt des beschichteten Graphitbandes 2 aus der großen
Abscheidekammer 14, gelangt es in die über den mit einem Druckhalteventil versehenen Gasstutzen 21 mit Inertgas, beispielsweise Argon
unter einem überdruck von 0,1 bis 0,3 bar gegenüber dem Druck in der
Abscheidekammer 14 beschickte Rekristallisationskammer 22. Hier wird die abgeschiedene Siliciumschicht 23 vermittels einer über die
gesamte Bandbreite reichenden Halogenstablampe 24, deren nach oben gerichtete Strahlung über einen querschnittelipsual gekrümmten Re-
B09809/0168
/10
flektor 25 auf einem vorzugsweise etwa 1 bis 2 ran schmalen Bereich
26 quer über die gesamte Breite des Graphitbandes fokusiert,
wodurch bezüglich der Schichthöhe 80 bis 95 % dieses Teils der Siliciuiaschiclit
aufgeschmolzen werden. Wurde keine Zwischenschicht zwischen Substratkörper und Siliciumschicht aufgebracht, so kann
die abgeschiedene Siliciumschicht natürlich auch ganz aufgeschmolzen
werden, da dann eine zusätzliche Dotierung, wie im Falle der Zwischenschicht, nicht befürchtet v/erden muß. Die Grundlast der
Energiezufuhr v/ird dabei über den Substratkörper eingebracht, in der Art, daß durch den Stromkreis 27 der zwischen den Kontakten
und 29 befindliche Teil des Graphitbandes 2 durch direkten Stromdurchgang auf eine Temperatur von vorteilhaft etwa 1150 bis 1250° C
erhitzt wird. Durch den unterhalb des Graphitbandes 2 vorzugsweise angebrachten Gasstutzen 30 wird ein Inertgas, beispielsweise raumtemperiertes
und damit etwa 25 C warmes Argon als Kühlgas gegen das Graphitband geblasen, wodurch die Kristallisationswärme"abgeführt
und ein gerichtetes Wachstum der wiedererstarrenden Siliciumschicht
vom Substratkörper zur freien Oberfläche hin bewirkt wird.
Nach dem Austritt aus der Rekristallisationskammer 22 gelangt das
mit der wiedererstarrten Siliciumschicht 23 und gsgebenenfa-lls
einer Zwischenschicht 12 versehene Graphitband 2 in die mit einer Quarzglasplatte 31 abgedeckte Dotierkammer 32. Mit Hilfe einer ober- ·
halb der Quarzglasplatte 31 angebrachten Halogenstablampe 33 und einem darüber angeordneten querschnittelipsual gekrümmten Reflektor
34 wird die wiedererstarrte Siliciumschicht oberflächlich bis
in eine Tiefe von 0,5 bis 3 um erneut aufgeschmolzen und über die
Gaseinlaßdüse 35, welche bis ca. 0,5 bis 3 cm, vorzugsweise 1 bis 2 cm, an die wieder aufgeschmolzene Stelle heranreicht, ein Dotierstoff,
v/elcher entgegengesetzt dotiert, wie der bereits eingebaute Dotierstoff, also beispielsweise Wasserstoff mit 50 bis 100 ppm
Phosphin eingebracht. Die Menge Dotierstoff muß dabei so berechnet werden, daß nicht nur der.in der wieder aufgeschmolzenen Siliciumschicht
vorhandene Dotierstoff kompensiert v/ird, sondern
3 7 darüber hinaus noch zusätzlich auf 10 bis 10 Siliciumatome ein
Phosphoratom eingebaut wird. Durch den Gasablaßstutzen 36 werden die Reaktions- bzw. Restgase wieder abgelassen. Die etv/a 1 bis
2 mm breite, aufgeschmolzene Siliciumschicht 37 nimmt Phosphor
unter der Bildung eines pn-überganges zur angrenzenden Siliciumschicht23
aus der Zersetzung des Phosphine auf.
8Ö9BÖ97Q168 .
/11
Nach Durchtritt durch die entsprechend den Gasschleusen 5 und 15
betriebene Gasschleuse 58 und Durchlaufen der Walzenpaaranordnung
kann das mit einem pn-übergang versehene, auf dem Graphitband aufgewachsene,
gerichtet erstarrte, polykristalline Silicium mit einer geeigneten Säge- oder Schneidvorrichtung 39 in beliebig lange Platten
zerteilt werden. Der Prozeß ist kontinuierlich durchführbar, wobei bei Erschöpfung der Vorratsrolle 1 einfach eine neue Graphitbandrolle
eingebaut und der Anfang mit dem Endstück des alten Graphitbandes vernäht oder mit einem üblichen Kohlekleber verbunden wird.
