DE2949141A1 - Verfahren zum verhindern des auslaugens von verunreinigungen aus festen oberflaechen - Google Patents
Verfahren zum verhindern des auslaugens von verunreinigungen aus festen oberflaechenInfo
- Publication number
- DE2949141A1 DE2949141A1 DE19792949141 DE2949141A DE2949141A1 DE 2949141 A1 DE2949141 A1 DE 2949141A1 DE 19792949141 DE19792949141 DE 19792949141 DE 2949141 A DE2949141 A DE 2949141A DE 2949141 A1 DE2949141 A1 DE 2949141A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alcohol
- group
- alkoxysilane
- moles
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title description 8
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 title 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 24
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 14
- -1 hydroxysilane compound Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims description 12
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 7
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 claims description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 18
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000003321 atomic absorption spectrophotometry Methods 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 229960002645 boric acid Drugs 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940116315 oxalic acid Drugs 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004838 phosphoric acid Drugs 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N triacetyloxysilyl acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(chloromethyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCl)=CC=CC2=C1CCl HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021555 Chromium Chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106681 chloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K chromium(3+) trichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cr+3] QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229960004106 citric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960000443 hydrochloric acid Drugs 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229940098895 maleic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940074355 nitric acid Drugs 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229940032330 sulfuric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N tetraphenyl silicate Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950002929 trinitrophenol Drugs 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/003—General methods for coating; Devices therefor for hollow ware, e.g. containers
- C03C17/004—Coating the inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1241—Metallic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1283—Control of temperature, e.g. gradual temperature increase, modulation of temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/213—SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/78—Coatings specially designed to be durable, e.g. scratch-resistant
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verhindern des Auslaugens von Verunreinigungen aus der Oberfläche
eines Festkörpers oder insbesondere auf ein Verfahren zum Verhindern der Verunreinigung eines Materials im Kontakt
mit einem Festkörper, wie z. B. einem Glas, keramischen Stoff, Metall u. dgl. durch die aus der Oberfläche des Festkörpers
ausgelaugten Bestandteile.
Bei verschiedenen Arten feiner Technologien, wie z. B. der Herstellung und Verarbeitung von Halbleitern oder Halbleiteranordnungen,
der Herstellung und Lagerung von Medizinen sowie mikroanalytischen Prozessen ist es von äußerster
Wichtigkeit, eine Verunreinigung der behandelten Materialien oder Chemikalien durch Spurenmengen von Verunreinigungen,
insbesondere solcher wie Alkalimetalle zu vermeiden, die
030025/0730
29A9U1
aus der Festkörperoberfläche stammen, mit der das fragliche
Material oder die fragliche Chemikalie in Berührung ist. Beispielsweise ist eine Verunreinigung mit einem Alkalimetall
element unvermeidbar, wenn das Material oder die Chemikalie in einem Gefäß enthalten oder mit einem Werkzeug gehandhabt
wird, das aus Glas besteht, da aus Glas bestehende Behälter für Photoresistmaterialien, Glasflaschen für Reagenzien
und Medizinen, Ampullen, Bechergläser und Kolben nicht frei von dem Problem der Ausschwitzung oder Auslaugung der Bestandteile des Glases, wie z. B. Alkalimetalle, sein können,
so daß die in solchen Gefäßen enthaltenen Chemikalien stets einer Verunreinigung mit einem Alkalimetall ausgesetzt sind.
Bei der Herstellung von Halbleitern kann insbesondere die Verunreinigung mit einer Spurenmenge von Alkalimetallionen
manchmal für die Funktion des unter der Verunreinigung erzeugten Halbleiters sehr schädlich sein.
Die meisten zur Handhabung von Chemikalien verwendeten Glasgefäße oder -werkzeuge bestehen aus einem Glas, das
zur Klasse des sog. Sodaglases gehört, und sind vom Standpunkt der Verunreinigung durch die aus der Oberfläche ausgelaugten
Bestandteile sehr nachteilig, auch wenn sie nach der sorgfältigsten Reinigungsbehandlung durch Eintauchen in eine
Chromsäuremischung oder in eine starke Alkalilösung für mehrere Tage zur Befreiung der Oberflächen von den Verunreinigungen verwendet werden.
Wenn die Verunreinigung von den Gefäßen oder Werkzeugen auf ein äußerst niedriges Ausmaß verringert werden muß,
werden verschiedene Arten von Materialien mit geringer
03C025/0730
2949 I A
Auslaugung der Bestandteile, wie ζ. B. Borsilikatglas,
Hochsil ikat.gias unci Schmelzquarzglas, vorwendet, oder
alternativ sieht man eine Schutzschicht aus einem Fluorkohlenstoff
polymeren auf der Oberfläche des Gefäßes oder Werkzeuges vor. Diese Gefäße oder Werkzeuge sind jedoch
sehr teuer und nicht immer für industrielle Zwecke geeignet. Es bestand demgemäß seit langem ein Bedürfnis, ein
einfaches und wirkungsvolles Mittel mit weniger aufwendigen Materialien zu entwickeln, wodurch das Auslaugen von
verunreinigungen ohne Rücksicht auf die Materialien der Festkörperoberflächen verhindert werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein neues Verfahren zur Vermeidung eines Auslaugens von Verunreinigungen
aus der Oberfläche eines Festkörpers, die eine Verunreinigung der Materialien im Kontakt mit der Festkörperoberfläche
verursachen, zu entwickein.
