DE2532594A1 - Halbleiterspeicher - Google Patents
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Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München, den 21. JULN 97
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
VPA 75 P 2 09 7 BRD
Halbleiterspeicher
Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiterspeicher der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Art.
Es ist bekannt, Halbleiterspeicher in MOS-Technik aufzubauen. Zum Beispiel bestehen die Speicherzellen von solchen Halbleiterspeichern
aus einer Speicherkapazität und einem MOS-Transistor, dessen Steuerelektrode mit einer Wortleitung verbunden ist. Die
beiden gesteuerten Elektroden des MOS-Transistors liegen zwischen der Speicherkapazität und einer Bitleitung. Solche Speicherzellen
werden gewöhnlich Eintransistor-RAM-Zellen genannt.
Der Querschnitt durch eine solche Speicherzelle ist in Figur 1 gezeigt. In einem Halbleitersubstrat SU ist eine Bitleitung 3L
hineindiffundiert. Benachbart zu der Bitleitung BList im Halbleitersubstrat
ein weiterer diffundierter Bereich GE vorgesehen. Ein Teil der Bitleitung BL und der Bereich GE bilden die beiden gesteuerten
Elektroden des MOS-Transistors. Auf dem Substrat, aber isoliert zu den diffundierten Bereichen BL und GElLst die Steuerelektrode
G vorgesehen. Bei einem derartigen Aufbau befindet sich zwischen den Bereichen BL und GE der sogenannte Kanal K des MOS-Transistors,
wenn dieser leitend gesteuert ist. Weiterhin ist eine Elektrode SE vorgesehen, mit deren Hilfe die Speicherkapazität
SK gebildet wird. Diese Elektrode SE ist parallel zu der Oberfläche des Halbleitersubstrats SU angeordnet und von dem Halbleitersubstrat
durch eine Siliziumoxidschicht isoliert. Wird an die Elektrode SE eine geeigente Spannung angelegt, dann bildet
sich an der Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Inversion eine leitende Schicht, die mit dem Bereich GE verbunden wird.
Die Elektrode SE zusammen mit der Inversionsschicht ergeben dann die Speicherkapazität SK. Der ganze bisherige Aufbau wird schließlich
noch durch eine Isolierschicht IS, z.B. aus SIOp abgedeckt.
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Die Steuerelektrode G ist an einer nicht dargestellten Stelle mit einer Wortleitung verbunden.
Ein Nachteil dieser Eintransistorspeicherzelle besteht darin, daß für die diffundierten Bereiche, z.B. GE, in dem Speicherbaustein
Platz benötigt wird. Da aber bei den Halbleiterspeichern
auf einem Speicherbaustein möglichst viele Speicherzellen angeordnet werden sollen, besteht die Tendenz, die Einzelspeicherzelle
möglichst klein auszuführen.
Aus der Literaturstelle IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. SC 7, Nr.5, Oktober 1972, Seite 330 bis 335, ist eine Möglichkeit
bekannt geworden, nach der die einzelnen RAM-Speicherzellen verkleinert werden können. Bei der dort vorgeschlagenen
Lösung wird die Speicherkapazität auf dieselbe Art gebildet wie es bei der Eintransistorspeicherzelle beschrieben worden ist.
Dazu wird eine sogenannte Speicherelektrode zur Bildung der Speicherkapazität über dem Halbleitersubstrat, aber isoliert
von dem Halbleitersubstrat, angeordnet. Benachbart zu der Speicherkapazität wird die Bitleitung in das Halbleitersubstrat hineindiffundiert.
Um einen Ladungsaustausch zwischen der Speicherkapazität und der Bitleitung zu ermöglichen, wird auf dem Halbleitersubstrat
und isoliert zu dem Halbleitersubstrat die sogenannte Transijrelektrode angeordnet, die die Speicherkapazität
und die Bitleitung zumindest teilweise überlappt. Werden an die Speicherelektrode, die Transferelektrode und die Bitleitung entsprechende
Spannungen angelegt, dann können Ladungen zwischen der Bitleitung und der Speicherkapazität übertragen werden. Da
der Aufbau und die Wirkungsweise dieser Speicherzelle in der angegebenen Literaturstelle ausführlich beschrieben ist, wird
darauf nicht näher eingegangen.
