DE2620187B2 - Monostabile Multivibratorschaltung - Google Patents
Monostabile MultivibratorschaltungInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 44
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Description
Die Erfindung betrifft eine monostabile, mit Feldeffekttransistoren
aufgebaute Multivibratorschaltung mit einem Kondensator, einer Ladeanordnung zum Laden
des Kondensators, einer Eingangsanordnung zur Steuerung der Ladeanordnung in Abhängigkeit von einem
Eingangssignal und mit einer Ausgangsanordnung zur Erzeugung eines Ausgangsimpulses,
In zum Beispiel aus der US-Patentschrift 37 19 835
und aus der GS-Patentschrift 9 39 599 bekannten monostabilen Multivibratorschaltungen der vorgenannten
Art wird ein Kondensator über einen Widerstand entladen. Bei der Fertigung der Multivibratorschaltungen
entstehen unterschiedliche Widerstandswerte von Schaltung zu Schaltung, wenn derartige Schaltungen in
Serienfertigung hergestellt werden. Dies hat den Nachteil, daß entsprechend den unterschiedlichen
Widerstandswerten die Ausgangsimpulsbreiten unterschiedlich sind.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine monostabile Multivibratorschaltung aufzuzeigen, in der
die vorgenannten Nachteile vermieden werden.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet daß die Ladeanordnung einen ersten, zweiten und dritten
Feldeffekttransistor enthält, daß der erste und zweite Feldeffekttransistor jeweils mit seinem Quellen-Senken-Pfad
in Serie geschaltet ist und einen Pfad zwischen zwei Anschlüssen einer Energiequelle bildet, daß jeweils
die Tor- und die Senkenelektrode der ersten beiden Transistoren miteinander verbunden sind, daß die
Torelektrode des dritten Feldeffekttransistors mit einem Punkt in dem genannten Pfad verbunden ist und
der dritte Feldeffekttransistor mit seinem Quellen-Senken-Pfad zwischen den ersten Anschluß der Energiequelle
und einen ersten Anschluß des Kondensators geschaltet ist, daß die genannte Eingangsanordnung mit
einem zweiten Anschluß des Kondensators verbunden ist, daß die Ausgangsanordnung mit dem ersten
Anschluß des Kondensators verbunden ist und daß die Schaltung so aufgebaut ist, daß während einer
Operation aufgrund eines Eingangssignals, das an die genannte Eingangsanordnung angelegt wird, ein Ausgangsimpuls
in der Ausgangsanordnung erzeugt wird und der Quellen-Senken-Pfad des dritten Transistors
einen im wesentlichen konstanten Strom liefert wodurch die Ladung des Kondensators beginnt und daß
der Ausgangsimpuls beendet wird, wenn die Spannung
an dem Kondensator einen vorbestimmten Wert
erreicht
Da bei Schaltungen gemäß der Erfindung der
Ladestrom für den Kondensator durch einen Quellen-Senken-Pfad eines Feldeffekttransistors geliefert wird,
dessen Torelektrode mit dem Verbindungspunkt zweier in Serie geschalteter Transistoren verbunden ist, bleibt
die Entladezeit der Kondensatoren in verschiedenen Multivibratorschaltungen im wesentlichen gleich, obwohl
die Transistorenparameter in verschiedenen Kreisen unterschiedlich sind.
Im folgenden wird anhand eines Ausführungsbeispiels die Erfindung im einzelnen mit Hilfe von Zeichnungen
beschrieben. In diesen zeigt
Fig. 1 ein Schaltbild der erfindungsgemäßen monostabilen
Multivibratorschaltung;
F i g. 2 einen Querschnitt eines Kondensators, der in der Schaltung gemäß F i g. 1 verwendet wird und
Fig.3 verschiedene Wellenformen, die während
einer Opertation in der Schaltung gemäß F i g. 1 auftreten können.