Die Erfindung beruht als Ergebnis der von den Erfindern
zur Lösung des oben angegebenen Problems durchgeführten umfangreichen Forschung auf der Erkenntnis, gemäß der das
Ausschwitzen oder Auslaugen der Verunreinigungen aus der Oberfläche jeglicher herkömmlicher Gefäße oder Werkzeuge
wirksam verhindert werden kann, indem man auf deren Oberflächen eine oxidierte Siliziumschicht unter Verwendung
einer im folgenden näher definierten Beschichtungslösung vorsieht.
Gegenstand der Erfindung, womit die genannte Aufgabe gelöst wird, ist demgemäß ein Verfahren zur Vermeidung eines
030025/0730
Auslaugens einer Verunreinigung aus der Oberfläche eines Festkörpers, mit dem Kennzeichen, daß man
(a) auf der Oberfläche des Festkörpers eine Uberzugsschicht
mit einer Beschichtungslösung anbringt, die eine Hydroxysilanverbindung enthält, die durch die allgemeine Formel
RnSi(0H)4-n
dargestellt wird, worin R eine aus der aus Kohlenwasserstoff
gruppen, Alkoxygruppen und Acyloxygruppen bestehenden Klasse gewählte Gruppe und η eine Zahl von 0,1,2 oder 3
bedeuten, und
(b) den so beschichteten Festkörper auf eine Temperatur von wenigstens 150 0C zur Bildun<
oxidiertem Silizium erhitzt.
oxidiertem Silizium erhitzt.
wenigstens 150 0C zur Bildung einer Überzugsschicht aus
Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Wie man der vorstehenden Beschreibung entnimmt, hat die als Hauptbestandteil der beim erfindungsgemäßen Verfahren
verwendeten Beschichtungslösung dienende Hydroxysilanverbindung wenigstens eine Silanolhydroxygruppe, wie
durch die obige allgemeine Formel (I) dargestellt ist. In der allgemeinen Formel (I) sind die mit R bezeichneten
Gruppen jeweils eine aus der aus Kohlenwasserstoffgruppen, Alkoxygruppen und Acyloxygruppen bestehenden Klasse gewählte
Gruppe. Wenn zwei oder mehr der R-Gruppen in einem Molekül vorliegen, brauchen sie nicht untereinander identisch zu
sein.
030025/0730
29A9U1
Die als die R-Gruppe geeignete Kohlenwasserstoffgruppe gehört beispielsweise zu den Alkylgruppen, wie z. B.
Methyl-, Äthyl-, Propyl- und Butylgruppen, Arylgruppen, wie z. B. der Phenylgruppe, und Alkenylgruppen, wie z. B.
Vinyl- und Allyigruppen.
Die als R geeignete Alkoxygruppe gehört beispielsweise zu den Methoxy-, Äthoxy-, Propoxy-, Butoxy- und Pentoxygruppen,
von denen die Methoxy- und Äthoxygruppen am meisten bevorzugt werden. Die als R geeignete Acyloxygruppe
gehört beispielsweise zu den Acetoxy- und Propionyloxygruppen, von denen die Acetoxygruppe bevorzugt wird.
Bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung werden die mit R ausgedrückten Gruppen aus der Klasse
gewählt, die aus Alkoxygruppen, z. B. Methoxy- und Äthoxygruppen, und Acyloxygruppen, z. B. Acetoxygruppe,
besteht, so daß die Hydroxysilanverbindung durch die allgemeine Formel
(R1O)3(R2Uo). Si(OH)4 a ., (II)
a b 4-a-b
dargestellt werden kann, worin vorzugsweise R eine Methyl-
2
oder Äthylgruppe, R eine Methylgruppe und a und b jeweils 0 oder eine positive ganze Zahl mit der Bedingung bedeuten, daß a + b 3 nicht überschreitet.
oder Äthylgruppe, R eine Methylgruppe und a und b jeweils 0 oder eine positive ganze Zahl mit der Bedingung bedeuten, daß a + b 3 nicht überschreitet.
Das Verfahren zur Herstellung der beim erfindungsgemäßen
Verfahren verwendeten Beschichtungslösung wird im folgenden erläutert.
030025/0730
2949U1
Zuerst wird beispielsweise 1 Mol eines Alkoxysilans mit 2 -bis 5 Molen einer Karbonsäure und 2 bis 10 Molen
eines Alkohols zusammen mit einer geringen Menge eines Reaktionsbeschleunigers vermischt. Es ist erforderlich,
daß die Menge des Alkohols der Karbonsäure wenigstens äquimolar ist. Die Reaktion findet sogar bei Raumtemperatur unter Temperaturerhöhung durch die bei der
exothermen Reaktion entwickelte Hitze statt, und es werden ein Ester der Karbonsäure und eine Hydroxysilanverbindung
gebildet, welch letztere das Hydrolyseprodukt der Alkoxysilanverbindung mit dem bei der Veresterungsreaktion
erzeugten Wasser ist. Es ist üblich, daß das Ausgangsalkoxysilan innerhalb von 2 bis 5 h seit Beginn der
Reaktion verschwindet und die Menge der Karbonsäure allmählich sinkt und nach 2 bis 5 Tagen bei Raumtemperatur 20 % P-der weniger der Ausgangsmenge erreicht. Wenn der Gehalt
der Karbonsäure auf das obige Ausmaß zurückgegangen ist, ist die Reaktionsmischung als Beschichtungslösung geeignet,
da sich eine eine übermäßige Menge der Karbonsäure enthaltene Reaktionsmischung nicht gleichmäßig über die Oberfläche verschiedener Substratmaterialien verteilen läßt.
So ist das erhaltene Hydroxysilan eine Mischung mehrerer Arten der durch die allgemeine obige Formel (II) dargestellten Verbindungen.