Ein Nachteil der in der angegebenen Literaturstelle dargestellten Speicherzelle besteht darin, daß die Wortleitung gleichzeitig
die Transferelektrode bildet. Da der Abstand der Transferelektroden zum Substrat zwischen den Speicherelektroden und der Bitleitung
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nnd der Transferelektrode zur Bitleitung im überlappten Bereich
nicht zu groß gewählt werden darf, um einen einwandfreien Ladungsaustausch zu ermöglichen, besteht die Gefahr, daß kapazitive
Kopplungen zwischen der Wortleitung und der Bitleitung die Funktion einer solchen Speicherzelle stört.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Speicherzelle nach dem angegebenen
Prinzip technologisch so aufzubauen, daß kapazitive Kopplungen zwischen der Wortleitung und der Bitleitung stark reduziert
werden. Diese Aufgabe wird entsprechend den im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalengelöst.
Wird die Bitleitung nur im Bereich der Speicherzelle in das Halbleitersubstrat
hineindiffundiert, sonst aber über dem Kalbleitersubstrat
geführt, dann wird eine kapazitive Kopplung zwischen der Bitleitung und der Wortleitung gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs
2 vermindert.
Bei der ersten Lösung der Aufgabe sind die Transferelektroden nicht Teil der Wortleitung. Vielmehr wird die Wortleitung oberhalb
der Transferelektroden,aber isoliert zu den Transferelektroden geführt. Nur an der Steile, an der eine Verbindung von der
Wortleitung zu der Transferelektrode hergestellt werden muß, wird
durch die Isolierschicht hindurchkontaktiert. Da die Wortleitung nicht mehr gleichzeitig auch Transferelektrode ist, kann die
Isolierschicht zwischen der Wortleitung und der Bitleitung so gewählt werden, daß kapazitive Kopplungen nur geringfügig auftreten.
Außerdem kann die Wortleitung in Metall ausgeführt sein, während die Transferelektrode aus PolySilizium hergestellt ist. Dies hat
den Vorteil, daß die aus Metall bestehende Wortleitung sehr niederohmig sein kann, wodurch sich eine kurze Signallaufzeit auf der
Wortleitung ergibt, während eine aus Polysilizium bestehende Wortleitung dagegen hochohmiger wäre.
Bei der zweiten Lösung wird die Bitleitung getrennt durch eine Isolierschicht oberhalb den Transferelektroden und den Speicher-
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elektroden geführt. Auch hier kann die Isolierschicht zwischen der Bitleitung und den übrigen Elektroden so groß gewählt werden,
daß die kapazitiven Kopplungen zwischen Bitleitung und Wortleitung nur geringfügig auftreten.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Anhand von Ausführungsbeispielen, die in den Figuren dai'-gestellt
sind, wird die Erfindung weiter erläutert. Es zeigen:
Fig.1 den bereits beschriebenen Querschnitt durch eine Eintransistorspeicherzelle
in MOS-Technik,
Fig.2 eine Prinzipdarstellung der Speicherzelle,
Figo die in den folgenden Figuren verwendeten Darstellungsarten der einzelnen Strukturen der Speicherzellen,
Fig.4 Ätzstrukturen einer Speicherzelle, bei der die Bitleitung
vollständig in das Halbleitersubstrat hineindiffundiert ist,
Fig.5 einen Querschnitt durch eine Speicherzelle gemäß Fig.4,
Fig.6 Ätzstruktur einer Speicherzelle, bei der die Bitleitung
nur im Bereich der Speicherzelle in das Kalbleitersubstrat hineindiffundiert ist.
