DE2619664A1 - Halbleiterspeicherzelle - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 22
- 101150068246 V-MOS gene Proteins 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/35—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices with charge storage in a depletion layer, e.g. charge coupled devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
- H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
- H01L27/0733—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors in combination with capacitors only
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 3 Unser Zeichen ^
Berlin und München VPA 76 P 2 O 7 O BRD
Halbleiterspeicherzelle
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterspeicherzelle, die aus einem von einer Ansteuerleitung gesteuerten MOS-Auswahl-Tr&nsistor
und einem an den Auswahltransistor angeschlossenen Speicherkondensator besteht, und bei der der Auswahltransistor in V-MOS-Technik
hergestellt ist.
Ein-Transistor-Speicherzellen sind "bekannt (z. B. Electronics,
Sept. 13, 1973, S. 116 bis 121). Solche Ein-Transistor-Speicherzellen bestehen aus einem MOS-Transistor, der im folgenden Auswahltransistor
genannt wird. An den Auswahltransistor ist ein Speicherkondensator angeschlossen, in dem die zu speichernde Information
als Ladung enthalten ist. Die aus Auswahltransistor und Speicherkondensator bestehende Speicherzelle liegt jeweils zwischen einer
Wort- und einer Bitleitung. Dabei wird die Wortleitung an den Steuereingang (Gate) des Auswahltranistors angeschlossen, während
die eine gesteuerte Elektrode des Auswahltransistors an der Bitleitung liegt, die andere gesteuerte Elektrode mit dem Speicherkondensator
verbunden ist. Solche Ein-Transistor-Speicherzellen haben den Vorteil, daß zu ihrer Realisierung auf einem Halbleitersubstrat
sehr wenig Raum benötigt wird.
Es ist weiterhin bekannt geworden, MOS-Tranistoren mit Hilfe der sogenannten V-MOS-Technik herzustellen (z. B. Solid State Electronics,
1976, Vol. 19, S. 159 bis 166; Electronic Letters, 20. Sept. 1973, Vol. 9, Seiten 457, 458). Bei dieser V-MOS-Technik wird zur
Herstellung der Steuerelektrode des MOS-Transistors ein V-förmiger Grabert" in eine auf einem Si-Halbleitersubstrat aufgebrachte Epitaxieschicht
geätzt. In dem Graben wird eine Isolierschicht aus
VPA 76 E 2048 709845/0513
Il 13 Gbr / 27. 4. 1976
-* Λ 261966Α
Siliziumäioxid aufgebracht, auf der dann der Anschluß für die
Steuerelektrode des MOS-Transistors angeordnet ist. Der Kanal des MOS-Transistors verläuft in den Flanken des V-förir.igen Grabens.
Die beiden gesteuerten Elektroden des MOS-Transistors können z. B. neben dem V-förmigen Graben angeordnet sein. Nähere Einzelheiten
dieser V-MOS-Technik können aus den angegebenen Literatursteilen
entnommen werden.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine
Eintransistorspeicherzelle anzugeben, die in V-MOS-Technik hergestellt
ist. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß in einem mit Störstellen der einen Art hochdotierten Halbleitersubstrat eine
mit Störstellen der anderen Art hochdotierte erste Schicht (verdeckte Schicht) angeordnet ist, daß über der verdeckten Schicht
und dem Halbleitersubstrat eine mit Störstellen der einen Art schwach dotierte Epitaxieschicht angeordnet ist, und daß in der
Epitaxieschicht oberhalb der verdeckten Schicht ein V-MOS-Transistor
als Auswahltransistor angeordnet ist, wobei der zur Bildung des Auswahltransistors erforderliche Graben durch die Epitaxieschicht
hindurch bis in die verdeckte Schicht reicht.
Unter einer mit Störstellen der einen Art dotierten Halbleiterschicht
wird eine Schicht verstanden, in der z. B. Akzeptoren angeordnet sind. Entsprechend ist eine mit Störstellen der anderen
Art dotierte Halbleiterschicht eine Schicht, in der Donatoren angeordnet sind. Demgemäß ist eine mit Störstellen der einen Art
dotierte Schicht eine p-Schicht, während eine mit Störstellen der anderen Art dotierte Schicht eine η-Schicht ist. Selbstverständlich
können die Verhältnisse auch umgekehrt sein.
Der Aufbau der Halbleiterspeicherzelle ist also so, daß in dem Halbleitersubstrat, das z. B. als hochdotierte p-Schicht ausgeführt
ist, eine hochdotierte η-Schicht eindiffundiert wird. Auf das Halbleitersubstrat und die hochdotierte η-Schicht (verdeckte
Schicht) wird eine Epitaxieschicht vorgesehen, die schwach p-dotiert ist. Oberhalb der verdeckten Schicht kann in die Epitaxieschicht
nun eine weitere η-dotierte Schicht eindiffundiert werden,
76 ε 2048 709845/0513
die die Bitleitung bildet. Durch- die Bitleitung und die Epitaxieschicht
wird ein V-förmiger Graben eingeätzt, und zwar soweit, daß dessen Spitze in die versteckte Schicht hineinreicht. Anschließend
wird die Oberfläche der Epitaxieschicht mit Siliziumdioxid bedeckt, um eine Isolierschicht zu schaffen. Auf diese Isolierschicht
wird dann in dem V-förmigen Graben eine Leiterbahn vorgesehen, die Teil der Wortleitung ist. Diese Leiterbahn kann aus
Polysilizium bestehen.
Bei dieser Anordnung besteht der Auswahltransistor der Eintransistorspeicherzelle
aus der Leiterbahn in dem V-förmigen Graben als Steuerelektrode, aus der verdeckten Schicht und der Bitleitung.
Der Kanal bildet sich zwischen der verdeckten Schicht und der Bitleitung. Der Speicherkondensator wird aus der an der Grenze zwischen
verdeckter Schicht und Halbleitersubstrat gebildeten Sperrschicht realisiert.
Der Vorteil der Erfindung besteht darin, daß der Speicherkondensator
der Ein-Transistor-Speicherzelle unterhalb des Auswahltransistors angeordnet ist, so daß eine Speicherzelle mit minimalem
Platzbedarf entsteht.
Andere Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen
.
Anhand eines Ausführungsbeispiels, das in den Figuren dargestellt ist, wird die Erfindung weiter erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 das Prinzipschaltbild einer Ein-Transistor-Speicherzelle, Fig. 2 einen Querschnitt durch eine Ein-Transistor-Speicherzelle
in der bekannten n-Kanal-Silizium-Gate-Technik,
Fig. 3 die Aufsicht auf eine Ein-Transistor-Speicherzelle in der
V-MOS-Technik,
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine Ein-Transistor-Speicherzelle bei Realisierung in der V-MOS-Technik.
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine Ein-Transistor-Speicherzelle bei Realisierung in der V-MOS-Technik.
Figur 1 zeigt das Prinzipschaltbild einer Ein-Transistor-Speicherzelle.
Sie besteht aus einem Auswahltransistor AT und einem Spei-VPA 76 B 2048 ". »09846/05 1 S
cherkondensator CS. Die Steuerelektrode (Gate) des Auswahltransistors
AT liegt an einer Wortleitung WL. Die eine gesteuerte Elektrode des Auswahltransistors AT ist an eine Bitleitung BL angeschlossen.
Die andere gesteuerte Elektrode des Auswahltransistors AT ist mit dem Speicherkondensator CS verbunden. Der Speicherkondensator
CS ist mit seinem anderen Anschluß an eine feste Spannung, z. B. VDD, angeschlossen.
Eine Realisierung einer solchen Eintransistor-Speicherzelle in der
bekannten n-Kanal-Silizium-Gate-Technik ergibt sich aus Figur 2.
Hier liegen der Speicherkondensator CS und der Auswahltransistor AT nebeneinander in einem Si-Halbleitersubstrat SU.
Das Halbleitersubstrat SU ist hier im Ausführungsbeispiel schwach
ρ dotiert (p~). Die gesteuerten Elektroden SE1 und SE2 des Auswahltransistors
AT sind hochdotierte η-Schichten (η"Π, die in das
Halbleitersubstrat SU hineindiffundiert sind. Zwischen den gesteuerten Elektroden SE1 und SE2 liegt die Steuerelektrode G, die
z. B. aus Polysilizium besteht, und die durch eine Isolierschicht IS von der Oberfläche des Halbleitersubstrats SU getrennt ist. Bei
Anlegung einer entsprechenden Spannung an die Steuerelektrode G des Auswahltransistors AT bildet sich zwischen den gesteuerten
Elektroden SE1 und SE2 der sogenannte Kanal.
Der Speicherkondensator CS ist neben der gesteuerten Elektrode SE2
des Auswahltransistors AT angeordnet. Er wird gebildet durch eine Elektrode SK, die durch eine Isolierschicht IS von der Substratoberfläche
getrennt ist, und einer Inversionsschicht IV, die sich an der Substratoberfläche unterhalb der Elektrode SK bei Anlegen
einer Spannung an den Speicherkondensator CS bildet. Die Inversionsschicht IV ist mit der gesteuerten Elektrode SE2 des Auswahltransistors
AT verbunden. Die Isolierschichten IS können aus Siliziumdioxid bestehen. Aus Figur 2 kann ersehen werden, daß der Speicherkondensator
CS neben dem Auswahltransistor AT im Halbleitersubstrat SU angeordnet ist. Diese Realisierung einer Ein-Transistor-Speicherzelle
braucht also auf dem Halbleitersubstrat entsprechend viel Platz.
VPA 76 E 2048 709845/0513
Aus Figur 3 und Figur 4 ergibt sich nun die Ein-Transistor-Speicherzelle
bei Realisierung in V-IlOS-Technik. Dabei wird der
Speicherkondensator unterhalb des Auswahltransistors angeordnet. Das bedeutet, daß die Eintransistor-Speicherzellen nur noch den
Platzbedarf des Auswahltransistors haben.
Die Realisierung einer solchen Eintransistor-Speicherzelle in
V-MOS-Technik kann am besten anhand des Querschnittes durch eine
solche Speicherzelle erläutert werden, die in Figur 4 dargestellt ist.
In einem Si-Halbleitersubstrat SUr die hoch p-dotiert (p+) ist,
wird eine hoch η-dotierte (n+) Schicht BU hineindiffundiert. Diese
Schicht soll im folgenden verdeckte Schicht (buried layer) genannt werden. An der Grenzfläche zwischen der verdeckten Schicht BU und
dem Halbleitersubstrat SU bildet sich nun eine Sperrschicht, die als Speicherkondensator verwendet wird. Diese Sperrschichtkapazität
ist in Figur 4 mit CS angedeutet. Infolge der hohen Dotierungskonzentration von Halbleitersubstrat SU und verdeckter Schicht BU
ist die Kapazität des Sperrschichtkondensators CS sehr groß. Das
Halbleitersubstrat SU liegt an einer festen Spannung, z. B. VBB.
Auf dem Halbleitersubstrat SU und der verdeckten Schicht BU wird nun eine Epitaxieschicht E angeordnet, die schwach p-dotiert (p~)
ist. Die Epitaxieschicht ist das Substrat für den Auswahltransistor, der in V-MOS-Technik ausgeführt ist. Oberhalb der verdeckten
Schicht BU wird in der Epitaxieschicht eine hoch η-dotierte (n+)
Schicht BL eindiffundiert, die die Bitleitung der Speicherzelle bildet. Die Bitleitung BL liegt an der Oberfläche der Epitaxieschicht
E. Zur Herstellung eines Auswahltransistors ATV wird ein pyramidenförmiger, im Querschnitt V-förmiger Graben GR durch die
Bitleitung BL und die Epitaxieschicht E hineingeätzt, und zwar so, daß seine Spitze bis in die verdeckte Schicht BU hineinreicht. Auf
der Epitaxieschicht E und dem Graben GR wird eine Isolierschicht IS, z. B. aus Siliziumdioxid, angeordnet. Darauf wird die Wortleitung
WL aufgebracht, die durch den Graben GR hindurchläuft. Der
Auswahltransistor ATV wird bei dieser Ausführung durch den durch den Graben GR verlaufenden Teil der Wortleitung WL, die Bitleitung
709845/0613
VPA 76 E 2048
und die verdeckte Leitung BU gebildet. Dabei ist der Teil der Wortleitung WL im Graben GR die Steuerelektrode, während die Bitleitung
BL und die verdeckte Schicht BU die gesteuerten Elektroden bilden. Demgemäß entsteht zwischen der verdeckten Schicht BU und
der Bitleitung BL der Kanal K des Auswahltransistors ATV. Die Wortleitung kann aus Polysilizium bestehen.