Das zweite Verfahren zur Herstellung der Beschichtungslösung ist die Reaktion einer Acyloxysilanverbindung,
die durch die Reaktion eine'xarbonsäure und eines Halogensilane
erhalten wird, mit einem Alkohol zur Erzeugung eines Hydroxysilans, in dem einige der Acyloxygruppen im Ausgangsacyloxysilan durch die Alkoxygruppen ersetzt sind, und eines Esters
Q30025/0730
29A9H1
der Karbonsäure. In diesem Fall werden wenigstens 4 Mole eines Alkohols je Mol des Acyloxysilans verwendet, das
seinerseits durch die Reaktion eines Mols eines halogenierten Silans mit 4 bis!6 Molen der Karbonsäure erhalten wird.
Es wurde bei Durchführung der Reaktion eines Acyloxysilans mit einem Alkohol festgestellt, daß die Karbonsäure
zunächst vom Acyloxysilan durch den Esteraustausch mit dem Alkohol befreit wurde, worauf ein allmählicher
Rückgang des Gehalts der Karbonsäure durch die Veresterungsreaktion mit dem restlichen Teil des Alkohols folgte.
Wenn der Gehalt der Karbonsäure auf 20 % oder weniger der theoretischen Menge zurückgegangen ist, die unter der
Annahme berechnet wird, daß 4 Mole der Karbonsäure aus 1 Mol des Acyloxysilans frei werden, ist die Reaktion
vollständig, und die Reaktionsmischung ist zur Verwendung als gewünschte Beschichtungslösung geeignet. Die Reaktion
ist innerhalb von etwa 48 h bei Raumtemperatur vollständig, kann jedoch durch Erhitzen beschleunigt werden.
Beim dritten Verfahren zur Herstellung der Beschichtungslösung werden ein Alkoxysilan, Wasser und ein einwertiger
Alkohol, z. B. 'Methylalkohol, Äthylalkohol, Propylalkohol, Butylalkohol und Amylalkohol, miteinander mit einer geringen
Menge eines Reaktionsbeschleunigers vermischt. Die Mischungsverhältnisse des Wassers und des Alkohols zum Alkoxysilan
sind 2 bis 5 Mole Wasser und 3 bis 30 Mole des Alkohols je Mol des Alkoxysilans.
Die beim ersten und beim dritten Verfahren verwendete Alkoxysilanverbindung ist beispielsweise Orthometylsilikat,
030025/0730
29A9U1
Methyltriäthoxysilan, Orthoäthylsilikat, Äthyltriäthoxysilan,
Orthopropylsilikat, Orthobutylsilikat, Tetraphenoxysilan,
Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriäthoxysilan u. dgl.
Die bei den obigen Reaktionen verwendeten Reaktionsbeschleuniger sind beispielsweise diverse anorganische
und organische Säuren, wie z. B. Salzsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure, Kohlensäure, Bromwasserstoff, Perchlorsäure,
Phosphorsäure, Borsäure, Oxalsäure, Zitronensäure, Salizylsäure, Pikrinsäure, Maleinsäure, Chloressigsäure
und Benzolsulfonsäure, sowie Salze und Oxide verschiedener metallischer Elemente, wie z. B. Goldchlorid, Zinkchlorid,
Aluminiumchlorid, Eisenchlorid, Kupferchlorid, Nickelchlorid,
Chromchlorid, Arsenchlorid, Antimonchlorid, Zinnchlorid, Galliumchlorid Indiumchlorid, Platinchlorid, Titantetrachlorid,
Kupfersulfat, Zinksulfat, Bleinitrat, Zinknitrat, Aluminiumnitrat, Eisennitrat, Kupfernitrat,
Nickelnitrat, Indiumnitrat, Boroxid, Phosphorpentoxid, Arsentrioxid u. dgl. Bevorzugte Reaktionsbeschleuniger
sind Salzsäure Salpetersäure, Schwefelsäure, Phosphorsäure, Borsäure und Kohlensäure. Diese Reaktio /isbeschleuniger
werden in einer Menge von 0,001 bis 20 Gew.-% auf Basis der Menge des Alkoxysilans oder Acyloxysilans
je nach der gewünschten Reaktionsgeschwindigkeit verwendet.
Der Verlauf der Reaktion in der oben beschriebenen Reaktionsmischung kann ohne weiteres mittels Gaschromatographie,
Infrarotabsorptionsspektroskopie und anderer geeigneter Verfahren verfolgt werden, und die Bildung der
hydroxyhaltigen Silanverbindungen kann erfaßt werden. Wenn ein
030025/0730
2949U1
Gleichgewicht der Veresterungsreaktion oder der Umesterungsreaktion in der Reaktionsmischung eingestellt ist, kann
die Reaktionsmischung als eine stabile Beschichtungslösung verwendet werden, mittels der verschiedene Arten von
Substratoberflächen mit einer glatten und gleichmäßig ausgebreiteten Schicht des Oxidationsprodukts von Silizium
mit nachfolgender Erhitzung versehen werden.
Es ist natürlich möglich, daß die Reaktionsmischung mit einem geeigneten organischen Lösungsmittel verdünnt wird,
um eine Viskosität oder Konsistenz aufzuweisen, die zur Aufbringung auf die Substratoberflächen geeignet ist,
und bei Bedarf wird die Lösung mit einem Mikroporen eines Durchmessers von 1 ,um oder geringer aufweisenden Filter
filtriert.
