DE2719462C2 - Transistor-Treiberschaltung - Google Patents

Transistor-Treiberschaltung

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DE2719462C2 DE2719462A DE2719462A DE2719462C2 DE 2719462 C2 DE2719462 C2 DE 2719462C2 DE 2719462 A DE2719462 A DE 2719462A DE 2719462 A DE2719462 A DE 2719462A DE 2719462 C2 DE2719462 C2 DE 2719462C2
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Description

35
Die Erfindung bezieht sich auf schnell arbeitende Transistor-Treiberschaltungen, die mit Beschleunigungsschaltungen verbunden sind.
Transistor-Treiberschaltungen, wie z. B. Schnittstellentreiberschaltungen, gehören zum Stand der Technik und besitzen im allgemeinen langsame Anstiegszeiten aufgrund verhältnismäßig hochohmiger Widerstände und geringer Spannungen.
In allen diesen Schaltungen ist eine schnelle Betriebsweise erwünscht, insbesondere, wenn solche Schaltungen in Speicheranordnungen benutzt werden, wo die Geschwindigkeit der Schaltung ein kritischer Faktor ist. In Transistorschaltungen sind jedoch verschiedene Kapazitäten vorhanden wie Streukapazität, Sperrschichtkapazitäten, die aus den natürlichen unvermeidbaren Sperrschichten resultieren, die in einem Halbleiterbauelement während des Betriebes vorhanden sind und die unvermeidbaren Elektrodenkapazitäten, die die Anschlüsse eines Transistors miteinander verbinden. Weil diese Kapazitäten, die im folgenden zusammengefaßt als Elektrodenkapazitäten bezeichnet werden, so ausgeprägt sind, sind sie störend und können unkontrollierte und unerwünschte Ableitströme durch den Transistor verursachen, die Änderungen im Ausgangssignal der Schaltung verursachen und als Folge davon Geschwindigkeitsverluste, bevor die Ausgangsspannung der Schaltung in ihrem stationären Zustand stabilisiert ist.
In Gegentaktschaltungen ist dieses durch die Elektrodenkapazität verursachte Problem besonders akut, da es das AnsDrechen des nichtleitenden Transistors bedeutend verzögern kann und damit das Erscheinen des Ausgangssignals. · ' .
Übliche Verfahren zur Beseitigung dieser Elektrodenkapazität nach dem Stand der Technik bestanden darin, dem Basisanschluß des Ausgangstransistors einen Rückstrom zuzuführen oder eine parallele flC-Konsbination im Basiskreis des Transistors vorzusehen. Beide Lösungen lassen vieles zu wünschen übrig und können in der Tat in einigen Fällen zusätzliche Probleme beim Betrieb der Schaltung aufwerfen.
In dem US-Patent 37 89 241 ist eine Schaltung beschrieben zum schnellen Entfernen von im Überschuß gespeicherten Minoritätsträgers aus der Basisregion eines gesättigten Transistors und zum raschen Laden der Elektrodenkapazität dieses Transistors durch einen weiteren Transistor. Dieses Patent beschreibt eine Lösung, die in vielen Schaltungen sehr erwünscht ist. Diese Schaltung hat jedoch den Nachteil, daß sie zusätzliche Gleichstromleistung für den zusätzlichen Transistor erfordert, um den Ausgang der Schaltung auf hohem Potential zu halten. Daher ist bei Schaltungen, in denen die Gleichstromleistung begrenzt ist, eine solche Lösung nicht befriedigend.
Dem US-Patent 36 81 619 ist die Lehre zu entnehmen, daß in elektronischen Schaltungen Mittel vorgesehen werden können zur Aufhebung der Gleichstrom-Streusignale am Ausgang der Schaltung mittels eines eingefügten Transistors, der eine Impedanz speist, die den eingefügten Transistor mit dem Ausgangskreis verbindet Obgleich die beschriebene Lösung für einige Schaltungen wünschenswert ist, erfordert sie jedoch auch zusätzliche Gleichstromleistung für den Transistor, um den Ausgang auf hohem Potential zu halten.
Aus der DAS 15 37 972 ist eine Schaltung zur Verbesserung der An- und Abschalteigenschaften eines Schalttransistors einer binären Schaltung bekannt. Bei ihr ist zwischen der Steuerelektrode eines Schalttransistors, dessen Abschalteigenschaften verbessert werden sollen, und dem Bezugspotential ein Ableittransistor vorgesehen, der gleichzeitig mit dem Schalttransistor stromführend ist. Beim Abschalten des Schalttransistors kann seine in der Basiszone gespeicherte Ladung über den Ableittransistor abfließen, so daß der Schalttransistor rascher nichtleitend wird. Auch diese Schaltung erfordert eine zusätzliche Gleichstromleistung für den Ableittransistor, da dieser gleichzeitig mit dem Schalttransistor leitend ist.
Die beschriebenen Lösungen nach dem Stand der Technik sind daher unbefriedigend in den Situationen, in denen es notwendig, ist, bei begrenzter Gleichstromleistung schnelle und stabile Ausgangssignale zu erhalten. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Transistor-Treiberschaltung anzugeben, die eine schnelle Betriebsweise ermöglicht, ohne daß dazu zusätzliche Gleichstromleistung aufgewandt werden muß.
Diese Aufgabe wird durch eine Transistor-Treiberschaltung mit zwei in Reihe liegenden, abwechselnd leitenden Ausgangstransistoren und einer Beschleunigungsschaltung zur Verbesserung der Abschalteigenschaften des einen Ausgangstransistors gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Beschleunigungsschaltung kapazitiv mit dem ersten Ausgangstransistor gekoppelt und direkt mit der Basis des zweiten Ausgangstransistors verbunden ist, um die in dessen Elektrodenkapazitäten gespeicherten Ladungsträger beim Sperren dieses Ausgangstransistors rasch abzuführen und ihn dadurch schnell nichtleitend zu machen. Im folgenden wird die Erfindung anhand eines
bevorzugten Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Zeichnungen näher beschrieben, von denen zeigt
F i g. 1 das Schaltbild einer Schnittstellentreiberschaltung nach dem Stand der Technik, die im Gegentaktbetrieb arbeitet;
F i g. 2 die Treiberschaltung nach F i g. 1, ergänzt durch die neue Beschleunigungsschaltung gemäß der F.rfindung;
F i g. 3 den zeitlichen Verlauf der Treiberspannung an der Basis eines Transistors der Schaltung nach F i g. 1;
Fig.4 den zeitlichen Verlauf der Treiberspannung während der Basis des Transistors der Schaltung nach F ig. 2.
F i g. 1 zeigt in vereinfachter Form einen aus N PN-Transistoren aufgebauten Gegentakt-Verstärker, der alle die Hauptmerkmale der Erfindung aufweist Der hier dargestellte Gegentakt-Verstärker weist einen Eingangstransistor Q1 auf, dessen Basis 11 mit einer Quelle von Eingangssignalen 12 und dessen Kollektor 13 über einen Kollektorwiderstand 18 mit dem positiven Pol + V einer Spannungsquelle 10 und direkt mit der Basis 15 eines Bezugstransistors ζ) 2 verbunden ist. Der Kollektor 16 des Bezugstransistors Q 2 ist direkt mit der Spannungsquelle 10 verbunden. Der Emitter 17 des Transistors Q 2 ist über einen Emitterwiderstand 20 mit einer Ausgangsleitung 24 und direkt mit der Basis 25 eines Emitterfolgertransistors Q 3 verbunden. Der Kollektor 26 des Emitterfolgertransistors Q 3 ist an die Spannungsquelle 10 angeschlossen, während sein Emitter 27 direkt mit der Ausgangsleitung 24 verbunden ist.
Mit der Ausgangsleitung 24 ist auch der Kollektor 22 eines Transistors Q 4 verbunden. Der Emitter 23 dieses Transistors Q 4 ist direkt an das Massepotential angeschlossen und seine Basis 21 ist mit dem Emitter 14 des Transistors Q\ verbunden, der über einen Emitterwiderstand 19 ebenfalls an das Massepotential angeschlossen ist. Die Ausgangsleitung 24 ist mit einer geeigneten Last verbunden, die durch den Kondensator 35 simuliert wird.
Die Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1 wird jetzt in Verbindung mit dem in Fig.3 dargestellten zeitlichen Verlauf der Treiberspannung beschrieben.
Die in F i g. 3 gezeigte Kurve beschreibt den Verlauf der Treiberspannung, die an der Basis 21 des Transistors Q 4 erscheint, wenn die Beschleunigungsschaltung gemäß der Erfindung nicht verwendet wird.
Es wird beispielsweise angenommen, daß zum Zeitpunkt TO3 dem Transistor Qi ein positives Spannungssignal f.n seiner Basis 11 zugeführt wird, so daß er leitet und ein Strom von der positiven Spannungsquelle 10 durch ihn hindurch nach Masse fließt. Dieser Stromfluß bewirkt, daß die Basis 15 des Transistors Q 2 auf einem niedrigen Potential gehalten wird, so daß der Transistor Q 2 ebenso wie der Emitterfolger ζ)3 nicht leitend ist.
Der gleiche Strom, der den Transistor Q1 durchfließt, hält auch die Basis 21 des Transistors Q4 auf einem hohen Spannungspegel Vcin, wie das durch den Anfangsteil 40a der Kurve nach F i g. 3 angedeutet ist. Da die Basis 21 des Transistors Q 4 ein hohes Potential aufweist, ist der Transistor Q 4 auch leitend und die Ausgangsleitung 24 wird auf einem niedrigen Potential gehalten, d. h. im wesentlichen auf Massepotential. Die Ausgangsleitung 24 behält diesen niedrigen Spannungspegel so lange bei. als das Eingangssignal, das der Basis 21 des Transistors Q 4 zugeführt wird, ausreichend ist, um sicherzustellen, daß der Transistor O 4 leitend bleibt.
Die Reihenfolge für das Umschalten der Ausgangsleitung 24 auf einen positiven oder hohen Spannungspegel + V ist folgende: Zu dem in F i g. 3 angegebenen Zeitpunkt T13 wird das positive Spannungssignal, das der Basis 11 des Transistors Q1 zugeführt wird soweit negativ, daß der Transistor Q1 nichtleitend wird. Wenn der Transistor Q1 sperrt, steigt das Potential an seinem Kollektor 13 und damit das Potential an der Basis 15 des Transistors Q 2 rasch auf den positiven Spannungspegel + Van, der durch die Spannungsquelle 10 vorgegeben ist Diese positive Spannung erscheint als Gleichstromimpuls an der Basis 15 des Transistors Q 2 und veranlaßt diesen, leitend zu werden, wodurch das Potential an der Basis 25 des Emitterfolgers Q3 hochgezogen wird, wodurch der Transistor Q 3 auch leitend wird und eine positive Spannung + V der Spannungsquelle 10 an die Ausgangsleitung 24 angelegt wird.
Gleichzeitig mit dem Nichtleitendwerden des Transistors Q1 wird das Potential seines Emitters 14 und das der Basis 21 des Transistors Q 4 aufgrund des Emitterwiderstandes 19 nach Masse gezogen, wodurch die Treiberspannung Vej„ an der Basis 21 des Transistors Q 4 zu fallen beginnt, wie das durch den fallenden Teil 41a der Kurve nach Fig.3 angedeutet wird. Der Transistor Q 4 besitzt eine große Elektrodenkapazität zwischen seinem Kollektor 22 und seiner Basis 21, die hier durch den gestrichelt gezeichneten Kondensator C angedeutet ist. Diese Elektrodenkapazität wirkt als Quelle für die Treiberspannung und verursacht, daß das Potential der Basis 21 des Transistors Q 4 wieder auf den Wert Ve/„ gezogen wird, wie das durch den ansteigenden Teil 42a der in F i g. 3 dargestellten Kurve angedeutet ist. Diese Elektrodenkapazität C ist besonders bedeutsam, wenn der Transistor Q 4 ein großer Leistungstransistor ist. Die Wirkung der Elektrodenkapazität C besteht darin, daß sie den Transistor Q 4 für ein bedeutendes Zeitintervall leitend hält, d. h. bis zu dem Zeitpunkt Γ23, der durch den Teil 43 der in F i g. 3 dargestellten Kurve angezeigt ist und an dem die in der Kapazität Cgespeicherte Ladung so weit abgeflossen ist, daß der Transistor Q 4 sperrt.
Selbstverständlich ist bei der Schaltung nach Fig. 1 der Zeitabschnitt, indem der Transistor Q 4 leitend bleibt, eine Funktion des Wertes des Widerstandes 19 und der Größe der Elektrodenkapazität C. Bei praktischen Schaltungen der beschriebenen Art beträgt das Zeitintervall 7"13 bis Γ23 jedoch 25 Nanosekunden, bis die der Basis 21 zugeführte Treiberspannung Vc,„sich ausreichend, gewöhnlich bis auf 265 Millivolt verringert hat, wie das durch die Zahl 44 auf der in F i g. 3 gezeigten Kurve angedeutet ist. Wenn die Treiberspannung an der Basis 21 des Transistors Q4 so weit verringert wurde, wird der Transistor nicht leitend.
Wenn die Treiberspannung an der Basis 21 des Transistors Q 4 schließlich niedrig genug wird, um den Transistor Q4 zu sperren, wird die Ausgangsleitung vom Massepotential entkoppelt und ihr Potential wird auf den Wert + V durch die Wirkung der Transistoren Q 2 und Q3 hochgezogen.
Im folgenden wird die Schaltung nach Fig. 1 betrachtet, wenn sie mit einer Beschleunigungsschaltung gemäß der Erfindung versehen wird, wie das in Fig. 2 dargestellt ist.
Fig.2 zeigt eine aus NPN-Transistoren aufgebaute hi Gege.Maktschaltung zusammen mit einer Beschleunigungsschaltung, die ihr zugefügt wurde und alle die Hauptmerkmale gemäß der Erfindung verkörpert. Bei der Beschreibung des Gegentakiverstürkers nach
F i g. 2 werden für die Bauteile, die schon in Verbindung mit F i g. 1 beschrieben wurden, die gleichen Bezugszeichen verwendet. Die Schaltung enthält daher einen Eingangstransistor Öl, dessen Basis 11 an eine Quelle 12 für Eingangssignale angeschlossen ist und dessen > Kollektor 13 über einen Kollektorwiderstand 18 mit dem positiven Pol + V einer Spannungsquelle 10 und direkt mit der Basis 15 eines Bezugstransistors Q 2 verbunden ist. Der Kollektor 16 des Bezugstransistors Q2 ist direkt an die Spannungsquelle 10 angeschlossen, in Der Emitter 17 des Transistors O 2 ist über einen Emitterwiderstand 20 mit einer Ausgangsleitung 24 und auch direkt mit der Basis 25 eines einen Emitterfolger bildenden Transistors Q 3 und mit dem Kollektor 33 eines als Diode dienenden Transistors Q 6 verbunden, π Der Kollektor 26 des Transistors C? 3 ist ebenfalls an die Spannungsquelle 10 angeschlossen, während sein Emitter 27 direkt mit der Ausgangsleitung 24 verbunden ist.
An die Ausgangsleitung 24 ist auch der Kollektor 22 eines Transistors Q 4 angeschlossen. Der Emitter 23 dieses Transistors ist direkt mit dem Massepotential und seine Basis 21 mit dem Emitter 14 eines Transistors Q1 verbunden, der auch über einen Emitterwiderstand 19 an das Massepotential angeschlossen ist. Die Basis 21 des Transistors Q 4 ist auch mit dem Kollektor 28 eines Beschleunigungstransislors Q 5 verbunden, dessen Emitter 30 an das Massepotential und dessen Basis 29 über eine Diode, die hier durch den Transistor Q 6 dargestellt ist, an die Basis des Transistors Q 3 jo angeschlossen. Durch Verbinden seiner Basis 31 mit seinem Emitter 32 wurde der Transistor Q 6 zu einer Diode verdrahtet. Der Emitter 32 des Transistors Q 6 und die mit ihm verbundene Basis 29 des Beschleunigungstransistors QS sind beide über den Emitterwiderstand 34 an das Massepotential angeschlossen. Die Ausgangsleitung 24 ist mit einer geeigneten Last verbunden, die ddrch den Kondensator 35 simuliert wird.
Die Transistoren QS und Q6 sowie der Emitterwiderstand 34, dessen oberes Ende mit der Basis 29 des Transistors QS verbunden ist, sind zu der Schaltung nach F i g. 1 hinzugefügt worden und bilden die Beschleunigungsschaltung gemäß der Erfindung.
Die Wirkungsweise der Schaltung nach F i g. 2 wird jetzt in Verbindung mit dem in Fig.4 dargestellten zeitlichen Verlauf der Treiberspannung erläutert, der zeigt, daß eine bedeutsame Änderung in der Abfallzeit der Treiberspannung an der Basis 21 des Transistors Q 4 erreicht wurde.
Aus F i g. 4 ist der Verlauf der Treiberspannung an der Basis 21 des Transistors Q 4 ersichtlich für den Fall, daß die Beschleunigungsschaltung nach der Erfindung verwendet ist
Es wird beispielsweise angenommen, daß zum Zeitpunkt T04 der Basis 11 des Transistors Qi eine positive Spannung zugeführt wird, so daß er leitend ist und durch ihn ein Strom von der positiven Spannungsquelle 10 nach Masse fließt. Dieser Stromfluß bewirkt, daß die Basis des Transistors Q 2 auf niedrigem w Potential gehalten wird, so daß der Transistor Q 2 nicht leitend ist, ebenso wie der einen Emitterfolger bildende Transistor O 3.
Der den Transistor Q1 durchfließende Strom hält das Potential an der Basis 21 des Transistors Q 4 auf einem *>"> hohen Pegel Van, wie das durch den Anfangsteil 406 der Kurve nach F i g. 4 angedeutet ist Da das Potential der Basis 21 des Transistors O 4 hoch ist, ist dieser Transistor auch leitend und das Potential der Ausgangsleitung 24 wird auf einen niedrigen Wert, d. h. im wesentlichen auf Massepotential gehalten. Die Ausgangsleitung 24 bleibt auf diesem niedrigen Potential, solange das der Basis 2) des Transistors Q4 zugeführte Eingangssignal diesen leitend hält.
Das Anlegen eines positiven oder hohen Spannungspegels + Kan die Ausgangsleitung geschieht folgendermaßen:
Zum Zeitpunkt Γ14 wird die positive Signalspannung, die der Basis 11 des Transistors Q i zugeführt wurde, auf einen negativen Wert heruntergezogen, der ausreichend ist, um den Transistor Q1 zu sperren. Wenn der Transistor Q1 sperrt, steigt das Potential seines Kollektors 13 und das Potential der Basis 15 des Transistors O 2 schnell auf einen positiven Spannungspegel + V an, der durch die Spannungsquelle 10 vorgegeben ist. Diese positive Spannung erscheint als ein Gleichspannungsimpuls an der Basis 15 des Transistors Q 2 und veranlaßt diesen, rasch leitend zu werden und das Potential der Basis 25 des Transistors Q 3 hochzuziehen, so daß der Transistor O 3 auch leitet und daher eine positive Spannung + V der Spannungsquelle 10 an die Ausgangsleitung 24 angelegt wird.
Die der Basis 25 des Transistors Q 3 über den Transistor Q 2 zugeführte Spannung der Spannungsquelle 10 wird jetzt auch dem Kollektor des Transistors O 6 zugeführt. Es sei bemerkt, daß der Kollektor 33 des Transistors Q 6 und sein Emitter über die Kollektor-Emitterkapazität Cce des Transistors QS miteinander gekoppelt sind.
Obgleich die aus dem Transistor Q 6 gebildete Diode als eine Gleichstromsperre für der Basis 25 des Transistors Q3 zugeführte Impulse wirkt, blockiert sie nicht die Wechselstromanteile des Impulses. Daher verursacht unmittelbar beim Erscheinen des Impulses an der Basis 25 und am Kollektor 33 die Wechselstromkomponente des Impulses, d. h. seine Vorderflanke, daß eine Spannung, die gleich der Spannung ist, die am Kollektor 33 des Transistors Q 6 erscheint, am Emitter 32 des Transistors Q 6 und auch an der Basis 29 des Transistors O 5 erscheint, die den Transistor QS leitend macht. Wenn der Transistor O 5 leitend wird, verbindet er die Basis 21 des Transistors Q4 mit Massepotential. Gleichzeitig mit dem Nichtleitendwerden des Transistors Q\ zum Zeitpunkt Γ14 wird das Potential der Basis 21 des Transistors Q 4 nach Masse gezogen, was die Ursache dafür ist, daß die Basis-Treiberspannung Vein abfällt, wie das durch den Teil 416 der Kurve nach F i g. 4 angedeutet ist. Da jedoch auch der Transistor O 4 eine große Elektrodenkapazität zwischen seinem Kollektor und der Basis 21 aufweist, wirkt diese als eine Quelle für die Treiberspannung und läßt das Potential der Basis 21 des Transistors Q 4 auf den Wert der Treiberspannung Ve;„ zurückkehren, jetzt kommt jedoch die Beschleunigungsschaltung ins Spiel, die die Transistoren QS und Q 6 enthält und die dafür sorgt, daß das Potential der Basis 21 des Transistors Q 4 rasch auf Massepotential herabgezogen wird. Wegen der Zeitkonstanten des Transistors Q1 und der Verzögerung, die ein Signal braucht, um vom Kollektor des Transistors Ol über die Transistoren O 2 und Q 6 zur Basis des Transistors O 5 zu gelangen verbleibt noch eine kleine Verzögerung von etwa 8 Nanosekunden zwischen dem Zeitpunkt Γ14 und dem Zeitpunkt Γ24, zu dem die Treiberspannung an der Basis 21 des Transistors O 4 genügend herabgezogen worden ist, d. h. auf 265 Millivolt, bis zu dem Punkt, der durch die
Bezugszahl 45 gekennzeichnet ist, an dem der Transistor ζ)4 nicht leitend wird.
Es sei noch einmal bemerkt, daß die Zeitdauer, während der der Transistor Q4 leitend bleibt, eine Funktion der Verzögerung ist, die ein Signal erfährt, um vom Kollektor 13 des Transistors Q1 über den Transistor Q 2 und ζ)6 zu der Basis 29 zu gelangen als auch der unvermeidlichen Verzögerung zum Sperren des Transistors Q1 selbst, um zu veranlassen, daß sein Emitterpotential nach Masse gezogen wird. Alle diese Faktoren addieren sich zu der Länge der Verzögerung, die auftritt, bevor die Beschleunigungsschaltung wirkt, um das Potential der Basis 21 genügend herabzuziehen,
um die Elektrodenkapazität C zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors QA zu veranlassen, entladen zu werden, so daß der Transistor Q4 nicht leitend werden kann.
Falls es erwünscht ist, kann der Kollektor 33 des zu einer Diode verdrahteten Transistors Q6 mit der Ausgangsleitung 24 anstatt mit der Basis 25 des einen Emitterfolger bildenden Transistors Q3 verbunden werden. Wenn jedoch der Kollektor 33 des Transistors Qd in dieser Weise mit der Ausgangsleitung verbunden wird, arbeitet die Schaltung etwas langsamer als die in F i g. 2 dargestellte Schaltung.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

  1. Patentansprüche:
    t. Transistor-Treiberschaltung mit zwei in Reihe liegenden, abwechselnd leitenden Ausgangstransistoren und einer Beschleunigungsschaltung zur Verbesserung der Abschalteigenschaften des einen Ausgangstransistors, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungsschaltung (Q 5, Q 6, 34; F i g. 2) kapazitiv mit dem ersten Ausgangstransistor CC* 3) gekoppelt und direkt mit der Basis des zweiten Ausgangstransistors (Q4) verbunden ist, um die in dessen Elektrodenkapazitäten gespeicherten Ladungsträger beim Sperren dieses Ausgangstransistors rasch abzuführen und ihn dadurch schnell nichtleitend zu machen.
  2. 2. Transistor-Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungsschaltung einen Beschleunigungstransistor (QS) enthält, dessen Kollektor mit der Basis (21) des zweiten Ausgangstransistors (Q4) verbunden und dessen Emitter an das Bezugspotential angeschlossen ist, während seine Basis kapazitiv mit der des ersten Ausgangstransistors gekoppelt ist.
  3. 3. Transistor-Treiberschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die kapazitive Kopplung der Basis des Beschleunigungstransistors mit der des ersten Ausgangstransistors über einen zu einer Dicke verdrahteten Transistor (Q 6) erfolgt.
  4. 4. Transistor-Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Beschleunigungstransistors über eine Impedanz (34) mit dem Bezugspotential verbunden ist.
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