Fig.7 einen Querschnitt durch die Speicherzelle der Figur 6.
In Figur 2 ist eine Prinzipdarstellung der Speicherzelle dargestellt.
Diese Speicherzelle besteht aus einer Speicherelektrode SP, die über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist und einer
Transferelektrode TE, die sowohl über der Speicherelektrode SP und dem Halbleitersubstrat, und zwar isoliert gegenüber beiden,
angeordnet ist. Im Halbleitersubstrat ist die Bitleitung BL diffundiert. Mit Hilfe der Speicherelektrode SP wird die Speicherkapazität
SK gebildet. Der Austausch der Ladungen zwischen der Speicherkapazität SK und der Bitleitung BL erfolgt mit Hilfe der
Transferelektrode TE. Soll Ladung zwischen der Bitleitung BL und der Speicherkapazität SK übertragen werden, dann wird die Transferelektrode
TE durch einen Impuls 01 angesteuert. Die weitere Wirkungsweise dieser Speicherzelle ist in der oben angegebenen
Literaturstelle ausführlich erläutert.
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Den technologischen Aufbau einer Speicherzelle, bei der die Bitleitung
vollständig in dem Halbleitersubstrat diffundiert ist, zeigen Figur 4 und Figur 5. Dabei ergeben sich aus Figur 3 die
einzelnen Strukturen der Speicherzellen, wie sie in den folgenden Figuren dargestellt sind. Gezeigt sind die Wortleitung WL bzw.
die Bitleitung BLM, die in das Substrat diffundierte Bitleitung BLj die Transferelektrode TE und die Speicherelektrode SP.
Aus Figur 4 können die Ätzstrukturen von zwei nebeneinander angeordneten
Speicherzellen entnommen werden. Anhand der Darstellungsweisen der Figur 3 können die einzelnen Ätzstrukturen erkannt
werden. Dabei können für die beiden nebeneinander liegenden Speicherzellen die Transferelektroden und die Speicherelektroden
miteinander verbunden sein.
Die Bitleitung BL und die Speicherkapazitäten SK sind im Substrat angeordnet. Auf dem Substrat wird dann isoliert zum Substrat die
Speicherelektrode SP z.B. als eine Polysiliziumlage vorgesehen. Isoliert zu der Speicherelektrode und zu der Bitleitung BL wird
als nächste Lage die Transferelektrode angeordnet. Die Transferelektrode kann ebenfalls aus Polysiliziu-n bestehen. Als oberste
Lage folgt wiederum isoliert von den darunterliegenden Lagen die V/ortleitung WL, die aus Metall hergestellt sein kann. Zur Verbindung
der Wortleitung WL mit der Transferelektrode TE wird die
Wortleitung durch die Isolierschicht hindurch kontaktiert. Ein solcher Kontakt KT ist in der Mitte der Figur dargestellt.
Aus Figur 4 ergibt sich, daß die Bitleitung BL und die Wortleitung
WL senkrecht zueinander angeordnet sind. Ebenso ergibt sich die Ausdehnung der Speicherkapazität SK, der Transferelektrode
TE und der Speicherelektrode SP.
In Figur 5 ist ein Querschnitt durch die Speicherzellen an der Stelle V-V der Figur 4 gezeigt. Aus ihr kann das Übereinanderliegen
der einzelnen Schichten noch besser erkannt werden.
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In einem Halbleitersubstrat SU befindet sich die Bitleitung BL, die in das Halbleitersubstrat SU hineindiffundiert ist. Benachbart
zu der Bitleitung BL, aber nicht elektrisch leitend verbunden, ist die Speicherkapazität SK angeordnet. Zur Bildung dieser Speicherkapazität
SK ist über dem Halbleitersubstrat SU die Speicherelektrode SP vorgesehen. Die Speicherelektrode SP ist von dem
Halbleitersubstrat durch eine Isolierschicht IS1 z.B. einer Siliziumoxidschicht isoliert. Sie läuft im Bereich der Speicherkapazität
SK parallel zur Substratoberfläche und im verhältnismäßig geringem Abstand. Wird an die Speicherelektrode SP eine geeignete
Spannung angelegt, dann bildet sich auf bekannte Weise im Halbleitersubstrat SU eine Inversionsschicht, die zur Speicherung
einer Information herangezogen wird.
Auf die Speicherelektrode SP wird wiederum eine Isolierschicht IS2
z.B. aus Siliziumoxid gelegt. Darüber wird dann die Transferelektrode TE angeordnet. Die Transferelektrode TE liegt so zu der
Bitleitung BL und der Speicherkapazität SK, daß sie die Bitleitung BL und die Speicherkapazität SK zumindest teilweise überlappt.
Damit ist gewährleistet, daß mit Hilfe der Transferelektrode TE Ladung von der Bitleitung BL zur Speicherkapazität SK übertragen
werden kann und umgekehrt. Der Abstand der Transferelektrode TE vom Substrat zwischen der Bitleitung BL und der Speicherelektrode
SP muß so gewählt sein, daß diese Ladungsübertragung möglich ist. Der Abstand der Transferelektrode zum Substrat zwisehen der Bitleitung
BL und der Speicherelektrode SP darf darum nicht zu groß sein.
Oberhalb der Transferelektrode TE ist schließlich noch die Wortleitung
WL angeordnet. Diese ist durch eine Isolierschicht IS3 z.B. aus Siliziumoxid von der Transferelektrode TE und der Bitleitung
BL getrennt. Nur an der Stelle, an der eine Kontaktierung zur Transferelektrode TE notwendig ist, ist die Wortleitung
WL durch die Isolierschicht IS3 hindurchgeführt. Diese Kontaktstelle ist mit KT bezeichnet. Die Dicke der Isolierschicht IS3
zwischen der Bitleitung BL und der Wortleitung WL kann so gewählt
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werden, daß nur geringfügige kapazitive Kopplungen zwischen diesen
"beiden Leitungen bestehen.
Wie sich aus Figur 5 ergibt, sind zwei Speicherzellen nebeneinander
angeordnet. Dabei sind sowohl die Speicherelektroden SP als auch die Transferelektroden TE miteinander verbunden. Eine solche
Ausführung hat den Vorteil, daß die Wortleitung WL nur einmal zu zwei Transferelektroden kontaktiert sein muß.
Figur 6 und 7 zeigen die Ausführung von zwei Speicherzellen für den Fall, daß die Bitleitung nur im Bereich dor Speicherzellen
in das Halbleitersubstrat SU diffundiert sind. Dabei ist im Ausführungsbeispiel je eine Bitleitung BL für zwei Speicherzellen
vorgesehen. Aus E'igur 6 können die Ätzstrukturen entnommen werden,
während Figur 7 einen Querschnitt an der Stelle YII-YII zeigt.
In dem Halbleitersubstrat SU ist im Bereich von zwei Speicherzellen
die Bitleitung BL hineindiffundiert. Benachbart zu der Bitleitung BL im Speichersubstrat SU liegt wiederum die Speicherkapazität
SK. Die Speicherkapazität SK wird auf bereits beschriebene Weise mit Hilfe einer isoliert angeordneten Speicherelektrode
SP gebildet. Die Speicherelektroden zweier benachbarter Speicherzellen können auch hier miteinander verbunden werden, was in den
Figuren 6 und 7 nicht dargestellt ist. Oberhalb der Spcicherelektroden SP und der Bitleitung BL im Halbleitersubstrat SU ist
dann die Transferelektrode TE angeordnet. Diese Transferelektroden TE liegen in dieser Ausführung in den Wortleitungen WL. Oberhalb
der Speicherelektroden TE aber isoliert zu diesen befindet sich dann die Bitleitung BLM, die z.B. aus Metall besteht, und die
an einer Stelle mit der Bitleitung innerhalb des Substrats BL kontaktiert ist. Diese Stelle ist mit KP bezeichnet. Die Isolierschicht
zwischen der Bitleitung BLM und den Transferelektroden
und Speicherelektroden ist mit IS4 bezeichnet. Die Isolierschicht zwischen der Transferelektrode und der in das Substrat diffundierten
Bitleitung BL im überlappten Bereich und dem zwischen Bitleitung BL und Speicherelektrode SP liegenden Bereich des Substrats ist
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mit IS5 benannt.
Die Ausführung der Figuren 6 und 7 hat ebenfalls den Vorteil, daß der Abstand zwischen der Bitleitung BLM und der Transferelektrode
TE groß gewählt werdenjkann, so daß nur kleine Kopplungskapazitäten auftreten können. Außerdem können bei einer derart
ausgeführten Speicherzelle andere Organisationsstrukturen eines Halbleiterspeichers gebildet werden.
Bei der Ausführung der Figur 6 und Figur 7 können die Speicherelektroden
SP und die Transferelektroden TE aus Polysilizium bestehen. Die Bitleitung BLM ist dagegen aus Metall ausgeführt.
Nur im Bereich der Speicherzellen ist die Bitleitung in das Halbleitersubstrat SU hineindiffundiert.
8 Patentansprüche
7 Figuren
7 Figuren
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Claims (8)
- Patentansprüche(Ty Halbleiterspeicher, bei dem jede Speicherzelle eine Speicherkapazität enthält, bei der Ladung vermittels einer Transferelektrode zwischen der Speicherkapazität und einer Bitleitung austauschbar ist, bei dem die Bitleitung zumindest im Bereich der Speicherzelle in das Halbleitersubstrat hineindiffundiert ist, benachbart zu der Bitleitung zur Erzeugung der Speicherkapazität über dem Halbleitersubstrat und isoliert zu diesem eine Speicherelektrode angeordnet ist, und oberhalb der Bitleitung und der Speicherelektrode isoliert zu diesen und diese zumindest teilweise überlappend die von einer Wortleitung angesteuerte Transferelektrode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß oberhalb der Transferelektrode (TE), der Speicherelektrode (SP) und der Bitleitung (BL) isoliert zu diesen die YJortleitung (V/L) angeordnet ist, und daß durch die Isolierschicht hindurch eine Kontaktierung (KT) zwischen Wortleitung (WL) und Transferelektrode (TE) vorgesehen ist.
- 2. Halbleiterspeicher, bei dem jede Speicherzelle eine Speicherkapazität enthält, bei der Ladung vermittels einer Transferelektrode zwischen der Speicherkapazität und einer Bitleitung austauschbar ist, bei dem die Bitleitung zumindest im Bereich der Speicherzelle in das Halbleitersubstrat hineindiffundiert ist, benachbart zu der Bitleitung zur Erzeugung der Speicherkapazität über dem Halbleitersubstrat und isoliert zu diesem eine Speicherelektrode angeordnet ist, und oberhalb der Bitleitung und der Speicherelektrode isoliert zu diesen und diese zumindeste teilweise überlappend die von einer Wortleitung angesteuerte Transferelektrode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Transferelektroden (TE) in der Wortleitung liegen, daß oberhalb der Wortleitung (WL) isoliert zu dieser die Bitleitung (BLM) angeordnet ist, die im Bereich jeder Speicherzelle zu dem in das Halbleitersubstrat hineindiffundierten Teil der Bitleitung (BL) kontaktiert ist.
VPA 75 E 2059a609885/0580speieher - 3. Halbleiter/nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortleitung (WL) aus Metall besteht.
- 4. Halbleiterspeicher nach Anspruch 1 oder 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelektrode (SP) und die Transferelektrode (TE) aus Polysiliziurn bestehen.
- 5. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 1,3 oder 4, d adurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht(153) zwischen der Wortleitung (WL) und der Bitleitung (BL) dicker ist als die Isolierschicht (IS2) zwischen der Transferelektrode (TE) und dem in dem Bereich zwischen der Bitleitung (BL) und der Speicherelektrode (SP) liegenden Substrat (SU) sowie dem Bereich der Überlappung der Transferelektrode (TE) über die Bitleitung (BL).
- 6. Halbleiterspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortleitung aus Polysilizium besteht.
- 7. Halbleiterspeicher nach Anspruch 2 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Bitleitung (BLM) im Bereich, in dem sie nicht in das Substrat (SU) diffundiert ist, aus Metall besteht.
- 8. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 2,6 oder 7, d a durch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht(154) zwischen der Bitleitung (BLM) und den Transferelektroden (TE) dicker ist als die Isolierschicht (IS5) zwischen der Transferelektrode (TE) und dem in den Bereich zwischen der in das Substrat diffundierten Bitleitung (BL) und der Speicherelektrode (SP) liegenden Substrat sowie dem Bereich der Überlappung der Transferelektrode (TE) über die in das Substrat diffundierten Bitleitung (BL).VPA 75 E 2059a609885/0580
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|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2730202A1 (de) * | 1976-07-05 | 1978-01-12 | Hitachi Ltd | Halbleiterspeicher |
| DE2802048A1 (de) * | 1977-01-26 | 1978-07-27 | Mostek Corp | Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung |
| DE2935291A1 (de) * | 1979-08-31 | 1981-03-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithische statische speicherzelle |
| DE2935254A1 (de) * | 1979-08-31 | 1981-04-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung einer monolithischen statischen speicherzelle |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279679A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-04 | Toshiba Corp | Semiconductor memory device |
| JPS6034270B2 (ja) * | 1976-01-12 | 1985-08-07 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | 半導体メモリ装置およびその製造方法 |
| JPS54159887A (en) * | 1978-06-08 | 1979-12-18 | Nec Corp | Semiconductor memory device |
| DE2905506A1 (de) * | 1979-02-14 | 1980-09-04 | Bosch Gmbh Robert | Zuendbeginnsensor, insbesondere bei brennkraftmaschinen |
| EP0033130B1 (de) * | 1980-01-25 | 1986-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Halbleiterspeichervorrichtung |
| JPS57210665A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory device |
| DE3138295A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit hoher packungsdichte |
| DE3138314A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor hoher packungsdichte mit fotoleiterschicht |
| JPS5921168U (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-08 | 三菱電機株式会社 | メカニカル・シ−ル |
| JP2533070Y2 (ja) * | 1989-06-14 | 1997-04-16 | 株式会社 テーアンテー | スライドスイッチ |
-
1975
- 1975-07-21 DE DE2532594A patent/DE2532594B2/de not_active Withdrawn
-
1976
- 1976-06-10 GB GB22532/76A patent/GB1516005A/en not_active Expired
- 1976-07-01 FR FR7620111A patent/FR2319182A1/fr active Granted
- 1976-07-19 NL NL7607984A patent/NL7607984A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-07-21 JP JP51087103A patent/JPS5212584A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2730202A1 (de) * | 1976-07-05 | 1978-01-12 | Hitachi Ltd | Halbleiterspeicher |
| DE2802048A1 (de) * | 1977-01-26 | 1978-07-27 | Mostek Corp | Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung |
| DE2935291A1 (de) * | 1979-08-31 | 1981-03-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithische statische speicherzelle |
| DE2935254A1 (de) * | 1979-08-31 | 1981-04-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung einer monolithischen statischen speicherzelle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| FR2319182A1 (fr) | 1977-02-18 |
| JPS5212584A (en) | 1977-01-31 |
| DE2532594B2 (de) | 1980-05-22 |
| GB1516005A (en) | 1978-06-28 |
| FR2319182B3 (de) | 1979-03-23 |
| JPS56947B2 (de) | 1981-01-10 |
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