DE2411839C3 - Integrierte Feldeffekttransistor-Schaltung - Google Patents
Integrierte Feldeffekttransistor-SchaltungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine integrierte Feldeffekttransistor-Schaltung
nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
Häufig ist es notwendig oder erwünscht, daß verschiedene Teile einer elektronischen Schaltungsanordnung
mit unterschiedlichen Spannungen betrieben werden. An denjenigen Stellen, an denen die verschiedenen
Schaltungsteile elektrisch miteinander gekoppelt sind, sind die auftretenden Signale u. U. nicht kompatibel.
Man muß daher Einrichtungen wie z. B. Trenn- und Pegelverschiebungsschaltungen vorsehen, durch welche
die verschiedenen Teile des Systems einander angepaßt werden. Die Konstruktion solcher Trennschaltungen ist
vor allem dann schwierig, wenn die Feldeffekttransistoren (FET's) des elektronischen Systems in integrierter
Form in einem einzigen monolithischen Substrat ausgebildet sind, und Probleme ergeben sich insbesondere
aus unerwünschten Vorspannungen zwischen dem Substrat und den integrierten Transistorgebieten.
Namentlich in den bekannten sogenannten CMOS-Invertern können Substratvorspannungen deren Schaltschwellwert
vergrößern, so daß sie auf relativ kleine Eingangssignale nicht mehr ansprechen können. Ferner
besteht bei Durchlaßvorspannungen durch die entsprechend hohen Ströme die Gefahr von örtlichen
Überhitzungen.
Es ist bereits eine zwei komplementäre MOS-Inverterstufen
aufweisende integrierte FET-Schaltung bekannt (SCP und Solid State Technology, März 1966,
Seiten 23 bis 29), bei welcher der die Transistoren des einen Leitungstyps aufnehmende Halbleiterkörper an
einem Bezugspotential, die Transistoren des entgegengesetzten Leitungstyps enthaltende Wannengebiete auf
einem davon abweichenden Potential und die Source-Elektroden jedes Transistors auf dem gleichen Potential
wie der Halbleiterkörper bzw. das Warinengebiet, in dem sie ausgebildet sind, liegen. Hierbei treten keine
Sperrvorspannungen zwischen der Source-Elektrode und dem Halbleiter- bzw. Wannengebiet, in dem der
betreffende Transistor ausgebildet ist, auf. Diese ίο bekannte Schaltung, die z.B. als Speicherstufe dient,
kann aber nicht in der oben erläuterten Weise als Trennschaltung zwischen zwei Schaltkreisen verwendet
werden, von denen der eine mit niedriger und der andere mit hoher Betriebsspannung arbeitet
's Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine zum
Erzeugen von Signalen mit hohem Spannungswert in Abhängigkeit von niedrigen Signalen geeignete Schaltung
anzugeben, die mit geringem Aufwand unerwünschte Vorspannungen zwischen den Transistorgebieten
und ihrem jeweiligen Substrat vermeidet
Die Erfindung löst diese Aufgabe durch die im Patentanspruch gekennzeichnete Schaltung.
Durch die Erfindung wird nicht nur wie bei der bekannten FET-Schaltung erreicht, daß bei den
betrachteten Transistoren der Schaltung die Sperrvorspannung zwischen Source und Substrat null ist, sondern
sie läßt sich darübec hinaus auch als Trennschaltung für zwei mit unterschiedlichen Spannungen betriebene
Schaltkreise verwenden. Die wesentlichsten Vorteile der Erfindung werden bei der folgenden Beschreibung
eines bevorzugten Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnung erläutert Es zeigt
F i g. 1 das Schaltschema einer FET-Schaltung gemäß einem internen Stand der Technik,
« F i g. 2 das Schaltschema einer Schaltung gemäß der
Erfindung und
Fig.3 eine Querschnittsdarstellung eines Teils der
Schaltung nach F i g. 2.