Die nach dem Verfahren, insbesondere nach seiner bevorzugten Ausführungsform
bereits mit einem pn-übergang versehene substratgebundenen, großflächigen Siliciumplatten, v/erden bevorzugt als
Solarzellen, die sich durch eine hohe Lebensdauer der Minoritätenträger auszeichnen, eingesetzt. Der erzielbare Wirkungsgrad der
Solarzellen, bis TO %, beweist die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens.
Das Verfahren stellt somit einen bedeutenden Schritt zur großtechnischen Nutzung der Solarenergie dar.
Gemäß dem vorstehend beschriebenen kontinuierlichen Prozeß wird ein 10 cm breites und 0,05 cm dickes Graphitband mit einer
Geschwindigkeit von 5 cm/min durch die Abscheideanlage gefördert. Der Gasdruck in den beiden Abscheidekammern beträgt
1,2 bar, der Argondruck in den insgesamt drei Gasschleusen und in der Rekristallisationskamraer 1,3 bar.
In der ersten 10 cm langen Abscheidekammer wird auf dem in diesem Bereich durch direkten Stromdurchgang auf 1000° C erhitzten
Graphitband durch pyrolytische Zersetzung des aus der 2 cm über der Graphitfolie befindlichen Düsenöffnung austretenden Gasgemisches
von Molybdänhexacarbonyl in 300 Volumenteilen Wasserstoff mit Diboran in ebenfalls 300 Volumenteilen Wasserstoff in einem
Molverhältnis Molybdänhexacarbonyl-Diboran von 1 zu 3, eine 1^&m starke
/12
$09.80970168
- χί -
Molybdänboridschicht abgeschieden. Der Gasdurchfluß beträgt 150
Normalliter pro Stunde.
In der zweiten 75 cm langen Abscheidekammer, die von einem Gasgemisch,
bestehend aus 7 %-igem Stättigungsgas (93 Vol.% Wasserstoff und 7 Vol.% Trichlorsilan), dem ein Dotiergas (Wasserstoff
mit 100 ppm Diboran) in einer solchen Menge zugemischt wird, bis das Abscheidegas insgesamt 0,5 ppm Diboran enthält, in einer Menge
von 500 Normalliter pro Stunde durchströmt wird, wird auf dem in diesem Streckenabschnitt durch direkten Stromdurchgang auf 1150° C
erhitzten zwischenbeschichteten Graphitband eine Silliciumschicht von 150 /:m abgeschieden. %
Nachfolgend wird die Bandtemperatur auf 12000C gesteigert und
vermittels einer Halogenstablampe mit darüber befindlichem querschnittelipsual
gekrümmten Reflektor eine sich, über die gesamte Bandbreite erstreckende 1 mn schmale und ca. 140/i/m tiefe SchEslzzone
aufgeschmolzen und durch Gegenblasen von raumtemperiertem Areron 3u? die Unterseite des Graphitbandes wieder er starrt.
Die wiedererstarrte Siliciumschicht wird anschließend lediglich durch Energieeinspeisung vermittels einer zweiten Halogenstablampe
mit entsprechendem Reflektor oberflächlich etwa 1 /i-'m tief erneut aufgeschmolzen und durch Zersetzung eines
Phosphor enthaltenden Dotiergases (Wasserstoff mit 100 ppm Phosphin) ein pn-übergang durch Phosphoreinbau hergestellt.
Mit einer Diamantsäge wird das über die hintere Walzenanordnung ausfahrende, siliciumbeschichtete Graphitband in Platten von
10 cm Länge zersägt.
Nach entsprechender Kontaktierung weisen die Platten einen Wirkungsgrad von 6 bis 8 % auf.
/13
Claims (9)
- Patentansprüchef 1.^Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, groß-— flächigem Halbleitermaterial, bei welchem Silicium aus der Gasphase auf einem geeigneten Substratkörper niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem als Substratkörper dienendem, durch direkten Stromdurchgang beheizbarem und auf Abscheidetemperatur erhitztem Flächengebilde, Silicium aus einer gasförmigen Verbindung, die zusätzlich einen Dotierstoff enthält, bis zu einer Dicke von etwa 10 bis 200 um ab- geschieden wird und nachfolgend bezüglich der Schichthöhe 80 bis 100 % dieser Siliciumschicht von der freien Oberfläche her aufgeschmolzen und anschließend durch Einstellung eines geeigneten Temperaturgradienten vom Substratkörper her zum Wiedererstarren gebracht v/erden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als Sxibstratkörper eine Graphitfolie eingesetzt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als Substratkörper ein Molybdänband eingesetzt wird.