Zunächst wird auf F i g. 1 Bezug genommer, in de;·
eine Multivibratorschaltung gemäß der Erfindung dargestellt ist, die einen Vorspannungsschaltungsteil 12
und einen Stromsteuerschaltungsteil 14 enthält Eine Inverterstufe 16 enthält einen mit 18 bezeichneten
Ladetransistor und einen mit 20 bezeichneten Schalttransistor. Die erste Eingangsverbindungsstelle 22
besteht aus einer Verbindung der Quellenelektrode 23 des Transistors 18 mit der Senkenelektrode 24 des
Transistors 20. Ein Zeitgabekondensator 25 liegt zwischen dem genannten ersten Verbindungspunkt 22
und einem zweiten Verbindungspunkt 26. Der Verbindungspunkt 26 ist mit dem Schaltungsteil 14 und mit
einem Ausgangsinverter 28 verbunden. Der Ausgangsinverter
28 enthält auch einen Lade- bzw. Lasttransistor 30 und einen Schalttransistor 32. Der Ausgang 34 liegt
an einem dritten Verbindungspunkt 36, der die Quellenelektrode 38 des Transistors 30 mit der
SenkenelektroHe 40 des Transistors 32 verbindet
Die Schaltung gemäß F i g. 1 ist mit einer nicht gezeigten Energiequelle verbunden, die an den Anschluß
44 eine Spannung mit einem ersten Pegel anlegt, dessen Wert negativer als der Wert einer an den
Anschluß 46 angelegten Spannung, die mit einem zweiten Pegel angelegt wird, ist Bei eirem bevorzugten
Schaltungsaufbau wird an den Anschluß 44 eine Spannung von —24 Volt und an den Anschluß 46
Massepotential angelegt
Der in F i g. 1 gezeigte Vorspannungsschaltungsteil 12 M
enthält einen ersten Transistor 50 und einen zweiten Transistor 51 Der erste Transistor 50 enthält eine
Senkenelektrode 54, eine Quellenelektrode 56 und eine Torelektrode 58. Die Senkenelektrode 54 ist mit dem
Anschluß 44 verbunden und die Torelektrode 58 mit der Senkenelektrode 54. Der Transistor 52 enthält eine
Senkenelektrode 60, eine Quellenelektrode 62 und eine Torelektrode 64. Die Torelektrode 64 ist mit der
Senkenelektrode 60 und die Quellenelektrode 56 mit dem Verbindungspunkt 66 verbunden. Die Quellenelektrode
62 des Transistors 52 ist mit dem positiveren Anschluß 46 verbunden.
Am Verbindungspunkt 66 entsteht ein Spannungspegel, der an die Torelektrode 68 eines Transistors 70 im
Stromsteuerteil 14 zugeführt wird. Der Transistor 70 enthält eine Senkenelektrode 72 und eine Quellenelektrode
74. Die Quellenelektrode 74 des Transistors 70 ist mit dem Dositiveren Anschluß 46 verbunden. Die
Der Ladetransistor 18 der Inverterstufe 16 enthält eine Torelektrode 76, die mit der Senkenelektrode 78
des gleichen Transistors verbunden ist Die beiden zuletzt erwähnten Elektroden liegen an dem negativeren
Anschluß 44, der mit einer Energiequelle verbunden ist Der Schalttransistor 20 der Inverterstufe 16 enthält
eine Torelektrode 80 und eine Quellenelektrode 82. Die Quellenelektrode 82 liegt am positiveren Anschluß 46,
der mit dem anderen Pol der Energiequelle verbunden ist An die Torelektrode 80 werden die in Fig.3A
gezeigten Eingangsimpulse über einen Anschluß 83 angelegt.
Der Kondensator 25 in F i g. 1 enthält einen ersten Anschluß 90, der mit dem Verbindungspunkt 22
verbunden ist und einen zweiten Anschluß 92, der mit dem Verbindungspunkt 26 verbunden ist
Der Ladetransistor 30 im Ausgangsinverter 28 enthält eine Torelektrode 94, die mit der Senkenelektrode 96
des gleichet, Transistors verbunden ist Beide der genannten Elektroden liegen an &~m negativeren
Anschluß 44. Der Schalttransistor 32 des Ausgangsinverters 28 enthält eine Torelektrode 98, die mit der
Senkenelektrode 72 verbunden ist Eine Quellenelektrode 100 des Schalttransistors 32 liegt an dem positiveren
Anschluß 16 der nicht gezeigten Energiequelle.
Im folgenden wird auf F i g. 3 Bezug genommen, in der eine Anzahl von Wellenformen A bis D gezeigt sind,
die in der in F i g. 1 gezeigten Schaltung auftreten können. Die Wellenform A zeigt die Eitigangsimpulse,
die an den Anschluß 83 angelegt werden. Die Wellenform B zeigt die bei A gezeigten invertierten
Impulse, die am Ausgang des Inverters 16 entstehen.
Während der Zeitperiode, die mit 7Ό beginnt und mit
71 endet, schaltet ein Eingangsimpuls den Transistor 20 durch, und die Spannung am Verbindungspunkt 22 steigt
an in Richtung eines Vss-Pegels, der sich 0 Volt nähert
Letzterer entsteht am Anschluß 46. Während der Zeitperiode, die mit T\ beginnt und mit Tj/7J endet wird
der Transistor durch ein Eingangssignal gesperrt und die SDannung Vdd am Verbindungspunkt 22 fällt in
Richtung —24 Volt am Anschluß 44 und erreicht —20 Volt
Die Wellenform C zeigt die am Kondensator bzw. am Verbindungspunkt 26 auftretende Spannung. Die
Wellenform D entsteht an dem Ausgang 34.
Im Vorspannungsschaltungsteil 12 wird eine Vorspannung
erzeugt die dem Transistor 70 im Stromsteuerteil 14 zugeführt wird, wodurch in diesem ein Strom
erzeugt wird, der unabhängig von der am Verbindungspunkt 26 auftretenden Spannung ist und von der
Leitfähigkeit der Schaltung. Diese Unabhängigkeit wird
dadurch erreicht daß die drei Transistoren 50,52 und 70 auf dt. η gleichen Chip erzeugt werden und die
Änderungen in einem Bauteil die in den anderen Elementen vorhandenen Veränderungen kompensieren.
Der durch den Vorspannungsschaltungstei) oder in dem Stromspiegel fließende Strom ist auf einen konstanten
Wert festgelegt. D^r Stromfluß wird durch die einzelnen
Elemente bzw. durch deren Geometrie festgelegt In einem bevorzugten Schaltungsaufbau weist der Transistor
70 eine Torelektrode 68 auf, die einhnndermal
kleiner als die Torelektrode 64 des Transistors 52 im Vorspannungsschaltungsteil ist Somit ist der durch den
Transistor 70 fließende Strom hundertmal kleiner als der durch den Transistor 52 fließende Strom. In dieser
Weise kann ein konstanter Stromfluß durch den Transistor 70 erzeugt werden, der durch die Geometrie
und/oder Größe des Elementes bestimmt wird.
Die Inverterstufe 16 führt eine Invertierungsfunktion durch, in der das am Verbindungspunkt 22 auftretende
Signal die Umkehrung des an den Anschluß 83 angelegten Impulses darstellt
Der Kondensator 25 liegt zwischen dem Stromsteuerkreis 14 und dem Verbindungspunkt 22. Die Funktion
des Kondensators 25 besteht darin, die Zeitperiode der Atisgangsimpulse festzulegen, basierend auf der Zeit, die
benötigt wird, um den Kondensator 25 auf einen vorbestimmten Spannungspegel durch den Stromsteuerleil
14 aufzuladen.
Der Ausgangsinverter 28 erfüllt zwei Funktionen, nämlich die einer Pufferstufe und die einer Ausgangstreiberstufe
zur Erzeugung eines Ausgangsimpulses am Verbindungspunkt 36, dessen Zeit zumindest so lang ist,
wie das am Verbindungspunkt 26 zur Einschaltung des Transistors 32 vorhandenen Signals.
Der Schalttransistor 32 wird zuerst leitend geschaltet. wexin ein I ingangsimpuls an den Anschluß 8J angelegt
wird, durch den der Transistor 20 gesperrt wird; dadurch wird bewirkt, daß die Spannung am Verbindungspunkt
22 auf — 20 Volt gebracht wird, wie aus F i g. 3B ersichtlich ist. Die Spannung an der Torelektrode
98 des Ausgangsschalttransistors 32 steigt nun auf einen Wert an, der bestimmt wird durch die
Spannungsteilung zwischen dem Spannungsabstieg am Kondensator 25 und dem Spannungsabstieg an der
Torkapazität der Torelektrode 98. Die Spannungsänderung am Verbindungspunkt 26 ist mit der Bezugszahl
101 in der Wellenform gemäß Fig. 3C bezeichnet. In
einem bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt diese Spannungsänderung ungefähr —14 Volt, die ausreicht,
um den Schalttransistor 32 einzuschalten, so daß der Spannungspegel am Verbindungspunkt 36 von —20
Volt auf 0 Volt ansteigt, wie durch die Linie 102 in der Wellenform gemäß F i g. 3D gezeigt ist.
Der Kondensator 25 wird nun, wie durch das Bezugszeichen 104 in Fig. 3C angezeigt ist. geladen.
Die Spannung am Verbindungspunkt 26 erreicht den Punkt 106 in Fig. 3C. wodurch der Schwellwertpegel
des Schalttransistors 32 erreicht wird und dieser ausgeschaltet wird, wie durch die Linie 108 in Fig. 3D
angezeigt ist.
Im folgenden wird auf F i g. 1 und 3 Bezug genommen und der stabile Zustand der Schaltung erläutert. Der
Vorspannungsschaltungsteil 12 ist leitend und erzeugt einen vorbestimmten Spannungspegel am Verbindungspunkt 66, der an der Torelektrode 68 des Transistors 70
anliegt Der Transistor 70 leitet nicht, da die Spannung am Verbindungspunkt 26 etwa 0 Volt beträgt.
Die am Anschluß 83 anliegenden Impulse sind in F i g. 3A dargestellt. Der Spannungspegel der Eingangsim
pulse beträgt etwa —20 Volt Diese —20 Volt sind ausreichend, um den Transistor 20 einzuschalten,
wodurch bewirkt wird, daß Strom zwischen dem negativen Pegel am Anschluß 44 der Energiequelle über
den Transistor 18 und den Transistor 20 zu dem mit Masse verbundenen Anschluß 46 der Energiequelle
fließt
Die Ausgangsinverterstufe 28 ist ausgeschaltet, da die
Torelektrode 98 des Ausgangstransistors 32 mit dem Verbindungspunkt 26 verbunden ist der etwa auf 0 Volt
ließt, so daß dadurch der Schalttransistor 32 nicht eingeschaltet werden kann. Es wird nochmals darauf
hingewiesen, daß der Transistor 20 leitend ist da an
seine Torelektrode 80 ein Signal angelegt wird und der Transistor 32 ausgeschaltet ist da ein Betätigungssignal
an seiner Torelektrode 98 nicht vorhanden ist.
Zur Zeit Ti steigt die Spannung, wie in Fig. 3A
gezeigt ist, von —20 Volt auf 0 Volt, wodurch der Transistor 20 gesperrt wird. Die Spannung am
Verbindungspunkt 22 geht in Richtung negativer Spannungspegel der Energiequelle, und diese Spannung
wird unmittelbar durch den Kapazitätswert des Kondensators 25 und der Torkapazität der Torelektrode
98 des Ausgangstransistors 32 geteilt. Die Spannung
ίο am Verbindungspunkt 26 geht auf —14 Volt, die nicht
ausreicht um den Schalttransistor 32 einzuschalten, wodurch der Spannungspegel am Verbindungspunkt 36
und am Ausgang 34 ansteigt in Richtung eines Spannungspegels, der durch die positivere Spannung
ιr) der Energiequelle angezeigt wird.
In dieser Weise wird der Kondensator 25 zwischen die positivere Spannung am Anschluß 46 durch den
Transistor 70 und die negativere Spannung am Anschluß 44 durch den Ladetransistor 18 geschaltet.
Der Strom, der nun in diesem den Kondensator 25 enthaltenen Pfad fließt und der den Kondensator ladet,
fließt mit einer konstanten Rate infolge des konstanten Stromflusses von dem Stromsteuerteil 14. Dies ist durch
die Linie 104 in der Wellenform gemäß F i g. 3C gezeigt.
Wenn die Ladung in dem Kondensator die bei 106 in der
Wellenform gemäß Fi g. 3C angedeuteten Wert enthält, schaltet der Transistor 32 ab, und die Ausgangswellenform
geht auf —20 Volt herunter, wie durch die Linie 108arie,-iizeigtist.
Die Breite des Ausgangsimpulses kann durch Veränderungen der unterschiedlichen Parameter in dem
dargestellten Kreis verändert werden. Der Wert des Stromes in der Kapazität einschließlich der Kapazität
des Transistors 32 kann ebenso verändert werden.
Während der Wert des Kondensators 25 verändert werden kann, ist es in mikroelektronischen Schaltungen
wünschenswert den Wert auf nur einigen Picofarad zu halten. Um eine Kondensatorkonstruktion verwenden
zu können, die einen derart niedrigen Kapazitätswert aufweist und mit der trotzdem Ausgangsimpulse in der
Größenordnung von 10 Mikrosekunden erzeugt werden können, sollte der Ladestrom des Kondensators auf
einen sehr niedrigen Wert, z. B. 1 Mikroampere, gehalten werden. Ein derart niedriger konstanter Strom
*5 kann durch den Kondensator 70 erzeugt werden, der
zusammen mit dem Vorspannungsschaltungsteil 12 eine niedrige Konstantstromquelle bildet
Ein weiterer Vorteil des vorangehend beschriebenen Multivibrators ist es, daß die Ausgangsimpulsbreite im
so wesentlichen unabhängig von der Spannungsänderung der Energiequelle ist, da für den Kondensator 25 eine
Konstantstromquelle verwendet wird.
Im folgenden wird anhand von Fig.2, in der im Schnitt der Aufbau des Kondensators 25 gezeigt äst, der
Kondensator 25 im einzelnen beschrieben. Der Kondensator
25 besteht aus einem MOS-Kondensator. Er enthält eine P+-Diffusion in einem Substrat 122 und
eine Metallschicht 124, die von der P+-Diffusion durch eine Oxidschicht 126 getrennt ist Die Stärke der
Oxidschicht 126 kann exakt gesteuert werden, wodurch eine Reduzierung der Ausgangsimpulsbreite des Multivibrators
bewirkt wird.
Während in dem hier beschriebenen Beispiel mit negativen Spannungen und einer entsprechenden
P-Kanal-Vorrichtung gearbeitet wurde, ist es selbstverständlich
möglich, an deren Stelle positive Spannungen und N-Kanal-Elemente zu verwenden.
Claims (6)
1. Monostabile, mit Feldeffekttransistoren aufgebaute
Multivibratorschaltung mit einem Kondensator, einer Ladeanordnung zum Laden des Kondensa- s
tors, einer Eingangsanordnung zur Steuerung der Ladeanordnung in Abhängigkeit von einem Eingangssignal
und mit einer Ausgangsanordnung zur Erzeugung eines Ausgangsimpulses, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ladeanordnung einen ersten (52), zweiten (50) und dritten (7'O)
Feldeffekttransistor enthält, daß der erste (52) und
zweite (50) Feldeffekttransistor jeweils mit seinem Quellen-Senken-Pfad in Serie geschaltet ist und
einen Pfad zwischen zwei Anschlüssen (46,44) einer is
Energiequelle bildet, daß jeweils die Tor- und die Senkenelektrode der ersten beiden Transistoren (32,
50) miteinander verbunden sind, daß die Torelektrode des dritten Feldeffekttransistors (70) mit einem
Punkt (66) in dem genannten Pfad verbunden ist, der dritte Feldeffekttransistor mit seinem Quellen-Senken-Pfad
zwischen den ersten Anschluß (46) der Energiequelle und einen ersten Anschluß (92) des
Kondensators (25) geschaltet ist, daß die genannte Eingangsordnung mit einem zweiten Anschluß (90)
des Kondensators (25) verbunden ist, daß die Ausgangsanordnung (28) mit dem ersten Anschluß
(92) des Kondensators (25) verbunden ist und daß die Schaltung so aufgebaut is», daß während einer
Operation aufgrund eines Eingangssignals, das ;in die genannte Eingangsanordnung (16) angelegt wird,
ein Ausgangiimpuls in der Ausgangsanordnung (28) erzeugt wird und dir Qu. "Jen-Senken-Pfad des
dritten Transistors (70) einen im wesentlichen konstanten Strom liefert, wodi ch die Ladung des
Kondensators (25) beginnt und daß der Ausgangsiinpuls
beendet wird, wenn die Spannung an dem Kondensator (25) einen vorbestimmten Wert erreicht.
2. Monostabile Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsanordnung
(16) einen vierten (20) und einen fünften (IiB) Feldeffekttransistor enthält, daß der vierte (2y)
Feldeffekttransistor mit seinem Quellen-Senken-Pfad zwischen den zweiten Anschluß (90) des
Kondensators (25) und den ersten Anschluß (46) der Energiequelle geschaltet ist und daß die Torelektrode
(80) mit den Eingangsimpulsen beaufschlagt wird und daß der Quellen-Senken-Pfad des fünften (18)
Feldeffekttransistors zwischen den zweiten An- so Schluß (90) des Kondensators (25) und den zweiten
Anschluß (44) der Energiequelle geschaltet ist und daß die Senken- und Torelektroden miteinander
verbunden sind.
3. Monostabile Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsanordnung
(28) einen sechsten (32) und einen siebenten (30) Feldeffekttransistor enthält und daß der sechste
(32) Feldeffekttransistor mit seinem Quellen-Senken-Pfad zwischen den ersten Anschluß (46) der
Energiequelle und den Schaltungsausgang (34) geschaltet ist und daß die Torelektrode mit dein
ersten Anschluß (92) des Kondensators (25) verbunden ist und daß der Quellen-Senken-Pfad des
siebenten (30) Feldeffekttransistors mit dem Schaltungsausgang und mit dem zweiten Anschluß (44)
der Energiequelle verbunden ist und daß die Senken- und Torelektroden miteinander verbunden sind.
4. Monostabile Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Breite der Torelektrode des dritten (70) Feldeffekttransistors kleiner als die Breite der
Torelektrode des ersten (52) Feldeffekttransistors ist
5. Monostabile Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Torelektrode
des ersten (52) Feldeffekttransistors hundertmal so breit wie die Torelektrode des dritten (70)
Feldeffekttransistors ist
6. Monostabile Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bestehend aus einem integrierten
Schaltungskreis auf einem Chip, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten Feldeffekttransistoren
Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren sind und daß der genannte Kondensator (25) ein
Metalloxid-Halbleiter-Kondensator ist
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Family
ID=24302196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2620187A Expired DE2620187C3 (de) | 1975-05-09 | 1976-05-07 | Monostabile Multivibratorschaltung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3996482A (de) |
JP (1) | JPS51137858A (de) |
DE (1) | DE2620187C3 (de) |
FR (1) | FR2310658A1 (de) |
GB (1) | GB1491846A (de) |
IT (1) | IT1059797B (de) |
NL (1) | NL177544C (de) |
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- 1976-04-23 GB GB16605/76A patent/GB1491846A/en not_active Expired
- 1976-05-04 IT IT22980/76A patent/IT1059797B/it active
- 1976-05-06 FR FR7613517A patent/FR2310658A1/fr active Granted
- 1976-05-07 NL NLAANVRAGE7604930,A patent/NL177544C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-05-07 JP JP51052049A patent/JPS51137858A/ja active Pending
- 1976-05-07 DE DE2620187A patent/DE2620187C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL177544B (nl) | 1985-05-01 |
GB1491846A (en) | 1977-11-16 |
US3996482A (en) | 1976-12-07 |
DE2620187A1 (de) | 1976-11-18 |
NL177544C (nl) | 1985-10-01 |
FR2310658B1 (de) | 1981-08-21 |
IT1059797B (it) | 1982-06-21 |
NL7604930A (nl) | 1976-11-11 |
JPS51137858A (en) | 1976-11-29 |
FR2310658A1 (fr) | 1976-12-03 |
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