Das erwähnte Verdünnungslösungsmittel ist nicht einschränkend, sofern es sämtliche Bestandteile in der
Reaktionsmischung lösen und gleichmäßig über die Oberfläche des festen Substrats verteilen kann, worauf die Lösung aufgebracht wird, was jeweils von der Art des Materials des
Festkörpers abhängt, und beispielsweise kann man als Verdünnungslösungsmittel Alkohole, Ketone, vielwertige Alkohole
und deren Ester und ß-Diketone sowie deren Mischungen verwenden. Beispiele für Alkohole sind Methylalkohol,
Äthylalkohol, Propylalkohol, Butylalkohol, Amylalkohol
u. dgl., Beispiele für Ester sind Methylacetat, Äthylacetat, Propylacetat, Butylacetat u. dgl., Beispiele für
Ketone sind Aceton, Methyläthylketon, Methylisobutylketon, Zyklohexajion u. dgl., und Beispiele für vielwertige Alkohole und deren Ester sind Äthylenglycol, Äthylenglycolmonomethylather, Äthylenglycolmonoäthylether, Äthylenglycoldiäthyläther, Äthylenglycolmonoisopropyläther,
030025/0730
29A9U1
Äthylenglycolmonobutyläther, Äthylenglycoldibutyläther,
Propylenglycol, Glycerin u. dgl. Die Konzentration der Beschichtungslösung nach Verdünnung mit dem organischen
Lösungsmittel liegt üblicherweise im Bereich von 1 bis 20 Gew.-%, als SiO- berechnet.
Das Material der aufgabengemäß mit der so hergestellten
Beschichtungslösung zu überziehenden festen Gegenstände umfaßt Glas, keramische Stoffe, Glimmer, Metalle, z. B.
rostfreien Stahl, Kunststoffe u. dgl., und die Formen der Gegenstände sind nicht einschränkend, sondern umfassen
Platten, Stangen, Rohre, Kugeln, Flaschen und alle anderen unregelmäßigen Formen.
Das Beschichtungsverfahren mit der Beschichtungslösung ist je nach den Formen der zu überziehenden Gegenstände
herkömmlich und umfaßt das Tauchverfahren, das Spritzverfahren, das Gießverfahren, das Aufbürsten u. dgl.. Der
mit der Beschichtungslösung überzogene feste Gegenstand wird dann einer Lufttrocknung zur Entfernung des Lösungsmittels
oder der Lösungsmittel durch Verdampfen unterworfen, um eine Uberzugsschicht aus einer hydroxyhaltigen
Silanverbindung zurückzulassen, die durch die Silanolkondensation
zwischen den Hydroxygruppen beim Stehen an der atmosphärischen Luft oder beim weiteren Ausbacken bei
150 0C oder höher in eine Schicht oxidierten Siliziums
umgewandelt wird.
Die Ausbacktemperatur ist vorzugsweise so hoch wie möglich, soweit das Material des festen Substrats sie
aushalten kann, um die Härte der ausgebackenen Schicht des oxidierten Siliziums zu verbessern. Die Dauer der Ausbackbehandlung
ist ebenfalls so lang wie möglich, liegt jedoch üblicherweise aus Gründen des Arbeitswirkungsgrades
im Bereich von 10 bis 60 min. Es ist manchmal ratsam,
der Beschichtungslösung einen Verglasungsförderer, wie z. B. Phosphorpentoxid und Boroxid in einer geringeren
Π 3 CO? 5 /0730
2949U1
Menge als 10 Gew.-% des SiO -Gehalts in der Lösung, zuzusetzen, damit die Ausbacktemperatur gesenkt werden kann.
Der Zusatz dieser Vergasungsmittel ist nur zu empfehlen, wenn die Gegenwart eines solchen Bestandteils nicht unerwünscht
ist.
Bei der Durchführungjdes oben beschriebenen Verfahrens
gemäß der Erfindung wird die Oberfläche des festen Substrats, z. B. der Innenwände eines Gefäßes, mit einer
zusammenhängenden Uberzugsschicht mit einer Dicke von 0,1 bis 1,0 ,um aus hochreinem oxidierten Silizium ohne Poren
in einfacher Weise und wirtschaftlich versehen, so daß das Ausschwitzen oder Auslaugen von Verunreinigungen aus der
Festkörperoberfläche wirksam vermieden werden kann und
Vorteile bei verschiedenen industriellen Anwendungsfällen
erzielbar sind.
Im folgenden wird das Verfahren gemäß der Erfindung im einzelnen anhand von Beispielen näher erläutert.
Einer Mischung, die aus 152 g Orthomethylsilikat,
240 g Eisessigsäure und 240 g Methylalkohol zusammengesetzt und bei Raumtemperatur gehalten war, wurden 10 g feinpulverisierte
Oxalsäure unter Umrühren zugesetzt. Die Reaktion lief exotherm ab, und die Temperatur der Reaktionsmischung stieg beim Ablauf der Reaktion auf etwa 40 C.
Die gaschromatographische Analyse und die Infrarotabsorptionsspektralanalyse
zeigten die Bildung großer Mengen von Methylacetat und hydroxynaltigen Silanverbindungen.
030025/0730
29A9U1
Nach einem Stehen bei Raumtemperatur für 3 Tage wurde die Reaktionsmischung auf den Feststoffgehalt analysiert,
der mit 12,5 Gew.-% bei Messungjdurch Erhitzen auf 140 °C für 3 h gefunden wurde. Die Reaktionsmischung wurde
durch Zusatz von Isopropylalkohol zum Ergeben eines Feststoff gehalts von 5,9 Gew.-% verdünnt, worauf eine Filtration
mit einem Filter mit Mikroporen von 0,45 .um Durchmesser folgte, um eine Beschichtungslösung zu ergeben.