- 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als gasförmige Verbindung, aus welcher Silicium abgeschieden wird, ein Trichlorsilan-Wasserstoffgemisch eingesetzt wird.
- 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1· bis 4, ■ dadurch gekennzeichnet, daß die aus der Gasphase abgeschiedene Siliciumschicht mittels einer oberhalb der Siliciumschicht angebrachten Strahlungsquelle partiell aufgeschmolzen wird.809809/0168 /1*ORlGIiMAL INSPECTED-χ-
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichet , daß die Grundlast der für das Aufschmelzen erforderlichen Energiezufuhr durch Aufheizen des Substratkörpers eingebracht wird.
- 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der wiedererstarrten Siliciuinschicht erneut aufgeschmolzen und in diese aufgeschmolzene Oberflächenschicht ' ein Dotierstoff, welcher Silicium entgegengesetzt dotiert wie die Dotierstoffe der angrenzenden Siliciumschicht/ zur Erzeugung eines pn-übergangs eingebracht wird.
- 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß es kontinuierlich durchgeführt wird.
- 9. Verwendung des nach dem Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 erhaltenen substratgebundenen Halbleitermaterials zur Herstellung von Solarzellen.809809/0168
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2638269A DE2638269C2 (de) | 1976-08-25 | 1976-08-25 | Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium |
US05/737,249 US4113532A (en) | 1976-08-25 | 1976-11-01 | Process for producing large-size substrate-based semiconductor material utilizing vapor-phase deposition and subsequent resolidification |
CA265,373A CA1074428A (en) | 1976-08-25 | 1976-11-10 | Process for producing large-size substrate-based semiconductor material |
GB34512/77A GB1548795A (en) | 1976-08-25 | 1977-08-17 | Manufacture of suuported silicon sheets |
FR7725810A FR2363199A1 (fr) | 1976-08-25 | 1977-08-24 | Procede de fabrication d'une matiere semi-conductrice de grande surface, fixee a un substrat |
JP10215377A JPS5344192A (en) | 1976-08-25 | 1977-08-25 | Method of producing semiconductor material of surface connected to substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2638269A DE2638269C2 (de) | 1976-08-25 | 1976-08-25 | Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2638269A1 true DE2638269A1 (de) | 1978-03-02 |
DE2638269C2 DE2638269C2 (de) | 1983-05-26 |
Family
ID=5986349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2638269A Expired DE2638269C2 (de) | 1976-08-25 | 1976-08-25 | Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4113532A (de) |
JP (1) | JPS5344192A (de) |
CA (1) | CA1074428A (de) |
DE (1) | DE2638269C2 (de) |
FR (1) | FR2363199A1 (de) |
GB (1) | GB1548795A (de) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3017923A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
DE3017842A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktor gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
DE3017831A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
DE3119481A1 (de) | 1980-05-19 | 1982-01-28 | Energy Conversion Devices, Inc., 48084 Troy, Mich. | Verfahren zum herstellen einer p-leitfaehigen halbleiterlegierung |
EP0060626A2 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-22 | Energy Conversion Devices, Inc. | Trennschleuse |
DE3210403A1 (de) * | 1982-03-22 | 1983-09-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkoerpern in modulbauweise |
DE3210492A1 (de) * | 1982-03-22 | 1983-09-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkoerpern in modulbauweise |
DE3231326A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
DE3231268A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum asymmetrischen beschichten eines bandfoermigen traegerkoerpers mit silizium fuer die weiterverarbeitung zu solarzellen |
DE3305933A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von polykristallinen, grossflaechigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
FR2547319A1 (fr) * | 1983-06-09 | 1984-12-14 | Gleizes Raymond | Procede et appareil de fabrication de couches monocristallines et macrocristallines, notamment pour cellules photovoltaiques |
DE3612269A1 (de) * | 1986-04-11 | 1987-10-15 | Telefunken Electronic Gmbh | Verfahren zum anbringen eines verbindungsleiters am anschlusskontakt einer photovoltaischen solarzelle |
DE3813737A1 (de) * | 1988-04-23 | 1989-11-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum herstellen von solarzellen sowie spiegelofen zur durchfuehrung des verfahrens |
DE4302396B4 (de) * | 1992-06-19 | 2004-11-04 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4187126A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-05 | Conoco, Inc. | Growth-orientation of crystals by raster scanning electron beam |
US4525223A (en) * | 1978-09-19 | 1985-06-25 | Noboru Tsuya | Method of manufacturing a thin ribbon wafer of semiconductor material |
US4313254A (en) * | 1979-10-30 | 1982-02-02 | The Johns Hopkins University | Thin-film silicon solar cell with metal boride bottom electrode |
JPS5757482A (en) * | 1980-08-12 | 1982-04-06 | Nippon Electric Co | Heater |
US4443653A (en) * | 1980-10-24 | 1984-04-17 | The University Of Delaware | Thin film photovoltaic device with multilayer substrate |
US4369730A (en) * | 1981-03-16 | 1983-01-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Cathode for generating a plasma |
US4383130A (en) * | 1981-05-04 | 1983-05-10 | Alpha Solarco Inc. | Solar energy cell and method of manufacture |
US4438723A (en) * | 1981-09-28 | 1984-03-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multiple chamber deposition and isolation system and method |
JPS5858726A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
JPS61136220A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Fuji Electric Co Ltd | 微結晶シリコン膜の形成方法 |
US5273911A (en) * | 1991-03-07 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a thin-film solar cell |
JP2639616B2 (ja) * | 1993-03-12 | 1997-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体被膜形成方法 |
US5382808A (en) * | 1993-05-14 | 1995-01-17 | Kobe Steel, Usa Inc. | Metal boride ohmic contact on diamond and method for making same |
FR2879821B1 (fr) * | 2004-12-21 | 2007-06-08 | Solaforce Soc Par Actions Simp | Procede de fabrication de cellules photovoltaiques |
JP5386747B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2014-01-15 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー | 半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子 |
FR2935838B1 (fr) * | 2008-09-05 | 2012-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'une couche mince auto-supportee de silicium cristallise |
CN102576653B (zh) * | 2009-08-20 | 2015-04-29 | 财团法人生产技术研究奖励会 | 半导体基板、半导体层的制造方法、半导体基板的制造方法、半导体元件、发光元件、显示面板、电子元件、太阳能电池元件及电子设备 |
WO2011047455A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Arise Technologies Corporation | Controlled low temperature growth of epitaxial silicon films for photovoltaic applications |
US9196471B1 (en) | 2012-06-01 | 2015-11-24 | Yen Fui Choo | Scanner for wafers, method for using the scanner, and components of the scanner |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1141561A (fr) * | 1956-01-20 | 1957-09-04 | Cedel | Procédé et moyens pour la fabrication de matériaux semi-conducteurs |
US3078328A (en) * | 1959-11-12 | 1963-02-19 | Texas Instruments Inc | Solar cell |
US3141849A (en) * | 1960-07-04 | 1964-07-21 | Wacker Chemie Gmbh | Process for doping materials |
NL270665A (de) * | 1960-10-31 | 1900-01-01 | ||
US3335038A (en) * | 1964-03-30 | 1967-08-08 | Ibm | Methods of producing single crystals on polycrystalline substrates and devices using same |
US3441454A (en) * | 1965-10-29 | 1969-04-29 | Westinghouse Electric Corp | Method of fabricating a semiconductor by diffusion |
US3558376A (en) * | 1966-01-07 | 1971-01-26 | Siemens Ag | Method for controlled doping by gas of foreign substance into semiconductor materials |
US3914856A (en) * | 1972-06-05 | 1975-10-28 | Fang Pao Hsien | Economical solar cell for producing electricity |
US3900943A (en) * | 1973-06-07 | 1975-08-26 | Dow Corning | Silicon semiconductor device array and method of making same |
JPS51890A (en) * | 1974-06-20 | 1976-01-07 | Shunpei Yamazaki | Handotaisochi oyobi sonosakuseihoho |
US3961997A (en) * | 1975-05-12 | 1976-06-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates |
-
1976
- 1976-08-25 DE DE2638269A patent/DE2638269C2/de not_active Expired
- 1976-11-01 US US05/737,249 patent/US4113532A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-11-10 CA CA265,373A patent/CA1074428A/en not_active Expired
-
1977
- 1977-08-17 GB GB34512/77A patent/GB1548795A/en not_active Expired
- 1977-08-24 FR FR7725810A patent/FR2363199A1/fr active Granted
- 1977-08-25 JP JP10215377A patent/JPS5344192A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Appl. Phys. Letters 26 (1975), Seiten 569 bis 571 * |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3017842A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktor gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
DE3017831A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