Die Ausmaße einer Ein-Transistor-Speicherzelle in V-MOS-Technik
kann aus Figur 3 entnommen werden. Aus Figur 3 ist auch ersichtlich, welcher Querschnitt durch die Ein-Transistor-Speicherzelle
in Figur 4 dargestellt ist.
Die verdeckte Schicht BU hat etwa die Größe der Fläche FL, die durch die sich kreuzende Wortleitung WL und Bitleitung BL gebildet
wird. Die Größe der verdeckten Schicht BU hängt davon ab, welche Kapazität der Speicherkondensator CS haben soll. Oberhalb der Verdeckten
Schicht BU innerhalb der Fläche FL der sich kreuzenden Wortleitung WL und Bitleitung BL wird nun der Auswahltransistor
ATV vorgesehen. Zu seiner Herstellung wird der pyramidenförmige Graben GR durch die Bitleitung BL und die Epitaxieschicht E hindurch
in die verdeckte Schicht hineingeätzt. Dadurch erhält der Auswahltransistor ATV einen Kanal K quadratischer Form.
Zur Verbesserung der Eigenschaft des Auswahltransistors ATV kann zwischen Bitleitung BL und der verdeckten Schicht BU eine sogenannte
77~-Schicht angeordnet sein, die eigenleitend ist. Durch die Ij -Schicht wird die Kanallänge K verkürzt» (Siehe z. B.
Electronics, Dec. 25, 1975, S. 50).
Der Auswahltransistor wird in seinen leitenden Zustand gesteuert, wenn an die Wortleitung WL eine positive Spannung angelegt wird.
In diesem Falle bildet sich zwischen der verdeckten Schicht BU und der Bitleitung BL der Kanal K und verbindet den Speicherkondensator
CS mit der Bitleitung. Dann kann der Ladungstransfer
zwischen der Bitleitung und dem Speicherkondensator CS stattfinden.
Bei der Realisierung der Speicherzelle können folgende Dotierungs-VPA
76 E 2048 Ϊ09845/0513
Konzentrationen vorgesehen werden: p+ ungefähr 2 χ 10 Störatome
/cm3, p~ ungefähr 3 χ 1015 Störatome /cm3, n+ ungefähr 1020 Störatome
/cm3.
Die Speicherzelle im Ausführungsbeispiel ist in η-Silizium V-MOS-Technik
dargestellt. Sie kann natürlich auch in p-Kanal-Technik
ausgeführt werden. Als weitere Möglichkeit kann die Wortleitung WL in Metall realisiert sein.
ausgeführt werden. Als weitere Möglichkeit kann die Wortleitung WL in Metall realisiert sein.
6 Patentansprüche
4 Figuren
4 Figuren
VPA 76 E 2048 709345/0513
Claims (6)
- P a t e η t a η s ρ r ü c h. e(Iy Halbleiterspeicherzelle, die aus· einem von einer Ansteuerleitung gesteuerten MOS-Auswahltransistor und einem an den Auswahltransistor angeschlossenen Speicherkondensator besteht, und bei der der Auswahltransistor in V-MOS-Technik hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß in einem mit Störstellen der einen Art hochdotierten Halbleitersubstrat (SU) eine mit Störstellen der anderen Art hochdotierte Schicht (verdeckte Schicht BU) angeordnet ist, daß über der verdeckten Schicht (BU) und dem Halbleitersubstrat (SU) eine mit Störstellen der einen Art schwach dotierte Epitaxieschicht (E) angeordnet ist, und daß in der Epitaxieschicht (E) oberhalb der verdeckten Schicht (BU) ein V-MOS-Transistor als Auswahltransistor (ATV) angeordnet ist, wobei der zur Bildung des Auswahltransistors (ATV) erforderliche Graben (GR) durch die Epitaxieschicht (E) hindurch bis in die verdeckte Schicht (BU) reicht.
- 2. Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 1, dadurch, gekennzeichnet , daß in die Oberfläche der Epitaxieschicht (E) oberhalb der verdeckten Schicht (BU) eine Bitleitung (BL) der Speicherzelle in die Epitaxieschicht diffundiert ist, daß der Graben (GR) pyramidenförmig ausgebildet ist und durch die Bitleitung (BL) hindurchgreift, und daß dadurch der Auswahltransistor (ATV) einen Kanal (K) quadratischer Form hat.
- 3. Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß senkrecht zur Bitleitung (BL) eine Wortleitung angeordnet ist, und daß die Siguerelektrode des Auswahltransistors (ATV) Teil der Wortleitung (WL) ist.
- 4. Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortleitung (WL) aus Polysilizium besteht.VPA 76 E 2048709945/0813ORlGiNAL INSPECTED
- 5. Halbleiterspeicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicherkondensator (CS) aus der an der Grenze zwischen verdeckter Schicht (BU) und Halbleitersubstrat (SU) sich bildenden Sperrschicht besteht, daß oberhalb des Speicherkondensators der Auswahltransistor (ATV) angeordnet ist, und daß der Auswahltransistor (ATV) aus der verdeckten Schicht (BU), der Bitleitung (BL) und der im Graben (GR) verlaufenden Wortleitung gebildet wird, wobei der Kanal (K) des Auswahltransistors (ATV) zwischen der verdeckten Schicht (BU) und der Bitleitung (BL) verläuft.
- 6. Halbleiterspeicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in der Epitaxieschicht (E) zwischen der Bitleitung (BL) und der verdeckten Schicht (BU) eine eigenleitende Schicht (TT) angeordnet ist.VPA76E2O48 70984S/0513
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762619664 DE2619664A1 (de) | 1976-05-04 | 1976-05-04 | Halbleiterspeicherzelle |
GB11928/77A GB1516058A (en) | 1976-05-04 | 1977-03-22 | Semiconductor storage cells |
FR7713318A FR2350665A1 (fr) | 1976-05-04 | 1977-05-03 | Cellule de memoire a semi-conducteurs |
NL7704863A NL7704863A (nl) | 1976-05-04 | 1977-05-03 | Halfgeleidergeheugen. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762619664 DE2619664A1 (de) | 1976-05-04 | 1976-05-04 | Halbleiterspeicherzelle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2619664A1 true DE2619664A1 (de) | 1977-11-10 |
Family
ID=5977038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762619664 Ceased DE2619664A1 (de) | 1976-05-04 | 1976-05-04 | Halbleiterspeicherzelle |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2619664A1 (de) |
FR (1) | FR2350665A1 (de) |
GB (1) | GB1516058A (de) |
NL (1) | NL7704863A (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2642615A1 (de) | 1976-09-22 | 1978-03-23 | Siemens Ag | Halbleiterspeicher |
-
1976
- 1976-05-04 DE DE19762619664 patent/DE2619664A1/de not_active Ceased
-
1977
- 1977-03-22 GB GB11928/77A patent/GB1516058A/en not_active Expired
- 1977-05-03 FR FR7713318A patent/FR2350665A1/fr not_active Withdrawn
- 1977-05-03 NL NL7704863A patent/NL7704863A/xx not_active Application Discontinuation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1516058A (en) | 1978-06-28 |
FR2350665A1 (fr) | 1977-12-02 |
NL7704863A (nl) | 1977-11-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8178 | Suspension cancelled | ||
8131 | Rejection |