Die Verunreinigungsniveaus mehrerer metallischer Elemente in der Beschichtungslösung wurden durch Atomabsorptionsspektrophotometrie
bestimmt und ergaben die folgenden Resultate.
Verunreinigung^ Na Ca Zn χ pe Cu
element
Konzentration, ω Q Q , , , o,1 0,1
p.p.m.
Etw_a 50 ml der so hergestellten Beschichtungslösung wurden
in eine enghalsige Glas flasche von 1000 ml Fassungskraft eingeführt, und die ganze Oberfläche der Innenwand der
Flasche wurde mit der Lösung durch Schleudern der Flasche benetzt, worauf das Ausleeren der Lösung und das Abtropfen
der überschüssigen Lösung durch Umkehrung der Flasche für eine Weile folgten. Nach spontaner Verdampfung des Lösungsmittels
während etwa 30 min wurde die Flasche allmählich auf eine Temperatur von 500 0C erhitzt, wo sie für 30 min
gehalten wurde, worauf eine allmähliche Abkühlung auf Raumtemperatur folgte. Die erhaltene dünne Schicht aus
2949U1
Siliziumdioxid, die auf den Innenwänden der Glasplatte gebildet war, hatte eine Dicke von etwa 0,2 .um.
Einige der physikalischen und chemischen Eigenschaften der oben erhaltenen Uberzugsschicht waren folgende, die
mit einer Glasplatte mit der gleichen Beschichtungslösung zum Simulieren des oben beschriebenen Beschichtungsverfahrens
bestimmt wurden.
Brechungsindex 1,44
Dielektrizitätskonst ante 4,0
~7 ο Wärmeausdehnungskoeffizient 5 χ 10 / C
Flächenwiderstand 1 χ 10 Ohm/ □
Ätzgeschwindigkeit 10 nim/s (1-molare
HF, 25 0C)
S C 1*16
digkeit der Bestandteile in der Glasfla . von der Oberfläche zwischen den entsprechend obiger Beschreibung mit Siliziumdioxid
überzogenen Flaschen und unüberzogenen Flaschen vorgenommen. So wurde jede der Flaschen, die einer Reinigungsbehandlung 'durch Eintauchen in eine 5 %ige Salzläurelösung
für 2 h unterworfen und anschließend mit ent ionisiertem Wasser gespült und getrocknet war, mit Methylalkohol,
Aceton oder Butylacetat gefüllt und bei 25-27 0C für
Wochen gehalten. Geringe Mengen des Lösungsmittels wurden periodisch entnommen und bezüglich der Konzentration der
030025/073
29A9U1
aus der Glasoberfläche ausgelaugten Natriumionen analysiert,
wobei gleichzeitig die Messung der elektrischen Leitfähigkeit bei 25 0C durchgeführt wurde. Die Ergebnisse
sind in der folgenden Tabelle 1 zusanunengefaßt.
030Ü25/0730
Lösungs mittel |
Konzentration an Na-ionen, p.p.m. |
Butyl- acetat |
Konzentration an Na-ionen, p.p.m. |
Glasflasche | anfangs | nach 3 Wochen |
nach 6 Wochen |
nach 9 Wochen |
nach 12 Wochen |
ί nach 15 Wochen |
Methyl alkohol |
Elektrische Leit fähigkeit, ,us/cm |
Elektrische Leit fähigkeit, ,us/cm |
unüberzogen | 0,02 | 0,07 | 0,08 | 0,09 | 0,10 | 0,4 | |
Aceton | Konzentration an Na-ionen, p.p.m. |
überzogen | 0,6 | 0,02 | 0,02 | 0,02 | 0,02 | 0,03 | ||
Elektrische Leit- | unüberzogen | 0,03 | 0,7 | 0,8 | 0,9 | 1,0 | 2,1 | |||
fähigkeit, .us/cm |
überzogen | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,7 | |||
unüberzogen | 0,04 | 0,04 | 0,05 | 0,07 | 0,09 | 0,20 i | ||||
überzogen | 0,4 | 0,03 | 0,03 | 0,03 | 0,03 | 0,03 | ||||
unüberzogen | 0,6 | 0,6 | 0,7 | 0,9 | 1,3 | |||||
überzogen | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 I |
|||||
unüberzogen | 0,06 | 0,07 | 0,09 | 0,14 | 0,20 | |||||
überzogen | 0,04 | 0,04 | 0,04 | 0,04 | 0,04 | |||||
unüberzogen | 0,4 | 0,4 | 0,5 | 0,7 | 1,2 | |||||
überzogen | 0,4 | 0,4 i |
0,4 | 0,4 | 0,4 ii |
CO ■ΤΟ
2949U1
Tetracetoxysilan wurde durch die Reaktion von 125 g Siliziumtetrachlorid und 400 g Essigsäure nach Vermischen und
Rühren bei Raumtemperatur hergestellt. Als die Entwicklung von Chlorwasserstoffgas unter Ausfällung von weißem
kristallinen Tetraacetoxysilan aufgehört hatte, wurde die unreagierte Essigsäure durch Abtreiben unter verringertem
Druck entfernt, und der Rückstand wurde in 3OO g Äthylalkohol aufgelöst. Die Reaktion zwischen dem Tetraacetoxysilan
und Äthylalkohol wurde unter Erhitzen der obigen Reaktionsmischung auf 60 0C bei Umrühren während 10 h durchgeführt.
Die Bildung großer Mengen von Äthylacetat und hydroxyhaltigen Silanverbindungen wurde in der erhaltenen Reaktionsmischung, die nach Verdünnen durch Zusatz von 120 g Äthylalkohol einen Feststoffgehalt von 5,9 Gew.-% aufwies, erfaßt.
Die Reaktionsmischung wurde weiter durch Zusatz von n-Butylalkohol bis zu einem Feststoffgehalt von 3,0 Gew.-%
verdünnt, und die Lösung wurde mittels eines Filters mit Mikroporen von 0,45 .um Durchmesser filtriert, um eine
Beschichtungslösung zu ergeben.
Ein Behälter von 20 1 Fassungskraft aus 18-8-Rostfreistahl
wurde mit der oben hergestellten Beschichtungslösung auf den Innenwänden durch Aufsprühen überzogen, worauf eine
Wärmebehandlung von 60 min bei 400 0C folgte.
Der so überzogene Behälter wurde mit einer 5 %igen Salzsäurelösung gefüllt und bei Raumtemperatur 10 Tage
stehengelassen, und die Salzsäure wurde dann auf die Konzentration an metallischen Elementen analysiert, um ein
030025/0730
29A9U1
Ergebnis zu liefern, daß keine wahrnehmbaren Mengen an Nickel, Chrom und Eisen aus dem Behälter gelöst waren.
Einer aus 209 g Orthoä-thylsilikat, 54 g Wasser und
572 g Äthylalkohol zusammengesetzten Mischung wurden 0,5 g einer 35 %igen Salzsäure unter Umrühren zugesetzt.
Die Reaktion fand statt und lief unter Wärmeentwicklung ab. Die Analyse, die mit der Reaktionsmischung nach 3-tägigem
Stehen bei Raumtemperatur durchgeführt wurde, zeigte die Bildung großer Mengen von hydroxyhaltigen Silanverbindungen.
Die gemäß der Messung durch Erhitzen bei 140 0C
für 3 h 9,0 Gew.-% Feststoff enthaltende Reaktionsmischung wurde durch Zusatz von Aceton bis zu einem Feststoffgehalt
von 8,0 Gew.-% verdünnt, worauf ein Filtrieren mittels eines Filters mit Mikroporen von 0,45 «um Durchmesser
folgte, um eine Beschichtungslösung zu erhalten.
Eine Glasplatte mit Abmessungen von 80 mm χ 120 mm χ 0,7 mm
wurde in die so hergestellte Beschichtungslösung getaucht und dann mit einer Geschwindigkeit von 30 cm/min
zum überziehen mit der Lösung nach oben gezogen, und die beschichtete Glasplatte wurde einer Trocknung von 15 min bei
100 0C und dann einem Ausbacken von 60 min bei 500 0C
unter Bildung einer Überzugsschicht aus oxidiertem Silizium mit einer Dicke von 0,15 ,um unterworfen.
Ein Natriumionenauslaugungstest wurde mit der so überzogenen Glasplatte und einer gleichartigen Glasplatte vor einer
3 η η ? β / ο 7.? γ
2349141
Beschichtung durchgeführt, Indem man Sie getrennt für
10 »in in 900 ml verdünnter Salzsäure von 10 tiger Konzentration bei 60 °C in einen Becherglae aus Schneizquarzglas
nach Waschen mit 5 tiger Salzsäure für 5 min eintauchte.
Die Natriumionenkonzentration in der Salzsäure nach
dem Auslaugen Wurde durch Atomabsorptionsspefctrophotometrie
bestimmt, wobei die Auegangssalzsäure als Bezugswert genommen würde * und man erhielt das Ergebnis, da β die
Konzentration tder besser der Konzentrat ionszuvrachs an
Natrlumionen in der Säure, in die die Überzogene Glasplatte
getaucht war, O,O1 ppm war,während der entsprechende Wert
for die tthbeschlchfcete Glasplatte ö>34 ppm ausmachte;
Θ30025/0730
Claims (1)
- Patentansprüche1. Verfahren zur Vermeidung eines Auslaugens einer Verunreinigung aus der Oberfläche eines Festkörpers, dadurch gekennzeichnet, daß man(a) auf der Oberfläche des Festkörpers eine Uberzugsschicht mit einer Beschichtungslösung anbringt, die eine Hydroxysilanverbindung enthält, die durch die allgemeine FormelRnSi(0H)4-ndargestellt wird, worin R eine aus der aus Kohlenwasserstoff gruppen, Alkoxygruppen und Acyloxygruppen bestehenden Klasse gewählte Gruppe und η eine Zahl von 0,1,2 oder 3 bedeuten, und(b) den so beschichteten Festkörper auf eine Temperatur von wenigstens 150 0C zur Bildung einer Uberzugsschicht aus oxidiertem Silizium erhitzt.2. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daßR eine aus der aus einer Methoxygruppe, einer Xthoxygruppe und einer Acetoxygruppe bestehenden Klasse gewählte Gruppe ist..3. Verfahren nach Anspruch "!,dadurch gekennzeichnet, daß die Hydroxysilanverbindung ein Reaktionsprodukt eines ALkoxysilans mit einer Karbonsäure und einem Alkohol ist.O24-(79-112)-TF030025/073029A9U14. Verfahren nach Anspruch 3,dadurch gekennzeichnet, daß die verwendeten Mengen der Karbonsäure und des Alkohols in den Bereichen von 2 bis 5 Molen bzw. 2 bis 10 Molen
je Mol des Alkoxysilans liegen.5. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Hydroxysilanverbindung ein Reaktionsprodukt eines
Acyloxysilans mit einem Alkohol ist.6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Menge des Alkohols wenigstens 4 Mole je Mol des Acyloxysilans ist.7. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Hydroxysilanverbindung ein Reaktionsprodukt eines
Alkoxysilans mit Wasser in einem Alkohol ist.8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,daß die verwendeten Mengen des Wassers und des Alkoholsin den Bereichen von 2 bis 5 Molen bzw. von 3 bis 30 Molen je Mol des Alkoxysilans liegen.9. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung im Schritt (b) während wenigstens 10 Minuten erfolgt.10. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß man die Uberzugsschicht aus dem oxidierten Silizium in einer Üicke von wenigstens 0,1 ,um bildet.030025/0730
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15184178A JPS5578069A (en) | 1978-12-07 | 1978-12-07 | Prevention of exudation of component to solid surface |
JP10299479A JPS5626750A (en) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | Bleeding preventing method for contained component from solid surface |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2949141A1 true DE2949141A1 (de) | 1980-06-19 |
DE2949141C2 DE2949141C2 (de) | 1983-05-26 |
Family
ID=26443663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2949141A Expired DE2949141C2 (de) | 1978-12-07 | 1979-12-06 | Verfahren zur Vermeidung des Herauslösens von Verunreinigungen aus Festkörperoberflächen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4385086A (de) |
DE (1) | DE2949141C2 (de) |
FR (1) | FR2443484A1 (de) |
GB (1) | GB2043040B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3601500A1 (de) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Schott Glaswerke | Korrosionsbestaendige druckkesselschauglaeser |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0164583B1 (de) * | 1984-05-11 | 1991-09-25 | TERUMO KABUSHIKI KAISHA trading as TERUMO CORPORATION | Verfahren zur Herstellung eines Behälters aus syntetischem Harz |
US4619839A (en) * | 1984-12-12 | 1986-10-28 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method of forming a dielectric layer on a semiconductor device |
JPS63108082A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化ケイ素被膜形成用塗布液 |
DE3822141C1 (de) * | 1988-06-30 | 1989-05-24 | Heidi 8000 Muenchen De Stroh | |
US5510147A (en) * | 1995-03-03 | 1996-04-23 | International Paper Company | Sol gel barrier films |
JP4369042B2 (ja) * | 1997-08-13 | 2009-11-18 | トラスティーズ・オヴ・プリンストン・ユニヴァーシティ | ゾル−ゲルで被覆された偏極容器 |
US6648130B1 (en) * | 1999-08-11 | 2003-11-18 | Medi-Physics, Inc. | Hyperpolarized gas transport and storage devices and associated transport and storage methods using permanent magnets |
GB9920758D0 (en) | 1999-09-03 | 1999-11-03 | Nycomed Amersham Plc | Improved container composition for diagnostic agents |
GB9920772D0 (en) | 1999-09-03 | 1999-11-03 | Nycomed Amersham Plc | Improved container composition for radiopharmaceutical agents |
US7832550B2 (en) * | 2001-07-17 | 2010-11-16 | American Air Liquide, Inc. | Reactive gases with concentrations of increased stability and processes for manufacturing same |
EP1412551B1 (de) * | 2001-07-17 | 2011-03-02 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Verfahren zur herstellung einer passivierten oberfläche |
US20030017359A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-23 | American Air Liquide, Inc. | Increased stability low concentration gases, products comprising same, and methods of making same |
FR2944007B1 (fr) | 2009-04-03 | 2012-06-08 | Sgd Sa | Procede de fabrication d'un recipient en verre et recipient correspondant. |
US11497681B2 (en) | 2012-02-28 | 2022-11-15 | Corning Incorporated | Glass articles with low-friction coatings |
US10737973B2 (en) | 2012-02-28 | 2020-08-11 | Corning Incorporated | Pharmaceutical glass coating for achieving particle reduction |
CN104271346B (zh) | 2012-02-28 | 2017-10-13 | 康宁股份有限公司 | 具有低摩擦涂层的玻璃制品 |
CN104395255A (zh) | 2012-06-07 | 2015-03-04 | 康宁股份有限公司 | 抗脱层的玻璃容器 |
US10273048B2 (en) | 2012-06-07 | 2019-04-30 | Corning Incorporated | Delamination resistant glass containers with heat-tolerant coatings |
US9034442B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-05-19 | Corning Incorporated | Strengthened borosilicate glass containers with improved damage tolerance |
RU2691189C2 (ru) | 2014-09-05 | 2019-06-11 | Корнинг Инкорпорейтед | Стеклянные изделия и способы повышения надежности стеклянных изделий |
FR3028778B1 (fr) * | 2014-11-26 | 2019-04-12 | Glass Surface Technology | Procede de fabrication d'une couche de revetement de la face interne d'un recipient et recipient obtenu avec un tel procede |
EP3150564B1 (de) | 2015-09-30 | 2018-12-05 | Corning Incorporated | Halogenierte chemische polyimidsiloxanzusammensetzungen und glasgegenstände mit halogenierten polylmidsiloxanbeschichtungen mit geringer reibung |
FR3051691B1 (fr) * | 2016-05-25 | 2020-12-18 | Glass Surface Tech | Procede de fabrication d'une couche ou d'un motif de revetement de la face interne d'un recipient et recipient obtenu avec un tel procede |
FR3051690B1 (fr) * | 2016-05-25 | 2020-12-18 | Glass Surface Tech | Procede de fabrication d'une couche de revetement de la face interne d'un recipient et recipient obtenu avec un tel procede |
FR3051692B1 (fr) * | 2016-05-25 | 2020-12-18 | Glass Surface Tech | Procede de fabrication d'une couche de revetement de la face interne en matiere plastique d'un recipient et recipient obtenu avec un tel procede |
US10478453B1 (en) | 2019-01-15 | 2019-11-19 | Exela Pharma Sciences, LLC | Stable, highly pure L-cysteine compositions for injection and methods of use |
US10493051B1 (en) | 2019-03-15 | 2019-12-03 | Flamel Ireland Limited | Cysteine composition and injection |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2426698A1 (de) * | 1974-06-01 | 1975-12-11 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von silanisierten traegermaterialien |