Bei der in F i g. 1 gezeigten bekannten integrierten
Bei der in F i g. 1 gezeigten bekannten integrierten
·"> MOS-Schaltungsanordnung, die eure Trennstufe mit
komplementären Feldeffekttransistoren erhält, kann es geschehen, daß die Transistoren in der Trennstufe mit
erheblichen Sperrvorspannungen zwischen Source und Substrat beaufschlagt werden, was erhebliche Probleme
v> mit sich bringt
In Fig. 1 ist ein erster Logik-Schaltkreis 120, der mit einer Betriebsspannung von 3 Volt arbeitet, mit seinem
Ausgang über eine Anordnung aus drei Inverterstufen /1, /2 und /3 an sinen zweiten Logik-Schaltkreis 140
w angeschlossen, der mit einer Betriebsspannung von 15
Volt arbeitet Die Inverterstufe /1 arbeitet mit der gleichen Betriebsspannung von 3 Volt wie der
Schaltkreis 120. Sie kehrt das Ausgangssignal des Schaltkreises 120 in der Polarität um und koppelt es auf
r>r> den Eingang der Inverterstufe /2 (Gate des Transistors N2). Die Inverterstufen /2 und /3, die mit der gleichen
Betriebsspannung von 15 Volt wie der Schaltkreis 140 arbeiten, sind über Kreuz gekoppelt und legen
entsprechend den ihren Eingängen (Gate-Elektroden
h" der Transistoren Λ/2 und Λ/3) zugeleiteten komplementären
Signalen mit einem Pegelunterschied von 3 Volt an den Schaltkreis 140 Signale an, die zwischen 0
(Massepotential) und 15 Volt wechseln.
" ■ sämtliche Transistoren vom P-Typ (P\,P2 und P3) ein
gemeinsame1· Substrat 150, das mit der höchsten
Betriebsspannung des Systems (15 Volt) beaufschlagt ist,
während die Substrate sämtlicher Transistoren vom
N-Typ (Nl, N2 und N3) auf dem niedrigsten Potential
des Systems (Masse) liegen. Jedoch kann die Source-Elektrode eines Transistors an einer anderen Spannung
liegen als sein Substratgebiet; der Transistor Pl liegt mit seiner Source-Elektrode an 3 Volt, während sein
Substrat eine Spannung von 15 Volt führt Wenn die Source-Elektrode und das Substrat eines Feldeffekttransistors
unterschiedliche Spannungen führen, so ergeben sich Schwierigkeiten. Die Schwellenspannung
Vt eines Feldeffekttransistors ist definiert als diejenige Gate-Source-Spannung, die überschritten werden muß,
um den Transistor einzuschalten, d. h. leitend zu machen. Der Wert von Vt hängt von der zwischen Source und
Substrat des Transistors anliegenden Spannung ab. Liegt zwischen Source und Substrat eine Sperrspannung,
so erhöht sich die Schwellenspannung Vt dei Transistors. Je nach dem spezifischen Widerstand des
Substratmaterials kann die Schwellenspannung W über ihren Nennwert bei Nullvorspannung zwischen Source
und Substrat um einen Betrag zwischen 0,3 und 1 Volt pro Volt der Sperrspannung ansteigen.
Die Schwellenspannung Vr des Transistors Pi kann
beispielsweise 2 Volt betragen, wenn die Scarce-Elektrode
und das Substrat zusammengeschaltet sind, d. h. bei einer Sperrspannung Null. Liegt dagegen zwischen
Source und Substrat eine Sperrspannung von 12,0 Volt,
wie bei der Anordnung nach Fig. 1, so erhöht sich die
Schwellenspannung Vt auf einen Wert, der zwischen 4 und mehr als 10 Volt betragen kann. Bei einer
Schwellenspannung VT des Transistors P i von 4 Volt
muß selbstverständlich die für das Einschalten des Transistors erforderliche Gate-Source-Spannung gleich
oder größer als 4 Volt sein. Jeodch gehört der Transistor Pi zu demjenigen Schaltungsteil, der bei einer
Betriebsspannung von 3 Volt arbeitet Ferner stammen die der Gate-Elektrode des Transistors P i zugeleiteten
Signale von mit der Betriebsspannung von 3 Volt arbeitenden Schaltungsstufen, so daß sie ebenfalls
zwischen 0 Volt und maximal 3 Volt wechseln. Es kann daher der Transistor Pl nicht eingeschaltet werden, so
daß die Schaltungsanordnung teilweise oder gänzlich betriebsunfähig wird.
