DE3012812A1 - Elektronischer schalter - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf
einen elektronischen Schalter mit einem Signaleingang, einem Signalausgang und einem Schalteingang, einem ersten
Transistor, dessen Emitter-Elektrode mit dem Signaleingang verbunden ist, dessen Basis-Elektrode mit dem Schalteingang
gekoppelt ist, um den ersten Transistor wahlweise in den leitenden Zustand und aus dem leitenden Zustand zu schalten,
und dessen Kollektor-Elektrode mit einem Strompunkt verbunden ist, sowie einem einen gleichrichtenden Halbleiterübergang
enthaltenden Schaltelement, das zwischen den Signaleingang und dem Signalausgang aufgenommen ist, um einen dem
Signaleingang zugeführten Strom zu leiten, wenn der erste Transistor nichtleitend ist, wobei dieses Schaltelement mit
einem ein konstantes Potential führenden Punkt derart gekoppelt ist, dass, wenn dieses Schaltelement infolge des
Ausschaltens des ersten Transistors leitend wird, die Emitter-Elektrode des ersten Transistors ein vorher bestimmtes
erstes Potential führt, während dann, wenn dieses Schaltelement infolge des Einschaltens des ersten Transistors
nichtleitend wird, die Emitter-Elektrode des ersten Transistors ein vorher bestimmtes zweites' Potential führt.
Derartige Schalter werden u.a.
in Digital/Analog-Umsetzern dazu benutzt, in Abhängigkeit
von dem digitalen Signal eine Anzahl sich als eine binäre Reihe verhaltender Ströme auf einen Ausgang zu schalten
(siehe dazu u.a. "Electronic Products", 18. Dezember 1972, S. 57 - 63, insbesondere Fig. 4). Der kleinste zu schaltende
Strom im Verhältnis zu dem grössten zu schaltenden Strom wird dann durch die Anzahl Bits des digitalen Signals und
somit durch das Maximum des analogen Signals bestimmt. Bei z.B. einem maximalen Ausgangsstrom von k mA ist bei einem
14-Bit-D/A-Umsetzer der kleinste Strom gleich + 250 nA. Dies
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bedeutet, dass an die Genauigkeit des elektronischen
Schalters hohe Anforderungen gestellt werden. Ein
geeigneter Schaltertyp ist der eingangs genannte Typ,
bei dem vorzugsweise das genannte Schaltelement eine Diode ist, während die genannte Kopplung mit dem ein konstantes
Potential führenden Punkt dadurch hergestellt werden kann, dass der Signalausgang mit dem Eingang eines gegengekoppelten
Operationsverstärkers verbunden wird, wobei dieser Eingang einen virtuellen Erdungspunkt bildet.
Es stellt sich aber heraus, dass der genannte Schalter in z.B. der genannten Anwendung
nicht genügend schnell ist. Nach einer der Erfindung zugrunde liegenden Erkenntnis beruht dies auf der Tatsache,
dass, um das genannte Schaltelement, insbesondere eine Diode, in den leitenden Zustand und aus dem leitenden
Zustand zu steuern, ein Spannungshub an der Emitter-Elektrode des ersten Transistors und somit am Signaleingang
erforderlich ist. Mit dem Signaleingang ist eine Eingangsstromquelle verbunden, die eine Streukapazität, in den
meisten Fällen eine Kollektorkapazität, eines in der Stromquelle vorhandenen oder mit dieser Quelle in Reihe liegenden
Transistors aufweist. Diese Streukapazität muss dem
genannten Spannungshub folgen und wird dazu von der Eingangsstromquelle
aus beim Einschalten des Schaltelements entladen. Eine solche Streukapazität kann z.B. 3 pF betragen,
während der Spannungshub infolge des Schaltens Z0B. 400 mV betragen kann. Wenn der Signalstrom klein ist und
z.B. den genannten Wert von 250 nA aufweist, beansprucht
dieses Aufladen verhältnismässig viel Zeit, weil der Ladestrom höchstens gleich dem Signalstrom und die Einschal
tzeit also mindestens gleich —— ist, wobei C
diesen Kapazitätswert, AV den Spannungshub und I die
Signalstromstärke darstellen. Im genannten Zahlenbeispiel beträgt diese maximale Einschaltzeit denn auch 5 /Usec;
/
dies ist in vielen Anwendungen viel zu lang.
Die Erfindung hat die Aufgabe, einen elektronischen Schalter der eingangs erwähnten Art zu
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.5-
schaffen, dessen Einschaltzelt wesentlich kürzer ist,
und ist dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Widerstand zwischen den Signaleingang und den Verbindungspunkt
der Emitter-Elektrode des ersten Transistors und des Schaltelements aufgenommen ist; und dass der Signaleingang
mit einer synchron mit dem ersten Transistor geschalteten Stromquelle verbunden ist, die im leitenden Zustand des
ersten Transistors einen zusätzlichen Strom, der über den ersten Widerstand und den ersten Transistor fliesst, dem
Signaleingang mit einer derartigen Stärke zuführt, dass der von diesem Strom über dem ersten Widerstand erzeugte
Spannungsabfall im wesentlichen den Unterschied zwischen dem genannten ersten und dem genannten zweiten Potential
ausgleicht.
Durch die Massnahme nach der Erfindung tritt der genannte Spannungshub am Signaleingang
nicht auf und damit ist das genannte Problem gelöst.
Um eine gute Synchronisation der geschalteten Stromquelle und des Schaltens des ersten
Transistors sicherzustellen, kann die Erfindung weiter dadurch gekennzeichnet sein, dass die geschaltete Stromquelle
einen zweiten und einen dritten Transistor enthält, deren Emitter-Elektroden gemeinsam mit einer Stromquelle
verbunden sind, während die Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors mit dem Signaleingang und die Kollektor-Elektrode
des dritten Transistors mit der Basis-Elektrode verbunden ist, wobei diese Basis-Elektrode über einen
zweiten Widerstand mit einem Punkt verbunden ist, der ein derartiges Potential führt, dass der erste Transistor,
wenn der dritte Transistor nicht-leitend ist und, wenn dieser dritte Transistor leitend ist, nichtleitend ist.
Eine Ausführungsform der
Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen bekannten Analog-/ Digital-Umsetzer mit elektronischen Schaltern,
Fig. 2 die Schaltdurchlasskennlinie der in der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 verwende-
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■ toten elektronischen Schalter,
Fig. 3 einen nach der Erfindung verbesserten elektronischen Schalter, und
Fig. k eine Schaltung, die zwischen den Punkten 10
und 11 in der Kollektorleitung des Transistors T in der
_?
Schaltung nach Fig. 3 zur Verbesserung der Sehaltgeschwindigkeit
angeordnet werden kann.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel der Anwendung eines
elektronischen Schalters S in einem Digital/Analog-Umsetzer. Dieser enthält eine Anzahl genauer Stromquellen CS, die
Ströme führen, deren Stärken sich zueinander gemäss der Reihe 1:2:4:...2 verhalten, von denen Fig. 1 der
Einfachheit halber drei mit Stromstärken I , 21 und hX
ss s
darstellt. Für z.B. einen 1 4-Bit-A/D-TJmsetzer sind vierzehn
,_ Stromquellen erforderlich. Jede Stromquelle ist über einen
15
elektronischen Schalter (S , S_ und S0) mit einer Summierschaltung
verbunden, die aus einem zwischen dem Ausgang (h)
und dem invertierenden Eingang (—) über einen Widerstand 5 mit einem Wert R1 gegengekoppelten Operationsverstärker A
besteht, dessen nichtinvertierender Eingang (+) mit Masse
verbunden ist. Der invertierende Eingang (-) führt also eine Gleichspanning gleich 0 V und die Ausgangsspannung ist
gleich R .(K + 2K + hK ... nK ) X , wobei K , K ,... bzw.
K gleich 1 oder 0 ist, in Abhängigkeit davon, ob der Schal-
.. ter S1, S0, S0 ... bzw. S geschlossen oder geöffnet ist.
/5 ι d. j n
Zwischen jeweils der Eingangsstromquelle CS und dem zugehörigen Schalter S ist eine Darlingtonkonfiguration mit
Transistoren T_ und T als Trennung zwischen den Schaltern
S und der Stromquelle CS angeordnet; diese Darlington— Konfiguration ist für die Wirkung der Schaltung weiter
nicht besonders interessant.
Jeder der elektronischen Schalter S1 bis S enthält
1 η
einen Transistor T , dessen Emitter mit einem Signaleingang
2 verbunden ist, der über die Darlingtonkonfiguration T0,T
ο,, mit der zugehörigen Signalstromquelle CS verbunden ist,während
der Kollektor des zuerst genannten Transistors mit einan Speiseanschlusspunt +V und seine Basis mit einem Schalteingang
1 verbunden ist.Dar Signaleingarg 2 ist über eine Diode D mit
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einem Signalausgang 3 verbunden, der mit dem invertierenden
Eingang (-) des Operationsverstärkers A verbunden ist.
Wenn die Sehaltspannung am
Schalteingang 1 genügend hoch ist, ist die Diode D1
gesperrt und fliesst der Signalstrom I über den Transistor T1 zu dem positiven Speiseanschlusspunkt +V1-.. Wenn die
Schaltspannung am Schalteingang 1 genügend niedrig ist, ist der Transistor T1 gesperrt und leitet die Diode D1 den
Signalstrom I zu dem Operationsverstärker A. Die Diode · D1 wirkt also tatsächlich als Schalter und wird vom
Transistor T1 gesteuert. Insbesondere für sehr kleine
Signalströme I , die vor allem in sehr genauen Digital/ Analog-Umsetzern auftreten können, stellt sich heraus, dass
sich der in der Schaltung nach Fig. 1 verwendete elektronische Schalter S nicht bewährt, weil die Schaltgeschwindigkeit,
wie gefunden wurde, zu niedrig ist. Dies ist auf die am Signaleingang 2 vorhandene Streukapazität C
zurückzuführen, die im vorliegenden Beispiel im wesentlichen durch die Kollektorkapazitäten der Transistoren T„ und T-gebildet
wird, die aber beim Fehlen der Darlingtonkonfiguration T„, T„ durch die Ausgangskapazität der Signalstromquelle
CS gebildet wird.
Fig. 2 zeigt die Zeitbeziehung zwischen der Schaltspannung V„ am Schalteingang 1 des
Schalters S1 und dem Strom I„ am Ausgang 3 des Schalters
S1. Wenn zum Zeitpunkt t die Spannung Va am Schalteingang
1 vom Pegel H auf den Pegel L herabgesetzt wird, wird der Transistor T1 gesperrt. Damit die Diode D1 leitend
werden kann, soll dann die Spannung am Signaleingang 2 abnehmen, was nur durch Entladung der Streukapazität C
erzielt werden kann, die, solange die Diode D noch nicht
leitend ist, von der Stromquelle CS mit einem Strom I entladen wird. Die günstigste Situation ist dabei diejenige,
in der der Pegel H derart ist, dass, wenn der Transistor T1 leitend ist, die Spannung am Signaleingang 2
gerade derart ist, dass die Diode D1 eben nicht leitend
ist ο In diesem Falle ist der Spannungshub am Eingang 2
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11.11.1979 # PHN
■?·
beim Umschalten minimal. Die Schaltzeit T kann einfach
dadurch berechnet werden, dass angenommen wird, dass während der Umschaltung die Kapazität C vom vollständigen
Strom I entladen wird, was tatsächlich nicht der Fall ist, weil, je nachdem die Diode D1 weiter in den leitenden
Zustand gelangt, ein zunehmender Teil des Stroms I„ durch
die Diode D1 fliesst. Für diese so definierte Umschaltzeit
T gilt:
S T = CAV
s s £-^ , wobei C der Kapazitätswert der
-y. S
s
Streukapazität C und /^ V der Spannungshub am Eingang 2
sind. In der Praxis kann /\ V einen Wert von 4OO mV, I„
einen Wert gleich 250 nA und C einen Wert gleich 3 pF
aufweisen, was einen Wert gleich 4,8 /usec für die Schaltzeit
T ergibt; dieser Wert ist für schnelle D/A-Umsetzer
viel zu gross.
Fig. 3 zeigt einen Schalter S
nach der Erfindung. Dieser enthält, wie der Schalter S in Fig. 1, den Transistor T-, die Schaltdiode D , den
Signaleingang 2 und den Signalausgang 3. Nach der Erfindung ist ein Widerstand R„ zwischen den Signaleingang 2 und den
Verbindungspunkt des Emitters des Transistors T1 und der
Diode D- aufgenommen.
Nach der Erfindung soll durch den Widerstand 8 ein Strom I geschaltet werden, wobei
zu gleicher Zeit der Transistor T1 in den leitenden Zustand
geschaltet wird, und wobei dieser Strom einen derartigen Wert aufweist, dass die Spannung am Signaleingang 2 sich im
wesentlichen nicht ändert. Um die Gleichzeitigkeit des Schaltens des Stroms I durch den Widerstand 8 mit einem
Wert Rp und des Schaltens des Transistors T1 sicherzustellen,
ist in der Schaltung nach Fig. 3 ein Differenzpaar mit Transistoren Tj, und T_ angeordnet, deren gemein-
samer Emitteranschluss mit der Stromquelle 7» die einen
Strom I führt, verbunden ist. Die Basis-Elektroden der Transistoren Tr und T_ führen zu einem Schalteingang (5
und 6). Der Kollektor des Transistors T5 ist mit dem
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• vl '
Signaleingang 2 und der Kollektor des Transistors T^
ist mit der Basis des Transistors T1 verbunden, die
über einen ¥iderstand 9 mit einem Wert R„ mit einem an
einer Bezugsspannung V liegenden Punkt verbunden ist.
Wenn die Spannung an der Basis des Transistors Tr gegenüber der an der Basis des
Transistors T_ hoch ist, fliesst der Strom I über den
Transistor Tr und den Widerstand 9 zu V und ist der
Transistor T1 bei einer richtigen Bemessung des Wider-Standes
91 des Stroms I und der Spannung V gesperrt, wodurch der Signalstrom I über die Diode D1 fliesst. Wenn
S I
die Spannung an der Basis des Transistors T^ genügend niedrig
gegenüber der Spannung an der Basis des Transistors T^
ist, fliesst kein Strom (abgesehen von dem Basisstrom des Transistors T1) durch den Widerstand 9 und ist bei einem
richtigen Wert der Spannung V der Transistor T1 leitend.
Der Strom I fliesst dann durch den Transistor T1-, den
Widerstand 8 und den Transistor T1, während der Signalstrom
I durch den Widerstand 8 und den Transistor T1 fliesst.
Wenn der Widerstand 9 einen richtigen Wert R„ aufweist, ist
die Spannung am Eingang 2 von dem Schaltzustand des
Transistors T1 unabhängig und fliesst der Signalstrom I
ι s
beim Ausschalten des Transistors T1 nahezu sofort über die
Diode D1 zum Signalausgang 3» weil beim Fehlen eines Spannungshubs
am Signaleingang 2 die Streukapazität C am Eingang nicht aufgeladen oder entladen wird. Dabei sei
bemerkt, dass eine etwaige Streukapazität am Kollektor des
Transistors Tl die Schaltgeschwindigkeit nahezu nicht
beeinflusst, weil diese Streukapazität genügend schnell entladen werden kann, wenn der Strom I genügend gross
gewählt wird.
Für die Bemessung der Widerstände
8 und 9» des Stromes I und der Spannung V können
die folgenden Regeln gegeben werden:
Die Spannung am Eingang 2 muss konstant bleiben, was zu der Gleichung führt:
1· Vo = Vbe - Vd + 1O1V
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11.11.1979 / ·/(θ ' PHN 94ο4
in der V, die Spannung über dem Basis-Emitter-Ubergang des Transistors T1 bei der Leitung des Stromes I +1
und V, die Spannung über der Diode D1 bei der Leitung des
Stromes I dars-tellen. Weiter muss gelten, dass die Spannung V genügend hoch sein muss, damit bei leitendem
Transistor T^ auch der Transistor T1 leitend oder die
Diode D1 nichtleitend ist, was zu der Anforderung führt:
2· Vo
> Vbe·
¥enn der Transistor Tr leitend ist, müssen der Transistor
T1 nichtleitend und die Diode D1 leitend sein, was zu der
Forderung führt:
Diese Forderungen werden z.B. dadurch erfüllt, dass:
V=V,
ο be
ο be
I0R2 = Vd
1O1S >
Vbe + Vd
gewählt werden.
gewählt werden.
Bei der obenstehenden Betrachtung
wurde davon ausgegangen, dass die Diode D nichtleitend
ist, wenn die Spannung V, über der Diode D1 gleich 0 V ist,
und dass es weiter für den nichtleitenden Zustand des Transistors T1 erforderlich ist, dass die Basis-Emitterspannung
V, gleich 0 V ist. Daraus folgt für V ein Mindestwert gleich der Basis-Emitterr-Spannung V, und ein
Minde st spannungshub gleich V, + V, über dem Widerstand 9·
De ο.
Die Spannung V und der Spannungshub I R_ können in der
Praxis erheblich kleiner gewählt werden, wenn im ausgeschalteten Zustand des Transistors T1 oder der Diode D
noch ein gewisser Rest strom durch den Transistor T.. oder
die Diode D1 zugelassen wird. Im allgemeinen kann statt der
Diode D1 zwischen den Eingang 2 und den Ausgang 3 auch der
Hauptstromweg eines Transistors, dessen Steuerelektrode mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, aufgenommen
werden, wodurch dann der Signalstrom I an einem hochohmigen Ausgang 3 zur Verfugung steht. Im dargestellten
Ausführungsbeispzel kann, weil der Ausgang 3 mit dem virtuellen Erdungspunkt (dem invertierenden Eingang des
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12.11.1979 Ai PHN
Operationsverstärkers) verbunden ist, eine Diode verwendet werden, was zu bevorzugen ist, weil, wenn ein Bipolartransistor
statt einer Diode D1 verwendet werden würde, der
Basisstrom dieses Transistors eine Ungleichheit zwischen den Strömen am Eingang 2 und am Ausgang 3 herbeiführen
würde?
Wenn für die Strommessung statt des Operationsverstärkers
A z.B. ein Widerstand zwischen der Diode D-j
und einem Punkt konstanten Potentials verwendet werden 1D würde, kann die am Eingang 2 auftretende Spannungsänderung
über dem Widerstand infolge des geschalteten Signalstroms I ebenfalls durch passende Wahl des Widerstandes 8 ausge-
glichen werden.
Die Schaltgeschwindigkeit der Schaltung nach Fig.3 1tj wird noch dadurch beschränkt, dass eine Umschaltung des
Stromes I von dem Transistor Tr1 auf den Transistor Το
4 5
direkt am Punkt 2 über den Kollektor des Transistors T_
erscheint und über die Basisdiffusionskapazität des Transistors T1 und des Widerstandes 8 in ausgleichendem
2D Sinne verzögert wird. Dieses Problem kann dadurch gelöst
werden, dass in der Kollektorleitung des Transistors Tn.
zwischen den Punkten 10 und 11 ein zusätzlicher Transistor T^ angeordnet wird. Da die Basisdiffusionskapazität des
Transistors T1 von dem Emitterstrom abhängig ist, kann
2g diese dadurch verkleinert werden, dass der Kollektorstrom
des Transistors T1. verkleinert wird. Wegen der Schaltgeschwindigkeit
kann jedoch der Strom I nicht verkleinert
werden. Eine Lösung besteht darin, den genannten
Transistor T^ durch einen Stromteiler zu ersetzen. Dieser
6
Stromteiler, der zwischen den Punkten 10 und 11 in der
Schaltung nach Fig. 3 angeordnet werden kann, ist in Fig. k
dargestellt. Dabei ist der Kollektor des Transistors T„ mit der Speisespannung verbunden und sind die Basis-Elektroden
der Transistoren Ts und T~ mit einem an der
ο 7
BezugsSpannung V liegenden Punkt (z.B. dem Punkt V
in Fig. 1) verbunden. Die beschriebene Bemessung des Widerstandes 8 soll bei Anwendung dieser Massnahme um einen
Faktor, der die Inverse des Stromteilungsfaktors der
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Ig
Transistoren Tg und T7 ist, vergrössert werden.
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Claims (4)
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PATENTANSPRÜCHE :
Elektronischer Schalter mit
einem Signaleingang, einem Signalausgang und einem Schalteingang, einem ersten Transistor, dessen Emitter-Elektrode
mit dem Signaleingang verbunden ist, dessen Basis-Elektrode mit dem Schalteingang gekoppelt ist, um
den ersten Transistor wahlweise in den leitenden Zustand und aus dem leitenden Zustand zu schalten, und dessen
Kollektor-Elektrode mit einem Strompunkt verbunden ist, und einem einen gleichrichtenden Halbleiterübergang enthalten—
'" den Schaltelement, das zwischen den Signaleingang und den
Signalausgang aufgenommen ist, um einen dem Signaleingang zugeführten Strom zu leiten, wenn der erste Transistor
nichtleitend ist, wobei dieses Schaltelement mit einem ein konstantes Potential führenden Punkt derart gekoppelt ist,
dass, wenn dieses Schaltelement infolge des Ausschaltens des ersten Transistors leitend wird, die Emitter-Elektrode
des ersten Transistors ein vorher bestimmtes erstes Potential führt, während, wenn dieses Schaltelement infolge des
Einschaltens des ersten Transistors nichtleitend wird, die
Emitter-Elektrode des ersten Transistors ein vorher bestimmtes zweites Potential führt, dadurch gekennzeichnet,
dass ein erster Widerstand (Rp) zwischen den Signaleingang
(2) und den Verbindungspunkt der Emitter-Elektrode des
ersten Transistors (T1) und des Schaltelements (D1)
/ \
aufgenommen ist; und dass der Signaleingang \2) mit einer
synchron mit dem ersten Transistor (T1) geschalteten Stromquelle
verbunden ist, die im leitenden Zustand des ersten Transistors (T1) einen zusätzlichen Strom, der über den
ersten Widerstand (R?) und den ersten Transistor (T1)
fliesst, dem Signaleingang (s) mit einer derartigen Stärke zuführt, dass der von diesem Strom über dem ersten Widerstand
(Rp) erzeugte Spannungsabfall im wesentlichen den
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12.11.1979 2 PHN 9^04
Unterschied zwischen dem ersten und dem zweiten Potential ausgleicht.
2. Elektronischer Schalter nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass die geschaltete Stromquelle einen zweiten (tJ und einen dritten (τ_) Transistor enthält,
deren Emitter-Elektroden gemeinsam mit einer Stromquelle (7) verbunden sind und deren Basis-Elektroden den genannten
Schalteingang (5, 6) bilden, wobei die Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors (T_) mit dem Signaleingang (s) und
die Kollektor-Elektrode des dritten Transistors (Tl) mit
der Basis-Elektrode des ersten Transistors (T1) verbunden
ist, wobei diese Basis-Elektrode über einen zweiten Widerstand (r„) mit einem Punkt verbunden ist, der ein derartiges
Potential führt, dass der erste Transistor (T1) im nichtleitenden
Zustand des dritten Transistors (Tn) leitend und
im leitenden Zustand dieses dritten Transistors nichtleitend ist.
3. Elektronischer Schalter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Kollektor des zweiten
Transistors und dem Signaleingang die Hauptstrombahn eines vierten Transistors, dessen Emitter-Elektrode mit der
Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors und dessen Basis-Elektrode mit einem an der Bezugsspannung liegenden
Punkt verbunden ist, angeordnet ist.
4. Elektronischer Schalter nach Anspruch 3> dadurch gekennzeichnet, dass der vierte Transistor zusammen mit einem
fünften Transistor als Stromteilerschaltung geschaltet ist, wobei die Emitter- bzw·. Basis-Elektrode dieses^fünften
Transistors mit der Emitter- bzw. Basis-Elektrode des vierten Transistors verbunden ist.
0300A3/0734
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