DE3017923A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
DE3153269A1 (de) * | 1980-05-19 | 1985-06-13 | ||
DE3119481A1 (de) | 1980-05-19 | 1982-01-28 | Energy Conversion Devices, Inc., 48084 Troy, Mich. | Verfahren zum herstellen einer p-leitfaehigen halbleiterlegierung |
EP0060626A2 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-22 | Energy Conversion Devices, Inc. | Trennschleuse |
EP0060626A3 (en) * | 1981-03-16 | 1983-01-26 | Energy Conversion Devices Inc. | Isolation valve |
DE3210403A1 (de) * | 1982-03-22 | 1983-09-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkoerpern in modulbauweise |
DE3210492A1 (de) * | 1982-03-22 | 1983-09-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkoerpern in modulbauweise |
DE3231326A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
DE3231268A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum asymmetrischen beschichten eines bandfoermigen traegerkoerpers mit silizium fuer die weiterverarbeitung zu solarzellen |
DE3305933A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von polykristallinen, grossflaechigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
FR2547319A1 (fr) * | 1983-06-09 | 1984-12-14 | Gleizes Raymond | Procede et appareil de fabrication de couches monocristallines et macrocristallines, notamment pour cellules photovoltaiques |
WO1984004935A1 (en) * | 1983-06-09 | 1984-12-20 | Gleizes Raymond | Process and apparatus for production of monocrystalline and macrocrystalline layers, by example for photovoltaic cells |
EP0129159A1 (de) * | 1983-06-09 | 1984-12-27 | Gleizes, Raymond Marc Xavier | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von einkristallinen und makrokristallinen Schichten, zum Beispiel für Fotozelle |
DE3612269A1 (de) * | 1986-04-11 | 1987-10-15 | Telefunken Electronic Gmbh | Verfahren zum anbringen eines verbindungsleiters am anschlusskontakt einer photovoltaischen solarzelle |
DE3813737A1 (de) * | 1988-04-23 | 1989-11-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum herstellen von solarzellen sowie spiegelofen zur durchfuehrung des verfahrens |
DE4302396B4 (de) * | 1992-06-19 | 2004-11-04 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2363199A1 (fr) | 1978-03-24 |
CA1074428A (en) | 1980-03-25 |
FR2363199B1 (de) | 1980-02-01 |
GB1548795A (en) | 1979-07-18 |
JPS5344192A (en) | 1978-04-20 |
US4113532A (en) | 1978-09-12 |
DE2638269C2 (de) | 1983-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2638269C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium | |
DE2638270C2 (de) | Verfahren zur Herstellung großflächiger, freitragender Platten aus Silicium | |
DE2943211C2 (de) | Amorphe Halbleiter auf Silizium- und/oder Germaniumbasis, ihre Verwendung und ihre Herstellung durch Glimmentladung | |
EP0321909B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen | |
DE3901042C2 (de) | ||
EP0002433B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Silicium-Photoelementen | |
DE69932227T2 (de) | Herstellungsverfahren einer photoelektrischen Dünnschicht-Umwandlungsanordnung aus amorphem Silizium | |
DE2813250C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Verbindungshalbleiterchips | |
DE4138121C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle | |
EP0820638A1 (de) | VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRISCHEN KONTAKTS AUF EINER SiC-OBERFLÄCHE | |
DE2940994T1 (de) | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors | |
DE3426338C2 (de) | ||
DE2935397A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitermaterial | |
DE3123234C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI | |
DE1223951B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen | |
DE2844070A1 (de) | Amorpher halbleiter | |
DE102013203113B4 (de) | GIEßVORRICHTUNG UND GIEßVERFAHREN | |
DE1446270B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer dünnen, freitragenden Folie durch Vakuumaufdampfen | |
DE2652218A1 (de) | Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium | |
EP0541033A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Silizium-Dünnschicht-Solarzellen | |
US4383130A (en) | Solar energy cell and method of manufacture | |
DE2534335A1 (de) | Solarzelle | |
EP1133593B1 (de) | Verfahren zum aufwachsen einer kristallinen struktur | |
DE112011100856B4 (de) | Verfahren und Einheit zur Herstellung eines monokristallinen Blatts | |
DE3002671C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification | ||
8126 | Change of the secondary classification | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |