DE3915438A1 - Verdrahtungsaufbau fuer eine halbleiterspeichereinrichtung und herstellungsverfahren dafuer - Google Patents
Verdrahtungsaufbau fuer eine halbleiterspeichereinrichtung und herstellungsverfahren dafuerInfo
- Publication number
- DE3915438A1 DE3915438A1 DE3915438A DE3915438A DE3915438A1 DE 3915438 A1 DE3915438 A1 DE 3915438A1 DE 3915438 A DE3915438 A DE 3915438A DE 3915438 A DE3915438 A DE 3915438A DE 3915438 A1 DE3915438 A1 DE 3915438A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- bit line
- bit
- line pair
- substrate
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
Landscapes
- Dram (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Verdrahtungsaufbau für eine Halbleiterspeichereinrichtung
und ein Herstellungsverfahren dafür und
betrifft insbesondere ein "gewundenes Verdrahtungspaar" für die
Signalleitung für eine Halbleiterspeichereinrichtung und ein
Herstellungsverfahren dafür. Die Erfindung findet insbesondere
Verwendung auf dem Gebiet der dynamischen Speicher mit wahlfreiem
Zugriff (DRAM) vom gefalteten Bitleitungstyp.
Da die beste Wirkung erhalten werden kann, wenn diese Erfindung
auf einen dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (Dynamic
Random Access Memory) verwendet wird, erfolgt die Beschreibung
im weiteren des dynamischen Typs mit wahlfreiem Zugriff.
Ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff ist bereits
bekannt. Fig. 1 zeigt in einem Blockdiagramm eines der Beispiele
des ganzen Aufbaues eines derartigen dynamischen Speichers mit
wahlfreiem Zugriff (der im folgenden als DRAM bezeichnet wird).
Gemäß Fig. 1 weist der DRAM ein Speicherzellenfeld 41 mit einer
Mehrzahl von Speicherzellen, die als Speicherabschnitt dienen,
einen mit einem Adreßpuffer zur Auswahl deren Adresse verbundenen
Zeilendekoder 42, einen Spaltendekoder 43 und einen Eingangs-/
Ausgangsschnittstellenabschnitt, der einen mit einer Eingangs-/
Ausgangsschaltung verbundenen Leseverstärker aufweist, auf. Jede
der Mehrzahl von Speicherzellen, die als Speicherabschnitt dienen,
ist mit einem Schnittpunkt zwischen einer der mit dem Zeilendekoder
42 verbundenen Wortleitungen und einer der dem Spaltendekoder
43 zugeordneten Bitleitungen verbunden, wobei die
Leitungen zur Bildung des Speicherzellenfeldes 41 matrixförmig
angeordnet sind. Wenn ein extern angelegtes Zeilenadreß-Signal
und ein Spaltenadreß-Signal empfangen werden, wählt der Zeilendekoder
42 und der Spaltendekoder 43 eine Speicherzelle aus, die
bei dem Schnittpunkt zwischen der ausgewählten Wort- und Bitleitung
angeordnet ist. Daten werden in die ausgewählte Speicherzelle
geschrieben oder Daten werden von der Speicherzelle gelesen.
Das Lesen/Schreiben der Daten wird durch ein an eine
Steuerschaltung angelegtes Lesen/Schreiben-Steuersignal angezeigt.
Daten werden in dem N(= n×m)-Bitspeicherzellenfeld 41 gespeichert.
Die Information, die der Speicherzelle entspricht, in der
der Lesen/Schreiben-Betrieb durchgeführt wird, wird in Zeilen-
und Spaltenadreßpuffern gespeichert, und die m-Bitspeicherzelle
wird durch Auswählen einer bestimmten Wortleitung (eine Wortleitung
aus den m Wortleitungen) durch den Zeilendekoder 42 mit dem
Leseverstärker verbunden. Dann wird durch Auswählen einer
bestimmten Bitleitung (eine Bitleitung aus den n Bitleitungen)
durch den Spaltendekoder 43 einer der Leseverstärker mit der
Eingangs-/Ausgangsschaltung verbunden, wodurch der Lese- bzw.
Schreibbetrieb entsprechend einem Befehl der Steuerschaltung
durchgeführt wird.
Anhand Fig. 2, die ein äquivalentes Schaltungsdiagramm einer
Speicherzelle 40 des DRAM darstellt, wird der Lese/Schreibbetrieb
der Speicherzelle beschrieben. Gemäß Fig. 2 weist die Speicherzelle
40 einen Feldeffekttransistor Q und einen Kondensator Cs
auf. Die Gateelektrode des Feldeffekttransistors Q ist mit einer
Wortleitung 200 verbunden und die mit dem Kondensator Cs verbundene
Source/Drainelektrode ist mit einer Bitleitung 300 verbunden.
Beim Schreiben von Daten wird, da der Transistor Q vom Feldeffekttyp
leitend wird, wenn eine vorbestimmte Spannung an die
Wortleitung 200 angelegt ist, eine an die Bitleitung 300 angelegte
elektrische Ladung im Kondensator Cs gespeichert. Andererseits
wird beim Lesen von Daten, da der Feldeffekttransistor Q
leitend wird, wenn eine vorbestimmte Spannung an die Wortleitung
200 angelegt ist, die im Kondensator Cs gespeicherte elektrische
Ladung über die Bitleitung 300 herausgenommen.
Bei einer Halbleiterspeichereinrichtung, zum Beispiel bei dem in
Fig. 1 gezeigten DRAM, ist ein Verdrahtungsverfahren von Signalleitungen,
die Information übertragen, von jeder Speicherzelle
zum Leseverstärker als Bitleitungsverfahren (das als gefaltetes
Bitleitungsverfahren bezeichnet wird) bekannt, bei dem ein Paar
von zwei Bitleitungen von den Leseverstärkern in derselben
Richtung angeordnet sind. Gemäß Fig. 3 erfolgt die Beschreibung
eines der Beispiele.
Fig. 3 zeigt in einem schematischen Diagramm den äquivalenten
Schaltungsaufbau der gefalteten Bitleitungen. Wie in Fig. 3
gezeigt, sind Paare von Bitleitungen (BL 0, ), (BL 1, ), . . .,
(BLm, ) in derselben Richtung vom Leseverstärker SA angeordnet
und die Mehrzahl von Speicherzellen ist mit jeder Bitleitung
verbunden. Bei diesem Fall wird, falls beispielsweise eine
weitere Verdrahtungsleitung wie zum Beispiel A benachbart zu
einer Bitleitung BL 0 als eine virtuelle Verdrahtungsleitung
angeordnet ist, und der Kondensator C zwischen der Verdrahtungsleitung
A und der Bitleitung BL 0 groß ist, Rauschen erzeugt, wenn
ein bestimmtes Potential an die Verdrahtungsleitung A angelegt
ist, wodurch das Potential der Bitleitung BL 0 beeinflußt wird.
Auf der anderen Seite, da die Bitleitung von der Verdrahtungsleitung
A entfernt ist, bewirkt das Potential der Verdrahtungsleitung
A auf dieser Leitung einen kleineren Einfluß. Wenn
der Vergleich zwischen den Potentialen bei den Bitleitungen BL 0
und zum Erfassen einer dazwischen liegenden Potentialdifferenz
durchgeführt wird, wird folglich eine Fehlfunktion der
Umkehrung des Ergebnisses des Vergleiches zwischen den Potentialen
bei der einen und der anderen Bitleitung BL 0 und auf
Grund der Tatsache verursacht, daß das Potential auf der Bitleitung
fluktuiert.