US3958073A (en) * | 1970-01-29 | 1976-05-18 | Fidenza S.A. Vetraria S.P.A. | Properties of glass surfaces |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA661372A (en) * | 1963-04-16 | Eder Heinz | Method of rendering metallic surfaces corrosion resistant | |
GB885118A (en) * | 1957-08-02 | 1961-12-20 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of silica |
US3556841A (en) * | 1967-04-11 | 1971-01-19 | Matsushita Electronics Corp | Process for forming silicon dioxide films |
US3927697A (en) * | 1968-02-22 | 1975-12-23 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Quartz glass elements |
DE2056403A1 (de) * | 1970-11-17 | 1972-05-31 | Bodenseewerk Perkin-Elmer & Co, GmbH, 7770 Überlingen | Verfahren zur Herstellung von silikatüberzogenen Oberflächen |
US4041190A (en) * | 1971-06-29 | 1977-08-09 | Thomson-Csf | Method for producing a silica mask on a semiconductor substrate |
DE2206493C3 (de) * | 1972-02-11 | 1975-01-30 | Heraeus-Schott Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Mehrschichtiger Quarzglaskörper für die Verwendung in der Festkörpertechnologie |
IT1063385B (it) * | 1976-02-16 | 1985-02-11 | Ind Zignago S Mapcherita S P A | Procedimento per il trattamento di vetro |
JPS5534258A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Coating solution for forming silica film |
-
1979
- 1979-12-05 GB GB7941939A patent/GB2043040B/en not_active Expired
- 1979-12-06 US US06/100,930 patent/US4385086A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-12-06 FR FR7929976A patent/FR2443484A1/fr active Granted
- 1979-12-06 DE DE2949141A patent/DE2949141C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3958073A (en) * | 1970-01-29 | 1976-05-18 | Fidenza S.A. Vetraria S.P.A. | Properties of glass surfaces |
DE2426698A1 (de) * | 1974-06-01 | 1975-12-11 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von silanisierten traegermaterialien |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3601500A1 (de) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Schott Glaswerke | Korrosionsbestaendige druckkesselschauglaeser |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2043040A (en) | 1980-10-01 |
US4385086A (en) | 1983-05-24 |
FR2443484B1 (de) | 1985-01-25 |
FR2443484A1 (fr) | 1980-07-04 |
DE2949141C2 (de) | 1983-05-26 |
GB2043040B (en) | 1982-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2949141A1 (de) | Verfahren zum verhindern des auslaugens von verunreinigungen aus festen oberflaechen | |
DE3332995C2 (de) | ||
DE69010800T2 (de) | Herstellung von Polymere Metalloxyd-Werkstoffe. | |
EP0897898B1 (de) | Verfahren zur Abscheidung optischer Schichten | |
DE2806468C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines halbreflektierenden Filmes aus Zinnoxid auf einem Substrat | |
DE3786864T3 (de) | Beschichtungszusammensetzungen auf der Basis von Siloxanen und Metalloxiden. | |
DE3205421C2 (de) | Zusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung transparenter elektrisch leitender Filme | |
DE3300323C2 (de) | ||
WO2006074791A1 (de) | Druckfähiges medium zur ätzung von siliziumdioxid- und siliziumnitridschichten | |
DE3708894A1 (de) | Waessriges sol von antimon enthaltender kristalliner fester zinnoxidloesung sowie verfahren zu dessen herstellung | |
DE2631628A1 (de) | Verwendung von kolloidalen vanadiumpentoxidloesungen zur antistatischen ausruestung hydrophober oberflaechen | |
DE2013576B2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen | |
DE2264407B2 (de) | Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung Ausscheidung aus: 2238429 | |
DE2945141C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus Quarzsand | |
DE1906197A1 (de) | Verfahren zur Entfernung von borhaltigen Verunreinigungen aus Chlorsilanverbindungen | |
DE3624057A1 (de) | Verfahren zur aufbringung eines siliciumdioxid-films | |
DE3735817A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer ueberzugsloesung aus hydroxysilan und/oder einem oligomer davon | |
DE3249203T1 (de) | Verfahren zum aufdampfen von ueberzuegen | |
DE69306843T2 (de) | Verfahren zur Entfernung von Siloxan; gelöst in dem bei der Herstellung von Trimethoxysilan aus Methanol und Silizium verwendetem Lösungsmittel | |
DE3817719C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Metalloxidfilms | |
DE934848C (de) | Elektrisch leitfaehige Gegenstaende aus Glas und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE4330466A1 (de) | Hochreines Silicon-Leiterpolymer und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1962354B2 (de) | Verfahren zur modifizierung der oberflaecheneigenschaften von formteilen aus durchsichtigen thermoplastischen kunststoffen | |
DE19828231A1 (de) | Verfahren zur Abscheidung optischer Schichten | |
DE10028111B4 (de) | Anorganische,filmbildende Überzugszusammensetzung, Herstellungsverfahren hierfür und Verfahren zur Ausbildung eines anorganischen Films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8126 | Change of the secondary classification |
Free format text: C03C 17/27 C03C 17/30 C04B 41/06 C23F 7/02 B05D 7/24 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |