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Integrierter Schaltkreis
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Die Erfindung betrifft einen integrierten Schaltkreis gemäß Oberbegriff
des Anspruchs 1. Die Erfindung betrifft insbesondere einen Übertragungs-Gatterschaltkreis,
der mit einem komplementären integrierten Mosfet-Schaltkreis verwendet wird (CMOS-IC).
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Die von einem CMOS-integrierten Schaltkreis verbrauchte Leistung
ist geringer als die bei einem integrierten Mosfet-Einkanalschaltkreis. CMOS-Schaltkreise
werden zur Zeit vielfältig verwendet, z.B. in logischen Schaltkreisen, Speicherschaltkreisen
und Mikrocomputern. Ein in einem CMOS-Schaltkreis verwendeter Ubertragungs-Gatterschaltkreis
bekannter Art ist in der Fig. 1 dargestellt. Das übertragungsgatter weist zwei Mosfets
1 und 2 auf, die parallelgeschaltet sind und entsprechend n-Kanal-Mosfets und p-Kanal-Mosfets
sind. Jede Source-Elektrode der Mosfets 1 und 2 ist an einen Eingangsanschluß 3
gelegt. Die Drain-Elektroden der Mosfets 1 und 2 sind an einen Ausgangsanschluß
4 gelegt. Ein dem Eingangsanschluß 3 zugeführtes Eingangssignal wird dem Ausgangsanschluß
4
zugeführt, wenn die Mosfets 1 und 2 leiten, d.h. wenn sie eingeschaltet sind.
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Die Mosfets 1 und 2 werden gesteuert durch Kontrollsignale 0 und
0 , die den Gatterelektroden zugeführt werden.
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Bei einem n-Kanal-Mosfet leitet das Mosfet, d.h. ist eingeschaltet,
wenn das Steuersignal 0 sich im Hochzustand (H-Pegel) befindet, und ist nicht leitend,
d.h. ausgeschaltet, wenn das Steuersignal 0 seinen Niedrigpegel (L-Pegel) einnimmt.
Das p-Kanal-Mosfet 2 arbeitet komplementär dazu. Daher wird der die Mosfets 1 und
2 aufweisende Übertragungs-Gatterschaltkreis durch die Steuersignale 4 und g gesteuert.
Das Steuersignal 0 das ist/zum Steuersignal 0 invertierte Signal. Das Eingangssignal
wird dem Ausgang zugeführt, wenn das Steuersignal 0 einen H-Pegel aufweist, wird
jedoch nicht übertragen, wenn das Steuersignal einen L-Pegel aufweist.
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Wenn beispielsweise die Versorgungsspannung fünf Volt beträgt, wird
im allgemeinen die Schwellspannung Vth des p-Kanal-Mosfets 2 auf -0,8 Volt gesetzt
und die Schwellwertspannung des n-Kanal-Mosfets 1 auf +0,8 Volt. Diese Schwellenspannung
Vth ändert sich jedoch durch die nachfolgenden vielfältigen Effekte. Zunächst ändert
sich Vth mit der Gatterlänge.
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Gewöhnlich ist es schwierig, eine einheitliche Gatterlängendimension
beim Herstellungsverfahren aufrechtzuerhalten bzw.
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zu erhalten, und die Länge des Gatters kann für jede Serie oder Scheibe
einen leicht unterschiedlichen Wert aufweisen. Das liegt daran, daß es schwierig
ist, bei dem gegenwärtigen Verfahren alle Bedingungen des Prozesses für jede Serie
oder
Scheibe konstant zu halten. Zweitens die Schwellspannung Vth
verschiebt sich bei Einwirkung ionischer Strahlung, beispielsweise Gammastrahlen
und Röntgenstrahlen, die von externen Quellen abgestrahlt werden. Diese Strahlen
können aus dem Material erzeugt werden, aus dem die Vorrichtung aufgebaut ist.
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Der Wert der Schwellspannung Vth wird halbpermanent in die Minus richtung
verschoben. Drittens kann Vth durch heiße Elektronen beeinflußt werden. Heiße Elektronen
haben eine hohe Energie und können sich in der Gatterisolierschicht ansammeln.
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Heiße Elektronen können durch Stoßionisation erzeugt werden, die in
der p-n-übergangszone des Drain-Bereiches des Mosfets auftreten. Wenn die Schwellenspannung
Vth des n-Kanal-Mosfets 1 auf eine Minus-Spannung verschoben worden ist, beispielsweise
auf -0,1 Volt von +0,8 Volt, schaltet der Mosfet 1 nicht ab bzw. sperrt nicht, wenn
das Steuersignal 0 auf seinen Niedrigpegel fällt, nämlich Erdpotential, und die
Eingangs-und Ausgangsanschlüsse gehen auf den gleichen Pegel. Daraus folgt, daß
das Übertragungsgatter die Fähigkeit verliert, Signale bei Zufuhr der Steuersignale
0 und 4 zu übertragen.
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Daneben beträgt die Rauschunterdrückungsspanne dieses Schaltkreises
lediglich einen Bruchteil der Schwellenspannung Vth, so daß dieser Schaltkreis gegenüber
Rauschen empfindlich ist. So ist das übertragungsgatter beispielsweise nicht leitend
unter der Annahme, daß das Steuersignal 0 null Volt beträgt und das Steuersignal
g 5 Volt, jedoch wird das Mosfet 2 leitend, wenn im Steuersignal 0 ein Rauschpegel
vorhanden ist, der niedriger ist als $th1 Daher wird das übertragungsgatter
versagen.
Gewöhnlich liegt das Rauschen in einem Versorgungsspannungssignal in der Größenordnung
von 10 %, kann jedoch zeitweise diesen Betrag übersteigen. In solchen Fällen könnte
das übertragungsgatter fehlerhaft arbeiten. Ferner, wenn Vth bei einem hohen Wert
gehalten wird, um die Rauschunterdrückungsbreite zu verbessern, wird der Bereich
der brauchbaren Spannungsversorgung, der durch Vth und die Durchbruchspannung des
Schaltkreises bestimmt wird, verringert, da die Versorgungsspannung höher als Vth
sein muß. Daher stellt die Beziehung von Vth und dem Versorgungsspannungpotential
einen bedeutenden Faktor bei der Auslegung des Schaltkreises dar.
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Ein Ziel dieser Erfindung besteht deshalb darin, einen neuartigen
integrierten Schaltkreis anzugeben mit einem Übertragungs-Gatterschaltkreis höherer
Zuverlässigkeit.
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Ein weiteres Ziel dieser Erfindung besteht darin, einen verbesserten
integrierten Schaltkreis anzugeben, der mehrere in Reihe geschaltete Mosfets aufweist
und mit Mosfets unterschiedlicher Leitungstypen.
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Ein weiteres Ziel dieser Erfindung besteht darin, einen integrierten
Schaltkreis anzugeben, der eine hohe Rauschunterdrückungsspanne aufweist.
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Diese Ziele werden erfindungsgemäß durch eine integrierte Schaltung
gelöst, die gekennzeichnet ist durch zwei Mosfets unterschiedlicher Leitfähigkeitstypen,
die abwechselnd in Reihe zwischen dem Eingangsanschluß und dem Ausgangsanschluß
geschaltet sind und jeweils mit einem Gattersteuereingang versehen sind, durch eine
Einrichtung zur Zuführung
relativ phaseninvertierter Steuersignale
zu den Gattersteuereingängen der Mosfets jedes Leitfähigkeitstyps, wobei ein vorbestimmter
Zustand der Steuersignale die Mosfets in den leitenden Zustand schaltet und das
Eingangssignal dem Ausgangsanschluß zuführt.
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Die Erfindung soll nun anhand der beigefügten Zeichnung, in der Ausführungsbeispiele
dargestellt sind, näher erläutert werden.
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Es zeigen: Fig. 1 einen integrierten Schaltkreis eines herkömmlichen
Ubertragungs-Schaltkreises, Fig. 2 eine Schaltkreisdarstellung einer bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, Fig. 3 bis 7 Schaltkreisdarstellungen
anderer Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, Fig. 8 eine Draufsicht auf
einen integrierten Schaltkreis gemäß vorliegender Erfindung und Fig. 9 einen Querschnitt
durch den integrierten Schaltkreis gemäß vorliegender Erfindung.
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In den Figuren der Zeichnung sind gleiche Bauteile mit den gleichen
Bezugszeichen versehen; es soll zunächst insbesondere Bezug genommen werden auf
Fig. 2, die eine Ausführungsform eines integrierten Schaltkreises zeigt.
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Wie in der Fig. 2 gezeigt ist, sind ein p-Kanal-Mosfet 5 und ein
n-Kanal-Mosfet 6 in Reihe zwischen einem Eingangsanschluß und einem Ausgangsanschluß
geschaltet. Steuersignale 4 und ei werden durch Signalquellen 40 und 41 erzeugt
und entsprechend den Gatterelektroden 8 und 7 der Mosfets 6 und 5
zugeführt
und steuern die Leitfähigkeit der Mosfets 6 und 5.
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Die Steuersignale 4 und 4 sind phaseninvertierte Signale, d.h.
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sie sind komplementär zueinander, und wenn das Steuersignal 0 hoch
ist, sind die Mosfets 5 und 6 eingeschaltet und das Eingangssignal wird dem Ausgangsanschluß
4 zugeführt. Bei diesem Schaltkreis ist die Schwellenspannung der Mosfets 5 und
6 vorzugsweise auf -0,8 Volt bzw. +0,8 Volt gelegt bei Nichtvorhandensein äußerer
Faktoren wie Rauschen. Es versteht sich jedoch, daß diese Schwellenspannungspegel
auf andere Werte als +0,8 Volt bei Abwesenheit von Rauschen eingestellt werden können
im Rahmen der vorliegenden Erfindung.
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Wenn das Mosfet 6 den bereits diskutierten äußeren Faktoren unterworfen
wird, wodurch seine Schwellenspannung Vth nach -0,8 Volt von +0,8 Volt verschoben
wird, wird das Mosf: 5 eingeschaltet, wenn das Steuersignal 0 sich in dem L-Zustand
befindet. Das Mosfet 6 ist namentlich immer eingeschaltet unabhängig vom Steuersignal
0. Jedoch wird Vth des p-Kanal-Mosfets 5 um einen größeren Minuspegel von -0,8 Volt
aus verschoben, da die Schieberichtung im allgemeinen die gleiche ist unabhängig
vom Kanaltyp. So wird das Mosfet 5 stärker nichtleitend gemacht, wenn das Steuersignal
4 sich in seinem H-Zustand befindet (entsprechend dem L-Zustand des Signals 0),
und das übertragungsgatter verliert nicht seine Funktion.
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Auf diese Weise wird das andere Mosfet 5 im Aus-Zustand gehalten
und das übertragungsgatter arbeitet nicht fehlerhaft, auch wenn ein Mosfet 6 aus
dem Aus-Zustand in den Ein-Zustand schaltet aufgrund von Rauschen oder ähnlichen
äußeren Signalen.
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Es sei beispielsweise der Fall betrachtet, daß der
Eingangs
anschluß 3 auf +5 Volt liegt und sich das Steuersignal 0 im L-Zustand befindet,
d.h. 0 Volt aufweist, so daß keine übertragung gewünscht wird. Es sei jetzt angenommen,
daß Rauschen mit einer Stärke, die größer ist als|Vth|, als iv 1aufdie t beiden
Steuersignale # und # einwirkt, derart, daß diese Signale erhöht oder verringert
werden. Dieser Zustand ist der ernsteste, der auf den Schaltkreis einwirken kann.
In diesem Fall wird Mosfet 5 vom Aus-Zustand in den Ein-Zustand geschaltet durch
Einwirken der Rauschspannung, die das Steuersignal # um einen Betrag ernie drigt,
der größer ist als|Vth|. Auch wenn die Rauschspannung auch das Steuersignal 4 um
eine Größe erhöht, die größer ist als iv 1 und somit Mosfet 6 aus dem Austh Zustand
in den Ein-Zustand schaltet, wird die Spannung zwischen der Gatterelektrode des
Mosfets 6 und dem Ausgangsanschluß 4 bei Vth gehalten, so daß die Spannung , die
am Ausgangsanschluß 4 erscheint, die Gatterspannung ist einschließlich Rauschspannung
abzüglich Vth. Wenn beispielsweise das Rauschsignal +1 Volt beträgt und Vth +0,8
Volt beträgt, ist die Spannung am Ausgangsanschluß 4 +0,2 Volt. Da dieser Ausgangsspannungspegel
viel niedriger ist als der +5 Volt-Eingangspegel und durch andere Geräte, die an
den Anschluß 4 angeschlossen sind, als L-Pegel interpretiert wird, zeitigt der Schaltkreis
das gewünschte Resultat, nämlich, daß eine Übertragung nicht bewirkt wird. Daher
zeigt der Schaltkreis eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Rauschen.
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Die Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der vor-(Verarmungs-)
liegenden Erfindung. Bei diesem Schaltkreis werden Depletionp
-Kanal-
und-n-Kanal-Mosfets 9 und 10 anstelle der Enhancement-(Anreicherungs-) Mosfets gemäß
Fig. 2 verwendet. Im Schaltkreis gemäß Fig. 2 wird der Pegel des Ausgangssignals
um den Wert von Vth verringert durch die Charakteristik der Enhancement-Mosfets,
wenn der H-Pegel übertragen wird. Jedoch wird der Pegel des Ausgangssignals nicht
verringert bei dem Depletion-Mosfet, und der Hochpegel wird unverringert übertragen.
Auf der anderen Seite ist das übertragene Signal begrenzt, da beide Mosfets 9 und
10 eingeschaltet sind, wenn der Eingangssignalpegel den vollen H-Zustand aufweist
und das Ausgangssignal den vollen L-Ausgangssignalzustand. Es sei jetzt angenommen,
daß die Schwellenspannung Vth des Mosfets 9 +0,1 Volt und die Schwellenspannung
Vth des Mosfets 10 -0,1 Volt beträgt und der Hochpegel des Signals 4 5 Volt und
der Niedrigpegel 0 Volt beträgt.
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Unter diesen Umständen sind beide Mosfets 9 und 10 normalerweise eingeschaltet,
d.h. befinden sich im leitenden Zustand, wenn das Potential des Anschlusses 3 höher
ist als 4,9 Volt und das Potential des Anschlusses 4 niedriger ist als 0,1 Volt.
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So wird der Hochpegel am Eingangsanschluß VAH und der Niedrigpegel
am Ausgangsanschluß VBL innerhalb der folgenden Grenzen gehalten: Vcc - Vthp 5 VAH
S Vcc 0 s VBL <= Vthn worin V und Vthn die entsprechenden Schwellenspannungen
thp thn Vth des p-Kanal- und n-Kanal-Mosfets 9 bzw. 10 sind und Vcc das Potential
der Spannungsversorgung und der Hochpegel des
Signals 0 oder 0.
Dieser Schaltkreis ist in der Lage, ein 0-Volt-Eingangs signal ohne irgendeine Pegelverschiebung
zu übertragen. Dies ist nämlich der Fall, bei dem der Pegel am Eingangsanschluß
bei 0 Volt fixiert ist. Dann kann der Ausgangsanschluß 4 auf 0 Volt festgelegt werden
oder kann auf das Potential der Spannungsversorgung oder auf den Hochpegel gesetzt
werden.
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Die Fig. 4 zeigt eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Schaltung. Dieser Schaltkreis weist drei Mosfets 11, 12 und 13 auf, die in Reihe
geschaltet sind, wobei jeder Mosfet mit einem Mosfet eines anderen Leitfähigkeitstyps
verbunden ist. Das dem Eingangsanschluß 14 zugeführte Signal wird auf den Ausgangsanschluß
15 übertragen bei Zufuhr der Steuersignale 0 und 0 zu den Gattern der Mosfets 11,
12 und 13. Dieser Schaltkreis ist symmetrisch aufgebaut und weist keine richtungsabhängigen
Transfercharakteristiken auf. Die Grundoperationsbedingungen dieses Schaltkreises
sind wie folgt: Vthn < Vcc ~~~~~----- (1) Vthp < Vcc ---------- (2) Vthp -
Vthn < Vcc ---------- (3) worin Vthn und Vthp die entsprechenden Schwellenspannungen
Vth thp des n-Kanal- und p-Kanal-Mosfets sind und V das Potential cc der Versorgungsspannung
und der Hochpegel des Signals ist.
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Dieser Vorspannungszustand wird nachfolgend erläutert.
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Zunächst stellt die nachfolgende Formel den Zustand dar, in dem das
Mosfet 11 in den leitenden Zustand schaltet durch
Zufuhr eines
Steuersignalpegels von # = 0, nämlich wenn sämtliche Mosfets 11, 12 und 13 ausgeschaltet
sind, d.h. sich im Sperrzustand befinden.
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VA > Vcc - Vthp ~~~~~~----thp worin VA der Pegel des Eingangssignals
am Anschluß 14 und VX der Pegel am Verbindungspunkt zwischen den Mosfets 11 und
12 ist. Der den Ein-Zustand für das Mosfet 12 definierende Zustand ist durch folgende
Gleichung gegeben: Vy <-Vthn ---------- (5) worin Vy der Pegel am Verbindungspunkt
zwischen den Mosfets 12 und 13 ist. Der den Ein-Zustand des Mosfets 13 definierende
ist durch folgende Gleichung gegeben: Vy >Vcc -Vthp ---------- (6) Alle Gleichungen
(4) bis (6) müssen gleichzeitig für das Signal am Anschluß 14, das auf den Anschluß
15 übertragen werden soll, erfüllt sein. Wenn jedoch die Gleichungen 5 und 6 zur
gleichen Zeit erfüllt sind, muß auch die Gleichung Vcc <Vthp- Vthn ----------
(7) erfüllt sein. Daher kann, wenn die Gleichungen (1) bis (3) erfüllt sind, der
Anschluß 14 nie mit dem Anschluß 15 verbunden werden, wenn das Steuersignal # 0
ist. Die Zustände (1) bis (3), aus denen das Mosfet durch das seinem Gatter zugeführte
Steuersignal steuerbar ist, sind verständlich aus der obigen Erläuterung und stellen
sämtliche Zustände dar, bei denen der
Schaltkreis normal arbeitet.
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Aufgrund der obigen Erläuterung wird die übertragung eines Signals
zwischen dem Eingangs anschluß und dem Ausgangsanschluß normal erfolgen, auch wenn
der Rauschpegel größer ist als1V 1. Insbesondere wenn der Rauschpegel gleich1v 1=
+0,1 th th Volt ist, werden die effektiven Schwellenspannungen des n-Kanal-und p-Kanal-Mosfets
-0,1 Volt bzw. +0,1 Volt. Wenn jedoch die Zustände (1) bis (3) zu den effektiven
Schwellenspannungen gehören, wird der Schaltkreis normal arbeiten ungeachtet der
Gegenwart von Rauschen in den Signalen.
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Der Versorgungsspannungsbereich in diesem Schaltkreis bewegt sich
von |Vth| ider Mosfets bis zur Durchbruchspannung am p-n-Übergang des Halbleitermaterials,
in dem der Schaltkreis gebildet ist. |Vth| des Mosfets kann auf den niedrigsten
Wert gedrückt werden, weil der Rauschpegel größer als |Vth| sein kann. So wird der
brauchbare Spannungsversorgungsbereich ausgedehnt und diese Beschränkung bei der
Ausführung solcher Schaltkreise wird beseitigt.
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Dieser Schaltkreis kann auch dazu verwendet werden, eine Widerstandsfunktion
auszuüben, da der Widerstandswert zwischen dem Eingangs- und Ausgangsanschluß im
Ein-Zustand der Mosfets konstant ist, wenn die Leitfähigkeit der n- und p-Kanal-Mosfets
gleich ist. Die Leitfähigkeit eines Mosfets wird hauptsächlich bestimmt durch den
geometrischen Aufbau des Mosfets und ist proportional zu dem Wert b/L, worin b die
Breite des Mosfet-Kanals und L die Länge des Mosfetkanals ist. Vorzugsweise wird
die Breite des Kanals des Mosfets 12 doppelt so groß eingestellt wie die Breite
des Kanals des Mosfets 11 oder
13. Die Kanallänge der Mosfets 11,
12 und 13 sollte gleich sein.
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Dieser Schaltkreis weist einen Widerstandswert auf, der unabhängig
ist von der Eingangsspannung. Der Schaltkreis kann daher dazu verwendet werden,
den Rückkopplungswiderstand für einen Linearverstärker usw. zu liefern.
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Die Schaltkreise der Fig. 2 und 3 können auch dazu verwendet werden,
Widerstands funktionen auszuüben.
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Die Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Bei diesem Schaltkreis ist der Leitfähigkeitstyp der Mosfets bezüglich des Schaltkreises
nach Fig. 4 umgekehrt. So ist ein n-Kanal-Mosfet 16 an den Eingangsanschluß 14 und
ein n-Kanal-Mosfet 17 an den Ausgangsanschluß 15 angeschlossen. Ein p-Kanal-Mosfet
18 ist zwischen den Mosfets 16 und 17 angeordnet. Der Leitfähigkeitszustand jedes
Mosfets wird gesteuert durch das Steuersignal 4 oder #, das deren Gatter zugeführt
wird. Dieser Schaltkreis hat im wesentlichen die gleichen Charakteristiken wie der
Schaltkreis nach Fig. 4.
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Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Bei dieser Ausführungsform werden Depletionp-Kanal-Mosfets 18, 20 mit einem Depletion-n-Kanal-Mosfet
19 verwendet, so daß das Eingangssignal unter einem Spannungsabfall auf den Ausgangsanschluß
15 übertragen wird. Die Zustände (1) und (3) werden bei diesem Schaltkreis ebenfalls
erfüllt.
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Die Fig. 7 zeigt eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Schaltung. Bei diesem Schaltkreis ist der Leitfähigkeitstyp der Mosfets umgekehrt
zu dem der in der
Schaltung nach Fig. 6 verwendeten Mosfets. Ein
Depletion-n-Kanal-Mosfet 21 ist mit dem Eingangs anschluß verbunden und ein Depletion-n-Kanal-Mosfet
23 ist mit dem Ausgangsanschluß verbunden. Ein Depletion-p-Kanal-Mosfet 22 ist zwischen
den beiden Mosfets 21 und 23 angeordnet.
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Fig. 8 zeigt eine Draufsicht auf eine Anordnung, bei der der Schaltkreis
nach Fig. 4 auf einem Halbleitermaterial ausgebildet ist. Fig. 9 zeigt einen Querschnitt
durch die Schaltung entlang der Linie X-X' nach Fig. 8. Wie in diesen Figuren gezeigt
ist, sind die drei Mosfets 11, 12 und 13 nach Fig. 4 auf einem n-Halbleitermaterial
21 ausgebildet. Der p-Bereich 22 ist im Halbleitermaterial 21 ausgebildet und zwei
n-Bereiche 23 und 24 bilden entsprechend die Quellen (Source)- und Senken (Drain)-Bereiche
des Mosfets 11. Zwei p-Bereiche 25 und 26 sind in dem Halbleitersubstrat 21 ausgebildet.
Die zwei p-Bereiche 25 und 26 bilden entsprechend die Senken- und Quellenbereiche
des Mosfets 12. Gatterisolierschichten (Torisolierschichten) 27 und 28 und Gatterelektroden
(Torelektroden) 29 und 30 sind auf den Kanalbereichen zwischen den Quellen 23 und
26 und in den Senken 24 und 25 der Mosfets 11 und 12 ausgebildet. Die Mosfets 11
und 12 sind voneinander getrennt und sind entsprechend umgeben von einer dicken
Isolationsschicht 31. Elektroden 32, 33 und 34 können aus Aluminium hergestellt
sein und sind mit den Quellenbereichen 23 und 26 und Senkenbereichen 24 und 25 über
öffnungen in der Isolationsschicht 35 verbunden. Die Elektrode 32 ist an den Eingangsanschluß
angeschlossen, die Elektrode 33 verbindet die Mosfets
11 und 12
und die Elektrode 34 ist an dem Senkenbereich 36 des Mosfets 13 angeschlossen. Das
Mosfet 13 ist ähnlich aufgebaut wie das Mosfet 11 und die Quelle 37 des Mosfets
13 ist mit dem Ausgangsanschluß verbunden.
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Bei den obigen Ausführungsformen weist der übertragungsgatterschaltkreis
zwei oder drei Mosfets auf. Jedoch kann das gleiche Arbeitsprinzip bei Schaltkreisen
verwendet werden, die eine größere Zahl von Mosfets verwenden.
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Modifikationen und Änderungen der beschriebenen Schaltkreise sind
möglich.
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