Um dieses Problem zu lösen, wird ein gewundenes bzw. verdrilltes
Bitleitungsverfahren vorgeschlagen, bei dem sich zwei Bitleitungen
gegenseitig bei einer Mehrzahl von Stellen, wie in Fig. 4
gezeigt, überschneiden. Als ein Beispiel erfolgt die Beschreibung
des Falles, bei dem die benachbarte Verdrahtungsleitung A als
eine virtuelle Verdrahtungsleitung dargestellt wird. Das Rauschen
von der Verdrahtungsleitung A beeinflußt gleichförmig die benachbarten
Verdrahtungsleitungen, d. h. die Bitleitungen BL 0 und
(in diesem Fall wird angenommen, daß die Anzahl der überschneidenden
Stellen, deren Abstände und dergleichen so gesetzt sind,
daß die Ladekapazitäten C mit beiden Bitleitungen BL 0 und
gleich sind). Als Ergebnis ergibt sich, daß, wenn die Potentiale
der Bitleitungen BL 0 und zum Erfassen einer dazwischen
liegenden Potentialdifferenz verglichen werden, sich insofern ein
Vorteil ergibt, daß ein fehlerhafter Betrieb nicht mehr auftaucht,
da der Einfluß des Rauschens vernachlässigt werden kann.
Entsprechend dem obenerwähnten verdrillten Bitleitungsverfahren
wurden verschiedene Verdrahtungsstrukturierungen vorgeschlagen.
Beispielsweise ist ein Verdrahtungsaufbau, der einen Satz von
zwei Bitleitungen, die sich einmal überschneiden, aufweist, in
Patrick W. Bosshart et al. "553k-Transistor LISP Processor
Chip" ISSCC '87, Digest of Technical papers, S. 202, beschrieben.
Die Japanese Patent Laying-Open Gazette Nr. 2 54 489/1985 offenbart
einen Verdrahtungsaufbau, der zwei Bitleitungen enthält, die sich
in der Mitte jedes anderen Bitleitungspaares überschneiden.
Ferner offenbart die Japanese Patent Laying-Open Gazette Nr.
51 096/1987 einen Verdrahtungsaufbau, der Bitleitungspaare
enthält, die sich bei geradzahligen Positionen überschneiden und
Bitleitungspaare, die sich bei ungeradzahligen Positionen überschneiden,
und die abwechselnd angeordnet sind. U.S. Patent Nr.
39 42 164 offenbart einen Verdrahtungsaufbau, der einen Satz von
zwei Signalleitungen enthält, die vom Leseverstärker in derselben
Richtung führen und sich bei einer Position der Hälfte bzw. dem
Viertel des Abstandes überschneiden. Ferner beschreibt die Japanese
Patent Laying-Open Gazette Nr. 26 895/1988 einen Verdrahtungsaufbau,
der ein Paar von Bitleitungen enthält, die mit dem
Leseverstärker verbunden ist und eine Mehrzahl von überschneidenden
Stellen aufweist, die nicht mit denen der benachbarten Paare
von Bitleitungen übereinstimmen.
Obwohl wie oben beschrieben verschiedene Verdrahtungsverfahren
entsprechend dem verdrillten Bitleitungsverfahren vorgeschlagen
worden sind, wurde bisher jedoch kein Verdrahtungsaufbau zum
Durchführen des Verfahrens, d. h. der planare Aufbau und der
geschnittene Aufbau einer Verdrahtungsschicht, vorgeschlagen. Vor
kurzem wurde ein Fortschritt bei einer Speicherzelle auf Grund
einer verbesserten Integrationsdichte eines Speichers erzielt.
Der Abstand zwischen Signalleitungen, wie etwa den mit jeder
Speicherzelle verbundenen Bitleitungen, wurde ebenfalls verringert.
Folglich erscheint es bemerkenswert, da die mit jeder
Speicherzelle verbundene Signalleitung winzig wird, daß in einer
Halbleiterspeichereinrichtung wie dem DRAM ein Fehler in der
Informationsübertragung auf Grund des Rauschens von einer anderen
Verdrahtungsleitung, und damit ein fehlerhafter Betrieb leicht
auftreten kann. Es ist daher wünschenswert, daß eine konkrete
Konfiguration und ein konkreter Aufbau der Verdrahtungsschicht
zum Durchführen des verdrillten Bitleitungsverfahrens vorgeschlagen
werden, bei dem eine fehlerhafte Informationsübertragung
durch gleichförmiges Verteilen des Rauschens von einer anderen,
benachbarten Verdrahtungsleitung auf ein Paar von Signalleitungen
gesteuert werden kann.
Diese Erfindung wurde zur Lösung der oben beschriebenen Probleme
vorgeschlagen.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halbleiterspeichereinrichtung
mit einem Verdrahtungsaufbau vorzusehen, die einen fehlerhaften
Betrieb der Übertragung von Information durch gleichförmiges
Verteilen eines Rauschens von einer anderen benachbarten Verdrahtungsleitung
auf jede der beiden Signalleitungen steuern kann.
Aufgabe der Erfindung ist es ferner, ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Verdrahtungsaufbau
vorzusehen, das einen fehlerhaften Betrieb der Informationsübertragung
durch gleichförmiges Verteilen eines Rauschens
von einer anderen benachbarten Verdrahtungsleitung auf jede der
beiden Signalleitungen steuern kann.
Aufgabe der Erfindung ist es ferner, ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Verdrahtungsaufbau
vorzusehen, mit dem man das verdrillte Bitleitungsverfahren
durchführen kann, ohne die Geschwindigkeit der Signalübertragung
zu verringern.
Aufgabe der Erfindung ist es ferner, ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Verdrahtungsaufbau
vorzusehen, das den Verdrahtungswiderstandswert zur Durchführung
des verdrillten Bitleitungsverfahrens verringern kann.
Aufgabe der Erfindung ist es ferner, ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiterspeichereinrichtung vorzusehen, das die
zusätzliche Kapazität in einer Verdrahtungsleitung zum Durchführen
des verdrillten Bitleitungsverfahrens minimalisieren kann.
Aufgabe dieser Erfindung ist es weiterhin, ein Verfahren für ein
DRAM mit einem gefalteten Bitleitungsaufbau vorzusehen, das den
Effekt des parasitären Koppelns von externen Signalen darin
verringern kann.
Aufgabe der Erfindung ist es schließlich, ein Verfahren zur
Herstellung einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Verdrahtungsaufbau
vorzusehen, durch das der Verdrahtungsaufbau sehr
klein ausgebildet werden kann.
Die Aufgabe wird durch einen Halbleiterspeicher gelöst, der ein
Halbleitersubstrat, Wortleitungen und Bitleitungen, Speicherzellen
und einen Leseverstärker aufweist. Das Halbleitersubstrat
weist eine Hauptoberfläche auf. Die Wortleitungen und Bitleitungen
überschneiden sich gegenseitig auf der Hauptoberfläche des
Substrates. Die Bitleitungen sind in der Form von parallelen
Bitleitungspaaren angeordnet. Die Speicherzellen sind bei
Schnittpunkten der Wortleitungen und der Bitleitungen angeordnet.
Der Leseverstärker erfaßt Spannungsunterschiede der Bitleitungspaare.
Entsprechende Abschnitte der Bitleitung des Bitleitungspaares
sind seitlich auf dem Substrat entlang der Länge des
Bitleitungspaares vertauscht. Entsprechende Abschnitte der Bitleitungen
von jedem Bitleitungspaar weisen dieselbe Anzahl von
jeweiligen Verbindungsabschnitten auf.
Entsprechend einem Ausführungsbeispiel dieser Erfindung ist eine
Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Verdrahtungsaufbau vorgesehen,
die das verdrillte Bitleitungsverfahren verwendet, ohne
die Geschwindigkeit der Signalübertragung zu verringern.
Entsprechend einem weiteren Ausführungsbeispiel dieser Erfindung
ist eine Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Verdrahtungsaufbau
vorgesehen, die den Verdrahtungswiderstandswert zum Durchführen
des verdrillten Bitleitungsverfahrens verringern kann.
Entsprechend einer weiteren Ausführungsform ist eine Halbleiterspeichereinrichtung
vorgesehen, die zur Durchführung des verdrillten
Bitleitungsverfahrens die zusätzliche Kapazität einer
Verdrahtungsleitung minimalisieren kann.
Entsprechend einer weiteren Ausführungsform ist ein DRAM mit
einem gefalteten Bitleitungsaufbau vorgesehen, der einen Effekt
des parasitären Koppelns von externen Signalen daran verringert.
Entsprechend einer weiteren Ausführungsform ist eine Halbleiterspeichereinrichtung
vorgesehen, die einen Verdrahtungsaufbau aufweist,
der sehr klein gemacht werden kann.
Die Aufgabe wird ferner durch eine Halbleiterspeichereinrichtung
entsprechend dieser Erfindung gelöst, bei der die Bitleitungen
des Bitleitungspaares auf einem ersten Niveau des Substrates
angeordnet sind. Das Bitleitungspaar weist zumindest einen
überschneidenden Abschnitt auf. Zumindest ein überschneidender
Abschnitt des Bitleitungspaares ist auf einem zweiten Niveau des
Substrates angeordnet, das sich vom ersten Niveau unterscheidet.
Die Aufgabe wird ferner durch eine Halbleiterspeichereinrichtung
gelöst, deren entsprechende Abschnitte der Bitleitungen des
Bitleitungspaares vertikal zwischen einem ersten und einem zweiten
Niveau des Substrates vertauscht sind.
Die Aufgabe wird weiterhin durch eine Halbleiterspeichereinrichtung
gelöst, die entsprechend der Erfindung einen Verdrahtungsaufbau
aufweist, bei dem erste und zweite leitende Schichten
einen überschneidenden Abschnitt in einem Bereich aufweisen, bei
dem eine Speichereinrichtung gebildet ist. Die Speichereinrichtung
kann eine dynamische Speichereinrichtung oder eine statische
Speichereinrichtung sein.
Die Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zum Verringern der
Kopplung der Spannungsunterschiede auf ein Bitleitungspaar gelöst,
das die folgenden Schritte aufweist:
- (a) Den Schritt des Anordnens der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf einem ersten Niveau des Substrates.
- (b) Den Schritt des seitlichen Vertauschens von Anordnungen entsprechender Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf dem Substrat entlang der Länge des Bitleitungspaares, wobei das Bitleitungspaar zumindest einen überschneidenden Abschnitt aufweist.
- (c) Den Schritt des Anordnens von zumindest einem überschneidenden Abschnitt des Bitleitungspaares bei einem zweiten Niveau des Substrates, das unterschiedlich zu dem ersten Niveau ist.
Die Aufgabe wird schließlich durch ein Verfahren zum Verringern
des Koppelns von Spannungsunterschieden auf ein Bitleitungspaar
gelöst, das die folgenden Schritte aufweist:
- (a) Den Schritt des seitlichen Vertauschens von Anordnungen von entsprechenden Abschnitten der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf dem Substrat entlang der Länge des Bitleitungspaares.
- (b) Den Schritt des Vertauschens der Anordnungen der entsprechenden Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares vertikal zwischen ersten und zweiten Niveaus des Substrates.
Entsprechend dieser Erfindung weisen die entsprechenden Abschnitte
der Bitleitungen von jedem Bitleitungspaar jeweils dieselbe
Anzahl von Verbindungsabschnitten auf und werden seitlich
gegenseitig auf dem Substrat vertauscht. Damit werden die entsprechenden
Abschnitte der Bitleitungen von jedem Bitleitungspaar
unter denselben Bedingungen auf dem Substrat entlang der Länge
des Bitleitungspaares gegenseitig seitlich vertauscht. Als Folge
davon wird es möglich, eine Halbleiterspeichereinrichtung mit
einem Verdrahtungsaufbau vorzusehen, die es ermöglicht, einen
Einfluß auf Grund des Rauschens von der benachbarten Verdrahtungsleitung
zu minimalisieren.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich
aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigen
Fig. 1 ein Blockdiagramm des ganzen Aufbaues eines DRAM, der als
ein Beispiel einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem
Verdrahtungsaufbau dient,
Fig. 2 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm entsprechend einer
Speicherzelle des in Fig. 1 gezeigten DRAM,
Fig. 3 eine schematische Ansicht des äquivalenten Schaltungsaufbaues,
die ein gefaltetes Bitleitungsverfahren zeigt,
Fig. 4 eine schematische Ansicht des äquivalenten Schaltungsaufbaues,
die ein verdrilltes Bitleitungsverfahren zeigt,
Fig. 5 eine teilweise Draufsicht eines Ausführungsbeispieles
einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Verdrahtungsaufbau
entsprechend dieser Erfindung,
Fig. 6A und 6B entlang einer Linie VI-VI in Fig. 5 genommene
Schnittansichten, die zwei Ausführungsbeispiele des Verdrahtungsaufbaues
entsprechend dieser Erfindung zeigen,
Fig. 7 eine teilweise Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispieles
eines Verdrahtungsaufbaues entsprechend dieser
Erfindung,
Fig. 8A und 8B entlang einer Linie VIII-VIII genommene Schnittansichten,
die zwei Beispiele des Verdrahtungsaufbaues
entsprechend dieser Erfindung zeigen,
Fig. 9 eine teilweise Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispieles
einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem
Verdrahtungsaufbau entsprechend dieser Erfindung,
Fig. 10A und 10B in teilweisen Draufsichten weitere Ausführungsbeispiele
eines Verdrahtungsaufbaues entsprechend dieser
Erfindung und eines Verdrahtungsaufbaues, der es ermöglicht,
den Abstand zwischen zwei Signalleitungen sehr
klein zu machen,
Fig. 11A und 11B entlang einer Linie XIA-XIA und XIB-XIB in den
Fig. 10A und 10B genommene Schnittansichten,
Fig. 12A, 12B, 12C und 12D Schnittansichten eines Herstellungsverfahrens
in der Reihenfolge der Schritte des Verdrahtungsaufbaues
mit dem in Fig. 8A gezeigten Abschnittes,
Fig. 13A, 13B, 13C und 13D Schnittansichten eines Herstellungsverfahrens
in der Reihenfolge der Schritte des Verdrahtungsaufbaues
mit dem in Fig. 11A gezeigten Abschnittes,
Fig. 14A eine schematische Ansicht des äquivalenten Schaltungsaufbaues
des Verdrahtungsaufbaues entsprechend der in den
Fig. 6A und 6B gezeigten Schnittansichten,
Fig. 14B eine schematische Ansicht des äquivalenten Schaltungsaufbaues
des Verdrahtungsaufbaues entsprechend der in den
Fig. 8A und 8B gezeigten Schnittansichten,
Fig. 14C eine schematische Ansicht des äquivalenten Schaltungsaufbaues
des Verdrahtungsaufbaues entsprechend der in den
Fig. 10A und 10B gezeigten Schnittansichten,
Fig. 15 ein Blockdiagramm eines Beispieles des ganzen Aufbaues
einer weiteren Halbleiterspeichereinrichtung, bei der der
Verdrahtungsaufbau entsprechend dieser Erfindung angewendet
werden kann.
Unter Bezugnahme auf die Figuren erfolgt die Beschreibung eines
Ausführungsbeispieles dieser Erfindung.