Das Problem des Anstiegs der Schwellenspannung VT
wird noch schwieriger bei Schaltungsanordnungen, bei denen die Transistoren für sehr niedrige Betriebsspannungen,
beispielsweise 1,5 Volt oder weniger, eingerichtet sind. Eine weitere Schwierigkeit ergibt sich daraus,
daß selbst dann, wenn die Schwellenspannung W des Transistors sich nicht über den Arbeitsbereich hinaus
erhöht, durch eine Sperrspannung der Einschalt-Widerstand des Transistors erhöht wird, so daß sich die Ein-
und Ausschaltzeit der Schaltungsanordnung ändert
In Fig.2 erzeugt der über eine erste Betriebsspannungsquelle
von Vi Volt geschaltete Schaltkreis 12 an der Klemme IB Signale, die zwischen Vi und VDd
Volt wechseln. Bei dem Schaltkreis 12 kann es sich um irgendeinen bekannten Logik- oder Analog-Schaltkreis
handeln, dessen Ausgangssignale auf einen weiteren Schaltkreis 14 gekoppelt werden sollen, der ebenfalls
ein Logik- oder Analog-Schaltkreis oder eine Darstell- oder Anzeigevorrichtung oder irgendein anderer
Verbraucher sein kann. Der Schaltkreis 14 liegt an einer zweiten Betriebsspannungsquelle von Vl Volt und
benötigt Eingangssignale, deren Amplitude zwischen Vppund V2 Volt wechselt. Beispielsweise sind Vod — 0
Volt.
Das Ausgangssignal i>«s Schaltkreises 12 wird mittels der Inverterstufen 10, 20 und 30 so in seinem Pegel verschoben, daß für die Aussteuerung des Schaltkreises 14 geeignete Signale enthalten werden. Jede Inverterstufe enthält einen Transistor vom P-Typ und einen Transistor vom N-Typ, die mit P bzw, N und der Nummer der entsprechenden Inverterstufe bezeichnet sind. Die Gate-Elektroden der Transistoren PlO und N10 sind an die Klemme 19 angeschaltet der das Ausgangssignal des Schaltkreises 12 zugeleitet wird, ίο Das Substrat 60 und die Source-Elektrode des Transistors PlO sind an eine Klemme 13 angeschlossen, der eine Spannung von + Vdd Volt zugeleitet wird. Die Drain-Elektrode des Transistors PlO ist am Schaltungspunkt 4 mit der Drain-Elektrode des Transistors WlO verbunden. Die Source-Elektrode und das Substrat 67 des Transistors Λ/10 sind an eine Klemme 15 angeschlossen, die an einer Spannung von Vi Volt liegt Die Source-Elektrode und das Substrat 60 der Transistoren P20 und P30 sind an die Klemme 13 angeschlossen. Die Gate-Elektroden der Transistoren P20 und P30 liegen am Schaltungr-vankt 4 bzw. an der Klemme 19. Die Drain-Elektroder, der Transistoren P 20 und N 20 sind an der Ausgangsklemme 16 mit der Gate-Elektrode des Transistors W30 verbunden, und die Drain-Elektroden der Transistoren P30 und W30 sind an der Ausgangsklemme 18 mit der Gate-Elektrode des Transistors N20 verbunden. Die Source-Elektrode und das Substrat 70 der Transistoren N 20 und N30 sind an die Klemme 17 angeschlossen, die an einer Spannung jo von V2 Volt liegt Die Ausgangsklemme 18 ist an den Schaltkreis 14 angeschlossen. Ebenso wie die Ausgangsklemme 18 kann natürlich auch die Ausgangsklemme 16 einen Verbraucher oder eine sonstige Ausgangsschaltung steuern.
Das Ausgangssignal i>«s Schaltkreises 12 wird mittels der Inverterstufen 10, 20 und 30 so in seinem Pegel verschoben, daß für die Aussteuerung des Schaltkreises 14 geeignete Signale enthalten werden. Jede Inverterstufe enthält einen Transistor vom P-Typ und einen Transistor vom N-Typ, die mit P bzw, N und der Nummer der entsprechenden Inverterstufe bezeichnet sind. Die Gate-Elektroden der Transistoren PlO und N10 sind an die Klemme 19 angeschaltet der das Ausgangssignal des Schaltkreises 12 zugeleitet wird, ίο Das Substrat 60 und die Source-Elektrode des Transistors PlO sind an eine Klemme 13 angeschlossen, der eine Spannung von + Vdd Volt zugeleitet wird. Die Drain-Elektrode des Transistors PlO ist am Schaltungspunkt 4 mit der Drain-Elektrode des Transistors WlO verbunden. Die Source-Elektrode und das Substrat 67 des Transistors Λ/10 sind an eine Klemme 15 angeschlossen, die an einer Spannung von Vi Volt liegt Die Source-Elektrode und das Substrat 60 der Transistoren P20 und P30 sind an die Klemme 13 angeschlossen. Die Gate-Elektroden der Transistoren P20 und P30 liegen am Schaltungr-vankt 4 bzw. an der Klemme 19. Die Drain-Elektroder, der Transistoren P 20 und N 20 sind an der Ausgangsklemme 16 mit der Gate-Elektrode des Transistors W30 verbunden, und die Drain-Elektroden der Transistoren P30 und W30 sind an der Ausgangsklemme 18 mit der Gate-Elektrode des Transistors N20 verbunden. Die Source-Elektrode und das Substrat 70 der Transistoren N 20 und N30 sind an die Klemme 17 angeschlossen, die an einer Spannung jo von V2 Volt liegt Die Ausgangsklemme 18 ist an den Schaltkreis 14 angeschlossen. Ebenso wie die Ausgangsklemme 18 kann natürlich auch die Ausgangsklemme 16 einen Verbraucher oder eine sonstige Ausgangsschaltung steuern.
r, Die Schaltungsanordnung nach Fig.2 ist in der in
Fig.3 gezeigten Weise, aufgebaut. Das gemeinsame
Substrat 60 besteht aus einem Körper aus N-Ieitendem Halbleitermaterial, in den P-Ieitende Gebiete (61,62,63,
64,67 und 70) eindiffundiert sind. Die P-Gebietc61 und
to 62 bilden das Source- und das Draingebiet des P-leitenden Transistors PlO, und die P-Gebiete 63 und
64 bilden das Source- und das Draingebiet des P-Ieitenden Transistors P20. Die N-Ieitenden Transistoren
sind in den als P-Wanne 1 und P-Wanne 2 bezeichneten P-Gebieten 67 bzw. 70 ausgebildet Die in
das P-Gebiet 67 eindiffundierten N-Gebiete bilden das Source- und das Draingebiet 65 bzw. 66 des Transistors
WlO, und die N-Ieitenden Gebiete 68 und 69 bilden das Source- und das Draingebiet des Transistors W 20. Der
Transistor W30 (in Fig.3 nicht gezeigt) hat seine Source- und Drain-Gebiete vorzugsweise in derselben
P-Wanne wie der Transistor W20.
Über dem Stromweg zwischen Source und Drain befindet sich eine Isolierschicht beispielsweise aus
τ> Siliciumdioxyd, auf der die Gate-Elektrode angebracht
ist Die der GiJte-Elektrode zugeführte Spannung
steuert die Leitfähigkeit des Kanalgebietes. Die Gate-Elektrode des Transistors WlO ist über die
Klemme 19 mit der Gate-Elektrode des Transistors P10
so verbunden.
Das Sourcegebiet 65 des Transistors W10 ist mit dem
P-Gebiet 67, d. h. dem örtlichen Substrat des Transistors WlO, sowie mit der Spannungsquelle V1 verbunden. Das
Draingebiet 61 des Transistors PlO ist mit dem -. Draingebiet 66 des Transistors WlO und mit der
Gate-Elektrode dts Transistors P20 am Schaltungspunkt 4 verbunden. Das Sourcegebiet 68 des Transistors
W20 ist mit dem P-Gebiet 70, d.h. dem örtlichen
Substrat des Transistors N 20, und mit der Spannungsquelle V2 verbunden. Die Gate-Elektrode des Transistors
N 20 ist mit der Klemme 18 verbunden. Das Draingebiet 69 des Transistors /V 20 ist über die
Klemme 16 mit dem Draingebiet 63 des Transistors P20 s verbunden. Die Sourcegebiete 62 und 64 der Transistoren
PlO und P 20 sind mit dem Halbleiterkörper, d. h. dem örtlichen Substrat 60 dieser Transistoren, und der
Spannung Vdd verbunden.
Wie in Fig.2 und 3 gezeigt, liegen sämtliche Transistoren vom P-Typ (PiO, P20, P30) mit ihren
Source-Elektroden und ihrem gemeinsamen Substrat 60 an einer gemeinsamen Spannung Von- Der Transistor
/VlO liegt mit seiner Source-Elektrode und seinem
örtlichen Substrat, dem P-Gebiet 67, an der Spannung V !,und die Transistoren N 20 und N 30 liegen mit ihren
Source-Elektroden und ihrem örtlichen Substrat, dem P-Gebiet 70, an der Spannung V2. Es liegt also jeder
Gebiete mit unterschiedlichen Spannungen voneinander isoliert sind, kann keine Durchlaßvorspannung
zwischen einem Sourcegebiet und einem Substrat auftreten. Die Gefahr, daß die Anordnung zerstört oder
beschädigt wird, besteht daher nicht.
Die Arbeitsweise der Schaltung nach F i g. 2 wird nachstehend unter der Voraussetzung erläutert, daß
+ Vdd = Massepotential (0 Volt), Vi = 1,5 Volt und
V2 = 20 Volt sind. Außerdem sei vorausgesetzt, daß die Schwellenspannung V7 der P- und N-Transistoren bei
Nullspannung zwischen Source und Substrat 1,0 Volt beträgt, und daß die Eingangssignale an der Klemme 19
zwischen 0 Volt (V00) und -1,5 Volt (Vi) wechseln.
Durch ein Signal von 0 Volt an der Klemme 19 wird der Transistor P30 gesperrt und der Transistor N10 leitend
gemacht, so daß der Schaltungspunkt 4 auf eine Spannung von —1,5 Volt angeklammert wird. Dadurch
gelangt zur Gate-Elektrode des Transistors P20 eine
mit aciuci
iC-Li1ICItUtJUC en ucf giciCucn
Spannung wie seine Wanne oder sein Substrat. Dadurch, daß die Transistoren mit Nullspannung zwischen Source
und Substrat arbeiten, ist sichergestellt, daß ihre Schwellenspannung nicht über den Nennwert bei
Nullsperrspannung ansteigt. Dies ermöglicht einen verläßlichen Betrieb von Schaltungsanordnungen mit
Betriebsspannungen, die nahezu gleich der Schwellenspannung sind. Das heißt, ein Transistor mit einer
Schwellenspannung VT von 1 Volt kann mit einer Betriebsspannung von 1,3 oder 1,5 Volt arbeiten. Dies
ermöglicht auch den Einbau von Trennschaltungen zwischen Schaltkreisen mit sehr verschiedenen Betriebsspannungen.
Die vorliegende Anordnung ist von größtem Wert auch für Schaltungsanordnungen, die mit
extrem niedrigen Spannungen (z.B. 1,5 Volt) arbeiten, bei denen schon eine geringfügige Erhöhung der
Schwellenspannung Vr zur völligen oder weitgehenden
Betriebsunfähigkeit der Anordnung führen kann.
Im Gegensatz zu der Anordnung nach F i g. 1 liegt erfindungsgemäß die Source-Elektrode jedes Transistors
an der gleichen Spannung wie sein Substrat. Ferner liegt das gemeinsame Substrat an einer festen
Spannung, während die Wannengebiete mit den unterschiedlichen Spannungen, die der Anordnung
zugeleitet werden, beaufschlagt sind. Dadurch wird es möglich, daß bei keinem Transistor der Anordnung eine
Sperrvorspannung zwischen Source und Substrat auftreten kann.
Bei Schaltungsanordnungen, in denen auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildete Transistoren mit
verschiedenen Betriebsspannungen arbeiten, kann es geschehen, daß dis Sourcegebiet einiger Transistoren in
bezug auf das Substrat in Durchlaßrichtung vorgespannt wird, was unerwünschte Folgen hat Wenn
beispielsweise in F i g. 1 die Source-Elektrode des Transistors Pi mit einer Spannung V0 1 von 3 Volt
beaufschlagt wird, während VD 2 den Wert Null, d. h.
Massepotential, hat so liegt am Source-Substrat-Übergang des Transistors Pl eine Spannung von 3 Volt Das
so vorgespannte Obergangsgebiet hat einen niedrigen Widerstand, so daß ein starker Strom durch den in mi
Durchlaßrichtung vorgespannten Übergang zwischen den beiden Spannungsquellen Vp 1 und Vp 2 fließen
kann. Dieser Strom kann so stark sein, daß das Übergangsgebiet ausbrennt oder das daran angeschlossene
Metall schmilzt Da bei der Anordnung gemäß der > :·
Erfindung die Source-EIektroden der Transistoren an der gleichen Spannung wie ihr Substrat liegen, während
uiig v'Oii — i,~» Tun, WaiifcMu uic vjäic-LiicivtMJuc
des Transistors P30 mit 0 Volt beaufschlagt wird. Bei einer Spannung von 1,5 Volt zwischen den Gate- und
Source-EIektroden leitet der Transistor P20, so daß die Spannung an der Ausgangsklemme 16 gegen 0 Volt
ansteigt. Durch die ansteigende Spannung an der Augangsklemme 16 wird der Transistor /V30 eingeschaltet,
wodurch die Ausgangsklemme 18 auf eine Spannung von —20 Volt angeklammert wird. Auf diese
Weist erzeugt das Signal mit 0 Volt an der Eingangsklemme 19 Signale von 0 Volt bzw. von —20
Volt an den Ausgangsklemmen 16 bzw. 18.
Wenn an der Eingangsklemme 19 ein Signal von —1,5
Volt auftritt, so wird der Transistor PlO eingeschaltet
und der Transistor /VlO ausgeschaltet. Bei der Schaltungsanordnung nach Fi g. 2 bleibt die Schwellenspannung
Vr des Transistors PlO auf dem niedrigen Wert von 1,0 Volt, da die Source-Elektrode und das
Substrat gemeinsam an 0 Volt liegen. Wenn daher seine Gate-Elektrode eine Spannung von —1,5 Volt erhält,
wird der Transistor PlO voll eingeschaltet Bei eingeschaltetem, d. h. leitendem Transistor P10 liegt am
Schaltungspunkt 4 eine Spannung von 0 Volt, wodurch der Transistor PlO gesperrt wird. Zugleich wird durch
die Spannung von -1,5 Volt an der Klemme 19 der Transistor P30 eingeschaltet. Bei eingeschaltetem
Transistor P30 liegt an der Ausgangsklemme 18 eine Spannung von OVoIt, wodurch der Transistor /V20
eingeschaltet und die Ausgangsklemme 16 an eine Spannung von -20 Volt angeklammert wird. Bei einer
Spannung von -20 Volt an der Ausgangsklemme 16 ist der Transistor Λ/30 gesperrt. Es führen daher bei einer
Spannung von - U Volt an der Eingangsklemmc 19 die
Ausgangsklemme 16 eine Spannung von —20 Volt und die Ausgangsklemme 18 eine Spannung von 0 Volt d. h.
die umgekehrten Werte des oben betrachteten Falles eines Eingangssignals von 0 Volt
Bei der hier beschriebenen Schaltungsanordnung kann also ein niedriges Eingangssignal mit nur geringem
Leistungsaufwand und sehr geringem Schaltungsaufwand so in seinem Spannungswert verschoben werden,
daß ein wesentlich größeres Ausgangssignal erhalten wird. Der geringe Leistungsverbrauch ergibt sich
sowohl aus dem komplementär symmetrischen Schaltungsaufbau als auch aus der Tatsache, daß als
Eingangssignale von einer Niederleistungsschaltung erzeugte Signale mit niedrigem Spannungswert verwendet
werden können.
Claims (1)
- Patentanspruch;24 Π 839Integrierte Feldeffekttransistor-Schaltung mit einem Halbleiterkörper eines ersten Leitungstyps, in dem sich die Source- und Draingebiete vom zweiten Leitungstyp eines ersten und zweiten Transistors sowie ein die Source- und Draingebiete vom ersten Leitungstyp wenigstens eines dritten Transistors enthaltendes Wannengebiet vom zweiten Leitungstyp befinden, wobei der erste und der dritte Transistor, die zu einem ersten Schaltungsteil gehören, mit ihren den Ausgang dieses Schaltungsteils bildenden Drainelektroden mit dem Eingang eines den zweiten Transistor und einen vierten Transistor mit Source- und Draingebieten vom ersten Leitungstyp enthaltenden zweiten Schaltungsteils verbunden sind, und mit einer Anordnung zum Anlegen einer Bezugsspannung an den Halbleiterkörper und an die Sourcegebiete des ersten und zweiten Transistors, zum Anlegen einer zweiten, von der Bezugsspannung verschiedenen Spannung an das Wannengebiet und an das Sourcegebiet des dritten Transistors, und zum Anlegen einer sich sowohl von der zweiten Spannung als auch von der Bezugsspannung unterscheidenden dritten Spannung an die Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Spannung (V2) an ein im Halbleiterkörper (60) ausgebildetes gesondertes zweites Wannengebiet (70), in dem sich die Source- und Draingebiete (68, 69) vom ersten Leitungstyp (N) des vierten Transistors ^V 20) befinden, und an das Sourcegebiet (68) des vierten Transistors (N 20) angelegt ist
Applications Claiming Priority (1)
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