Fig. 5 zeigt in einer Draufsicht ein Ausführungsbeispiel, das in
einem DRAM als ein Beispiel einer Halbleiterspeichereinrichtung
mit einem Verdrahtungsaufbau entsprechend dieser Erfindung verwendet
wird. Nach Fig. 5 sind eine Bitleitung 3 a und eine
leitung 3 b so gebildet, daß sie sich in der gleichen Richtung
auf einer obersten Schicht erstrecken. Die Bitleitung 3 a ist mit
der Speicherzelle über ein Kontaktloch 10 a verbunden. Die leitung
3 b ist mit der Speicherzelle über ein Kontaktloch 10 b
verbunden. Jede Speicherzelle weist einen Satz von Feldeffekttransistoren
Q 1, Q 2 und Q 3 und Kondensatoren Cs 1, Cs 2 und Cs 3
innerhalb eines aktiven Bereiches 100 auf. Die Gateelektroden
bilden Teile der Transistoren Q 1, Q 2 und Q 3 und dienen für die
Wortleitungen 200. Die Bitleitung 3 a und die leitung 3 b
überschneiden sich bei einem Bereich, der von der Speicherzelle
entfernt ist. Die Fig. 6A und 6B zeigen in Schnittansichten
entlang einer Linie VI-VI den Überschneidungsabschnitt.
Fig. 6A zeigt in einer Schnittansicht einen Fall, bei dem sich
die Bitleitung 3 a und die leitung 3 b unter Verwendung einer
zusätzlichen überbrückenden Verdrahtungsschicht überschneiden.
Unter Bezugnahme auf diese Figur ist ein Siliziumoxidfilm 2 auf
einem Siliziumsubstrat 1 gebildet. Die Bitleitung 3 a und die
leitung 3 b sind zum Beispiel aus Aluminium hergestellt und
über einen Zwischenschichtisolierfilm 4 auf dem Siliziumoxidfilm
2 gebildet. Eine überbrückende Verdrahtungsschicht 8 mit einem
niedrigen Widerstandswert, die zum Beispiel aus einem hochschmelzenden
Metallsilizid hergestellt ist, ist teilweise unterhalb der
Bitleitung 3 a durch den Zwischenschichtisolierfilm 4 gebildet, so
daß sich eine Bitleitung 3 a und eine leitung 3 b überschneiden.
Die leitung 3 b ist über Kontaktlöcher 10 c und 10 d mit der
überbrückenden Verdrahtungsschicht 8 verbunden. In diesem Fall
kann die zusätzliche Kapazität des Verbindungsabschnittes des
Zwischenschichtisolierfilmes 4 durch ein dickes Ausbilden des
Isolierfilmes 4, der aus einem Material geringer Leitfähigkeit
wie zum Beispiel SiO₂ hergestellt ist, minimiert werden.
Fig. 6B zeigt eine Schnittansicht eines Falles, bei dem die
leitung 3 b durch eine Verunreinigungsdiffusionsschicht auf dem
Überschneidungsabschnitt überbrückt ist. Entsprechend dieser
Figur ist zum Beispiel eine Verunreinigungsdiffusionsverdrahtungsschicht
9, die aus einem Verunreinigungsdiffusionsbereich
vom N-Typ hergestellt ist, auf dem Siliziumsubstrat 1 vom P-Typ
gebildet. Die Verunreinigungsdiffusionsverdrahtungsschicht 9
wird als die überbrückende Verdrahtungsschicht der leitung 3 b
verwendet. Die leitung 3 b ist über die Kontaktlöcher 10 c und
10 d mit der Verunreiniungsverdrahtungsschicht 9 verbunden. Die
Bitleitung 3 a ist oberhalb der Verunreinigungsdiffusionsverdrahtungsschicht
9 über dem Zwischenschichtisolierfilm 4 gebildet.
Auf diese Art und Weise ist es möglich, daß sich Bitleitungen
unter Verwendung der Verunreinigungsdiffusionsverdrahtungsschicht
überschneiden, ohne eine zusätzliche Schicht über dem Substrat zu
bilden. Währenddessen ist es bei diesem Aufbau schwierig, den
Bitleitungswiderstandswert zu verringern, und die zusätzliche
Kapazität oder dergleichen zu steuern, da die Verunreinigungsdiffusionsschicht
als die überbrückende Schicht verwendet ist. Daher
wird es zur Erhöhung der Signalübertragungsrate vorgezogen, den
in Fig. 6A gezeigten Verdrahtungsaufbau anzuwenden, wenn sich die
Bitleitungen unter Verwendung lediglich einer überbrückenden
Verdrahtungsschicht überkreuzen bzw. überschneiden.
Fig. 7 zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispieles eines
weiteren Verdrahtungsaufbaues entsprechend dieser Erfindung.
Gemäß dieser Figur überschneiden sich die Bitleitung 3 a und die
leitung 3 b unter Verwendung zweier überbrückender Verdrahtungsschichten
5 und 7. Die entlang einer Linie VIII-VIII aus
Fig. 7 genommenen Fig. 8A und 8B zeigen in Schnittansichten
diesen Verdrahtungsaufbau.
Nach Fig. 8A sind die Bitleitung 3 a und die leitung 3 b auf dem
Siliziumoxidfilm 2 gebildet, die auf dem Siliziumsubstrat gebildet
ist. Um die leitung 3 b und die Bitleitung 3 a zu überschneiden,
werden zum Beispiel überbrückende Verdrahtungsschichten
5 und 7, die aus Aluminium hergestellt sind, darauf gebildet.
Die Verdrahtungsschicht 5 ist auf dem Zwischenschichtisolierfilm
4 gebildet und über ein Kontaktloch 10 e mit der leitung 3 b
verbunden. Die überbrückende Verdrahtungsschicht 7 ist auf dem
Zwischenschichtisolierfilm gebildet und über ein Kontaktloch 10 f
mit der Bitleitung 3 a verbunden. Auf diese Art und Weise können
die Bitleitungen unter Verwendung der überbrückenden Verdrahtungsschicht
überkreuzt werden. Bei diesem Fall kann irgendeine
der überbrückenden Verdrahtungsschichten 5 und 7 unterhalb der
Bitleitungen gebildet sein. Die Fig. 8B zeigt in einer Schnittansicht
einen Fall, bei dem die überbrückende Verdrahtungsschicht 5
unterhalb der leitung 3 b gebildet ist und die überbrückende
Verdrahtungsschicht 7 auf der Bitleitung 3 a gebildet ist. In
jedem Fall kann der Bitleitungswiderstandswert dadurch verringert
werden, daß die überbrückende Verdrahtungsschicht aus einem
Material mit einem geringeren Widerstandswert wie zum Beispiel
Aluminium gebildet wird. Die zusätzliche Kapazität kann durch
Verwenden des dicken Isolierfilmes als den Zwischenschichtisolierfilm
6 minimiert werden. Damit können zwei Bitleitungen
überkreuzt werden, ohne die Signalübertragungsrate auf Grund der
Leitungen zu verringern.
Bei dem in Fig. 5 gezeigten Verdrahtungsaufbau ist der überschneidende
Abschnitt der Bitleitungen auf einem anderen Bereich
als dem Bereich, wo die Speicherzelle gebildet ist, vorgesehen.
Jedoch kann, wie in Fig. 9 gezeigt, der überschneidende Bereich
der Bitleitungen über dem Bereich, wo die Speicherzelle gebildet
ist, gebildet sein. Es ist unnötig zu erwähnen, daß derselbe
Effekt erreicht werden kann, sogar wenn die überbrückende Verdrahtungsschicht
8 so gebildet ist, daß sich die Bitleitungen
oberhalb dem Bereich überschneiden, wo die Speicherzelle auf
diese Weise gebildet ist. Durch das Ausbilden der Verdrahtungsschicht
derart, daß der überschneidende Abschnitt oberhalb
des Bereiches, bei dem die Speicherzelle gebildet ist, liegt, ist
es unnötig, zur Bildung des überschneidenden Abschnittes einen
zusätzlichen Bereich vorzusehen, so daß eine hohe Integrationsdichte
des Speichers vorgesehen werden kann.
Da es üblich ist, die Bitleitung 3 a und die leitung 3 b aus
leitfähigen Schichten mit demselben Niveau in dem in Fig. 5, 7
oder 9 gezeigten Verdrahtungsaufbau zu bilden, wird ferner ein
Abstand d zwischen den Leitungen bei diesem Fall auf Grund von
Beschränkungen der fotolithograpischen Technik begrenzt. Entsprechend
dem in den Fig. 6A, 6B, 8A und 8B gezeigten
Verdrahtungsaufbau kann der Einfluß auf Grund des Rauschens von
der benachbarten Verdrahtungsleitung lediglich durch Bewirken
eines Effektes des zweidimensionalen parasitären Kopplungsäquivalentes
minimalisiert werden. Daher ist der folgende Aufbau
erwünscht, d. h. der Aufbau, der den fehlerhaften Betrieb der
Informationsübertragung durch Verringern des Abstandes zwischen
zwei Signalleitungen und gleichförmiges Verteilen des Rauschens
von einer anderen benachbarten Verdrahtungsleitung steuern kann,
insbesondere ein dreidimensionales parasitäres Koppeln zu jeder
der beiden Signalleitungen.
Die Fig. 10A, 10B und 11A, 11B zeigen weitere Ausführungsbeispiele
eines Verdrahtungsaufbaues entsprechend dieser Erfindung.
Die Fig. 10A und 10B zeigen in teilweisen Draufsichten den
Verdrahtungsaufbau, der es ermöglicht, den Abstand zwischen zwei
Signalleitungen klein zu halten. Die Fig. 11A und 11B sind
entlang einer Linie XIA-XIA und XIB-XIB aus Fig. 10A und 10B
genommene Schnittansichten.
Entsprechend diesem Ausführungsbeispiel ist irgendeine der Bitleitung
3 a und der leitung 3 b, zum Beispiel die Bitleitung 3 a,
beispielsweise aus einer ersten polykristallinen Siliziumschicht
auf der Oberfläche des Siliziumoxidfilmes 2 gebildet, der auf dem
Siliziumsubstrat 1, das die Speicherzellen und die peripheren
Schaltungen aufweist, gebildet ist. Auf der Bitleitung 3 a ist die
aus einer zweiten polykristallinen Siliziumschicht gebildete
leitung 3 b durch den Zwischenschichtisolierfilm 4 wie zum
Beispiel SiO₂ gebildet. Bei diesem Fall kann der Abstand d
zwischen den Bitleitungen verringert werden, da die Bitleitung 3 a
und die leitung 3 b aus einer leitfähigen Schicht gebildet
sind, die verschiedene Niveaus aufweisen, und die durch eine
untere und eine obere Schicht gebildet ist. Zwei Bitleitungen
können so ausgebildet sein, daß deren Innenseiten sich angrenzen
und auf einer gemeinsamen vertikalen Ebene liegen, was d = 0
bedeutet, wie in Fig. 10B und 11B gezeigt. Nach dem Überschneiden
der Bitleitung 3 a und der leitung 3 b werden die Niveaus der
leitfähigen Schichten, die die Bitleitungen bilden, über die in
dem Zwischenschichtisolierfilm 4 vorgesehenen Kontaktlöchern 10 g,
10 h ausgetauscht. Wenn die Bitleitung 3 a aus der polykristallinen
Siliziumschicht gebildet ist, ist insbesondere die Bitleitung 3 a
mit der oberen Schicht der zweiten polykristallinen Siliziumschicht
über das Kontaktloch 10 g nach dem Überschneiden verbunden,
während die aus einer zweiten polykristallinen Siliziumschicht
gebildete leitung 3 b über das Kontaktloch 10 h nach dem
Überschneiden mit der unteren Schicht der polykristallinen Siliziumschicht
verbunden ist.
Entsprechend dem obenerwähnten Ausführungsbeispiel sind zwei
Bitleitungen aus leitfähigen Schichten mit verschiedenen Niveaus
aus ersten und zweiten polykristallinen Siliziumschichten gebildet,
und diese überschneiden sich gegenseitig mehrmals in einem
elektrisch getrennten Zustand. Die Niveaus der leitfähigen
Schichten, die die beiden Bitleitungen bilden, werden über
Kontaktlöcher vor und nach dieser Überschneidung gegenseitig
ersetzt. Folglich wird zur Durchführung der in Fig. 4 gezeigten
äquivalenten Schaltung der Verdrahtungsaufbau gebildet, und der
Einfluß auf Grund des Rauschens von der benachbarten Verdrahtungsleitung
kann durch Ausführen eines Effektes des dreidimensionalen
parasitären Kopplungsäquivalentes minimiert werden, und
ebenso kann der Abstand zwischen den Bitleitungen kleiner gemacht
werden.
Es folgt eine Beschreibung eines Verfahrens zur Herstellung der
Halbleiterspeichereinrichtung mit dem Verdrahtungsaufbau entsprechend
dieser Erfindung. Fig. 12A-12D zeigen in Schnittansichten,
die entlang einer Linie VIII-VIII in Fig. 7 genommen
sind, die Reihenfolge der Schritte. Es folgt nun die Beschreibung
eines Verfahrens zur Bildung des Verdrahtungsaufbaues mit dem in
Fig. 8A gezeigten Abschnitt.
Zuerst wird entsprechend Fig. 12A ein Siliziumoxidfilm 2 auf
einem Siliziumsubstrat 1 gebildet. Daran anschließend wird durch
Bilden und Strukturieren beispielsweise einer polykristallinen
Siliziumschicht auf dem Siliziumoxidfilm 2 eine Bitleitung 3 a und
eine leitung 3 b gebildet.
Nach Fig. 12B wird ein Zwischenschichtfilm 4, der aus SiO₂ oder
dergleichen hergestellt ist, auf der ganzen Oberfläche gebildet.
Dann wird ein Kontaktloch 10 e auf der leitung 3 b gebildet.
Gemäß Fig. 12C wird eine überbrückende Verdrahtungsschicht 5 aus
einem Material mit niedrigem Widerstandswert wie zum Beispiel
Aluminium oder dergleichen entsprechend einer vorbestimmten
Strukturierung gebildet.
Wie in Fig. 12D gezeigt, wird ein Kontaktloch 10 f geöffnet,
nachdem ein Zwischenschichtisolierfilm 6 auf der ganzen Oberfläche
gebildet wurde. Dann wird eine überbrückende Verdrahtungsschicht
7 aus einem Material mit einem niedrigen Widerstandswert
entsprechend der vorbestimmten Strukturierung so
gebildet, daß die Bitleitung 3 a über das Kontaktloch 10 f mit der
überbrückenden Verdrahtungsschicht 7 verbunden wird. Auf diese
Art und Weise wird der überschneidende Abschnitt der Bitleitung
3 a und der leitung 3 b unter Verwendung der beiden überbrückenden
Verdrahtungsschichten 5 und 7 gebildet.
Die Fig. 13A-13D zeigen Schnittansichten entlang einer Linie
XIA-XIA in Fig. 10A in der Reihenfolge der Schritte. Gemäß den
Fig. 13A-13D wird der Verdrahtungsaufbau mit dem in Fig. 11A
gezeigten Abschnitt durch einen ähnlichen Prozeß wie der Prozeß
zur Bildung des in den Fig. 12A-12D gezeigten Verdrahtungsaufbaues
gebildet, wie oben beschrieben.
Die Fig. 14A, 14B und 14C sind schematische Ansichten des
äquivalenten Schaltungsaufbaues und zeigen den Verdrahtungsaufbau
entsprechend der in den jeweiligen Fig. 6A und 6B, Fig. 8A und
8B, und Fig. 10A und 10B gezeigten Schnittansichten. Unter
Bezugnahme auf diese Figuren befinden sich die in durchgezogenen
Linien gezeigten Bitleitungen BL und auf einem ersten Niveau
des Substrates und die in gepunkteten Linien gezeigten Bitleitungen
BL und befinden sich bei einem zweiten Niveau des
Substrates. Die Bitleitungen BL und sind mit einem Leseverstärker
SA verbunden. Die durch unterbrochene Linien gezeigten
überbrückenden Verdrahtungsleitungen befinden sich bei einem
zweiten Niveau oder einem dritten Niveau des Substrates. Wie in
den Fig. 14A und 14B gezeigt, sind die Bitleitungen BL und
räumlich und gegenseitig durch Verbinden der Bitleitungen mit den
überbrückenden Verdrahtungsleitungen über Kontaktlöcher 10 vertauscht.
Gemäß Fig. 14C sind die Bitleitungen BL und überkreuzt
und gegenseitig vertikal zwischen dem ersten und zweiten
Niveau des Substrates vertauscht, durch Verbinden der Bitleitungen
mit den jeweiligen Abschnitten der Bitleitungen, die bei dem
unterschiedlichen Niveau angeordnet sind, durch Kontaktlöcher 10.
In jedem Fall weisen die entsprechenden Abschnitte der Bitleitungen
von jedem Bitleitungspaar dieselbe Anzahl von Kontaktabschnitten
10 auf. Damit werden die entsprechenden Abschnitte der
Bitleitungen von jedem Bitleitungspaar räumlich gegenseitig unter
denselben Bedingungen auf dem Substrat entlang der Bitleitungspaarlänge
vertauscht. Folglich ist es möglich, ein DRAM mit einem
gefalteten Bitleitungsaufbau vorzusehen, das die Minimalisierung
eines Einflusses auf Grund des Rauschens von der benachbarten
Verdrahtungsleitung durch Verringern eines Effektes des parasitären
Koppelns von externen Signalen ermöglicht.
Obwohl bei den erwähnten Herstellungsschritten die polykristalline
Siliziumschicht als eine Bitleitung und eine Aluminiumschicht
als eine überbrückende Verdrahtungsschicht als ein Beispiel
verwendet wurden, kann ein anderes Material mit einem
niedrigen Widerstandswert verwendet werden, und die Verdrahtungsschicht
kann aus einer hochschmelzenden Metallschicht, einer
hochschmelzenden Metallsilizidschicht, einem zusammengesetzten
Film aus einer polykristallinen Siliziumschicht und einer hochschmelzenden
Metallschicht, einer niedrigschmelzenden Metallschicht
anders als aus Aluminium oder dergleichen hergestellt
sein.
Obwohl die Beschreibung eines Falles erfolgte, bei dem der
Verdrahtungsaufbau entsprechend dieser Erfindung auf einen Satz
von Bitleitungen bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel
angewendet ist, kann dieser natürlich auch auf eine Mehrzahl von
Sätzen von Bitleitungen angewendet werden. Obwohl das oben
beschriebenen Ausführungsbeispiel einen Fall zeigt, bei dem sich
die Bitleitungen bei einem Punkt überschneiden, kann es auf
Bitleitungen angewendet werden, die eine Mehrzahl von überschneidenden
Abschnitten aufweisen.
Obwohl bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ein auf
Bitleitungen in dem DRAM bezogenes Beispiel gezeigt ist, bei dem
der Verdrahtungsaufbau eine Kombination von signalübertragenden
Signalleitungen ist, die miteinander verglichen werden, wie zum
Beispiel eine Referenzleitung und eine Vergleichsleitung, kann
diese Erfindung ferner auf verschiedene Verdrahtungsschichten
angewendet werden, wobei derselbe Effekt erhalten werden kann.
Zum Beispiel kann diese Erfindung auf einen Satz von Signale
übertragende Signalleitungen angewendet werden, die miteinander
auf einer anderen Halbleiterspeichereinrichtung als das DRAM
verglichen werden.
Fig. 15 zeigt in einem Blockdiagramm ein Beispiel des ganzen
Aufbaues einer anderen Halbleiterspeichereinrichtung, bei dem der
Verdrahtungsaufbau entsprechend dieser Erfindung angewendet werden
kann. Fig. 15 zeigt den ganzen Aufbau eines statischen
Speichers mit wahlfreiem Zugriff (im folgenden als SRAM bezeichnet).
Gemäß Fig. 15 weist das SRAM ein Speicherzellenfeld 41 mit einer
Mehrzahl von Speicherzellen 40, die als Speicherabschnitt dienen,
und einen mit einem Adreßpuffer verbundenen X-Dekoder 42 zur
Auswahl der Adresse, einen Y-Dekoder 43, und einen Ein-/Ausgangsschnittstellenabschnitt,
der einen mit einem Ausgangspuffer verbundenen
Leseverstärker aufweist, auf. Die Mehrzahl der Speicherzellen
40, die als Speicherabschnitt dienen, sind mit überschneidenden
Punkten zwischen mit dem X-Dekoder 42 verbundenen Wortleitungen
und mit dem Y-Dekoder 43 verbundenen Bitleitungen verbunden,
die matrixförmig ausgebildet sind und damit das Speicherzellenfeld
41 bilden. Durch Empfangen extern angelegter Zeilen- und
Spaltenadreßsignale wird die Speicherzelle 40, die sich bei einem
Kreuzungspunkt zwischen der Wortleitung und der Bitleitung, die
jeweils durch den X-Dekoder 42 und den Y-Dekoder 43 ausgewählt
sind, befindet, ausgewählt.
Wenn die in der Speicherzelle 40 gespeicherte Information gelesen
wird, wird eine vorbestimmte Spannung an die Wortleitung angelegt.
Als Folge davon erscheint entsprechend dem Zustand ein
Potential auf der Bitleitung und der leitung. Wenn Information
in die Speicherzelle 40 geschrieben wird, wird eine vorbestimmte
Spannung an die Wortleitung angelegt. Bei diesem Zustand werden
gewünschte Potentiale entsprechend der zu schreibenden Zustände
an die Bitleitung und die leitung angelegt. Auf diese Art und
Weise sind die Bitleitung und die leitung zur Übertragung von
zwei zu vergleichenden Signalen vorgesehen. Damit kann der
Verdrahtungsaufbau entsprechend dieser Erfindung auf die Bitleitungen
in dem SRAM genauso wie auf die Bitleitungen in dem DRAM
angewendet werden.
Wie oben beschrieben, ist es entsprechend dieser Erfindung möglich,
einen Verdrahtungsaufbau vorzusehen, der den Einfluß auf
Grund des Rauschens von der benachbarten Verdrahtungsleitung
minimalisieren kann.
Claims (16)
1. Halbleiterspeicher mit:
- - einem Halbleitersubstrat (1) mit einer Hauptoberfläche;
- - Wortleitungen (200) und Bitleitungen (3 a, 3 b), die sich auf der Hauptoberfläche des Substrates überschneiden, wobei die Bitleitungen in der Form von parallelen Bitleitungspaaren angeordnet sind;
- - Speicherzellen, die bei den Überschneidungen der Wortleitungen und der Bitleitungen angeordnet sind; und
- - einer Leseverstärkereinrichtung (SA) zum Erfassen der Spannungsunterschiede der Bitleitungspaare; wobei entsprechende Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf dem Substrat entlang der Länge des Bitleitungspaares gegenseitig seitlich vertauscht sind; und die entsprechenden Abschnitte der Bitleitungen von jedem Bitleitungspaar jeweils dieselbe Anzahl von Verbindungsabschnitten (10) aufweisen.
2. Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungsabschnitte Kontaktlöcher aufweisen, die in der
Nachbarschaft des Bereiches, bei dem die entsprechenden Abschnitte
der Bitleitungen sich überkreuzen, gebildet sind.
3. Halbleiterspeicher mit:
- - einem Halbleitersubstrat (1) mit einer Hauptoberfläche;
- - Wortleitungen (200) und Bitleitungen (3 a, 3 b), die sich auf der Hauptoberfläche des Substrates überschneiden, wobei die Bitleitungen in der Form von parallelen Bitleitungspaaren angeordnet sind;
- - Speicherzellen, die bei den Überschneidungen der Wortleitungen und der Bitleitungen angeordnet sind; und
- - einer Leseverstärkereinrichtung (SA) zum Erfassen der Spannungsunterschiede
der Bitleitungspaare;
wobei die Bitleitungen des Bitleitungspaares auf einem ersten Niveau des Substrates angeordnet sind; und entsprechende Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf dem Substrat entlang der Länge des Bitleitungspaares gegenseitig seitlich vertauscht sind, und das Bitleitungspaar zumindest einen überschneidenden Abschnitt (5, 7, 8, 9) aufweist, und der zumindest eine überschneidende Abschnitt des Bitleitungspaares bei einem zweiten Niveau des Substrates, das unterschiedlich zu dem ersten Niveau ist, angeordnet ist.
4. Halbleiterspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der zumindest eine überschneidende Abschnitt des Bitleitungspaares
einen Verunreinigungsbereich (9) aufweist.
5. Halbleiterbereich nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der zumindest eine überschneidende Abschnitt des
Bitleitungspaares eine zusätzliche Leitungsschicht (5, 7, 8) aufweist.
6. Halbleiterspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die zusätzliche Leitungsschicht eine Leitungsschicht (8) mit
einem abgesenkten Niveau aufweist.
7. Halbleiterspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die zusätzliche Leitungsschicht eine Leitungsschicht (7) mit
einem angehobenen Niveau aufweist.
8. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das Bitleitungspaar seinen zumindest einen
überschneidenden Abschnitt in dem Bereich aufweist, bei dem die
Speicherzellen gebildet sind.
9. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das Bitleitungspaar seinen zumindest einen
überschneidenden Abschnitt in einem anderen Bereich als den
Bereich, bei dem die Speicherzellen gebildet sind, aufweist.
10. Halbleiterspeicher mit:
- - einem Halbleitersubstrat (1) mit einer Hauptoberfläche;
- - Wortleitungen (200) und Bitleitungen (3 a, 3 b), die sich auf der Hauptoberfläche des Substrates überschneiden, wobei die Bitleitungen in der Form von parallelen Bitleitungspaaren angeordnet sind;
- - Speicherzellen, die bei den Überschneidungen der Wortleitungen und der Bitleitungen angeordnet sind; und
- - einer Leseverstärkereinrichtung (SA) zum Erfassen der
Spannungsunterschiede der Bitleitungspaare;
wobei entsprechende Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf dem Substrat entlang der Länge des Bitleitungspaares gegenseitig seitlich vertauscht sind; und entsprechende Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares gegenseitig vertikal zwischen einem ersten und einem zweiten Niveau des Substrates vertauscht sind.
11. Halbleiterspeicher nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die entsprechenden Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares
gegenseitig vertikal über Kontaktlöcher, die in der
Nachbarschaft des Bereiches, bei dem die entsprechenden Abschnitte
vertauscht sind, gebildet sind, vertauscht sind.
12. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß der Speicher eine dynamische Speichereinrichtung
aufweist.
13. Halbleiterspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß der Speicher eine statische Speichereinrichtung
aufweist.
14. Verfahren zur Verringerung der Kopplung von Spannungsunterschieden
auf ein Bitleitungspaar bei einem Halbleiterspeicher
eines Typs, der ein Halbleitersubstrat (1), Wortleitungen (200)
und Bitleitungen (3 a, 3 b), die sich auf einer Hauptoberfläche des
Substrates überschneiden, und Speicherzellen, die bei den
Schnittpunkten der Wortleitungen und Bitleitungen angeordnet
sind, wobei die Bitleitungen in der Form von parallelen Bitleitungspaaren
angeordnet sind, und eine Leseverstärkereinrichtung
(SA) zum Erfassen der Spannungsunterschiede auf den Bitleitungspaaren
aufweist, wobei Signale, die kapazitiv mit den Bitleitungspaaren
gekoppelt sind, dazu tendieren, darin fehlerhafte
Spannungsunterschiede zu verursachen, wobei das Verfahren die
Schritte aufweist:
- - Anordnen der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf einem ersten Niveau des Substrates;
- - Seitliches Vertauschen von Anordnungen von entsprechenden Abschnitten der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf dem Substrat entlang der Länge des Bitleitungspaares, wobei das Bitleitungspaar zumindest einen überschneidenden Abschnitt (5, 7, 8, 9) aufweist; und
- - Anordnen des zumindest einen überschneidenden Abschnittes des Bitleitungspaares auf einem zweiten Niveau des Substrates, das von dem ersten Niveau unterschiedlich ist.
15. Verfahren zur Verringerung der Kopplung von Spannungsunterschieden
auf ein Bitleitungspaar bei einem Halbleiterspeicher
eines Typs, der ein Halbleitersubstrat (1), Wortleitungen (200)
und Bitleitungen (3 a, 3 b), die sich auf einer Hauptoberfläche des
Substrates überschneiden, und Speicherzellen, die bei den
Schnittpunkten der Wortleitungen und Bitleitungen angeordnet
sind, wobei die Bitleitungen in der Form von parallelen Bitleitungspaaren
angeordnet sind, und eine Leseverstärkereinrichtung
(SA) zum Erfassen der Spannungsunterschiede auf den Bitleitungspaaren
aufweist, wobei Signale, die kapazitiv mit den Bitleitungspaaren
gekoppelt sind, dazu tendieren, darin fehlerhafte
Spannungsunterschiede zu verursachen, wobei das Verfahren die
Schritte aufweist:
- - Seitliches Vertauschen von Anordnungen entsprechender Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares auf dem Substrat entlang der Linie des Bitleitungspaares; und
- - Vertauschen von Anordnungen der entsprechenden Abschnitte der Bitleitungen des Bitleitungspaares vertikal zwischen einem ersten und einem zweiten Niveau des Substrates.
16. Verfahren nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch den Schritt
des Ausrichtens der Seitenflächen der Bitleitungen von jedem
Bitleitungspaar in einer gemeinsamen Ebene senkrecht zum Substrat.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63138003A JPH01307261A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 半導体記憶装置 |
JP19913988 | 1988-08-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3915438A1 true DE3915438A1 (de) | 1989-12-07 |
DE3915438C2 DE3915438C2 (de) | 1991-06-20 |
Family
ID=26471160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3915438A Granted DE3915438A1 (de) | 1988-06-03 | 1989-05-11 | Verdrahtungsaufbau fuer eine halbleiterspeichereinrichtung und herstellungsverfahren dafuer |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5014110A (de) |
DE (1) | DE3915438A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0452648A1 (de) * | 1990-04-20 | 1991-10-23 | International Business Machines Corporation | Gestapelte Bitleitungs-Architektur für Speicherzellenmatrix hoher Dichte vom Typ "cross-point" |
DE4433695A1 (de) * | 1993-09-21 | 1995-03-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung |
EP2287913A3 (de) * | 2004-06-30 | 2012-05-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Elektronisches Gerät, Dünnschichttransistorstruktur und Flachbildschirm damit |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2585799B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1997-02-26 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置及びそのバーンイン方法 |
JP2953708B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1999-09-27 | 株式会社東芝 | ダイナミック型半導体記憶装置 |
US5251168A (en) * | 1991-07-31 | 1993-10-05 | Texas Instruments Incorporated | Boundary cells for improving retention time in memory devices |
US5440506A (en) * | 1992-08-14 | 1995-08-08 | Harris Corporation | Semiconductor ROM device and method |
US5864181A (en) * | 1993-09-15 | 1999-01-26 | Micron Technology, Inc. | Bi-level digit line architecture for high density DRAMs |
US5485419A (en) * | 1994-05-23 | 1996-01-16 | Campbell; John P. | Memory device column address selection lead layout |
US5670815A (en) * | 1994-07-05 | 1997-09-23 | Motorola, Inc. | Layout for noise reduction on a reference voltage |
US5581126A (en) * | 1995-09-14 | 1996-12-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interlaced layout configuration for differential pairs of interconnect lines |
US6043562A (en) | 1996-01-26 | 2000-03-28 | Micron Technology, Inc. | Digit line architecture for dynamic memory |
WO1997028532A1 (en) * | 1996-02-01 | 1997-08-07 | Micron Technology, Inc. | Digit line architecture for dynamic memory |
US5761028A (en) * | 1996-05-02 | 1998-06-02 | Chrysler Corporation | Transistor connection assembly having IGBT (X) cross ties |
US6124199A (en) * | 1999-04-28 | 2000-09-26 | International Business Machines Corporation | Method for simultaneously forming a storage-capacitor electrode and interconnect |
US6201272B1 (en) | 1999-04-28 | 2001-03-13 | International Business Machines Corporation | Method for simultaneously forming a storage-capacitor electrode and interconnect |
JP4008629B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置、その設計方法、及びその設計プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US6475217B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-11-05 | Sherwood Services Ag | Articulating ionizable gas coagulator |
US7184290B1 (en) | 2000-06-28 | 2007-02-27 | Marvell International Ltd. | Logic process DRAM |
US6947324B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-09-20 | Marvell International Ltd. | Logic process DRAM |
US6570781B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-05-27 | Marvell International Ltd. | Logic process DRAM |
US6500706B1 (en) * | 2001-03-19 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Bit-line interconnection scheme for eliminating coupling noise in stack DRAM cell with capacitor under bit-line (CUB) in stand-alone or embedded DRAM |
WO2003044862A1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7547945B2 (en) * | 2004-09-01 | 2009-06-16 | Micron Technology, Inc. | Transistor devices, transistor structures and semiconductor constructions |
JP2006128471A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
US7384849B2 (en) | 2005-03-25 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming recessed access devices associated with semiconductor constructions |
US7282401B2 (en) | 2005-07-08 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for a self-aligned recessed access device (RAD) transistor gate |
US7867851B2 (en) | 2005-08-30 | 2011-01-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming field effect transistors on substrates |
JP5296963B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2013-09-25 | エルピーダメモリ株式会社 | 多層配線半導体集積回路、半導体装置 |
US7700441B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming field effect transistors, methods of forming field effect transistor gates, methods of forming integrated circuitry comprising a transistor gate array and circuitry peripheral to the gate array, and methods of forming integrated circuitry comprising a transistor gate array including first gates and second grounded isolation gates |
US7602001B2 (en) | 2006-07-17 | 2009-10-13 | Micron Technology, Inc. | Capacitorless one transistor DRAM cell, integrated circuitry comprising an array of capacitorless one transistor DRAM cells, and method of forming lines of capacitorless one transistor DRAM cells |
US7772632B2 (en) * | 2006-08-21 | 2010-08-10 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays and methods of fabricating memory arrays |
US7589995B2 (en) * | 2006-09-07 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | One-transistor memory cell with bias gate |
US7923373B2 (en) | 2007-06-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
CN102610589A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-07-25 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Sram存储器 |
JP2015060918A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0167281A2 (de) * | 1984-05-31 | 1986-01-08 | Fujitsu Limited | Halbleiterspeichergerät |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3942164A (en) * | 1975-01-30 | 1976-03-02 | Semi, Inc. | Sense line coupling reduction system |
JPS5784149A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
JPS57117268A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
EP0127100B1 (de) * | 1983-05-24 | 1990-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung |
JPH0628302B2 (ja) * | 1984-02-28 | 1994-04-13 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH0644593B2 (ja) * | 1984-11-09 | 1994-06-08 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
JPH0693480B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1994-11-16 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
JPS6251096A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-05 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPS63183691A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
-
1989
- 1989-04-12 US US07/337,723 patent/US5014110A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-11 DE DE3915438A patent/DE3915438A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0167281A2 (de) * | 1984-05-31 | 1986-01-08 | Fujitsu Limited | Halbleiterspeichergerät |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 30, No. 11, April 88, S. 246-248 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0452648A1 (de) * | 1990-04-20 | 1991-10-23 | International Business Machines Corporation | Gestapelte Bitleitungs-Architektur für Speicherzellenmatrix hoher Dichte vom Typ "cross-point" |
DE4433695A1 (de) * | 1993-09-21 | 1995-03-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung |
DE4433695C2 (de) * | 1993-09-21 | 2003-05-28 | Toshiba Kawasaki Kk | Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung |
EP2287913A3 (de) * | 2004-06-30 | 2012-05-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Elektronisches Gerät, Dünnschichttransistorstruktur und Flachbildschirm damit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5014110A (en) | 1991-05-07 |
DE3915438C2 (de) | 1991-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3915438C2 (de) | ||
DE4433695C2 (de) | Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE4018809C2 (de) | ||
DE4430804C2 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung mit Wortleitungen und Bitleitungen | |
DE4000429C2 (de) | Dram | |
DE3844120C2 (de) | Halbleitereinrichtung mit grabenförmiger Struktur | |
DE3941926C2 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung | |
DE10261457B3 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Transistorarray aus vertikalen FET-Auswahltransistoren | |
DE3538530C2 (de) | ||
DE19832795B4 (de) | Statische Zelle eines Speichers für wahlfreien Zugriff mit optimiertem Seitenverhältnis und Halbleiterspeichervorrichtung, die mindestens eine Speicherzelle umfasst | |
DE3937068C2 (de) | Dynamische Halbleiterspeicheranordnung | |
DE102016114698A1 (de) | SRAM-Struktur mit verringerter Kapazität und verringertem Widerstand | |
DE10334424A1 (de) | Halbleiterspeichervorrichtung mit Doppelzelleneinheiten | |
DE68917187T2 (de) | Zellenmusteranordnung einer Halbleiterspeichereinrichtung. | |
DE4024295A1 (de) | Dynamische halbleiterspeichervorrichtung | |
DE4015452C2 (de) | ||
DE3939337A1 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung mit einer mehrzahl von speicherfeldern mit verbessertem peripherem schaltkreisbereich und verbesserter verbindungsanordnung | |
DE4135826A1 (de) | Halbleitereinrichtung und verfahren zur herstellung derselben | |
DE4312651C2 (de) | Dram | |
DE10144245A1 (de) | Halbleiterspeicherbauelement mit Bitleitungs-Abtastschaltungsmitteln | |
DE4005992A1 (de) | Verfahren zum verringern des kopplungsrauschens von wortleitungen in einer halbleiterspeichervorrichtung | |
DE102006010762B3 (de) | Integrierter Halbleiterspeicher | |
DE2532594B2 (de) | Halbleiterspeicher | |
DE69722132T2 (de) | Statische Halbleiterspeicheranordnung mit Vorausladungsschaltung mit ähnlicher Konfiguration wie Speicherzelle | |
DE19929308C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Speicheranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: PRUFER & PARTNER GBR, 81545 MUENCHEN |